KR102486920B1 - Method for manufacturing protection device for open mode - Google Patents

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Abstract

오픈모드 보호소자의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 오픈모드 보호소자의 제조 방법은 정전류원 및 LED로 이루어진 부하에 각각 병렬 연결되는 오픈모드 보호소자의 제조 방법으로서, 양면에 전극이 형성된 대면적 PPTC(polymeric positive temperature coefficient) 기판에 슬릿을 일정간격으로 형성하는 단계; 슬릿을 사이에 두고 전극 상에 과전압 또는 과전류를 바이패스시키는 보호소자를 일정간격으로 실장하는 단계; 대면적 PPTC 기판의 상측 및 보호소자를 덮도록 몰딩부재로 몰딩하는 단계; 및 몰딩된 대면적 PPTC 기판을 하나의 보호소자를 포함하는 단위 소자로 절단하는 단계;를 포함한다. A manufacturing method of an open mode protection device is provided. A method of manufacturing an open-mode protection device according to an embodiment of the present invention is a method of manufacturing an open-mode protection device connected in parallel to a constant current source and a load composed of LEDs, wherein electrodes are formed on both sides of a large-area PPTC (polymeric positive temperature coefficient coefficient). ) forming slits on the substrate at regular intervals; mounting protective devices for bypassing overvoltage or overcurrent on electrodes with slits therebetween at regular intervals; molding with a molding member to cover the upper side of the large-area PPTC substrate and the protection element; and cutting the molded large-area PPTC substrate into unit elements including one protection element.

Description

오픈모드 보호소자의 제조 방법{Method for manufacturing protection device for open mode}Manufacturing method of open mode protection device {Method for manufacturing protection device for open mode}

본 발명은 오픈모드 보호소자의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 보호소자의 이상 과열의 억제 기능과 높은 내압을 동시에 구현할 오픈모드 보호소자의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an open-mode protection device, and more particularly, to a method for manufacturing an open-mode protection device capable of simultaneously implementing a function of suppressing abnormal overheating and a high breakdown voltage of the protection device.

최근 전력 효율이 높고 제어가 용이한 LED를 이용한 조명장치가 보편화되고 있다. 특히, 디스플레이 장치의 백라이트, 자동차의 각종 램프, 디밍을 이용한 스마트 조명 등의 분야에서는 그 사용이 급증하고 있다. Recently, lighting devices using LEDs, which have high power efficiency and are easy to control, are becoming common. In particular, its use is rapidly increasing in fields such as backlights of display devices, various lamps of automobiles, and smart lighting using dimming.

이러한 LED 조명은 LED로 이루어진 부하에 일정한 전류를 제공하는 정전류 방식의 점등 회로를 구비한다. 여기서, 정전류원과 부하 사이에 ESD(ElectroStatic Discharge), EOS(Electrical over stress) 또는 서지(surge)가 유입되는 경우 회로를 보호하기 위해 보호소자가 구비된다. These LED lights are provided with a constant current type lighting circuit that provides a constant current to a load made of LEDs. Here, a protection device is provided to protect a circuit when ESD (ElectroStatic Discharge), EOS (Electrical over stress), or surge flows between the constant current source and the load.

이와 같은 정전류 방식의 전자장치에서, 전기적 충격에 의해 LED 중 어느 하나가 파손되어 부하가 오픈 상태로 되면, 정전류원의 전류는 모두 보호소자로 흐르며, 이때, 보호소자는 양단 전압이 지속적으로 상승하여 과열되며, 과도한 경우 발화되어 화재의 원인이 된다. In such a constant current type electronic device, when one of the LEDs is damaged by an electric shock and the load is in an open state, all the current of the constant current source flows to the protection device, and at this time, the protection device continuously rises and overheats. If excessive, it may ignite and cause a fire.

따라서, LED 부하에 대하여 ESD, EOS 또는 서지에 대한 보호기능과 함께 부하의 오픈모드에 따른 보호소자의 과열을 억제할 수 있는 기술의 개발이 절실한 실정이다. Therefore, there is an urgent need to develop a technology capable of suppressing overheating of the protection device according to the open mode of the load together with the ESD, EOS, or surge protection function for the LED load.

아울러, 이러한 보호소자는 적용되는 애플리케이션에 따라 다양한 내압이 요구되며 특히, 높은 내압을 갖는 보호소자의 개발이 요구된다. In addition, these protection devices require various withstand voltages depending on the application to which they are applied, and in particular, the development of protection devices having high withstand voltages is required.

KRKR 10051991005199 BB (2010.12.24(2010.12.24 등록)Enrollment)

본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로, PPTC 소자를 분할 배치하여 부하의 오픈모드 동작에 따른 보호소자의 이상 과열의 억제 기능과 고압에서도 견디기 위한 높은 내압을 동시에 구현할 수 있는 오픈모드 보호소자의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention has been devised in consideration of the above points, and open-mode protection capable of simultaneously realizing a function of suppressing abnormal overheating of the protection device according to the open-mode operation of the load and a high withstand voltage to withstand high pressure by dividing and arranging the PPTC device. Its purpose is to provide a method for manufacturing a device.

상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 정전류원 및 LED로 이루어진 부하에 각각 병렬 연결되는 오픈모드 보호소자의 제조 방법을 제공한다. 상기 오픈모드 보호소자의 제조 방법은 양면에 전극이 형성된 대면적 PPTC(polymeric positive temperature coefficient) 기판에 슬릿을 일정간격으로 형성하는 단계; 상기 슬릿을 사이에 두고 상기 전극 상에 과전압 또는 과전류를 바이패스시키는 보호소자를 일정간격으로 실장하는 단계; 상기 대면적 PPTC 기판의 상측 및 상기 보호소자를 덮도록 몰딩부재로 몰딩하는 단계; 및 상기 몰딩된 대면적 PPTC 기판을 하나의 보호소자를 포함하는 단위 소자로 절단하는 단계;를 포함한다. In order to solve the above problems, the present invention provides a method of manufacturing an open mode protection device connected in parallel to a constant current source and a load including LEDs. The method of manufacturing the open mode protection device includes forming slits at regular intervals in a large-area polymeric positive temperature coefficient (PPTC) substrate having electrodes formed on both sides thereof; mounting protection devices for bypassing overvoltage or overcurrent on the electrodes with the slit therebetween at regular intervals; molding with a molding member to cover the upper side of the large-area PPTC substrate and the protection element; and cutting the molded large-area PPTC substrate into unit elements including one protection element.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 몰딩하는 단계는 상기 슬릿을 상기 몰딩부재로 채울 수 있다. According to a preferred embodiment of the present invention, the molding may fill the slit with the molding member.

