KR20120082347A - Fine silver particles, method for producing same, conductive paste containing the fine silver particles, conductive film, and electronic device - Google Patents

Fine silver particles, method for producing same, conductive paste containing the fine silver particles, conductive film, and electronic device Download PDF

Info

Publication number
KR20120082347A
KR20120082347A KR1020117029916A KR20117029916A KR20120082347A KR 20120082347 A KR20120082347 A KR 20120082347A KR 1020117029916 A KR1020117029916 A KR 1020117029916A KR 20117029916 A KR20117029916 A KR 20117029916A KR 20120082347 A KR20120082347 A KR 20120082347A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fine particles
silver fine
silver
sem
average particle
Prior art date
Application number
KR1020117029916A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
야스오 카끼하라
미네꼬 오스기
히로꼬 모리이
카즈유끼 하야시
Original Assignee
도다 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도다 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 도다 고교 가부시끼가이샤
Publication of KR20120082347A publication Critical patent/KR20120082347A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054Nanosized particles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/24Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C5/00Alloys based on noble metals
    • C22C5/06Alloys based on silver
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

질산은과 수용성 또는 수가용성으로서 비점이 200℃ 이하의 아민의 1종 이상을 이용하여 조정한 질산은의 아민 착체의 알코올 용액을, 아스코르빈산 또는 에리소르빈산을 용해시킨 물-알코올 혼합 용매 중에 첨가하여 환원 석출시키고, 얻어진 은미립자를 분리?세정한 후, 온도 30℃ 이하에서 진공 건조 또는 진공 동결 건조함으로써, 평균 입자 직경(DSEM)이 30 내지 100 nm이며, 다결정화도[평균 입자 직경(DSEM)과 결정자 직경(DX)의 비(DSEM/(DX)]가 2.8 이상인 은미립자를 얻을 수 있다. 얻어진 은미립자는 저온 소성이 가능한 도전성 페이스트 등의 원료로서 적합한, 평균 입자 직경 30 내지 100 nm인 다결정화된 은미립자이다.The alcohol solution of the silver nitrate amine complex adjusted by using one or more of silver nitrate and a boiling point of 200 degrees C or less amine as water solubility or water solubility is added and reduced in the water-alcohol mixed solvent which melt | dissolved ascorbic acid or erythorbic acid. After the precipitated silver particles were separated and washed, the average particle diameter (D SEM ) was 30 to 100 nm by vacuum drying or vacuum freeze drying at a temperature of 30 ° C. or lower, and the degree of polycrystallization (average particle diameter (D SEM )). Silver fine particles having a ratio (D SEM / (D X )) of crystalline diameter (D X ) to 2.8 or more can be obtained, and the obtained silver fine particles have an average particle diameter of 30 to 100, which is suitable as a raw material such as a conductive paste capable of low temperature firing. nm is polycrystalline silver particles.

Description

은미립자 및 그 제조 방법, 및 상기 은미립자를 함유하는 도전성 페이스트, 도전성막 및 전자 디바이스{FINE SILVER PARTICLES, METHOD FOR PRODUCING SAME, CONDUCTIVE PASTE CONTAINING THE FINE SILVER PARTICLES, CONDUCTIVE FILM, AND ELECTRONIC DEVICE}Silver fine particles and a manufacturing method thereof, and a conductive paste, a conductive film and an electronic device containing the fine particles {FINE SILVER PARTICLES, METHOD FOR PRODUCING SAME, CONDUCTIVE PASTE CONTAINING THE FINE SILVER PARTICLES, CONDUCTIVE FILM, AND ELECTRONIC DEVICE}

본 발명은, 저온 소성이 가능한 도전성 조성물의 원료용으로서 적합한, 다결정화된 평균 입자 직경 30 내지 100 nm의 은미립자와 그 제조법 및 상기 은미립자를 함유하는 도전성 페이스트, 도전성막 및 전자 디바이스에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to silver fine particles having a polycrystallized average particle diameter of 30 to 100 nm, a method for producing the same, and a conductive paste, a conductive film, and an electronic device containing the silver fine particles, which are suitable as raw materials for a conductive composition capable of low temperature baking. .

전자 디바이스의 전극이나 회로 패턴의 형성은, 금속 입자를 포함하는 도전성 페이스트를 이용하여 기판 상에 전극이나 회로 패턴을 인쇄한 후, 가열 소성하여 도전성 페이스트에 포함되는 금속 입자를 소결시킴으로써 이루어지고 있는데, 최근, 그 가열 소성 온도는 저온화되는 경향이 있다.Formation of the electrode and circuit pattern of an electronic device is performed by printing an electrode or a circuit pattern on a board | substrate using the electrically conductive paste containing a metal particle, and heating and baking to sinter the metal particle contained in an electrically conductive paste, In recent years, the heat firing temperature tends to be lowered.

예를 들면, 전자 디바이스의 실장 기판으로서는, 일반적으로 300℃ 정도까지의 가열이 가능하기 때문에 폴리이미드제 플렉서블 기판이 이용되고 있는데, 내열성이 뛰어나지만 고가이기 때문에, 최근에는, 보다 염가의 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 기판이나 PEN(폴리에틸렌나프타레이트) 기판이 대체 재료로서 검토되고 있다. 그러나, PET 기판이나 PEN 기판은 폴리이미드제 플렉서블 기판과 비교하여 내열성이 낮아 가열 소성을 200℃ 이하에서 실시할 필요가 있다.For example, a flexible substrate made of polyimide is used as a mounting substrate of an electronic device because heating to about 300 ° C. is possible in general, but since it is excellent in heat resistance but expensive, in recent years, more inexpensive PET (polyethylene Terephthalate substrates and PEN (polyethylenenaphthalate) substrates are being considered as alternative materials. However, PET substrates and PEN substrates have low heat resistance as compared with flexible substrates made of polyimide, and it is necessary to carry out heat firing at 200 ° C or lower.

또, 가열 소성을 200℃보다 낮은 온도에서 실시할 수 있으면, 폴리카보네이트이나 종이 등의 기판으로의 전극이나 회로 패턴의 형성도 가능해져, 각종 전극재 등의 용도가 확대되는 것이 기대된다.Moreover, if heat baking can be performed at a temperature lower than 200 degreeC, formation of the electrode and a circuit pattern to a board | substrate, such as a polycarbonate and paper, also becomes possible, and it is anticipated that the use of various electrode materials etc. will expand.

이러한 저온 소성이 가능한 도전성 페이스트의 원료가 되는 금속 입자로서 나노미터 오더의 은미립자가 기대되고 있다. 그 이유로서 금속 입자의 크기가 나노미터 오더가 되면 표면 활성이 높아져, 융점이 금속의 벌크인 것보다 훨씬 저하되기 때문에, 낮은 온도에서 소결시키는 것이 가능해지기 때문이다. 또, 금속 입자 중에서도 은미립자는 저저항이며, 가격도 다른 귀금속과 비교하여 염가인 것을 들 수 있다.Silver microparticles | fine-particles of nanometer order are anticipated as a metal particle used as a raw material of the electrically conductive paste which can be baked at such low temperature. The reason for this is that when the size of the metal particles becomes nanometer order, the surface activity is increased and the melting point is much lower than that of the metal bulk, so that it is possible to sinter at a low temperature. In addition, among the metal particles, silver fine particles are low in resistance and inexpensive in comparison with other precious metals.

또, 나노미터 오더의 은미립자는 저온에서 소결이 가능함과 동시에, 한 번 소결하면 내열성이 유지된다고 하는, 종래의 땜납에는 없는 성질을 이용한 납프리의 땜납 대체 재료로서도 기대되고 있다.In addition, silver fine particles of nanometer order are expected to be used as a lead-free solder substitute material using properties not available in conventional solders, which can be sintered at a low temperature and maintain heat resistance once sintered.

지금까지, 저온 소성이 가능한 은미립자로서 서브 미크론 이하의 은미립자가 제안되어 있고, 헥실아민을 표면에 흡착시킨 평균 입자 직경(DTEM) 3 내지 20 nm의 은미분(특허 문헌 1), 입자 표면이 유기 보호제로 덮인 평균 입자 직경(DTEM)이 50 nm 이하이며, 단결정화도(DTEM/DX)가 2.0 이하인 은입자(특허 문헌 2), 평균 입자 직경이 40 내지 100 nm이며, 단결정화도(DTEM/DX)가 1 내지 5인 은미립자(특허 문헌 3), 입자 표면에 질산은의 암민 착체 및 아민이 1 wt% 이하 부착되어 있는 평균 입자 직경이 20 내지 100 nm인 은미립자(특허 문헌 4), 표면 처리제에 의해 피복된, 평균 입자 직경이 200 nm 미만, BET 비표면적이 1.0 m2/g이상인 귀금속 미립자(특허 문헌 5), 가용성 금속을 1% 미만 함유하는 평균 입자 직경이 50 내지 100 nm, BET 비표면적이 6 내지 25 m2/g인 나노 분말(특허 문헌 6) 등이 알려져 있다.Until now, silver fine particles of sub-micron size or less have been proposed as silver fine particles capable of low-temperature firing, and have an average particle diameter (D TEM ) of 3 to 20 nm in which silver hexylamine is adsorbed on the surface (patent document 1) and the particle surface. Silver particle (patent document 2) whose average particle diameter (D TEM ) covered with this organic protective agent is 50 nm or less, single crystallization degree (D TEM / D X ) is 2.0 or less, average particle diameter is 40-100 nm, and single crystallinity degree Silver fine particles having a (D TEM / D X ) of 1 to 5 (Patent Document 3), silver fine particles having an average particle diameter of 20 to 100 nm with an ammine complex of silver nitrate and an amine attached to the particle surface of 1 wt% or less (patent document) Document 4), precious particle fine particles having a mean particle diameter of less than 200 nm and a BET specific surface area of 1.0 m 2 / g or more (Patent Document 5) coated with a surface treating agent, and an average particle diameter of less than 1% of soluble metals of 50% to a 100 nm, BET specific surface area of 6 to 25 m 2 / g of the nano powder (especially Reference 6), there is known.

