KR20120084448A - 기판에 금속 패턴을 형성하는 금속 패턴 형성 방법 및 이에 의해 제조된 기판 - Google Patents

기판에 금속 패턴을 형성하는 금속 패턴 형성 방법 및 이에 의해 제조된 기판 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판에 금속 패턴을 형성하는 금속 패턴 형성 방법 및 이에 의해 제조된 기판에 관한 것이다. 본 발명에 따른 금속 패턴 형성 방법은 (A) 상기 기판의 상부 표면을 RIE(Reactive Ion Etching)를 통해 표면 처리하는 단계와; (B) 상기 표면 처리된 상기 기판의 상부 표면에 마스크 패턴을 형성하는 단계와; (C) 상기 표면 처리된 상기 기판의 상부 표면과 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 금속 박막층을 형성하는 단계와; (D) 상기 표면 처리된 상기 기판의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층에 의해 상기 금속 패턴이 형성되도록 상기 마스크 패턴 및 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 기판 상에 금속 패턴을 형성하는데 있어 습식 에칭 공정을 이용하지 않음으로써, 원하는 형상의 금속 패턴을 보다 정밀하게 형성하면서도, 에칭 공정의 제거를 통한 제조 시간 및 제조 비용을 감소시킬 수 있다. 또한, 기판의 상부 표면을 표면 처리하여 금속 박막층과 기판 간의 접착력 향상을 위한 별도의 접착층을 제거할 수 있게 된다.

Description

기판에 금속 패턴을 형성하는 금속 패턴 형성 방법 및 이에 의해 제조된 기판{METAL PATTERN FORMING METHOD FOR FORMING METAL PATTERN ON SUBSTRATE AND SUBSTRATE MANUFACTURED BY THE SAME}
본 발명은 기판에 금속 패턴을 형성하는 금속 패턴 형성 방법 및 이에 의해 제조된 기판에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 상에 금속 패턴을 형성하는데 있어 기존의 에칭(Etching) 공정을 사용하지 않고 금속 패턴을 형성할 수 있는 금속 패턴 형성 방법 및 이에 의해 제조된 기판에 관한 것이다.
디스플레이, 모바일 및 반도체 등 전자부품의 박형화, 대면적화 및 고집적화에 따라 주요한 제조 기반 기술이 된 금속 도금기술의 정밀화를 통한 다층막 부품의 기능성 향상 및 이를 적용한 새로운 제조 기술에 대한 필요성이 대두되고 있다.
이와 같은 금속 도금기술과 관련하여, 고기능성 도금막 제조기술, 고정밀 패터닝 기술, 저가형 대면적 균일 박막 형성기술, 도금 계면 제어기술을 확보하지 않고서는 고부가가치화 되고 있는 하이-엔드(High-end) 제품의 엄격한 디자인 룰과 요구 성능을 충족시킬 수 없는 상황이다.
현재, 금속 도금기술에서는 습식 에칭(Etching) 기술이 널리 사용되고 있다. 기존의 금속 도금기술에 적용되는 습식 에칭 기술에서는 기판에 금속 박막층을 형성하고 그 위에 패턴을 형성한 후, 기판을 에칭액에 딥핑(Dipping)하고 패턴을 제거하여 금속 패턴을 형성하였다.
도 1은 종래의 금속 패턴(110)을 형성하는 기판(100) 제조 공정의 예를 도시한 도면이다. 도 1을 참조하여 설명하면, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 상부에 금속 박막층(110a)을 형성한다. 이 때, 금속 박막층(110a)과 기판(100) 간의 접착력을 증가시키기 위해 금속 박막층(110a)과 기판(100) 사이에 접착층(111a)을 먼저 형성한 후 금속 박막층(110a)을 형성하게 된다.
그런 다음, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(Photoresist) 패턴(112)을 금속 박막층(110a)에 형성한다. 여기서, 포토레지스트 패턴(112)은 금속 박막층(110a)에 의해 형성될 금속 패턴(110) 이외의 영역에 형성된다.
상기와 같이 포토레지스트 패턴(112)이 형성된 상태의 기판(100)을 에칭액에 딥핑하게 되면, 포토레지스트 패턴(112)에 의해 커버되는 부분은 에칭되지 않고, 도 1의 (c)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(112)이 형성되지 않은 금속 박막층(110a) 부분만이 에칭액에 의해 에칭되어 제거된다. 그런 다음, 금속 박막층(110a)에 형성되었던 포토레지스트 패턴(112)을 제거함으로써, 도 1의 (d)에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 금속 패턴(110)이 형성된다.