이때, 상기 몰딩부재는 에폭시로 이루어질 수 있다. In this case, the molding member may be made of epoxy.

또한, 상기 몰딩하는 단계는 에폭시 시트를 상기 대면적 PPTC 기판의 상측에서 가압 및 열융착할 수 있다.In addition, in the molding, the epoxy sheet may be pressed and heat-sealed on the upper side of the large-area PPTC substrate.

또한, 상기 오픈모드 보호소자의 제조 방법은 상기 몰딩하는 단계 이후에, 상기 대면적 PPTC 기판의 하면 전극을 도금하는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the manufacturing method of the open mode protection device may further include plating an electrode on a lower surface of the large-area PPTC substrate after the molding.

이때, 상기 도금하는 단계는 상기 대면적 PPTC 기판의 하면 전극을 Ag, Pt, Sn, Cr, Al, Zn 및 Au 중 어느 하나로 도금할 수 있다.At this time, in the plating step, the lower surface electrode of the large-area PPTC substrate may be plated with one of Ag, Pt, Sn, Cr, Al, Zn, and Au.

또한, 상기 대면적 PPTC 기판의 양면 전극은 Ni 또는 Cu 도금에 의해 형성될 수 있다.In addition, the double-sided electrodes of the large-area PPTC substrate may be formed by Ni or Cu plating.

또한, 상기 슬릿을 형성하는 단계는 상기 절단하는 단계의 절단 정밀도에 따라 상기 일정간격의 크기를 결정할 수 있다.In the forming of the slits, the size of the predetermined interval may be determined according to the cutting accuracy of the cutting.

또한, 상기 보호소자는 바리스터(varistor), 써프레서(suppressor), GDT(Gas discharge tube) 및 다이오드 중 어느 하나일 수 있다. In addition, the protection device may be any one of a varistor, a suppressor, a gas discharge tube (GDT), and a diode.

또한, 상기 실장하는 단계는 SMT 솔더링 공정을 통하여 상기 대면적 PPTC 기판 상에 상기 보호소자를 실장할 수 있다.In addition, in the mounting step, the protection device may be mounted on the large-area PPTC board through an SMT soldering process.

또한, 상기 대면적 PPTC 기판은 도전성 필러가 분산된 폴리머 층으로 이루어질 수 있다. In addition, the large-area PPTC substrate may be formed of a polymer layer in which a conductive filler is dispersed.

이때, 상기 도전성 필러는 카본블랙(carbon black) 재료로 이루어질 수 있다. In this case, the conductive filler may be made of a carbon black material.

본 발명에 의하면, 대면적 PPTC 기판에 슬릿을 형성하고 슬릿을 사이에 두고 보호소자를 실장함으로써, 보호소자의 이상 과열의 억제 기능과 높은 내압을 동시에 구현할 수 있으므로, 보호소자의 온도 또는 전류의 상승을 억제하고 따라서 이상 과열에 의한 보호소자 자체의 파손을 방지하면서도, 내압을 높이기 위해 재료의 두께를 증가시킬 필요가 없어 박형화를 구현할 수 있다. According to the present invention, by forming a slit in a large-area PPTC substrate and mounting the protection device with the slit therebetween, the function of suppressing abnormal overheating of the protection device and a high breakdown voltage can be implemented at the same time, so that the temperature or current of the protection device increases. While suppressing and thus preventing damage to the protection element itself due to abnormal overheating, it is not necessary to increase the thickness of the material to increase the withstand voltage, so thinning can be realized.

또한, 본 발명은 대면적 PPTC 기판의 슬릿에 몰딩부재를 채움으로써, 슬릿에 의한 강도의 열화를 향상시키는 동시에 단위 소자 내에서 PPTC 기판과 보호소자 사이의 결합력을 향상시킬 수 있으므로 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. In addition, by filling the molding member in the slit of the large-area PPTC substrate, the present invention can improve the deterioration of strength due to the slit and at the same time improve the bonding force between the PPTC substrate and the protection element in the unit device, thereby improving product reliability. can make it

또한, 본 발명은 대면적 PPTC 기판에 슬릿을 형성하여 보호소자를 실장함으로써, 대량 생산이 가능하고 제품의 크기의 조정이 용이하여 규격화에 유연성을 제공할 수 있다.In addition, the present invention forms a slit on a large-area PPTC substrate to mount the protection element, so that mass production is possible and the size of the product can be easily adjusted, thereby providing flexibility in standardization.

또한, 본 발명은 기존의 보호소자를 대면적 PPTC 기판에 실장함으로써, 기존 제품의 용도에 따라 대면적 PPTC 기판의 설계 및 배치가 용이하여 제조 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention can improve manufacturing efficiency by mounting a conventional protection device on a large-area PPTC substrate, thereby facilitating the design and arrangement of a large-area PPTC substrate according to the use of an existing product.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 오픈모드 보호소자의 제조 방법의 순서도,
도 2는 대면적 기판에 슬릿을 형성한 상태를 나타낸 사시도,
도 3 및 도 4는 박형 보호소자를 실장한 상태를 나타낸 사시도 및 단면도,
도 5는 에폭시 시트에 의한 몰딩전 상태를 나타낸 사시도,
도 6 및 도 7은 에폭시 시트의 가압 및 열융착에 의해 몰딩된 상태를 나타낸 사시도 및 단면도,
도 8 및 도 9는 몰딩된 대면적 기판을 절단하는 위치를 나타낸 사시도 및 단면도,
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 오픈모드 보호소자의 제조 방법에 의해 제조된 단위소자의 단면도, 그리고
도 11은 도 10의 오픈모드 보호소자의 등가회로도이다.
1 is a flowchart of a method of manufacturing an open mode protection device according to an embodiment of the present invention;
2 is a perspective view showing a state in which slits are formed in a large-area substrate;
3 and 4 are perspective and cross-sectional views showing a state in which a thin protection device is mounted;
5 is a perspective view showing a state before molding by an epoxy sheet;
6 and 7 are perspective and cross-sectional views showing a molded state by pressing and heat-sealing the epoxy sheet;
8 and 9 are perspective and cross-sectional views showing positions where the molded large-area substrate is cut;
10 is a cross-sectional view of a unit device manufactured by a method of manufacturing an open mode protection device according to an embodiment of the present invention;
FIG. 11 is an equivalent circuit diagram of the open mode protection device of FIG. 10 .

