KR20120114185A

KR20120114185A - 전자기파 가열을 이용한 웨이퍼 본더

Info

Publication number: KR20120114185A
Application number: KR1020120036349A
Authority: KR
Inventors: 신홍수; 도현정; 김진원; 한재혁
Original assignee: 주식회사 휴템
Priority date: 2011-04-06
Filing date: 2012-04-06
Publication date: 2012-10-16
Also published as: KR101331590B1

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 본더는 웨이퍼가 장착되는 제1 스테이지와, 상기 제1 스테이지와 대향 배치된 제2 스테이지, 및 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지를 이송하는 이송부재를 포함하고, 상기 제1 스테이지는 전자기파를 전달하는 전달라인을 갖는 전자기파 가열부재를 포함하여 열을 발생시킨다.

Description

전자기파 가열을 이용한 웨이퍼 본더{WAFER BONDER UNSING ELECTROMAGNETIC WAVE HEATING}

본 발명은 웨이퍼 본더에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼를 용이하게 가열할 수 있는 전자기파 가열을 이용한 웨이퍼 본더에 관한 것이다.

오늘날, 전자 산업의 추세는 더욱 경량화, 소형화, 고속화, 다기능화, 고성능화되고 높은 신뢰성을 갖는 제품을 저렴하게 제조하는 것이다. 이를 가능하게 하는 중요한 기술 중의 하나가 바로 패키지(package) 기술이며, 이에 따라 근래에 개발된 패키지 중의 하나가 적층 칩 패키지(stack chip package)이다.

적층 칩 패키지는 패키지 기판 위에 반도체 칩들이 3차원으로 적층된 반도체 패키지로서, 고집적화를 이룰 수 있는 동시에 반도체 제품의 경박단소화에 대한 대응성도 뛰어난 장점을 갖고 있다. 이러한 적층 칩 패키지는 칩 레벨(chip level) 또는 웨이퍼 레벨(wafer level)에서 제조가 이루어진다.

그런데, 칩 레벨에서 적층 칩 패키지를 제조하는 경우, 신뢰성이 검증된 노운 굳 다이(Known Good Die;KGD)를 이용하기 때문에, 제조가 완료된 적층 칩 패키지의 신뢰성이 우수한 반면에, 제조 공정에 장시간이 소요되기 때문에, 적층 칩 패키지의 생산성이 낮아진다.

한편, 웨이퍼 레벨에서 적층 칩 패키지를 제조하는 경우, 웨이퍼를 본딩하여 적층 칩 패키지를 형성하므로 제조 공정에 소요되는 시간이 단축되어 적층 칩 패키지의 생산성이 향상된다. 이러한 웨이퍼 적층 패키지 기술은 반도체 칩뿐만 아니라 LED(Light Emitting Diode) 등 다양한 분야에 적용되고 있다.

웨이퍼를 본딩할 때에는, 진공 챔버 내에서 높은 열과 압력으로 접착제를 녹이게 되는데, 이를 위하여 웨이퍼 본더는 웨이퍼를 가열하는 히팅 블럭을 구비한다.

히팅 블럭은 웨이퍼를 250℃ 내지 400℃까지 가열하며, 가열된 웨이퍼를 진공 상태에서 냉각시킨다. 히팅 블록으로 웨이퍼를 가열할 때, 히팅 블록을 먼저 가열해야 하므로 시간이 오래 걸리는 문제가 있다.

또한, 웨이퍼를 공기 중에서 냉각하면 웨이퍼가 산화되는 등의 문제가 발생하기 때문에 진공 상태에서 웨이퍼를 냉각하는 바, 냉각 시에 히팅 블럭이 천천히 냉각되어 공정 시간이 지나치게 증가하는 문제가 있다. 웨이퍼를 300℃로 가열할 경우 냉각 시간만 약 3시간이 소요된다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 진공 챔버 내부로 냉각된 질소 가스를 공급하는 방법이 제안되었으나, 이 경우에는 질소 가스와 히팅 블럭 사이의 접촉이 크지 않아서 히팅 블럭이 잘 냉각되지 않는 문제가 있으며, 고온의 웨이퍼 상면은 저온의 질소 가스와 직접 접촉하고, 웨이퍼의 아래 부분은 고온의 히팅 블럭과 접촉하므로 상면의 급격한 냉각으로 인하여 웨이퍼에 균열이 발생하는 문제가 있다.

