KR20120094874A - 소자용 봉지구조체 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소자 봉지용 봉지구조체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반응물질로 실란 화합물과 질소 함유 가스를 저온에서 증착시켜 형성된 유동성 산화물 박막으로 유기층의 핀홀을 채움으로써 기존 ALD 증착법 보다 증착속도 향상으로 인한 생산속도가 개선되고, 낮은 온도에서 증착 공정이 가능하여 소자의 손상 정도를 현저히 줄일 수 있다. 특히, 벤딩 시 막 깨짐 현상이 개선되어 플렉시블 디스플레이 적용에 유리한 발광 소자를 개발할 수 있다.

Description

소자용 봉지구조체 및 이의 제조방법{ENCAPSULATED STRUCTURE FOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 소자용 봉지구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
플렉서블 디스플레이(flexible display)는 신성장동력의 차세대 유망 디스플레이로서 유비쿼터스 환경에 부응하여 향후 급격한 수요 창출이 예상되고 있으며, 그 동안 많은 연구가 이루어져 왔으나, 안정성, 성능, 공정 적합성을 모두 만족하는 능동구동소자(TFT) 소자 개발 및 플라스틱용 고효율, 장수명의 OLED 개발이 이루어지 못해 본격적인 시장 형성이 지연되고 있는 상황이다.
플렉서블 디스플레이는 기존 디스플레이 대비하여 초슬림화와 깨지지 않는 디스플레이, 또한 디자인의 변형이 자유로운 디스플레이 구현의 장점이 있어 기존에 존재하는 디스플레이 시장을 대체할 수 있는 가능성이 많다.
플렉서블 디스플레이에 적용 가능한 OLED는 발광층과 정공(hole) 주입층/전자주입층으로 이루어지는 다층 유기 박막을 기판상의 한 쌍의 전극 사이에 개재시켜 형성된다. 상기 OLED는 발광층 안으로 주입된 전자들과 정공들이 재결합할 때 발생되는 발광현상을 이용한다.
상기 OLED의 발광층의 재료로서 형광성 유기물은 수분 및 산소 등에 약하며, 발광층이 손상되거나 또는 금속 층의 산화가 발생할 수 있다. 그 결과, 종래의 OLED가 대기 중에서 구동되면, 그 발광 특성들은 급격히 열화된다. 따라서, OLED의 내부에 수분이나 산소 등이 들어가지 못하도록 소자를 봉지하여 수명을 연장시킬 필요가 있다. 이러한 OLED의 박막형 봉지재는 고분자층과 무기배리어(barrier)층이 교대로 위치하는 봉지구조를 가지는 것이 일반적이다. 상기 무기배리어층은 수분 및 가스의 침투를 막기 위한 차단층으로 사용되나, 벤딩 시 미세 크랙이나 핀 홀이 발생하는 문제가 있다.
상기 핀 홀을 채우는 방법으로는 Barix Sputter기술과, ALD(Atomic layer deposition)를 이용한 방법이 있다[특허문헌 1~3]. 이는 유기 박막과 무기 박막을 교대로 적층하여 유기물만으로 구성된 필름의 문제인 핀홀을 최소화하고, 무기물만으로 구성된 필름의 문제점인 유연성을 확보하는 기술이다. 특히, ALD 기술은 물의 투과를 방지하는 배리어막 기술이다. 하지만 낮은 증착속도(0.5 ~ 3 Å/cycle)와 상대적으로 높은 증착온도(80 ℃ 이상)에 의하여 생산성과 실제 소자에의 적용 등에 있어 아직 해결해야 할 문제점을 가지고 있다.
미국 특허 제6.866.901호 미국 특허 제7.198.832호 미국 특허 제7.510.913호
이에, 본 발명자는 유동성 산화물(F-Oxide) 박막이 ALD를 대체할 무기층으로서 낮은 공정 온도에서 진행하기 때문에 열에 의한 소자의 직접적인 영향을 낮출 수 있을 뿐만 아니라. 높은 증착속도를 갖기 때문에 생산성을 높일 수 있음을 확인하였다.
