KR20120090341A - 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치 - Google Patents

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Abstract

전면적에 대하여 균일한 온도가 유지되면서 샤워헤드가 냉각되어 샤워헤드에 파티클이 형성되는 것을 방지하며, 샤워헤드로부터 균일한 분포로 공정가스가 토출되도록 하여 기판 상에 형성되는 결정층이 품질을 향상시킬 수 있는 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치가 개시된다. 본 발명에 따른 샤워헤드는 서로 분리가능하도록 평면 상에서 결합되는 복수의 가스챔버와, 상기 복수의 가스챔버로 분기되어 공정가스를 공급하는 가스공급관과, 상기 복수의 가스챔버 각각에 설치되어 냉매가 순환되는 복수의 냉매순환로와, 상기 냉매를 공급하는 냉매공급관과, 상기 냉매공급관으로부터 분기되어 상기 복수의 냉매순환로에 각각 연통되는 복수의 분기공급관과, 상기 복수의 분기배출관의 관로에 각각 설치되어 상기 냉매의 유량을 측정하는 복수의 유량계를 포함한다.

Description

샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치{Shower head and chemical vapor deposition device having the same}
본 발명은 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 Ⅲ-V족 재료를 이용하여 기판 상에 결정층을 형성하는 데 사용되는 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치에 관한 것이다.
질화물 재료는 발광소자를 제조하기 위한 재료로 가장 잘 알려진 것이다. 질화물 재료를 이용한 발광소자의 적층 구조는 일반적으로 사파이어와 같은 기판 상에 GaN 결정으로 이루어지는 버퍼층과, n형 GaN 결정으로 이루어지는 n형 도핑층과, InGaN 으로 이루어지는 활성층과, p형 GaN으로 형성되는 p형 도핑층이 순차적으로 적층된 구조로 되어 있다. 이러한 각 결정층은 화학기상 증착장치에서 차례로 적층된다.
화학기상 증착장치는 챔버, 챔버로 공정가스를 분사하는 샤워헤드, 샤워헤드에 대향되어 기판을 지지하는 서셉터 및 기판을 가열하는 가열기를 포함한다. 이러한 화학기상 증착장치는 챔버의 내부로 공정가스가 공급되고, 서셉터에 지지되는 기판이 가열됨으로써, 공정가스에 포함되는 원료물질이 기판 표면에서 화학적으로 반응하여 결정층이 형성되도록 한다.
한편, 고온에서 이루어지는 증착공정의 환경에 따라 샤워헤드가 일정 온도 이상으로 과열될 경우, 샤워헤드를 통해서 챔버로 배출되는 공정가스가 샤워헤드에서 반응을 일으켜 샤워헤드에 증착되거나 파티클을 형성할 수 있다. 이러한 현상을 방지하기 위하여, 샤워헤드에는 샤워헤드의 온도를 일정온도 이하로 유지시키는 냉각순환로가 설치된다.
이러한 샤워헤드는 냉각순환로로 냉매를 공급하고, 냉매가 냉각순환로를 따라 순환되도록 구성되어 샤워헤드가 일정온도 이상으로 과열되는 것을 방지한다.
하지만, 냉각순환로로 공급되는 냉매의 유량이 균일하지 못하면, 샤워헤드의 온도 또한 불균일하게 냉각되어 샤워헤드에는 파티클이 형성되는 문제점이 있다. 이러한 문제점은 샤워헤드로부터 분사되는 공정가스의 균일도 또한 확보되지 않아 기판에 증착되는 결정층의 품질이 저하되는 문제점으로 연결될 수 있다.
본 발명의 목적은 전면적에 대하여 균일한 온도로 냉각되도록 한 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 샤워헤드는 서로 분리가능하도록 평면 상에서 결합되는 복수의 가스챔버와, 상기 복수의 가스챔버로 분기되어 공정가스를 공급하는 가스공급관과, 상기 복수의 가스챔버 각각에 설치되어 냉매가 순환되는 복수의 냉매순환로와, 상기 냉매를 공급하는 냉매공급관과, 상기 냉매공급관으로부터 분기되어 상기 복수의 냉매순환로에 각각 연통되는 복수의 분기공급관과, 상기 복수의 분기배출관의 관로에 각각 설치되어 상기 냉매의 유량을 측정하는 복수의 유량계를 포함한다.
상기 유량계는 질량유량계(mass flow meter)일 수 있다.
상기 샤워헤드는 상기 유량계 이후의 상기 복수의 분기배출관의 관로에 각각 설치되어 상기 유량계에 의해 측정되는 결과에 따라 상기 냉매의 유량을 각각 제어하는 복수의 제어밸브를 더 포함할 수 있다.
