KR101905852B1 - 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치 - Google Patents

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Abstract

광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치가 개시된다. 광학 시트는 파장 변환층; 및 상기 파장 변환층 상에 배치되는 충격 흡수층을 포함한다.

Description

광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치{OPTICAL SHEET AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}
실시예는 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
발광다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기를 자외선, 가시광선, 적외선 등으로 전환시키는 반도체 소자로서 주로 가전제품, 리모컨, 대형 전광판 등에 사용되고 있다.
고휘도의 LED 광원은 조명등으로 사용되고 있으며, 에너지 효율이 매우 높고 수명이 길어 교체 비용이 적으며 진동이나 충격에도 강하고 수은 등 유독물질의 사용이 불필요하기 때문에 에너지 절약, 환경보호, 비용절감 차원에서 기존의 백열전구나 형광등을 대체하고 있다.
또한, LED는 중대형 LCD TV, 모니터 등의 광원으로서도 매우 유리하다. 현재 LCD(Liquid Crystal Display)에 주로 사용되고 있는 냉음극 형광등(CCFL, Cold Cathode Fluorescent Lamp)에 비하여 색순수도가 우수하고 소비전력이 적으며 소형화가 용이하여 이를 적용한 시제품이 양산되고 있으며, 더욱 활발한 연구가 진행되고 있는 상태이다.
실시예는 손상에 따른 화질 저하를 방지하고, 용이하게 제조될 수 있는 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치를 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 광학 시트는 파장 변환층; 및 상기 파장 변환층 상에 배치되는 충격 흡수층을 포함한다.
일 실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원으로부터 출사되는 광이 입사되는 다수 개의 제 1 광학 시트; 상기 제 1 광학 시트 상에 배치되는 제 2 광학 시트; 및 상기 제 2 광학 시트 상에 배치되는 표시 패널을 포함하고, 상기 제 2 광학 시트는 파장 변환층; 및 상기 파장 변환층 상에 배치되는 제 1 충격 흡수층을 포함한다.
실시예에 따른 광학 시트는 충격 흡수층을 포함한다. 이에 따라서, 실시예에 따른 광학 시트는 스크래치 등과 같은 외부의 충격으로부터 효과적으로 보호될 수 있다.
특히, 충격 흡수층이 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등으로 형성되는 경우, 상기 충격 흡수층은 높은 내스크래치 특성을 가지고, 스크래치에 대한 자가 복원 기능을 가질 수 있다.
또한, 실시예에 따른 광학 시트는 파장 변환층을 포함하여, 입사되는 광의 파장을 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 실시예에 따른 광학 시트는 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키면서, 동시에 다른 광학 시트들을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 표시장치는 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있으며, 슬림한 구조를 가질 수 있다.
또한, 실시예에 따른 광학 시트는 다른 광학 시트들 사이 또는 다른 광학 시트들에 인접하여 배치될 수 있다. 이때, 실시예에 따른 광학 시트는 상기 충격 흡수층을 포함하므로, 인접하는 광학 시트들에 의해서 손상되지 않고, 인접하는 다른 광학 시트들을 손상시키지 않는다.
따라서, 실시예에 따른 표시장치는 손상에 의한 화질 저하를 방지할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 광 변환 시트를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 광 변환 시트의 다양한 변형 예들의 일 단면을 도시한 단면도들이다.
도 6은 제 2 프리즘 시트 및 광 변환 시트를 도시한 도면이다.
도 7은 광 변환 시트에 의해서 입사광의 파장이 변환되는 과정을 도시한 도면이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 2는 광 변환 시트를 도시한 사시도이다. 도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 4 및 도 5는 광 변환 시트의 다양한 변형 예들의 일 단면을 도시한 단면도들이다. 도 6은 제 2 프리즘 시트 및 광 변환 시트를 도시한 도면이다. 도 7은 광 변환 시트에 의해서 입사광의 파장이 변환되는 과정을 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 백라이트 유닛(10) 및 액정패널(20)을 포함한다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(10)은 면 광원으로 상기 액정패널(20)의 하면에 균일하기 광을 조사할 수 있다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(10)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사시트(300), 다수 개의 발광다이오드들(400), 인쇄회로기판(401) 및 다수 개의 광학 시트들(500)을 포함한다.
