KR20120106359A - 금속 산화막 형성방법 - Google Patents

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KR20120106359A
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한국전자통신연구원
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Abstract

금속 산화막 형성방법이 개시된다. 상기 형성방법은 금속 전구체를 포함하는 코팅 용액을 이용하여 기판 상에 금속 산화막을 형성하는 단계 및 상기 금속 산화막의 전기 전도성을 제어하는 단계를 포함한다.

Description

금속 산화막 형성방법{Method for forming Metal Oxide Film}
본 발명은 금속 산화막 형성방법에 관한 것이다.
산업이 발달하면서, 다양한 종류의 전자 제품이 요구되고 있다. 이로 인해, 통상의 불투명한 도전체뿐만 아니라, 투명한 도전체가 등장하였다. 투명한 도전체는 광학적으로 투명한 얇은 도전성 막으로 제공되어, 디스플레이 장치(display device) 및 광전 소자(photoelectronic device) 등에서 투명 전극으로 사용되고 있다.
투명한 도전체를 이용한 박막은 일반적으로 진공 증착 공정을 통해 형성된다. 진공 증착 공정을 통해 박막을 형성하기 위해서, 진공 챔버와 같은 고비용의 장비가 사용된다. 따라서, 박막을 형성하기 위해 제조 비용이 많이 들고 대면적화하는데 많은 제약이 따른다.
본 발명의 기술적 과제는 전기 전도성을 제어할 수 있는 금속 산화막 형성방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 산화막 형성방법은 금속 전구체를 포함하는 코팅 용액을 이용하여 기판 상에 금속 산화막을 형성하는 단계 및 상기 금속 산화막의 전기 전도성을 제어하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 코팅 용액은 나노입자를 더 포함하고, 상기 금속 산화막의 상기 전기 전도성을 제어하는 단계는 상기 코팅 용액 내의 상기 금속 전구체 및 상기 나노 입자의 함량을 조절하여 수행될 수 있다. 상기 나노 입자는 금속입자일 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 상기 금속 산화막의 상기 전기 전도성을 제어하는 단계는 상기 코팅 용액 내의 상기 금속 전구체의 함량을 조절하여 수행될 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 금속 산화막을 형성하는 단계는 상기 코팅 용액을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 상기 코팅 용액을 제공하여 코팅층을 형성하는 단계, 및 상기 코팅층을 건조하는 단계를 포함하되, 상기 금속 산화막의 상기 전기 전도성을 제어하는 단계는 상기 코팅층에 불순물을 도핑하는 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 불순물을 도핑하는 단계는 이온 주입 공정을 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 불순물은 수소, 불소, 질소, 인, 비소 및 붕소 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 코팅층을 형성하는 단계는 잉크젯 프린팅, 스핀 코팅 또는 스크린 프린팅에 의해 수행될 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 불순물을 도핑하는 단계는 온도 조절 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 방법은 상기 코팅층을 초음파 또는 전자기파로 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 금속 산화막은 주석 산화물, 인듐 산화물, 티타늄 산화물, 아연 산화물 및 텅스텐 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 금속 전구체는 금속 알콕사이드 및 금속 할라이드 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 금속 전구체는 주석, 인듐, 티타늄, 아연 및 텅스텐 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 코팅 용액은 반응제를 더 포함하고, 상기 반응제는 산, 염기 및 계면 활성제 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 방법은 상기 금속 산화막은 복수의 층을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 금속 산화막을 형성하기 위해 준비되는 금속 전구체 용액의 농도 및/또는 금속 산화막을 형성하기 위한 이온 주입 공정의 도핑 조건을 조절하여 금속 산화막의 전기 전도성이 제어될 수 있다. 이로 인해, 금속 산화막은 필요에 따라 절연 특성, 반도체 특성 및 도전 특성을 가질 수 있다. 이와 같이 전기 전도성을 조절하여 본 발명의 실시예들에 따른 금속 산화막은 다양한 소자에 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 금속 산화막은 상온에서 용액을 이용한 공정에 의해 형성될 수 있으므로, 스퍼터링과 같이 챔버를 이용한 증착 공정에 의해 형성되는 것보다 낮은 온도에서 적은 비용으로 균일하게 형성될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예들에 따른 공정은 대면적의 기판에 적용되기 용이하며, 보다 적은 기판의 제약을 받을 수 있다.
도 1 내지 3은 본 발명의 실시예들에 따른 금속 산화막 형성방법을 나타낸 순서도들이다.