상기 샤워헤드는 상기 복수의 냉매순환로에 각각 연통되는 복수의 분기배출관과, 상기 복수의 분기배출관이 합류되어 상기 냉매를 배출시키는 냉매배출관을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 내부에 기판이 지지되는 공정챔버와, 상기 공정챔버의 내부로 공정가스를 공급하는 샤워헤드를 포함하며, 상기 샤워헤드는 상기 공정챔버에 지지되며, 서로 분리가능하도록 평면 상에서 결합되는 복수의 가스챔버와, 상기 복수의 가스챔버로 분기되어 상기 공정가스를 공급하는 가스공급관과, 상기 복수의 가스챔버 각각에 설치되어 냉매가 순환되는 복수의 냉매순환로와, 상기 냉매를 공급하는 냉매공급관과, 상기 냉매공급관으로부터 분기되어 상기 복수의 냉매순환로에 각각 연통되는 복수의 분기공급관과, 상기 복수의 분기배출관의 관로에 각각 설치되어 상기 냉매의 유량을 측정하는 복수의 유량계를 포함한다.
상기 유량계는 질량유량계(mass flow meter)일 수 있다.
상기 화학기상 증착장치는 상기 유량계 이후의 상기 복수의 분기배출관의 관로에 각각 설치되어 상기 유량계에 의해 측정되는 결과에 따라 상기 냉매의 유량을 각각 제어하는 복수의 제어밸브를 더 포함할 수 있다.
상기 화학기상 증착장치는 상기 복수의 냉매순환로에 각각 연통되는 복수의 분기배출관과, 상기 복수의 분기배출관이 합류되어 상기 냉매를 배출시키는 냉매배출관을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치는 전면적에 대하여 균일한 온도로 샤워헤드가 냉각되므로, 샤워헤드에 파티클이 형성되는 것을 방지하는 효과가 있다.
본 발명에 따른 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치는 샤워헤드로부터 균일한 분포로 공정가스가 토출되므로, 기판 상에 형성되는 결정층이 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 샤워헤드를 나타낸 구성도이다.
도 3은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 샤워헤드를 나타낸 저면도이다.
이하, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 화학기상 증착장치(100)는 공정챔버(110)를 포함한다. 공정챔버(110)의 상부에는 도시되지 않은 가스공급장치로부터 공급되는 공정가스를 공정챔버(110)의 내부로 분사하는 샤워헤드(200)가 설치된다. 샤워헤드(200)에 대해서는 이후에서 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하도록 한다.
공정챔버(110)의 내부에는 서셉터(120)가 샤워헤드(200)에 대향되게 배치된다. 서셉터(120)의 상부면에는 기판(10)이 수용되는 기판수용홈(121)이 형성된다. 기판수용홈(121)은 복수개의 기판(10)에 동일한 결정층을 함께 형성할 수 있도록 복수개로 형성될 수 있다.
서셉터(120)의 하부에는 서셉터(120)를 지지하고, 서셉터(120)가 회전되도록 하는 회전축(130)이 배치된다. 회전축(130)은 공정챔버(110)의 하부를 관통하고, 도시되지 않은 동력전달장치에 의해 회전모터에 연결되어 회전모터에 의해 회전된다.
이와 같이, 서셉터(120)는 회전가능하게 구성된다. 따라서, 서셉터(120)에 지지되는 복수개의 기판(10)에 증착되는 결정층이 동일한 두께로 형성될 수 있다.
한편, 도시되지 않았지만, 서셉터(120)의 하부에는 기판(10)이 공정가스에 포함되는 원료물질과 원활하게 화학적으로 반응할 수 있도록 서셉터(120)를 가열하는 가열수단이 설치될 수 있다. 또한, 도시되지 않았지만, 공정챔버(110)에는 공정챔버(110)의 진공 분위기가 연출될 수 있도록 배기수단이 설치될 수 있다.
이러한 가열수단 및 배기수단은 이미 공지된 기술이므로, 상세한 설명은 생략하도록 한다.
도 2는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 샤워헤드를 나타낸 구성도이며, 도 3은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 샤워헤드를 나타낸 저면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 샤워헤드(200)는 공정챔버(110)에 지지되는 지지판(210)을 포함한다. 지지판(210)의 하부에는 복수의 가스챔버(220)가 배치된다. 복수의 가스챔버(220)는 지지판(210)의 중앙부를 중심으로 하여 방사형으로 배치될 수 있다. 이러한 복수의 가스챔버(220)는 체결나사(230)에 의해 지지판(210)에 각각 결합된다.
지지판(210)에는 공정가스를 공급하는 가스공급관(240)이 결합되는데, 가스공급관(240)은 각 가스챔버(220)로 공정가스가 공급될 수 있도록 분기되어 각 가스챔버(220)에 연결된다.
각 가스챔버(220)에는 공정챔버(110) 내부를 향해 개방되는 복수개의 토출관(250)이 각각 결합된다. 복수개의 토출관(250)은 가스챔버(220)와 복수개의 토출관(250)의 사이로 공정가스가 누출되는 것이 방지되도록 브레이징 결합된다.
또한, 지지판(210)과 복수의 가스챔버(220)의 사이에는 오-링과 같은 실링부재(260)가 각각 설치된다. 실링부재(260)는 지지판(210)과 가스챔버(220)의 사이로 공정가스가 누출되는 것을 방지한다.
