KR20120126396A - 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 광학 부재는 다수 개의 기공들을 포함하는 담체부; 및 상기 기공들 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들을 포함한다.

Description

광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법{OPTICAL MEMBER, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
실시예는 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
발광다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기를 자외선, 가시광선, 적외선 등으로 전환시키는 반도체 소자로서 주로 가전제품, 리모컨, 대형 전광판 등에 사용되고 있다.
고휘도의 LED 광원은 조명등으로 사용되고 있으며, 에너지 효율이 매우 높고 수명이 길어 교체 비용이 적으며 진동이나 충격에도 강하고 수은 등 유독물질의 사용이 불필요하기 때문에 에너지 절약, 환경보호, 비용절감 차원에서 기존의 백열전구나 형광등을 대체하고 있다.
또한, LED는 중대형 LCD TV, 모니터 등의 광원으로서도 매우 유리하다. 현재 LCD(Liquid Crystal Display)에 주로 사용되고 있는 냉음극 형광등(CCFL, Cold Cathode Fluorescent Lamp)에 비하여 색순수도가 우수하고 소비전력이 적으며 소형화가 용이하여 이를 적용한 시제품이 양산되고 있으며, 더욱 활발한 연구가 진행되고 있는 상태이다.
실시예는 향상된 광학적 특성, 기계적인 강도, 신뢰성 및 내구성을 가지는 광학, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 광학 부재는 다수 개의 기공들을 포함하는 담체부; 및 상기 기공들 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들을 포함한다.
실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 상기 광학 부재; 및 상기 광학 부재로부터 출사되는 광이 입사되는 표시패널을 포함한다.
실시예에 따른 광학 부재의 제조방법은 다수 개의 기공들을 포함하는 담체부를 형성하는 단계; 및 상기 기공들에 다수 개의 파장 변환 입자들을 유입시키는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 광학 부재는 담체부의 기공들에 파장 변환 입자들을 수용시킨다. 특히, 상기 파장 변환 입자들은 폴리머 또는 용매에 분산되어, 상기 기공들 내에 배치될 수 있다. 이에 따라서, 상기 담체부는 상기 파장 변환 입자들, 상기 폴리머, 또는 상기 용매를 수용하고 지지할 수 있다.
특히, 상기 담체부로 유리가 사용될 수 있다. 이에 따라서, 상기 담체부는 높은 기계적인 특성을 가질 수 있고, 실시예에 따른 광학 부재는 향상된 강도를 가질 수 있다.
또한, 상기 파장 변환 입자들이 유기 용매 등에 분산될 때, 상기 파장 변환 입자들은 높은 파장 변환 효율을 가질 수 있다. 또한, 상기 담체부로 유리가 사용되는 경우, 상기 담체부는 높은 투과율을 가질 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 광학 부재 및 표시장치는 향상된 광학적 특성을 가질 수 있다.
또한, 상기 담체부는 매우 얇은 두께로 형성될 수 있다. 또한, 상기 담체부의 두께에 따라서, 실시예에 따른 광학 부재의 두께는 다양하게 조절될 수 있고, 실시예에 따른 표시장치는 슬림한 구조를 가질 수 있다.
또한, 상기 담체부에 의해서, 파장 변환 입자들이 효과적으로 보호될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 광학 부재는 상기 파장 변환 입자들을 외부의 물리적 충격 및 습기 및/또는 산소 등과 같은 화학적인 충격으로부터 효과적을 보호할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 5는 파장 변환 부재를 제조하는 과정을 도시한 단면도들이다.
도 6 및 도 7은 파장 변환 부재의 변형예를 도시한 도면들이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 9는 발광다이오드, 파장 변환 부재 및 도광판을 도시한 단면도이다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 2는 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 도 3 내지 도 5는 파장 변환 부재를 제조하는 과정을 도시한 단면도들이다. 도 6 및 도 7은 파장 변환 부재의 변형예를 도시한 도면들이다.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 백라이트 유닛(10) 및 액정패널(20)을 포함한다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(10)은 면 광원으로 상기 액정패널(20)의 하면에 균일하기 광을 조사할 수 있다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(10)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사시트(300), 광원, 예를 들어, 다수 개의 발광다이오드들(400), 인쇄회로기판(401) 및 다수 개의 광학 시트들(500)을 포함한다.
