KR20120070449A - 표시장치 및 광 변환 부재의 제조방법 - Google Patents

표시장치 및 광 변환 부재의 제조방법 Download PDF

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Abstract

표시장치 및 광 변환 부재의 제조방법이 개시된다. 표시장치는 광원; 상기 광원으로부터 발생되는 광의 파장을 변환시키는 다수 개의 광 변환 입자들; 상기 광 변환 입자들을 수용하는 튜브; 상기 튜브의 내부에 삽입되어, 상기 튜브의 내부를 밀봉하는 밀봉부재; 및 상기 광 변환 입자들에 의해서 변환된 광을 입사받아 영상을 표시하는 표시패널을 포함하고, 상기 튜브의 내면에 제 1 돌기 패턴이 형성되고, 상기 밀봉부재는 상기 제 1 돌기 패턴에 접촉된다.

Description

표시장치 및 광 변환 부재의 제조방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING LIGHT TRANSFORMING MEMBER}
실시예는 표시장치 및 광 변환 부재의 제조방법에 관한 것이다.
발광다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기를 자외선, 가시광선, 적외선 등으로 전환시키는 반도체 소자로서 주로 가전제품, 리모컨, 대형 전광판 등에 사용되고 있다.
고휘도의 LED 광원은 조명등으로 사용되고 있으며, 에너지 효율이 매우 높고 수명이 길어 교체 비용이 적으며 진동이나 충격에도 강하고 수은 등 유독물질의 사용이 불필요하기 때문에 에너지 절약, 환경보호, 비용절감 차원에서 기존의 백열전구나 형광등을 대체하고 있다.
또한, LED는 중대형 LCD TV, 모니터 등의 광원으로서도 매우 유리하다. 현재 LCD(Liquid Crystal Display)에 주로 사용되고 있는 냉음극 형광등(CCFL, Cold Cathode Fluorescent Lamp)에 비하여 색순수도가 우수하고 소비전력이 적으며 소형화가 용이하여 이를 적용한 시제품이 양산되고 있으며, 더욱 활발한 연구가 진행되고 있는 상태이다.
최근, 청색 LED를 사용하고 형광체로서 적색광 및 녹색광을 방출하는 양자점(QD)을 이용하여 백색광을 구현하는 기술이 다수 선보이고 있다. 이는 양자점을 이용하여 구현되는 백색광이 고휘도와 우수한 색채 재현성을 갖기 때문이다.
그럼에도, 이를 LED 백라이트 유닛에 적용하는 경우, 발생할 수 있는 광 손실을 줄이고 색 균일성을 개선하기 위한 연구의 필요성은 여전히 대두된다.
실시예는 용이하게 제조될 수 있고, 높은 신뢰성 및 내구성을 가지는 표시장치 및 이에 포함되는 광 변환 부재의 제조방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원으로부터 발생되는 광의 파장을 변환시키는 다수 개의 광 변환 입자들; 상기 광 변환 입자들을 수용하는 튜브; 상기 튜브의 내부에 삽입되어, 상기 튜브의 내부를 밀봉하는 밀봉부재; 및 상기 광 변환 입자들에 의해서 변환된 광을 입사받아 영상을 표시하는 표시패널을 포함하고, 상기 튜브의 내면에 제 1 돌기 패턴이 형성되고, 상기 밀봉부재는 상기 제 1 돌기 패턴에 접촉된다.
실시예에 따른 광 변환 부재의 제조방법은 다수 개의 광 변환 입자들을 포함하는 수지 조성물을 형성하는 단계; 상기 수지 조성물을 튜브에 유입시키는 단계; 상기 튜브를 세정하는 단계; 및 상기 튜브의 끝단에 밀봉부재를 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 표시장치는 튜브 내면에 형성된 돌기 패턴을 형성하고, 돌기 패턴에 밀봉부재를 접촉시킨다. 이에 따라서, 밀봉부재 및 튜브의 접촉면적이 증가되고, 밀봉부재는 튜브의 내면에 견고하게 밀착될 수 있다.
즉, 밀봉부재는 튜브의 내부를 견고하게 밀봉함에 따라서, 광 변환 입자들은 외부의 습기 또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 효율적으로 보호될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 표시장치는 향상된 신뢰성 및 향상된 화질을 가질 수 있다.