상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광다이오드들(400), 상기 인쇄회로기판(401), 상기 반사시트(300) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.
상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.
상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.
상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.
상기 발광다이오드들(400)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드들(400)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.
상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.
상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.
상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(20)에 공급한다.
상기 광학 시트들(500)은 확산 시트(501), 제 1 프리즘 시트(502), 제 2 프리즘 시트(503) 및 광 변환 시트(504)일 수 있다.
상기 확산 시트(501)는 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 확산 시트(501)는 통과되는 광의 균일도를 향상시킨다. 상기 확산 시트(501)는 다수 개의 비드들을 포함할 수 있다.
상기 제 1 프리즘 시트(502)는 상기 확산 시트(501) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(503)는 상기 제 1 프리즘 시트(502) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(502) 및 상기 제 2 프리즘 시트(503)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.
상기 광 변환 시트(504)는 상기 제 2 프리즘 시트(503) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 광 변환 시트(504)는 상기 액정패널(20) 및 상기 제 2 프리즘 시트(503) 사이에 개재될 수 있다. 상기 광 변환 시트(504)는 입사되는 광의 파장을 변환하여 상방으로 출사할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광다이오드들(400)이 청색 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 시트(504)는 상기 도광판(200)으로부터 상방으로 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 시트(504)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 상기 발광다이오드들(400)이 UV 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 시트(504)는 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 시트(504)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 변환되지 않고 상기 광 변환 시트(504)를 통과하는 광 및 상기 광 변환 시트(504)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 액정패널(20)에는 백색광이 입사될 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 시트(504)는 하부 기판(510), 상부 기판(520), 파장 변환층(530), 하부 충격 흡수층(540) 및 상부 충격 흡수층(550)을 포함한다.
상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(510)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 하부 기판(510)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(520)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)의 상면에 밀착될 수 있다.
상기 상부 기판(520)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)을 샌드위치한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 파장 변환층(530)을 지지한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 외부의 물리적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(530)을 보호한다.
또한, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 낮은 산소 투과도 및 투습성을 가진다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 수분 및/또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(530)을 보호할 수 있다.
상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 개재된다. 상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510)의 상면에 밀착되고, 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 파장 변환층(530)은 다수 개의 광 변환 입자들(531) 및 호스트층(532)을 포함한다.
상기 광 변환 입자들(531)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 호스트층(532)에 균일하게 분산되고, 상기 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다.
상기 광 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(531) 중 일부는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 광 변환 입자들(531) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이와는 다르게, 상기 광 변환 입자들(531)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(531) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 광 변환 입자들(531) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 광 변환 입자들(531) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
즉, 상기 발광다이오드들(400)이 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드인 경우, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 광 변환 입자들(531)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광다이오드들(400)이 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드인 경우, 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 광 변환 입자들(531)이 사용될 수 있다.
상기 광 변환 입자들(531)은 다수 개의 양자점(QD, Quantum Dot)들일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.
상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.
상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기 또는 합성 과정에서의 분자 클러스터 화합물(molecular cluster compound)와 나노입자 전구체 (precurser)의 몰분율 (molar ratio)에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.
특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다.
이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.
상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.
상기 호스트층(532)은 상기 광 변환 입자들(531)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트층(532)은 상기 광 변환 입자들(531)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트층(532)은 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트층(532)은 투명하다. 즉, 상기 호스트층(532)은 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.