상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광다이오드들(400), 상기 인쇄회로기판(401), 상기 반사시트(300) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.
상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.
상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.
상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.
상기 발광다이오드들(400)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드들(400)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.
상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.
상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.
상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(20)에 공급한다.
상기 광학 시트들(500)은 파장 변환 부재(501), 확산 시트(502), 제 1 프리즘 시트(503) 및 제 2 프리즘 시트(504)일 수 있다.
상기 파장 변환 부재(501)는 상기 광원 및 상기 액정 패널(20) 사이의 광 경로 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 상에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 및 상기 확산 시트(502) 사이에 개재될 수 있다. 상기 파장 변환 부재(501)는 입사되는 광의 파장을 변환하여 상방으로 출사할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광다이오드들(400)이 청색 발광다이오드인 경우, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 도광판(200)으로부터 상방으로 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 상기 발광다이오드들(400)이 UV 발광다이오드인 경우, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(501)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 변환되지 않고 상기 파장 변환 부재(501)를 통과하는 광 및 상기 파장 변환 부재(501)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 액정패널(20)에는 백색광이 입사될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재(501)는 담체부(510), 호스트(520) 및 다수 개의 파장 변환 입자들(530)을 포함한다.
상기 담체부(510)는 다수 개의 기공들(PO)을 포함한다. 상기 담체부(510)는 상기 호스트(520) 및 상기 파장 변환 입자들(530)을 수용한다. 더 자세하게, 상기 호스트(520) 및 상기 파장 변환 입자들(530)은 상기 기공들(PO) 내에 배치된다.
또한, 상기 담체부(510)는 상기 호스트(520) 및 상기 파장 변환 입자들(530)을 지지한다. 즉, 상기 담체부(510)는 상기 파장 변환 부재(501)의 외형을 구성할 수 있다.
상기 기공들(PO)은 상기 담체부(510)를 관통할 수 있다. 즉, 상기 기공들(PO)은 상기 담체부(510)의 상면으로부터 상기 담체부(510)의 하면까지 연장될 수 있다. 상기 담체부(510)는 상기 기공들(PO)에 의해서 그물망 형상을 가질 수 있다.
상기 기공들(PO)의 직경은 약 10㎛ 내지 약 100㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 기공들(PO)의 직경은 약 50㎛ 내지 약 100㎛일 수 있다.
상기 담체부(510)로 사용되는 물질의 예로서는 유리 등의 무기 물질을 들 수 있다. 더 자세하게, 상기 담체부(510)는 리튬 옥사이드(lithium oxide), 보론 옥사이드(boron oxide), 포스포러스 옥사이드(phosphorus oxide) 또는 실리콘 옥사이드(silicon oxide)를 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 담체부(510)는 Li2O-B2O3-SiO2계 유리, Li2O-B2O3-P2O5계 유리, B2O3-P2O5-SiO2계 유리 또는 Li2O-B2O3-P2O5계 유리 등을 포함할 수 있다.
상기 담체부(510)의 두께는 약 100㎛ 내지 약 1㎝ 일 수 있다. 상기 담체부(510)의 두께는 상기 기공들(PO)의 직경 및 상기 파장 변환 입자들(530)의 양에 따라서 다양하게 조절될 수 있다.
상기 호스트(520)는 상기 담체부(510) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 호스트(520)는 상기 기공들(PO) 내에 배치된다. 즉, 상기 호스트(520)는 상기 담체부(510) 내에 담지된다. 상기 호스트(520)로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘계 폴리머 등과 같은 폴리머일 수 있다. 상기 호스트(520)는 상온에서 고체 상태일 수 있다.
이와는 다르게, 상기 호스트(520)는 모노머, 올리고머 또는 액상의 폴리머를 포함할 수 있다. 또한, 상기 호스트(520)로 사용되는 물질의 예로서는 벤젠, 톨루엔 또는 메틸 에틸 케톤(methyl ehtyl ketone;MEK) 등과 같은 유기 용매 등을 들 수 있다. 즉, 상기 호스트(520)는 상온에서 액체 상태일 수 있다.