또한, 실시예에 따른 광 변환 부재를 형성하는 과정에서, 튜브는 도데실벤젠 술폰산 및 톨루엔을 포함하는 세정액에 의해서 세정될 수 있다. 이때, 톨루엔의 비율이 약 70wt% 내지 85wt%의 비율로 더 많이 세정액에 포함될 수 있다. 이와 같은 경우, 튜브의 내부는 더 효율적으로 세정될 수 있다.
또한, 세정액에는 불산과 같은 튜브를 식각할 수 있는 식각액이 더 포함될 수 있다.
이에 따라서, 튜브의 일부를 식각하여, 튜브의 내부를 세정하기 때문에, 실시예에 따른 광 변환 부재의 제조방법은 튜브를 세정하는데 소모되는 시간을 줄일 수 있다.
또한, 식각액에 의해서, 튜브의 일부, 더 자세하게, 튜브의 끝단에 돌기 패턴이 형성된다. 특히, 튜브의 내면에 돌기 패턴이 형성된다. 이후, 튜브의 끝단에 밀봉부재가 형성되고, 밀봉부재 및 튜브의 접촉면적이 향상된다.
이에 따라서, 실시예에 따른 광 변환 부재의 제조방법은 향상된 신뢰성 및 향상된 내구성을 가지는 광 변환 부재를 용이하게 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 5 내지 도 8은 실시예에 따른 광 변환 부재를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다. 도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 3은 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 4는 도 3에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 5 내지 도 8은 실시예에 따른 광 변환 부재를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 몰드 프레임(10), 백라이트 어셈블리(20) 및 액정패널(30)을 포함한다.
상기 몰드 프레임(10)은 상기 백라이트 어셈블리(20) 및 상기 액정패널(30)을 수용한다. 상기 몰드 프레임(10)은 사각 틀 형상을 가지며, 상기 몰드 프레임(10)으로 사용하는 물질의 예로서는 플라스틱 또는 강화 플라스틱 등을 들 수 있다.
또한, 상기 몰드 프레임(10) 아래에는 상기 몰드 프레임(10)을 감싸며, 상기 백라이트 어셈블리(20)를 지지하는 샤시가 배치될 수 있다. 상기 샤시는 상기 몰드 프레임(10)의 측면에도 배치될 수 있다.
상기 백라이트 어셈블리(20)는 상기 몰드 프레임(10) 내측에 배치되며, 광을 발생시켜 상기 액정패널(30)을 향하여 출사한다. 상기 백라이트 어셈블리(20)는 반사시트(100), 도광판(200), 발광다이오드(300), 광 변환 부재(400), 다수 개의 광학 시트들(500) 및 연성인쇄회로기판(flexible printed circuit board;FPCB)(600)을 포함한다.
상기 반사시트(100)는 상기 발광다이오드(300)로부터 발생하는 광을 상방으로 반사시킨다.
상기 도광판(200)은 상기 반사시트(100) 상에 배치되며, 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 반사, 굴절 및 산란 등을 통해서 상방으로 반사시킨다.
상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드(300)를 향하는 입사면을 포함한다. 즉, 상기 도광판(200)의 측면들 중 상기 발광다이오드(300)를 향하는 면이 입사면이다.
상기 발광다이오드(300)는 상기 도광판(200)의 측면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 발광다이오드(300)는 상기 입사면에 배치된다.
상기 발광다이오드(300)는 광을 발생시키는 광원이다. 더 자세하게, 상기 상기 발광다이오드(300)는 상기 광 변환 부재(400)를 향하여 광을 출사한다.
상기 발광다이오드(300)는 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드(300)는 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.
상기 발광다이오드(300)는 상기 연성인쇄회로기판(600)에 실장된다. 상기 발광다이오드(300)는 상기 연성인쇄회로기판(600) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드(300)는 상기 연성인쇄회로기판(600)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.
상기 광 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300) 및 상기 도광판(200) 사이에 개재된다. 상기 광 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)의 측면에 접착된다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)의 입사면에 부착된다. 또한, 상기 광 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)에 접착될 수 있다.
상기 광 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 광 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(400)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 상기 광 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(400)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 상기 광 변환 부재(400)를 통과하는 광 및 상기 광 변환 부재(400)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 도광판(200)에는 백색광이 입사될 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 부재(400)는 튜브(410), 밀봉부재(420), 다수 개의 광 변환 입자들(430) 및 매트릭스(440)를 포함한다.