따라서, 본 발명은 플렉시블 디스플레이 적용에 유리한 유동성 산화물 박막을 포함하는 소자용 봉지구조체 및 이의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명은
소자가 형성된 기판 상에 유기층 및 무기층이 형성된 봉지층을 포함하는 소자용 봉지구조체에 있어서, 상기 무기층은 유동성 산화물 박막인 소자용 봉지구조체를 제공한다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 수단으로서, 본 발명은
소자가 형성된 기판 상에 유기층을 형성시키는 단계; 및
상기 유기층 상에 유동성 산화물 박막을 형성시키는 단계
를 포함하는 소자용 봉지구조체의 제조방법을 제공한다.
상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 본 발명은
상기 봉지구조체를 포함하는 플렉시블 디스플레이(flexible display)를 제공한다.
상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 본 발명은
기판 상에 봉지층이 형성되어 있고 상기 봉지층에서 생긴 갭에 실란계 화합물과 질소 함유 가스를 저온 증착하여 유동성 산화물 박막을 형성하는 방법을 제공한다.
본 발명은 저온에서 증착시켜 형성된 유동성 산화물 박막으로 유기층의 핀홀을 채워 증착속도 향상으로 인한 생산속도가 개선되고, 낮은 온도에서 증착 공정이 가능하여 소자의 손상 정도를 현저히 줄일 수 있다. 특히, 벤딩 시 막 깨짐 현상이 개선되어 플렉시블 디스플레이 적용에 유리한 발광 소자를 제작할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따라 유동성 산화물로 증착시켜 핀홀을 채우는 과정을 나타낸 것이다[노란색: 유동성 산화물 박막, 파란색: 유기층].
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 OELD용 봉지구조체를 나타낸 것이다[화살표: 벤딩 표시].
도 3은 기존 ALD법으로 핀홀을 채우는 과정을 나타낸 것이다.
도 4는 기존 ALD법으로 봉지된 OELD용 봉지구조체를 나타낸 것이다[화살표: 벤딩 표시].
도 5는 본 발명에 따라 유동성 산화물 박막으로 증착된 봉지구조체의 벤딩 테스트 전 후 모식도이다 [유동성 산화물 박막은 핀 홀 발생 시 핀홀을 채울 수 있으며, 이로 인해 벤딩 시 클랙이 생기지 않음].
도 6은 기존 ALD법으로 증착된 봉지구조체의 벤딩 테스트 전 후 모식도이다 [ALD막은 핀 홀 발생 시 핀홀을 채울 수 없으며, 이로 인해 벤딩 시 크랙이 발생함].
도 7은 본 발명에 따라 제조된 봉지구조체에 대한 갭 필 이미지를 나타낸 것이다.
도 8은 Ca의 전기적 특성 변화를 확인하기 위한 Ca device의 모식도이다.
도 9는 본 발명에 따라 제조된 봉지구조체에 대한 수분 투습도 결과를 나타낸 것이다.
도 10은 본 발명에 따라 제조된 봉지구조체의 벤딩 시험 전 후에 대한 수분 투습도 결과를 나타낸 것이다..
도 11은 ALD법으로 제조된 봉지구조체의 벤딩 시험 전 후에 대한 수분 투습도 결과를 나타낸 것이다
이와 같은 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 소자가 형성된 기판 상에 유기층 및 무기층이 형성된 봉지층을 포함하는 봉지구조체에 있어서, 상기 무기층은 유동성 산화물 박막인 소자용 봉지구조체에 관한 것이다.
상기 기판은 실리콘 웨이퍼, 유리 기판 또는 플라스틱 기판 등이 사용될 수 있다. 상기 플라스틱 기판으로는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트 등의 폴리알킬렌 테레프탈레이트; 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리알킬렌 나프탈레이트; 폴리카보네이트; 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀; 폴리부텐; 폴리부타디엔; 폴리메틸펜텐 등의 폴리알킬펜텐; 폴리비닐클로라이드; 트리아세틸셀룰로오스; 폴리에테르술폰; 폴리우레탄; 폴리에틸렌 비닐 아세테이트 등의 폴리알킬렌 비닐 아세테이트; 이오노머 수지; 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체 등의 알킬렌-(메타)아크릴산 공중합체; 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 공중합체 등의 알킬렌-(메타)아크릴산 에스테르 공중합체; 폴리스티렌; 폴리이미드; 폴리아미드; 폴리아미드이미드; 플루오로 수지; 이들의 공중합체; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 수지로 제조될 수 있다.