상기 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 상기 호스트층(532)은 상기 하부 기판(510)의 상면 및 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 하부 충격 흡수층(540)은 상기 파장 변환층(530) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 하부 충격 흡수층(540)은 상기 하부 기판(510) 아래에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 하부 충격 흡수층(540)은 상기 하부 기판(510)의 하면에 코팅될 수 있다.
상기 하부 충격 흡수층(540)은 탄성을 가질 수 있다. 상기 하부 충격 흡수층(540)의 탄성 계수는 약 5.8N/㎠ 내지 약 6.6N/㎠ 일 수 있다. 또한, 상기 하부 충격 흡수층(540)의 두께는 약 100㎛ 내지 약 500㎛일 수 있다.
상기 하부 충격 흡수층(540)은 약 5.8N/㎠ 내지 약 6.6N/㎠의 탄성 계수를 가질 때, 상기 광 변환 시트(501) 자체의 하중에 의한 충격을 효과적으로 흡수할 수 있다. 즉, 상기 하부 충격 흡수층(540)의 탄성 계수가 위와 같을 때, 상기 하부 충격 흡수층(540)은 상기 광 변환 시트(501)의 하중을 흡수하면서, 적당히 변형될 수 있다.
상기 하부 충격 흡수층(540)은 자가 복원 기능을 수행할 수 있다. 상기 하부 충격 흡수층(540)은 외부의 물리적인 충격에 의해서 일부가 눌리더라도, 다시 외형을 복원할 수 있다.
이에 따라서, 상기 하부 충격 흡수층(540)은 높은 내스크래치 특성을 가질 수 있다. 또한, 상기 하부 충격 흡수층(540)은 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지를 포함할 수 있다.
상기 하부 충격 흡수층(540)이 형성되기 위해서, 상기 하부 기판(510)의 하면에 아크릴계 수지 조성물 및/또는 우레탄계 수지 조성물이 코팅된다. 이때, 상기 수지 조성물이 코팅되기 위해서, 스프레이 코팅, 딥(dip) 코팅, 스핀 코팅, 슬롯(slot) 코팅, 슬릿(slit) 코팅, 바 코팅 및 롤투롤 코팅 등이 적용될 수 있다. 이후, 상기 코팅된 수지 조성물은 자외선 및/또는 열에 의해서 경화되고, 상기 하부 충격 흡수층(540)이 형성될 수 있다.
상기 상부 충격 흡수층(550)은 상기 파장 변환층(530) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 상부 충격 흡수층(550)은 상기 상부 기판(520) 상에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 상부 충격 흡수층(550)은 상기 상부 기판(520)의 상면에 코팅될 수 있다.
상기 상부 충격 흡수층(550)은 탄성을 가질 수 있다. 상기 상부 충격 흡수층(550)의 탄성 계수는 약 5.8N/㎠ 내지 약 6.6N/㎠ 일 수 있다. 또한, 상기 상부 충격 흡수층(550)의 두께는 약 100㎛ 내지 약 500㎛ 일 수 있다.
상기 상부 충격 흡수층(550)은 약 5.8N/㎠ 내지 약 6.6N/㎠의 탄성 계수를 가질 때, 상기 액정패널(20)의 하중에 의한 충격을 효과적으로 흡수할 수 있다. 즉, 상기 상부 충격 흡수층(550)의 탄성 계수가 위와 같을 때, 상기 상부 충격 흡수층(550)은 상기 액정패널(20)의 하중을 흡수하면서, 적당히 변형될 수 있다.
상기 상부 충격 흡수층(550)은 자가 복원 기능을 수행할 수 있다. 상기 상부 충격 흡수층(550)은 외부의 물리적인 충격에 의해서 일부가 눌리더라도, 다시 외형을 복원할 수 있다.
이에 따라서, 상기 상부 충격 흡수층(550)은 높은 내스크래치 특성을 가질 수 있다. 또한, 상기 상부 충격 흡수층(550)은 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지를 포함할 수 있다.