상기 튜브(410)는 상기 밀봉부재(420), 상기 광 변환 입자들(430) 및 상기 매트릭스(440)를 수용한다. 즉, 상기 튜브(410)는 상기 밀봉부재(420), 상기 광 변환 입자들(430) 및 상기 매트릭스(440)를 수용하는 용기이다. 또한, 상기 튜브(410)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가진다.
상기 튜브(410)는 사각 튜브(410) 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 튜브(410)의 길이 방향에 대하여 수직한 단면은 직사각형 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 튜브(410)의 폭은 약 0.6㎜이고, 상기 튜브(410)의 높이는 약 0.2㎜일 수 있다. 즉, 상기 튜브(410)는 모세관일 수 있다.
상기 튜브(410)에는 제 1 돌기 패턴(411) 및 제 2 돌기 패턴(412)이 형성된다. 상기 제 1 돌기 패턴(411)은 상기 튜브(410)의 내면에 형성된다. 상기 제 1 돌기 패턴(411)은 상기 튜브(410)의 끝단에 형성된다. 상기 제 1 돌기 패턴(411)은 미세한 요철 패턴이다. 상기 제 1 돌기 패턴(411)은 미세한 돌기들 및 홈들을 포함한다.
즉, 상기 제 1 돌기 패턴(411)은 높은 거칠기를 가진다. 예를 들어, 상기 제 1 돌기 패턴(411)이 형성된 영역의 거칠기는 약 0.5㎛ 내지 약 2㎛일 수 있다.
상기 제 2 돌기 패턴(412)은 상기 튜브(410)의 외면에 형성된다. 상기 제 2 돌기 패턴(412)은 상기 제 1 돌기 패턴(411)에 대응하는 위치에 형성된다. 상기 제 2 돌기 패턴(412)은 상기 튜브(410)의 끝단에 형성된다. 상기 제 2 돌기 패턴(412)은 상기 제 1 돌기 패턴(411)과 실질적으로 같을 수 있다.
상기 제 1 돌기 패턴(411) 및 상기 제 2 돌기 패턴(412)에 의해서, 상기 튜브(410)는 내부 영역(IR) 및 끝단 영역(ER)으로 구분된다. 즉, 상기 튜브(410)는 상기 내부 영역(IR) 및 상기 끝단 영역(ER)을 포함한다. 즉, 상기 제 1 돌기 패턴(411)이 형성된 영역이 상기 끝단 영역(ER)에 해당하고, 상기 제 1 돌기 패턴(411)이 형성되지 않은 영역이 상기 내부 영역(IR)에 해당한다.
이에 따라서, 상기 끝단 영역(ER)의 거칠기는 상기 내부 영역(IR)의 거칠기보다 더 크다. 또한, 육안으로 보았을 때, 상기 내부 영역(IR)은 투명하고, 상기 끝단 영역(ER)은 불투명 또는 반투명할 수 있다.
상기 튜브(410)는 투명하다. 상기 튜브(410)로 사용되는 물질의 예로서는 유리 등을 들 수 있다. 즉, 상기 튜브(410)는 유리 모세관일 수 있다.
상기 밀봉부재(420)는 상기 튜브(410)의 내부에 배치된다. 상기 밀봉부재(420)는 상기 튜브(410)의 끝단에 배치된다. 상기 밀봉부재(420)는 상기 튜브(410)의 내부를 밀봉한다. 상기 밀봉부재(420)는 에폭시계 수지(epoxy resin)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 밀봉부재(420)는 상기 끝단 영역(ER)에 배치된다. 상기 밀봉부재(420)는 상기 제 1 돌기 패턴(411)과 직접 접촉될 수 있다. 즉, 상기 밀봉부재(420)는 상기 제 1 돌기 패턴(411)을 덮을 수 있다. 상기 밀봉부재(420)는 상기 내부 영역(IR)의 일부에도 배치되고, 상기 제 1 돌기 패턴(411)을 전체적으로 덮을 수 있다.
상기 밀봉부재(420)는 상기 제 1 돌기 패턴(411)과 접촉되기 때문에, 상기 밀봉부재(420) 및 상기 튜브(410) 사이의 접촉 면적이 증가된다. 이에 따라서, 상기 밀봉부재(420)는 상기 튜브(410)의 내부를 더 견고하게 밀봉할 수 있다.