상기 소자는 발광 소자가 바람직하며, OELD가 더욱 바람직하나, 이에 제한되지 않는다.
일반적으로 소자가 형성된 기판은 기판, 음극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층 역할을 하는 전자수송층 및 양극이 순차로 적층된 구조를 의미한다.
상기 무기층을 구성하는 유동성 산화물 박막은 반응물질로 수소를 포함하는 실리콘 전구체와 질소 함유 가스를 저온에서 증착시켜 형성되며, 상기 수소를 포함하는 실리콘 전구체로는 실란계 화합물로서, 구체적으로 테트라메톡시실록산(TMOS), 디클로로디에톡시실록산(DCDES), 비스(디에틸아미노)실란, 트리(디메틸아미노)클로로실란, 트리메톡시실록산(TRIMOS), 옥타클로로트리실록산(OCTS), 헥사메톡시디실라족산(HMDS-H), 1,4-디옥사-2,3,5,6-테트라실라사이클로렉산, 1,1,2,2-테트라에톡시-1,2-디메틸디실란, 트리에톡시실록산(TRIED), 옥타메틸-1,4-디옥사-2,3,5,6-테트라실라사이클로헥산, 헥사메틸디실라잔(HMDS), 테트라클로로실란(TECS), 옥타메톡시트리실록산(OMOTS), 클로로트리에톡시실록산(CTES), 테트라키스(디메틸아미노)실란, 헥사클로로디실록산(HCDS), 헥사에톡시디실란, 헥사메톡시디실록산(HMODS), 헥사메톡시디실란, 도데카메톡시사이클로헥사실란, 옥타메톡시도메타실록산(OMODDS), 실라트란(Silatrane), 메틸실라트란, 메틸디에톡실란(MIDES), 모노페닐실란(MPS) 등이 바람직하나, 이에 제한되지 않는다.
상기 질소 함유 가스로는 모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민 등의 아민계 가스가 바람직하나, 이에 제한되지 않는다. 본 발명에 따른 유동성 산화물 박막은 실란 화합물과 질소 함유 가스 라디칼을 저온 증착시켜 형성된 폴리실라잔(polysilazane)의 산화물[SiON] 박막을 의미한다.
상기 유동성 산화물 박막의 두께는 벤딩 시 입자로 인해 발생하는 크랙을 막기 위해서 또는 소자(device) 하부 측면에서 들어오는 물의 침투, 핀 홀(pin hole)을 채우기 위해, 50 nm 내지 3 μm가 바람직하다.
상기 유기층은 일반적으로 소자용 봉지 구조체에 사용되는 것이라면 모두 사용 가능하나, 바람직하기로는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리이미드 및 트리아세틸셀룰로오스로, 폴리디메틸실록산 및 폴리메틸메타아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 고분자층이 적합하다.
상기 봉지구조체의 구성은 일례로 도 2에 도시되어 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 소자가 형성된 기판 상에 배리어층으로 유기층과 유동성 산화물 박막의 무기층을 포함하고 있다. 특히, 유동성 산화물 박막으로 핀홀을 채움으로써 기존 ALD법의 문제점(도 3의 벤딩 시 막 깨짐 발생)을 개선, 즉 벤딩 크랙이 생기는 것을 막을 수 있다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 유동성 산화물 박막을 이용한 봉지구조체에 대하여 WVTR을 측정한 결과, 2.1×10-2 g/m2/day의 값이 확인됨으로써, 수분 침투가 방지되었음을 확인할 수 있다.
