KR20120123552A - 백색 ｌｅｄ 조명 장치 - Google Patents

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쿤 짜오
똥밍 리
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시추안 썬포 라이트 컴퍼니 리미티드
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Abstract

교류(AC) 백색 LED 조명 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 교류 백색 LED 조명 장치는 청색, 자색 또는 자외선 LED 칩, 청색 잔광 발광 재료 A 및 황색 발광 재료 B로 구성된다. 여기서, 상기 청색 잔광 발광 재료 A와 상기 황색 발광 재료 B 의 중량비는 10 내지 70 중량%: 30 내지 90 중량%이다. 잔광 발광 재료의 사용으로 인하여, 여기된 광원이 사라졌을 때 상기 광은 지속될 것이고, 상기 조명 장치 상에서 교류 변동에 기인한 LED 칩 광출력 변동에 관한 영향을 제거할 수 있다. 그리고, 상기 칩의 발명 문제도 극복될 수 있다. 동시에, 고온 담금질 효과 및 교류 백색 LED 조명 장치에서 교류 방향 변경의 영향이 제거된다.

Description

백색 ＬＥＤ 조명 장치{WHITE LIGHT EMITTING DIODE (LED) LIGHTING DEVICE}
본 발명은 교류 백색 LED 조명 장치 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이고, LED 제조 분야에 속한다. 보다 특히, 본 발명은 청색 잔광 발광 재료 및 황색 발광 재료를 이용하여 교류 백색 LED 조명 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
현재, LED는 조명, 디스플레이, 백라이트 등의 분야에 이용되고 있으며, 차세대의 가장 유망한 조명 수단으로서 LED는 에너지 절감, 내구성, 무공해 등의 장점으로 많은 주목을 받고 있다. 백색 LED를 구현하는 해법들이 많이 있으며, 현재 백색 LED를 제조하는 가장 발전된 기술적 해법은 청색 LED 칩과 황색 형광체를 결합하여 백색광 방출을 구현하는 것이다. 1967년에 발행된 Appl . Phys . Lett .는 11 권 53 페이지 에서 발광 재료 Y3Al5O12: Ce3 +이 550nm의 최대 광방출 파장과 100ns보다 적은 수명을 갖고 황색 발광하는 것으로 보고하고 있다. 1997년에 발행된 Appl.Phys.Lett.는 64 권 417 페이지에서 백색 LED 광방출이 Y3Al5O12: Ce3 +의 황색 발광체와 청색 갈륨 질화물을 이용하여 구현되고, 그러한 기술은 현재 백색 LED를 제조하는 가장 발전된 기술적 해법으로 보고하고 있다. 그러나 실사용에서는, 동작하는 동안 장치의 온도가 상승함에 따라, 상기 LED 칩 및 상기 발광체이 강도는 모두 감소할 것이며, 상기 발광체의 발광 강도는 더욱 명백하게 감소하는데, 이것은 LED의 이용에 영향을 미친다. 종래의 LED는 직류 전류(DC)에 의하여 구동되지만, 현재 가정, 산업, 상업 및 공중 기기에는 주로 교류 전류가 이용된다. 그래서 LED가 조명에 이용될 때에는 LED의 정상적인 동작을 보장하기 위하여 AC/DC 변환을 위한 정류기 변압기가 수반되어야 한다. 그러나, 상기 AC/DC 변환 동안에 15 내지 30%까지의 전력 손실이 있고, 상기 변환 장치의 비용도 크다. 또한, 설치시에는 많은 노동과 시간이 요구되고, 효율이 아주 낮다. 중국 특허 CN100464111C에는 교류 전원과 병렬 연결된 상이한 칼라의 LED 칩을 사용하는 교류 LED 램프가 개시되어 있다. 상기 특허에는 주로 상이한 칼라의 LED 칩이 협력하여 백색광을 생성하고, 적색, 녹색 및 청색광 방출 칩과 같은 특정한 회로를 인용하는 것이 기술되어 있다. 상기 미국 특허 US 7,489,086,B2에는 교류 LED 구동 장치 및 이를 이용한 조명 장치가 개시되어 있다. 또한, 상기 특허에서는 상기 발광 파우더에 관한 새로운 보고 없이 상기 회로 구조를 강조하고, 종래의 발광 파우더, Y3Al5O12: Ce3 + 가 여전히 사용되고 있다. 본 발명의 발명자는 긴 황색 잔광 현상을 갖는 발광 재료 Y2O3ㆍAl2O3ㆍSiO2: CeㆍBㆍNaㆍP 및 이를 이용한 백색 LED 조명 장치(중국 특허출원 200910307357.3)를 연구했다.