상기 광 변환 입자들(430)은 상기 튜브(410)의 내부에 배치된다. 더 자세하게, 상기 광 변환 입자들(430)은 상기 매트릭스(440)에 균일하게 분산되고, 상기 매트릭스(440)는 상기 튜브(410)의 내부에 배치된다.
상기 광 변환 입자들(430)은 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 광 변환 입자들(430)은 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 광 변환 입자들(430)은 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(430) 중 일부는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 광 변환 입자들(430) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이와는 다르게, 상기 광 변환 입자들(430)은 상기 발광다이오드(300)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(430) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 광 변환 입자들(430) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 광 변환 입자들(430) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
즉, 상기 발광다이오드(300)가 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드인 경우, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 광 변환 입자들(430)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광다이오드(300)가 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드인 경우, 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 광 변환 입자들(430)이 사용될 수 있다.
상기 광 변환 입자들(430)은 다수 개의 양자점(QD, Quantum Dot)들일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.
상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.
상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기 또는 합성 과정에서의 분자 클러스터 화합물(molecular cluster compound)와 나노입자 전구체 (precurser)의 몰분율 (molar ratio)에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.
특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다.
이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.
상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.
상기 매트릭스(440)는 상기 광 변환 입자들(430)을 둘러싼다. 즉, 상기 매트릭스(440)는 상기 광 변환 입자들(430)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 매트릭스(440)는 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 매트릭스(440)는 투명하다. 즉, 상기 매트릭스(440)는 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.
상기 매트릭스(440)는 상기 튜브(410) 내부에 배치된다. 즉, 상기 매트릭스(440)는 전체적으로 상기 튜브(410) 내부에 채워진다. 상기 매트릭스(440)는 상기 튜브(410)의 내면에 밀착될 수 있다.
상기 밀봉부재(420) 및 상기 매트릭스(440) 사이에는 공기층(450)이 형성된다. 상기 공기층(450)에는 질소가 채워진다. 상기 공기층(450)은 상기 밀봉부재(420) 및 상기 매트릭스(440) 사이에서 완충 기능을 수행한다.
상기 광 변환 입자들(430), 상기 매트릭스(440) 및 상기 공기층(450)은 상기 내부 영역(IR)에 배치된다. 즉, 상기 광 변환 입자들(430), 상기 매트릭스(440) 및 상기 공기층(450)은 상기 밀봉부재(420)에 의해서 밀봉된 내부에 배치된다.
도 5 내지 도 8은 상기 광 변환 부재(400)를 제조하는 과정을 도시한 도면들이다. 도 5 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 부재(400)는 다음과 같은 방법에 의해서 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 일 끝단이 밀봉된 튜브(410)가 제공된다. 또한, 수지 조성물(441)에 상기 광 변환 입자들(430)이 균일하게 분산된다. 상기 수지 조성물(441)은 투명하다. 상기 수지 조성물(441)은 광 경화 특성을 가질 수 있다.
이후, 상기 튜브(410)의 내부는 감압되고, 상기 광 변환 입자들(430)이 분산된 수지 조성물(441)에 상기 튜브(410)의 입구가 딥핑된다. 이후, 주위의 압력이 상승된다. 이에 따라서, 상기 광 변환 입자들(430)이 분산된 수지 조성물(441)은 상기 튜브(410) 내부로 유입된다.
도 6을 참조하면, 상기 튜브(410) 내로 유입된 수지 조성물(441)의 일부가 제거되고, 상기 튜브(410)의 입구 부분이 비워진다. 이후, 상기 튜브(410) 내로 유입된 수지 조성물(441)은 자외선 등에 의해서 경화되고, 상기 매트릭스(440)가 형성된다.
도 7을 참조하면, 상기 튜브(410)의 입구 부분은 세정된다. 상기 튜브(410)의 입구 부분이 세정액에 딥핑되어, 상기 튜브(410)의 입구 부분이 세정될 수 있다. 상기 세정액은 산 및 유기 용제를 포함할 수 있다.
상기 유기 용제의 비율은 상기 산의 비율보다 더 높을 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 용제의 비율은 약 70wt% 내지 약 85wt%의 비율로, 상기 세정액에 포함될 수 있다. 더 자세하게, 상기 유기 용제는 약 80wt%의 비율로 상기 세정액에 포함될 수 있다. 상기 유기 용제로 사용되는 물질의 예로서는 톨루엔 등을 들 수 있다.