상기 상부 충격 흡수층(550)이 형성되기 위해서, 상기 상부 기판(520)의 상면에 아크릴계 수지 조성물 및/또는 우레탄계 수지 조성물이 코팅된다. 이후, 상기 코팅된 수지 조성물은 자외선 및/또는 열에 의해서 경화되고, 상기 하부 충격 흡수층(540)이 형성될 수 있다.
상기 하부 충격 흡수층(540)은 상기 하부 기판(510)의 하면에 코팅된다. 또한, 상기 상부 충격 흡수층(550)은 상기 상부 기판(520)의 상면에 코팅된다. 이에 따라서, 상기 하부 충격 흡수층(540)은 상기 하부 기판(510)의 밀폐성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 상부 충격 흡수층(550)도 상기 상부 기판(520)의 밀폐성을 향상시킬 수 있다.
이에 따라서, 상기 하부 충격 흡수층(540) 및 상기 상부 충격 흡수층(550)은 외부의 습기 및/또는 산소로부터 상기 파장 변환층(530) 내의 광 변환 입자들(531)의 변성을 용이하게 방지할 수 있다.
또한, 상기 하부 충격 흡수층(540)은 상기 하부 기판(510)보다 더 낮은 굴절율을 가질 수 있다. 또한, 상기 상부 충격 흡수층(550)은 상기 상부 기판(520)보다 더 낮은 굴절율을 가질 수 있다.
이에 따라서, 상기 하부 충격 흡수층(540) 및 상기 상부 충격 흡수층(550)은 외부 광의 입사를 향상시키고, 외부로의 반사를 방지하는 반사 방지막 기능을 수행할 수 있다.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 하부 충격 흡수층(540)은 파장 변환층(530)의 하면에 직접 배치될 수 있다. 즉, 상기 하부 충격 흡수층(540)은 상기 파장 변환층(530)의 하면에 직접 코팅될 수 있다.
상부 충격 흡수층(550)도 상기 파장 변환층(530)의 상면에 직접 배치될 수 있다. 즉, 상기 상부 충격 흡수층(550)은 상기 파장 변환층(530)의 상면에 직접 코팅될 수 있다.
또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 하부 기판(510)의 하면에는 하부 반사 방지막(560)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 하부 충격 흡수층(540)은 상기 하부 반사 방지막(560)의 하면에 직접 코팅되어 형성될 수 있다.
상부 기판(520)의 상면에는 상부 반사 방지막(570)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 상부 충격 흡수층(550)은 상기 상부 반사 방지막(570)의 상면에 직접 코팅되어 형성될 수 있다.
상기 하부 반사 방지막(560) 및 상기 상부 반사 방지막(570)은 반사 방지 기능을 수행할 수 있다. 상기 하부 반사 방지막(560)은 상기 하부 기판(510)보다 낮은 굴절율을 가질 수 있고, 상기 상부 반사 방지막(570)은 상기 상부 기판(520)보다 낮은 굴절율을 가질 수 있다.
또한, 상기 하부 충격 흡수층(540)의 굴절율은 상기 하부 반사 방지막(560)보다 더 낮을 수 있다. 상기 상부 충격 흡수층(550)의 굴절율은 상기 상부 반사 방지막(570)보다 더 낮을 수 있다.
이에 따라서, 상기 하부 반사 방지막(560) 및 상기 상부 반사 방지막(570) 뿐만 아니라, 상기 하부 충격 흡수층(540) 및 상기 상부 충격 흡수층(550)에 의해서, 상기 파장 변환층(530)에 효과적으로 광이 입사될 수 있다.
상기 액정패널(20)은 상기 광학시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(20)은 패널 가이드 상에 배치된다. 상기 액정패널(20)은 상기 패널 가이드에 의해서 가이드될 수 있다.
상기 액정패널(20)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(20)은 상기 백라이트 유닛(10)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(20)은 TFT기판(21), 컬러필터기판(22), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(20)은 편광필터들을 포함한다.