도 4 및 5는 본 발명의 실험예에 따른 금속 산화막 형성방법을 나타낸 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 실험예에 따라 형성된 금속 산화막의 광학적 특성을 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실험예에 따라 형성된 금속 산화막의 전기적 특성을 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실험예에 따라 형성된 도핑된 금속 산화막의 광학적 특성을 나타낸 그래프이다.
도 9는 본 발명의 실험예에 따라 형성된 도핑된 금속 산화막의 전기적 특성을 나타낸 그래프이다.
도 10은 본 발명의 실험예에 따른 복수의 층을 포함하는 금속 산화막 형성방법을 나타낸 단면도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 막이 다른 막 또는 기판 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막이 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 또한, 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 영역, 막들 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 영역, 막들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 소정 영역 또는 막을 다른 영역 또는 막과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시예에의 제1막질로 언급된 막질이 다른 실시예에서는 제2막질로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시예는 그것의 상보적인 실시예도 포함한다.
도 1을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 산화막 형성방법이 설명된다.
도 1을 참조하면, 금속 전구체(metal precursor)를 포함하는 코팅 용액이 준비된다(S110). 상기 금속 전구체는 유기 금속 화합물일 수 있으며, 예를 들면, 금속 알콕사이드(metal alkoxide) 및 금속 할라이드(metal halide) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 금속 전구체는 주석(Sn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 아연(Zn) 및 텅스텐(W) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 코팅 용액은 상기 금속 전구체가 희석된 용매를 포함할 수 있다. 상기 용매는 친수성, 소수성, 양수성 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 상기 코팅 용액은 반응제를 더 포함할 수 있으며, 상기 반응제는 산, 염기 및 계면 활성제 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 코팅 용액을 기판 상에 제공하여 상기 기판 상에 코팅층이 형성될 수 있다(S120). 상기 코팅층은 잉크젯 프린팅(ink-jet printing), 스핀 코팅(spin coating) 또는 스크린 프린팅(screen printing)에 의해 형성될 수 있다. 상기 기판은 실리콘 웨이퍼와 같은 불투명 기판 또는 유리와 같은 투명한 기판일 수 있으며, 플라스틱 소재의 연성 기판(flexible substrate)일 수 있다.
상기 코팅층이 건조되어 제1 금속 산화막이 형성될 수 있다(S130). 이때, 상기 코팅층은 상온에서 자연 건조될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 금속 산화막은 주석 산화물(SnO2), 인듐 산화물(In2O3), 티타늄 산화물(TiO2), 아연 산화물(ZnO), 및 텅스텐 산화물(WO3) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 금속 산화막에 포함된 금속 산화물은 상기 금속 전구체와 상기 코팅 용액 또는 대기 중에 존재하는 물과 가수분해하여 형성된다. 이때, 상기 제1 금속 산화막의 성장 속도는 상기 코팅 용액의 농도 및 대기 중의 습도를 조절하여 제어될 수 있다.
추가적으로, 상기 코팅층은 초음파 또는 전자기파로 처리될 수 있다. 상기 처리에 의해 상기 제1 금속 산화막의 성장 속도가 향상될 수 있다. 상기 전자기파는 예를 들면, 마이크로웨이브, 적외선, 가시광선 또는 자외선일 수 있다. 또한, 상기 제1 금속 산화막은 열처리될 수 있다. 상기 열처리에 의해 상기 제1 금속 산화막은 안정화될 수 있다.
상기 제1 금속 산화막에 불순물을 도핑하여 상기 제1 금속 산화막의 전기 전도성이 제어될 수 있다(S140). 상기 불순물은 수소(H), 불소(F), 질소(N), 인(P), 비소(As) 및 붕소(B) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 불순물은 이온 주입 공정에 의해 도핑될 수 있다. 이때, 상기 기판의 온도는 조절될 수 있다.
도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 산화막 형성방법이 설명된다.
도 2를 참조하면, 금속 전구체(metal precursor)를 포함하는 코팅 용액이 준비된다(S210). 상기 금속 전구체는 유기 금속 화합물일 수 있으며, 예를 들면, 금속 알콕사이드(metal alkoxide) 및 금속 할라이드(metal halide) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 금속 전구체는 주석(Sn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 아연(Zn) 및 텅스텐(W) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 코팅 용액은 상기 금속 전구체가 희석된 용매를 포함할 수 있다. 상기 용매는 친수성, 소수성, 양수성 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 상기 코팅 용액은 반응제를 더 포함할 수 있으며, 상기 반응제는 산, 염기 및 계면 활성제 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 코팅 용액 내의 상기 금속 전구체의 함량은 조절될 수 있다.
