KR20120111214A - Varistor module - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 자동차, 전자제품 등에 사용되는 바리스터 모듈에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 과열, 과전류에 의한 바리스터의 파손을 방지하는 바리스터 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a varistor module for use in automobiles, electronic products, and the like, and more particularly, to a varistor module that prevents damage to a varistor due to overheating and overcurrent.
최근 반도체 산업의 급격한 발전은 단위소자의 소형화 및 고성능화를 위한 초고집적화 시대를 가속시키고 있다. 이에 따라 전자 기기 등의 동작전압은 점점 낮아지는 추세에 있는 반면에, 서지(surge)전압의 유입으로 전자부품 등을 태울 정도의 큰 열에너지를 발산하여 반도체의 에너지 수용능력이 급속히 떨어지게 되어 서지에 대한 대처능력이 현격히 떨어지게 되었다.The recent rapid development of the semiconductor industry is accelerating the era of ultra high integration for miniaturization and high performance of unit devices. As a result, operating voltages of electronic devices, etc., tend to gradually decrease, while the inflow of surge voltages dissipates large thermal energy enough to burn electronic components, thereby rapidly decreasing the energy capacity of semiconductors. Coping ability fell significantly.
따라서, 반도체소자를 내장한 장비들은 과도전압에 매우 약해 수십 ms의 짧은 과도전압 유입시에도 소자를 파괴시키거나 열화시켜 수명 단축, 기능 저하 등을 초래하고 있기 때문에, 미소전압에서 동작하는 바리스터의 개발이 중요한 과제라 할 수 있다.Therefore, since the devices incorporating semiconductor devices are very weak to transient voltages, even when a short transient voltage of several tens of ms is destroyed, the devices are destroyed or degraded, resulting in shortened lifespan and reduced function. This is an important task.
바리스터란 높은 비선형 전류-전압 특성을 가진 반도체 소자로서, 전기적 특성은 정전압 특성인 제너다이오드의 동작과 유사하나 보다 큰 전류와 에너지 용량을 가진 복합 세라믹 장치이다.A varistor is a semiconductor device with high nonlinear current-voltage characteristics, and its electrical characteristics are similar to those of a zener diode, which is a constant voltage characteristic, but a composite ceramic device having a larger current and energy capacity.
바리스터의 비선형 특성은 낮은 전압에서 매우 큰 전기저항을 가지고 있으며, 이 저항은 소자의 미세구조와 크기에 의존하는 어떤 영역의 전압(threshold voltage) 이상에서는 급격히 떨어지는 비선형 특성을 나타내는 그레인(grain) 경계현상을 갖는다. 비선형 저항 동작은 그레인 경계에서 발생하는 과정에 의해 제어되는데, 맞접속(back-to-back) 제너다이오드에서 관찰되는 항복(break down) 현상과 유사하나 보다 큰 에너지를 흡수하는 능력이 있다.The nonlinear nature of varistors has a very large electrical resistance at low voltages, which are grain boundary phenomena that show a sharp drop in nonlinearity above the threshold voltage in some regions, depending on the microstructure and size of the device. Has Nonlinear resistance behavior is controlled by processes occurring at grain boundaries, similar to the break down phenomenon observed in back-to-back zener diodes, but with the ability to absorb more energy.
일반적으로, 바리스터는 과열, 과전류 등에 의한 파손을 방지하기 위해 PTC(Positive Temperature Ccefficient) 서미스터 소체(이하, PTC)를 포함하여 하나의 바리스터 모듈로 구성된다. 이때, PTC는 바리스터로 전달되는 과열, 과전류 등을 차단하기 위해 입력단자 측에 배치된다. 즉, PTC가 입력단자를 통해 외부에서 입력되는 과열, 과전류를 차단하여 바리스터로 전달되는 것을 방지한다. 이때, PTC는 바리스터의 온도가 높아지게 되면 저항값이 올라가게 되어 바리스터의 부하를 줄여서 바리스터가 과열되는 것을 방지한다.In general, a varistor is composed of one varistor module including a PTC (Positive Temperature Ccefficient) thermistor element (hereinafter referred to as PTC) in order to prevent damage due to overheating and overcurrent. At this time, the PTC is disposed on the input terminal side to block overheating, overcurrent, and the like transmitted to the varistor. That is, the PTC blocks the overheat and overcurrent input from the outside through the input terminal to prevent the transfer to the varistor. At this time, when the temperature of the varistor increases, PTC increases the resistance value, thereby reducing the load of the varistor to prevent the varistor from overheating.
그런데, 종래의 바리스터 모듈은 입력단자와 출력단자가 바뀌어 연결되면 바리스터를 과열로부터 보호하기 위한 등가 회로 상 PTC가 바리스터의 후단에 위치하게 된다. 그리하면, 종래의 바리스터 모듈은 바리스터의 과열로 인한 출력단자에 외부의 과열, 과전류가 입력되면 PTC에서 과열, 과전류를 차단하지 못하여 바리스터가 파손되는 문제점이 있다.However, in the conventional varistor module, when the input terminal and the output terminal are interchanged and connected, PTC is positioned at the rear end of the varistor in an equivalent circuit for protecting the varistor from overheating. Then, the conventional varistor module has a problem in that the varistor is damaged due to the overheating and the overcurrent not being blocked by the PTC when an external overheating or overcurrent is inputted to the output terminal due to the overheating of the varistor.
그런데, 종래의 바리스터 모듈은 입력단자와 출력단자가 바뀌어 연결되면 출력단자를 통해 외부에서 입력되는 과열 그대로 바리스터로 전달되어 방폭이 발생하는 문제점이 있다. 즉, 종래의 바리스터 모듈은 출력단자를 통해 전류가 공급됨으로 바리스터를 통해 PTC로 전류가 공급된다. 이때, 바리스터에 과열이 발생하여 PTC의 저항값이 상승해도 바리스터로 공급되는 전류는 그대로 유지되기 때문에 바리스터의 온도는 계속 상승하여 파손(즉, 방폭)된다.However, in the conventional varistor module, when the input terminal and the output terminal are connected to each other, the varistor module has a problem in that an explosion is generated as it is transmitted to the varistor as it is input from the outside through the output terminal. That is, the conventional varistor module is supplied with the current through the output terminal to the PTC through the varistor. At this time, even if the varistor is overheated and the resistance value of PTC rises, the current supplied to the varistor is maintained as it is, so that the temperature of the varistor continues to rise (ie, explosion).