그런데, 금속 박막층(110a)과 에칭액이 서로 반응하는 과정에서, 포토레지스트 패턴(112)에 의해 커버되지 않은 금속 박막층(110a) 부분 외에도, 포토레지스트 패턴(112)에 의해 커버되는, 즉 포토레지스트 패턴(112)의 하부에 위치하는 금속 박막층(110a) 부분의 측면(도 1의 (c)의 A 영역 참조)도 에칭액에 노출되어 반응이 일어나는 현상이 발생한다.
따라서, 최종적으로 형성된 금속 패턴(110)의 측면도 부분적으로 에칭되어, 원했던 금속 패턴(110)의 형상을 얻지 못하는 문제가 발생하게 된다.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 기판 상에 금속 패턴을 형성하는데 있어 습식 에칭 공정을 이용하지 않음으로써, 원하는 형상의 금속 패턴을 보다 정밀하게 형성하면서도, 에칭 공정의 제거를 통한 제조 시간 및 제조 비용을 감소시킬 수 있는 금속 패턴 형성 방법 및 이에 의해 제조된 기판을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 금속 박막층과 기판 간의 접착력 향상을 위한 별도의 접착층을 제거할 수 있는 금속 패턴 형성 방법 및 이에 의해 제조된 기판을 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
상기 목적은 본 발명에 따라, 기판에 금속 패턴을 형성하는 금속 패턴 형성 방법에 있어서, (A) 상기 기판의 상부 표면을 RIE(Reactive Ion Etching)를 통해 표면 처리하는 단계와; (B) 상기 표면 처리된 상기 기판의 상부 표면에 마스크 패턴을 형성하는 단계와; (C) 상기 표면 처리된 상기 기판의 상부 표면과 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 금속 박막층을 형성하는 단계와; (D) 상기 표면 처리된 상기 기판의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층에 의해 상기 금속 패턴이 형성되도록 상기 마스크 패턴 및 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법에 의해서 달성된다.
또한, 상기 목적은 본 발명의 다른 실시 형태에 따라, 기판에 금속 패턴을 형성하는 금속 패턴 형성 방법에 있어서, (a) 상기 기판의 상부 표면에 접착층을 증착하는 단계와; (b) 상기 접착층의 상부 표면에 마스크 패턴을 형성하는 단계와; (c) 상기 접착층의 상부 표면과 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 금속 박막층을 형성하는 단계와; (d) 상기 접착층의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층에 의해 상기 금속 패턴이 형성되도록 상기 마스크 패턴 및 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법에 의해서도 달성될 수 있다.
여기서, 상기 (B) 단계 및 상기 (b) 단계에서 상기 마스크 패턴은 포토레지스트(Photoresist) 패턴과 DFR(Dry Film Resist) 패턴 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 마스크 패턴은 언더-컷(Under-cut) 형태로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 (C) 단계 및 상기 (c) 단계에서 상기 금속 박막층은 스퍼터링(Sputtering) 기법과 열증착(Thermal evaporation) 기법 중 어느 하나에 의해 형성될 수 있다.
그리고, 상기 (C) 단계 및 상기 (c) 단계에서 상기 금속 박막층은 상호 상이한 2 이상의 재질이 순차적으로 증착되어 적층 형성될 수 있다.
그리고, 상기 (D) 단계 및 상기 (d) 단계에서 상기 마스크 패턴은 스트립(Strip) 공정을 통해 제거되며, 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층은 상기 마스크 패턴의 제거에 따라 제거될 수 있다.
상기와 같은 구성을 통해, 본 발명에 따르면, 기판 상에 금속 패턴을 형성하는데 있어 습식 에칭 공정을 이용하지 않음으로써, 원하는 형상의 금속 패턴을 보다 정밀하게 형성하면서도, 에칭 공정의 제거를 통한 제조 시간 및 제조 비용을 감소시킬 수 있고, 에칭 공정의 제거로 인해 유해성 폐기물로 인한 환경 유해성 문제를 제거할 수 있는 금속 패턴 형성 방법 및 이에 의해 제조된 기판이 제공된다.