본 발명은 또한, 소자가 형성된 기판 상에 유기층을 형성시키는 단계; 및 상기 유기층 상에 유동성 산화물 박막을 형성시키는 단계를 포함하는 소자용 봉지구조체의 제조방법에 관한 것이다.
먼저, 기판, 음극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층 역할을 하는 전자수송층 및 양극이 순차로 적층된 구조를 갖는 일반적인 소자가 형성된 기판 상에 유기층을 형성시킨다. 이때, 유기층은 상기에서 설명한 내용과 동일하다.
다음은 상기 유기층 상에 유동성 산화물 박막을 형성시키는 단계로서, 반응물질로 실란계 화합물과 질소 함유 가스를 저온에서 증착시켜 유동성 산화물 박막을 형성시킨다. 이때, 반응가스는 라디칼 형태로 반응시키는 것이 보다 바람직하다.
상기 증착은 진공 저온 조건 하에서 스핀 코팅 또는 플라즈마 처리로 수행하는 것이 바람직하며, 상기 저온은 5 내지 50 ℃의 온도를 의미하며, 바람직하게는 10 내지 30 ℃가 적합하다. 상기 플라즈마 처리는 Remote-PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)이 가장 바람직하며, 이때 플라즈마는 500 내지 4000 와트가 바람직하다. 또한, 증착속도는 20 내지 150 nm/min 정도가 바람직하다.
본 발명에 따른 봉지구조체는 OLED(유기발광소자), OPV(유기태양전지), QD-LED(양자점-엘이디), QD-Solar Cell(양자점- 태양전지), OTFT(유기 트랜지스터) 등에 적용 가능하다.
또한, 본 발명에 따른 봉지구조체는 벤딩 시에도 막 깨짐 현상이 현저히 감소하므로 플렉시블 디스플레이(flexible display)에 적용 가능하다.
본 발명은 또한, 기판 상에 봉지층이 형성되어 있고 상기 봉지층에서 생긴 갭에 반응물질로 실란계 화합물과 질소 함유 가스를 저온에서 증착시켜 유동성 산화물 박막을 형성하는 방법을 포함한다.
상기 봉지층은 유기층, 무기층, 유기/무기 복합층을 모두 포함할 수 있으며, 상기 갭(gap)은 직경이 5 nm 내지 10 ㎛의 홀을 의미한다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세히 설명한다. 단, 하기의 실시예는 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
참조예 1: OLED 소자 형성
D. H. Lee, Y. P. Liu, K. H. Lee, H. Chae, S. M. Cho, Org . Electron ., 11, 427-433, (2010)을 근거로 하여 다음과 같이 제작하였다.
면저항이 10Ω인 ITO(indium tin oxide)를 사용하였다. ITO glass를 아세톤과 메탄올에 넣어 각각 10분씩 초음파 세척을 하였다. 세척한 ITO glass를 산소 플라즈마를 이용하여 1분간 표면처리를 하였다. 이때, 플라즈마 파워는 150 Watt, 산소와 아르곤의 비율을 1:1 이다. PEDOT:PSS (AI4083) 물질을 4000 rpm에 30초간 스핀 코팅을 하였다. 스핀 코팅한 PEDOT 박막의 한다. annealing 온도는 120 ℃이며, 10분 동안 실시하였다. 녹색 발광 잉크를 2000 rpm에 30초간 스핀 코팅하였다. 이때, 잉크의 물질은 CBP, TPD, PBD과 Ir(ppy)3 이며, 각 물질의 비율(CBP:TPD:PBD:Ir(ppy)3=10:1.5:6:1, weight ratio)이다. 이 잉크를 DCE(1,2-Dichloroethane) 용매 1.5 wt% 로 녹였다. 스핀 코팅한 녹색 발광 박막을 annealing하며, annealing 온도는 80 ℃이며, 10분 동안 실시하였다. 진공도 5Ⅹ10-6Pa 이하에서 LiF 1 nm 두께 증착 후 Al 100 nm 두께로 증착하였다.