한편, 각 가스챔버(220)의 하부에는 냉매순환로(270)가 형성된다. 냉매순환로(270)는 각 가스챔버(220)의 하부벽에 냉각용 배관을 설치함으로써 구현될 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치(100)는 냉매를 공급하는 냉매공급관(280)과, 냉매를 배출하는 냉매배출관(290)을 포함한다.
냉매순환로(270)와 냉매공급관(280)의 사이에는 각 가스챔버(220)로 냉매가 공급될 수 있도록 냉매공급관(280)으로부터 분기되며, 각 가스챔버(220)에 연결되는 복수의 분기공급관(281)이 연결된다.
각 분기공급관(281)의 관로에는 각각 유량계(282)가 설치된다. 유량계(282)는 각 분기공급관(281)을 따라 흐르는 냉매의 유량을 측정한다. 이러한 유량계(282)로는 질량유량계(mass flow meter)를 사용할 수 있다.
유량계(282) 이후의 분기공급관(281)의 관로에는 제어밸브(283)가 설치된다. 제어밸브(283)는 유량계(282)에 의해 측정되는 냉매의 유량측정 결과에 따라 각 분기공급관(281)을 따라 흐르는 각 냉매의 유량을 제어하여 각 냉매순환로(270)로 공급되는 냉매가 균일하게 공급되도록 한다.
이와 같이, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치(100)는 샤워헤드(200)가 전면적에 대하여 균일한 온도분포로 냉각될 수 있으므로, 샤워헤드(200)의 내부에 파티클이 형성되는 것이 방지되며, 공정가스가 균일한 분포로 공정챔버(110)의 내부로 분사될 수 있다.
한편, 냉매배출관(290)은 각 냉매순환로(270)에 연결되는 복수의 분기배출관(291)이 합류되도록 구성되어 냉매순환로(270)를 따라 순환되는 냉매가 외부로 배출될 수 있도록 한다.
이하, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 작동에 대해 설명하도록 한다.
도 1을 참조하면, 기판(10)은 공정챔버(110)의 내부로 반입되어 서셉터(120)에 지지된다. 이때, 한번의 증착공정으로 복수개의 기판(10)에 동일한 결정층을 형성할 수 있도록, 서셉터(120)에는 복수개의 기판(10)이 함께 지지될 수 있다. 이와 같이 서셉터(120)에 기판(10)이 안착되면 공정챔버(110)는 밀폐된다.
이어, 도시되지 않은 배기펌프에 의해 공정챔버(110)의 배기가 수행되어 공정챔버(110)의 내부는 진공분위기가 연출된다.
이어, 기판(10)이 공정가스에 포함되는 원료물질과 화학적으로 반응할 수 있는 온도에 도달할 수 있도록 가열기(미도시)는 서셉터(120)를 가열한다. 이와 함께, 회전축(130)이 회전됨에 따라 서셉터(120)는 회전축(130)과 함께 회전된다.
이어, 샤워헤드(200)를 통해 공정챔버(110)의 내부로 공정가스가 공급된다.공정가스는 가스공급관(240)을 통해 복수의 가스챔버(220)로 각각 분기되어 각 가스챔버(220)로 공급된다. 공정가스는 각 가스챔버(220)의 내부에서 확산되며, 복수의 토출관(250)을 통해 공정챔버(110)의 내부로 분사된다.
이와 함께, 각 냉매순환로(270)에는 냉매가 공급되고, 냉매는 각 냉매순환로(270)를 따라 순환되어 샤워헤드(200)가 일정 온도 이상으로 가열되어 샤워헤드(200)에 파티클이 증착되는 것을 방지한다.
즉, 냉매는 냉매공급관(280)으로 공급된다. 냉매공급관(280)을 따라 공급되는 냉매는 각 분기공급관(281)으로 분기된다. 이때, 각 유량계(282)는 냉매의 유량을 측정하며, 각 제어밸브(283)는 각 유량계(282)에 의해 측정되는 측정 결과에 따라 냉매의 유량을 제어하여 각 가스챔버(220)로 공급되는 냉매가 균일하게 공급되도록 한다.
이어, 냉매순환로(270)를 따라 순환되는 냉매는 분기배출관(291)을 따라 냉매배출관(290)으로 배출되며, 냉매배출관(290)을 따라 외부로 배출된다.
이와 같이, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치(100)는 샤워헤드(200)가 전면적에 대하여 균일한 온도분포로 냉각될 수 있으므로, 샤워헤드(200)의 내부에 파티클이 형성되는 것이 방지되며, 공정가스가 균일한 분포로 공정챔버(110)의 내부로 분사될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치(100)는 샤워헤드(200)의 유지, 관리, 보수의 편의를 제공하며, 고품질의 결정층을 형성할 수 있다.
100 : 화학기상 증착장치 110 : 공정챔버
120 : 서셉터 200 : 샤워헤드
210 : 지지판 220 : 가스챔버
230 : 체결나사 240 : 가스공급관
250 : 토출관 260 : 실링부재
270 : 냉매순환로 280 : 냉매공급관
281 : 분기공급관 282 : 유량계
283 : 제어밸브 290 : 냉매배출관
291 : 분기배출관