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부가한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. This invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly describe the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and the same reference numerals are added to the same or similar components throughout the specification.

본 발명의 일 실시예에 따른 오픈모드 보호소자의 제조 방법(10)은 도 1에 도시된 바와 같이, 기판에 슬릿을 형성하는 단계(S101), 보호소자를 실장하는 단계(S102), 에폭시 몰딩하는 단계(S103), 및 단위소자로 절단하는 단계(S105)를 포함한다. As shown in FIG. 1, the method 10 of manufacturing an open mode protection device according to an embodiment of the present invention includes forming a slit on a substrate (S101), mounting a protection device (S102), and epoxy molding. (S103), and cutting into unit elements (S105).

여기서, 제조 방법(10)에 의해 제조되는 오픈모드 보호소자는 정전류원 및 LED로 이루어진 부하에 각각 병렬 연결되어 외부에서 유입되는 ESD, EOS 또는 서지 전류를 접지로 바이패스시킴으로써, 정전류원 및 부하를 포함하는 회로를 보호하기 위한 것이다. Here, the open mode protection device manufactured by the manufacturing method 10 includes a constant current source and a load by being connected in parallel to a constant current source and a load composed of LEDs and bypassing ESD, EOS or surge current flowing from the outside to the ground. This is to protect the circuit that

먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 양면에 전극(112,114)이 형성된 대면적 PPTC(polymeric positive temperature coefficient) 기판(110a)에 슬릿(116)을 일정간격으로 형성한다(단계 S101).First, as shown in FIG. 2 , slits 116 are formed at regular intervals on a large-area polymeric positive temperature coefficient (PPTC) substrate 110a having electrodes 112 and 114 formed on both sides (step S101).

이때, 대면적 PPTC 기판(110a)을 단위 소자로 절단하기 위해 필요한 공간에 대응하는 일정간격으로 슬릿(116)을 형성할 수 있다. 즉, 절단하는 단계(S105)에서 이루어지는 절단 정밀도에 따라, 일례로, 절단 기구의 정밀도에 따라 슬릿(116)을 배치하는 간격의 크기를 결정할 수 있다. At this time, the slits 116 may be formed at regular intervals corresponding to the space required to cut the large-area PPTC substrate 110a into unit devices. That is, the size of the interval for arranging the slits 116 may be determined according to the precision of the cutting in the cutting step (S105), for example, the precision of the cutting mechanism.

여기서, 상기 대면적 PPTC 기판(110a)의 양면에 형성되는 전극(112,114)은 사전에 준비될 수 있다. 일례로, 상기 양면 전극(112,114)은 Ni 또는 Cu 도금에 의해 사전에 형성될 수 있다. 이때, Cu 표면의 접착성 향상을 위하여 Fe, Ni, Cr 및 Ag 중 어느 하나에 의해 추가로 도금할 수 있다.Here, the electrodes 112 and 114 formed on both sides of the large-area PPTC substrate 110a may be prepared in advance. For example, the double-sided electrodes 112 and 114 may be formed in advance by Ni or Cu plating. At this time, in order to improve the adhesiveness of the Cu surface, any one of Fe, Ni, Cr and Ag may be additionally plated.

아울러, 대면적 PPTC 기판(110a)은 전극(112,114) 사이의 기재층이 PPTC 재료로 이루어질 수 있다. 일례로, 상기 기재층은 도전성 필러가 분산된 폴리머 층으로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 도전성 필러는 카본블랙(carbon black) 재료로 이루어질 수 있다. In addition, in the large-area PPTC substrate 110a, a base layer between the electrodes 112 and 114 may be made of a PPTC material. For example, the base layer may be formed of a polymer layer in which a conductive filler is dispersed. In this case, the conductive filler may be made of a carbon black material.

여기서, 대면적 PPTC 기판(110a)에 의해 형성되는 PPTC 소자는 그 두께에 따라 내압이 증가한다. 즉, PPTC 소자는 상면 전극(112)과 하면 전극(114) 사이의 간격이 증가할수록 내압이 증가한다. 따라서, PPTC 소자는 높은 내압을 요구하는 TV 등과 같은 디스플레이 장치의 백라이트(BLU)에 적용하기 위해서는 상면 전극(112)과 하면 전극(114) 사이의 간격을 크게 구성해야 되지만, 이는 오픈모드 보호소자의 전체 두께의 증가를 초래한다. Here, the withstand voltage of the PPTC element formed by the large-area PPTC substrate 110a increases according to its thickness. That is, the withstand voltage of the PPTC element increases as the distance between the top electrode 112 and the bottom electrode 114 increases. Therefore, in order to apply the PPTC element to the backlight (BLU) of a display device such as a TV that requires a high withstand voltage, the gap between the top electrode 112 and the bottom electrode 114 must be large, but this is resulting in an increase in overall thickness.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 오픈모드 보호소자의 제조 방법(10)은 오픈모드 보호소자의 두께의 증가 없이 박형화를 구현하기 위해, PPTC 소자가 동일평면 상에 이격되어 배치되도록 대면적 PPTC 기판(110a)에 슬릿(116)을 형성할 수 있다. 즉, 최종적으로 산출되는 단위 소자에서, 한 쌍의 PPTC 소자가 동일평면 상에 배치되기 때문에 두께의 증가를 억제하는 동시에, 보호소자를 중심으로 양측에서 전기적으로 직렬 배치되기 때문에, 전류 경로 상에서 두 개의 PPTC 소자가 직렬로 배치되므로, 결과적으로 내압을 증가시킬 수 있다. Therefore, in the open mode protection device manufacturing method 10 according to an embodiment of the present invention, in order to realize thinning without increasing the thickness of the open mode protection device, the PPTC devices are spaced apart on the same plane and arranged on a large-area PPTC substrate. A slit 116 may be formed in 110a. That is, in the finally calculated unit element, since a pair of PPTC elements are arranged on the same plane, an increase in thickness is suppressed, and at the same time, since they are electrically arranged in series on both sides around the protective element, two Since the PPTC elements are arranged in series, it is possible to increase the breakdown voltage as a result.