현재, 상기 교류 LED 조명 장치는 백색 LED 조명 분야에서 더욱 많은 선택 기회를 제공하도록, 고온 담금질 효과의 영향 및 상기 교류 백색 LED 조명 장치 상의 교류 전류의 방향 변경을 극복하도록 연구되는 것이 아직도 필요하다.
본 발명의 목적은 새로운 LED 조명 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 해결방법은 청색 LED 칩 또는 자외선 칩과, 청색 잔광 발광 재료 A와, 황색 발광 재료 B를 포함한다. 여기서, 상기 청색 잔광 발광 재료 A와 상기 황색 발광 재료 B의 중량비는 10-70wt%: 30-90wt%이고, 바람직하게는 20-50wt%: 50-80wt%이다.
또한, 상기 청색 잔광 발광 재료 A는 440 내지 490 nm의 피크 광방출 파장을 갖는다.
또한, 상기 청색 잔광 발광 재료 A는 Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 +, Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +, CaS:Bi3+,Na+, CaS:Cu+,Na+ 및 CaSrS:Bi3 + 중 적어도 어느 하나이다.
상기 황색 발광 재료 B는 520 내지 580 nm의 피크 광방출 파장을 갖는다.
또한 상기 황색 발광 재료 B는 잔광 현상이 있거나 없는 또는 양자가 결합된 발광재료이다.
또한, 상기 황색 발광 재료 B는 Y2O3ㆍAl2O3ㆍSiO2: CeㆍBㆍNaㆍP, Y2O2S:Mg,Ti, Sr3SiO5:Eu2+, Dy3 +, Ca2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +, CaS:Sm3 +, YAG:Ce 및 TAG: Ce 중 적어도 어느 하나이다.
본 발명에 따른 상기 백색 LED 조명 장치에 의하여 방출되는 상기 백색광은 상기 청색 잔광 발광 파우더에 의하여 방출되는 상기 청색광, 상기 황색 발광 파우더에 의하여 방출되는 상기 황색광, 및 상기 칩이 여기된 상태에서 상기 청색 또는 자외선 LED 칩으로부터의 광으로 형성된다.
상기 발광 파우더도 상기 자색 및 자외선 LED 칩들에 의하여 여기될 수 있고, 이로써 동일한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 상기 발광 코팅은 상기 청색 잔광 발광 재료 A 와 상기 황색 발광 재료 B를 혼합하거나, 상기 칩 상에 상기 청색 잔광 발광 재료를 코팅하고, 그리고 나서 상기 청색 잔광 발광 재료 A 상에 상기 황색 발광 재료 B를 코팅함으로써 형성될 수 있다.
본 발명은 상기 여기된 광원이 사라졌을 때 그 광이 지속되도록 잔광 특성이 있는 발광 재료를 사용함으로써, 교류 사이클 동안 상기 장치의 광출력이 안정하게 유지되도록 상기 조명 장치에서 교류 변동에 기인한 LED 칩의 발광 스트로브에 의한 영향을 제거할 수 있다.
또한, 상기 LED 칩이 각 교류 사이클의 절반에서는 동작을 하지 않으므로 열적 영향은 감소하는데, 이는 상기 현존하는 백색 LED 조명 장치의 사용에서 칩 발열에 기인하는 일련의 어려움을 극복할 수 있다.
도 1은 교류 LED 조명 장치의 기본 LED 모듈 개략도이고;
도 2는 Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 +의 잔광 스펙트럼이고;
도 3은 Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +의 잔광 스펙트럼이고;
도 4는 Y2O3ㆍAl2O3ㆍSiO2:CeㆍBㆍNaㆍP의 광발광(포토루미네센스) 스펙트럼이고; 및
도 5a 내지 5b는 LED 발광 유닛 구조의 개략도이다.
도 5a에서, 1은 청색 잔광 발광 재료 A와 황색 발광 재료 B로 만들어진 혼합 발광 코팅을 나타내고; 2는 청색, 자색 또는 자외선 LED 칩을 나타내고; 3은 렌즈를 나타내며; 그리고,
도 5b에서, 2는 청색, 자색 또는 자외선 LED 칩을 나타내고; 3은 렌즈를 나타내고; 4는 황색 발광 재료 B로 만들어진 코팅을 나타낸다.