또한, 종래의 바리스터 모듈이 자동차용으로 사용되는 경우 자동차의 로드 덤프(Load Dupm), 급속 재시동(Jump start) 등에 의해 발생하는 도립전류(즉, 과전류)를 차단하지 못하여 바리스터가 파손되는 문제점이 있다.In addition, when the conventional varistor module is used for a vehicle, there is a problem in that the varistor is broken because the inverted current (that is, overcurrent) generated by a load dump, a quick start, etc. of the vehicle cannot be blocked. .
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 감안하여 제안된 것으로서, 그 목적은 바리스터 모듈의 입력단자 및 출력단자의 연결 방향에 관계없이 항상 보호소자를 바리스터 소체의 전단에 위치하도록 하는 바리스터 모듈을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed in view of the above-described conventional problems, and an object thereof is to provide a varistor module which always keeps a protection element at the front end of a varistor element regardless of the connection direction of an input terminal and an output terminal of the varistor module. .
또한, 본 발명의 다른 목적은, 입력단자 및 출력단자의 연결 방향에 관계없이 보호소자를 바리스터 소체의 전단에 위치하도록 하여 도립전류(즉, 과전류)에 의한 바리스터 소체의 파손을 방지하도록 하는 바리스터 모듈을 제공함에 있다.In addition, another object of the present invention, the varistor module for preventing the damage of the varistor element by the inverted current (that is, overcurrent) by placing the protection element in front of the varistor element irrespective of the connection direction of the input terminal and the output terminal. In providing.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 바리스터 모듈은, 입력단자 및 출력단자로 동작하는 단자부; 단자부의 상부에 적층되는 바리스터부; 바리스터부의 상부면에 적층되는 전극부; 및 전극부의 상부에 적층되는 소자 보호부를 포함한다.In order to achieve the above object, a varistor module according to an embodiment of the present invention includes a terminal unit which operates as an input terminal and an output terminal; A varistor part stacked on top of the terminal part; An electrode unit stacked on an upper surface of the varistor unit; And an element protection unit stacked on the electrode unit.
단자부는 상호 이격되어 입력단자 및 출력단자로 동작하는 한 쌍의 단자 패턴을 포함한다.The terminal portion includes a pair of terminal patterns spaced apart from each other to operate as an input terminal and an output terminal.
전극부는 바리스터부의 상면에 상호 이격되어 적층되는 한 쌍의 전극 패턴을 포함한다.The electrode unit includes a pair of electrode patterns stacked on the upper surface of the varistor unit and spaced apart from each other.
소자 보호부는 PTC 서미스터로 형성된다.
The element protection part is formed of a PTC thermistor.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 바리스터 모듈은, 입력단자와 출력단자 및 접지단자 중에 적어도 하나로 동작하는 제1단자부; 제1단자부의 상부에 적층되는 제1바리스터부; 제1바리스터부의 상부에 적층되는 제1전극부; 제1전극부의 상부에 적층되는 소자 보호부; 소자 보호부의 상부에 적층되는 제2전극부; 제2전극부의 상부에 적층되는 제2바리스터부; 및 제2바리스터부의 상부에 적층되어 입력단자 및 출력단자 중에 적어도 하나로 동작하는 제2단자부를 포함한다.In order to achieve the above object, a varistor module according to another embodiment of the present invention includes a first terminal unit which operates at least one of an input terminal, an output terminal, and a ground terminal; A first varistor unit stacked on the first terminal unit; A first electrode part stacked on the first varistor part; An element protection unit stacked on the first electrode unit; A second electrode part stacked on the device protection part; A second varistor unit stacked on the second electrode unit; And a second terminal part stacked on the second varistor part and operating as at least one of an input terminal and an output terminal.
제1단자부는, 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 제1단자 패턴; 및 제1단자 패턴과 이격되어 형성되어 접지단자로 동작하는 제2단자 패턴을 포함한다.The first terminal unit may include a first terminal pattern operating as an input terminal or an output terminal; And a second terminal pattern formed to be spaced apart from the first terminal pattern to operate as the ground terminal.
제1전극부는 상호 이격되어 적층되는 한 쌍의 전극 패턴을 포함한다.The first electrode part includes a pair of electrode patterns stacked apart from each other.
제2전극부는 상호 이격되어 적층되는 한 쌍의 전극 패턴을 포함한다.The second electrode part includes a pair of electrode patterns stacked apart from each other.
제2단자부는 상호 이격되어 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 한 쌍의 단자 패턴을 포함한다.
The second terminal unit includes a pair of terminal patterns spaced apart from each other to operate as input terminals or output terminals.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 바리스터 모듈은, 입력단자 및 출력단자 중에 적어도 하나로 동작하는 제1단자부; 제1단자부의 상부에 적층되는 제1소자 보호부; 제1소자 보호부의 상부에 적층되는 제1전극부; 제1전극부의 상부에 적층되는 바리스터부; 바리스터부의 상부에 적층되는 제2전극부; 제2전극부의 상부에 적층되는 제2소자 보호부; 및 제2소자 보호부의 상부에 적층되어 입력단자 및 출력단자 중에 적어도 하나로 동작하는 제2단자부를 포함한다.In order to achieve the above object, a varistor module according to another embodiment of the present invention includes a first terminal unit which operates at least one of an input terminal and an output terminal; A first device protection part stacked on the first terminal part; A first electrode part stacked on the first device protection part; A varistor unit stacked on the first electrode unit; A second electrode part stacked on the varistor part; A second device protection part stacked on the second electrode part; And a second terminal unit stacked on the second element protection unit and operating at least one of an input terminal and an output terminal.
제1단자부는 상호 이격되어 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 한 쌍의 단자 패턴을 포함한다.The first terminal unit includes a pair of terminal patterns spaced apart from each other to operate as an input terminal or an output terminal.
제1소자 보호부는 PCT 서미스터 또는 NTC 서미스터로 구성된다.The first device protection unit is composed of a PCT thermistor or an NTC thermistor.
제2단자부는 상호 이격되어 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 한 쌍의 단자 패턴을 포함한다.The second terminal unit includes a pair of terminal patterns spaced apart from each other to operate as input terminals or output terminals.
본 발명에 따른 바리스터 모듈은 단자부, 바리스터부, 전극부, 소자 보호부를 적층하여 형성함으로써, 입력단자와 출력단자의 위치와 관계없이 바리스터의 전단에 소자 보호부가 위치하게 되어 방향성이 없는 바리스터 모듈의 구현이 가능한 효과가 있다.The varistor module according to the present invention is formed by stacking a terminal part, a varistor part, an electrode part, and an element protection part so that the element protection part is positioned at the front end of the varistor regardless of the position of the input terminal and the output terminal, thereby realizing a varistor module having no directivity. This has a possible effect.