다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 슬릿(116)을 사이에 두고 상면 전극(112) 상에 과전압 또는 과전류를 바이패스시키는 보호소자(120)를 일정간격으로 실장한다(단계 S102). 여기서, 슬릿(116)이 보호소자(120)의 하부에서 대략 중앙부에 위치하도록 보호소자(120)를 배치할 수 있다(도 4 참조).Next, as shown in FIG. 3, protection elements 120 for bypassing overvoltage or overcurrent are mounted on the top electrode 112 with the slit 116 therebetween at regular intervals (step S102). Here, the protection device 120 may be disposed so that the slit 116 is located at a substantially central portion from the lower portion of the protection device 120 (see FIG. 4 ).

이때, SMT 솔더링 공정을 통하여 대면적 PPTC 기판(110a)의 상면 전극(112) 상에 보호소자(120)를 실장할 수 있다. 즉, 보호소자(120)는 솔더를 통하여 대면적 PPTC 기판(110a)의 상면 전극(112)에 연결될 수 있다.At this time, the protection device 120 may be mounted on the upper surface electrode 112 of the large-area PPTC substrate 110a through the SMT soldering process. That is, the protection device 120 may be connected to the top electrode 112 of the large-area PPTC substrate 110a through solder.

여기서, 보호소자(120)는 슬릿(116)이 배치되는 간격과 유사하게 대면적 PPTC 기판(110a)을 단위 소자로 절단하기 위해 필요한 공간을 확보하도록 일정간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 절단 기구의 정밀도에 따라 보호소자(120)를 배치하는 간격의 크기를 결정할 수 있다.Here, the protection elements 120 may be spaced apart from each other at regular intervals to secure a space required for cutting the large-area PPTC substrate 110a into unit elements, similar to the spacing at which the slits 116 are arranged. That is, it is possible to determine the size of the interval for disposing the protection device 120 according to the precision of the cutting mechanism.

이와 같이, 대면적 PPTC 기판(110a)에 슬릿(116)을 형성하여 보호소자(120)를 실장함으로써, 대량 생산이 가능하고 슬릿(116)을 형성하는 간격 또는 보호소자(120)를 배치하는 간격에 따라 제품의 크기를 용이하게 조정할 수 있으므로 다양한 규격에 따라 유연하게 대처할 수 있다.In this way, by forming the slit 116 on the large-area PPTC substrate 110a and mounting the protection device 120, mass production is possible and the interval at which the slit 116 is formed or the protection device 120 is disposed Since the size of the product can be easily adjusted according to the size, it can flexibly cope with various standards.

여기서, 보호소자(120)는 기제작된 단일 부품일 수 있다. 일례로, 보호소자(120)는 바리스터(varistor), 써프레서(suppressor), GDT(Gas discharge tube) 및 다이오드 중 어느 하나일 수 있지만, 이에 특별히 한정되지 않고, 과전압 또는 과전류를 바이패스시킬 수 있는 소자를 포함할 수 있다. Here, the protection device 120 may be a pre-manufactured single component. As an example, the protection device 120 may be any one of a varistor, a suppressor, a gas discharge tube (GDT), and a diode, but is not particularly limited thereto, and may bypass overvoltage or overcurrent. may contain elements.

이를 통해, 기존의 단일 부품을 한 쌍의 대면적 PPTC 기판(110a)에 실장하므로, 제조공정이 단순화될 수 있을 뿐만 아니라, 기존의 제품에 맞추어 PPTC 소자를 용이하게 설계 및 배치할 수 있으므로 제조 효율을 향상시킬 수 있다. Through this, since a conventional single component is mounted on a pair of large-area PPTC substrates 110a, the manufacturing process can be simplified, and PPTC elements can be easily designed and arranged according to existing products, thereby increasing manufacturing efficiency. can improve

한편, 보호소자(120)는 바리스터 물질층을 포함할 수 있다. 즉, 보호소자(120)의 몸체가 바리스터 재료로 이루어질 수 있다. Meanwhile, the protection element 120 may include a varistor material layer. That is, the body of the protection element 120 may be made of a varistor material.

다른 예로서, 보호소자(120)는 몸체(120a)가 소체로 이루어질 수 있다. 여기서 소체는 ZnO, BaTiO3, 및 SrTiO3 중 하나 이상을 포함하고, Pr, Bi, Ni, Mn, Cr, Co, Sb, Nd, Si, Ca, La, Mg, Al, Ti Sn, Nb, 및 Y 중 적어도 하나를 도펀트로 포함할 수 있다. As another example, the body 120a of the protection device 120 may be made of a small body. Here, the body includes at least one of ZnO, BaTiO 3 , and SrTiO 3 , and Pr, Bi, Ni, Mn, Cr, Co, Sb, Nd, Si, Ca, La, Mg, Al, Ti Sn, Nb, and At least one of Y may be included as a dopant.

다음으로, 대면적 PPTC 기판(110a)의 상측 및 보호소자(120)를 덮도록 몰딩부재로 몰딩한다(단계 S103). 이때, 상기 몰딩부재는 에폭시로 이루어질 수 있다. Next, molding is performed with a molding member so as to cover the upper side of the large-area PPTC substrate 110a and the protection element 120 (step S103). In this case, the molding member may be made of epoxy.

일례로, 도 5에 도시된 바와 같이, 에폭시 시트(130a)를 보호소자(120)가 실장된 대면적 PPTC 기판(110a)의 상측에 배치하여 대면적 PPTC 기판(110a) 측으로 가압하면서 열융착할 수 있다. For example, as shown in FIG. 5, an epoxy sheet 130a is disposed on the upper side of the large area PPTC substrate 110a on which the protection device 120 is mounted, and heat-sealed while pressing it toward the large area PPTC substrate 110a. can

이를 통해, 열에 의해 용융된 몰딩부재(130')가 대면적 PPTC 기판(110a)의 상측 및 보호소자(120)를 완전히 덮도록 몰딩할 수 있다(도 6 참조).Through this, the molding member 130' melted by heat can be molded so as to completely cover the upper side of the large-area PPTC substrate 110a and the protection element 120 (see FIG. 6).

