KR20120098395A - 태양전지의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

태양전지의 제조방법 및 그에 사용되는 진공 증착 설비가 제공된다. 그의 제조방법은, 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계와, 상기 하부 전극 상에 광 흡수 층을 형성하는 단계와, 상기 광 흡수 층 상에 버퍼 층을 형성하는 단계와, 상기 버퍼 층 상에 윈도우 전극 층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 버퍼 층의 형성 단계는, 양이온 금속 물질을 형성하는 증착 공정과, 상기 양이온 금속 물질 내에 음이온 비 금속 물질을 확산시키는 확산 공정을 포함할 수 있다.

Description

태양전지의 제조방법{method for manufacturing solar cell and vacuum deposition equipment used the same}
본 발명은 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 진공 증착 방법으로 형성된 버퍼 층을 갖는 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
최근 많은 관심을 모으고 있는 CIGS 박막 태양전지는 비정질 실리콘 태양전지에 비해 효율이 높고, 초기 열화현상이 없는 등 비교적 안정성이 높아 상용화를 위한 기술개발이 진행 중에 있다. CIGS 박막 태양전지는 기존의 단결정 실리콘 태양전지를 대체할 수 있는 우주용의 경량 고효율 태양전지로 처음 연구되었을 때만큼 우수한 특성을 가지고 있어서 단위 중량당의 발전량이 약 100W/kg으로 기존의 실리콘이나 GaAs 태양전지의 20~40W/kg에 비해 월등히 우수하다. 현재 단일 접합구조에서 20.3%를 달성하고 있어 기존의 다결정 실리콘 태양전지의 최고효율인 20%와 대등한 성능을 보이고 있다.
이러한 장점에도 불구하고, CIGS 박막 태양전지는 생산성이 낮은 편이다. 그 이유로는 CIGS 태양전지의 연속적인 생산에 적합한 기술이 없고 생산자의 손이 많이 가는 배치 프로세싱을 이용하기 때문에 높은 비용과 낮은 생산성을 가지는 문제점이 있다. 이러한 문제점의 주된 이유로 버퍼 층을 습식으로 제작하는 것이다. 습식 공정은 비교적 간단해 보이기는 하지만 진공공정과 연속성을 가지기가 거의 불가능하여 공정이 복잡해지고 높은 폐기물 처리비가 발생하는 문제점이 있다. 따라서, CIGS 태양전지의 상용화를 위해 버퍼 층 형성을 위한 습식 공정을 대체하고 대면적으로 연속공정이 가능한 버퍼 층 진공 증착 기술이 요구되고 있다.
또한, 종래의 버퍼층은 스퍼터링 방법 또는 동시 증발 방법으로 형성될 수도 있다. 그러나, 스퍼터링 방법은 버퍼층 물질로 주로 사용되는 황화 카드뮴(CdS), 황화 아연(ZnS) 또는 황화 인듐(In2S3) 등의 물질을 타겟으로 만들어 스퍼터링할 때 스퍼터링 플라즈마 발생시 타겟에 전해지는 열로 인하여 불균일한 스퍼터링이 발생한다. 그 이유는 황(S)과 다른 금속 물질(Cd, Zn, 또는 In)의 열전도도가 서로 다르기 때문이다. 이로 인하여 공정시 재연성이 떨어지는 심각한 문제가 발생한다. 동시 증발 방법으로 종래의 버퍼층을 형성할 경우에는 금속 물질을 1200도 이상의 고온에서 증발시켜야 하기 때문에 대면적화를 위한 대량의 원료를 넓은 면적에 공급하는 것이 어려워 양산성이 떨어지는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 양이온 물질과 음이온 물질의 균일한 혼합비를 갖는 버퍼 층을 형성하는 태양전지의 제조방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 태양전지의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은, 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에 광 흡수 층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수 층 상에 버퍼 층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼 층 상에 윈도우 전극 층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 버퍼 층의 형성 단계는, 양이온 금속 물질을 형성하는 증착 공정과, 상기 양이온 금속 물질 내에 음이온 비 금속 물질을 확산시키는 확산 공정을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 확산 공정 전에 상기 음이온 비 금속 물질을 비상시키는 제 1 열처리 공정과, 상기 제 1 열처리 공정보다 높은 온도에서 상기 음이온 비 금속 물질을 원자 또는 분자로 열분해 하는 제 2 열처리 공정을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제 1 열처리 공정은 200도 내지 300도에서 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제 2 열처리 공정은 800도 내지 900도에서 수행될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 확산공정은, 상기 음이온 비 금속 물질을 상기 양이온 금속 물질에 노출 및 확산시키는 제 3 열처리 공정을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 3 열처리 공정은 200도 내지 300도에서 수행될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 양이온 금속 물질은 아연, 인듐, 카드뮴, 또는 주석 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 음이온 비 금속 물질은 황일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 버퍼 층은 약 50나노미터 이하의 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은, 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에 광 흡수 층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수 층 상에 버퍼 층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼 층 상에 윈도우 전극 층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 버퍼 층은, 음이온 비 금속 물질을 분위기 가스로 사용한 양이온 금속 물질의 진공 증착 