실시예 1: 봉지구조체의 제조
상기 참고예 1과 같이 제작된 OLED소자 위에, PDMS 혹은 PMMA를 질소 분위기 하에서 스킨 코팅한 뒤 150 ℃에서 10분간 경화시켜 유기층을 적층시켰다.
상기 유기층을 Remote-PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 반응기 안으로 옮겼다. Remote-PECVD 안에서 plasma power- 2000 watt를 넣어 주어 질소 함유 가스(1250 sccm) 라디칼을 생성시켰다. 상기 Remote-PECVD 안에 실란 화합물(750 sccm)을 투입시켜 질소 함유 라디칼과 실란 화합물을 상온(25℃), 진공 조건 하에서 반응시켜 폴리실라잔(polysilazane)을 제조하였다. 폴리실라잔을 진공 챔버 안에서 500 sccm의 산소를 넣어주고 5분간 반응시켜 유동성있는 폴리실라잔의 산화물(SiON) 형태로 변환시켰다[유동성 산화물 박막 제조].
도 7에 나타낸 바와 같이, 종:횡 비(1:1000)를 갖는 30 nm hole size를 갖는 봉지층의 Gap Fill Image로서, 유동성 산화물 박막이 갭의 하부까지 채워짐을 확인할 수 있다.
실험예 1: 수분 침투 확인
상기 실시에 1에서 형성된 유동성 산화물 박막은 Ca-test를 위해 grove-box 안에 있는 증착기로 옮겼다. 상기 과정은 수분이 8 ppm 정도 존재하는(거의 존재하지 않음) 질소 분위기 하에서 실험하였다.
Barrier 필름 위에 Al 증착을 통한 전극의 형성(150nm 두께, 5 Å/sec). Al전극이 형성된 곳 위에 Ca 증착하였다 (300nm 두께 5 Å/sec)
Ca 이 증착된 측면에 Uv-경화가 가능한 에폭시 수지를 3분간 UV 경화하여 코팅시켰다.
투습도를 측정하기 위하여 항온 항습조 안에서 Ca-Test를 통하여 전기적 특성(전도도 측정 )을 관찰하였다.
Ca는 물과 산소에 쉽게 산화가 CaO 또는 CaOH로 변화되어 전기적 전도성이 감소하게 된다. 이런 원리를 바탕으로 하기 수학식 1에 대입하여 WVTR을 측정할 수 있다[REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS 78, 064701 (2007)].
[수학식 1]
Figure pat00001
박막의 Ca test를 하기 위해서 플라스틱 필름(PEN) 위에 유동성 산화물 받막을 증착하였으며, 에폭시 수지를 이용하여 UV로 경화시켜 주었다[도 8 참조].
150 nm 두께의 유동성 산화물 박막을 증착 후 Ca test(50% 상대습도, 25 ℃)를 한 결과, 30시간 경과 후 2 ×10-2 g/m2 day를 확인하였다. 이로서, 상기 유동성 산화물 박막이 우수한 수분 차단성을 가짐을 확인할 수 있다[도 9 참조].
실험예 2: 벤딩 테스트
상기 실시예 1의 봉지구조체 제조 공정을 이용하여 만든, 다양한 두께(50 ~ 125 nm) 박막의 벤딩 테스트(곡률반경 5 cm에 1000회 Bending Test) 결과, 후 Ca test를 실시하였다.
WVTR의 5% 이내의 작은 변화가 보임을 확인할 수 있었다(기울기로부터 WVTR 결정). 이는 본 발명의 봉지구조체가 Flexible한 수분 차단막으로 사용 가능함을 보여준다[도 10 참조].
반면에, ALD 를 통해 만든 봉지구조체의 벤딩 테스트(곡률반경 5cm, 반복횟수 1000회)를 한 후, Ca test 실시한 결과, 벤딩 횟수가 증가함에 따라 WVTR의 값이 50% 이상 감소함을 확인할 수 있다[도 11 참조]. 이는 수분 차단 효과가 떨어지는 것을 의미한다.