본 발명은 상기한 바와 같은 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 본딩 시간을 단축시키고 불량 발생을 최소화할 수 있는 웨이퍼 본더를 제공함에 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 본더는 웨이퍼가 장착되는 제1 스테이지와, 상기 제1 스테이지와 대향 배치된 제2 스테이지, 및 상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지를 이송하는 이송부재를 포함하고, 상기 제1 스테이지는 전자기파를 이용하여 상기 웨이퍼를 가열한다.

상기 제1 스테이지는 교류전류에 의하여 전자기파를 발생시키는 전달라인을 갖는 전자기파 가열부재를 포함할 수 있다.

상기 제1 스테이지는 상기 전자기파 가열부재와 접하도록 배치되며 상기 전자기파에 의하여 가열되는 발열부를 더 포함할 수 있다.

상기 발열부는 판형상으로 이루어지며 내부에 냉각매체가 흐르는 냉각매체 유로를 갖도록 형성될 수 있으며, 상기 발열부는 상기 전자기파의 주파수와 동일한 공진 주파수를 갖도록 이루어질 수 있다.

상기 발열부는 상기 전자기파에 의하여 유도 가열될 수 있으며, 상기 발열부는 상기 전자기파에 의하여 형성되는 와전류에 의하여 저항 가열될 수 있다.

마주하도록 배치된 웨이퍼 사이에는 금속으로 이루어진 접착제가 설치되고, 상기 전자기파는 상기 전자기파의 주파수와 동일한 공진 주파수를 갖도록 형성될 수 있다.

상기 전달라인은 내부 공간을 갖는 관 형상으로 이루어질 수 있으며, 상기 전달라인의 내부에는 냉각수가 주입될 수 있다.

상기 전달라인은 상기 전자기파 가열부재의 내부에 삽입 설치될 수 있으며, 상기 전달라인에는 전자기파를 발생시키는 제어모듈이 연결 설치될 수 있다.

상기 제어모듈은 상기 전달라인에 전원을 공급하는 전원공급부와 전자기파의 주파수를 제어하는 주파수 제어부를 포함할 수 있으며, 상기 제어모듈은 상기 전달라인으로 냉각매체를 공급하는 냉각매체 공급부를 더 포함할 수 있다.

상기 냉각매체 공급부는 냉각매체의 온도를 제어하는 온도제어모듈을 포함할 수 있으며, 상기 제2 스테이지는 교류전류에 의하여 전자기파를 발생시키는 전달라인을 갖는 전자기파 가열부재와 상기 전자기파 가열부재와 접하도록 배치되며 상기 전자기파에 의하여 가열되는 발열부를 포함할 수 있다.

상기 제1 스테이지 및 상기 제2 스테이지가 삽입 설치된 진공 챔버를 더 포함할 수 있다.

상기와 같이 본 발명에 따르면 웨이퍼를 전자기파를 이용하여 가열하므로 웨이퍼를 신속하게 본딩할 수 있다. 또한, 발열부 내에 냉각매체 유로가 형성되므로 웨이퍼를 신속하게 냉각시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 본더를 도시한 구성도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 본더의 웨이퍼가 가압된 상태를 도시한 개략적인 구성도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 본더를 도시한 구성도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자기파 가열부재와 발열부를 도시한 절개 사시도이다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 당업자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되는 것은 아니다.

본 기재에서 웨이퍼라 함은 일반적인 의미의 웨이퍼 뿐만 아니라 웨이퍼에서 분할된 다이(die)를 포함하는 개념이다 따라서 본 기재에서 웨이퍼 본더는 광의의 개념으로서 단순히 일반적인 웨이퍼를 본딩하는 장치뿐만 아니라 통상적인 다이를 본딩하는 장치를 포함하는 개념이다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 본더를 개략적으로 도시한 구성도이고 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 본더의 웨이퍼가 가압된 상태를 도시한 개략적인 구성도이다.

도 1, 및 도 2를 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 웨이퍼 본더(wafer bonder)(100)는 내부에 공간을 갖는 진공 챔버(120)와 웨이퍼(181, 182)가 장착되는 제1 스테이지(150)와 제1 스테이지(150)에 대향 배치된 제2 스테이지(140)와 제1 스테이지(150)를 이송하는 이송부재(160), 및 제1 스테이지(150)를 포함한다.

진공 챔버(120)는 대략 직육면체 형상으로 이루어지며, 내부에 제1 스테이지(150)와 제2 스테이지(140)가 삽입 설치되는 공간을 갖는다. 또한, 진공 챔버(120)는 내부를 진공 상태로 유지하기 위해서 진공 펌프(미도시)와 연결 설치된다.