특허 문헌 1 :특개2009-161808호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2009-161808 특허 문헌 2 :특개2007-19055호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-19055 특허 문헌 3 :특개2006-183072호 공보Patent Document 3: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-183072 특허 문헌 4 :특개2009-144197호 공보Patent Document 4: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-144197 특허 문헌 5 :특개2004-43892호 공보Patent Document 5: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-43892 특허 문헌 6 :특표2005-530048호 공보Patent Document 6: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-530048

은미립자가 저온에서 소결하기 위해서는, 은미립자가 활성인 것이 필요하지만, 앞서의 특허 문헌 1에 개시되어 있는 평균 입자 사이즈가 20 nm 이하의 은미립자의 경우, 활성이 너무 높아 불안정하기 때문에 다량의 유기물로 피복할 필요가 있다. 특허 문헌 1에서는, 피복 물질로서 비점이 130℃ 정도의 헥실아민을 이용하였지만, 비록 비교적 비점이 낮은 피복 물질을 선택하였다고 해도 다량으로 부착되어 있는 피복물을 완전하게 제거하기는 곤란하다. 또, 특허 문헌 1에서는 은미립자를 제조하는데 있어서 50 내지 60℃의 온도를 걸치고 있으므로, 은미립자의 결정자 직경이 커지는 경향에 있기 때문에 은미립자 내부의 반응성으로서는 낮은 것이 되어, 저온 소결에는 불리해진다.In order for silver fine particles to sinter at a low temperature, it is necessary for silver fine particles to be active, but in the case of silver fine particles having an average particle size of 20 nm or less disclosed in Patent Document 1 above, since the activity is too high and unstable, a large amount of organic matter It is necessary to coat with. In Patent Document 1, although hexylamine having a boiling point of about 130 ° C. is used as the coating material, even if a coating material having a relatively low boiling point is selected, it is difficult to completely remove a large amount of the coating. Moreover, in patent document 1, since the temperature of 50-60 degreeC is used in manufacturing silver fine particles, since the crystallite diameter of silver fine particles tends to become large, it becomes low as reactivity inside silver fine particles, and it is disadvantageous for low temperature sintering.

또, 앞서의 특허 문헌 2에는, 입자 표면이 유기 보호제로 덮인 평균 입자 직경(DTEM)이 50 nm 이하이며, 단결정화도(DTEM/DX)가 2.0 이하인 은입자가 기재되어 있지만, 전술한 바와 같이, (DTEM/DX)가 2.0 이하이며 단결정화도가 높은 것이기 때문에, 은미립자 내부의 반응성으로서는 낮은 것이 되어, 저온 소결에는 불리해진다.In addition, the above-mentioned Patent Document 2 describes silver particles having an average particle diameter (D TEM ) of 50 nm or less and a single crystallinity (D TEM / D X ) of 2.0 or less, wherein the particle surface is covered with an organic protective agent. As described above, since (D TEM / D X ) is 2.0 or less and has a high degree of monocrystallization, the reactivity inside the silver fine particles becomes low, which is disadvantageous for low temperature sintering.

또, 앞서의 특허 문헌 3에는, 평균 입자 직경이 40 내지 100 nm이며, 단결정화도(DTEM/DX)가 1 내지 5인 은미립자가 기재되어 있지만, 은미립자를 제조하는데 있어서 40℃ 전후로 온도를 조정하고 있으므로, 은미립자의 결정자 직경이 커지는 경향이 있다. 그 때문에 은미립자 내부의 반응성으로서는 낮은 것이 되어, 저온 소결에는 불리해진다.In addition, the above-mentioned Patent Document 3 describes silver fine particles having an average particle diameter of 40 to 100 nm and a single crystallinity (D TEM / D X ) of 1 to 5, but the temperature is around 40 ° C. in producing the silver fine particles. Since the crystallite size is adjusted, the crystallite diameter of the silver fine particles tends to increase. Therefore, it becomes low as reactivity inside silver fine particles, and becomes disadvantageous for low temperature sintering.

또, 앞서의 특허 문헌 4에는, 입자 표면에 질산은의 암민 착체 및 아민이 1 wt% 이하 부착되어 있는 평균 입자 직경이 20 내지 100 nm인 은미립자가 기재되어 있지만, 환원 반응에 있어서의 반응 온도에 대해서는 고려되어 있지 않고, 또, 40℃로 가열, 건조하여 결정 입자 직경이 커지는 경향이 있기 때문에, 은미립자 내부의 반응성으로서는 낮은 것이 되어, 저온 소결에는 불리해진다.In addition, the above-mentioned Patent Document 4 describes silver fine particles having an average particle diameter of 20 to 100 nm in which an ammine complex of silver nitrate and an amine are attached to the particle surface of 1 wt% or less, but the reaction temperature in the reduction reaction is described. It is not considered, and since it tends to heat and dry at 40 degreeC, and a crystal grain diameter becomes large, it becomes low as reactivity inside silver fine particles, and it becomes disadvantageous for low temperature sintering.

또, 앞서의 특허 문헌 5에는, 표면 처리제에 의해 피복된, 평균 입자 직경이 200 nm 미만, BET 비표면적이 1.0 m2/g이상인 귀금속 미립자가 기재되어 있지만, 입자 표면을 피복하는 표면 처리제는 모두 고비등점의 물질이기 때문에, 특허 문헌 5의 실시예에서도 200℃의 가열 조건에서는 표면 처리제가 남아 있어 저온 소결을 목적으로 한 도전성 페이스트의 원료에 이용하는 것은 곤란하다. 또, BET 비표면적값이 입자 사이즈에 대하여 작고 표면 활성이 낮기 때문에, 저온 소결에는 불리해진다.In addition, although the above-mentioned patent document 5 describes the noble metal microparticles | fine-particles coat | covered with the surface treating agent and whose average particle diameter is less than 200 nm and BET specific surface area is 1.0 m <2> / g or more, all the surface treating agents which coat | cover the particle surface are all Since it is a substance with a high boiling point, even in the Example of patent document 5, a surface treating agent remains in the heating condition of 200 degreeC, and it is difficult to use for the raw material of the electrically conductive paste for the purpose of low temperature sintering. In addition, since the BET specific surface area value is small with respect to the particle size and the surface activity is low, it is disadvantageous for low temperature sintering.

또, 앞서의 특허 문헌 6에는, 가용성 금속을 1% 미만 함유하는 평균 입자 직경이 50 내지 100 nm, BET 비표면적이 6 내지 25 m2/g인 나노 분말이 기재되어 있지만, 제법 유래의 가용성 금속을 함유하고 있어, 특허 문헌 6에 나타나는 나노 분말을 이용하여 얻어진 소결체에는 도전성을 저해하는 불순물 금속이 포함되기 때문에 목적으로 하는 높은 도전성을 갖는 소결체를 얻기가 곤란하다. 또, 존재하는 가용성 금속에 의해 소결이 저해되기 때문에 저온에서 소결시키는 것이 곤란하다.In addition, the above-mentioned Patent Document 6 describes nanoparticles having an average particle diameter of 50 to 100 nm and a BET specific surface area of 6 to 25 m 2 / g containing less than 1% of a soluble metal. It is difficult to obtain the sintered compact which has the target high electroconductivity because the impurity metal which inhibits electroconductivity is contained in the sintered compact which contains the nanoparticle shown in patent document 6, and impairs electroconductivity. Moreover, since sintering is inhibited by the soluble metal which exists, it is difficult to sinter at low temperature.

그래서, 본 발명은, 저온 소성이 가능한 도전성 페이스트의 원료용으로서 적합한, 평균 입자 직경 30 내지 100 nm인 다결정화된 은미립자를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.Then, this invention makes it a technical subject to provide the polycrystallized silver fine particle whose average particle diameter is 30-100 nm suitable for the raw material of the electrically conductive paste which can be baked at low temperature.

상기 기술적 과제는, 다음과 같은 본 발명에 의해 달성할 수 있다.The said technical subject can be achieved by the following this invention.

즉, 본 발명은, 평균 입자 직경(DSEM)이 30 내지 100 nm이며, 다결정화도[평균 입자 직경(DSEM)과 결정자 직경(DX)의 비(DSEM/DX)]가 2.8 이상인 것을 특징으로 하는 은미립자이다(본 발명 1).That is, the present invention, the average particle diameter (D SEM) are from 30 to 100 nm, the degree of crystallinity [average particle diameter (D SEM) and crystallite size (D X) ratio (D SEM / D X) of] of 2.8 or more It is a silver fine particle characterized by the above-mentioned (this invention 1).