상기 산은 상기 유기 용제의 비율보다 더 낮은 비율로 상기 세정액에 포함될 수 있다. 예를 들어, 상기 산의 비율은 약 15wt% 내지 약 30wt%의 비율로, 상기 세정액에 포함될 수 있다. 더 자세하게, 상기 산은 약 20wt%의 비율로 상기 세정액에 포함될 수 있다. 상기 산으로 사용되는 물질의 예로서는 도데실벤젠술폰산 등을 들 수 있다.
상기 세정액에는 상기 튜브(410)를 식각할 수 있는 식각액이 더 포함될 수 있다. 상기 식각액은 상기 세정액에 약 1wt% 내지 약 10wt%의 비율로 포함될 수 있다. 상기 식각액은 불산을 포함할 수 있다.
상기 세정액에 의해서, 상기 튜브(410)의 입구에 잔유하는 경화된 수지 조성물(441)이 제거될 수 있다. 즉, 상기 튜브(410)의 입구 부분의 수지 조성물(441)은 완전히 제거되지 못하고, 일부가 잔유할 수 있다. 이와 같이, 잔유하는 수지 조성물(441)은 상기 세정액에 의해서 제거된다.
이때, 상기 세정액은 상기 식각액을 더 포함하기 때문에, 상기 잔유하는 수지 조성물(441)을 더 효율적으로 제거할 수 있다. 즉, 상기 잔유하는 수지 조성물(441) 및 상기 튜브(410)의 일부를 함께 제거하여, 세정 공정이 진행될 수 있다.
따라서, 상기 세정액에 의해서, 세정 공정이 효율적으로 진행되고, 상기 튜브(410)의 오염이 방지되고, 세정 공정에 소모되는 시간이 감소될 수 있다.
또한, 상기 세정액에 의해서, 상기 제 1 돌기 패턴(411) 및 상기 제 2 돌기 패턴(412)이 형성될 수 있다. 즉, 세정 공정 동안에, 상기 끝단 영역(ER)이 패터닝될 수 있고, 상기 제 1 돌기 패턴(411)이 형성될 수 있다. 즉, 패터닝 공정 및 세정 공정이 동시에 진행될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 튜브(410)의 입구 부분에 에폭시계 수지 조성물(441)이 유입된다. 상기 에폭시계 수지 조성물(441)은 상기 끝단 영역(ER)에만 유입될 수 있다.
이후, 유입된 에폭시계 수지 조성물(441)은 경화되고, 상기 밀봉부재(420)가 형성된다. 상기 밀봉부재(420)가 형성되는 공정은 질소 분위기에서 진행되고, 이에 따라서, 질소를 포함하는 공기층(450)이 상기 밀봉부재(420) 및 상기 매트릭스(440) 사이에 형성될 수 있다.
다시 도 1 내지 도 4를 참조하면, 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 통과하는 광의 특성을 향상시킨다.
상기 연성인쇄회로기판(600)은 상기 발광다이오드(300)에 전기적으로 연결된다. 상기 발광다이오드(300)를 실장할 수 있다. 상기 연성인쇄회로기판(600)은 연성인쇄회로기판이며, 상기 몰드 프레임(10) 내측에 배치된다. 상기 연성인쇄회로기판(600)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다.
상기 몰드 프레임(10) 및 상기 백라이트 어셈블리(20)에 의해서 백라이트 유닛이 구성된다. 즉, 상기 백라이트 유닛은 상기 몰드 프레임(10) 및 상기 백라이트 어셈블리(20)를 포함한다.
상기 액정패널(30)은 상기 몰드 프레임(10) 내측에 배치되고, 상기 광학시트들(500)상에 배치된다.
상기 액정패널(30)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(300)은 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널은 상기 광 변환 부재(400)에 의해서 파장인 변환된 광을 이용하여 영상을 표시한다. 상기 액정패널(30)은 TFT기판, 컬러필터기판, 두 기판들 사이에 개재되는 액정층 및 편광필터들을 포함한다.