제1 스테이지(150)는 이송부재(160)에 의하여 상하 방향으로 이동 가능하게 설치된다. 본 실시예에서는 제1 스테이지(150)와 이송부재(160)가 연결 설치된 것으로 예시하고 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 제2 스테이지(140)가 이송부재(160)와 연결 설치되어 제2 스테이지(140)가 이동하도록 설치될 수도 있다. 제1 스테이지(150)는 내부에 교류전류에 의하여 전자기파를 발생시키는 전달라인(153)이 설치된 전자기파 가열부재(154)와 전자기파 가열부재(154)에 접하도록 발열부(152)를 포함한다.

전자기파 가열부재(154)는 구리(Cu) 등의 금속으로 이루어진 전달라인(153)에서 발생된 전자기파를 이용하여 발열부(152)를 가열한다. 전자기파 가열부재(154)는 원판형상으로 이루어지며 전자기파에 의하여 가열되지 않는 세라믹 등의 소재로 이루어진다.

전달라인(153)은 내부에 공간을 갖는 관 형상으로 이루어지며, 전달라인(153)의 내부에는 전달라인(153)의 과열을 방지하는 냉각수가 흐른다. 전달라인(153)은 전자기파 가열부재(154)의 내부에 나선형으로 삽입 설치된다.

본 실시예에서는 전달라인(153)이 나선형으로 배치된 것으로 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 전달라인(153)은 지그재그 형상 등 다양한 형상으로 이루어질 수 있다.

전달라인(153)에는 전달라인(153)에 전력을 인가하는 제어모듈(170)이 연결설치 된다. 제어모듈(170)은 전력을 공급하는 전력공급부(171)와 전자기파의 주파수를 제어하는 주파수 제어부(172), 및 전달라인(153)으로 냉각 매체를 공급하는 냉각매체 공급부(173)를 포함한다.

전달라인(153)은 마이크로 웨이브, RF 웨이브 등의 전자기파를 발생시킨다. 전달라인(153)에서 발생되는 전자기파의 주파수는 50kHz 내지 900MHz가 될 수 있다.

주파수 제어부(172)는 전력공급부(171)에서 발생되는 전력의 교류 주파수 등을 제어하여 전달라인(153)에서 발생하는 전자기파의 주파수를 제어하며, 특히, 발열부(152) 또는 접착제(184)의 공진 주파수와 동일한 주파수로 주파수로 제어한다.

이와 같이 주파수 제어부(172)를 구비하면 접착제(184) 또는 발열부(152)의 재질 및 구성에 따라 다른 공진 주파수를 갖는 전자기파를 발생시켜서 효율적으로 가열할 수 있다.

전달라인(153)을 통해서 교류전류가 흐르면 전달라인(153)에 전자기파가 발생하고, 발열부(152) 및 접착제(184)에는 전자기파에 의하여 와전류(eddy current)가 발생한다. 이러한 와전류에 의하여 발열부(152) 및 접착제(184)는 저항 가열된다. 또한, 전자기파는 발열부(152) 또는 접착제(184)의 고유진동수와 공진할 수 있는 주파수로 이루어져서 발열부(152) 또는 접착제(184)를 유도 가열한다. 전자기파가 발열부(152)의 공진주파수와 유사할 경우에는 발열부(152)가 유도 가열되며, 접착제(184)를 발열부를 통해서 간접 가열된다. 한편, 전자기파가 접착제(184)의 공진주파수와 유사할 경우에는 접착제(184)가 직접 유도 가열된다.

냉각매체 공급부(173)는 전달라인(153)으로 냉각매체인 물을 공급한다. 또한 냉각매체 공급부(173)는 온도제어모듈을 포함하여 전달라인(153)으로 공급되는 냉각매체의 온도를 조절한다. 본 실시예와 같이 전달라인(153)이 튜브 형태로 형성되면, 내부로 냉각매체를 공급하여 전달라인(153)이 과열되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼를 냉각시킬 때에는 온도가 낮은 냉각매체를 공급하여 제1 스테이지(150)를 냉각 신속하게 냉각시킬 수 있다.

발열부(152)는 판 형상으로 이루어지며, 전자기파 가열부재(154)와 지지대(185) 사이에 배치된다. 발열부(152)는 전자기파 가열부재(154) 상에 클램프로 고정되거나, 접착물질, 나사 등으로 고정된다. 발열부(152)는 전자기파에 공진 반응하여 유도가열 및 와전류에 의하여 저항가열될 수 있는 물질로 이루어지는 바, 전기 전도성을 갖는 그라파이트로 이루어질 수 있다.