또한, 바리스터 모듈은 입력단자와 출력단자의 위치와 관계없이 바리스터 소체의 전단에 소자 보호부가 위치함으로써, 바리스터 모듈의 온도가 상승하면 바리스터 소체로의 전류 공급을 감소시켜 바리스터 모듈의 과열로 인한 파손(즉, 방폭)을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, since the varistor module has an element protection part located at the front end of the varistor element regardless of the positions of the input terminal and the output terminal, when the temperature of the varistor module rises, the varistor module reduces the current supply to the varistor element and causes damage due to overheating of the varistor module ( That is, there is an effect that can prevent explosion).
또한, 바리스터 모듈은 바리스터의 상부에 PTC를 배치하고 하부에 NTC를 적층하여 형성됨으로써, 도립전류 및 노이즈성 서지 전류 등의 과전류에 의한 바리스터 모듈의 파손을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, the varistor module is formed by arranging PTC on the upper part of the varistor and laminating NTC on the lower part, thereby preventing damage to the varistor module due to overcurrent such as an inverted current and a noise surge current.
도 1 및 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 바리스터 모듈을 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 바리스터 모듈의 등가 회로를 설명하기 위한 도면.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 바리스터 모듈의 적용예를 설명하기 위한 도면.
도 5 및 도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 바리스터 모듈을 설명하기 위한 도면.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 바리스터 모듈의 등가 회로를 설명하기 위한 도면.
도 8 및 도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 바리스터 모듈을 설명하기 위한 도면.
도 10은 본 발명의 제3실시예에 따른 바리스터 모듈의 등가 회로를 설명하기 위한 도면.
도 11은 본 발명의 제3실시예에 따른 바리스터 모듈의 적용예를 설명하기 위한 도면.
도 12 및 도 13은 본 발명의 제4실시예에 따른 바리스터 모듈을 설명하기 위한 도면.
도 14는 본 발명의 제4실시예에 따른 바리스터 모듈의 등가 회로를 설명하기 위한 도면.
도 15는 본 발명의 제3실시예에 따른 바리스터 모듈의 적용예를 설명하기 위한 도면.1 and 2 are views for explaining a varistor module according to a first embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining an equivalent circuit of the varistor module according to the first embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining an application example of the varistor module according to the first embodiment of the present invention.
5 and 6 are views for explaining the varistor module according to a second embodiment of the present invention.
7 is a view for explaining an equivalent circuit of the varistor module according to a second embodiment of the present invention.
8 and 9 are views for explaining the varistor module according to a third embodiment of the present invention.
10 is a view for explaining an equivalent circuit of the varistor module according to a third embodiment of the present invention.
11 is a view for explaining an application example of the varistor module according to a third embodiment of the present invention.
12 and 13 are views for explaining the varistor module according to a fourth embodiment of the present invention.
14 is a view for explaining an equivalent circuit of the varistor module according to a fourth embodiment of the present invention.
15 is a view for explaining an application example of the varistor module according to a third embodiment of the present invention.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명의 실시형태는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to facilitate a person skilled in the art to easily carry out the technical idea of the present invention. . In the drawings, the same reference numerals are used to designate the same or similar components throughout the drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity.
(제1실시예)(Embodiment 1)
이하에서는, 본 발명의 제1실시예에 따른 바리스터 모듈을 첨부된 도면을 참조하여 자세하게 설명하면 아래와 같다. 도 1 및 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 바리스터 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 바리스터 모듈의 등가 회로를 설명하기 위한 도면이고, 도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 바리스터 모듈의 적용예를 설명하기 위한 도면이다.
Hereinafter, the varistor module according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 and 2 are diagrams for explaining a varistor module according to a first embodiment of the present invention. 3 is a view for explaining an equivalent circuit of the varistor module according to the first embodiment of the present invention, Figure 4 is a view for explaining an application example of the varistor module according to the first embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 바리스터 모듈(100)은 단자부(110), 바리스터부(120), 전극부(130), 소자 보호부(140)를 포함하여 구성된다. 이때, 도 2에 도시된 바와 같이, 바리스터 모듈(100)은 최하단에 단자부(110)가 위치하며, 단자부(110)의 상면에 바리스터부(120), 전극부(130), 소자 보호부(140)가 순차적으로 적층되어 형성된다.As shown in FIG. 1, the
단자부(110)는 바리스터 모듈(100)의 입력단자 및 출력단자로 동작한다. 즉, 단자부(110)는 후술할 바리스터부(120)의 입력단자 및 출력단자로 동작한다. 이를 위해, 단자부(110)는 상호 이격되어 입력단자 및 출력단자로 동작하는 한 쌍의 단자 패턴을 포함한다. 즉, 단자부(110)는 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 제1단자 패턴(110a)과, 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 제2단자 패턴(110b)을 포함하여 구성된다. 예를 들어, 제1단자 패턴(110a)이 입력단자로 동작하면 제2단자 패턴(110b)은 출력단자로 동작한다. 물론, 제1단자 패턴(110a)은 출력단자로 동작하고, 제2단자 패턴(110b)이 입력단자로 동작할 수도 있다.The terminal unit 110 operates as an input terminal and an output terminal of the
바리스터부(120)는 단자부(110)의 상부에 적층된다. 즉, 바리스터부(120)는 바리스터 소체로 구성되어 한 쌍의 단자 패턴의 상부면에 적층된다.The
전극부(130)는 바리스터부(120)의 상부면에 적층된다. 이때, 전극부(130)는 바리스터부(120)의 상면에 상호 이격되어 적층되는 한 쌍의 전극 패턴(130a, 130b)을 포함한다.The electrode unit 130 is stacked on the upper surface of the
소자 보호부(140)는 전극부(130)의 상부에 적층된다. 이때, 소자 보호부(140)는 과열로 인한 바리스터 소체의 파손을 방지하기 위해서 온도가 상승하면 저항값이 올라가는 PTC( Positive Temperature Ccefficient) 서미스터 소체(이하, PTC)로 이루어진다.