또한, 기판의 상부 표면을 표면 처리하여 금속 박막층과 기판 간의 접착력 향상을 위한 별도의 접착층을 제거할 수 있게 된다.
도 1은 종래의 금속 패턴 형성 과정을 설명하기 위한 도면이고,
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 금속 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 금속 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 금속 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 금속 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명한다. 여기서, 본 발명의 실시예들을 설명하는데 있어, 그 실시예에 상이하더라도 상호 대응하는 구성에 대해서는 동일한 참조번호를 사용하여 그 설명은 생략할 수 있다.
제1 실시예
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 금속 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 금속 패턴 형성 방법은 기판(10)에 금속 패턴(12)을 형성하게 된다.
먼저, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(10)이 마련된다. 여기서, 본 발명에 따른 기판(10)은 유리 기판(10), 알루미나 등의 세라믹 기판(10), 플라스틱 형태의 기판(10), 고분자 플라스틱 필름과 같이, 그 명칭이나 재질에 국한되지 않으며, 그 상부에 금속 패턴(12)이 형성되어 전자기기에 적용될 수 있는 다양한 형태와 재질의 기판(10)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유리 기판(10)의 재질로는 소다라임 유리, 파이렉스 유리, 강화 유리 등이 적용 가능하다.
상기와 같은 기판(10)이 마련되면, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 상부 표면을 RIE(Reactive Ion Etching)를 통해 표면 처리한다. 이에 따라, 기판(10)의 상부 표면은 SiO2와 같은 별도의 접착층을 형성하지 않고도 금속 박막층(12a,12b)의 형성이 가능하게 된다.
여기서, RIE(Reactive Ion Etching)를 통한 기판(10)의 표면 처리는 Ar 가스나 O2 가스, 또는 CF4 가스 분위기 하에서의 플라즈마 표면 처리가 적용되는데, 본 발명에서는 Ar 가스 분위기 하에서 플라즈마의 형성을 위한 RF 파워를 50W로 60초간 표면처리하는 것을 예로 한다. 이외에도, Ar 가스나 O2 가스, 또는 CF4 가스 분위기 하에서 다양한 RF 파워 및 처리 시간의 조합에 따라 표면처리가 가능함은 물론이다.
이와 같은 RIE(Reactive Ion Etching)를 통한 기판(10)의 표면 처리를 통해 기판(10)의 상부 표면의 접촉각(Contact angle)이 작아지는 등의 물성 변화가 생기게 되어, 금속 박막층(12a,12b)과의 접착력이 향상됨으로써, 별도로 접착층을 형성하지 않아도 무방하게 된다.
상기와 같이, 기판(10)의 상부 표면에 표면 처리가 완료되면, 표면 처리된 기판(10)의 상부 표면(10a)에, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 마스크 패턴(11)을 형성한다. 여기서, 기판(10)의 상부 표면에 형성되는 마스크 패턴(11)은 기판(10)에 형성될 금속 패턴(12) 이외의 영역이 된다.
본 발명에 따른 마스크 패턴(11)은 포토레지스트(Photoresist) 패턴 또는 DFR(Dry Film Resist) 패턴 형태로 마련될 수 있다. 여기서, 포토레지스트(Photoresist) 패턴은 포지티브 타입(Positive type) 또는 네거티브 타입(Negative type)이 적용되어 형성 가능하며, 포토레지스트(Photoresist) 패턴과 DFR(Dry Film Resist) 패턴은 현상을 통해, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같은 마스크 패턴(11)을 형성하게 된다. 그리고, 마스크 패턴(11)은 노광량이나 현상시간, 현상액의 농도 및 온도의 조절을 통해 그 형상의 조절이 가능하다.
상기와 같이 마스크 패턴(11)이 형성되면, 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이, 표면 처리된 기판(10)의 상부 표면(10a)과 마스크 패턴(11)의 상부 표면에 금속 박막층(12a,12b)을 형성한다. 여기서, 금속 박막층(12a,12b)은 스퍼터링(Sputtering) 기법이나 열증착(Thermal evaporation) 기법을 통한 증착을 통해 형성되는 것을 예로 한다.
예를 들어, 스퍼터링(Sputtering) 기법을 통한 금속 박막층(12a,12b)의 형성은, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이 마스크 패턴(11)이 형성된 기판(10)을 진공 챔버에 수용하고, 로터리 펌프 및 오일확산펌프을 이용하여 고진공 상태를 형성하고, Ar 가스를 공랍한 상태에서 플라즈마를 이용하여 금속 박막층(12a,12b)을 형성할 수 있다.