상기 본 발명의 내용은 실시예의 형태로 이하의 실시태양을 통하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명의 범위는 이하의 실시예에 의하여 제한되지 않으며, 본 발명의 내용에 의하여 구현되는 어떠한 기술도 본 발명의 범위에 포함될 것이다. 특히, 상기 기본 회로 구조에 있어서, 본 발명의 실시예는 가장 단순한 단 방향 직렬회로를 제공하지만, 본 발명에 따른 상기 교류 LED 조명 장치의 회로는 그것에 의하여 제한되지 않으며, 예를 들면 반전 직-병렬 회로 및 브릿지 회로를 포함한다. 실시예에서, 상기 청색 LED 칩은 460nm의 방출 파장을 갖고, 상기 자색 LED 칩은 400nm의 방출 파장을 갖고, 상기 자외선 LED 칩은 365nm의 방출 파장을 갖는다.
본 발명에 따른 상기 교류 백색 LED 조명 장치의 원리는 아래와 같다:
도 1에 도시된 바와 같이, 교류 LED 조명 장치의 기본 모듈에 대한 개략도로부터, 교류 전류의 주기 특성으로 인하여 상기 모듈에 기초한 LED의 발광도 주기적인 밝고-어두운 변화, 즉 발광 스트로브가 있고, 이로써 상기 장치의 사용에 영향을 미친다.
본 발명은 상기 여기된 광원이 사라졌을 때 그 광이 지속되도록 잔광 특성이 있는 발광 재료를 사용하고, 본 발명의 해법에 기반한 상기 교류 백색 LED 조명 장치에서는 전류의 사이클이 변할 때 상기 청색 잔광 재료가 상기 청색광을 보상하기 위하여 상기 청색 잔광을 방출하고, 상기 황색 발광 파우더를 여기함으로써, 교류 사이클 동안 상기 장치의 광출력이 안정하게 유지되도록 상기 조명 장치에서 교류 변동에 기인한 LED 칩의 발광 스트로브에 의한 영향을 제거한다. 또한, 상기 LED 칩이 각 교류 사이클의 절반에서는 동작을 하지 않으므로 열적 영향은 감소하는데, 이는 상기 현존하는 백색 LED 조명 장치의 사용에서 칩 발열에 기인하는 일련의 어려움을 극복하는데 도움이 된다.
새로운 백색 LED 조명 장치는 청색 LED 칩, 청색 잔광 발광 재료 A 및 황색 발광 재료 B로 구성된다. 여기서, 상기 청색 잔광 발광 재료 A와 상기 황색 발광 재료 B의 중량비는 10 내지 70 중량%: 30 내지 90 중량%이고, 바람직하게는 20 내지 50 중량%: 50 내지 80 중량%이다.
여기서, 상기 청색 잔광 발광 재료 A는 440 내지 490 nm의 피크 광-방출 파장을 갖는데, 예를 들면 Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 +, Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +, CaS:Bi3 +,Na+, CaS:Cu+,Na+ 및 CaSrS:Bi3 + 중 어느 하나이거나 이들의 결합일 수 있다.
상기 황색 발광 재료 B는 520 내지 580nm의 피크 광-방출 파장을 갖는 상기 잔광 현상이 있거나 없는 또는 양자가 결합된 발광 재료일 수 있다. 상기 잔광 현상이 있는 발광 재료는 Ce 내지 활성된 Y2O3ㆍAl2O3ㆍSiO2: CeㆍBㆍNaㆍP, Y2O2S:Mg,Ti, Sr3SiO5:Eu2+, Dy3 +, Ca2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 + 및 CaS:Sm3 +를 포함한다. 상기 잔광 현상이 없는 발광 재료는 YAG: Ce 및 TAG: Ce를 포함한다.
본 발명에 따른 상기 백색 LED 조명 장치에 의해서 방출되는 상기 백색광은 상기 청색 잔광 발광 파우더에 의해서 방출되는 청색광, 상기 황색 발광 파우더에 의해서 방출되는 황색광 및 상기 청색 LED 칩의 여기 상태에서 상기 청색 LED 칩으로부터의 광으로 형성된다.