이때, 보호소자(120)의 하측에서 대면적 PPTC 기판(110a) 사이의 공간인 슬릿(116)을 상기 열에 의해 용융된 몰딩부재(130')로 채울 수 있다(도 7 참조). At this time, the slit 116, which is a space between the large-area PPTC substrates 110a at the lower side of the protection element 120, may be filled with the molding member 130' melted by the heat (see FIG. 7).

즉, 상기 열에 의해 용융된 몰딩부재(130')는 대면적 PPTC 기판(110a)의 상측으로부터 보호소자(120) 사이의 배치되는 슬릿(116)으로 흐르며, 복수의 보호소자(120)의 하측에 배치되는 슬릿(116) 전체로 퍼진다. 따라서, 단위 소자에서, 한 쌍의 PPTC 기판(110) 사이의 공간부(102)는 몰딩부재에 의해 채워질 수 있다(도 10 참조).That is, the molding member 130' melted by the heat flows from the upper side of the large-area PPTC substrate 110a to the slit 116 disposed between the protection elements 120, and the lower side of the plurality of protection elements 120. It spreads throughout the slit 116 where it is placed. Accordingly, in the unit device, the space 102 between the pair of PPTC substrates 110 may be filled with a molding member (see FIG. 10).

이를 통해, 오픈모드 보호소자(100)에서, 슬릿(116)에 대응하는 공간부(102)에 의해 서로 이격되어 배치되는 한 쌍의 PPTC 기판(110) 사이의 강도를 보완할 수 있다. Through this, in the open mode protection device 100, the strength between the pair of PPTC substrates 110 spaced apart from each other by the space portion 102 corresponding to the slit 116 can be supplemented.

즉, 한 쌍의 PPTC 기판(110)은 슬릿(116)에 의해 서로 이격되어 배치되기 때문에, PPTC 기판(110) 사이 또는 보호소자(120)와의 사이에 결합 강도가 약화될 수 있음으로 한 쌍의 PPTC 기판(110) 사이에 배치되는 슬릿(116)에 대응하는 공간부(102)를 몰딩부재로 채움으로써 결합 강도를 향상시킬 수 있다. That is, since the pair of PPTC substrates 110 are spaced apart from each other by the slit 116, bonding strength between the PPTC substrates 110 or between the protective element 120 may be weakened, and thus the pair of PPTC substrates 110 may be weakened. By filling the space portion 102 corresponding to the slit 116 disposed between the PPTC substrates 110 with a molding member, bonding strength may be improved.

더욱이, 한 쌍의 대면적 PPTC 기판(110a) 사이에서 보호소자(120)의 노출을 방지함으로써, 보호소자(120)를 외력으로부터 안전하게 보호할 수 있다. Furthermore, by preventing exposure of the protection device 120 between the pair of large-area PPTC substrates 110a, the protection device 120 can be safely protected from external force.

여기서, 에폭시 시트(130a)를 가압 및 열융착에 의해 대면적 PPTC 기판(110a) 및 보호소자(120)를 몰딩하는 것으로 설명하였으나 이에 한정되지 않고 다양한 몰딩부재와 몰딩방법으로 몰딩할 수 있음을 밝혀둔다.Here, it has been described that the large-area PPTC substrate 110a and the protection element 120 are molded by pressurizing and heat-sealing the epoxy sheet 130a, but it is not limited thereto and it is revealed that molding can be performed with various molding members and molding methods. put

다음으로, 몰딩된 대면적 PPTC 기판(110a)을 하나의 보호소자(120)를 포함하는 단위 소자로 절단한다(단계 S105). Next, the molded large-area PPTC substrate 110a is cut into unit elements including one protection element 120 (step S105).

도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 몰딩된 대면적 PPTC 기판(110a)을 단위 소자의 크기에 대응하는 길이방향 전달선(a) 및 폭방향 절단선(b)을 따라 절단할 수 있다.As shown in FIGS. 8 and 9 , the molded large-area PPTC substrate 110a may be cut along a lengthwise transmission line (a) and a widthwise cutting line (b) corresponding to the size of a unit device.

이를 통해, 도 10에 도시된 바와 같은 단위 소자인 오픈모드 보호소자(100)가 완성될 수 있다. Through this, the open mode protection device 100, which is a unit device as shown in FIG. 10, can be completed.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 오픈모드 보호소자의 제조 방법(10)은 전극 패드를 도금하는 단계(S104)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the method 10 of manufacturing an open mode protection device according to an embodiment of the present invention may further include plating electrode pads ( S104 ).

즉, 몰딩하는 단계(S103) 이후에, 대면적 PPTC 기판(110a)의 하면 전극(114)을 도금할 수 있다(단계 S104). 이때, 대면적 PPTC 기판(110a)의 하면 전극(114)을 Ag, Pt, Sn, Cr, Al, Zn 및 Au 중 어느 하나로 도금할 수 있다.That is, after the molding step (S103), the lower surface electrode 114 of the large-area PPTC substrate 110a may be plated (step S104). At this time, the bottom electrode 114 of the large-area PPTC substrate 110a may be plated with any one of Ag, Pt, Sn, Cr, Al, Zn, and Au.

이를 통해, 단위 소자의 전극 패드로서 사용되는 하면 전극(114)의 납땡성 및 전기적 전도성을 향상시킬 수 있고, 쉽게 마모되거나 부식되지 않도록 하면 전극(114)을 보호할 수 있다. Through this, the solderability and electrical conductivity of the bottom electrode 114 used as the electrode pad of the unit element can be improved, and the electrode 114 can be protected if it is not easily worn or corroded.

이와 같이 본 발명의 오픈모드 보호소자의 제조 방법(10)에 의해 제조된 오픈모드 보호소자(100)는 PPTC 기판(110), 보호소자(120) 및 몰딩부(130)를 포함할 수 있다.As described above, the open mode protection device 100 manufactured by the open mode protection device manufacturing method 10 of the present invention may include the PPTC substrate 110 , the protection device 120 and the molding part 130 .

이러한 오픈모드 보호소자(100)는 LED를 부하로 갖는 전자장치, 일례로, TV 등과 같은 디스플레이 장치의 백라이트(BLU), 자동차의 각종 램프, 및 디밍을 이용한 스마트 조명에 사용되어 회로를 보호하기 위한 것이다. The open mode protection device 100 is used in an electronic device having an LED as a load, for example, a backlight (BLU) of a display device such as a TV, various lamps in a car, and smart lighting using dimming to protect a circuit. will be.