The
도 3에 도시된 바와 같이, 바리스터 모듈(100)은 최하단에 한 쌍의 단자 패턴(110a, 110b)으로 구성되는 단자부(110)가 위치한다. 이때, 한 쌍의 단자 패턴(110a, 110b)은 입력단자 또는 출력단자로 동작한다.As shown in FIG. 3, the
바리스터 모듈(100)은 단자부(110)의 상면에 바리스터부(120), 전극부(130), 소자 보호부(140)가 순차적으로 적층되어 형성된다. 이때, 소자 보호부(140)는 PTC로 이루어지며 전극부(130)의 상부에 적층됨으로써 등가 회로 상 입력단자와 출력단자의 위치와 관계없이 바리스터부(120)의 전단에 위치하게 된다. 그에 따라, 방향성이 없는 바리스터 모듈(100)의 구현이 가능해진다.The
소자 보호부(140)는 바리스터부(120)의 온도가 상승하게 되면 저항값이 상승한다. 소자 보호부(140)의 저항값이 상승하면 바리스터부(120)로 전달되는 전류량이 감소하여 바리스터부(120)에서의 열 발생 요인을 차단하게 된다. 따라서, 소자 보호부(140)는 바리스터부(120)의 부하를 줄여서 발화 가능성을 없애준다.When the temperature of the
이러한, 본 발명의 제1실시예에 따른 바리스터 모듈(100)은 SMD(Surface Mount Device) 바리스터 모듈(100)로, 도 3에 도시된 바와 같이, 자동차 전장품 자동검사기(ETACS UNIT)의 입력회로(더욱 상세하게는, 마이컴 전단)에 배치된다.
The
상술한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 바리스터 모듈(100)은 최하단에 단자부(110)가 위치하며, 단자부(110)의 상면에 바리스터부(120), 전극부(130), 소자 보호부(140)를 순차적으로 적층하여 형성함으로써, 입력단자와 출력단자의 위치와 관계없이 바리스터의 전단에 소자 보호부(140)가 위치하게 되어 방향성이 없는 바리스터 모듈(100)의 구현이 가능한 효과가 있다.As described above, in the
이와 함께, 본 발명의 제1실시예에 따른 바리스터 모듈(100)은 입력단자와 출력단자의 위치와 관계없이 바리스터 소체의 전단에 소자 보호부(140)가 위치함으로써, 바리스터 모듈(100)의 온도가 상승하면 바리스터 소체로의 전류 공급을 감소시켜 바리스터 모듈(100)의 과열로 인한 파손(즉, 방폭)을 방지하고, 과전류가 바리스터 모듈로 전달되어 모듈이 파손되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
In addition, in the
(제2실시예)(Second Embodiment)
이하에서는, 본 발명의 제2실시예에 따른 바리스터 모듈을 첨부된 도면을 참조하여 자세하게 설명하면 아래와 같다. 도 5 및 도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 바리스터 모듈을 설명하기 위한 도면이고, 도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 바리스터 모듈의 등가 회로를 설명하기 위한 도면이다.
Hereinafter, the varistor module according to the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 5 and 6 are views for explaining a varistor module according to a second embodiment of the present invention, Figure 7 is a view for explaining an equivalent circuit of the varistor module according to a second embodiment of the present invention.
도 5에 도시된 바와 같이, 바리스터 모듈(200)은 제1단자부(210), 제1바리스터부(220), 제1전극부(230), 소자 보호부(240), 제2전극부(250), 제2바리스터부(260), 제2단자부(270)를 포함하여 구성된다. 이때, 도 6에 도시된 바와 같이, 바리스터 모듈(200)은 최하단부에 제1단자부(210)가 배치되고, 제1바리스터부(220), 제1전극부(230), 소자 보호부(240), 제2전극부(250), 제2바리스터부(260), 제2단자부(270)가 순차적으로 적층되어 형성된다.As shown in FIG. 5, the
제1단자부(210)는 입력단자와 출력단자 및 접지단자 중에 적어도 하나로 동작한다. 제1단자부(210)는 후술할 제1바리스터부(220) 및 제2바리스터부(260)의 입력단자 및 출력단자 중에 하나와, 접지단자로 동작한다. 이를 위해, 제1단자부(210)는 상호 이격되어 형성되는 한 쌍의 단자 패턴(210a, 210b)으로 구성된다. 즉, 제1단자부(210)는 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 제1단자 패턴(210a)과, 제1단자 패턴(210a)과 이격되어 형성되어 접지단자로 동작하는 제2단자 패턴(210b)을 포함하여 구성된다. 물론, 제1단자부(210)는 접지단자로 동작하는 제1단자 패턴(210a)과, 제1단자 패턴(210a)과 이격되어 형성되어 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 제2단자 패턴(210b)을 포함하여 구성될 수도 있다.The first terminal unit 210 operates at least one of an input terminal, an output terminal, and a ground terminal. The first terminal unit 210 operates as one of an input terminal and an output terminal of the
제1바리스터부(220)는 바리스터 소체로 구성되어 제1단자부(210)의 상부에 적층된다.The
제1전극부(230)는 제1바리스터부(220)의 상부에 적층된다. 이때, 제1전극부(230)는 제1바리스터부(220)의 상면에 상호 이격되어 적층되는 한 쌍의 전극 패턴(230a, 230b)을 포함한다.The first electrode unit 230 is stacked on the
소자 보호부(240)는 제1전극부(230)의 상부에 적층된다. 이때, 소자 보호부(240)는 과열로 인한 제1바리스터부(220) 및 후술할 제2바리스터부(260)의 파손을 방지하기 위해서 온도가 상승하면 저항값이 올라가는 PTC로 이루어진다.The
제2전극부(250)는 소자 보호부(240)의 상부에 적층된다. 이때, 제2전극부(250)는 소자 보호부(240)의 상면에 상호 이격되어 적층되는 한 쌍의 전극 패턴(250a, 250b)을 포함한다.The second electrode part 250 is stacked on the
제2바리스터부(260)는 바리스터 소체로 구성되어 제2전극부(250)의 상부에 적층된다. The
제2단자부(270)는 제2바리스터부(260)의 상부에 적층되어 입력단자 및 출력단자 중에 적어도 하나로 동작한다. 제2단자부(270)는 상호 이격되어 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 한 쌍의 단자 패턴(270a, 270b)을 포함한다. 즉, 제2단자부(270)는 상술할 제1바리스터부(220) 및 제2바리스터부(260)의 입력단자 및 출력단자로 동작한다. 이를 위해, 제2단자부(270)는 상호 이격되어 형성되는 한 쌍의 단자 패턴(270a, 270b)으로 구성된다. 즉, 제2단자부(270)는 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 제3단자 패턴(270a)과, 제3단자 패턴(270a)과 이격되어 형성되어 입력단자로 동작하는 제4단자 패턴(270b)을 포함하여 구성된다. 물론, 제2단자부(270)는 제3단자 패턴(270a)이 입력단자로 동작하고, 제4단자 패턴(270b)이 출력단자로 동작할 수도 있다. 제2단자부(270)는 제3단자 패턴(270a) 및 제4단자 패턴(270b)이 모두 입력단자로 동작하거나, 출력단자로 동작할 수도 있다.The second terminal unit 270 is stacked on the
이러한, 본 발명의 제2실시예에 따른 바리스터 모듈(200)은 SMD(Surface Mount Device) 바리스터로, 도 7에 도시된 바와 같이, AC/DC 단상 회로(도 7의 (a)) 또는 AC/DC 3상 회로(도 7의 (b))로 구성되는 AC/DC 변환회로에 교류라인의 보호를 위해 보호 대상 장치의 전단에 배치된다.