본 발명에 따른 상기 교류 백색 LED 조명 장치는 두 개의 반전 LED 또는 브릿지 회로를 병렬로 연결함으로써 상기 교류 입력을 실현할 수 있다. 그러나, 상기 교류의 주기적인 특성으로 인하여, 상기 두 개의 모듈에 기반한 상기 LED의 발광은 주기적인 밝고 내지 어두운 변화, 즉 발광 스트로브를 일으킴으로써 상기 장치의 사용에 영향을 미친다.
본 발명은 상기 여기된 광원이 사라졌을 때 그 광이 지속되도록 잔광 특성이 있는 발광 재료를 사용하고, 본 발명에 따른 해법에 기반한 상기 교류 백색 LED 조명 장치에서는 전류 사이클이 변할 때 상기 청색 잔광 재료가 상기 청색광을 보상하기 위하여 상기 청색 잔광을 방출하고, 상기 황색 발광 파우더를 여기함으로써 교류 사이클 동안 상기 장치의 광출력이 안정하게 유지되도록 상기 조명 장치 상에서 교류 변동(fluctuation)에 기인한 상기 LED 칩의 발광 스트로브에 의한 영향을 제거한다. 또한, 상기 LED 칩이 각 교류 사이클의 절반에서는 동작을 하지 않으므로 열적 영향이 감소하는데, 현존하는 백색 LED 조명 장치의 사용에서 칩 발열에 기인하는 일련의 어려움을 극복하는데 도움이 된다.
특정 실시예가 아래와 같이 주어진다.
실시예 1 내지 18
실시예 LED 칩 청색 잔광 발광 재료 A(중량％) 황색 발광 재료 B(중량％)
1 청색 40％Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 + 60％Y2O3ㆍAl2O3ㆍSiO2:CeㆍBㆍNaㆍP
2 청색 35％Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 + 65％Y3Al5O12:Ce
3 청색 10％Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
◇30％Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 + 		60％Tb3Al5O12:Ce
4 청색 5％Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
◇30％Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 +
+15%CaS:Bi3 +,Na+ 		25％Y2O3ㆍAl2O3ㆍSiO2:CeㆍBㆍNaㆍP
+10%Sr3SiO5:Eu2 +, Dy3 +
+15%Ca2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
5 청색 10％Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
+15%CaSrS:Bi3 +
+35％Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 +
+5%CaS:Bi3 +,Na+
+5%CaS:Cu+,Na+ 		5%Y2O2S:Mg,Ti
+25％Y2O3ㆍAl2O3ㆍSiO2:CeㆍBㆍNaㆍP
6 청색 5％Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
+15%CaSrS:Bi3 +
+20％Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 + 		15%Sr3SiO5:Eu2 +, Dy3 +
+20%Ca2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
+25%Y3Al5O12:Ce
7 청색 35%CaS:Bi3 +,Na+ 25％Y2O3ㆍAl2O3ㆍSiO2:CeㆍBㆍNaㆍP
+10%CaS:Sm3 +
+15%Y2O2S:Mg,Ti
+5%Sr3SiO5:Eu2 +, Dy3 +
+10%Ca2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
8 자색 45％Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 + 55％Y2O3ㆍAl2O3ㆍSiO2:CeㆍBㆍNaㆍP
9 자색 40％Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 + 60％Y3Al5O12:Ce
10 자색 10％Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
◇35％Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 + 		55％Tb3Al5O12:Ce
11 자색 5％Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
◇25％Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 +
+15%CaS:Bi3 +,Na+ 		25％Y2O3ㆍAl2O3ㆍSiO2:CeㆍBㆍNaㆍP
+20%Sr3SiO5:Eu2 +, Dy3 +
+10%Ca2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
12 자색 10％Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
+10%CaSrS:Bi3 +
+35％Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 +
+5%CaS:Bi3 +,Na+
+5%CaS:Cu+,Na+ 		10%Y2O2S:Mg,Ti
+25％Y2O3ㆍAl2O3ㆍSiO2:CeㆍBㆍNaㆍP
13 자외선 40％Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 + 60％Y3Al5O12:Ce
14 자외선 30％Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 + 70％Tb3Al5O12:Ce
15 자외선 20％Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
◇35％Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 + 		45％Y2O3ㆍAl2O3ㆍSiO2:CeㆍBㆍNaㆍP
16 자외선 10％Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
◇25％Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 +
+5％CaS:Bi3 +,Na+ 		30％Y2O3ㆍAl2O3ㆍSiO2:CeㆍBㆍNaㆍP
+15％Sr3SiO5:Eu2 +, Dy3 +
+15％Ca2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
17 자외선 15％Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
+5％ CaSrS:Bi3 +
+10％Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 +
+5％CaS:Bi3 +,Na+
+5％CaS:Cu+,Na+ 		20％Y2O2S:Mg,Ti
+40％Y2O3ㆍAl2O3ㆍSiO2:CeㆍBㆍNaㆍP
18 자외선 10％Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
+5％CaSrS:Bi3 +
+35％Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 + 		15％Sr3SiO5:Eu2 +, Dy3 +
+15％Ca2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +
+ 20％Y3Al5O12:Ce
상기 제조 방법은 다음과 같다: 도 1에서 도시된 바와 같이 기본 유닛으로 교류 백색 LED 조명 장치를 만들기 위하여, 발광 재료 A 및 B를 500 내지 메쉬 내지 스크리닝하는 단계, 실시예 1 내지 18에서 기술된 비율로 상기 발광 재료 A 및 B를 균일하게 혼합하는 단계, 및 그것들을 0.1 W의 전력을 갖는 LED 칩으로 패키징하는 단계.