이때, 오픈모드 보호소자(100)는 정전류원 및 LED 부하에 각각 병렬 연결될 수 있다. 여기서, 정전류원은 일정한 크기의 전류를 LED 부하로 공급할 수 있다. 이러한 정전류원은 정전류 방식의 전원 및 정전류 구동부 중 어느 하나일 수 있다. At this time, the open mode protection device 100 may be connected in parallel to each of the constant current source and the LED load. Here, the constant current source may supply a constant amount of current to the LED load. The constant current source may be any one of a constant current type power supply and a constant current driver.

또한, LED 부하는 복수의 LED로 구성될 수 있다. 일례로, LED 부하는 복수의 LED가 직렬로 연결되거나, 복수의 LED가 직렬로 연결되고, 직렬 연결된 복수의 LED가 병렬로 연결되거나, 복수의 LED가 병렬로 연결되고, 병렬 연결된 복수의 LED가 직렬로 연결된 것일 수 있다. In addition, the LED load may be composed of a plurality of LEDs. For example, the LED load is a plurality of LEDs connected in series, a plurality of LEDs connected in series, a plurality of LEDs connected in series connected in parallel, a plurality of LEDs connected in parallel, or a plurality of LEDs connected in parallel. They may be connected in series.

일례로, 오픈모드 보호소자(100)는 그 일측이 정전류원 및 LED 부하의 일측과 연결되고, 그 타측이 정전류원 및 LED 부하의 타측과 연결될 수 있다. 여기서, 오픈모드 보호소자(100)의 일측은 접지단자에 연결될 수 있다. 즉, 이러한 접지단자는 정전류원 및 부하의 음극 측에 연결될 수 있고, 전자장치의 회로기판에 형성되는 공통접지와 연결될 수 있다. As an example, one side of the open mode protection device 100 may be connected to one side of the constant current source and the LED load, and the other side may be connected to the other side of the constant current source and the LED load. Here, one side of the open mode protection device 100 may be connected to the ground terminal. That is, this ground terminal may be connected to the negative side of the constant current source and the load, and may be connected to a common ground formed on the circuit board of the electronic device.

PPTC 기판(110)은 한 쌍으로 이루어지고, 일정간격으로 서로 이격 배치될 수 있다. 여기서, PPTC 기판(110)의 상면 전극(112)은 보호소자(120)의 양단 전극(122,124)과 연결되기 위한 내부전극이고, 하면 전극(114)은 상기 전자장치의 정전류원 및 부하에 연결하기 위한 외부전극이다. The PPTC substrates 110 may be formed as a pair and spaced apart from each other at regular intervals. Here, the upper electrode 112 of the PPTC substrate 110 is an internal electrode to be connected to the electrodes 122 and 124 at both ends of the protection element 120, and the lower electrode 114 is connected to the constant current source and load of the electronic device. It is an external electrode for

이러한 PPTC 기판(110)은 전기적으로 보호소자(120)를 중심으로 양단에 직렬 연결되고, 보호소자(120)의 온도 또는 전류를 감지한다. 이때, 보호 대상인 복수의 LED 중 어느 하나의 파손에 의해 부하가 오픈 상태로 되면, 정전류원에서 제공되는 전류가 모두 보호소자(120)로 흐르면서 보호소자(120)의 온도 또는 전류가 증가함에 따라 PPTC 기판(110)은 보호소자(120)의 전류를 감소시킨다. The PPTC substrate 110 is electrically connected in series to both ends around the protection device 120 and senses the temperature or current of the protection device 120 . At this time, when the load is opened due to damage to any one of the plurality of LEDs to be protected, all the current provided from the constant current source flows to the protection device 120 and the temperature or current of the protection device 120 increases as the PPTC The substrate 110 reduces the current of the protection element 120 .

보호소자(120)는 한 쌍의 PPTC 기판(110) 각각의 상면에 형성된 내부전극(112) 상에 양단 전극(122,124)이 각각 연결되어 과전압 또는 과전류를 바이패시킨다. 즉, 보호소자(120)는 하나의 외부전극(114)을 통하여 유입되는 ESD, EOS 또는 서지(surge)에 의한 과전압 또는 과전류를 접지에 연결되는 다른 외부전극(114)으로 통과시킬 수 있다. The protection element 120 bypasses overvoltage or overcurrent by connecting both ends of the electrodes 122 and 124 to the internal electrodes 112 formed on the upper surfaces of each of the pair of PPTC substrates 110 . That is, the protection device 120 may pass overvoltage or overcurrent due to ESD, EOS, or surge flowing through one external electrode 114 to another external electrode 114 connected to the ground.

결과적으로, 오픈모드 보호소자(100)는 외부로부터 유입되는 ESD, EOS 또는 서지를 접지로 바이패스시킴으로써 LED 부하를 보호할 수 있다. 즉, 오픈모드 보호소자(100)는 PPTC 기판(110)의 저항이 매우 작기 때문에 실질적으로 보호소자(120)에 의해 바리스터와 같은 ESD, EOS 또는 서지에 대한 보호소자로서 기능한다. As a result, the open mode protection device 100 can protect the LED load by bypassing ESD, EOS or surge introduced from the outside to the ground. That is, since the resistance of the PPTC substrate 110 is very small, the open mode protection device 100 substantially functions as a protection device against ESD, EOS, or surge such as a varistor by means of the protection device 120 .

이러한 보호소자(120)는 LED로 이루어진 부하의 오픈모드 동작시 정전류원의 일정한 전류를 외부전극(114)을 통하여 접지로 바이패스시킨다.The protection device 120 bypasses a constant current of the constant current source to the ground through the external electrode 114 during the open mode operation of the load made of LEDs.

몰딩부(130)는 한 쌍의 PPTC 기판(110a)의 상측 및 보호소자(120)를 덮도록 형성될 수 있다. 이러한 몰딩부(130)는 한 쌍의 PPTC 기판(110a) 및 보호소자(120)를 보호하고, 단일소자로 패키징하기 위한 것이다. The molding part 130 may be formed to cover the upper side of the pair of PPTC substrates 110a and the protection element 120 . The molding unit 130 protects the pair of PPTC substrates 110a and the protection device 120 and packages them as a single device.