상기 호스트(520)는 상기 파장 변환 입자들(530)을 둘러싼다. 상기 호스트(520)는 상기 파장 변환 입자들(530)을 분산시킨다. 즉, 상기 호스트(520)는 상기 파장 변환 입자들(530)을 분산시키는 분산 매질일 수 있다.
상기 파장 변환 입자들(530)은 상기 담체부(510) 내에 배치된다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(530)은 상기 기공들(PO) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 입자들(530)은 상기 호스트(520) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 입자들(530)은 상기 호스트(520)에 분산된다.
상기 파장 변환 입자들(530)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 파장 변환 입자들(530)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 입자들(530)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(530) 중 일부는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(530) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이와는 다르게, 상기 파장 변환 입자들(530)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(530) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(530) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 입자들(530) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
즉, 상기 발광다이오드들(400)이 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드인 경우, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(530)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광다이오드들(400)이 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드인 경우, 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(530)이 사용될 수 있다.
상기 파장 변환 입자들(530)은 다수 개의 양자점(QD, Quantum Dot)들일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.
상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.
상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기 또는 합성 과정에서의 분자 클러스터 화합물(molecular cluster compound)와 나노입자 전구체 (precurser)의 몰분율 (molar ratio)에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.
특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다.
이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.
상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 상기 파장 변환 부재(501)는 다음과 같은 공정에 의해서 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 예비 담체부(511)가 형성된다. 상기 예비 담체부(511)는 플레이트 형상을 가질 수 있다. 상기 예비 담체부(511)로 사용되는 물질의 예로서는 유리 등을 들 수 있다.
상기 예비 담체부(511)는 제 1 성분 및 제 2 성분을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 예비 담체부(511)는 리튬 옥사이드, 보론 옥사이드, 포스포러스 옥사이드 또는 실리콘 옥사이드를 포함할 수 있다.
더 자세하게, 상기 예비 담체부(511)는 Li2O-B2O3-SiO2계 유리, Li2O-B2O3-P2O5계 유리, B2O3-P2O5-SiO2계 유리 또는 Li2O-B2O3-P2O5계 유리 등으로 구성될 수 있다.
상기 예비 담체부(511)를 형성하기 위해서, 상기 제 1 성분을 포함하는 제 1 파우더 및 상기 제 2 성분을 포함하는 제 2 파우더가 균일하게 혼합된다. 이후, 상기 혼합물은 용융되고, 원하는 형상의 틀에서 냉각되어, 상기 예비 담체부(511)가 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 예비 담체부(511)는 에천트에 의해서 에칭되고, 담체부(510)가 형성된다. 상기 예비 담체부(511)는 에천트에 딥핑되고, 기공들(PO)이 형성될 수 있다.
상기 에천트는 상기 제 1 성분 및 상기 제 2 성분에 대하여, 서로 다른 식각 선택비를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 에천트는 상기 제 2 성분 보다 상기 제 1 성분에 대하여, 더 높은 식각 선택비를 가질 수 있다.
이때, 상기 제 1 성분은 보론 옥사이드이고, 상기 제 2 성분은 포스포러스 옥사이드일 수 있다. 이와는 다르게, 상기 제 1 성분은 포스포러스 옥사이드이고, 상기 제 2 성분은 보론 옥사이드일 수 있다.
또한, 상기 제 1 성분은 리튬 옥사이드이고, 상기 제 2 성분은 포스포러스 옥사이드, 보론 옥사이드 또는 실리콘 옥사이드 일 수 있다. 이때, 에천트로 HF 수용액, 황산 수용액, 염산 수용액 또는 질산 수용액이 사용될 수 있다. 성분에 따라 다르나, 상기 에칭 공정은 상온에서 약 수 초 내지 약 수 분이 소요될 수 있다.
더 자세하게, 리튬 옥사이드를 포함하는 유리로 구성된 예비 담체부(511)는 약 1mol%의 HF 수용액에 상온에서 약 3분 동안 딥핑된다. 이에 따라서, 상기 예비 담체부(511)에 포함된 리튬 옥사이드 성분이 대부분 제거되고, 다수 개의 기공들(PO)이 형성될 수 있다. 이에 따라서, 상기 담체부(510)가 형성될 수 있다. 이때, 상기 기공들(PO)의 총 부피 및 형상은 리튬 옥사이드의 조성에 따라서 다양하게 조절될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 담체부(510)는 호스트(520)를 형성하기 위한 호스트 재료(521) 및 다수 개의 파장 변환 입자들(530)이 균일하게 혼합된 분산액에 딥핑된다. 이때, 상기 분산액은 상기 기공들(PO)에 유입된다.