The
상술한 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 바리스터 모듈(200)은 최하단부에 제1단자부(210)가 배치되고, 제1바리스터부(220), 제1전극부(230), 소자 보호부(240), 제2전극부(250), 제2바리스터부(260), 제2단자부(270)가 순차적으로 적층하여 형성함으로써, 입력단자와 출력단자의 위치와 관계없이 바리스터의 전단에 소자 보호부(240)가 위치하게 되어 방향성이 없는 바리스터 모듈(200)의 구현이 가능한 효과가 있다.As described above, in the
이와 함께, 본 발명의 제2실시예에 따른 바리스터 모듈(200)은 입력단자와 출력단자의 위치와 관계없이 바리스터 소체의 전단에 소자 보호부(240)가 위치함으로써, 바리스터 모듈(200)의 온도가 상승하면 바리스터 소체로의 전류 공급을 감소시켜 바리스터 모듈(200)의 과열로 인한 파손(즉, 방폭)을 방지하고, 과전류가 바리스터 모듈(200)로 전달되어 모듈이 파손되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
In addition, in the
(제3실시예)(Third Embodiment)
이하에서는, 본 발명의 제3실시예에 따른 바리스터 모듈을 첨부된 도면을 참조하여 자세하게 설명하면 아래와 같다. 도 8 및 도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 바리스터 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 도 10은 본 발명의 제3실시예에 따른 바리스터 모듈의 등가 회로를 설명하기 위한 도면이고, 도 11은 본 발명의 제3실시예에 따른 바리스터 모듈의 적용예를 설명하기 위한 도면이다.
Hereinafter, a varistor module according to a third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 8 and 9 illustrate a varistor module according to a third embodiment of the present invention. 10 is a view for explaining an equivalent circuit of the varistor module according to a third embodiment of the present invention, Figure 11 is a view for explaining an application example of the varistor module according to a third embodiment of the present invention.
도 8에 도시된 바와 같이, 바리스터 모듈(300)은 제1단자부(310), 제1소자 보호부(320), 제1전극부(330), 바리스터부(340), 제2전극부(350), 제2소자 보호부(360), 제2단자부(370)를 포함하여 구성된다. 이때, 도 9에 도시된 바와 같이, 바리스터 모듈(300)은 최하단부에 제1단자부(310)가 배치되고, 제1소자 보호부(320), 제1전극부(330), 바리스터부(340), 제2전극부(350), 제2소자 보호부(360), 제2단자부(370)가 순차적으로 적층되어 형성된다.As shown in FIG. 8, the
제1단자부(310)는 입력단자 및 출력단자 중에 적어도 하나로 동작한다. 즉, 제1단자부(310)는 후술할 바리스터부(340)의 입력단자 및 출력단자로 동작한다. 이를 위해, 제1단자부(310)는 상호 이격되어 입력단자 및 출력단자로 동작하는 한 쌍의 단자 패턴(310a, 310b)을 포함한다. 즉, 제1단자부(310)는 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 제1단자 패턴(310a)과, 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 제2단자 패턴(310b)을 포함하여 구성된다. 예를 들어, 제1단자 패턴(310a)이 입력단자로 동작하면 제2단자 패턴(310b)은 출력단자로 동작한다. 물론, 제1단자 패턴(310a)은 출력단자로 동작하고, 제2단자 패턴(310b)이 입력단자로 동작할 수도 있다. 제1단자부(310)는 제1단자 패턴(310a) 및 제2단자 패턴(310b)이 모두 입력단자로 동작하거나, 출력단자로 동작할 수도 있다.The first terminal unit 310 operates at least one of an input terminal and an output terminal. That is, the first terminal unit 310 operates as an input terminal and an output terminal of the
제1소자 보호부(320)는 제1단자부(310)의 상부에 적층된다. 이때, 제1소자 보호부(320)는 과열로 인한 바리스터 소체의 파손을 방지하기 위해서 온도가 상승하면 저항값이 올라가는 PTC로 이루어진다.The first
제1전극부(330)는 제1소자 보호부(320)의 상부에 적층된다. 이때, 제1전극부(330)는 하나의 전극 패턴으로 구성되어 제1소자 보호부(320)의 상부에 적층된다.The
바리스터부(340)는 제1전극부(330)의 상부에 적층된다. 즉 바리스터부(340)는 바리스터 소체로 구성되어 제1전극부(330)의 전극 패턴 상부면에 적층된다.The
제2전극부(350)는 바리스터부(340)의 상부에 적층된다. 이때, 제2전극부(350)는 하나의 전극 패턴으로 구성되어 바리스터부(340)의 상부에 적층된다.The
제2소자 보호부(360)는 제2전극부(350)의 상부에 적층된다. 이때, 제2소자 보호부(360)는 과열로 인한 바리스터 소체의 파손을 방지하기 위해서 온도가 상승하면 저항값이 올라가는 PTC로 이루어진다.The second
제2단자부(370)는 제2소자 보호부(360)의 상부에 적층되어 입력단자 및 출력단자 중에 적어도 하나로 동작한다. 즉, 제1단자부(310)는 상술한 바리스터부(340)의 입력단자 및 출력단자로 동작한다. 이를 위해, 제2단자부(370)는 상호 이격되어 입력단자 및 출력단자로 동작하는 한 쌍의 단자 패턴(370a, 370b)을 포함한다. 즉, 제2단자부(370)는 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 제3단자 패턴(370a)과, 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 제4단자 패턴(370b)을 포함하여 구성된다. 예를 들어, 제3단자 패턴(370a)이 입력단자로 동작하면 제4단자 패턴(370b)은 출력단자로 동작한다. 물론, 제3단자 패턴(370a)은 출력단자로 동작하고, 제4단자 패턴(370b)이 입력단자로 동작할 수도 있다. 제2단자부(370)는 제3단자 패턴(370a) 및 제4단자 패턴(370b)이 모두 입력단자로 동작하거나, 출력단자로 동작할 수도 있다.