또, 본 발명은, 가열에 의한 결정자 직경의 변화율[(150℃에서 30분간 가열 후의 은미립자의 결정자 직경/가열 전의 은미립자의 결정자 직경)×100]이 150% 이상인 본 발명 1의 은미립자이다(본 발명 2).Moreover, this invention is the silver fine particle of this invention 1 whose change rate ((crystallite diameter of silver fine particle after heating for 30 minutes / crystallite diameter of silver fine particle before heating) x100) of the crystallite diameter by heating is 150% or more. (Invention 2).

또, 본 발명은, 은미립자의 BET 비표면적값(SSA)(m2/g)과 평균 입자 직경(DSEM)이 하기 식(1)의 관계를 갖는 본 발명 1 또는 2의 은미립자이다(본 발명 3).Moreover, this invention is silver fine particles of this invention 1 or 2 in which the BET specific surface area value (SSA) (m <2> / g) of silver fine particles and average particle diameter (D SEM ) have a relationship of following formula (1) ( Invention 3).

Figure pct00001
Figure pct00001

또, 본 발명은, 질산은과 수용성 또는 수가용성으로서 비점이 200℃ 이하의 아민의 1 종류 이상을 이용하여 조제한 질산은의 아민 착체의 알코올 용액을, 아스코르빈산 또는 에리소르빈산을 용해시킨 물-알코올 혼합 용매 중에 첨가하여 환원 석출시키고, 얻어진 은미립자를 분리?세정한 후, 온도 30℃ 이하에서 진공 건조에 의해 은미립자를 건조시키는 것을 특징으로 하는 본 발명 1 내지 3 중 어느 한 항에 기재한 은미립자의 제조 방법이다(본 발명 4).Moreover, this invention is the water-alcohol mixture which dissolved the ascorbic acid or the erythorbic acid in the alcohol solution of the silver nitrate amine complex prepared using silver nitrate and one or more types of amine whose boiling point is 200 degrees C or less as water solubility or water solubility. The silver fine particles according to any one of the present inventions 1 to 3, wherein the silver fine particles are dried in a solvent and separated and washed, and the silver fine particles are dried by vacuum drying at a temperature of 30 ° C. or lower. It is a manufacturing method of (this invention 4).

또, 본 발명은, 은미립자를 얻기까지의 모든 공정을 온도 30℃ 이하에서 실시하는 본 발명 4에 기재한 은미립자의 제조 방법이다(본 발명 5).Moreover, this invention is the manufacturing method of the silver fine particles of this invention 4 which performs all the processes until obtaining silver fine particles at the temperature of 30 degreeC or less (this invention 5).

또, 본 발명은, 본 발명 1 내지 3의 어느 한 항에 기재한 은미립자를 포함한 도전성 페이스트이다(본 발명 6).Moreover, this invention is the electrically conductive paste containing the silver fine particles as described in any one of this invention 1-3 (this invention 6).

또, 본 발명은, 본 발명 6의 도전성 페이스트를 이용하여 형성된 도전성막이다(본 발명 7).Moreover, this invention is an electroconductive film formed using the electrically conductive paste of this invention 6 (this invention 7).

또, 본 발명은, 본 발명 7의 도전성막을 갖는 전자 디바이스이다(본 발명 8).Moreover, this invention is an electronic device which has a conductive film of this invention 7 (this invention 8).

본 발명에 따른 은미립자는, 평균 입자 직경 30 내지 100 nm이기 때문에 싱글 나노 오더의 은미립자와 같이 다량의 유기물로 표면을 피복할 필요가 없고, 또, 다결정화도가 2.8 이상이므로 입자 내부의 활성이 높기 때문에, 저온에서도 은미립자끼리의 소결이 진행되므로 저온 소성이 가능한 도전성 페이스트 등의 원료로서 적합하다.Since the silver fine particles according to the present invention have an average particle diameter of 30 to 100 nm, there is no need to cover the surface with a large amount of organic matter like the silver fine particles of a single nano order, and since the polycrystallization degree is 2.8 or more, the activity inside the particles is reduced. Since it is high, since sintering of silver fine particles advances even at low temperature, it is suitable as raw materials, such as an electrically conductive paste which can be baked at low temperature.

본 발명의 구성을 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Referring to the configuration of the present invention in more detail as follows.

먼저, 본 발명에 따른 은미립자에 대하여 기술한다.First, the silver fine particle which concerns on this invention is described.

본 발명에 따른 은미립자는, 평균 입자 직경(DSEM)이 30 내지 100 nm이며, 다결정화도[평균 입자 직경(DSEM)과 결정자 직경(DX)의 비(DSEM/DX)]가 2.8 이상인 것을 특징으로 한다.The silver fine particles according to the present invention have an average particle diameter (D SEM ) of 30 to 100 nm, and a degree of polycrystallization (a ratio of average particle diameter (D SEM ) to crystallite diameter (D X ) of D SEM / D X ). It is characterized by more than 2.8.

본 발명에 따른 은미립자의 평균 입자 직경(DSEM)은 30 내지 100 nm이며, 바람직하게는 40 내지 100 nm, 보다 바람직하게는 50 내지 100 nm이다. 평균 입자 직경(DSEM)이 30 nm 미만인 경우에는, 은미립자가 갖는 표면 활성이 높아지고, 그 미세한 입자 직경을 안정적으로 유지하기 위해서 다량의 유기물 등을 부착시킬 필요가 있기 때문에 바람직하지 않다. 또, 평균 입자 직경(DSEM)이 100 nm을 초과하는 경우에는, 은미립자가 갖는 표면 활성이 낮아져, 저온 소결성이 손상되어 버리기 때문에 바람직하지 않다.The average particle diameter (D SEM ) of the silver fine particles according to the present invention is 30 to 100 nm, preferably 40 to 100 nm, more preferably 50 to 100 nm. When the average particle diameter (D SEM ) is less than 30 nm, the surface activity of the silver fine particles is high, and in order to maintain the fine particle diameter stably, it is not preferable to attach a large amount of organic matter and the like. Moreover, when average particle diameter (D SEM ) exceeds 100 nm, since the surface activity which silver fine particles have becomes low and low temperature sintering property is impaired, it is unpreferable.

본 발명에 따른 은미립자의 다결정화도[평균 입자 직경(DSEM)과 결정자 직경(DX)의 비(DSEM/DX)]는 2.8 이상이며, 보다 바람직하게는 3.0 이상, 더욱 바람직하게는 3.2 이상이다. 다결정화도가 2.8 미만인 경우에는, 은미립자 중의 결정자 직경이 커져 단결정에 가까워지기 때문에 은미립자 중의 반응성이 저하되고, 저온 소결성이 손상되어 버리기 때문에 바람직하지 않다. 상기 다결정화도의 상한값은 10 정도이며, 보다 바람직하게는 8 정도이다.Is the crystallinity of the fine particles according to the invention [average particle diameter (D SEM) and crystallite size (D X) ratio (D SEM / D X) of] is at least 2.8, more preferably 3.0 or more, more preferably 3.2 or more. When the degree of polycrystallization is less than 2.8, the crystallite diameter in the silver fine particles becomes larger and closer to the single crystal, so that the reactivity in the silver fine particles decreases and the low-temperature sinterability is impaired. The upper limit of the said polycrystallization degree is about 10, More preferably, it is about 8.

본 발명에 따른 은미립자의 가열에 의한 결정자 직경의 변화율[(150℃에서 30분간 가열 후의 은미립자의 결정자 직경/가열 전의 은미립자의 결정자 직경)×100]은 150% 이상이다. 결정자 직경의 변화율이 150% 미만인 경우에는, 저온 소결성이 우수하다고는 하기 어렵다. 본 발명에서는, 120℃에서 30분간 가열했을 경우에서도 결정자 직경의 변화율은 150% 이상인 것이 바람직하고, 100℃에서 30분간 가열했을 경우에도 마찬가지로 결정자 직경의 변화율은 150% 이상인 것이 보다 바람직하다. The rate of change of crystallite diameter ((crystallite diameter of silver fine particles after heating for 30 minutes at 150 ° C./crystallite diameter of silver fine particles before heating) × 100) according to the present invention is 150% or more. When the rate of change of crystallite diameter is less than 150%, it is hard to say that it is excellent in low temperature sintering property. In this invention, even when it heats at 120 degreeC for 30 minutes, it is preferable that the rate of change of a crystalline diameter is 150% or more, and when changing to 100 degreeC for 30 minutes, it is more preferable that the rate of change of a crystalline diameter is 150% or more similarly.

본 발명에 따른 은미립자의 BET 비표면적값(SSA)은, 하기 식(1)로 표시되는 범위에 있다. BET 비표면적값(SSA)이 하기 식(1)의 범위보다 작은 경우에는, 은미립자 표면에 다량의 유기물이 처리되어 있거나 함으로써 표면 활성이 저하되어 있기 때문에, 양호한 저온 소결성을 얻기가 곤란하다.The BET specific surface area value SSA of silver fine particles which concerns on this invention exists in the range represented by following formula (1). When BET specific surface area value SSA is smaller than the range of following formula (1), since a large amount of organic substance is processed on the surface of silver fine particles, since surface activity falls, it is difficult to obtain favorable low temperature sinterability.