또한, 제1 스테이지(150)의 위에는 웨이퍼(181, 182)가 장착되는 지지대(185)가 설치된다. 지지대(185)의 중앙에는 홈이 형성되어 있으며, 이 홈에 웨이퍼(181, 182)가 설치된다. 웨이퍼(181, 182)는 홈의 바닥에 설치되는 제1 웨이퍼(182)와 제1 웨이퍼(182)의 위에 설치된 제2 웨이퍼(181)를 포함하며, 제1 웨이퍼(182)와 제2 웨이퍼(181) 사이에는 금속으로 이루어진 접착제(184)가 설치된다.

여기서 웨이퍼(181, 182)는 반도체칩 웨이퍼, LED 웨이퍼, 태양전지 웨이퍼 등 다양한 종류의 웨이퍼가 적용될 수 있다. 한편, 접착제(184)는 웨이퍼들(181, 182)이 대향하는 면의 가장자리에 배치되며, 금속소재인 Au 또는 Au/Sn으로 이루어질 수 있다.

본 실시예에서는 접착제(184)가 웨이퍼(181, 182)의 가장자리에 설치된 것으로 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 웨이퍼(181, 182)에 형성된 다이들을 접합하기 위해서 웨이퍼(181, 182)의 내부에 부분적으로 접착제가 설치될 수도 있다.

제2 스테이지(140)는 제1 스테이지(150)와 대향하도록 상부에 설치되며, 웨이퍼(181, 182)에 균일한 압력을 적용할 수 있도록, 구름면(144)과 이에 접촉하는 롤러(142)를 포함한다. 구름면(144)은 표면이 대략 호형으로 이루어지고, 롤러(142)는 원통 형상으로 형성되는 바, 두 개의 롤러(142)가 구름면(144)의 가장자리와 접하도록 배치된다. 이에 따라 롤러(142)는 구름면(144)과 접하면서 회전할 수 있으며, 롤러(142)의 회전에 따라 제2 스테이지(140)의 기울기가 조절된다. 따라서 제1 스테이지(150)와 제2 스테이지(140)가 초기에 평행하게 접하지 못하더라도 구름면(144)에 대하여 롤러(142)가 회전하는 과정에서 제1 스테이지(150)와 제2 스테이지(140)가 정합될 수 있다.

또한, 제2 스테이지(140)에는 내부에 전달라인(143)이 설치된 전자기파 가열부재(146)와 발열부(145)에 접하도록 배치된 발열부(152)를 포함한다.

전자기파 가열부재(146)와 발열부(145)는 제2 스테이지(140)의 높이 방향으로 배열되는 바, 전자기파 가열부재(146)의 아래에 발열부(145)가 위치한다. 전자기파 가열부재(146)는 구리(Cu) 등의 금속으로 이루어진 전달라인(143)에서 발생된 전자기파를 이용하여 발열부(145)를 가열한다.

전자기파 가열부재(146)와 발열부(145)는 상기한 전자기파 가열부재(146) 및 발열부(145)와 동일한 구조로 이루어지므로 동일한 구조에 대한 중복 설명은 생략한다.

전달라인(143)은 냉각매체가 흐르는 내부 공간을 갖는 관 형상으로 이루어지며, 전달라인(143)에는 전자기파를 전달하는 제어모듈(190)이 연결 설치된다.

제어모듈(190)은 전자기파를 생성하는 전원공급부(191)와 전자기파의 주파수를 제어하는 주파수 제어부(192), 및 전달라인(143)으로 냉각 매체를 공급하는 냉각매체 공급부(193)를 포함한다.

제어모듈(190), 전달라인(143)은 상기한 제어모듈(170) 및 전달라인(143)과 동일한 구조로 이루어지므로 동일한 구조에 대한 중복 설명은 생략한다.

제2 스테이지(140)의 위에는 웨이퍼(181, 182)에 적용되는 압력을 측정하는 로드셀(130)이 설치된다. 로드셀(130)은 제1 스테이지(150)와 제2 스테이지(140)가 밀착되어 웨이퍼들(181, 182)을 가압할 때 제1 스테이지(150)가 상승하면서 제2 스테이지(140)에 의해 적용되는 압력을 측정하여 전기 신호로 출력한다. 제1 스테이지(150)는 이송부재(160)에 의하여 이송되어 도 2와 같이 위로 상승하는 바, 이송부재(160)는 서보 모터(168)를 포함한다. 이송부재(160)는 서보 모터(168)와 직접 연결된 제1 기둥부재와 제1 기둥부재에 나사결합되며 제1 스테이지(150)를 지지하는 제2 기둥부재를 포함하는 바, 제1 기둥부재가 제2 기둥부재에 대하여 회전하여 제2 기둥부재가 위 또는 아래로 이동한다.