The second terminal unit 370 is stacked on the second
도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 바리스터 모듈(300)의 등가 회로를 살펴보면, 중심에 바리스터부(340)가 배치되고, 바리스터부(340)의 양측 단자에 제1소자 보호부(320) 및 제2소자 보호부(360)가 각각 연결된다. 이때, 제1소자 보호부(320)는 제1단자 패턴(310a) 및 제2단자패턴(310b)과 연결된다. 제2소자 보호부(360)는 제3단자 패턴(370c) 및 제4단자 패턴(370b)과 연결된다. 이때, 제1소자 보호부(320) 및 제2소자 보호부(360)는 PTC로 이루어지며 등가 회로 상 입력단자와 출력단자의 위치와 관계없이 바리스터부(340)의 전단에 위치하게 된다. 그에 따라, 방향성이 없는 바리스터 모듈(300)의 구현이 가능해진다.As shown in FIG. 10, referring to an equivalent circuit of the
또한, 제1소자 보호부(320)는 바리스터부(340)의 온도가 상승하게 되면 저항값이 상승한다. 제1소자 보호부(320)의 저항값이 상승하면 제1단자부(310)로부터 바리스터부(340)로 전달되는 전류량이 감소시켜 바리스터부(340)에서의 열 발생 요인을 차단하게 된다. 제2소자 보호부(360)의 저항값이 상승하면 제2단자부(370)로부터 바리스터부(340)로 전달되는 전류량이 감소시켜 바리스터부(340)에서의 열 발생 요인을 차단하게 된다. 따라서, 제1소자 보호부(320) 및 제2소자 보호부(360)는 바리스터부(340)의 부하를 줄여서 발화 가능성을 없애준다.In addition, when the temperature of the
이러한, 본 발명의 제3실시예에 따른 바리스터 모듈(300)은 리드 형 바리스터 모듈(300)로, 도 11에 도시된 바와 같이, 자동차에 내장되는 회로에 사용된다.
The
상술한 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 바리스터 모듈(300)은 바리스터부(340)의 상부면 및 하부면 소자 보호부를 형성함으로써, 입력단자와 출력단자의 위치와 관계없이 바리스터의 전단에 소자 보호부가 위치하게 되어 방향성이 없는 바리스터 모듈(300)의 구현이 가능한 효과가 있다.As described above, the
또한, 바리스터 모듈(300)은 입력단자와 출력단자의 위치와 관계없이 바리스터 소체의 전단에 소자 보호부가 위치함으로써, 바리스터 모듈(300)의 온도가 상승하면 바리스터 소체로의 전류 공급을 감소시켜 바리스터 모듈(300)의 과열로 인한 파손(즉, 방폭)을 방지하고, 과전류가 바리스터 모듈(300)로 전달되어 모듈이 파손되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
In addition, the
(제4실시예)(Fourth Embodiment)
이하에서는, 본 발명의 제4실시예에 따른 바리스터 모듈을 첨부된 도면을 참조하여 자세하게 설명하면 아래와 같다. 도 12 및 도 13은 본 발명의 제4실시예에 따른 바리스터 모듈을 설명하기 위한 도면이다. 도 14는 본 발명의 제4실시예에 따른 바리스터 모듈의 등가 회로를 설명하기 위한 도면이고, 도 15는 본 발명의 제3실시예에 따른 바리스터 모듈의 적용예를 설명하기 위한 도면이다.
Hereinafter, a varistor module according to a fourth embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 12 and 13 illustrate a varistor module according to a fourth embodiment of the present invention. 14 is a view for explaining an equivalent circuit of the varistor module according to a fourth embodiment of the present invention, Figure 15 is a view for explaining an application example of the varistor module according to a third embodiment of the present invention.
도 12에 도시된 바와 같이, 바리스터 모듈은 제1단자부, 제1소자 보호부, 제1전극부, 바리스터부, 제2전극부, 제2소자 보호부, 제2단자부를 포함하여 구성된다. 이때, 도 13에 도시된 바와 같이, 바리스터 모듈은 최하단부에 제1단자부가 배치되고, 제1소자 보호부, 제1전극부, 바리스터부, 제2전극부, 제2소자 보호부, 제2단자부가 순차적으로 적층되어 형성된다.As shown in FIG. 12, the varistor module includes a first terminal part, a first device protection part, a first electrode part, a varistor part, a second electrode part, a second device protection part, and a second terminal part. In this case, as shown in FIG. 13, the varistor module includes a first terminal portion disposed at a lowermost end thereof, and includes a first device protection unit, a first electrode unit, a varistor unit, a second electrode unit, a second device protection unit, and a second terminal unit. Are sequentially stacked and formed.