이때, 상기 호스트 재료(521)에 자외선이 조사되어, 상기 호스트 재료(521)는 경화되어, 상기 호스트(520)가 형성될 수 있다.
이와는 다르게, 상기 호스트 재료(521) 자체가 상기 호스트(520)를 구성할 수 있다. 즉, 상기 호스트 재료(521)는 따로 처리되지 않고, 상기 기공들(PO)에 유입되는 것으로도 상기 호스트(520)를 형성할 수 있다.
이와 같이, 상기 파장 변환 입자들(530)은 상기 기공들(PO)에 유입되어, 실시예에 따른 파장 변환 부재(501)가 형성된다. 상기 기공들(PO)에만 상기 파장 변환 입자들(530)이 배치되므로, 실시예에 따른 파장 변환 부재(501)를 형성하기 위해서, 사용되는 파장 변환 입자들(530)의 양이 감소될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재(501)는 제 1 보호막(540) 및 제 2 보호막(550)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 보호막(540) 및 상기 제 2 보호막(550)은 상기 담체부(510)를 샌드위치할 수 있다. 즉, 상기 제 1 보호막(540)은 상기 담체부(510)의 하면에 배치되고, 상기 제 2 보호막(550)은 상기 담체부(510)의 상면에 배치될 수 있다.
상기 제 1 보호막(540) 및 상기 제 2 보호막(550)은 상기 담체부(510)에 라미네이팅될 수 있다. 상기 제 1 보호막(540) 및 상기 제 2 보호막(550)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등과 같은 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 제 1 보호막(540) 및 상기 제 2 보호막(550)은 상기 담체부(510), 상기 호스트(520) 및 상기 파장 변환 입자들(530)을 외부의 물리적인 충격 및 습기 및/또는 산소 등과 같은 화학적인 충격으로부터 보호한다. 특히, 상기 담체부(510)가 유리로 형성되는 경우, 상기 제 1 보호막(540) 및 상기 제 2 보호막(550)은 상기 담체부(510)가 깨지는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 상기 담체부(510)의 상면 및 하면 뿐만 아니라, 상기 담체부(510)의 측면에도 추가적인 보호막이 형성될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재(501)는 지지부(560)를 더 포함할 수 있다.
상기 지지부(560)는 상기 담체부(510) 아래에 배치된다. 상기 지지부(560)는 상기 담체부(510)를 지지한다. 상기 지지부(560)는 투명한 기판일 수 있다. 상기 지지부(560)는 상기 담체부(510)보다 더 두껍다.
상기 지지부(560)는 상기 담체부(510)와 다른 성분을 가지는 유리기판일 수 있다. 상기 담체부(510)는 상기 지지부(560)에 접합될 수 있다.
상기 담체부(510)는 상기 지지부(560)에 접합되고, 상기 지지부(560)에 의해서 지지되므로, 매우 얇은 두께를 가질 수 있다. 상기 담체부(510)의 두께는 약 10Å 내지 약 500㎛일 수 있다.
상기 확산 시트(502)는 상기 파장 변환 부재(501) 상에 배치된다. 상기 확산 시트(502)는 통과되는 광의 균일도를 향상시킨다. 상기 확산 시트(502)는 다수 개의 비드들을 포함할 수 있다.
상기 제 1 프리즘 시트(503)는 상기 확산 시트(502) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 상기 제 1 프리즘 시트(503) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(503) 및 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.
상기 액정패널(20)은 상기 광학시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(20)은 패널 가이드(23) 상에 배치된다. 상기 액정패널(20)은 상기 패널 가이드(23)에 의해서 가이드될 수 있다.
상기 액정패널(20)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(20)은 상기 백라이트 유닛(10)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(20)은 TFT기판(21), 컬러필터기판(22), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(20)은 편광필터들을 포함한다.
도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(21) 및 컬러필터기판(22)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(21)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.
액정표시패널(210)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(25)가 구비된다.