방법에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 진공 증착 방법은, 상기 양이온 금속을 형성하는 스퍼터링 공정과, 상기 양이온 금속 내에 상기 음이온 비 금속 물질을 확산시키는 확산 공정을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 확산 공정 전에 상기 음이온 비 금속 물질을 비상시키는 제 1 열처리 공정과 상기 제 1 열처리 공정보다 높은 온도에서 상기 음이온 비 금속 물질을 원자 또는 분자로 분해하는 제 2 열처리 공정을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제 1 열처리 공정은 200도 내지 300도에서 수행될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제 2 열처리 공정은 800도 내지 900도에서 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 확산 공정은 상기 음이온 비 금속 물질을 상기 양이온 금속 물질에 노출 및 확산시키는 제 3 열처리 공정을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제 3 열처리 공정은 200도 내지 300도에서 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 양이온 금속 물질은 아연, 인듐, 카드뮴, 또는 주석 중 적어도 하나를 포함 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 음이온 비 금속 물질은 황일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 광 흡수 층과 윈도우 전극 층 사이의 버퍼 층을 진공 증착 방법으로 형성할 수 있다. 진공 증착 방법은 양이온의 금속 물질의 증착 공정과, 상기 양이온의 금속 물질 내에 음이온의 비 금속 물질을 확산시키는 확산 공정을 포함할 수 있다. 음이온 비금속 물질은 제 1 열처리 공정으로 가스 형태로 비상될 수 있다. 또한, 음이온 비금속 물질은 제 2 열처리 공정으로 원자 또는 분자로 열 분해될 수 있다. 또한, 음이온 비금속 물질은 제 3 열처리 공정으로 기판 상에 증착되는 금속 층 내에 확산될 수 있다. 버퍼 층은 양이온의 금속 물질 내에 음이온 비 금속 물질이 확산된 황화물이다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양전지를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 순차적으로 나타낸 플로우 챠트이다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도들이다.
도 8은 도 1의 버퍼 층을 형성하는 진공 증착 설비를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 버퍼층에 대한 결정성 데이터이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예들은 그것의 상보적인 실시예들도 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소는 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양전지를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 태양전지는 기판(10) 상의 광 흡수 층(30)과 윈도우 전극 층(50) 사이에 형성된 버퍼 층(40)을 포함할 수 있다. 버퍼 층(40)은 황화 아연, 황화 인듐, 황화 카드뮴, 또는 황화 주석 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 버퍼 층(40)은 광 흡수 층(30)과 윈도우 전극 층(50) 사이의 에너지 밴드 갭 차이를 완화시킬 수 있다. 버퍼 층(40)은 약 50㎚이하의 두께를 가질 수 있다.
광 흡수 층(30)은 광전효과를 통해 빛 에너지로부터 전기를 생성시킬 수 있다. 광 흡수 층(30)은 CuInSe, CuInSe2, CuInGaSe, CuInGaSe2으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 캘코파이라이트(chalcopyrite)계 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 캘코파이라이트계 화합물 반도체는 P형의 반도체로서, 약 1.2eV정도의 에너지 밴드갭을 가질 수 있다.
윈도우 전극 층(50)은 N형의 투명 금속 층으로서, 산화 인듐 주석(ITO) 또는 산화 아연을 포함할 수 있다. 윈도우 전극 층(50)에 대향되는 광 흡수 층(30)의 아래에는 하부 전극 층(20)이 배치될 수 있다. 하부 전극 층(20)은 비저항이 낮으며, 열팽창계수의 차이로 인하여 박리현상이 일어나지 않도록 유리 기판에 대한 점착성이 우수한 것이 바람직하다. 구체적으로, 하부 전극(20)은 몰리브데늄(Molybdenum)과 같은 불투명 금속 층을 포함할 수 있다. 따라서, 기판(10) 상의 하부 전극 층(20) 내지 윈도우 전극 층(50)은 모두 진공 증착 방법으로 형성된 에피 층일 수 있다. 기판(10)은 소다회 유리(sodalime glass) 기판, 또는 플렉시블 기판일 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 순차적으로 나타낸 플로우 챠트이다. 도 3 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도들이다. 도 8은 도 1의 버퍼 층을 형성하는 진공 증착 설비를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 기판(10) 상에 하부 전극 층(20)을 형성한다(S10). 하부 전극 층(20)은 스퍼터링(sputtering) 방법 또는 이베포레이션(evaporation)과 같은 진공증착 방법에 의해 형성된 몰리브데늄(Molybdenum)을 포함할 수 있다. 몰리브데늄은 높은 전기전도도, 다른 박막과의 오믹 접합(ohmic contact) 형성 특성, 셀레늄(Se) 분위기 하에서 고온 안정성을 가질 수 있다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 하부 전극 층(20) 상에 광 흡수 층(30)을 형성한다(S20). 광 흡수 층(30)은 스퍼터링 방법 및 동시 증착법과 같은 진공 증착 방법에 의해 형성될 수 있다. 광 흡수 층(30)은 CuInSe, CuInSe2, CuInGaSe, CuInGaSe2으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 캘코파이라이트(chalcopyrite)계 화합물 반도체를 포함할 수 있다.