여기서, 플라즈마 증착을 통해 형성되는 금속 박막층(12a,12b)은, 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이, 표면 처리된 기판(10)의 상부 표면(10a)과 마스크 패턴(11)의 상부 표면에 각각 분리되어 형성되며, 각각은 마스크 패턴(11)에 의해 단차져서 상호 물리적으로 분리된 상태가 된다.
이와 같이, 표면 처리된 기판(10)의 상부 표면(10a)과 마스크 패턴(11)의 상부 표면에 각각 금속 박막층(12a,12b)이 형성되면, 마스크 패턴(11)과 마스크 패턴(11)의 상부 표면에 형성된 금속 박막층(12a)을 제거함으로써, 표면 처리된 기판(10)의 상부 표면(10a)에 형성된 금속 박막층(12b)에 의해 금속 패턴(12)이 형성되도록 한다.
여기서, 마스크 패턴(11)은 스트립(Strip) 공정을 통해 제거 가능하며, 마스크 패턴(11)의 상부 표면에 형성된 금속 박막층(12a)은 상술한 바와 같이, 표면 처리된 기판(10)의 상부 표면(10a)에 형성된 금속 박막층(12b)과는 물리적으로 분리된 상태이므로 마스크 패턴(11)의 제거 과정에서 마스크 패턴(11)과 함께 제거된다.
이와 같이, 마스크 패턴(11)과 마스크 패턴(11)의 상부 표면에 형성된 금속 박막층(12a)이 제거됨으로써, 도 2의 (e)에 도시된 바와 같이, 금속 패턴(12)이 형성된 상태의 기판(10) 제작이 완료된다.
상기와 같이, 기존의 금속 패턴(12)을 형성하는데 있어 적용되었던 습식 에칭 공정을 이용하지 않음으로써, 기존의 습식 에칭 공정에 따라 금속 패턴(12)을 형성하는 금속 박막층(12b)의 에칭에 의해 발생하는 정밀도 저하를 제거할 수 있으며, 습식 에칭 공정의 제거를 통한 제조 시간 및 제조 비용을 감소시킬 수 있고, 에칭 공정의 제거로 인해 유해성 폐기물로 인한 환경 유해성 문제를 제거할 수 있게 된다.
또한, 금속 박막층(12b), 즉 금속 패턴(12)과 기판(10) 간의 접착력 향상을 위한 별도의 접착층을 제거할 수 있게 된다.
제2 실시예
이하에서는, 도 3을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 금속 패턴 형성 방법에 대해 상세히 설명한다. 여기서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 금속 패턴 형성 방법을 설명하는데 있어 제1 실시예와 구별되는 구성에 대해 설명한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 금속 패턴 형성 방법에서의 마스크 패턴(11a)은, 도 3의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 언더-컷(Under-cut) 형태로 형성되는 것을 예로 한다. 이를 통해, 언더-컷(Under-cut) 형태의 마스크 패턴(11a)이 형성된 상태에서 금속 박막층(12a,12b)이 증착을 통해 형성될 때, 기판(10)의 상부 표면에 증착되는 금속 박막층(12b)과 마스크 패턴(11a)의 상부 표면에 증착되는 금속 박막층(12a)이 물리적으로 보다 효과적으로 분리될 수 있게 된다.
제3 실시예
이하에서는, 도 4를 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 금속 패턴 형성 방법에 대해 상세히 설명한다. 여기서, 본 발명의 제3 실시예에 따른 금속 패턴 형성 방법을 설명하는데 있어 제1 실시예와 구별되는 구성에 대해 설명한다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 금속 패턴 형성 방법에서의 마스크 패턴(11a)은, 도 4의 (a) 내지 (d)에 도시된 바와 같이, 언더-컷(Under-cut) 형태로 형성되는 것을 예로 한다. 이를 통해, 언더-컷(Under-cut) 형태의 마스크 패턴(11a)이 형성된 상태에서 금속 박막층(13a,13b,14a,14b,15a,15b)이 증착을 통해 형성될 때, 기판(10)의 상부 표면에 증착되는 금속 박막층(13b,14b,15b)과 마스크 패턴(11a)의 상부 표면에 증착되는 금속 박막층(13a,14a,15a)이 물리적으로 보다 효과적으로 분리될 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 금속 패턴 형성 방법에서는 금속 박막층(13a,13b,14a,14b,15a,15b)이 상호 상이한 2 이상의 재질이 순차적으로 증착되어 적층 형성되는 것을 예로 한다.