상기 구동 PCB(25)는 COF(Chip on film, 24)에 의해 액정패널(20)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(24)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 상기 담체부(510)로 유리가 사용될 수 있다. 이에 따라서, 상기 담체부(510)는 높은 기계적인 특성을 가질 수 있고, 실시예에 따른 파장 변환 부재(501)는 향상된 강도를 가질 수 있다. 즉, 실시예에 따른 파장 변환 부재(501)는 리지드할 수 있다.
또한, 상기 파장 변환 입자들(530)이 유기 용매 등에 분산될 때, 상기 파장 변환 입자들(530)은 높은 파장 변환 효율을 가질 수 있다. 또한, 상기 담체부(510)로 유리가 사용되는 경우, 상기 담체부(510)는 높은 투과율을 가질 수 있다.
또한, 상기 기공들(PO)에 의해서, 상기 파장 변환 부재(501)에 입사되는 광은 산란될 수 있다. 이와 같이, 상기 파장 변환 부재(501)에 입사되는 광은 상기 기공들(PO)에 의해서, 상기 파장 변환 부재(501) 내에서 광 경로가 더 증가될 수 있다. 이에 따라서, 상기 파장 변환 부재(501)에 입사되는 광은 상기 파장 변환 입자들(530)에 입사될 가능성이 높아지게 된다.
따라서, 실시예에 따른 파장 변환 부재(501) 및 액정표시장치는 높은 휘도 및 색재현성과 같은 향상된 광학적 특성을 가질 수 있다.
또한, 상기 담체부(510)는 매우 얇은 두께로 형성될 수 있다. 또한, 상기 담체부(510)의 두께에 따라서, 실시예에 따른 파장 변환 부재(501)의 두께는 다양하게 조절될 수 있고, 실시예에 따른 액정표시장치는 슬림한 구조를 가질 수 있다.
또한, 상기 담체부(510)에 의해서, 상기 파장 변환 입자들(530)이 효과적으로 보호될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 파장 변환 부재(501)는 상기 파장 변환 입자들(530)을 외부의 물리적 충격 및 습기 및/또는 산소 등과 같은 화학적인 충격으로부터 효과적을 보호할 수 있다.
따라서, 상기 파장 변환 부재(501) 및 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.
도 8은 다른 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 9는 도광판, 발광다이오드 및 파장 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 파장 변환 부재(600)는 발광다이오드들(400) 및 도광판(200) 사이에 개재된다.
상기 파장 변환 부재(600)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 일 측면을 따라 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 입사면을 따라서 연장되는 형상을 가질 수 있다.
상기 파장 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(600)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 상기 파장 변환 부재(600)를 통과하는 광 및 상기 파장 변환 부재(600)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 도광판(200)에는 백색광이 입사될 수 있다.
또한, 상기 파장 변환 부재(600)는 담체부(610), 호스트(620) 및 다수 개의 파장 변환 입자들(630)을 포함한다. 상기 파장 변환 부재(600)는 앞서 설명한 실시예들에서의 파장 변환 부재(501)와 외적 형태만 다를 뿐 실질적으로 동일한 구조를 가진다. 즉, 상기 담체부(610), 상기 호스트(620) 및 상기 파장 변환 입자들(630)의 특징은 앞서 설명한 실시예들에서 설명한 특징과 실질적으로 동일할 수 있다.
또한, 상기 파장 변환 부재(600)의 구조는 도 6 및 7과 같이 다양하게 변형될 수 있다.
본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 파장 변환 부재(600)는 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 파장 변환 입자들(630)이 사용될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 파장 변환 입자들(630)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.
도 13은 또 다른 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예들에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 다수 개의 파장 변환 부재들(700)을 포함한다. 상기 파장 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)에 각각 대응된다.
또한, 상기 파장 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다. 즉, 각각의 파장 변환 부재(600)는 대응되는 발광다이오드 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다.
또한, 상기 파장 변환 부재들(700)은 대응되는 발광다이오드로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 이때, 상기 파장 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드로부터 출사되는 광을 녹색광과 같은 제 1 파장의 광으로 변환시키는 제 1 파장 변환 부재들 및 적색광과 같은 제 2 파장의 광으로 변환시키는 제 2 파장 변환 부재들로 나누어질 수 있다.