도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(21) 및 컬러필터기판(22)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(21)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.
액정패널(21)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(25)가 구비된다.
상기 구동 PCB(25)는 COF(Chip on film, 24)에 의해 액정패널(21)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(24)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.
상기 광 변환 시트(504)는 상기 광학 시트들(500) 중 최상부에 배치될 수 있다. 즉, 상기 광 변환 시트(504)는 다른 광학 시트들(500)을 덮을 수 있다. 이에 따라서, 상기 광 변환 시트(504)는 다른 광학 시트들(500)을 보호할 수 있다.
구체적으로, 상기 바텀 커버(100) 내에 상기 도광판(200), 상기 반사시트(300), 상기 발광다이오드들(400), 상기 인쇄회로기판(401) 및 상기 광 변환 시트(504)을 제외한 광학 시트들(500)이 수용된다. 이후, 상기 광학 시트들(500) 상에 상기 광 변환 시트(504)가 적층되어, 상기 백라이트 유닛(10)이 조립된다.
이후, 상기 액정 패널을 조립하기 위한 공정에서, 상기 백라이트 유닛(10)은 이송될 수 있다. 이때, 상기 광 변환 시트(504)는 상기 상부 충격 흡수층(550)을 포함하기 때문에, 다른 광학 시트들(501, 502, 503)을 보호하면서, 동시에 자체적인 손상을 최소화할 수 있다.
또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 프리즘 시트(503)는 상면에 다수 개의 피라미드 형상의 돌기 패턴(580)을 포함할 수 있다. 상기 돌기 패턴(580)은 상기 광 변환 시트(504)의 하면에 직접 접촉될 수 있다.
이때, 상기 광 변환 시트(504)는 상기 하부 충격 흡수층(540)을 포함하기 때문에, 상기 돌기 패턴(580)에 의한 손상을 최소화할 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 외부 및 내부의 물리적인 충격에 의한 손상을 최소화할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 스크래치 등에 의한 화질 저하를 최소화할 수 있다.
또한, 상기 광 변환 시트(504)는 상하 방향으로 모두 반사 방지 기능을 수행하는 층들을 포함한다. 따라서, 도 7에 도시된 바와 같이, 변환되지 않고 상기 파장 변환층(530)을 통과한 광은 상기 액정패널(20)에 의해서 하방으로 반사될 수 있다. 이때, 하방으로 반사되는 광은 상기 상부 충격 흡수층(550) 및/또는 상기 상부 반사 방지막(570)에 의해서 효과적으로 상기 파장 변환층(530)에 입사될 수 있다.
이와 같이, 더 많은 광이 상기 파장 변환층(530)에 입사되기 때문에, 상기 파장 변환층(530)의 변환 효율이 더 향상될 수 있다.