이러한 몰딩부(130)는 한 쌍의 PPTC 기판(110) 사이의 공간부(102)에 채워질 수 있다. 즉, 한 쌍의 PPTC 기판(110)이 이격 배치됨에 따라 형성되는 한 쌍의 PPTC 기판(110) 사이의 공간부(102)는 몰딩부재로 채워질 수 있다. The molding portion 130 may fill the space portion 102 between the pair of PPTC substrates 110 . That is, the space portion 102 between the pair of PPTC substrates 110 formed as the pair of PPTC substrates 110 are spaced apart may be filled with a molding member.

이와 같은 오픈모드 보호소자(100)는 도 11에 도시된 바와 같이, 바리스터와 같은 보호소자(B)와 PPTC 소자(P)가 직렬 연결된 등가회로로 나타낼 수 있다. 이때, PPTC 소자(P)는 보호소자(B)의 양단에 분할배치될 수 있다. As shown in FIG. 11, such an open mode protection device 100 may be represented as an equivalent circuit in which a protection device B such as a varistor and a PPTC device P are connected in series. At this time, the PPTC element (P) may be divided and disposed at both ends of the protection element (B).

즉, 오픈모드 보호소자(100)는 한 쌍의 외부단자에 한 쌍의 PPTC 소자(P)의 일단이 각각 연결되고, 한 쌍의 PPTC 소자(P)의 타단에 보호소자(B)의 양단이 연결됨으로써 한 쌍의 PPTC 소자(P)와 하나의 보호소자(P)가 외부단자에 대하여 직렬 연결될 수 있다. That is, in the open mode protection device 100, one end of a pair of PPTC elements (P) is connected to a pair of external terminals, and both ends of the protection element (B) are connected to the other end of the pair of PPTC elements (P). By being connected, a pair of PPTC elements (P) and one protection element (P) can be connected in series with respect to the external terminal.

이와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 오픈모드 보호소자(100)는 80℃ 내지 120℃의 상시 온도에서는 낮은 저항값을 갖는다. 즉, 오픈모드 보호소자(100)는 바리스터와 같은 보호소자로서 기능하여 정전기 또는 부하로 유입되는 ESD, EOS 또는 서지를 접지로 바이패스시켜 회로를 보호할 수 있다. The open mode protection device 100 according to the embodiment of the present invention configured as described above has a low resistance value at a constant temperature of 80° C. to 120° C. That is, the open mode protection device 100 functions as a protection device such as a varistor to bypass static electricity or ESD, EOS, or surge flowing into a load to the ground to protect a circuit.

한편, 외부에서 유입된 ESD, EOS 또는 서지에 대하여 보호소자(120)가 충분한 보호기능을 갖지 못하면, LED 부하 중 일부가 ESD, EOS 또는 서지에 의해 손상되어 LED 부하가 오픈상태로 되는 경우가 종종 발생한다. On the other hand, if the protection element 120 does not have a sufficient protective function against ESD, EOS or surge introduced from the outside, some of the LED loads are damaged by ESD, EOS or surge and the LED load is often in an open state. Occurs.

이와 같이, LED로 이루어진 부하가 외부로부터 ESD, EOS 또는 서지에 의해 오픈되면, 오픈모드 보호소자(100)로 흐르는 전류 및 전압이 지속적으로 증가하여 보호소자(120)가 과열된다. 즉, 부하의 전원이 정전류원이기 때문에 부하가 오픈된 경우, 정전류원에서 제공되는 일정한 크기의 전류는 모두 오픈모드 보호소자(100)로 흐른다. 이때, 정전류원의 실질적인 부하는 오픈모드 보호소자(100)이며, 이 경우 오픈모드 보호소자(100)에 정전류원으로부터 일정한 크기의 전류가 지속적으로 흐르기 때문에 전압이 무한대로 상승하는 조건이 된다. As such, when a load made of LEDs is opened by ESD, EOS, or surge from the outside, the current and voltage flowing through the open-mode protection device 100 continuously increase, causing the protection device 120 to overheat. That is, since the power source of the load is a constant current source, when the load is open, all of the constant current supplied from the constant current source flows into the open mode protection device 100 . At this time, the actual load of the constant current source is the open mode protection device 100, and in this case, since a constant current source continuously flows into the open mode protection device 100, the voltage rises infinitely.

일례로, 정전류원이 400㎃의 전류를 공급하고, LED 부하가 10개의 LED로 이루어진 경우, 부하의 양단에 대략 25~30V의 전압이 출력되지만, 부하가 오픈상태인 경우, 실질적인 부하인 오픈모드 보호소자(100)의 양단 전압이 공급전원 수준(200~300V)까지 상승함에 따라 오픈모드 보호소자(100), 특히, 보호소자(120)가 과열된다. For example, when a constant current source supplies a current of 400 mA and an LED load consists of 10 LEDs, a voltage of approximately 25 to 30 V is output across both ends of the load, but when the load is in an open state, the actual load is an open mode. As the voltage across both ends of the protection device 100 rises to the supply power level (200 to 300V), the open mode protection device 100, particularly the protection device 120, overheats.

이때, 오픈모드 보호소자(100)가 150℃ 내지 200℃의 온도로 과열되면, 오픈모드 보호소자(100)는 PPTC 기판(110)의 저항이 급증하여 오픈모드 보호소자(100) 내에 흐르는 전류량을 감소시킴으로써, 보호소자(120)의 양단 전압을 감소시켜 온도를 감소시킬 수 있으므로 발열을 억제할 수 있다. 이에 따라, 보호소자(120)의 과열에 의한 자체 파손을 방지할 수 있다. At this time, when the open mode protection device 100 is overheated at a temperature of 150° C. to 200° C., the resistance of the PPTC substrate 110 rapidly increases and the amount of current flowing in the open mode protection device 100 is reduced. By reducing, since the temperature can be reduced by reducing the voltage across both ends of the protection element 120, heat generation can be suppressed. Accordingly, self-damage due to overheating of the protection element 120 can be prevented.

또한, 오픈모드 보호소자(100)의 이상 과열을 억제함으로써, 오픈모드 보호소자(100)에 인접한 회로부품의 손상을 방지할 뿐만 아니라, 인접 부품이 가연성이 물질로 이루어진 경우, 일례로, LED로부터 발광된 빛의 효율을 향상시키기 위해 LED의 전면에 백색 시트지가 배치되는 경우, 보호소자의 발화로 인한 화재를 미연에 예방할 수 있다. In addition, by suppressing abnormal overheating of the open mode protection device 100, damage to circuit components adjacent to the open mode protection device 100 is prevented, and when adjacent components are made of inflammable materials, for example, from LEDs. When a white sheet is disposed in front of the LED to improve the efficiency of the emitted light, it is possible to prevent a fire caused by ignition of a protection device.