상기 파장 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)보다 더 넓은 평면적을 가질 수 있다. 이에 따라서, 각각의 발광다이오드로부터 출사되는 광은 대응되는 파장 변환 부재(700)에 거의 대부분이 입사될 수 있다.
또한, 상기 파장 변환 부재(700)는 담체부, 호스트 및 다수 개의 파장 변환 입자들을 포함한다. 상기 파장 변환 부재(700)는 앞서 설명한 실시예들에서의 파장 변환 부재들와 외적 형태만 다를 뿐 실질적으로 동일한 구조를 가진다. 즉, 상기 담체부, 상기 호스트 및 상기 파장 변환 입자들의 특징은 앞서 설명한 실시예들에서 설명한 특징과 실질적으로 동일할 수 있다.
본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 파장 변환 부재(700)는 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 파장 변환 입자들이 사용될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 파장 변환 입자들의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.
또한, 각각 파장 변환 부재(700)의 특성은 대응되는 발광다이오드에 적합하도록 변형될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 더 향상된 휘도 및 균일한 색재현성을 가질 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 다수 개의 기공들을 포함하는 담체부; 및
    상기 기공들 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들을 포함하는 광학 부재.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 담체부는 유리를 포함하는 광학 부재.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 기공들 내에 배치되는 호스트를 포함하고,
    상기 파장 변환 입자들은 상기 호스트 내에 배치되는 광학 부재.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 파장 변환 입자들은 상기 호스트에 분산되는 광학 부재.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 호스트는 폴리머를 포함하는 광학 부재.
  6. 제 3 항에 있어서, 상기 호스트는 유기 용매를 포함하는 광학 부재.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 담체부의 외부 표면에 배치되는 보호막을 포함하는 광학 부재.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 보호막은 상기 담체부를 샌드위치하는 제 1 보호막 및 제 2 보호막을 포함하는 광학 부재.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 담체부 아래에 배치되는 지지부를 포함하는 광학 부재.
  10. 광원;
    상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 광학 부재; 및
    상기 광학 부재로부터 출사되는 광이 입사되는 표시패널을 포함하고,
    상기 광학 부재는
    다수 개의 기공들을 포함하는 담체부; 및
    상기 기공들 내에 배치되는 다수 개의 파장 변환 입자들을 포함하는 표시장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 표시패널 아래에 배치되는 도광판을 포함하고,
    상기 광학 부재는 상기 표시패널 및 상기 도광판 사이에 배치되는 표시장치.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 표시패널 아래에 배치되는 도광판을 포함하고,
    상기 광원은 상기 도광판의 측면에 배치되고,
    상기 광학 부재는 상기 도광판 및 상기 광원 사이에 개재되는 표시장치.
  13. 다수 개의 기공들을 포함하는 담체부를 형성하고,
    상기 기공들에 다수 개의 파장 변환 입자들을 유입시키는 것을 포함하는 광학 부재의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    제 1 성분 및 제 2 성분을 포함하는 예비 담체부를 형성하고,
    상기 제 2 성분보다 상기 제 1 성분에 대해서 더 높은 식각 선택비를 가지는 에칭액을 사용하여, 상기 예비 담체부를 에칭하여, 상기 담체부를 형성하는 광학 부재의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 성분은 보론 옥사이드이고, 상기 제 2 성분은 포스포러스 옥사이드인 광학 부재의 제조방법.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 성분은 포스포러스 옥사이드이고, 상기 제 2 성분은 보론 옥사이드인 광학 부재의 제조방법.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 성분은 리튬 옥사이드이고, 상기 제 2 성분은 보론 옥사이드, 포스포러스 옥사이드 또는 실리콘 옥사이드인 광학 부재의 제조방법.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 파장 변환 입자들을 포함하는 수지 조성물에 상기 담체부를 딥핑하여, 상기 기공들에 상기 파장 변환 입자들을 유입시키는 광학 부재의 제조방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 수지 조성물을 경화시키는 광학 부재의 제조방법.
  20. 제 13 항에 있어서,
    상기 파장 변환 입자들이 유기 용매에 분산되어 형성된 분산액에, 상기 담체부를 딥핑하여, 상기 기공들에 상기 파장 변환 입자들을 유입시키는 광학 부재의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101877463B1 (ko) * 2011-07-18 2018-07-13 엘지이노텍 주식회사 표시장치
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