제1단자부(410)는 입력단자 및 출력단자 중에 적어도 하나로 동작한다. 즉, 제1단자부(410)는 후술할 바리스터부(440)의 입력단자 및 출력단자로 동작한다. 이를 위해, 제1단자부(410)는 상호 이격되어 입력단자 및 출력단자로 동작하는 한 쌍의 단자 패턴(410a, 310b)을 포함한다. 즉, 제1단자부(410)는 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 제1단자 패턴(410a)과, 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 제2단자 패턴(410b)을 포함하여 구성된다. 예를 들어, 제1단자 패턴(410a)이 입력단자로 동작하면 제2단자 패턴(410b)은 출력단자로 동작한다. 물론, 제1단자 패턴(410a)은 출력단자로 동작하고, 제2단자 패턴(410b)이 입력단자로 동작할 수도 있다. 제1단자부(410)는 제1단자 패턴(410a) 및 제2단자 패턴(410b)이 모두 입력단자로 동작하거나, 출력단자로 동작할 수도 있다.The first terminal unit 410 operates at least one of an input terminal and an output terminal. That is, the first terminal unit 410 operates as an input terminal and an output terminal of the
제1소자 보호부(420)는 제1단자부(410)의 상부에 적층된다. 이때, 제1소자 보호부(420)는 과전류로 인한 바리스터 소체의 파손을 방지하기 위해서 온도가 상승하면 저항값이 감소하는 NTC로 이루어진다. 여기서, 본 발명의 제4실시예에 따른 바리스터 모듈은 제1소자 보호부가 NTC(Thermal Sensitive Resistor) 소체(이하, NTC)로 이루어지는 것이 제3실시예에 따른 바리스터 모듈(300)과의 차이점이다. 즉, 제1소자 보호부(420)는 바리스터부(440)의 온도가 상승하게 되면 저항값이 감소한다. 제1소자 보호부(420)의 저항값이 감소하면 제1단자부(410)에서 바리스터부(440)로 전달되는 전류량이 감소된다. 따라서, 자동차의 로드 덤프(Load Dupm), 급속 재시동(Jump start) 등에 의해 발생하는 과전류(즉, 도립전류, 노이즈성 서지(Serge) 전류 등)를 감소시켜 바리스터 모듈(400)의 파손을 방지할 수 있다.The first
제1전극부(430)는 제1소자 보호부(420)의 상부에 적층된다. 이때, 제1전극부(430)는 하나의 전극 패턴으로 구성되어 제1소자 보호부(420)의 상부에 적층된다.The
바리스터부(440)는 제1전극부(430)의 상부에 적층된다. 즉 바리스터부(440)는 바리스터 소체로 구성되어 제1전극부(430)의 전극 패턴 상부면에 적층된다.The
제2전극부(450)는 바리스터부(440)의 상부에 적층된다. 이때, 제2전극부(450)는 하나의 전극 패턴으로 구성되어 바리스터부(440)의 상부에 적층된다.The
제2소자 보호부(460)는 제2전극부(450)의 상부에 적층된다. 이때, 제2소자 보호부(460)는 과열로 인한 바리스터 소체의 파손을 방지하기 위해서 온도가 상승하면 저항값이 올라가는 PTC로 이루어진다.The second
제2단자부(470)는 제2소자 보호부(460)의 상부에 적층되어 입력단자 및 출력단자 중에 적어도 하나로 동작한다. 즉, 제1단자부(410)는 상술한 바리스터부(440)의 입력단자 및 출력단자로 동작한다. 이를 위해, 제2단자부(470)는 상호 이격되어 입력단자 및 출력단자로 동작하는 한 쌍의 단자 패턴(470a, 370b)을 포함한다. 즉, 제2단자부(470)는 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 제3단자 패턴(470a)과, 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 제4단자 패턴(470b)을 포함하여 구성된다. 예를 들어, 제3단자 패턴(470a)이 입력단자로 동작하면 제4단자 패턴(470b)은 출력단자로 동작한다. 물론, 제3단자 패턴(470a)은 출력단자로 동작하고, 제4단자 패턴(470b)이 입력단자로 동작할 수도 있다. 제2단자부(470)는 제3단자 패턴(470a) 및 제4단자 패턴(470b)이 모두 입력단자로 동작하거나, 출력단자로 동작할 수도 있다.The second
도 14에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제4실시예에 따른 바리스터 모듈(400)의 등가 회로를 살펴보면, 중심에 바리스터부(440)가 배치되고, 바리스터부(440)의 양측 단자에 제1소자 보호부(420) 및 제2소자 보호부(460)가 각각 연결된다. 이때, 제1소자 보호부(420)는 제1단자 패턴(410a) 및 제2단자패턴(410b)과 연결된다. 제2소자 보호부(460)는 제3단자 패턴(470c) 및 제4단자 패턴(470b)과 연결된다. 이때, 제1소자 보호부(420)는 NTC로 이루어지고 제2소자 보호부(460)는 PTC로 이루어진다. 이때, 제1소자 보호부(420)는 바리스터부(440)의 온도가 상승하게 되면 저항값이 감소한다. 제1소자 보호부(420)의 저항값이 감소하면 제1단자부(410)로부터 바리스터부(440)로 전달되는 과전류를 감소시킨다. 따라서, 제1소자 보호부(420)는 바리스터부(440)로 과전류가 흐르는 것을 방지하여 과전류에 의한 바리스터 모듈(400)의 파손을 방지한다.As shown in FIG. 14, referring to an equivalent circuit of the
이러한, 본 발명의 제4실시예에 따른 바리스터 모듈(400)은 리드 형 바리스터 모듈(400)로, 도 15에 도시된 바와 같이, 자동차에 내장되는 회로에 사용된다.
Such a
이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대해 설명하였으나, 다양한 형태로 변형이 가능하며, 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진자라면 본 발명의 특허청구범위를 벗어남이 없이 다양한 변형예 및 수정예를 실시할 수 있을 것으로 이해된다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but many variations and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. It will be understood that the invention may be practiced.
100, 200, 300, 400: 바리스터 모듈
110: 단자부 120: 바리스터부
130: 전극부 140: 소자 보호부
210: 제1단자부 220: 제1바리스터부
230: 제1전극부 240: 소자 보호부
250: 제2전극부 260: 제2바리스터부
270: 제2단자부 310, 410: 제1단자부
320, 420: 제1소자 보호부 330, 430: 제1전극부
340, 440: 바리스터부 350, 450: 제2전극부
360, 460: 제2소자 보호부 370, 470: 제2단자부100, 200, 300, 400: varistor module
110: terminal portion 120: varistor portion
130: electrode portion 140: element protection portion
210: first terminal portion 220: first varistor portion
230: first electrode portion 240: element protection unit
250: second electrode portion 260: second varistor portion
270: second terminal portion 310, 410: first terminal portion
320, 420: first
340 and 440:
360, 460: second element protection part 370, 470: second terminal part
Claims (13)
상기 단자부의 상부에 적층되는 바리스터부;
상기 바리스터부의 상부면에 적층되는 전극부; 및
상기 전극부의 상부에 적층되는 소자 보호부를 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터 모듈.A terminal unit operating as an input terminal and an output terminal;
A varistor part stacked on the terminal part;
An electrode part stacked on an upper surface of the varistor part; And
Varistor module comprising a device protection unit stacked on the electrode portion.
상기 단자부는 상호 이격되어 입력단자 및 출력단자로 동작하는 한 쌍의 단자 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터 모듈.The method according to claim 1,
The terminal unit includes a pair of terminal patterns spaced apart from each other to operate as an input terminal and an output terminal.