Figure pct00002
Figure pct00002

본 발명에 따른 은미립자의 입자 형상은, 구상 또는 입상이 바람직하다.The particle shape of the silver fine particles according to the present invention is preferably spherical or granular.

본 발명에 따른 은미립자의 불순물 금속은 500 ppm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 200 ppm 이하, 더욱 바람직하게는 100 ppm 이하이다. 불순물 금속의 함유량이 500 ppm를 초과하는 경우에는, 이것을 이용하여 얻어진 소결체에는 도전성을 저해하는 불순물 금속이 포함되기 때문에, 목적으로 하는 높은 도전성을 갖는 소결체를 얻기가 곤란하다. 또, 존재하는 불순물 금속에 의해 소결이 저해되기 때문에 저온에서 소결시키기가 곤란하다.It is preferable that the impurity metal of silver fine particles which concerns on this invention is 500 ppm or less, More preferably, it is 200 ppm or less, More preferably, it is 100 ppm or less. When content of an impurity metal exceeds 500 ppm, since the impurity metal which inhibits electroconductivity is contained in the sintered compact obtained using this, it is difficult to obtain the target sintered compact which has high electroconductivity. Moreover, since sintering is inhibited by the impurity metal which exists, it is difficult to sinter at low temperature.

본 발명에 따른 은미립자는, 상기 특성을 만족하는 범위이면, 표면 처리를 하여도 상관없다. 표면 처리제로서는, 비점이 200℃ 이하의 알코올 또는 아민이 바람직하다. 알코올로서는, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 헵탄올, 옥탄올, 에틸렌글리콜 등을 이용할 수 있다. 또, 아민으로서는 암모니아, 메틸아민, 에틸아민, 프로필아민, 부틸아민, 모노에탄올아민 등을 이용할 수 있다.As long as the silver fine particle which concerns on this invention is a range which satisfy | fills the said characteristic, you may surface-treat. As a surface treating agent, alcohol or amine whose boiling point is 200 degrees C or less is preferable. As alcohol, ethanol, propanol, butanol, pentanol, hexanol, heptanol, octanol, ethylene glycol, etc. can be used. As the amine, ammonia, methylamine, ethylamine, propylamine, butylamine, monoethanolamine and the like can be used.

은미립자에 표면 처리를 실시하는 경우에는, 피복, 또는 부착되어 있는 아민 및/또는 알코올의 양은 1 중량% 이하이다. 1 중량%를 초과하는 경우, 저온 소결성이 저하하기 때문에 바람직하지 않다. 보다 바람직하게는 0.9 중량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.8 중량% 이하이다.When surface-treating silver fine particles, the amount of the amine and / or alcohol which is coat | covered or adhered is 1 weight% or less. When it exceeds 1 weight%, since low-temperature sintering property falls, it is unpreferable. More preferably, it is 0.9 weight% or less, More preferably, it is 0.8 weight% or less.

다음에, 본 발명에 따른 은미립자의 제조 방법에 대하여 기술한다.Next, the manufacturing method of the silver fine particles which concerns on this invention is described.

본 발명에 따른 은미립자는, 질산은과 수용성 또는 수가용성으로서 비점이 200℃ 이하의 아민의 1 종류 이상을 이용하여 조제한 질산은의 아민 착체의 알코올 용액을, 아스코르빈산 또는 에리소르빈산을 용해시킨 물-알코올 혼합 용매 중에 첨가하여 환원 석출시키고, 얻어진 은미립자를 분리?세정한 후, 온도 30℃ 이하에서 진공 건조에 의해 은미립자를 건조시킴으로써 얻을 수 있다. 또한, 은미립자 제조의 모든 공정에서, 온도 30℃ 이하에서 실시하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 규정된 은미립자의 다결정화도를 유지하는 것이 용이해진다.The silver fine particle which concerns on this invention dissolves ascorbic acid or erythorbic acid in the alcohol solution of the silver nitrate amine complex prepared using silver nitrate and one or more types of amine whose boiling point is 200 degrees C or less as water solubility or water solubility- It can be obtained by adding in an alcohol mixed solvent for reduction precipitation, separating and washing the obtained silver fine particles, and then drying the silver fine particles by vacuum drying at a temperature of 30 ° C. or lower. Moreover, it is preferable to carry out at the temperature of 30 degreeC or less in all the processes of silver fine particle manufacture. Thus, it becomes easy to maintain the polycrystallization degree of the defined silver fine particles.

본 발명에서의 수용성 또는 수가용성으로서 비점이 200℃ 이하의 아민으로서는 부틸아민, 프로필아민, 모노에탄올아민 등을 이용할 수 있다. 여기에서, 수용성이란 물과 임의로 혼합하는 것을 의미하고, 수가용성이란 물에 어느 정도의 용해도를 가지고 용해된다고 하는 의미이다.As an amine whose boiling point is 200 degrees C or less as water-soluble or water-soluble in this invention, butylamine, propylamine, monoethanolamine, etc. can be used. Here, water solubility means mixing with water arbitrarily, and water solubility means having solubility to some extent in water.

본 발명에서의 알코올로서는, 물과 상용성이 있는 것을 이용할 수 있다. 후속 공정의 온도 30℃ 이하에서의 진공 건조에 의한 제거를 고려하여, 비점이 100℃ 이하의 알코올이 보다 바람직하다. 구체적으로는 메탄올, 에탄올, 프로판올 및이소프로판올 등을 이용할 수 있고, 바람직하게는 메탄올 및 에탄올이다. 이들 알코올은 단독으로도 혼합하여 이용하여도 좋다.As alcohol in this invention, what is compatible with water can be used. In consideration of the removal by vacuum drying at a temperature of 30 ° C. or lower in a subsequent step, an alcohol having a boiling point of 100 ° C. or lower is more preferable. Specifically, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, etc. can be used, Preferably they are methanol and ethanol. You may use these alcohols individually or in mixture.

이하, 수용성 또는 수가용성이며, 비점이 200℃ 이하의 아민의 대표로서 부틸아민을 이용한 예에 대하여 기술하지만, 프로필아민, 모노에탄올아민 등의 아민으로도 마찬가지로 조제가 가능하다.Hereinafter, although the example which uses butylamine as a representative of amine of water solubility or water solubility and a boiling point of 200 degrees C or less is described, it can be similarly prepared also by amines, such as propylamine and monoethanolamine.

또, 상술한 질산은과 수용성 또는 수가용성이며, 비점이 200℃ 이하의 아민을 1 종류 이상 이용하여 조제한 질산은의 암민 착체의 알코올 용액을, 물-알코올 혼합 용매 중에서 아스코르빈산 또는 에리소르빈산에 의해 환원하는 것을 특징으로 하는 기본적인 개념이 동일하다면, 이하의 조건으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 메탄올의 양이나 물의 양은, 이용하는 아민의 용액으로의 용해성, 반응 용기와 교반 기구에 의해 그 최적인 체적 비율은 변화한다.In addition, the alcohol solution of the silver nitrate ammine complex prepared by using one or more of the above-mentioned silver nitrate and water-soluble or water-soluble amine having a boiling point of 200 ° C. or less is reduced with ascorbic acid or erythorbic acid in a water-alcohol mixed solvent. If the basic concept is characterized by the same, it is not limited to the following conditions. For example, the optimum volume ratio of the amount of methanol and the amount of water varies depending on the solubility in the solution of the amine used, the reaction vessel and the stirring mechanism.

우선, 질산은과 부틸아민에 의해 질산은의 암민 착체를 알코올 용매 중에서 형성시킨다. 부틸아민은 질산은에 대해서 2.0 내지 2.5 당량이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2.0 내지 2.3 당량이다. 부틸아민의 양이 질산은에 대하여 2.0 당량 미만인 경우에는 커다란 입자가 생성되기 쉬운 경향이 있다.First, an ammine complex of silver nitrate is formed in an alcohol solvent by silver nitrate and butylamine. The butylamine is preferably 2.0 to 2.5 equivalents, more preferably 2.0 to 2.3 equivalents to silver nitrate. When the amount of butylamine is less than 2.0 equivalents to silver nitrate, large particles tend to be produced.

다음에, 환원제인 아스코르빈산 또는 에리소르빈산을 물 중에 용해시킨 후, 알코올을 첨가하여 혼합한다. 아스코르빈산 또는 에리소르빈산은 질산은에 대해서 1.0 내지 2.0 당량이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.0 내지 1.8 당량이다. 아스코르빈산 또는 에리소르빈산이 2.0 당량을 초과하는 경우에는, 생성된 은미립자끼리가 응집하는 경향이 있기 때문에 바람직하지 않다. Next, ascorbic acid or erythorbic acid as a reducing agent is dissolved in water, and then alcohol is added and mixed. Ascorbic acid or erythorbic acid is preferably 1.0 to 2.0 equivalents, more preferably 1.0 to 1.8 equivalents, based on silver nitrate. When ascorbic acid or erythorbic acid exceeds 2.0 equivalent, since the produced silver fine particles tend to aggregate, it is unpreferable.