도 2 및 도 5를 참조하면, 진공 증착 방법으로 버퍼 층(40)을 형성한다(S30). 버퍼 층(40)은 윈도우 전극 층(50)과 광 흡수 층(30)의 에너지 밴드갭을 버퍼링할 수 있다. 버퍼 층(40)은 광 흡수 층(30)보다 에너지 밴드 갭이 크고, 윈도우 전극 층(50)보다 에너지 밴드갭이 작을 수 있다. 예를 들어, 버퍼 층(40)은 황화 아연, 황화 카드뮴, 황화 인듐, 황화 주석 중 적어도 하나의 황화물을 포함할 수 있다. 금속 황화물은 황과 그보다 전기적으로 양성인 금속 원자와의 화합물로 정의된다. 금속 성분은 스퍼터링 방법과 같은 물리 기상 증착 방법에 의해 형성될 수 있다. 전기적으로 음성인 비금속 성분의 황은 열처리 공정에 의해 금속 내에서 확산(diffusion)될 수 있다. 황은 하부 전극 층(20) 상에 증착된 금속 내에 확산될 수 있다. 또한, 황은 금속 성분의 진공 증착 시 분위기 가스로 작용될 수 있다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 진공 증착 설비(70)는 챔버(72)와, 캐소드(74)와, 서셉터(78)와, 음이온 가스 공급부(80)와, 음이온 분자 열 분해 유닛(82)을 포함할 수 있다. 캐소드(74)는 타깃(76)에서 금속 성분을 스퍼터링 시키기 위해 외부로부터 고주파 파워가 인가될 수 있다. 타깃(76)은 양이온 금속물질의 스퍼터링 소스이다. 캐소드(74)는 스퍼터 건이 될 수 있다. 고주파 파워는 타깃(74) 주변에서 불활성 기체의 플라즈마 반응을 유도할 수 있다.
음이온 가스 공급부(80)는 챔버(10)에 음이온 성분의 황 가스를 공급할 수 있다. 황은 제 1 열처리 공정에 의해 가스 형태로 비상될 수 있다. 예를 들어, 음이온 가스 공급부(80)는 황을 약 200℃ 내지 약 300℃로 가열하는 제 1 히터를 포함할 수 있다.
음이온 분자 열 분해 유닛(82)은 황 가스를 원자 또는 분자 상태로 분해시킬 수 있다. 음이온 분자 열 분해 유닛(82)은 황 가스를 약 800℃ 내지 900℃까지 가열시킬 수 있다. 따라서, 음이온 분자 열 분해 유닛(82)은 황 가스의 제 2 열처리 공정을 수행하는 제 2 히터를 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 열처리 공정과 제 2 열처리 공정은 황의 증착 전 예비 공정이 될 수 있다.
서셉터(78)는 기판(10)을 지지할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(10)은 서셉터(78)에 의해 약 200℃에서 약 300℃까지 가열될 수 있다. 이때, 황은 금속 박막 내에서 균일하게 확산될 수 있다. 서셉터(78)는 급속 열처리 공정을 수행하는 제 3 히터를 포함할 수 있다. 따라서, 진공 증착 설비는 금속 층 내에 황이 확산된 버퍼 층(40)을 형성할 수 있다.
도 9는 도 8과 같은 장치를 이용하여 도 2 및 도 5의 공정을 통해 광 흡수 층(30) 위에 황화 아연(ZnS) 버퍼 층(40)을 형성한 시료에 대한 결정성 데이타이다. 광흡수층/전도성 금속 층/기판 구조(90)에서는 광흡수층(30)인 CIGS와 하부 전극 층(20)인 몰리브데늄(Mo)에 대한 피크들만 나타난다. 그러나, 상기 방법에 의해 제작된 버퍼층(40)이 형성된 버퍼층/광흡수층/ 전도성 금속 층/기판 구조(100)에서는 버퍼층(40)으로 사용된 황화 아연에 대한 결정 정보가 나타나는 것으로 보아 버퍼층(40)이 잘 형성된 것을 알 수 있다. 여기서, 가로 축은 XRD 분석 장치에서 빔의 회절 각도이고, 세로 축은 회절 빔의 세기를 나타낸다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 생산 수율 및 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있다.