상기 전극부는 상기 바리스터부의 상면에 상호 이격되어 적층되는 한 쌍의 전극 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터 모듈.The method according to claim 1,
And the electrode part comprises a pair of electrode patterns stacked on the upper surface of the varistor part and spaced apart from each other.
상기 소자 보호부는 PTC 서미스터로 형성되는 것을 특징으로 하는 바리스터 모듈.The method according to claim 1,
And the device protection unit is formed of a PTC thermistor.
상기 제1단자부의 상부에 적층되는 제1바리스터부;
상기 제1바리스터부의 상부에 적층되는 제1전극부;
상기 제1전극부의 상부에 적층되는 소자 보호부;
상기 소자 보호부의 상부에 적층되는 제2전극부;
상기 제2전극부의 상부에 적층되는 제2바리스터부; 및
상기 제2바리스터부의 상부에 적층되어 입력단자 및 출력단자 중에 적어도 하나로 동작하는 제2단자부를 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터 모듈.A first terminal unit operating at least one of an input terminal, an output terminal, and a ground terminal;
A first varistor unit stacked on the first terminal unit;
A first electrode part stacked on the first varistor part;
An element protection unit stacked on the first electrode unit;
A second electrode part stacked on the device protection part;
A second varistor unit stacked on the second electrode unit; And
And a second terminal unit stacked on the second varistor unit and operating as at least one of an input terminal and an output terminal.
상기 제1단자부는,
입력단자 또는 출력단자로 동작하는 제1단자 패턴; 및
상기 제1단자 패턴과 이격되어 형성되어 접지단자로 동작하는 제2단자 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터 모듈.The method according to claim 5,
The first terminal portion,
A first terminal pattern operating as an input terminal or an output terminal; And
And a second terminal pattern formed to be spaced apart from the first terminal pattern to operate as a ground terminal.
상기 제1전극부는 상호 이격되어 적층되는 한 쌍의 전극 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터 모듈.The method according to claim 5,
And the first electrode part comprises a pair of electrode patterns stacked apart from each other.
상기 제2전극부는 상호 이격되어 적층되는 한 쌍의 전극 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터 모듈.The method according to claim 5,
And the second electrode unit comprises a pair of electrode patterns stacked apart from each other.
상기 제2단자부는 상호 이격되어 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 한 쌍의 단자 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터 모듈.The method according to claim 5,
And the second terminal unit includes a pair of terminal patterns spaced apart from each other to operate as input terminals or output terminals.
상기 제1단자부의 상부에 적층되는 제1소자 보호부;
상기 제1소자 보호부의 상부에 적층되는 제1전극부;
상기 제1전극부의 상부에 적층되는 바리스터부;
상기 바리스터부의 상부에 적층되는 제2전극부;
상기 제2전극부의 상부에 적층되는 제2소자 보호부; 및
상기 제2소자 보호부의 상부에 적층되어 입력단자 및 출력단자 중에 적어도 하나로 동작하는 제2단자부를 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터 모듈.A first terminal unit operating at least one of an input terminal and an output terminal;
A first device protection part stacked on the first terminal part;
A first electrode part stacked on the first device protection part;
A varistor unit stacked on the first electrode unit;
A second electrode part stacked on the varistor part;
A second device protection part stacked on the second electrode part; And
And a second terminal part stacked on the second device protection part and operating at least one of an input terminal and an output terminal.
상기 제1단자부는 상호 이격되어 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 한 쌍의 단자 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터 모듈.The method of claim 10,
And the first terminal unit includes a pair of terminal patterns spaced apart from each other to operate as input terminals or output terminals.
상기 제1소자 보호부는 PCT 서미스터 또는 NTC 서미스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 바리스터 모듈.The method of claim 10,
The first device protection unit is a varistor module, characterized in that consisting of a PCT thermistor or NTC thermistor.
상기 제2단자부는 상호 이격되어 입력단자 또는 출력단자로 동작하는 한 쌍의 단자 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터 모듈.The method of claim 10,
And the second terminal unit includes a pair of terminal patterns spaced apart from each other to operate as input terminals or output terminals.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110029599A KR101222926B1 (en) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | Varistor module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110029599A KR101222926B1 (en) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | Varistor module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120111214A true KR20120111214A (en) | 2012-10-10 |
KR101222926B1 KR101222926B1 (en) | 2013-02-05 |
Family
ID=47281940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110029599A KR101222926B1 (en) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | Varistor module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101222926B1 (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180049617A (en) * | 2016-11-03 | 2018-05-11 | 주식회사 아모텍 | Protection device for open mode and electric apparatus with the same |
WO2018084585A1 (en) * | 2016-11-03 | 2018-05-11 | 주식회사 아모텍 | Open-mode protection device and electronic device having same |
KR20180049618A (en) * | 2016-11-03 | 2018-05-11 | 주식회사 아모텍 | Method for manufacturing protection device for open mode |
KR20180049946A (en) * | 2016-11-04 | 2018-05-14 | 주식회사 아모텍 | Protection device for open mode and electric apparatus with the same |
KR20180135224A (en) * | 2017-06-12 | 2018-12-20 | 주식회사 아모텍 | Protection device for open mode, method for manufacturing the same, and electric apparatus with the same |
US10652982B2 (en) | 2015-12-22 | 2020-05-12 | Amotech Co., Ltd. | Open-mode protection device and electronic device having same |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018040080A1 (en) * | 2016-09-05 | 2018-03-08 | Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. | Surge protection apparatus having embedded fuse |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4142523A1 (en) * | 1991-12-21 | 1993-06-24 | Asea Brown Boveri | RESISTANCE WITH PTC BEHAVIOR |
JP4143365B2 (en) * | 2002-08-28 | 2008-09-03 | 東北日本電気株式会社 | PTC composite chip part and manufacturing method thereof |
KR100697923B1 (en) * | 2005-02-22 | 2007-03-20 | 엘에스전선 주식회사 | PTC device having varistor therin |
KR20090081588A (en) * | 2008-01-24 | 2009-07-29 | 엘지이노텍 주식회사 | Varistor and method of manufacturing the same |
-
2011
- 2011-03-31 KR KR1020110029599A patent/KR101222926B1/en active IP Right Grant
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KR20180049617A (en) * | 2016-11-03 | 2018-05-11 | 주식회사 아모텍 | Protection device for open mode and electric apparatus with the same |
WO2018084585A1 (en) * | 2016-11-03 | 2018-05-11 | 주식회사 아모텍 | Open-mode protection device and electronic device having same |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101222926B1 (en) | 2013-02-05 |
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