상기 코팅 용액을 기판 상에 제공하여 상기 기판 상에 코팅층이 형성될 수 있다(S220). 상기 코팅층은 잉크젯 프린팅(ink-jet printing), 스핀 코팅(spin coating) 또는 스크린 프린팅(screen printing)에 의해 형성될 수 있다. 상기 기판은 실리콘 웨이퍼와 같은 불투명 기판 또는 유리와 같은 투명한 기판일 수 있으며, 플라스틱 소재의 연성 기판(flexible substrate)일 수 있다.
상기 코팅층이 건조되어 제1 금속 산화막이 형성될 수 있다(S230). 이때, 상기 코팅층은 상온에서 자연 건조될 수 있다. 상기 제1 금속 산화막은 예를 들면, 주석 산화물(SnO2), 인듐 산화물(In2O3), 티타늄 산화물(TiO2), 아연 산화물(ZnO), 및 텅스텐 산화물(WO3) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 금속 산화막에 포함된 금속 산화물은 상기 금속 전구체와 상기 코팅 용액 또는 대기 중에 존재하는 물과 가수분해하여 형성된다. 이때, 상기 제1 금속 산화막의 성장 속도는 상기 코팅 용액의 농도 및 대기 중의 습도를 조절하여 제어될 수 있다.
추가적으로, 상기 코팅층은 초음파 또는 전자기파로 처리될 수 있다. 상기 전자기파는 예를 들면, 마이크로웨이브, 적외선, 가시광선 또는 자외선일 수 있다. 또한, 상기 제1 금속 산화막은 열처리될 수 있다.
상기 제1 금속 산화막의 전기 전도성은 상기 코팅 용액 내의 상기 금속 전구체의 함량을 조절하여 제어될 수 있다.
도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 산화막 형성방법이 설명된다.
도 3을 참조하면, 금속 전구체(metal precursor) 및 나노입자를 포함하는 코팅 용액이 준비된다(S310). 상기 금속 전구체는 유기 금속 화합물일 수 있으며, 예를 들면, 금속 알콕사이드(metal alkoxide) 및 금속 할라이드(metal halide) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 이때, 상기 금속 전구체는 주석(Sn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 아연(Zn) 및 텅스텐(W) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 나노 입자는 금속입자일 수 있다. 예를 들면, 상기 나노입자는 주석(Sn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 아연(Zn) 및 텅스텐(W) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 코팅 용액은 상기 금속 전구체가 희석된 용매를 포함할 수 있다. 상기 용매는 친수성, 소수성, 양수성 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 상기 코팅 용액은 반응제를 더 포함할 수 있으며, 상기 반응제는 산, 염기 및 계면 활성제 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 코팅 용액 내의 상기 금속 전구체 및 상기 나노입자의 함량은 조절될 수 있다.
상기 코팅 용액을 기판 상에 제공하여 상기 기판 상에 코팅층이 형성될 수 있다(S320). 상기 코팅층은 잉크젯 프린팅(ink-jet printing), 스핀 코팅(spin coating) 또는 스크린 프린팅(screen printing)에 의해 형성될 수 있다. 상기 기판은 실리콘 웨이퍼와 같은 불투명 기판 또는 유리와 같은 투명한 기판일 수 있으며, 플라스틱 소재의 연성 기판(flexible substrate)일 수 있다.
상기 코팅층이 건조되어 제1 금속 산화막이 형성될 수 있다(S330). 이때, 상기 코팅층은 상온에서 자연 건조될 수 있다. 상기 제1 금속 산화막은 예를 들면, 주석 산화물(SnO2), 인듐 산화물(In2O3), 티타늄 산화물(TiO2), 아연 산화물(ZnO), 및 텅스텐 산화물(WO3) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 금속 산화막에 포함된 금속 산화물은 상기 금속 전구체와 상기 코팅 용액 또는 대기 중에 존재하는 물과 가수분해하여 형성된다. 이때, 상기 제1 금속 산화막의 성장 속도는 상기 코팅 용액의 농도 및 대기 중의 습도를 조절하여 제어될 수 있다.
추가적으로, 상기 코팅층은 초음파 또는 전자기파로 처리될 수 있다. 상기 전자기파는 예를 들면, 마이크로웨이브, 적외선, 가시광선 또는 자외선일 수 있다. 또한, 상기 제1 금속 산화막은 열처리될 수 있다.
상기 제1 금속 산화막의 전기 전도성은 상기 코팅 용액 내의 상기 금속 전구체 및 상기 나노입자의 함량을 조절하여 제어될 수 있다.