보다 구체적으로 설명하면, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 표면 처리된 기판(10)의 상부 표면(10a)에 마스크 패턴(11a)이 형성된 상태에서, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 표면 처리된 기판(10)의 상부 표면(10a)과 마스크 패턴(11a)의 상부 표면에 제1 금속 박막층(13a,13b)이 형성된다.
그런 다음, 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 금속 박막층(13a,13b)의 상부 표면에 제2 금속 박막층(14a,14b)이 형성된다. 그리고, 도 4의 (d)에 도시된 바와 같이, 제2 금속 박막층(14a,14b)의 상부 표면에 제3 금속 박막층(15a,15b)이 형성된다.
여기서, 제1 금속 박막층(13a,13b), 제2 금속 박막층(14a,14b) 및 제3 금속 박막층(15a,15b)은 상술한 바와 같이, 스퍼터링(Sputtering) 기법이나 열증착(Thermal evaporation) 기법을 통한 증착 공정을 통해 형성될 수 있으며, 본 발명에서는 제1 금속 박막층(13a,13b), 제2 금속 박막층(14a,14b) 및 제3 금속 박막층(15a,15b)의 재질로, 구리(Cu), 크롬(Cr), 크롬계 합금, 구리계 합금, 몰리브덴(Mo)이 선택적으로 적용되는 것을 예로 한다. 이외에도, 제1 금속 박막층(13a,13b), 제2 금속 박막층(14a,14b) 및 제3 금속 박막층(15a,15b)의 재질은 변경될 수 있으며, 최종적인 금속 박막층(13a,13b,14a,14b,15a,15b)을 형성하는 적층의 개수도 이에 국한되지 않음은 물론이다.
상기와 같이, 제1 금속 박막층(13a,13b), 제2 금속 박막층(14a,14b) 및 제3 금속 박막층(15a,15b)이 형성된 상태에서, 상술한 바와 같이, 마스크 패턴(11a)과 그 상부의 제1 금속 박막층(13a), 제2 금속 박막층(14a) 및 제3 금속 박막층(15a)을 제거함으로써, 도 4의 (e)에 도시된 바와 같이, 다층 구조의 금속 패턴(13,14,15)이 형성된 기판(10)의 제작이 완료된다.
제4 실시예
이하에서는 도 5를 참조하여 본 발명의 제4 실시예에 따른 금속 패턴 형성 방법에 대해 상세히 설명한다.
먼저, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(10)이 마련된다. 여기서, 본 발명에 따른 기판(10)은 유리 기판(10), 알루미나 등의 세라믹 기판(10), 플라스틱 형태의 기판(10), 고분자 플라스틱 필름과 같이, 그 명칭이나 재질에 국한되지 않으며, 그 상부에 금속 패턴(12)이 형성되어 전자기기에 적용될 수 있는 다양한 형태와 재질의 기판(10)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유리 기판(10)의 재질로는 소다라임 유리, 파이렉스 유리, 강화 유리 등이 적용 가능하다.
상기와 같은 기판(10)이 마련되면, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 상부 표면에 접착층(16)을 형성한다. 여기서, 접착층(16)은 기판(10)과 금속 박막층(12a,12b) 간의 접착력을 증가시키며, SiO2와 같이 기판(10)과 금속 박막층(12a,12b) 사이의 접착력을 증가시킬 수 있는 재질로 마련된다.
그런 다음, 접착층(16)의 상부 표면에, 도 5의 (c)에 도시된 바와 같이, 마스크 패턴(11)을 형성한다. 여기서, 접착층(16)의 상부 표면에 형성되는 마스크 패턴(11)은 기판(10)에 형성될 금속 패턴(12) 이외의 영역이 된다.
여기서, 본 발명의 제4 실시예에 따른 마스크 패턴(11)은, 제1 실시예와 마찬가지로, 포토레지스트(Photoresist) 패턴 또는 DFR(Dry Film Resist) 패턴 형태로 마련될 수 있다. 또한, 마스크 패턴(11)은 제2 실시예에서와 같이, 언더-컷(Under-cut) 형태로 형성될 수 있다. 여기서, 본 발명의 제4 실시예에 따른 마스크 패턴(11)은 제1 실시예 또는 제2 실시예의 구성에 대응하는 바 그 상세한 설명은 생략한다.
상기와 같이 마스크 패턴(11)이 형성되면, 도 5의 (d)에 도시된 바와 같이, 접착층(16)의 상부 표면과 마스크 패턴(11)의 상부 표면에 금속 박막층(12a,12b)을 형성한다. 여기서, 금속 박막층(12a,12b)은 스퍼터링(Sputtering) 기법이나 열증착(Thermal evaporation) 기법을 통한 증착을 통해 형성되는 것을 예로 한다. 또한, 금속 박막층(12a,12b)은, 제3 실시예에서와 마찬가지로 다층 구조로 마련될 수 있다. 여기서, 금속 박막층(12a,12b)의 형성은 제1 실시예 또는 제3 실시예에 대응하는 바 그 상세한 설명은 생략한다.
이와 같이, 접착층(16)의 상부 표면과 마스크 패턴(11)의 상부 표면에 각각 금속 박막층(12a,12b)이 형성되면, 마스크 패턴(11)과 마스크 패턴(11)의 상부 표면에 형성된 금속 박막층(12a,12b)을 제거함으로써, 도 5의 (e)에 도시된 바와 같이, 접착층(16)의 상부 표면에 형성된 금속 박막층(12a,12b)에 의해 금속 패턴(12)이 형성되도록 한다.
상기와 같이, 기존의 금속 패턴(12)을 형성하는데 있어 적용되었던 습식 에칭 공정을 이용하지 않음으로써, 기존의 습식 에칭 공정에 따라 금속 패턴(12)을 형성하는 금속 박막층(12a,12b)의 에칭에 의해 발생하는 정밀도 저하를 제거할 수 있으며, 습식 에칭 공정의 제거를 통한 제조 시간 및 제조 비용을 감소시킬 수 있게 된다.
비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
10 : 기판 11 : 마스크 패턴
12 : 금속 패턴 12a,12b : 금속 박막층

Claims (8)

  1. 기판에 금속 패턴을 형성하는 금속 패턴 형성 방법에 있어서,
    (A) 상기 기판의 상부 표면을 RIE(Reactive Ion Etching)를 통해 표면 처리하는 단계와;
    (B) 상기 표면 처리된 상기 기판의 상부 표면에 마스크 패턴을 형성하는 단계와;
    (C) 상기 표면 처리된 상기 기판의 상부 표면과 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 금속 박막층을 형성하는 단계와;
    (D) 상기 표면 처리된 상기 기판의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층에 의해 상기 금속 패턴이 형성되도록 상기 마스크 패턴 및 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법.
  2. 기판에 금속 패턴을 형성하는 금속 패턴 형성 방법에 있어서,
    (a) 상기 기판의 상부 표면에 접착층을 증착하는 단계와;
    (b) 상기 접착층의 상부 표면에 마스크 패턴을 형성하는 단계와;
    (c) 상기 접착층의 상부 표면과 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 금속 박막층을 형성하는 단계와;
    (d) 상기 접착층의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층에 의해 상기 금속 패턴이 형성되도록 상기 마스크 패턴 및 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 (B) 단계 및 상기 (b) 단계에서 상기 마스크 패턴은 포토레지스트(Photoresist) 패턴과 DFR(Dry Film Resist) 패턴 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 마스크 패턴은 언더-컷(Under-cut) 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 (C) 단계 및 상기 (c) 단계에서 상기 금속 박막층은 스퍼터링(Sputtering) 기법과 열증착(Thermal evaporation) 기법 중 어느 하나에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 (C) 단계 및 상기 (c) 단계에서 상기 금속 박막층은 상호 상이한 2 이상의 재질이 순차적으로 증착되어 적층 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 (D) 단계 및 상기 (d) 단계에서 상기 마스크 패턴은 스트립(Strip) 공정을 통해 제거되며, 상기 마스크 패턴의 상부 표면에 형성된 상기 금속 박막층은 상기 마스크 패턴의 제거에 따라 제거되는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 따른 금속 패턴 형성 방법에 따라 금속 패턴이 형성된 기판.
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