이어서, 질산은의 암민 착체를 형성시킨 알코올 용액을, 아스코르빈산 또는 에리소르빈산을 용해시킨 물-알코올 용액 중에 적하하여 환원 반응을 실시함으로써 은미립자를 석출시킨다. 환원 반응에 있어서의 반응 온도는 15 내지 30℃의 범위이고, 보다 바람직하게는 18 내지 30℃이다. 반응 온도가 30℃을 초과하는 경우, 결정자 직경이 커지고, 얻어지는 은미립자는 단결정에 가까워지기 때문에 바람직하지 않다.Subsequently, the silver fine particles are precipitated by dropping an alcohol solution in which an ammine complex of silver nitrate is formed in a water-alcohol solution in which ascorbic acid or erythorbic acid is dissolved. The reaction temperature in a reduction reaction is 15-30 degreeC, More preferably, it is 18-30 degreeC. When reaction temperature exceeds 30 degreeC, crystallite diameter becomes large and the silver fine particle obtained becomes unpreferable because it approaches a single crystal.

적하 종료 후, 1시간 이상 교반을 계속한 후, 정치함으로써 은미립자를 침강시키고, 상청액을 디캔테이션에 의해 제거한 후, 알코올 및 물을 이용하여 여분의 환원제, 부틸아민, 질산은 등을 세정한다.After completion of the dropwise addition, stirring was continued for 1 hour or more, and then, the silver fine particles were settled by standing still, the supernatant was removed by decantation, and then the excess reducing agent, butylamine, silver nitrate, etc. were washed with alcohol and water.

세정한 은미립자를, 온도 30℃ 이하에서 진공 건조한 후, 통상법에 의해 분쇄함으로써 본 발명의 은미립자를 얻을 수 있다. 건조 온도가 30℃를 초과하는 경우에는 결정자 직경이 커지고, 얻어지는 은미립자가 단결정에 가까워지기 때문에 바람직하지 않다.The silver fine particles of this invention can be obtained by pulverizing by the usual method after wash | cleaning the silver fine particles at the temperature of 30 degreeC or less. When the drying temperature exceeds 30 ° C, the crystallite diameter becomes large and the silver fine particles obtained are close to the single crystal, which is not preferable.

다음에, 본 발명에 따른 은미립자를 포함한 도전성 페이스트에 대하여 기술한다.Next, the electrically conductive paste containing silver fine particles which concerns on this invention is described.

본 발명에 따른 도전성 페이스트는, 본 발명에 따른 은미립자 및 용제로 이루어지고, 필요에 따라 바인더 수지, 경화제, 분산제, 레올로지 조정제 등의 다른 성분을 배합하여도 좋다.The electrically conductive paste which concerns on this invention consists of silver fine particles and a solvent which concern on this invention, and you may mix | blend other components, such as binder resin, a hardening | curing agent, a dispersing agent, and a rheology regulator, as needed.

바인더 수지로서는, 당해 분야에서 공지된 것을 사용할 수 있고, 예를 들면, 에틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 등의 셀룰로오스계 수지, 폴리에스테르 수지, 우레탄 변성 폴리에스테르 수지, 에폭시 변성 폴리에스테르 수지, 아크릴 변성 폴리에스테르 등의 각종 변성 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 염화 비닐?아세트산 비닐 공중합체, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 알키드 수지, 부티랄 수지, 폴리비닐 알코올, 폴리이미드, 폴리 아미드이미드 등을 들 수 있다. 이들 바인더 수지는 단독으로도, 또는 2 종류 이상을 병용할 수도 있다.As binder resin, what is known in the said field can be used, For example, cellulose resin, such as ethyl cellulose and nitrocellulose, a polyester resin, a urethane modified polyester resin, an epoxy modified polyester resin, an acrylic modified polyester, etc. Various modified polyester resins, polyurethane resins, vinyl chloride-vinyl acetate copolymers, acrylic resins, epoxy resins, phenol resins, alkyd resins, butyral resins, polyvinyl alcohols, polyimides, polyamideimide, and the like. . These binder resins may be used alone or in combination of two or more.

용제로서는, 당해 분야에서 공지된 것을 사용할 수 있고, 예를 들면, 테트라 데칸, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 디에틸벤젠, 이소프로필벤젠, 아밀벤젠, p-시멘, 테트랄린 및 석유계 방향족 탄화수소 혼합물 등의 탄화수소계 용제; 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 프로필렌글리콜모노-t-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르, 트리프로필렌 글리콜모노메틸에테르 등의 에테르 또는 글리콜에테르계 용제; 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 글리콜에스테르계 용제; 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용제; 테르피네올, 리나놀, 게라니올, 시트로넬롤 등의 테르펜알코올; n-부탄올, s-부탄올, t-부탄올 등의 알코올계 용제; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 등의 글리콜계 용제; γ-부티로락톤 및 물 등을 들 수 있다. 용제는, 단독으로도, 또는 2 종류 이상을 병용할 수도 있다.As the solvent, those known in the art can be used, for example, tetradecane, toluene, xylene, ethylbenzene, diethylbenzene, isopropylbenzene, amylbenzene, p-cymene, tetralin and petroleum aromatic hydrocarbons Hydrocarbon solvents such as mixtures; Ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono-n-butyl ether, propylene glycol mono-t-butyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, di Ether or glycol ether solvents such as ethylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, and tripropylene glycol monomethyl ether; Glycol ester solvents such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and propylene glycol monoethyl ether acetate; Ketone solvents such as methyl isobutyl ketone and cyclohexanone; Terpene alcohols such as terpineol, linanol, geraniol and citronellol; alcohol solvents such as n-butanol, s-butanol and t-butanol; Glycol solvents such as ethylene glycol and diethylene glycol; (gamma) -butyrolactone, water, etc. are mentioned. A solvent can also be used individually or in combination of 2 or more types.

도전성 페이스트 중의 은미립자의 함유량은 용도에 따라 여러가지이지만, 예를 들면, 배선 형성 용도의 경우 등은 가능한 한 100 중량%에 가까운 것이 바람직하다.The content of the silver fine particles in the conductive paste varies depending on the application, but for example, in the case of a wiring forming application, the content is preferably as close to 100% by weight as possible.

본 발명에 따른 도전성 페이스트는, 각 성분을 분쇄기, 포트 밀, 3축 롤 밀, 회전식 혼합기, 2축 믹서 등의 각종 혼련기, 분산기를 이용하여 혼합?분산시킴으로써 얻을 수 있다. 이 때, 도전성 페이스트를 얻는 공정에서도, 규정된 은미립자의 다결정화도를 유지하기 위하여(결정자 직경이 커지고, 얻어지는 은미립자가 단결정에 가까워지는 일이 없도록), 30℃ 이하에서 각 조작을 실시하는 것이 바람직하다.The electrically conductive paste which concerns on this invention can be obtained by mixing and disperse | distributing each component using various kneaders and dispersers, such as a grinder, a pot mill, a three-axis roll mill, a rotary mixer, and a biaxial mixer. At this time, also in the process of obtaining a conductive paste, in order to maintain the polycrystallization degree of silver fine particles prescribed | regulated (so that a crystallite diameter may become large and the silver fine particles obtained may not approach a single crystal), each operation is performed at 30 degrees C or less. desirable.

본 발명에 따른 도전성 페이스트는, 스크린 인쇄, 잉크젯법, 그라비아 인쇄, 전사 인쇄, 롤 코트, 플로우 코트, 스프레이 도장, 스핀 코트, 딥핑, 브레이드 코트, 도금 등 각종 도포 방법에 적용 가능하다.The electrically conductive paste which concerns on this invention is applicable to various coating methods, such as screen printing, an inkjet method, gravure printing, transfer printing, roll coat, flow coat, spray coating, spin coat, dipping, braid coat, and plating.

또, 본 발명에 따른 도전성 페이스트는, FPD(플랫 패널 디스플레이), 태양전지, 유기 EL 등의 전극 형성이나 LSI 기판의 배선 형성, 나아가 미세한 유적 발굴기, 비어 홀, 컨택트 홀의 매입 등의 배선 형성 재료로서 이용할 수 있다. 또, 적층 세라믹 콘덴서나 적층 인덕터의 내부 전극 형성용 등의 고온에서의 소성 용도는 물론, 저온 소성이 가능하므로 플렉서블 기판이나 IC 카드, 그 밖의 기판 상으로의 배선 형성 재료 및 전극 형성 재료로서 적합하다. 또, 도전성 피막으로서 전자파 쉴드막이나 적외선 반사 쉴드 등에도 이용할 수 있다. 일렉트로닉스 실장에서는 부품 실장용 접합재로서 이용할 수도 있다.Moreover, the electrically conductive paste which concerns on this invention is wiring formation materials, such as electrode formation of a flat panel display (FPD), a solar cell, organic EL, etc., wiring formation of an LSI board, and also the formation of a microscopic remains finder, via hole, and contact hole. It can be used as. It is also suitable as a wiring forming material and an electrode forming material on a flexible substrate, an IC card, and other substrates because of the low temperature firing, as well as the firing at high temperature, such as for forming internal electrodes of a multilayer ceramic capacitor or a laminated inductor. . Moreover, it can be used also for an electromagnetic shielding film, an infrared reflecting shield, etc. as a conductive film. In electronics mounting, it can also be used as a joining material for component mounting.