본 발명에 따라 복수의 층을 포함하는 금속 산화막 형성방법이 설명된다. 이하, 앞서 설명된 실시예들과 동일 유사한 내용은 간략하게 설명된다.
일 실시예에 따르면, 도 1 내지 3에 개시된 단계들을 수행하여 형성된 제1 금속 산화막 상에 금속막이 형성될 수 있다. 상기 금속막은 기상 또는 액상 증착 공정에 의해 형성될 수 있다. 상기 기상 증착 공정은 스퍼터링(sputtering) 공정, 증발법(evaporation process) 또는 전기도금법(electroplating)일 수 있다. 상기 금속막은 금속으로 이루어져 상기 제1 금속 산화막 보다 높은 전기 전도성을 가질 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 상기 금속막 상에 제2 금속 산화막이 형성될 수 있다. 상기 제2 금속 산화막은 도 1 내지 3에 개시된 단계들을 수행하여 형성될 수 있다. 또는 상기 제2 금속 산화막은 기상 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 도 1 내지 3에 개시된 단계들을 수행하여 형성된 제1 금속 산화막 상에 제2 금속 산화막이 형성될 수 있다. 상기 제2 금속 산화막은 기상 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.
도 4 및 5를 참조하여, 본 발명의 일 실험예에 따른 금속 산화막 형성방법 및 상기 방법에 의해 형성된 금속 산화막이 설명된다. 또한, 도 6 내지 9를 참조하여, 도 4 및 5에 개시된 방법에 의해 형성된 금속 산화막의 특성이 설명된다.
도 4를 참조하면, 유리 기판(400)이 준비되었다. 이때, 2개의 평행한 알루미늄 전극(420)이 상기 유리 기판(400) 상에 평행하게 배치되었다. 상기 알루미늄 전극(420)은 약 100nm의 두께를 가졌다.
액상의 TIP(Titanium isopropoxide, Sigma-Aldrich, 순도 98%)를 에틸 알코올(ethyl alcohol, 순도 98%)과 혼합하여 10 부피%의 TIP 용액이 준비되었다.
상기 TIP 용액을 일부 취해 상기 유리 기판(400) 상에 스핀 코팅하여 코팅막이 형성되었다. 상기 스핀 코팅은 약 2500rpm 에서 약 30 초간 수행되었다. 상기 코팅막은 상온에서 건조되었다. 이때, TIP가 물과 가수분해하여 상기 유리 기판 상에 티타늄 산화막(TiO2)(430)이 형성되었다. 상기 티타늄 산화막(430)은 약 100nm의 두께를 가졌다.
상기 티타늄 산화막(430)의 투과율(transmittance)이 측정되었다. 상기 투과율은 UV-VIS 스펙트로미터를 이용하여 광흡수도를 측정함으로써 산출되었다. 도 6에 개시된 그래프에 있어서, x 축은 파장이며, y 축은 투과율이다. 도 6을 참조하면, 상기 티타늄 산화막(430)은 가시광선 영역에서 약 95% 의 투과율을 나타내었다.
도 7에 개시된 그래프에 있어서, x 축은 전압이며, y 축은 전류량이다. 도 7을 참조하면, 상기 티타늄 산화막(430)을 이용한 소자에서 전류는 약 4.3V 이상의 전압이 인가되어야 흐르는 것으로 나타났다. 또한, 상기 티타늄 산화막(430)을 이용한 소자에서의 전류량은 전압이 증가할수록 완만한 증가를 보였다.
도 5을 참조하면, 상기 티타늄 산화막(430)에 이온 주입 공정에 의해 이온화된 수소를 도핑하여 도핑된 티타늄 산화막(450)이 형성되었다. 이때, 상기 이온화된 수소는 약 200℃에서 약 3kV의 가속 전압, 약 10mTorr의 압력, 및 약 15W의 플라즈마 파워 조건에서 주입되었다.
상기 도핑된 티타늄 산화막(450)의 투과율(transmittance)이 측정되었다. 도 8에 개시된 그래프에 있어서, x 축은 파장이며, y 축은 투과율이다. 도 8을 참조하면, 상기 도핑된 티타늄 산화막(450)은 가시광선 영역에서 약 75% 의 투과율을 나타내었다.
도 9에 개시된 그래프에 있어서, x 축은 전압이며, y 축은 전류량이다. 도 9를 참조하면, 상기 도핑된 티타늄 산화막을 이용한 소자에서 전류량은 약 0V 를 초과하는 전압이 인가되면 선형적으로 증가하는 것으로 나타났다.