시험 실시예 1 본 발명에 따른 교류 LED 조명 장치의 발광 특성
통상의 교류 전류의 주파수는 50Hz, 즉 그 사이클은 20ms이다. 상기 전류의 크기가 반 사이클(10ms) 마다 변하는 동안 상기 전류의 방향은 변하지 않는다. 표 2는 초당 300장을 찍는 고속 카메라를 구비한 도 1의 모듈로 도시된 상기 조명 장치에 의하여 시험된 20ms 이내의 밝기를 제공하는데, 이때 실시예 1 내지 18에서 제공된 상기 LED 칩은 AC 내지 DC 변환에 의한 전력 공급없이 상기 메인 전원에 의하여 직접적으로 전압 강하된다. 상기 기준 샘플은 상기 황색 발광 재료로 패키지된 상업적으로 이용 가능한 청색 칩을 구비한 백색 LED 칩과 동일한 형태로 형성된 교류 LED 조명 장치이다. 표 2의 밝기 데이터는 상기 기구의 상대적 시험 밝기이고, 차원이 없다.
시간 3.33 ms 6.66 ms 9.99 ms 13.32 ms 16.65 ms 19.98 ms
기준 샘플의
밝기		 2856 3266 2900 0 0 0
실시예 1의
밝기		 2786 2878 2735 2087 1900 1816
실시예 2 2760 2930 2710 2000 1852 1783
실시예 3 2686 2763 2615 1947 1832 1700
실시예 4 2800 2915 2875 2111 1995 1863
실시예 5 2532 2621 2512 1869 1814 1711
실시예 6 2611 2774 2649 2001 1931 1801
실시예 7 2300 2423 2400 1604 1542 1488
실시예 8 2800 2958 2889 2100 2004 1950
실시예 9 2700 2860 2700 1999 1900 1746
실시예 10 2333 2621 2536 1900 1632 1423
실시예 11 2597 2741 2635 1815 1763 1600
실시예 12 2122 2429 2235 1522 1400 1283
실시예 13 2633 2777 2654 1757 1583 1489
실시예 14 2763 2810 2777 1997 1835 1711
실시예 15 2343 2661 2532 1870 1732 1554
실시예 16 2637 2788 2700 1800 1712 1611
실시예 17 2322 2529 2435 1612 1506 1383
실시예 18 2683 2797 2701 1857 1665 1500
표 2의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 발광은 교류 사이클 동안 안정적이나, 반면에 상기 황색 발광 재료로 패키지된 상업적으로 이용 가능한 청색 칩을 구비한 상기 백색 LED 조명 장치의 발광은 불안정하고, 전압 반전으로 인하여 상기 교류 전류의 부의 절반 사이클 동안 광이 방출되지 않는다.
시험 실시예 2 본 발명에 따른 상기 교류 LED 조명 장치의 광 감쇠
표 3은 실시예 1 내지 18 및 상기 기준 샘플의 광 감쇠 데이터를 보여준다. 상기 기준 샘플은 현재 일반적인 직류 전원장치에서 상기 황색 발광 재료로 패키지된 상업적으로 이용 가능한 청색 칩을 구비한 상기 백색 LED 칩을 설치하여 형성된 조명 장치이다. 상기 시험 방법은 다음과 같다: 실시예 1 내지 18 및 상기 기준 샘플의 상기 교류 LED 조명 장치에 전원을 공급하는 단계, 및 일정 구간에서 밝기를 시험하는 단계. 상기 결과는 표 3에서 보여지는데, 여기서 상기 데이터는 상대적인 밝기이고 상기 초기 데이터로 표준화된다.