<작용><Action>

본 발명에서 중요한 점은, 평균 입자 직경(DSEM)이 30 내지 100 nm이며, 다결정화도[평균 입자 직경(DSEM)과 결정자 직경(DX)의 비(DSEM/DX)]가 2.8 이상인 은미립자는 저온 소성이 가능하다는 사실이다.Importantly in the present invention, the average particle diameter (D SEM ) is 30 to 100 nm, and the degree of polycrystallization (ratio of average particle diameter (D SEM ) and crystallite diameter (D X ) (D SEM / D X )] is 2.8. The silver fine particles described above are capable of low-temperature firing.

본 발명에 따른 은미립자가 저온 소결성이 뛰어난 이유에 대하여, 본 발명자는 다음과 같이 생각하고 있다. 즉, 은미립자가 저온에서 소결하기 위해서는, 은미립자가 활성인 것이 필요하지만, 평균 입자 사이즈가 20 nm 이하에서는 활성이 너무 높아 불안정하기 때문에, 통상, 다량의 유기물로 피복할 필요가 있고, 그 피복물은 통상, 고분자이며 저온에서는 제거할 수 없기 때문에, 소성 온도를 내리기는 곤란하였다. 다량의 유기물로 피복할 필요가 없고, 가능한 한 표면 활성이 높은 입자 사이즈로서는 30 내지 100 nm를 생각할 수 있지만, 종래 이 입자 사이즈의 은미립자의 경우, 저온에서 소결하기 위한 표면 활성 에너지로서는 불충분하여 저온 소성이 곤란하였다. 본 발명에 따른 은미립자의 경우, 입자 내부, 즉, 은미립자가 단결정이 아니라 다결정체로 구성됨으로써, 입자 내부의 에너지가 높아지고, 그 때문에, 저온 소성이 가능해졌다고 생각하고 있다.This inventor considers as follows why the silver fine particle which concerns on this invention is excellent in low-temperature sintering property. That is, in order for the silver fine particles to be sintered at a low temperature, it is necessary for the silver fine particles to be active. However, since the activity is too high and unstable at an average particle size of 20 nm or less, it is usually necessary to coat them with a large amount of organic matter. Is usually a polymer and cannot be removed at low temperatures, making it difficult to lower the firing temperature. Although it is not necessary to coat | cover with a large amount of organic substance, 30-100 nm can be considered as a particle size with high surface activity as much as possible, In the case of silver particle of this particle size conventionally, surface active energy for sintering at low temperature is inadequate and it is low temperature. Firing was difficult. In the case of the silver fine particles according to the present invention, it is considered that the energy inside the particles is increased because the inside of the particles, that is, the silver fine particles are composed of polycrystals instead of single crystals, thereby allowing low-temperature firing.

실시예Example

다음에, 본 발명을 이하의 실시예를 이용하여 더욱 상세히 기술하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되지 않는다. 이하의 실시예에 있어서의 평가 방법을 나타낸다.Next, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to the following examples. The evaluation method in a following example is shown.

은미립자의 평균 입자 직경은, 주사형 전자 현미경 사진 "S-4800"(HITACHI제)을 이용하여 입자의 사진을 촬영하고, 이 사진을 이용하여 입자 100개 이상에 대하여 입자 직경을 측정하고, 그 평균값을 산출하여 평균 입자 직경(DSEM)으로 하였다.The average particle diameter of silver fine particles takes the photograph of particle | grains using the scanning electron micrograph "S-4800" (made by HITACHI), The particle diameter is measured about 100 or more particle | grains using this photograph, The average value was computed and it was set as the average particle diameter (D SEM ).

은미립자의 비표면적은, "모노소브 MS-11"(칸타크롬 가부시끼가이샤제)을 이용하고, BET법에 의해 측정한 값으로 나타냈다.The specific surface area of silver fine particles was represented by the value measured by BET method using "Monosorb MS-11" (made by Canthachrome Co., Ltd.).

은미립자의 결정자 직경(DX)은, X선 회절 장치 "RINT2500"(가부시끼가이샤 리가꾸제)을 이용하고, Cu의 Kα선을 선원으로 한 면지수(1,1,1) 면피크의 반값폭을 구하고, 셰러(Scherrer)의 식으로 결정자 직경을 계산하였다.The crystallite diameter (D X ) of the silver fine particles was half the value of the surface index (1,1,1) surface peak using the X-ray diffractometer "RINT2500" (manufactured by Rigaku Co., Ltd.) as a source of Kα rays of Cu. The width was obtained and the crystallite diameter was calculated by Scherrer's formula.

은미립자의 다결정화도는, 평균 입자 직경(DSEM)과 결정자 직경(DX)의 비(DSEM/DX)로 나타냈다.The polycrystallization degree of silver fine particles was shown by ratio (D SEM / D X ) of average particle diameter (D SEM ) and crystallite diameter (D X ).

은미립자의 가열에 의한 결정자 직경의 변화율(%)은, 은미립자를 150℃에서 30분간 가열한 후의 결정자 직경과 가열 전의 은미립자의 결정자 직경을 이용하고, 아래와 같이 수학식 1에 따라 산출한 값이다. 또한, 가열 조건을 120℃에서 30분간, 100℃에서 30분간으로 바꾸었을 경우도 동일하게 하여 결정자 직경의 변화율을 구하였다.The change rate (%) of the crystallite diameter by heating the silver fine particles is a value calculated according to Equation 1 using the crystallite diameter after heating the silver fine particles at 150 ° C. for 30 minutes and the crystallite diameter of the silver fine particles before heating. to be. Moreover, the change rate of the crystalline diameter was calculated | required similarly also when heating conditions were changed into 30 minutes at 120 degreeC, and 30 minutes at 100 degreeC.

<수학식 1>&Quot; (1) &quot;

결정자 직경의 변화율(%)=가열 후의 은미립자의 결정자 직경/가열 전의 은미립자의 결정자 직경×100% Change of crystallite diameter = crystallite diameter of silver fine particles after heating / crystallite diameter of silver fine particles before heating * 100

은미립자의 불순물 금속의 함유량은, "유도 결합 플라스마 발광 분광 분석 장치 SPS4000"(세이코 덴시 고교 가부시끼가이샤제)을 이용하여 측정하고, Ag를 제외한 원소에서 함유량이 많은 것 중, 상위 3 원소의 합계량으로 나타냈다.The content of the impurity metal of the silver fine particles is measured using "Inductively Coupled Plasma Emission Spectroscopy SPS4000" (manufactured by Seiko Denshi Kogyo Co., Ltd.), and the total amount of the upper three elements among the elements having a high content of elements other than Ag Indicated.

도전성 도막의 비저항은, 후술하는 도전성 페이스트를 폴리에스테르 필름 상에 도포하고, 120℃에서 예비 건조한 후, 150℃에서 30분간 가열 경화시킴으로써 얻어진 도전성막에 대하여, 4 단자 전기 저항 측정 장치 "로레스타 GP/MCP-T610"(가부시끼가이샤 다이아 인스트루먼트제)을 이용하여 측정하고, 시트 저항과 막 두께로부터 비저항을 산출하였다.The resistivity of an electroconductive coating film apply | coats the electrically conductive paste mentioned later on a polyester film, predryes at 120 degreeC, and then heat-cures at 150 degreeC for 30 minutes, and it is a 4-terminal electric resistance measuring apparatus "Lorista GP. / MCP-T610 "(manufactured by Daisha Instruments Co., Ltd.), and the specific resistance was calculated from the sheet resistance and the film thickness.

<실시예 1-1:은미립자의 제조 >Example 1-1 Preparation of Silver Particles

500 mL의 비이커에 질산은 40 g와 메탄올 200 mL를 첨가한 후, 수욕에서 냉각하면서 n-부틸아민 37.9 g를 첨가?교반하여 A액을 조제하였다. 별도로, 2 L의 비이커에 에리소르빈산 62.2 g를 덜어, 물 400 mL를 첨가하여 교반하고 용해한 후, 메탄올 200 mL를 첨가하여 B액을 조제하였다.40 g of silver nitrate and 200 mL of methanol were added to a 500 mL beaker, and then 37.9 g of n-butylamine was added and stirred while cooling in a water bath to prepare A solution. Separately, 62.2 g of erythorbic acid was added to a 2 L beaker, 400 mL of water was added thereto, stirred and dissolved, and 200 mL of methanol was added to prepare B solution.

이어서, B액을 교반하면서 A액을 B액에 1시간 20분에 걸쳐 적하하였다. 적하 중, 반응 온도는 25℃를 유지하도록 조절하였다. 적하 종료 후, 14시간 교반한 후, 30분간 정치하여 고형물을 침강시켰다. 상청액을 디캔테이션에 의해 없앤 후, 여과지를 이용하여 흡인 여과하고, 이어서, 메탄올과 순수한 물을 이용하여 세정?여과하였다. 얻어진 은미립자의 고형물을 진공 건조기 중 30℃에서 6시간 건조한 후, 통상법에 의해 분쇄하여 실시예 1-1의 은미립자를 얻었다. 또한 상기의 각 처리 중의 온도는 30℃을 넘지 않도록 조절하였다.Subsequently, A liquid was dripped at B liquid over 1 hour 20 minutes, stirring B liquid. During the dropping, the reaction temperature was adjusted to maintain 25 ° C. After completion of dropping, the mixture was stirred for 14 hours, and then allowed to stand for 30 minutes to settle the solid. The supernatant was removed by decantation, suction filtered using filter paper, and then washed and filtered using methanol and pure water. The obtained silver fine particles solid was dried at 30 ° C. for 6 hours in a vacuum dryer, and then pulverized by the usual method to obtain the silver fine particles of Example 1-1. In addition, the temperature in each said process was adjusted not to exceed 30 degreeC.