실험예 3: 생산속도 확인
상기 실시예 1에 따른 유동성 산화물 박막의 증착속도는 135 nm/min인 반면에, ALD를 이용하여 제조된 박막의 경우는 1 Å/Cycle의 증착속도(1 cycle당 걸리는 시간은 1 min)로 증착되므로, 본 발명에 따른 유동성 산화물 박막의 생산속도가 월등히 뛰어남을 확인할 수 있다.

Claims (11)

  1. 소자가 형성된 기판 상에 유기층 및 무기층이 형성된 봉지층을 포함하는 소자용 봉지구조체에 있어서,
    상기 무기층은 유동성 산화물 박막인 것을 특징으로 하는 소자용 봉지구조체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유동성 산화물 박막은 실란계 화합물과 질소 함유 가스를 저온에서 증착시켜 형성된 소자용 봉지구조체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 봉지구조체는 OLED(유기발광소자), OPV(유기태양전지), QD-LED(양자점-엘이디), QD-Solar Cell(양자점-태양전지) 또는 OTFT(유기 트랜지스터)에 적용 가능한 소자용 봉지구조체.
  4. 소자가 형성된 기판 상에 유기층을 형성시키는 단계; 및
    상기 유기층 상에 유동성 산화물 박막을 형성시키는 단계
    를 포함하는 소자용 봉지구조체의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 유기층 상에 실란계 화합물과 질소 함유 가스를 저온에서 증착시켜 유동성 산화물 박막을 형성시키는 단계를 포함하는 소자용 봉지구조체의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 증착은 진공에서 수행하는 소자용 봉지구조체.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 저온은 5 내지 50 ℃인 소자용 봉지구조체.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 증착은 스핀 코팅 또는 플라즈마 처리하는 소자용 봉지구조체의 제조방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 증착은 20 ~ 150 nm/min의 증착속도로 수행되는 소자용 봉지구조체의 제조방법.
  10. 제 1 항에 따른 봉지구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이(flexible display).
  11. 기판 상에 봉지층이 형성되어 있고 상기 봉지층에 생긴 갭에 실란계 화합물과 질소 함유 가스를 저온에서 증착시켜 유동성 산화물 박막을 형성하는 방법.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9287524B2 (en) 2013-10-15 2016-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
WO2016183003A1 (en) * 2015-05-14 2016-11-17 Applied Materials, Inc. Encapsulating film stacks for oled applications
WO2017003101A1 (ko) * 2015-07-02 2017-01-05 주식회사 레이크머티리얼즈 유기발광소자 제조방법
US10256424B2 (en) 2016-08-11 2019-04-09 Samsung Display Co., Ltd. Flexible substrate, method of manufacturing the same, and display apparatus employing the same
WO2022155128A1 (en) * 2021-01-12 2022-07-21 Applied Materials, Inc. Cd dependent gap fill and conformal films

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003191370A (ja) 2001-12-26 2003-07-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 水蒸気バリア性プラスチックフィルム及びこれを用いたエレクトロルミネッセンス用ディスプレイ基板
JP5848862B2 (ja) * 2004-06-25 2016-01-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ カプセル化膜の遮水性能の改善

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9287524B2 (en) 2013-10-15 2016-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
WO2016183003A1 (en) * 2015-05-14 2016-11-17 Applied Materials, Inc. Encapsulating film stacks for oled applications
US9847511B2 (en) 2015-05-14 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Encapsulating film stacks for OLED applications
US10158098B2 (en) 2015-05-14 2018-12-18 Applied Materials, Inc. Encapsulating film stacks for OLED applications
WO2017003101A1 (ko) * 2015-07-02 2017-01-05 주식회사 레이크머티리얼즈 유기발광소자 제조방법
US10256424B2 (en) 2016-08-11 2019-04-09 Samsung Display Co., Ltd. Flexible substrate, method of manufacturing the same, and display apparatus employing the same
WO2022155128A1 (en) * 2021-01-12 2022-07-21 Applied Materials, Inc. Cd dependent gap fill and conformal films
US11804372B2 (en) 2021-01-12 2023-10-31 Applied Materials, Inc. CD dependent gap fill and conformal films

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