시간 1 h 1000 h 1500 h 2500 h
기준 샘플의
밝기		 100 98 97 94
실시예 1의
밝기		 100 99.8 99.3 99.2
실시예 2 100 99.5 99.2 99
실시예 3 100 99.5 99 98
실시예 4 100 99.7 99.3 99
실시예 5 100 99.8 99.4 98.6
실시예 6 100 99.5 99 98
실시예 7 100 99.4 99 98.3
실시예 8 100 99.7 99.2 99
실시예 9 100 99.5 99 98
실시예 10 100 99.6 99 98.6
실시예 11 100 99.5 99 98
실시예 12 100 99.3 99 98.2
실시예 13 100 99.5 99 98
실시예 14 100 99.6 99.1 98
실시예 15 100 99.5 99 98
실시예 16 100 99.8 99.2 99
실시예 17 100 99.4 99.1 98.5
실시예 18 100 99.5 99.3 98.4
표 3의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 교류 LED 조명 장치의 밝기 감쇠는 현존하는 방식을 사용하는 LED 조명 장치의 밝기 감쇠 보다 작다.
표 2 내지 3의 결과는 본 발명에 따른 상기 청색 잔광 발광 재료 및 상기 황색 발광 재료로 제조된 교류 백색 LED 조명 장치가 상기 교류 전원이 공급되는 동안 안정적인 발광과 작은 광 감쇠에서 이점이 있고, 이로써 현존하는 LED 조명 장치보다 명백하게 신규하고 진보하다.

Claims (10)

  1. 내부에 패키지된 청색, 자색 또는 자외선 LED 칩; 및
    청색 잔광 발생 재료 A와, 황색 발광 재료 B의 결합으로 만들어진 발광 코팅을 포함하며, 상기 청색 잔광 발광 재료 A 및 상기 황색 발광 재료 B의 중량비가 10 내지 70 중량%: 30 내지 90 중량%인 것인, 백색 LED 조명 장치.
  2. 제1항 에 있어서,
    상기 청색 잔광 발광 재료 A 및 상기 황색 발광 재료 B의 중량비가 20 내지 50 중량%: 50 내지 80 중량%인 것인, 백색 LED 조명 장치.
  3. 제1항 또는 제2항 에 있어서,
    상기 청색 잔광 발광 재료 A는 440 내지 490 nm의 피크 광방출 파장을 갖는 것인, 백색 LED 조명 장치.
  4. 제3항 에 있어서,
    상기 청색 잔광 발광 재료 A는 Sr4Al14O25:Eu2 +,Dy3 +, Sr2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +, CaS:Bi3+,Na+, CaS:Cu+,Na+ 및 CaSrS:Bi3 + 중 어느 하나인 것인, 백색 LED 조명 장치.
  5. 제1항 또는 제2항 에 있어서,
    상기 황색 발광 재료 B는 520 내지 580 nm의 피크 광-방출 파장을 갖는 것인, 백색 LED 조명 장치.
  6. 제5항 에 있어서,
    상기 황색 발광 재료 B는 잔광 현상이 있거나 없는 또는 양자가 결합된 황색 발광 재료인 것인, 백색 LED 조명 장치.
  7. 제5항 에 있어서,
    상기 황색 발광 재료 B는 Y2O3ㆍAl2O3ㆍSiO2: CeㆍBㆍNaㆍP, Y2O2S:Mg,Ti, Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+, Ca2MgSi2O7:Eu2 +,Dy3 +, CaS:Sm3 +, YAG:Ce 및 TAG: Ce 중 어느 하나인 것인, 백색 LED 조명 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 발광 코팅은 상기 청색 잔광 발광 재료 A와 상기 황색 발광 재료 B를 혼합하여 형성되는 것인, 백색 LED 조명 장치.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 발광 코팅은 상기 청색 잔광 발광 재료 A의 코팅, 상기 황색 발광 재료 B의 코팅인 것인, 백색 LED 조명 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 백색 LED 조명 장치의 전원 주파수는 적어도 50Hz인 것인, 백색 LED 조명 장치.
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