이상에서 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명의 사상은 본 명세서에 제시되는 실시 예에 제한되지 아니하며, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서, 구성요소의 부가, 변경, 삭제, 추가 등에 의해서 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 사상범위 내에 든다고 할 것이다.Although one embodiment of the present invention has been described above, the spirit of the present invention is not limited to the embodiments presented herein, and those skilled in the art who understand the spirit of the present invention may add elements within the scope of the same spirit. However, other embodiments can be easily proposed by means of changes, deletions, additions, etc., but these will also fall within the scope of the present invention.

100 : 오픈모드 보호소자 102 : 공간부
110a : 대면적 PPTC 기판 110 : PPTC 기판
112, 114 : 전극 116 : 슬릿
120 : 보호소자 122,124 : 전극
130,130' : 몰딩부 130a : 에폭시 시트
100: open mode protection device 102: space unit
110a: large area PPTC substrate 110: PPTC substrate
112, 114: electrode 116: slit
120: protection element 122,124: electrode
130,130': molding part 130a: epoxy sheet

Claims (12)

정전류원 및 LED로 이루어진 부하에 각각 병렬 연결되는 오픈모드 보호소자의 제조 방법으로서,
양면에 전극이 형성된 대면적 PPTC(polymeric positive temperature coefficient) 기판에 슬릿을 일정간격으로 형성하는 단계;
상기 슬릿을 사이에 두고 상기 전극 상에 과전압 또는 과전류를 바이패스시키는 보호소자를 일정간격으로 실장하는 단계;
상기 대면적 PPTC 기판의 상측 및 상기 보호소자를 덮도록 몰딩부재로 몰딩하는 단계; 및
상기 몰딩된 대면적 PPTC 기판을 하나의 보호소자를 포함하는 단위 소자로 절단하는 단계;를 포함하는 오픈모드 보호소자의 제조 방법.
A method of manufacturing an open mode protection device connected in parallel to a load composed of a constant current source and an LED,
forming slits at regular intervals on a large-area polymeric positive temperature coefficient (PPTC) substrate on which electrodes are formed on both sides;
mounting protective devices for bypassing overvoltage or overcurrent on the electrodes with the slit therebetween at regular intervals;
molding with a molding member to cover the upper side of the large-area PPTC substrate and the protection element; and
and cutting the molded large-area PPTC substrate into unit devices including one protection device.
제1항에 있어서,
상기 몰딩하는 단계는 상기 슬릿을 상기 몰딩부재로 채우는 오픈모드 보호소자의 제조 방법.
According to claim 1,
In the molding, the slit is filled with the molding member.
제1항에 있어서,
상기 몰딩부재는 에폭시로 이루어진 오픈모드 보호소자의 제조 방법.
According to claim 1,
The molding member is a method of manufacturing an open mode protection device made of epoxy.
제3항에 있어서,
상기 몰딩하는 단계는 에폭시 시트를 상기 대면적 PPTC 기판의 상측에서 가압 및 열융착하는 오픈모드 보호소자의 제조 방법.
According to claim 3,
The molding step is a method of manufacturing an open mode protection device by pressing and heat-sealing an epoxy sheet on the upper side of the large-area PPTC substrate.
제1항에 있어서,
상기 몰딩하는 단계 이후에, 상기 대면적 PPTC 기판의 하면 전극을 도금하는 단계를 더 포함하는 오픈모드 보호소자의 제조 방법.
According to claim 1,
After the molding step, the manufacturing method of the open mode protection device further comprising the step of plating the lower surface electrode of the large-area PPTC substrate.
제5항에 있어서,
상기 도금하는 단계는 상기 대면적 PPTC 기판의 하면 전극을 Ag, Pt, Sn, Cr, Al, Zn 및 Au 중 어느 하나로 도금하는 오픈모드 보호소자의 제조 방법.
According to claim 5,
The plating step is a method of manufacturing an open mode protection device in which the lower electrode of the large area PPTC substrate is plated with any one of Ag, Pt, Sn, Cr, Al, Zn and Au.
제1항에 있어서,
상기 대면적 PPTC 기판의 양면 전극은 Ni 또는 Cu 도금에 의해 형성되는 오픈모드 보호소자의 제조 방법.
According to claim 1,
The method of manufacturing an open mode protection device in which the double-sided electrodes of the large-area PPTC substrate are formed by Ni or Cu plating.
제1항에 있어서,
상기 슬릿을 형성하는 단계는 상기 절단하는 단계의 절단 정밀도에 따라 상기 일정간격의 크기를 결정하는 오픈모드 보호소자의 제조 방법.
According to claim 1,
The forming of the slit determines the size of the predetermined interval according to the cutting precision of the cutting step.
제1항에 있어서,
상기 보호소자는 바리스터(varistor), 써프레서(suppressor), GDT(Gas discharge tube) 및 다이오드 중 어느 하나인 오픈모드 보호소자의 제조 방법.
According to claim 1,
The method of manufacturing an open mode protection device in which the protection device is any one of a varistor, a suppressor, a gas discharge tube (GDT), and a diode.
제1항에 있어서,
상기 실장하는 단계는 SMT 솔더링 공정을 통하여 상기 대면적 PPTC 기판 상에 상기 보호소자를 실장하는 오픈모드 보호소자의 제조 방법.
According to claim 1,
The mounting step is a method of manufacturing an open mode protection device for mounting the protection device on the large area PPTC board through an SMT soldering process.
제1항에 있어서,
상기 대면적 PPTC 기판은 도전성 필러가 분산된 폴리머 층으로 이루어지는 오픈모드 보호소자의 제조 방법.
According to claim 1,
The large-area PPTC substrate is a method of manufacturing an open mode protection device made of a polymer layer in which a conductive filler is dispersed.
제11항에 있어서,
상기 도전성 필러는 카본블랙(carbon black) 재료로 이루어진 오픈모드 보호소자의 제조 방법.
According to claim 11,
The method of manufacturing an open mode protection device in which the conductive filler is made of carbon black material.
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