앞서 설명한 바와 같이, 상기 광 변환 부재(400)는 상기 튜브(410) 내면에 형성된 제 1 돌기 패턴(411)을 포함한다. 또한, 상기 밀봉부재(420)는 상기 제 1 돌기 패턴(411)과 직접 접촉될 수 있다. 이에 따라서, 상기 밀봉부재(420) 및 상기 튜브(410)의 접촉면적이 증가되고, 상기 밀봉부재(420)는 상기 튜브(410)의 내면에 견고하게 밀착될 수 있다.
특히, 상기 밀봉부재(420)는 상기 튜브(410)의 내부를 견고하게 밀봉한다. 이에 따라서, 상기 광 변환 입자들(430)은 외부의 습기 또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 효율적으로 보호될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 신뢰성 및 향상된 화질을 가질 수 있다.
또한, 앞서 설명한 바와 같이, 향상된 신뢰성 및 내구성을 가지는 광 변환 부재(400)는 간단한 공정에 의해서 용이하게 형성될 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
실험예
폭이 약 0.6㎜이고, 높이가 약 0.2㎜인 튜브에 다수 개의 양자점(나노시스사 제품)을 포함하는 수지 조성물(나소시스사 제품)이 유입되고, 상기 튜브의 끝단의 수지 조성물이 제거되었다. 이후, 상기 튜브 내의 수지 조성물은 경화되었다. 이후, 도데실벤젠술폰산 및 톨루엔이 약 2:8로 혼합된 세정액#1에 상기 튜브의 입구가 딥핑되고, 약 4분 동안 세정되었다.
비교예
나머지 조건은 실험예와 동일하고, 튜브의 입구는 도데실벤젠술폰산 및 톨루엔이 1:1로 혼합된 세정액#2에 의해서 세정되었다.
실험예에서 남아있는 잔유물의 양은 비교예에서 남아있는 잔유물의 양에 대하여, 약 15% 수준이있다.

Claims (13)

  1. 광원;
    상기 광원으로부터 발생되는 광의 파장을 변환시키는 다수 개의 광 변환 입자들;
    상기 광 변환 입자들을 수용하는 튜브;
    상기 튜브의 내부에 삽입되어, 상기 튜브의 내부를 밀봉하는 밀봉부재; 및
    상기 광 변환 입자들에 의해서 변환된 광을 입사받아 영상을 표시하는 표시패널을 포함하고,
    상기 튜브의 내면에 제 1 돌기 패턴이 형성되고,
    상기 밀봉부재는 상기 제 1 돌기 패턴에 접촉되는 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 튜브는 상기 제 1 돌기 패턴에 의해서 내부 영역 및 끝단 영역으로 나누어지고,
    상기 밀봉부재는 상기 끝단 영역에 배치되는 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 끝단 영역의 거칠기는 상기 내부 영역의 거칠기보다 더 큰 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 밀봉부재 및 상기 매트릭스 사이에 공기층이 형성되는 표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 튜브의 외면에는 상기 제 1 돌기 패턴에 대응하는 제 2 돌기 패턴이 형성되는 표시장치.
  6. 다수 개의 광 변환 입자들을 포함하는 수지 조성물을 형성하는 단계;
    상기 수지 조성물을 튜브에 유입시키는 단계;
    상기 튜브를 세정하는 단계; 및
    상기 튜브의 끝단에 밀봉부재를 형성하는 단계를 포함하는 광 변환 부재의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 튜브의 끝단을 세정하는 단계에서,
    산 및 유기 용제를 포함하는 세정액이 사용되는 광 변환 부재의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 세정액은 상기 산보다 상기 유기 용제를 더 많은 비율로 포함하는 광 변환 부재의 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 유기 용제의 비율은 70wt% 내지 85wt%의 비율로 상기 세정액에 포함되는 광 변환 부재의 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 산은 도데실벤젠술폰산이고, 상기 유기 용제는 톨루엔인 광 변환 부재의 제조방법.
  11. 제 6 항에 있어서, 상기 튜브를 세정하는 단계에서,
    불산을 포함하는 세정액이 사용되는 광 변환 부재의 제조방법.
  12. 제 6 항에 있어서, 상기 튜브를 세정하는 단계에서,
    상기 튜브의 일부에 돌기 패턴이 형성되는 광 변환 부재의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 튜브를 세정하는 단계에서,
    상기 튜브를 식각하는 식각액을 포함하는 세정액이 사용되고,
    상기 세정액에 의해서, 상기 돌기 패턴이 형성되는 광 변환 부재의 제조방법.
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