얻어진 은미립자의 평균 입자 직경(DSEM)은 82.5 nm, 결정자 직경(DX)은 21.3 nm, 다결정화도(DSEM/DX)는 3.9, BET 비표면적값은 5.3 m2/g이며, 결정자 직경의 변화율(150℃×30분)은 245%, 가용성 금속의 함유량은 50 ppm 미만이었다.The average particle diameter (D SEM ) of the obtained silver fine particles was 82.5 nm, the crystallite diameter (D X ) was 21.3 nm, the polycrystalline degree (D SEM / D X ) was 3.9, and the BET specific surface area value was 5.3 m 2 / g, The change rate of diameter (150 degreeC x 30 minutes) was 245%, and content of soluble metal was less than 50 ppm.

<실시예 2-1:도전성 페이스트의 제조>Example 2-1 Preparation of Conductive Paste

본 발명의 은미립자 100 중량부에 대하여 폴리에스테르 수지 11.0 중량부 및 경화제 1.4 중량부와 도전성 페이스트에 있어서의 은미립자의 함유량이 70 wt%가 되도록 디에틸렌글리콜모노에틸에테르를 첨가하고 프레믹스를 실시한 후, 3축 롤을 이용하여 균일하게 혼련?분산 처리을 실시하여 도전성 페이스트를 얻었다. 또한, 도전성 페이스트를 얻기 위한 상기의 각 공정의 온도는 30℃을 넘지 않도록 조절하였다.Premixed with diethylene glycol monoethyl ether so that the content of the silver fine particles in the electrically conductive paste was 11.0 parts by weight of the polyester resin, 1.4 parts by weight of the curing agent, and the silver fine particles in the conductive paste based on 100 parts by weight of the silver fine particles of the present invention. Thereafter, the mixture was kneaded and dispersed in a uniform manner using a triaxial roll to obtain an electrically conductive paste. In addition, the temperature of each said process for obtaining an electrically conductive paste was adjusted so that it might not exceed 30 degreeC.

얻어진 도전성 도막의 비저항은 5.5×10-5Ω?cm이었다.The specific resistance of the obtained electroconductive coating film was 5.5x10 <-5> ohm-cm.

상기 실시예 1-1 및 실시예 2-1에 따라 은미립자 및 도전성 페이스트를 제작하였다. 각 제조 조건 및 얻어진 은미립자 분말 및 도전성 페이스트의 제특성을 나타낸다.According to Example 1-1 and Example 2-1, silver fine particles and an electrically conductive paste were produced. The various characteristics of each manufacturing conditions, the obtained silver fine particle powder, and an electrically conductive paste are shown.

실시예 1-2 내지 1-4 및 비교예 1-1 내지 1-2:Examples 1-2 to 1-4 and Comparative Examples 1-1 to 1-2:

은미립자의 생성 조건을 여러 가지로 변경함으로써, 은미립자 얻었다.Silver fine particles were obtained by changing the production | generation conditions of silver fine particles in various ways.

이 때의 제조 조건을 표 1에, 얻어진 은미립자의 제특성을 표 2에 나타낸다.Table 1 shows the production conditions at this time, and Table 2 shows the properties of the silver fine particles obtained.

[표 1] [Table 1]

Figure pct00003
Figure pct00003

[표 2] [Table 2]

Figure pct00004
Figure pct00004

<도전성 도료의 제조><Production of Conductive Paint>

실시예 2-2 내지 2-4 및 비교예 2-1 내지 2-2:Examples 2-2 to 2-4 and Comparative Examples 2-1 to 2-2:

은미립자의 종류를 여러 가지로 변화시킨 것 이외에는, 상기 실시예 2-1의 도전성 도료의 제작 방법에 따라 도전성 도료 및 도전성막을 제조하였다.Except having changed the kind of silver fine particles in various ways, the electrically conductive coating material and the conductive film were produced according to the manufacturing method of the electrically conductive paint of the said Example 2-1.

이 때의 제조 조건 및 얻어진 도전성 도막의 제특성을 표 3에 나타낸다.The manufacturing conditions at this time and the various characteristics of the obtained electroconductive coating film are shown in Table 3.

[표 3] [Table 3]

Figure pct00005
Figure pct00005

<산업상의 이용 가능성>Industrial availability

본 발명에 따른 은미립자는, 평균 입자 직경 30 내지 100 nm이기 때문에 싱글 나노 오더의 은미립자와 같이 다량의 유기물로 표면을 피복할 필요가 없으며, 또한, 다결정화도가 2.8 이상이므로 입자 내부의 활성이 높아 저온에서도 은미립자끼리의 소결이 진행되므로, 저온 소성이 가능한 도전성 페이스트 등의 원료로서 바람직하다.Since the silver fine particles according to the present invention have an average particle diameter of 30 to 100 nm, it is not necessary to cover the surface with a large amount of organic matter like the silver fine particles of a single nano order, and since the polycrystallization degree is 2.8 or more, the activity inside the particles is reduced. Since sintering of silver fine particles advances even at high temperature, it is suitable as raw materials, such as an electrically conductive paste which can be baked at low temperature.

Claims (8)

평균 입자 직경(DSEM)이 30 내지 100 nm이며, 다결정화도[평균 입자 직경(DSEM)과 결정자 직경(DX)의 비(DSEM/DX)]가 2.8 이상인 것을 특징으로 하는 은미립자.The average particle diameter (D SEM) are from 30 to 100 nm, the crystallinity is fine particles of not less than [average particle diameter (D SEM) and a crystallite size ratio (D SEM / D X) of (D X)] 2.8 . 제1항에 있어서, 가열에 의한 결정자 직경의 변화율[(150℃에서 30분간 가열 후의 은미립자의 결정자 직경/가열 전의 은미립자의 결정자 직경)×100]이 150% 이상인 은미립자.The silver fine particles according to claim 1, wherein the rate of change of the crystallite diameter by heating ((crystallite diameter of silver fine particles after heating for 30 minutes at 150 ° C./crystallite diameter of silver fine particles before heating) × 100) is 150% or more. 제1항 또는 제2항에 있어서, 은미립자의 BET 비표면적값(SSA)(m2/g)과 평균 입자 직경(DSEM)이 하기 식(1)의 관계를 갖는 은미립자.
Figure pct00006
The silver fine particles according to claim 1 or 2, wherein the BET specific surface area value (SSA) (m 2 / g) and the average particle diameter (D SEM ) of the silver fine particles have a relationship of the following formula (1).
Figure pct00006
제1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 질산은과 수용성 또는 수가용성으로서 비점이 200℃ 이하의 아민의 1 종류 이상을 이용하여 조제한 질산은의 아민 착체의 알코올 용액을, 아스코르빈산 또는 에리소르빈산을 용해시킨 물-알코올 혼합 용매 중에 첨가하여 환원 석출시키고, 얻어진 은미립자를 분리?세정한 후, 온도 30℃ 이하에서 진공 건조에 의해 은미립자를 건조시키는 것을 특징으로 하는 은미립자의 제조 방법.The alcohol solution of the silver nitrate amine complex prepared in any one of Claims 1-3 by using one or more types of silver nitrate and a boiling point of 200 degrees C or less amine as water solubility or water solubility is ascorbic acid or erythorbic acid. A method for producing a silver fine particles, characterized in that the fine particles are dissolved in a water-alcohol mixed solvent, and the precipitated particles are reduced and precipitated. The obtained fine particles are separated and washed, and the silver fine particles are dried by vacuum drying at a temperature of 30 ° C. or lower. 제4항에 있어서, 은미립자를 얻기까지의 모든 공정을 온도 30℃ 이하에서 실시하는 은미립자의 제조 방법.The manufacturing method of silver fine particles of Claim 4 which performs all the processes until obtaining silver fine particles at the temperature of 30 degreeC or less. 제1항 내지 3항 중 어느 한 항에 기재한 은미립자를 포함한 도전성 페이스트.The electrically conductive paste containing the silver fine particle of any one of Claims 1-3. 제6항에 기재한 도전성 페이스트를 이용하여 형성된 도전성막.The conductive film formed using the electrically conductive paste of Claim 6. 제7항에 기재한 도전성막을 갖는 전자 디바이스.The electronic device which has a conductive film of Claim 7.
KR1020117029916A 2009-10-02 2010-09-30 Fine silver particles, method for producing same, conductive paste containing the fine silver particles, conductive film, and electronic device KR20120082347A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009230526A JP2011080094A (en) 2009-10-02 2009-10-02 Fine silver particle, method for producing same, conductive paste containing the fine silver particles, conductive film, and electronic device
JPJP-P-2009-230526 2009-10-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120082347A true KR20120082347A (en) 2012-07-23