Claims (8)

  1. 서로 분리가능하도록 평면 상에서 결합되는 복수의 가스챔버와,
    상기 복수의 가스챔버로 분기되어 공정가스를 공급하는 가스공급관과,
    상기 복수의 가스챔버 각각에 설치되어 냉매가 순환되는 복수의 냉매순환로와,
    상기 냉매를 공급하는 냉매공급관과,
    상기 냉매공급관으로부터 분기되어 상기 복수의 냉매순환로에 각각 연통되는 복수의 분기공급관과,
    상기 복수의 분기배출관의 관로에 각각 설치되어 상기 냉매의 유량을 측정하는 복수의 유량계를 포함하는 것을 특징으로 하는 샤워헤드.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 유량계는 질량유량계(mass flow meter)인 것을 특징으로 하는 샤워헤드.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 유량계 이후의 상기 복수의 분기배출관의 관로에 각각 설치되어 상기 유량계에 의해 측정되는 결과에 따라 상기 냉매의 유량을 각각 제어하는 복수의 제어밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 샤워헤드.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 냉매순환로에 각각 연통되는 복수의 분기배출관과,
    상기 복수의 분기배출관이 합류되어 상기 냉매를 배출시키는 냉매배출관을 포함하는 것을 특징으로 하는 샤워헤드.
  5. 내부에 기판이 지지되는 공정챔버와,
    상기 공정챔버의 내부로 공정가스를 공급하는 샤워헤드를 포함하며,
    상기 샤워헤드는
    상기 공정챔버에 지지되며, 서로 분리가능하도록 평면 상에서 결합되는 복수의 가스챔버와,
    상기 복수의 가스챔버로 분기되어 상기 공정가스를 공급하는 가스공급관과,
    상기 복수의 가스챔버 각각에 설치되어 냉매가 순환되는 복수의 냉매순환로와,
    상기 냉매를 공급하는 냉매공급관과,
    상기 냉매공급관으로부터 분기되어 상기 복수의 냉매순환로에 각각 연통되는 복수의 분기공급관과,
    상기 복수의 분기배출관의 관로에 각각 설치되어 상기 냉매의 유량을 측정하는 복수의 유량계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 유량계는 질량유량계(MFC;mass flow meter)인 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 유량계 이후의 상기 복수의 분기배출관의 관로에 각각 설치되어 상기 유량계에 의해 측정되는 결과에 따라 상기 냉매의 유량을 각각 제어하는 복수의 제어밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 복수의 냉매순환로에 각각 연통되는 복수의 분기배출관과,
    상기 복수의 분기배출관이 합류되어 상기 냉매를 배출시키는 냉매배출관을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110220685A (zh) * 2019-06-26 2019-09-10 集美大学 一种花洒喷洒水量均匀度测试装置
CN110804730A (zh) * 2018-08-06 2020-02-18 Asm Ip控股有限公司 多端口气体喷射系统及包括其的反应器系统

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030008331A (ko) * 2001-07-20 2003-01-25 삼성전자 주식회사 금속화학기상증착용 반도체 제조장치와 텅스텐 실리사이드및 텅스텐막의 형성방법
KR20080019141A (ko) * 2006-08-25 2008-03-03 삼성전자주식회사 화학기상증착설비
KR100910856B1 (ko) * 2007-06-18 2009-08-06 권태균 화학기상증착장비

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110804730A (zh) * 2018-08-06 2020-02-18 Asm Ip控股有限公司 多端口气体喷射系统及包括其的反应器系统
CN110220685A (zh) * 2019-06-26 2019-09-10 集美大学 一种花洒喷洒水量均匀度测试装置

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