도 6 내지 9를 참조하면, 금속 산화막은 형성 온도, 도핑 여부 및 도핑 온도에 따라 투과율 및 전도성이 제어될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들에 따르면, 금속 산화막의 형성 온도 및 도핑 조건을 제어하여 원하는 특성의 금속 산화막이 형성될 수 있다.
도 10을 참조하여, 본 발명의 일 실험예에 따른 복수의 층을 포함하는 금속 산화막 형성방법 및 상기 방법에 의해 형성된 금속 산화막이 설명된다.
도 10을 참조하면, 도 4 및 5에서 설명된 동일한 공정에 의해 제1 도핑된 티타늄 산화막(550)이 유리 기판(500) 상에 형성되었다. 상기 제1 도핑된 티타늄 산화막(550)은 약 10kΩ/sq (비저항으로 약 0.1Ωcm)의 저항값을 가졌다.
은(Ag)을 진공 증착시켜 상기 제1 도핑된 티타늄 산화막(550) 상에 약 10nm의 금속막(560)이 형성되었다.
상기 금속막(560) 상에 상기 제1 도핑된 티타늄 산화막(550)과 동일한 공정에 의해 제2 도핑된 티타늄 산화막(570)이 형성되었다.
상기 제1 도핑된 티타늄 산화막(550), 상기 금속막(560) 및 상기 제2 도핑된 티타늄 산화막(570)을 포함하는 복층의 금속 산화막(580)은 수 kΩ/sq 의 저항값을 가졌다. 이에 따르면, 그 내부에 얇은 금속막을 포함하도록 복층의 금속 산화막을 형성하여 금속 산화막의 전기 전도성이 제어될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하고 설명하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 전술한 바와 같이 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있으며, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
400, 500 : 유리 기판 420 : 알루미늄 전극
430 : 티타늄 산화막 450 : 도핑된 티타늄 산화막
550 : 제1 도핑된 티타늄 산화막 560 : 금속막
570 : 제2 도핑된 티타늄 산화막 580 : 복층의 금속 산화막

Claims (15)

  1. 금속 전구체를 포함하는 코팅 용액을 이용하여 기판 상에 금속 산화막을 형성하는 단계; 및
    상기 금속 산화막의 전기 전도성을 제어하는 단계를 포함하는 금속 산화막 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 코팅 용액은 나노입자를 더 포함하고,
    상기 금속 산화막의 상기 전기 전도성을 제어하는 단계는,
    상기 코팅 용액 내의 상기 금속 전구체 및 상기 나노 입자의 함량을 조절하여 수행되는 금속 산화막 형성방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 나노 입자는 금속입자인 금속 산화막 형성방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 산화막의 상기 전기 전도성을 제어하는 단계는,
    상기 코팅 용액 내의 상기 금속 전구체의 함량을 조절하여 수행되는 금속 산화막 형성방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 산화막을 형성하는 단계는,
    상기 코팅 용액을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 상기 코팅 용액을 제공하여 상기 기판 상에 코팅층을 형성하는 단계; 및
    상기 코팅층을 건조하는 단계를 포함하되,
    상기 금속 산화막의 상기 전기 전도성을 제어하는 단계는,
    상기 코팅층에 불순물을 도핑하는 단계를 포함하는 금속 산화막 형성방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 불순물을 도핑하는 단계는,
    이온 주입 공정을 포함하는 금속 산화막 형성방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 불순물은 수소, 불소, 질소, 인, 비소 및 붕소 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 산화막 형성방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 코팅층을 형성하는 단계는,
    잉크젯 프린팅, 스핀 코팅 또는 스크린 프린팅에 의해 수행되는 금속 산화막 형성방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 불순물을 도핑하는 단계는,
    온도 조절 단계를 포함하는 금속 산화막 형성방법.
  10. 제 5 항에 있어서,
    상기 코팅층을 초음파 또는 전자기파로 처리하는 단계를 더 포함하는 금속 산화막 형성방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 산화막은 주석 산화물, 인듐 산화물, 티타늄 산화물, 아연 산화물 및 텅스텐 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 산화막 형성방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 전구체는 금속 알콕사이드 및 금속 할라이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 산화막 형성방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 전구체는 주석, 인듐, 티타늄, 아연 및 텅스텐 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 산화막 형성방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 코팅 용액은 반응제를 더 포함하고,
    상기 반응제는 산, 염기 및 계면 활성제 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 산화막 형성방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 산화막은 복수의 층을 포함하는 금속 산화막 형성방법.
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