도 2 및 도 6을 참조하면, 버퍼 층(40) 상에 윈도우 전극 층(50)을 형성한다. 윈도우 전극 층(50)은 진공 증착 방법으로 형성된 산화 인듐 주석 또는 산화 아연을 포함할 수 있다. 또한, 윈도우 전극 층(50)은 제 1 금속 산화물 층, 금속 층, 및 제 2 금속 산화물 층을 포함할 수 있다. 윈도우 전극 층(50)은 물리 기상증착 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 윈도우 전극 층(50)은 약 70㎚ 내지 약 1.0㎛ 정도의 두께를 가질 수 있다.
도 2 및 도 7을 참조하면, 윈도우 전극들(50) 상에 그리드(60)를 형성한다. 그리드(60)는 윈도우 전극들(40)에 전기적으로 접촉된(contact) 금, 은, 알루미늄, 인듐과 같은 적어도 하나의 금속 층을 포함할 수 있다. 그리드(60)는 금속 메시(mesh)를 포함할 수 있다.
결국, 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 하부 전극 층(20)에서부터 윈도우 전극 층(50)까지 동일한 진공 증착 방법으로 형성할 수 있기 때문에 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니며, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 기판 20: 전도성 금속 층
30: 광 흡수 층 40: 버퍼 층
50: 윈도우 전극 60: 그리드
70: 진공 증착 설비 80: 음이온 공급부
90: 광흡수층/전도성 금속 층/기판 구조에서의 결정 데이터
100: 버퍼 층/광흡수층/전도성 금속 층/기판 구조에서의 결정 데이터

Claims (18)

  1. 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;
    상기 하부 전극 상에 광 흡수 층을 형성하는 단계;
    상기 광 흡수 층 상에 버퍼 층을 형성하는 단계; 및
    상기 버퍼 층 상에 윈도우 전극 층을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 버퍼 층의 형성 단계는, 양이온 금속 물질을 형성하는 증착 공정과, 상기 양이온 금속 물질 내에 음이온 비 금속 물질을 확산시키는 확산 공정을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 확산 공정 전에 상기 음이온 비 금속 물질을 비상시키는 제 1 열처리 공정과, 상기 제 1 열처리 공정보다 높은 온도에서 상기 음이온 비 금속 물질을 원자 또는 분자로 열분해 하는 제 2 열처리 공정을 더 포함하는 태양전지의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 열처리 공정은 200도 내지 300도에서 수행되는 태양전지의 제조방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 열처리 공정은 800도 내지 900도에서 수행되는 태양전지의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 확산공정은,
    상기 음이온 비 금속 물질을 상기 양이온 금속 물질에 노출 및 확산시키는 제 3 열처리 공정을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    제 3 열처리 공정은 200도 내지 300도에서 수행되는 태양전지의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 양이온 금속 물질은 아연, 인듐, 카드뮴, 또는 주석 중 적어도 하나를 포함하는 태양전지의 제조방법.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 음이온 비 금속 물질은 황인 태양전지의 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼 층은 약 50나노미터 이하의 두께를 갖는 태양전지의 제조방법.
  10. 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;
    상기 하부 전극 상에 광 흡수 층을 형성하는 단계;
    상기 광 흡수 층 상에 버퍼 층을 형성하는 단계; 및
    상기 버퍼 층 상에 윈도우 전극 층을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 버퍼 층은, 음이온 비 금속 물질을 분위기 가스로 사용한 양이온 금속 물질의 진공 증착 방법에 의해 형성되는 태양전지의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 진공 증착 방법은, 상기 양이온 금속을 형성하는 스퍼터링 공정과, 상기 양이온 금속 내에 상기 음이온 비 금속 물질을 확산시키는 확산 공정을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 확산 공정 전에 상기 음이온 비 금속 물질을 비상시키는 제 1 열처리 공정과 상기 제 1 열처리 공정보다 높은 온도에서 상기 음이온 비 금속 물질을 원자 또는 분자로 분해하는 제 2 열처리 공정을 더 포함하는 태양전지의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 열처리 공정은 200도 내지 300도에서 수행되는 태양전지의 제조방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 열처리 공정은 800도 내지 900도에서 수행되는 태양전지의 제조방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 확산 공정은 상기 음이온 비 금속 물질을 상기 양이온 금속 물질에 노출 및 확산시키는 제 3 열처리 공정을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    제 3 열처리 공정은 200도 내지 300도에서 수행되는 태양전지의 제조방법.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 양이온 금속 물질은 아연, 인듐, 카드뮴, 또는 주석 중 적어도 하나를 포함하는 태양전지의 제조방법.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 음이온 비 금속 물질은 황인 태양전지의 제조방법.
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