이와 같이 서보 모터(168)는 회전에 의하여 이 제1 스테이지(150)의 위치를 지정하며 정확한 위치로 제1 스테이지(150)를 이송시킬 수 있다. 서보 모터(168)를 이용하여 제1 스테이지(150)를 이송시키면 공압을 이용하는 경우에 비하여 습도 등 주변 환경뿐만 아니라 진공 챔버 내부의 진공 압력에 영향을 받지 아니하므로 정밀하게 제1 스테이지(150)를 이동시킬 수 있다.

한편, 본 실시예에 따른 웨이퍼 본더(100)는 로드셀(130)에서 전달된 정보를 이용하여 서보 모터(168)를 제어하는 위치 제어기(132)를 포함한다. 위치 제어기(132)는 로드셀(130)에서 전달된 압력 정보를 통해서 실시간으로 이송부재(160)를 조절하며, 제1 스테이지(150)를 미세하게 전후진 시키면서 설정된 압력이 적용되도록 조절한다.

또한 이송부재(160)는 서보 모터(168)를 이용하여 제1 스테이지(150)의 이동 속도 및 위치를 조절할 수 있는 바, 제1 스테이지(150)를 낮은 속도로 움직이면서 적용되는 압력을 미세하게 조절할 수 있다. 또한, 본딩 작업을 완료한 후, 제1 스테이지(150)를 하강시킬 때, 본딩된 웨이퍼가 제2 스테이지(140)에 부착되었다가 제1 스테이지(150)로 떨어져 웨이퍼(181, 182)가 파손되는 경우가 발생할 수 있다. 본딩이 완료된 웨이퍼(181, 182)는 충격에 매우 약하므로 추락하는 경우 심각하게 파손되는 문제가 발생한다.

그러나 본 실시예와 같이 서보 모터(168)를 이용하여 제1 스테이지(150)의 위치를 조절할 수 있으면, 본딩 작업이 완료된 후에 제1 스테이지(150)를 1mm 정도 아래로 하강 시키고, 웨이퍼(181, 182)가 충분히 분리되는 시간을 대기하였다가 아래로 이동하여 웨이퍼(181, 182)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.

상기한 바와 같이 본 실시예에 따르면 전자기파를 이용하여 발열부(145, 152) 또는 접착제(184)를 가열하므로 보다 신속하고, 적은 비용으로 웨이퍼를 가열할 수 있다.

또한, 전자기파의 주파수는 접착제(184)의 공진 주파수와 동일하게 설정될 수 있으며, 이 경우에는 발열부 가열없이 접착제만 가열하여 웨이퍼를 접할 수 있다.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 본더를 도시한 구성도이고, 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자기 가열부와 발열부를 도시한 절개 사시도이다.

도 3 및 도 4를 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 웨이퍼 본더(200)는 발열부의 구조를 제외하고는 상기한 제1 실시예에 따른 웨이퍼 본더와 동일한 구조로 이루어지므로 동일한 구조에 대한 중복 설명은 생략한다.

제1 스테이지에 설치된 발열부(158)에는 냉각매체 유로(158a)가 형성된다. 냉각매체 유로(158a)는 관 형상으로 이루어지며, 관이 발열부 내에 삽입된다. 또한, 냉각매체 유로(158a)는 채널 형태로 형성될 수도 있으며, 채널은 2개로 나누어진 발열부(158)가 결합될 때, 냉각매체 유로(154)를 형성하게 된다.

웨이퍼(181, 182)를 냉각할 필요가 있을 대에는 냉각매체 유로(154)로 냉각된 질소 가스 또는 냉각수가 흐르도록 하여 발열부(158)를 냉각한다. 여기서 질소 가스는 불활성 가스로 이루어지므로 진공 챔버(120) 내부로 유출될 경우에도 웨이퍼(181, 182)가 산화되는 등의 문제가 발생하지 않는다. 질소 가스 또는 냉각수는 발열부(158)를 냉각하고 냉각된 발열부(158)는 웨이퍼(181, 182)를 냉각하는 바, 발열부(158)를 통해서 웨이퍼(181, 182)를 간접적으로 냉각하므로 급격한 냉각에 의하여 웨이퍼(181, 182)가 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 열원이 되는 발열부(158)를 보다 신속하고 용이하게 냉각할 수 있다.

이와 같이 발열부(158)에 냉각매체 유로를 형성하면 본딩 작업이 완료된 후, 웨이퍼를 냉각할 필요가 있을 때, 발열부(158)를 보다 신속하게 냉각할 수 있으며, 종래에 비하여 작업 시간을 현저히 단축시킴으로써 생산성이 향상된다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

100, 200: 웨이퍼 본더 150: 제1 스테이지
140: 제2 스테이지 120: 진공 챔버
130: 로드셀 132: 위치 제어기
142: 롤러 143, 153: 전달라인
144: 구름면 145, 152: 발열부
146, 154: 전자기파 가열부재 154, 158a: 냉각매체 유로
160: 이송부재 168: 서보 모터
170, 190: 제어모듈 171, 191: 전원공급부
172, 192: 주파수 제어부 173, 193: 냉각매체 공급부
181: 제2 웨이퍼 182: 제1 웨이퍼
184: 접착제 185: 지지대

Claims

웨이퍼가 장착되는 제1 스테이지;
상기 제1 스테이지와 대향 배치된 제2 스테이지; 및
상기 제1 스테이지 또는 상기 제2 스테이지를 이송하는 이송부재;
를 포함하고,
상기 제1 스테이지는 전자기파를 이용하여 열을 발생시키는 웨이퍼 본더.
제1 항에 있어서,
상기 제1 스테이지는 교류전류에 의하여 전자기파를 발생시키는 전달라인을 갖는 전자기파 가열부재를 포함하여 열을 발생시키는 웨이퍼 본더.
제2 항에 있어서,
상기 제1 스테이지는 상기 전자기파 가열부재와 접하도록 배치되며 상기 전자기파에 의하여 가열되는 발열부를 더 포함하는 웨이퍼 본더.
제3 항에 있어서,
상기 발열부는 판형상으로 이루어지며 내부에 냉각매체가 흐르는 냉각매체 유로를 갖는 웨이퍼 본더.
제3 항에 있어서,
상기 발열부는 상기 전자기파의 주파수와 동일한 공진 주파수를 갖는 웨이퍼 본더.
제5 항에 있어서,
상기 발열부는 상기 전자기파에 의하여 유도 가열되는 웨이퍼 본더.
제3 항에 있어서,
상기 발열부는 상기 전자기파에 의하여 형성되는 와전류에 의하여 저항 가열되는 웨이퍼 본더.
제2 항에 있어서,
마주하도록 배치된 웨이퍼 사이에는 금속으로 이루어진 접착제가 설치되고, 상기 전자기파는 상기 접착제의 주파수와 동일한 공진 주파수를 갖는 웨이퍼 본더.
제2 항에 있어서,
상기 전달라인은 내부 공간을 갖는 관 형상으로 이루어진 웨이퍼 본더.
제9 항에 있어서,
상기 전달라인의 내부에는 냉각수가 주입되는 웨이퍼 본더.
제10 항에 있어서,
상기 전달라인은 상기 전자기파 가열부재의 내부에 삽입 설치된 웨이퍼 본더.
제2 항에 있어서,
상기 전달라인에는 전력을 인가하는 제어모듈이 연결 설치된 웨이퍼 본더.
제12 항에 있어서,
상기 제어모듈은 상기 전달라인에 전력을 공급하는 전원공급부와 전자기파의 주파수를 제어하는 주파수 제어부를 포함하는 웨이퍼 본더.
제12 항에 있어서,
상기 제어모듈은 상기 전달라인으로 냉각매체를 공급하는 냉각매체 공급부를 더 포함하는 웨이퍼 본더.
제14 항에 있어서,
상기 냉각매체 공급부는 냉각매체의 온도를 제어하는 온도제어모듈을 포함하는 웨이퍼 본더.
제1 항에 있어서,
상기 제2 스테이지는 교류전류에 의하여 전자기파를 발생시키는 전달라인을 갖는 전자기파 가열부재와 상기 전자기파 가열부재와 접하도록 배치되며 상기 전자기파에 의하여 가열되는 발열부를 포함하는 웨이퍼 본더.
제1 항에 있어서,
상기 제1 스테이지 및 상기 제2 스테이지가 삽입 설치된 진공 챔버를 더 포함하는 웨이퍼 본더.