따라서, 상기 광 변환 시트(504)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 효과적으로 변환시키고, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 색재현성 및 휘도를 가질 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 도광판;
    상기 도광판의 측면 상에 배치되는 광원;
    상기 도광판의 하부에 배치되는 반사시트;
    상기 도광판의 상부에 배치되는 확산시트;
    상기 확산 시트 상에 배치되는 프리즘 시트; 및
    상기 프리즘 시트 상에 배치되는 광 변환 시트를 포함하고,
    상기 광 변환 시트는,
    하부 기판;
    상기 하부 기판의 하부 상에 배치되는 하부 충격 흡수층;
    상기 하부 기판의 상부 상에 배치되는 파장 변환층;
    상기 파장 변환층 상의 상부 기판; 및
    상기 상부 기판의 상부 상에 배치되는 상부 충격 흡수층을 포함하고,
    상기 파장 변환층은 호스트층 및 상기 호스트층에 분산되는 복수의 양자점들을 포함하고,
    상기 하부 충격 흡수층 및 상기 상부 충격 흡수층의 탄성 계수는 5.8N/㎠ 내지 6.6N/㎠이고,
    상기 하부 충격 흡수층 및 상기 상부 충격 흡수층의 두께는 100㎛ 내지 500㎛이고,
    상기 하부 충격 흡수층은 상기 하부 기판보다 낮은 굴절율을 가지고,
    상기 상부 충격 흡수층은 상기 상부 기판보다 낮은 굴절율을 가지는 백라이트 유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 충격 흡수층은 상기 하부 기판과 직접 접촉하며 배치되고,
    상기 상부 충격 흡수층은 상기 상부 기판과 직접 접촉하며 배치되는 백라이트 유닛.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 충격 흡수층 및 상기 상부 충격 흡수층은 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지를 포함하는 백라이트 유닛.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 변환 시트는 상기 프리즘 시트를 덮으면서 배치되는 백라이트 유닛.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 프리즘 시트는 상기 확산 시트 상의 제 1 프리즘 시트 및 상기 제 1 프리즘 시트 상의 제 2 프리즘 시트를 포함하고,
    상기 제 2 프리즘 시트의 상면 상에는 상기 광 변환 시트의 상기 하부 충격 흡수층의 하면과 직접 접촉하며 배치되는 돌기 패턴을 포함하는 백라이트 유닛.
  6. 도광판;
    상기 도광판의 측면 상에 배치되는 광원;
    상기 도광판의 하부에 배치되는 반사시트;
    상기 도광판의 상부에 배치되는 확산시트;
    상기 확산 시트 상에 배치되는 프리즘 시트;
    상기 프리즘 시트 상에 배치되는 광 변환 시트; 및
    상기 광 변환 시트 상에 배치되는 액정 패널을 포함하고,
    상기 광 변환 시트는,
    하부 기판;
    상기 하부 기판의 하부 상에 배치되는 하부 충격 흡수층;
    상기 하부 기판의 상부 상에 배치되는 파장 변환층;
    상기 파장 변환층 상의 상부 기판; 및
    상기 상부 기판의 상부 상에 배치되는 상부 충격 흡수층을 포함하고,
    상기 파장 변환층은 호스트층 및 상기 호스트층에 분산되는 복수의 양자점들을 포함하고,
    상기 하부 충격 흡수층 및 상기 상부 충격 흡수층의 탄성 계수는 5.8N/㎠ 내지 6.6N/㎠이고,
    상기 하부 충격 흡수층 및 상기 상부 충격 흡수층의 두께는 100㎛ 내지 500㎛이고,
    상기 하부 충격 흡수층은 상기 하부 기판보다 낮은 굴절율을 가지고,
    상기 상부 충격 흡수층은 상기 상부 기판보다 낮은 굴절율을 가지는 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 하부 충격 흡수층은 상기 하부 기판과 직접 접촉하며 배치되고,
    상기 상부 충격 흡수층은 상기 상부 기판과 직접 접촉하며 배치되는 표시장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 광 변환 시트는 상기 프리즘 시트를 덮으면서 배치되는 표시장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 프리즘 시트는 상기 확산 시트 상의 제 1 프리즘 시트 및 상기 제 1 프리즘 시트 상의 제 2 프리즘 시트를 포함하고,
    상기 제 2 프리즘 시트의 상면 상에는 상기 광 변환 시트의 상기 하부 충격 흡수층의 하면과 직접 접촉하며 배치되는 돌기 패턴을 포함하는 표시 장치.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 하부 충격 흡수층 및 상기 상부 충격 흡수층은 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지를 포함하는 표시장치.
  11. 제 6 항에 있어서,
    상기 하부 기판 및 상기 상부 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트를 포함하는 표시장치.
  12. 제 6 항에 있어서,
    상기 하부 충격 흡수층은 상기 하부 기판 및 상기 프리즘 시트 사이에 배치되고,
    상기 상부 충격 흡수층은 상기 상부 기판 및 상기 액정 패널 사이에 배치되는 표시 장치.
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