Family

ID=43826333

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117029916A KR20120082347A (en) 2009-10-02 2010-09-30 Fine silver particles, method for producing same, conductive paste containing the fine silver particles, conductive film, and electronic device

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2011080094A (en)
KR (1) KR20120082347A (en)
CN (1) CN102470436A (en)
TW (1) TWI490063B (en)
WO (1) WO2011040521A1 (en)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5761483B2 (en) * 2010-05-07 2015-08-12 戸田工業株式会社 Silver fine particles and production method thereof, and conductive paste, conductive film and electronic device containing the silver fine particles
US9492763B2 (en) 2011-07-13 2016-11-15 M. Technique Co., Ltd. Method for producing microparticles having controlled crystallite diameter
JP5768553B2 (en) * 2011-07-20 2015-08-26 住友金属鉱山株式会社 Silver powder manufacturing method
CN103702786B (en) * 2011-07-29 2015-07-29 户田工业株式会社 Silver microparticle and the conductive paste containing this silver-colored microparticle, conductive film and electronic device
JP2013139589A (en) * 2011-12-28 2013-07-18 Toda Kogyo Corp Silver fine particles, method for producing the same, and conductive paste, conductive film, and electronic device containing the silver fine particles
JP6001861B2 (en) * 2012-01-11 2016-10-05 株式会社ダイセル Silver nanoparticle production method, silver nanoparticle, and silver coating composition
JP6037494B2 (en) * 2012-01-11 2016-12-07 国立大学法人山形大学 Silver nanoparticle production method, silver nanoparticle, and silver coating composition
WO2013115339A1 (en) * 2012-02-02 2013-08-08 戸田工業株式会社 Silver microparticles, method for producing same, and electronic device, conductive film, and conductive paste containing said silver microparticles
JP5924481B2 (en) * 2012-02-02 2016-05-25 戸田工業株式会社 Method for producing silver fine particles, silver fine particles obtained by the method for producing silver fine particles, and conductive paste containing the silver fine particles
JP5991459B2 (en) * 2012-02-02 2016-09-14 戸田工業株式会社 Silver fine particles, production method thereof, and conductive paste, conductive film and electronic device containing the silver fine particles
JP6216709B2 (en) * 2012-03-05 2017-10-18 ナミックス株式会社 Silver fine particle sintered body
US9744593B2 (en) * 2012-03-07 2017-08-29 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Silver powder and method for producing same
JP2014023997A (en) * 2012-07-26 2014-02-06 M Technique Co Ltd Method for manufacturing particulates
JP6151893B2 (en) * 2012-08-07 2017-06-21 株式会社ダイセル Method for producing silver nanoparticles and silver nanoparticles
WO2014036228A1 (en) 2012-08-30 2014-03-06 Corning Incorporated Solvent-free syntheses of silver and silver products produced thereby
EP2890822A1 (en) * 2012-08-31 2015-07-08 Corning Incorporated Low-temperature dispersion-based syntheses of silver and silver products produced thereby
KR101618093B1 (en) * 2014-03-17 2016-05-09 주식회사 상보 A Conductive Paste Composition for Forming Conductive Thin Film on a Flexible Substrate and a method for producing the same
CN104240795B (en) * 2014-09-25 2016-11-30 东莞太洋橡塑制品有限公司 The method that application flex endurant conductive silver paste prepares flexible circuit board
US10541222B2 (en) * 2014-10-24 2020-01-21 Namics Corporation Conductive composition and electronic parts using the same
JP6285397B2 (en) * 2015-02-27 2018-02-28 株式会社ノリタケカンパニーリミテド Ag paste and Ag powder for Ag paste
US10357824B2 (en) * 2015-12-03 2019-07-23 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Dendritic silver powder
JP6509770B2 (en) * 2016-03-31 2019-05-08 Jx金属株式会社 Conductive metal powder paste
CN108884346A (en) * 2016-04-04 2018-11-23 株式会社大赛璐 Screen painting ink
CN105761778B (en) * 2016-04-22 2018-09-21 无锡南理工科技发展有限公司 A kind of preparation method of low temperature curing type conductive silver paste
CN112805104B (en) * 2018-10-12 2023-10-27 花王株式会社 Method for producing metal microparticle dispersion
CN111276296B (en) * 2020-03-05 2021-08-31 南京理工大学 Conductive silver paste composite sintering method and device

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3751154B2 (en) * 1998-10-22 2006-03-01 同和鉱業株式会社 Silver powder manufacturing method
JP2004111254A (en) * 2002-09-19 2004-04-08 Asahi Glass Co Ltd Metal contained composition for electrical connection of electronic device
JP4489388B2 (en) * 2003-07-29 2010-06-23 三井金属鉱業株式会社 Method for producing fine silver powder
JP4489389B2 (en) * 2003-07-29 2010-06-23 三井金属鉱業株式会社 Method for producing fine silver powder
WO2005025787A1 (en) * 2003-09-12 2005-03-24 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Metal nano particle liquid dispersion capable of being sprayed in fine particle form and being applied in laminated state
CN1263573C (en) * 2003-09-28 2006-07-12 中国印钞造币总公司 Method for preparing nano silver powder
JP4487143B2 (en) * 2004-12-27 2010-06-23 ナミックス株式会社 Silver fine particles and method for producing the same, conductive paste and method for producing the same
JP4839689B2 (en) * 2005-06-16 2011-12-21 昭栄化学工業株式会社 Silver ultrafine particle production method, silver powder, and silver ultrafine particle dispersion
JP5032005B2 (en) * 2005-07-05 2012-09-26 三井金属鉱業株式会社 High crystal silver powder and method for producing the high crystal silver powder
EP2052043B1 (en) * 2006-08-07 2016-10-12 Inktec Co., Ltd. Process for preparation of silver nanoparticles, and the compositions of silver ink containing the same
JP5239191B2 (en) * 2006-10-31 2013-07-17 戸田工業株式会社 Silver fine particles and method for producing the same
JP2008198595A (en) * 2007-01-16 2008-08-28 Mitsubishi Chemicals Corp Metal particulate ink paste and organic acid treated metal particulate
JP4838219B2 (en) * 2007-10-01 2011-12-14 ハリマ化成株式会社 Method for producing metal nanoparticle sintered body
JP5083685B2 (en) * 2007-11-22 2012-11-28 国立大学法人九州大学 Surface treatment method of metal fine particles and dried or dispersion of metal fine particles

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011080094A (en) 2011-04-21
TW201124215A (en) 2011-07-16
CN102470436A (en) 2012-05-23
WO2011040521A1 (en) 2011-04-07
TWI490063B (en) 2015-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120082347A (en) Fine silver particles, method for producing same, conductive paste containing the fine silver particles, conductive film, and electronic device
JP5761483B2 (en) Silver fine particles and production method thereof, and conductive paste, conductive film and electronic device containing the silver fine particles
Lee et al. A low-cure-temperature copper nano ink for highly conductive printed electrodes
JP6274444B2 (en) Method for producing copper powder
WO2013099818A1 (en) Silver fine particles, production process therefor, and conductive paste, conductive membrane and electronic device, containing said silver fine particles
WO2013115339A1 (en) Silver microparticles, method for producing same, and electronic device, conductive film, and conductive paste containing said silver microparticles
JP5924481B2 (en) Method for producing silver fine particles, silver fine particles obtained by the method for producing silver fine particles, and conductive paste containing the silver fine particles
JP2009161808A (en) Silver fine powder, silver ink, silver paint and method for producing them
JP5239191B2 (en) Silver fine particles and method for producing the same
CN106715601A (en) Silver particle coating composition
KR20160126989A (en) Copper nanoparticles and production method for same, copper nanoparticle fluid dispersion, copper nanoink, copper nanoparticle preservation method, and copper nanoparticle sintering method
JP5773148B2 (en) Silver fine particles, and conductive paste, conductive film and electronic device containing the silver fine particles
JPWO2018190246A1 (en) Copper particle mixture and method for producing the same, copper particle mixture dispersion, copper particle mixture-containing ink, method for storing copper particle mixture, and method for sintering copper particle mixture
CN107250292A (en) Silver particles coating composition
JP4879762B2 (en) Silver powder manufacturing method and silver powder
JP2012031478A (en) Silver fine particle and method of manufacturing the same, conductive paste containing the silver fine particle, conductive film, and electronic device
CN105992663B (en) The manufacturing method of metallic nano-particle
JP2009138242A (en) Low-temperature-sinterable silver fine powder and silver coating material, and their producing methods
WO2010137080A1 (en) Process for producing metallic nanoparticle with low-temperature sinterability, metallic nanoparticle, and process for producing dispersion containing the same
WO2013018645A1 (en) Fine silver particles, conductive paste containing fine silver particles, conductive film and electronic device
JP4575867B2 (en) Conductive paste
JP5773147B2 (en) Silver fine particles, and conductive paste, conductive film and electronic device containing the silver fine particles
JP5991459B2 (en) Silver fine particles, production method thereof, and conductive paste, conductive film and electronic device containing the silver fine particles
JP5314451B2 (en) Metallic nickel particle powder and dispersion thereof, and method for producing metallic nickel particle powder
JP7283703B2 (en) Method for producing silver nanoparticles with wide particle size distribution and silver nanoparticles

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid