KR20120078498A - Photosensitive resin composition, spacer thereof and liquid crystal display comprising the same - Google Patents

Photosensitive resin composition, spacer thereof and liquid crystal display comprising the same Download PDF

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Abstract

PURPOSE: A photosensitive resin composition, a spacer manufactured based on the composition, and a liquid crystal display device including the composition are provided to improve resolution by reducing the size of pixels. CONSTITUTION: A photosensitive resin composition includes an alkali soluble resin, an unsaturated ethylenically monomer, a photo-polymerization initiator, and a solvent. The photo-polymerization initiator is one or more selected from a compound represented by chemical formula 1 and a compound represented by chemical formula 2. In chemical formula 1, R1 is a hydrogen element, a halogen element, a phenyl group, a phenoxy carbonyl group, a C1 to C20 alkyl group, a C2 to C20 alkyl group substituted with a halogen element or a phenyl group, a phenyl group substituted with a C1 to C6 alkyl group, a halogen element, -OR, -OCH_2CH_2(CO)OR, or -O(CO)-R, an alkanoyl group substituted with a C1 to C6 alkyl group, a phenyl group, -OR, -OCH_2CH_2(CO)OR, or -O(CO)-R, a benzoyl group substituted with a C1 to C6 alkyl group, a phenyl group, -OR, -OCH_2CH_2(CO)OR, or -O(CO)-R, a C2 to C12 alkoxy carbonyl group substituted with one or more of -O- or hydroxyl groups, a phenoxy carbonyl group substituted with a C1 to C6 alkyl group, a halogen element, a phenyl group, -OR, -OCH_2CH_2(CO)OR, -O(CO)-R, a S(O)_m-phenyl group substituted with a ciano group, NO_2, a C1 to C4 haloalkyl group, C1 to C12 alkyl group, or SO_2-R; and R1 is a hydrogen element, a halogen element, a C1 to C6 alkyl group, a phenyl group, a ciano group, a phenoxyl group, or a C3 to C8 cycloalkyl group substituted with a ciano group or a phenyl group.

Description

감광성 수지 조성물, 이로부터 제조된 스페이서 및 이를 포함하는 액정표시소자{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, SPACER THEREOF AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY COMPRISING THE SAME}Photosensitive resin composition, a spacer manufactured therefrom, and a liquid crystal display device comprising the same {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, SPACER THEREOF AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY COMPRISING THE SAME}

본 발명은 감광성 수지 조성물, 이로부터 제조된 스페이서 및 이를 포함하는 액정표시소자에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, a spacer prepared therefrom, and a liquid crystal display device including the same.

일반적으로 스페이서를 형성하는 공정, 예를 들면 컬러 필터 등에 사용되는 투명 기판 상에 포토리소그래피에 의해 스페이서를 형성하는 경우에는, 프록시미티 노광기를 사용하는 경우가 많다. 이러한 프록시미티 노광의 경우, 노광에 사용되는 포토마스크와 감광성 수지 조성물의 피막을 형성한 기판과의 사이에 일정한 갭을 설치하여 노광하고 있으며, 포토마스크와 같은 패턴으로 노광되는 것이 이상적이다. 이때 일정한 갭을 유지하는 것은 마스크와 기판이 밀착 되는 현상을 막음으로써, 마스크와 기판 모두가 오염되는 것을 막기 위함이다. Generally, when forming a spacer by photolithography on the transparent substrate used for the process of forming a spacer, for example, a color filter, a proximity exposure machine is often used. In the case of such proximity exposure, a constant gap is provided between the photomask used for exposure and the board | substrate which formed the film of the photosensitive resin composition, and it exposes, and it is ideal to expose in a pattern similar to a photomask. Maintaining a constant gap at this time is to prevent the mask and the substrate from being in close contact, thereby preventing contamination of both the mask and the substrate.

그러나 상기 갭은 공기 또는 질소로 채워져 있고, 포토마스크의 개구부를 통과한 빛이 상기 갭부에서 확산하여 퍼지기 때문에 마스크 패턴의 설계 크기보다 넓게 노광된다는 문제가 있다. However, since the gap is filled with air or nitrogen, and the light passing through the opening of the photomask is diffused and spread in the gap portion, there is a problem that the gap is exposed wider than the design size of the mask pattern.

현재 화질을 높이기 위해 픽셀 사이즈가 작아지고 있고, 작아지는 픽셀 사이즈에 따라 스페이서 또한 작은 사이즈의 미세패턴이 요구되고 있다. 프록시미티 노광의 경우에, 노광에 사용되는 포토마스크와 감광성 수지 조성물의 피막을 형성한 기판과의 사이에 일정한 갭을 유지하며, 포토마스크와 같은 패턴으로 노광되는 미세패턴의 형성이 요구되고 있다. In order to improve image quality, the pixel size is getting smaller, and according to the smaller pixel size, a smaller size of the spacer is also required. In the case of proximity exposure, the formation of the micropattern exposed in the same pattern as a photomask is required, maintaining a constant gap between the photomask used for exposure and the board | substrate which formed the film of the photosensitive resin composition.

이에 대하여 대한민국 특허공개 제1999-88297호, 제2002-76924호, 제2001-0100808호 및 제2002-0053757호에는 바인더 폴리머를 아크릴계 공중합체로서 사용하며 다가의 아크릴레이트 가교제 및 광개시제로 이루어진 감광성 수지 조성물을 기판에 도포한 후 소정의 마스크를 개재시키고, 자외선을 조사하여 원하는 부분을 경화시키고 경화되지 않은 부분을 염기수용액으로 세척하여 제거하는 방법으로 도트 형상이나 스트라이프 형상의 스페이서를 형성한 기술이 개시되어 있으나, 상기 요구를 충족시키지 못하고 있는 실정이다.On the other hand, Korean Patent Publication Nos. 1999-88297, 2002-76924, 2001-0100808, and 2002-0053757 use binder polymers as acrylic copolymers, and a photosensitive resin composition composed of a polyvalent acrylate crosslinking agent and a photoinitiator. Is applied to a substrate, a predetermined mask is interposed, ultraviolet rays are irradiated to cure a desired portion, and a method of forming a spacer having a dot shape or a stripe shape by washing with an aqueous base solution is removed. However, this situation does not meet the requirements.

본 발명은 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 광중합 개시제를 포함하여 고감도 및 고해상으로 패턴 형성이 가능하고, 패턴 모양이 양호하며, 압축강도, 투명기판과의 밀착성 등이 우수한 감광성 수지 조성물, 이로부터 제조된 스페이서 및 이를 포함하는 액정표시소자를 제공하고자 한다.The present invention includes a compound represented by Formula 1 according to the present invention and any one or more photopolymerization initiators selected from the compounds represented by the following Formula 2 is capable of forming a pattern with high sensitivity and high resolution, good pattern shape, compressive strength To provide a photosensitive resin composition having excellent adhesion to a transparent substrate and the like, a spacer prepared therefrom, and a liquid crystal display device including the same.

본 발명의 일 구현예는 [A]알칼리 가용성 수지, [B]불포화성 에틸렌계 모노머, [C]하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 광중합 개시제 및 [D]용매를 포함하는 감광성 수지 조성물인 것이다.
One embodiment of the present invention is any one or more photopolymerization initiator selected from [A] alkali-soluble resin, [B] unsaturated unsaturated ethylene monomer, [C] a compound represented by the formula (1) and a compound represented by the formula (2) and It is a photosensitive resin composition containing a [D] solvent.

<화학식 1><Formula 1>

Figure pat00001

Figure pat00001

(상기 식에서, R1은 수소원자, 할로겐 원자, 페닐기, 페녹시카보닐기, C1~C20 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기에 의해 치환된 C2~C20 알킬기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 -OR(여기서, R은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20인 알킬기, 페닐기, C3~C6인 알켄옥실기, -OCH2CH2CN, -OCO-페닐기이다.) 또는 -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.) 또는 -O(CO)-R(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.)에 의해 치환된 페닐기, C1~C6 알킬기 또는 페닐기 또는 -OR(여기서, R은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20인 알킬기, 페닐기, C3~C6인 알켄옥실기, -OCH2CH2CN, -OCO-페닐기이다.) 또는 -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.) 또는 -O(CO)-R(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.)에 의해 치환된 알카노일기, C1~C6 알킬기 또는 페닐기 또는 -OR(여기서, R은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20인 알킬기, 페닐기, C3~C6인 알켄옥실기, -OCH2CH2CN, -OCO-페닐기이다.) 또는 -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.) 또는 -O(CO)-R(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.)에 의해 치환된 벤조일기, 하나 이상의 -O- 또는 하이드록실기에 의해 치환된 C2~C12인 알콕시카보닐기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 페닐기 또는 -OR(여기서, R은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20인 알킬기, 페닐기, C3~C6인 알켄옥실기, -OCH2CH2CN, -OCO-페닐기이다.) 또는 -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.) 또는 -O(CO)-R(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.)에 의해 치환된 페녹시카보닐, 시아노기 또는 NO2 또는 C1~C4 할로알킬기 또는 C1~C12 알킬기 또는 SO2-R (여기서, R은 C1~C6 알킬기이다.)에 의해 치환된 S(O)m-페닐기(여기서, m은 2~6의 정수이다.), C1~C12 알킬기에 의해 치환된 SO2-O페닐기이며, Wherein R 1 is a hydrogen atom, a halogen atom, a phenyl group, a phenoxycarbonyl group, C 1 to C 20 C 2 to C 20 substituted by alkyl, halogen atom or phenyl group Alkyl group, C 1 to C 6 phosphorus An alkyl group or a halogen atom or -OR, wherein R is a hydrogen atom, a hydroxy group, a thiol group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, an alkenoxyl group having 3 to 6 carbon atoms, -OCH 2 CH 2 CN, -OCO-phenyl group) or -OCH 2 CH 2 (CO) OR wherein R is C 1 ~ C 4 Alkyl group) or -O (CO) -R wherein R is C 1 -C 4 Is a phenyl group substituted with an alkyl group, and C 1 to C 6 An alkyl group or a phenyl group or -OR, wherein R is a hydrogen atom, a hydroxy group, a thiol group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, an alkenoxyl group having 3 to 6 carbon atoms, -OCH 2 CH 2 CN,- OCO-phenyl group) or -OCH 2 CH 2 (CO) OR where R is C 1 ~ C 4 Alkyl group) or -O (CO) -R wherein R is C 1 -C 4 An alkanoyl group substituted with an alkyl group, C 1 to C 6 An alkyl group or a phenyl group or -OR, wherein R is a hydrogen atom, a hydroxy group, a thiol group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, an alkenoxyl group having 3 to 6 carbon atoms, -OCH 2 CH 2 CN,- OCO-phenyl group) or -OCH 2 CH 2 (CO) OR where R is C 1 ~ C 4 Alkyl group) or -O (CO) -R wherein R is C 1 -C 4 An alkyl group.), A C 2 to C 12 alkoxycarbonyl group substituted by one or more -O- or hydroxyl groups, C 1 to C 6 An alkyl group or a halogen atom or a phenyl group or -OR, wherein R is a hydrogen atom, a hydroxy group, a thiol group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, an alkenoxyl group having 3 to 6 carbon atoms, -OCH 2 CH 2 CN, -OCO-phenyl group) or -OCH 2 CH 2 (CO) OR, wherein R is C 1 ~ C 4 Alkyl group) or -O (CO) -R wherein R is C 1 -C 4 Phenoxycarbonyl, cyano group or NO 2 or C 1 to C 4 Haloalkyl group or C 1 to C 12 phosphorus An alkyl group or SO 2 -R wherein R is C 1 to C 6 S (O) m-phenyl group substituted with an alkyl group, wherein m is an integer of 2 to 6, and C 1 to C 12 SO 2 -Ophenyl group substituted by an alkyl group,

R2는 수소원자, 할로겐 원자, C1~C6인 알킬기, 페닐기, 시아노기, 페녹시기, 시아노기 또는 페닐기로 치환된 C3~C8 사이클로알킬기, 시아노기 또는 페닐기로 치환된 C1~C12인 알킬기, 시아노기 또는 페닐기로 치환된 C2~C5 알케닐기, 시아노기 또는 할로겐으로 치환된 페닐기, 시아노기 또는 할로겐 원자로 치환된 C1~C8인 알콕시기, 시아노기 또는 할로겐으로 치환된 벤질옥시기, 할로겐 원자로 치환된 페녹시기, C1~C6인 알킬기로 치환된 페녹시기이다.)
R 2 is a hydrogen atom, a halogen atom, C 3 ~ C 8 substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, a cyano group, a phenoxy group, a cyano group or a phenyl group Cycloalkyl group, a cyano group or a phenyl group substituted with C 1 ~ C 12 is a C 2 alkyl group substituted by a cyano group or a phenyl group is 5 ~ C Alkenyl group, a cyano group or a halogen-substituted phenyl group, a cyano group or a halogen atom-substituted C 1 ~ C 8 alkoxy group, a cyano cost as group or halogen-substituted benzyl oxy group, a halogen-substituted phenoxy group, C 1 ~ C Phenoxy group substituted with a 6 -membered alkyl group.)

<화학식 2><Formula 2>

Figure pat00002
Figure pat00002

(상기 식에서, R3, R4 및 R5는 각각 서로 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 페닐기, 시아노기, C1~C12 알킬기, 페닐기 또는 시아노기로 치환된 C3~C8 사이클로알킬기, 페닐기 또는 시아노기로 치환된 C1~C12인 알킬기, 페닐기 또는 시아노기로 치환된 C2~C5 알케닐기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 시아노기 또는 OA1 또는 SA2 또는 NA3A4 치환된 페닐기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 시아노기 또는 OA1 또는 SA2 또는 NA3A4 치환된 C1~C8인 알콕시기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 시아노기 또는 OA1 또는 SA2 또는 NA3A4 치환된 벤질옥시기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자로 치환된 페녹시기이다. Wherein R 3 , R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a phenyl group, a cyano group, and C 1 to C 12 C 3 to C 8 substituted with alkyl, phenyl or cyano groups Cycloalkyl group, a C 2 substituted with a phenyl group or a cyano group, a C 1 ~ C 12 alkyl group, a phenyl group or a cyano group substituted with a 5 ~ C Alkenyl, C 1 to C 6 phosphorus With an alkyl group or a halogen atom or a cyano group or OA 1 or SA 2 or NA 3 A 4 Substituted phenyl groups, C 1 to C 6 With an alkyl group or a halogen atom or a cyano group or OA 1 or SA 2 or NA 3 A 4 Substituted C 1 ~ C 8 phosphorus alkoxy group, C 1 ~ C 6 phosphorus With an alkyl group or a halogen atom or a cyano group or OA 1 or SA 2 or NA 3 A 4 Substituted Benzyloxy group, C 1 to C 6 phosphorus Phenoxy group substituted with an alkyl group or a halogen atom.

R6는 페닐기, 나프틸기, 벤조일기, 나프토일기이다. 이들은 각각 할로겐 또는 C2~C12인 알킬기 또는 C3~C8인 사이클로알킬기 또는 벤질기 또는 페닐기 또는 페녹시카보닐기에 의해 치환되거나; 각각 OA1 또는 SA2 또는 NA3A4에 의해 치환된 페닐기에 치환되거나; 각각 -O- 또는 히드록시기에 의해 치환된 C2~C12인 알콕시카보닐기에 의해 치환되거나; 각각 OA1 또는 SA2 또는 SOA2 또는 SO2A2 또는 NA3A4에 의해 치환될 수 있다. R 6 is a phenyl group, a naphthyl group, a benzoyl group or a naphthoyl group. They are substituted by halogen or C 2 -C 12 alkyl group or C 3 -C 8 cycloalkyl group or benzyl group or phenyl group or phenoxycarbonyl group, respectively; Each substituted with a phenyl group substituted by OA 1 or SA 2 or NA 3 A 4 ; Substituted with a C 2 to C 12 alkoxycarbonyl group each substituted with —O— or a hydroxy group; Or may be substituted by OA 1 or SA 2 or SOA 2 or SO 2 A 2 or NA 3 A 4 , respectively.

A1은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20 알킬기, C3~C6 알켄옥실기, 페닐기로 치환된 C1~C3 알킬기, -OCH2CH2CN, -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C8 알킬기이다.), -O(CO)R(여기서, R은 페닐기, C1~C8인 알킬기이다.), -(CO)OR(여기서, R은 수소원자, C2~C12 알킬기이다.), -OR(여기서, R은 할로겐 원자, 하이드록시기, C2~C12 알킬기, -(CH2CH2O)n+1H(n은 1 내지 5의 정수이다.), -(CH2CH2O)n(CO)R(여기서, n은 1 내지 5의 정수이고, R은 C1~C8 알킬기이다.), C1~C8 알카노일기, C2~C12 알케닐기, C3~C6 알케노일기, C3~C8 사이클로알킬기, C1~C12 알콕시기, 페녹시기, C1~C12 알킬설파닐기, 페닐설파닐기, -NR(여기서, R은 C1~C12 알킬기이다.), 디페닐아미노기로 치환된 페닐기 또는 나프틸기이다.) AOneSilver hydrogen atom, hydroxy group, thiol group, cyano group, COne~ C20sign Alkyl group, C3~ C6sign C substituted with alkenoxyl group, phenyl groupOne~ C3sign Alkyl group, -OCH2CH2CN, -OCH2CH2(CO) OR where R is COne~ C8sign Alkyl group), -O (CO) R, wherein R is a phenyl group, COne~ C8Is an alkyl group),-(CO) OR, where R is a hydrogen atom,2~ C12sign Is an alkyl group), -OR (where R is a halogen atom, a hydroxy group, C2~ C12sign Alkyl group,-(CH2CH2O)n + 1H (n is an integer from 1 to 5),-(CH2CH2O)n(CO) R where n is an integer from 1 to 5 and R is COne~ C8sign Alkyl group), COne~ C8sign Alkanoyl group, C2~ C12sign Alkenyl, C3~ C6sign Alkenoyl, C3~ C8sign Cycloalkyl group, COne~ C12sign Alkoxy group, phenoxy group, COne~ C12sign Alkylsulfanyl group, phenylsulfanyl group, -NR (where R is COne~ C12sign An alkyl group.), A phenyl group or a naphthyl group substituted with a diphenylamino group.)

A2는 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, 비치환된 C1~C20 알킬기, 비치환된 C2~C12 알케닐기, 비치환된 C3~C8 사이클로알킬기, 비치환된 C3~C6 알켄옥실기, 산소원자 또는 황원자로 치환된 C2~C12 알킬기, 산소원자 또는 황원자로 치환된 C1~C8 알카노일기, 산소원자 또는 황원자로 치환된 C2~C12 알케닐기, 산소원자 또는 황원자로 치환된 C3~C6 알케노일기, C1~C6 알킬기로 치환된 벤조일기, 할로겐으로 치환된 벤조일기, 히드록시기로 치환된 벤조일기, C1~C4 알콕시기로 치환된 벤조일기, C1~C4 알킬설파닐기로 치환된 벤조일기이고, A2Is a hydrogen atom, hydroxyl group, thiol group, cyano group, unsubstituted COne~ C20sign Alkyl group, unsubstituted C2~ C12sign Alkenyl, Unsubstituted C3~ C8sign Cycloalkyl group, unsubstituted C3~ C6sign C substituted with alkenoxyl, oxygen or sulfur atoms2~ C12sign C substituted by alkyl group, oxygen atom or sulfur atomOne~ C8sign C substituted with an alkanoyl group, oxygen atom or sulfur atom2~ C12sign C substituted with alkenyl, oxygen or sulfur atoms3~ C6sign Alkenoyl, COne~ C6sign Benzoyl group substituted with alkyl group, benzoyl group substituted with halogen, benzoyl group substituted with hydroxy group, COne~ C4sign Benzoyl group substituted with an alkoxy group, COne~ C4sign A benzoyl group substituted with an alkylsulfanyl group,

A3 및 A4는 각각 독립적으로, 수소원자, 벤조일기, C1~C20 알킬기, C2~C4 하이드록시알킬기, C2~C10 알콕시알킬기, C2~C5 알케닐기, C3~C8 사이클로알킬기, 페닐-R(여기서, R은 C1~C3 알킬기이다.), C1~C8 알카노일기, C3~C12 알케노일기, C3~C12 벤조일기, C1~C12 알킬기로 치환된 페닐기, 벤조일기로 치환된 페닐기, C1~C12 알콕시기로 치환된 페닐기, C1~C12 알킬기로 치환된 나프틸기, 벤조일기로 치환된 나프틸기, C1~C12 알콕시기로 치환된 나프틸기, 히드록시기 또는 C1~C4 알콕시기 또는 C2~C4 알카노일옥시기 또는 벤조옥시기로 치환된 C2~C6 알킬렌기이다.)
A 3 and A 4 are each independently a hydrogen atom, a benzoyl group, C 1 to C 20 Alkyl group, C 2 ~ C 4 phosphorus Hydroxyalkyl group, C 2 ~ C 10 phosphorus Alkoxyalkyl group, C 2 ~ C 5 phosphorus Alkenyl, C 3 ~ C 8 phosphorus Cycloalkyl group, phenyl-R, wherein R is C 1 to C 3 Alkyl group), C 1 ~ C 8 Alkanoyl group, C 3 ~ C 12 phosphorus Alkenoyl group, C 3 to C 12 Benzoyl group, C 1 to C 12 phosphorus A phenyl group substituted with an alkyl group, a phenyl group substituted with a benzoyl group, C 1 to C 12 Phenyl group substituted by alkoxy group, C 1 to C 12 Naphthyl group substituted with alkyl group, naphthyl group substituted with benzoyl group, C 1 to C 12 phosphorus Naphthyl, hydroxy or C 1 to C 4 substituted with an alkoxy group Alkoxy or C 2 to C 4 C 2 ~ C 6 substituted with an alkanoyloxy group or a benzooxy group Alkylene group.)

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물인 광중합 개시제는 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물인 감광성 수지 조성물이다. Another embodiment of the present invention is a photopolymerization initiator is a compound represented by the formula (1) is a photosensitive resin composition is a compound represented by the formula (3).

<화학식 3><Formula 3>

Figure pat00003
Figure pat00003

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물인 광중합 개시제는 하기 화학식 4로 표시되는 화합물인 감광성 수지 조성물이다. Another embodiment of the present invention is a photopolymerization initiator of the compound represented by Formula 2 is a photosensitive resin composition is a compound represented by the formula (4).

<화학식 4>&Lt; Formula 4 >

Figure pat00004

Figure pat00004

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 [A]알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여 [B]불포화성 에틸렌계 모노머 10 내지 300중량부, [C]상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 광중합 개시제 1 내지 30중량부 및 [D]용매 200 내지 800중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물인 것이다. Another embodiment of the present invention is 10 to 300 parts by weight of the [B] unsaturated ethylene monomer based on 100 parts by weight of the [A] alkali-soluble resin, [C] the compound represented by Formula 1 and Formula 2 It is a photosensitive resin composition containing 1-30 weight part of any 1 or more photoinitiators selected from the compound to become, and 200-800 weight part of [D] solvents.

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 [C]광중합 개시제로서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합하는 경우 화학식 1로 표시되는 화합물대 화학식 2로 표시되는 화합물의 중량비가 1 내지 30 : 1 내지 30인 감광성 수지 조성물인 것이다. Another embodiment of the present invention is a weight ratio of the compound represented by Formula 1 to the compound represented by Formula 2 when the compound represented by Formula 1 and the compound represented by Formula 2 as the [C] photopolymerization initiator It is a photosensitive resin composition which is 1-30: 1-30.

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 [A]알칼리 가용성 수지는 [a1]불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물 중 선택된 단독 또는 2종 이상의 혼합물; 및 [a2]에폭시기 함유 불포화 화합물의 공중합체인 감광성 수지 조성물인 것이다. Another embodiment of the present invention, the [A] alkali-soluble resin is selected from the group consisting of a single or a mixture of two or more selected from [a1] unsaturated carboxylic acid and unsaturated carboxylic anhydride; And a photosensitive resin composition which is a copolymer of the [a2] epoxy group containing unsaturated compound.

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 [A]알칼리 가용성 수지는 [a1]불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물 중 선택된 단독 또는 2종 이상의 혼합물; [a2]에폭시기 함유 불포화 화합물; 및 [a3]상기 [a1] 및 [a2] 이외의 올레핀계 불포화 카르복실산 에스테르 화합물의 공중합체; 또는 [a1]불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물 중 선택된 단독 또는 2종 이상의 혼합물; [a2]에폭시기 함유 불포화 화합물; 및 [a4]상기 [a1], [a2] 및 [a3] 이외의 올레핀계 불포화 화합물 중 선택된 1종 이상의 화합물의 공중합체; 또는 [a1]불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물 중 선택된 단독 또는 2종 이상의 혼합물; [a2]에폭시기 함유 불포화 화합물; [a3]상기 [a1] 및 [a2] 이외의 올레핀계 불포화 카르복실산 에스테르 화합물; 및 [a4]상기 [a1], [a2] 및 [a3] 이외의 올레핀계 불포화 화합물 중 선택된 1종 이상의 화합물의 공중합체인 감광성 수지 조성물인 것이다.Another embodiment of the present invention, the [A] alkali-soluble resin is selected from the group consisting of a single or a mixture of two or more selected from [a1] unsaturated carboxylic acid and unsaturated carboxylic anhydride; [a2] epoxy group-containing unsaturated compounds; And [a3] copolymers of olefinically unsaturated carboxylic acid ester compounds other than the above [a1] and [a2]; Or [a1] single or a mixture of two or more selected from unsaturated carboxylic acids and unsaturated carboxylic anhydrides; [a2] epoxy group-containing unsaturated compounds; And [a4] a copolymer of at least one compound selected from olefinically unsaturated compounds other than [a1], [a2] and [a3]; Or [a1] single or a mixture of two or more selected from unsaturated carboxylic acids and unsaturated carboxylic anhydrides; [a2] epoxy group-containing unsaturated compounds; [a3] Olefinic unsaturated carboxylic ester compound other than said [a1] and [a2]; And [a4] A photosensitive resin composition which is a copolymer of at least one compound selected from olefinically unsaturated compounds other than [a1], [a2], and [a3].

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 [a1]:[a2] 성분은 1:1.3 내지 3.5의 중량비로 포함되는 감광성 수지 조성물인 것이다. According to another embodiment of the present invention, the [a1]: [a2] component is a photosensitive resin composition included in a weight ratio of 1: 1.3 to 3.5.

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 상기 [A]알칼리 가용성 수지는 상기 [a4] 성분을 [A]알칼리 가용성 수지 고형분 100중량부에 대하여 10 내지 70중량부로 포함하는 감광성 수지 조성물인 것이다. According to another embodiment of the present invention, the [A] alkali-soluble resin is a photosensitive resin composition containing the component [a4] at 10 to 70 parts by weight based on 100 parts by weight of the [A] alkali-soluble resin solid content.

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 조성물을 이용하여 제조된 스페이서인 것이다. Another embodiment of the present invention is a spacer prepared using the composition.

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 스페이서는 패턴의 바닥에서 20% 올라간 지점을 Bottom CD(a), 95% 올라간 지점을 Top CD(b)로 정의하고, (b)의 길이를 (a)의 길이로 나눈 후 100을 곱한 값(=b/a×100)으로 계산된 top/bottom 비율이 50 이상인 스페이서이다. According to another embodiment of the present invention, the spacer defines a point where 20% is raised from the bottom of the pattern as Bottom CD (a), a point where 95% is raised as Top CD (b), and the length of (b) is A spacer with a top / bottom ratio of 50 or more divided by length and multiplied by 100 (= b / a × 100).

본 발명의 다른 일 구현예는 상기 스페이서를 포함하는 액정표시소자인 것이다.Another embodiment of the present invention is a liquid crystal display device including the spacer.

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물, 이로부터 제조된 스페이서 및 이를 포함하는 액정표시소자는 노광감도가 매우 높고 현상공정 후의 패턴 안정성이 우수하여 적은 노광량으로 미세패턴을 형성할 수 있고, 이를 통해 저노광량에 의한 패턴 형성으로 인한 공정마진 개선뿐 아니라, 공정시간 단축으로 인한 생산성 향상 등을 기대할 수 있다. 또한 미세패턴 형성이 가능하므로 픽셀 사이즈를 줄여 해상도를 향상시킬 수 있다. 또한, 저노광량에서도 충분한 광감응성을 보이며 미세 패턴 형성이 용이한 고감도 및 고해상 스페이서에 적용가능한 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다. The photosensitive resin composition, the spacer manufactured therefrom, and the liquid crystal display device including the same according to the present invention have a very high exposure sensitivity and excellent pattern stability after the development process, thereby forming a fine pattern with a small exposure amount, and thus, a low exposure amount. In addition to improving process margins due to pattern formation, productivity improvement due to shortening of process time can be expected. In addition, since fine patterns can be formed, the resolution can be improved by reducing the pixel size. In addition, it is possible to provide a photosensitive resin composition that can be applied to a high sensitivity and high resolution spacer that exhibits sufficient photosensitivity even at a low exposure amount and is easy to form a fine pattern.

도 1은 패턴의 압축변위 및 회복율 과정을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 실시예 1에 따른 감광성 수지 조성물로 패턴을 형성한 후, 전자현미경을 이용하여 패턴을 측정한 것이다.
도 3은 실시예 3에 따른 감광성 수지 조성물로 패턴을 형성한 후, 전자현미경을 이용하여 패턴을 측정한 것이다.
1 schematically illustrates a process of compressive displacement and recovery rate of a pattern.
2 is a pattern formed by using the photosensitive resin composition according to Example 1, and then measured by using an electron microscope.
Figure 3 is after forming a pattern with the photosensitive resin composition according to Example 3, the pattern is measured using an electron microscope.

본 발명의 일 구현예에 따르면, [A]알칼리 가용성 수지, [B]불포화성 에틸렌계 모노머, [C]하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 광중합 개시제 및 [D]용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다. According to one embodiment of the invention, any one or more photopolymerization selected from [A] alkali-soluble resin, [B] unsaturated unsaturated ethylene monomer, [C] a compound represented by the following formula (1) and a compound represented by the following formula (2) It is providing the photosensitive resin composition containing an initiator and a [D] solvent.

<화학식 1><Formula 1>

Figure pat00005
Figure pat00005

(상기 식에서, R1은 수소원자, 할로겐 원자, 페닐기, 페녹시카보닐기, C1~C20 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기에 의해 치환된 C2~C20 알킬기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 -OR(여기서, R은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20인 알킬기, 페닐기, C3~C6인 알켄옥실기, -OCH2CH2CN, -OCO-페닐기이다.) 또는 -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.) 또는 -O(CO)-R(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.)에 의해 치환된 페닐기, C1~C6 알킬기 또는 페닐기 또는 -OR(여기서, R은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20인 알킬기, 페닐기, C3~C6인 알켄옥실기, -OCH2CH2CN, -OCO-페닐기이다.) 또는 -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.) 또는 -O(CO)-R(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.)에 의해 치환된 알카노일기, C1~C6 알킬기 또는 페닐기 또는 -OR(여기서, R은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20인 알킬기, 페닐기, C3~C6인 알켄옥실기, -OCH2CH2CN, -OCO-페닐기이다.) 또는 -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.) 또는 -O(CO)-R(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.)에 의해 치환된 벤조일기, 하나 이상의 -O- 또는 하이드록실기에 의해 치환된 C2~C12인 알콕시카보닐기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 페닐기 또는 -OR(여기서, R은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20인 알킬기, 페닐기, C3~C6인 알켄옥실기, -OCH2CH2CN, -OCO-페닐기이다.) 또는 -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.) 또는 -O(CO)-R(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.)에 의해 치환된 페녹시카보닐, 시아노기 또는 NO2 또는 C1~C4 할로알킬기 또는 C1~C12 알킬기 또는 SO2-R (여기서, R은 C1~C6 알킬기이다.)에 의해 치환된 S(O)m-페닐기(여기서, m은 2~6의 정수이다.), C1~C12 알킬기에 의해 치환된 SO2-O페닐기이며, Wherein R 1 is a hydrogen atom, a halogen atom, a phenyl group, a phenoxycarbonyl group, C 1 to C 20 C 2 to C 20 substituted by alkyl, halogen atom or phenyl group Alkyl group, C 1 to C 6 phosphorus An alkyl group or a halogen atom or -OR, wherein R is a hydrogen atom, a hydroxy group, a thiol group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, an alkenoxyl group having 3 to 6 carbon atoms, -OCH 2 CH 2 CN, -OCO-phenyl group) or -OCH 2 CH 2 (CO) OR wherein R is C 1 ~ C 4 Alkyl group) or -O (CO) -R wherein R is C 1 -C 4 Is a phenyl group substituted with an alkyl group, and C 1 to C 6 An alkyl group or a phenyl group or -OR, wherein R is a hydrogen atom, a hydroxy group, a thiol group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, an alkenoxyl group having 3 to 6 carbon atoms, -OCH 2 CH 2 CN,- OCO-phenyl group) or -OCH 2 CH 2 (CO) OR where R is C 1 ~ C 4 Alkyl group) or -O (CO) -R wherein R is C 1 -C 4 An alkanoyl group substituted with an alkyl group, C 1 to C 6 An alkyl group or a phenyl group or -OR, wherein R is a hydrogen atom, a hydroxy group, a thiol group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, an alkenoxyl group having 3 to 6 carbon atoms, -OCH 2 CH 2 CN,- OCO-phenyl group) or -OCH 2 CH 2 (CO) OR where R is C 1 ~ C 4 Alkyl group) or -O (CO) -R wherein R is C 1 -C 4 An alkyl group.), A C 2 to C 12 alkoxycarbonyl group substituted by one or more -O- or hydroxyl groups, C 1 to C 6 An alkyl group or a halogen atom or a phenyl group or -OR, wherein R is a hydrogen atom, a hydroxy group, a thiol group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, an alkenoxyl group having 3 to 6 carbon atoms, -OCH 2 CH 2 CN, -OCO-phenyl group) or -OCH 2 CH 2 (CO) OR, wherein R is C 1 ~ C 4 Alkyl group) or -O (CO) -R wherein R is C 1 -C 4 Phenoxycarbonyl, cyano group or NO 2 or C 1 to C 4 Haloalkyl group or C 1 to C 12 phosphorus An alkyl group or SO 2 -R wherein R is C 1 to C 6 S (O) m-phenyl group substituted with an alkyl group, wherein m is an integer of 2 to 6, and C 1 to C 12 SO 2 -Ophenyl group substituted by an alkyl group,

R2는 수소원자, 할로겐 원자, C1~C6인 알킬기, 페닐기, 시아노기, 페녹시기, 시아노기 또는 페닐기로 치환된 C3~C8 사이클로알킬기, 시아노기 또는 페닐기로 치환된 C1~C12인 알킬기, 시아노기 또는 페닐기로 치환된 C2~C5 알케닐기, 시아노기 또는 할로겐으로 치환된 페닐기, 시아노기 또는 할로겐 원자로 치환된 C1~C8인 알콕시기, 시아노기 또는 할로겐으로 치환된 벤질옥시기, 할로겐 원자로 치환된 페녹시기, C1~C6인 알킬기로 치환된 페녹시기이다.)
R 2 is a hydrogen atom, a halogen atom, C 3 ~ C 8 substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, a cyano group, a phenoxy group, a cyano group or a phenyl group Cycloalkyl group, a cyano group or a phenyl group substituted with C 1 ~ C 12 is a C 2 alkyl group substituted by a cyano group or a phenyl group is 5 ~ C Alkenyl group, a cyano group or a halogen-substituted phenyl group, a cyano group or a halogen atom-substituted C 1 ~ C 8 alkoxy group, a cyano cost as group or halogen-substituted benzyl oxy group, a halogen-substituted phenoxy group, C 1 ~ C Phenoxy group substituted with a 6 -membered alkyl group.)

<화학식 2><Formula 2>

Figure pat00006
Figure pat00006

(상기 식에서, R3, R4 및 R5는 각각 서로 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 페닐기, 시아노기, C1~C12 알킬기, 페닐기 또는 시아노기로 치환된 C3~C8 사이클로알킬기, 페닐기 또는 시아노기로 치환된 C1~C12인 알킬기, 페닐기 또는 시아노기로 치환된 C2~C5 알케닐기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 시아노기 또는 OA1 또는 SA2 또는 NA3A4 치환된 페닐기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 시아노기 또는 OA1 또는 SA2 또는 NA3A4 치환된 C1~C8인 알콕시기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 시아노기 또는 OA1 또는 SA2 또는 NA3A4 치환된 벤질옥시기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자로 치환된 페녹시기이다. Wherein R 3 , R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a phenyl group, a cyano group, and C 1 to C 12 C 3 to C 8 substituted with alkyl, phenyl or cyano groups Cycloalkyl group, a C 2 substituted with a phenyl group or a cyano group, a C 1 ~ C 12 alkyl group, a phenyl group or a cyano group substituted with a 5 ~ C Alkenyl, C 1 to C 6 phosphorus With an alkyl group or a halogen atom or a cyano group or OA 1 or SA 2 or NA 3 A 4 Substituted phenyl groups, C 1 to C 6 With an alkyl group or a halogen atom or a cyano group or OA 1 or SA 2 or NA 3 A 4 Substituted C 1 ~ C 8 phosphorus alkoxy group, C 1 ~ C 6 phosphorus With an alkyl group or a halogen atom or a cyano group or OA 1 or SA 2 or NA 3 A 4 Substituted Benzyloxy group, C 1 to C 6 phosphorus Phenoxy group substituted with an alkyl group or a halogen atom.

R6는 페닐기, 나프틸기, 벤조일기, 나프토일기이다. 이들은 각각 할로겐 또는 C2~C12인 알킬기 또는 C3~C8인 사이클로알킬기 또는 벤질기 또는 페닐기 또는 페녹시카보닐기에 의해 치환되거나; 각각 OA1 또는 SA2 또는 NA3A4에 의해 치환된 페닐기에 치환되거나; 각각 -O- 또는 히드록시기에 의해 치환된 C2~C12인 알콕시카보닐기에 의해 치환되거나; 각각 OA1 또는 SA2 또는 SOA2 또는 SO2A2 또는 NA3A4에 의해 치환될 수 있다. R 6 is a phenyl group, a naphthyl group, a benzoyl group or a naphthoyl group. They are substituted by halogen or C 2 -C 12 alkyl group or C 3 -C 8 cycloalkyl group or benzyl group or phenyl group or phenoxycarbonyl group, respectively; Each substituted with a phenyl group substituted by OA 1 or SA 2 or NA 3 A 4 ; Substituted with a C 2 to C 12 alkoxycarbonyl group each substituted with —O— or a hydroxy group; Or may be substituted by OA 1 or SA 2 or SOA 2 or SO 2 A 2 or NA 3 A 4 , respectively.

A1은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20 알킬기, C3~C6 알켄옥실기, 페닐기로 치환된 C1~C3 알킬기, -OCH2CH2CN, -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C8 알킬기이다.), -O(CO)R(여기서, R은 페닐기, C1~C8인 알킬기이다.), -(CO)OR(여기서, R은 수소원자, C2~C12 알킬기이다.), -OR(여기서, R은 할로겐 원자, 하이드록시기, C2~C12 알킬기, -(CH2CH2O)n+1H(n은 1 내지 5의 정수이다.), -(CH2CH2O)n(CO)R(여기서, n은 1 내지 5의 정수이고, R은 C1~C8 알킬기이다.), C1~C8 알카노일기, C2~C12 알케닐기, C3~C6 알케노일기, C3~C8 사이클로알킬기, C1~C12 알콕시기, 페녹시기, C1~C12 알킬설파닐기, 페닐설파닐기, -NR(여기서, R은 C1~C12 알킬기이다.), 디페닐아미노기로 치환된 페닐기 또는 나프틸기이다.) A 1 is a hydrogen atom, a hydroxyl group, a thiol group, a cyano group, C 1 to C 20 Alkyl group, C 3 to C 6 phosphorus C 1 ~ C 3 substituted with alkenoxyl, phenyl groups Alkyl group, -OCH 2 CH 2 CN, -OCH 2 CH 2 (CO) OR, wherein R is C 1 -C 8 Alkyl group), -O (CO) R (where R is a phenyl group, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms),-(CO) OR (where R is a hydrogen atom, C 2 to C 12 Is an alkyl group), -OR (wherein R is a halogen atom, a hydroxy group, C 2 ~ C 12 Alkyl group,-(CH 2 CH 2 O) n + 1 H (n is an integer from 1 to 5),-(CH 2 CH 2 O) n (CO) R, where n is an integer from 1 to 5 , R is C 1 to C 8 Alkyl group), C 1 ~ C 8 Alkanoyl group, C 2 ~ C 12 phosphorus Alkenyl, C 3 ~ C 6 phosphorus Alkenoyl, C 3 ~ C 8 phosphorus Cycloalkyl group, C 1 to C 12 phosphorus Alkoxy group, phenoxy group, C 1 ~ C 12 phosphorus Alkylsulfanyl group, phenylsulfanyl group, -NR where R is C 1 -C 12 An alkyl group.), A phenyl group or a naphthyl group substituted with a diphenylamino group.)

A2는 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, 비치환된 C1~C20 알킬기, 비치환된 C2~C12 알케닐기, 비치환된 C3~C8 사이클로알킬기, 비치환된 C3~C6 알켄옥실기, 산소원자 또는 황원자로 치환된 C2~C12 알킬기, 산소원자 또는 황원자로 치환된 C1~C8 알카노일기, 산소원자 또는 황원자로 치환된 C2~C12 알케닐기, 산소원자 또는 황원자로 치환된 C3~C6 알케노일기, C1~C6 알킬기로 치환된 벤조일기, 할로겐으로 치환된 벤조일기, 히드록시기로 치환된 벤조일기, C1~C4 알콕시기로 치환된 벤조일기, C1~C4 알킬설파닐기로 치환된 벤조일기이고, A 2 is hydrogen atom, hydroxy group, thiol group, cyano group, unsubstituted C 1 ~ C 20 Alkyl group, unsubstituted C 2 ~ C 12 phosphorus Alkenyl, unsubstituted C 3 ~ C 8 phosphorus Cycloalkyl group, unsubstituted C 3 ~ C 6 phosphorus C 2 ~ C 12 substituted with alkenoxyl, oxygen or sulfur C 1 to C 8 substituted with alkyl, oxygen or sulfur atoms C 2 ~ C 12 phosphorus substituted with an alkanoyl group, oxygen atom or sulfur atom C 3 ~ C 6 substituted with alkenyl, oxygen or sulfur atoms Alkenoyl group, C 1 to C 6 A benzoyl group substituted with an alkyl group, a benzoyl group substituted with a halogen, a benzoyl group substituted with a hydroxy group, and C 1 to C 4 A benzoyl group substituted with an alkoxy group, C 1 to C 4 A benzoyl group substituted with an alkylsulfanyl group,

A3 및 A4는 각각 독립적으로, 수소원자, 벤조일기, C1~C20 알킬기, C2~C4 하이드록시알킬기, C2~C10 알콕시알킬기, C2~C5 알케닐기, C3~C8 사이클로알킬기, 페닐-R(여기서, R은 C1~C3 알킬기이다.), C1~C8 알카노일기, C3~C12 알케노일기, C3~C12 벤조일기, C1~C12 알킬기로 치환된 페닐기, 벤조일기로 치환된 페닐기, C1~C12 알콕시기로 치환된 페닐기, C1~C12 알킬기로 치환된 나프틸기, 벤조일기로 치환된 나프틸기, C1~C12 알콕시기로 치환된 나프틸기, 히드록시기 또는 C1~C4 알콕시기 또는 C2~C4 알카노일옥시기 또는 벤조옥시기로 치환된 C2~C6 알킬렌기이다.)
A 3 and A 4 are each independently a hydrogen atom, a benzoyl group, C 1 to C 20 Alkyl group, C 2 ~ C 4 phosphorus Hydroxyalkyl group, C 2 ~ C 10 phosphorus Alkoxyalkyl group, C 2 ~ C 5 phosphorus Alkenyl, C 3 ~ C 8 phosphorus Cycloalkyl group, phenyl-R, wherein R is C 1 to C 3 Alkyl group), C 1 ~ C 8 Alkanoyl group, C 3 ~ C 12 phosphorus Alkenoyl group, C 3 to C 12 Benzoyl group, C 1 to C 12 phosphorus A phenyl group substituted with an alkyl group, a phenyl group substituted with a benzoyl group, C 1 to C 12 Phenyl group substituted by alkoxy group, C 1 to C 12 Naphthyl group substituted with alkyl group, naphthyl group substituted with benzoyl group, C 1 to C 12 phosphorus Naphthyl, hydroxy or C 1 to C 4 substituted with an alkoxy group Alkoxy or C 2 to C 4 C 2 ~ C 6 substituted with an alkanoyloxy group or a benzooxy group Alkylene group.)

이하, 본 발명에 따른 감광성 수지 조성물의 각 구성요소를 구체적으로 살펴본다.
Hereinafter, each component of the photosensitive resin composition according to the present invention will be described in detail.

[A] 알칼리 가용성 수지 [A] alkali-soluble resin

본 발명에 사용되는 [A]알칼리 가용성 수지는 [a1]불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물 중 선택된 단독 또는 2종 이상의 혼합물; 및 [a2]에폭시기 함유 불포화 화합물의 공중합체인 것일 수 있으며, 또는 [a1]불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물 중 선택된 단독 또는 2종 이상의 혼합물; [a2]에폭시기 함유 불포화 화합물; 및 [a3]상기 [a1] 및 [a2] 이외의 올레핀계 불포화 카르복실산 에스테르 화합물의 공중합체; 또는 [a1]불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물 중 선택된 단독 또는 2종 이상의 혼합물; [a2]에폭시기 함유 불포화 화합물; 및 [a4]상기 [a1], [a2] 및 [a3] 이외의 올레핀계 불포화 화합물 중 선택된 1종 이상의 화합물의 공중합체; 또는 [a1]불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물 중 선택된 단독 또는 2종 이상의 혼합물; [a2]에폭시기 함유 불포화 화합물; [a3]상기 [a1] 및 [a2] 이외의 올레핀계 불포화 카르복실산 에스테르 화합물; 및 [a4]상기 [a1], [a2] 및 [a3] 이외의 올레핀계 불포화 화합물 중 선택된 1종 이상의 화합물을 라디칼 중합하여 얻어진 공중합체인 것일 수 있다. [A] alkali-soluble resin used for this invention is a single or mixture of 2 or more types selected from [a1] unsaturated carboxylic acid and unsaturated carboxylic anhydride; And [a2] a copolymer of an epoxy group-containing unsaturated compound, or a single or a mixture of two or more selected from [a1] unsaturated carboxylic acids and unsaturated carboxylic anhydrides; [a2] epoxy group-containing unsaturated compounds; And [a3] copolymers of olefinically unsaturated carboxylic acid ester compounds other than the above [a1] and [a2]; Or [a1] single or a mixture of two or more selected from unsaturated carboxylic acids and unsaturated carboxylic anhydrides; [a2] epoxy group-containing unsaturated compounds; And [a4] a copolymer of at least one compound selected from olefinically unsaturated compounds other than [a1], [a2] and [a3]; Or [a1] single or a mixture of two or more selected from unsaturated carboxylic acids and unsaturated carboxylic anhydrides; [a2] epoxy group-containing unsaturated compounds; [a3] Olefinic unsaturated carboxylic ester compound other than said [a1] and [a2]; And [a4] may be a copolymer obtained by radical polymerization of at least one compound selected from olefinically unsaturated compounds other than [a1], [a2], and [a3].

먼저 [a1] 형태의 불포화 카르복시산 및/또는 불포화 카르복시산 무수물로서는 아크릴산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산 및 이들 디카르복실산의 무수물 중 단독 또는 조합해서 사용할 수 있다. 이 중, 아크릴산, 메타크릴산, 무수 말레산 등이 공중합 반응성, 내열성 및 입수가 용이한 점에서 바람직하게 사용된다. First, the unsaturated carboxylic acid and / or unsaturated carboxylic anhydride of the form [a1] can be used alone or in combination of anhydrides of acrylic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and these dicarboxylic acids. . Among these, acrylic acid, methacrylic acid, maleic anhydride and the like are preferably used in view of copolymerization reactivity, heat resistance and easy availability.

상기 [a2]에폭시기 함유 불포화 화합물로는 아크릴산 글리시딜 에스테르, 메타크릴산 글리시딜 에스테르, α-에틸 아크릴산 글리시딜 에스테르, α-n-프로필 아크릴산 글리시딜 에스테르, α-n-부틸 아크릴산 글리시딜 에스테르, 아크릴산-3,4-에폭시 부틸 에스테르, 메타크릴산-3,4-에폭시 부틸 에스테르, 아크릴산-6,7-에폭시 헵틸 에스테르, 메타크릴산-6,7-에폭시 헵틸 에스테르, α-에틸 아크릴산-6,7-에폭시 헵틸 에스테르, o-비닐 벤질 글리시딜 에테르, m-비닐 벤질 글리시딜 에테르, p-비닐 벤질 글리시딜 에테르 등이 공중합 반응성 및 얻어지는 박막의 내열성, 경도를 높인다는 점에서 바람직하게 사용된다. 이러한 화합물 [a2]는 단독으로 또는 조합해서 사용된다.Examples of the [a2] epoxy group-containing unsaturated compound include acrylic acid glycidyl ester, methacrylic acid glycidyl ester, α-ethyl acrylic acid glycidyl ester, α-n-propyl acrylic acid glycidyl ester, and α-n-butyl acrylic acid. Glycidyl ester, acrylic acid-3,4-epoxy butyl ester, methacrylic acid-3,4-epoxy butyl ester, acrylic acid-6,7-epoxy heptyl ester, methacrylic acid-6,7-epoxy heptyl ester, α -Ethyl acrylic acid-6,7-epoxy heptyl ester, o-vinyl benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether, and the like have copolymerization reactivity and heat resistance and hardness of the obtained thin film. It is used preferably at the point of raising. These compounds [a2] are used individually or in combination.

상기 화합물 [a3]으로서는, 예를 들면 메틸 메타크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, n-부틸 메타크릴레이트, sec-부틸 메타크릴레이트, t-부틸 메타크릴레이트 등의 메타크릴산 알킬 에스테르; 메틸 아크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트 등의 아크릴산 알킬 에스테르; 시클로헥실 메타크릴레이트, 2-메틸 시클로헥실 메타크릴레이트, 디시클로펜테닐 메타크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸 메타크릴레이트, 이소보로닐 메타크릴레이트 등의 메타크릴산 시클로알킬 에스테르; 시클로헥실 아크릴레이트, 2-메틸 시클로헥실 아크릴레이트, 디시클로펜테닐 아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸 아크릴레이트, 이소보로닐 아크릴레이트 등의 아크릴산 시클로알킬 에스테르; 펜틸 메타크릴레이트, 벤질 메타크릴레이트 등의 메타크릴산 아릴 에스테르; 페닐 아크릴레이트, 벤질 아크릴레이트 등의 아크릴산 아릴 에스테르; 말레산 디에틸, 푸마르산 디에틸, 이타콘산 디에틸 등의 디카르복시산 디에스테르; 2-히드록시 에틸 메타크릴레이트, 2-히드록시 프로필 메타크릴레이트 등의 히드록시알킬 에스테르 등이 사용될 수 있다. As said compound [a3], For example, Methacrylic acid alkyl ester, such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate; Acrylic acid alkyl esters such as methyl acrylate and isopropyl acrylate; Methacrylic acid cycloalkyl esters such as cyclohexyl methacrylate, 2-methyl cyclohexyl methacrylate, dicyclopentenyl methacrylate, dicyclopentenyloxyethyl methacrylate and isoboroyl methacrylate; Acrylic acid cycloalkyl esters such as cyclohexyl acrylate, 2-methyl cyclohexyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, dicyclopentenyloxyethyl acrylate and isoboroyl acrylate; Methacrylic acid aryl esters such as pentyl methacrylate and benzyl methacrylate; Acrylic acid aryl esters such as phenyl acrylate and benzyl acrylate; Dicarboxylic acid diesters such as diethyl maleate, diethyl fumarate and diethyl itaconic acid; Hydroxyalkyl esters such as 2-hydroxy ethyl methacrylate, 2-hydroxy propyl methacrylate, and the like can be used.

상기 화합물 [a4]로서는, 예를 들면 스티렌, o-메틸 스티렌, m-메틸 스티렌, p-메틸 스티렌, 비닐 톨루엔, p-메톡시 스티렌, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 염화비닐, 염화비닐리덴, 아크릴아미드, 메타크릴 아미드, 초산 비닐, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔 등을 들 수 있다. Examples of the compound [a4] include styrene, o-methyl styrene, m-methyl styrene, p-methyl styrene, vinyl toluene, p-methoxy styrene, acrylonitrile, methacrylonitrile, vinyl chloride, and vinyl chloride. Leaden, acrylamide, methacrylamide, vinyl acetate, 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, and the like.

본 발명에서 사용된 공중합체[A]는 [a1]:[a2]성분을 1:1.3 내지 3.5의 중량비로 포함하며, [a3] 및 [a4] 중 선택된 성분을 포함하는 경우 [a3] 및 [a4]중 선택된 성분은 [A]알칼리 가용성 수지의 고형분 100중량부에 대하여 35 내지 65중량부로 포함하는 것일 수 있다. The copolymer [A] used in the present invention includes the components [a1]: [a2] in a weight ratio of 1: 1.3 to 3.5, and includes the component selected from [a3] and [a4], [a3] and [a4]. a4] may be selected from 35 to 65 parts by weight based on 100 parts by weight of the solid content of the [A] alkali-soluble resin.

이러한 [A]알칼리 가용성 수지는 상기 [a4]성분을 10 내지 70중량부, 바람직하게는 20 내지 60 중량부로 포함할 수 있다. 상기 [a4]성분의 함량이 10 중량부 미만인 경우는 공중합체 [A]의 보존안전성 및 [a1] 내지 [a4]의 구성요소를 모두 포함하는 중합체를 제조시 중합 조절이 잘 되지 않아 고체화 되는 경향이 있고, 70 중량부를 초과하는 경우에는 공중합체 [A]의 현상성, 내열성 및 표면경도 및 회복율 등이 저하되는 경향이 있다. Such an alkali-soluble resin [A] may contain the component [a4] in an amount of 10 to 70 parts by weight, preferably 20 to 60 parts by weight. If the content of the component [a4] is less than 10 parts by weight, the polymerization stability during the preparation of a polymer including all of the preservation safety of the copolymer [A] and the components of [a1] to [a4] is not easily controlled and becomes solid. When it exceeds 70 weight part, there exists a tendency for developability, heat resistance, surface hardness, a recovery rate, etc. of copolymer [A] to fall.

상기 공중합체 [A]의 합성에 사용된 용매로는 메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 테트라하이드로퓨란, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르 등의 에테르류; 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 에틸 에테르 아세테이트, 프로펠렌 글리콜 프로필 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 부틸 에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트류 등이 바람직하다.As a solvent used for the synthesis | combination of the said copolymer [A], Alcohol, such as methanol and ethanol; Ethers such as tetrahydrofuran, diethylene glycol dimethyl ether and diethylene glycol diethyl ether; Propylene glycol alkyl ether acetates, such as propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate, propylene glycol propyl ether acetate, and propylene glycol butyl ether acetate, etc. are preferable.

상기 공중합체 [A]의 합성에 사용된 중합개시제로는, 일반적으로 라디칼 중합개시제로서 알려져 있는 것을 사용할 수 있다. 예를 들면 2,2′-아조비스이소부티로니트릴, 2,2′-아조비스-(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2′-아조비스-(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴) 등의 아조 화합물 벤조일 퍼옥시드, t-부틸퍼옥시피바레이트, 1,1′-비스-(t-부틸퍼옥시)시클로헥산 등의 유기 과산화물 및 과산화수소를 들 수 있다. 라디칼 중합 개시제로서 과산화물을 이용한 경우에는 과산화물을 환원제와 함께 이용하여 레독스 개시제로 사용해도 좋다.As a polymerization initiator used for the synthesis | combination of the said copolymer [A], what is generally known as a radical polymerization initiator can be used. For example, 2,2'- azobisisobutyronitrile, 2,2'- azobis- (2, 4- dimethylvaleronitrile), 2,2'- azobis- (4-methoxy-2, Azo compounds, such as 4-dimethylvaleronitrile), organic peroxides, such as benzoyl peroxide, t-butyl peroxy pibarate, and 1,1'-bis- (t-butyl peroxy) cyclohexane, and hydrogen peroxide are mentioned. When using a peroxide as a radical polymerization initiator, you may use as a redox initiator by using a peroxide together with a reducing agent.

[B] 불포화성 에틸렌계 모노머[B] unsaturated ethylenic monomers

본 발명에서 사용된 불포화성 에틸렌계 모노머는 1개 이상의 불포화성 에틸렌결합을 갖는 단관능성 또는 다관능성 아크릴 모노머로서, 단관능, 2관능, 또는 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트가 중합성이 양호하고, 얻어지는 보호막의 내열성, 표면경도가 향상된다는 관점에서 바람직하다.The unsaturated ethylenic monomers used in the present invention are monofunctional or polyfunctional acrylic monomers having at least one unsaturated ethylene bond, and monofunctional, bifunctional, or trifunctional or higher (meth) acrylates have good polymerizability. It is preferable from the viewpoint of improving the heat resistance and the surface hardness of the protective film obtained.

상기 단관능 (메타)아크릴레이트로는, 예를 들면 2-히드록시 에틸 (메타)아크릴레이트, 카비톨 (메타)아크릴레이트, 이소보닐 (메타)아크릴레이트, 3-메톡시 부틸 (메타)아크릴레이트, 2-(메타)아크릴로일 옥시 에틸 2-히드록시 프로필 프탈레이트 등을 들 수 있다.As said monofunctional (meth) acrylate, 2-hydroxy ethyl (meth) acrylate, carbitol (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 3-methoxy butyl (meth) acryl And 2- (meth) acryloyl oxyethyl 2-hydroxy propyl phthalate, and the like.

상기 2관능 (메타)아크릴레이트로는, 예를 들면 에텔렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 (메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올 (메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 비스페녹시 에틸알콜 플루오렌 디아크릴레이트 등을 들 수 있다.As said bifunctional (meth) acrylate, for example, ethylene glycol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol (meth) acrylate, 1,9-nonanediol (meth) acrylate, propylene glycol ( Meta) acrylate, tetraethylene glycol (meth) acrylate, bisphenoxy ethyl alcohol fluorene diacrylate, and the like.

상기 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트로는, 예를 들면 트리스히드록시에틸이소시아뉴레이트 트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸프로판 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As said trifunctional or more than (meth) acrylate, for example, trishydroxyethyl isocyanate tri (meth) acrylate, trimethyl propane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, penta Erythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, etc. are mentioned.

이러한 단관능, 2관능 또는 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트는 단독으로 또는 조합하여 사용된다. Such mono-, bi-, or tri- or more (meth) acrylates are used alone or in combination.

상기 불포화성 에틸렌계 모노머는 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여 10 내지 300중량부로 포함된다. 상기 불포화성 에틸렌계 모노머의 함량이 상기 범위 내에 있는 경우 패턴의 현상성을 향상시키고, 경도 및 내열성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
The unsaturated ethylenic monomer is contained in 10 to 300 parts by weight based on 100 parts by weight of alkali-soluble resin. When the content of the unsaturated ethylenic monomer is in the above range, there is an effect of improving the developability of the pattern, and improve the hardness and heat resistance.

[C] 광중합 개시제[C] photopolymerization initiator

본 발명에 있어서의 광중합 개시제란, 노광에 의해 분해 또는 결합을 일으키며 라디칼, 음이온, 양이온 등의 상기 [B] 불포화성 에틸렌계 모노머의 중합을 개시할 수 있는 활성종을 발생시키는 화합물을 의미한다. The photoinitiator in the present invention means a compound which causes decomposition or bonding upon exposure and generates an active species capable of initiating polymerization of the above-mentioned [B] unsaturated ethylenic monomers such as radicals, anions and cations.

본 발명에 따른 광중합 개시제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
The photopolymerization initiator according to the present invention is preferably used at least one selected from a compound represented by the following formula (1) and a compound represented by the following formula (2).

<화학식 1><Formula 1>

Figure pat00007

Figure pat00007

(상기 식에서, R1은 수소원자, 할로겐 원자, 페닐기, 페녹시카보닐기, C1~C20 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기에 의해 치환된 C2~C20 알킬기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 -OR(여기서, R은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20인 알킬기, 페닐기, C3~C6인 알켄옥실기, -OCH2CH2CN, -OCO-페닐기이다.) 또는 -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.) 또는 -O(CO)-R(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.)에 의해 치환된 페닐기, C1~C6 알킬기 또는 페닐기 또는 -OR(여기서, R은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20인 알킬기, 페닐기, C3~C6인 알켄옥실기, -OCH2CH2CN, -OCO-페닐기이다.) 또는 -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.) 또는 -O(CO)-R(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.)에 의해 치환된 알카노일기, C1~C6 알킬기 또는 페닐기 또는 -OR(여기서, R은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20인 알킬기, 페닐기, C3~C6인 알켄옥실기, -OCH2CH2CN, -OCO-페닐기이다.) 또는 -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.) 또는 -O(CO)-R(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.)에 의해 치환된 벤조일기, 하나 이상의 -O- 또는 하이드록실기에 의해 치환된 C2~C12인 알콕시카보닐기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 페닐기 또는 -OR(여기서, R은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20인 알킬기, 페닐기, C3~C6인 알켄옥실기, -OCH2CH2CN, -OCO-페닐기이다.) 또는 -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.) 또는 -O(CO)-R(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.)에 의해 치환된 페녹시카보닐, 시아노기 또는 NO2 또는 C1~C4 할로알킬기 또는 C1~C12 알킬기 또는 SO2-R (여기서, R은 C1~C6 알킬기이다.)에 의해 치환된 S(O)m-페닐기(여기서, m은 2~6의 정수이다.), C1~C12 알킬기에 의해 치환된 SO2-O페닐기이며, Wherein R 1 is a hydrogen atom, a halogen atom, a phenyl group, a phenoxycarbonyl group, C 1 to C 20 C 2 to C 20 substituted by alkyl, halogen atom or phenyl group Alkyl group, C 1 to C 6 phosphorus An alkyl group or a halogen atom or -OR, wherein R is a hydrogen atom, a hydroxy group, a thiol group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, an alkenoxyl group having 3 to 6 carbon atoms, -OCH 2 CH 2 CN, -OCO-phenyl group) or -OCH 2 CH 2 (CO) OR wherein R is C 1 ~ C 4 Alkyl group) or -O (CO) -R wherein R is C 1 -C 4 Is a phenyl group substituted with an alkyl group, and C 1 to C 6 An alkyl group or a phenyl group or -OR, wherein R is a hydrogen atom, a hydroxy group, a thiol group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, an alkenoxyl group having 3 to 6 carbon atoms, -OCH 2 CH 2 CN,- OCO-phenyl group) or -OCH 2 CH 2 (CO) OR where R is C 1 ~ C 4 Alkyl group) or -O (CO) -R wherein R is C 1 -C 4 An alkanoyl group substituted with an alkyl group, C 1 to C 6 An alkyl group or a phenyl group or -OR, wherein R is a hydrogen atom, a hydroxy group, a thiol group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, an alkenoxyl group having 3 to 6 carbon atoms, -OCH 2 CH 2 CN,- OCO-phenyl group) or -OCH 2 CH 2 (CO) OR where R is C 1 ~ C 4 Alkyl group) or -O (CO) -R wherein R is C 1 -C 4 An alkyl group.), A C 2 to C 12 alkoxycarbonyl group substituted by one or more -O- or hydroxyl groups, C 1 to C 6 An alkyl group or a halogen atom or a phenyl group or -OR, wherein R is a hydrogen atom, a hydroxy group, a thiol group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, an alkenoxyl group having 3 to 6 carbon atoms, -OCH 2 CH 2 CN, -OCO-phenyl group) or -OCH 2 CH 2 (CO) OR, wherein R is C 1 ~ C 4 Alkyl group) or -O (CO) -R wherein R is C 1 -C 4 Phenoxycarbonyl, cyano group or NO 2 or C 1 to C 4 Haloalkyl group or C 1 to C 12 phosphorus An alkyl group or SO 2 -R wherein R is C 1 to C 6 S (O) m-phenyl group substituted with an alkyl group, wherein m is an integer of 2 to 6, and C 1 to C 12 SO 2 -Ophenyl group substituted by an alkyl group,

R2는 수소원자, 할로겐 원자, C1~C6인 알킬기, 페닐기, 시아노기, 페녹시기, 시아노기 또는 페닐기로 치환된 C3~C8 사이클로알킬기, 시아노기 또는 페닐기로 치환된 C1~C12인 알킬기, 시아노기 또는 페닐기로 치환된 C2~C5 알케닐기, 시아노기 또는 할로겐으로 치환된 페닐기, 시아노기 또는 할로겐 원자로 치환된 C1~C8인 알콕시기, 시아노기 또는 할로겐으로 치환된 벤질옥시기, 할로겐 원자로 치환된 페녹시기, C1~C6인 알킬기로 치환된 페녹시기이다.)
R 2 is a hydrogen atom, a halogen atom, C 3 ~ C 8 substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, a cyano group, a phenoxy group, a cyano group or a phenyl group Cycloalkyl group, a cyano group or a phenyl group substituted with C 1 ~ C 12 is a C 2 alkyl group substituted by a cyano group or a phenyl group is 5 ~ C Alkenyl group, a cyano group or a halogen-substituted phenyl group, a cyano group or a halogen atom-substituted C 1 ~ C 8 alkoxy group, a cyano cost as group or halogen-substituted benzyl oxy group, a halogen-substituted phenoxy group, C 1 ~ C Phenoxy group substituted with a 6 -membered alkyl group.)

<화학식 2><Formula 2>

Figure pat00008
Figure pat00008

(상기 식에서, R3, R4 및 R5는 각각 서로 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 페닐기, 시아노기, C1~C12 알킬기, 페닐기 또는 시아노기로 치환된 C3~C8 사이클로알킬기, 페닐기 또는 시아노기로 치환된 C1~C12인 알킬기, 페닐기 또는 시아노기로 치환된 C2~C5 알케닐기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 시아노기 또는 OA1 또는 SA2 또는 NA3A4 치환된 페닐기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 시아노기 또는 OA1 또는 SA2 또는 NA3A4 치환된 C1~C8인 알콕시기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 시아노기 또는 OA1 또는 SA2 또는 NA3A4 치환된 벤질옥시기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자로 치환된 페녹시기이다. Where R is3, R4 And R5Are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a phenyl group, a cyano group, or COne~ C12sign C substituted with alkyl, phenyl or cyano group3~ C8sign C substituted with a cycloalkyl group, a phenyl group or a cyano groupOne~ C12C substituted with phosphorus alkyl, phenyl or cyano groups2~ C5sign Alkenyl, COne~ C6sign Alkyl group or halogen atom or cyano group or OAOne Or SA2 Or NA3A4in Substituted phenyl groups, COne~ C6sign Alkyl group or halogen atom or cyano group or OAOne Or SA2  Or NA3A4in Substituted COne~ C8Phosphorous alkoxy group, COne~ C6sign Alkyl group or halogen atom or cyano group or OAOne Or SA2 Or NA3A4in Substituted Benzyloxy group, COne~ C6sign Phenoxy group substituted with an alkyl group or a halogen atom.

R6는 페닐기, 나프틸기, 벤조일기, 나프토일기이다. 이들은 각각 할로겐 또는 C2~C12인 알킬기 또는 C3~C8인 사이클로알킬기 또는 벤질기 또는 페닐기 또는 페녹시카보닐기에 의해 치환되거나; 각각 OA1 또는 SA2 또는 NA3A4에 의해 치환된 페닐기에 치환되거나; 각각 -O- 또는 히드록시기에 의해 치환된 C2~C12인 알콕시카보닐기에 의해 치환되거나; 각각 OA1 또는 SA2 또는 SOA2 또는 SO2A2 또는 NA3A4에 의해 치환될 수 있다. R 6 is a phenyl group, a naphthyl group, a benzoyl group or a naphthoyl group. They are substituted by halogen or C 2 -C 12 alkyl group or C 3 -C 8 cycloalkyl group or benzyl group or phenyl group or phenoxycarbonyl group, respectively; Each substituted with a phenyl group substituted by OA 1 or SA 2 or NA 3 A 4 ; Substituted with a C 2 to C 12 alkoxycarbonyl group each substituted with —O— or a hydroxy group; Or may be substituted by OA 1 or SA 2 or SOA 2 or SO 2 A 2 or NA 3 A 4 , respectively.

A1은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20 알킬기, C3~C6 알켄옥실기, 페닐기로 치환된 C1~C3 알킬기, -OCH2CH2CN, -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C8 알킬기이다.), -O(CO)R(여기서, R은 페닐기, C1~C8인 알킬기이다.), -(CO)OR(여기서, R은 수소원자, C2~C12 알킬기이다.), -OR(여기서, R은 할로겐 원자, 하이드록시기, C2~C12 알킬기, -(CH2CH2O)n+1H(n은 1 내지 5의 정수이다.), -(CH2CH2O)n(CO)R(여기서, n은 1 내지 5의 정수이고, R은 C1~C8 알킬기이다.), C1~C8 알카노일기, C2~C12 알케닐기, C3~C6 알케노일기, C3~C8 사이클로알킬기, C1~C12 알콕시기, 페녹시기, C1~C12 알킬설파닐기, 페닐설파닐기, -NR(여기서, R은 C1~C12 알킬기이다.), 디페닐아미노기로 치환된 페닐기 또는 나프틸기이다.) A 1 is a hydrogen atom, a hydroxyl group, a thiol group, a cyano group, C 1 to C 20 Alkyl group, C 3 to C 6 phosphorus C 1 ~ C 3 substituted with alkenoxyl, phenyl groups Alkyl group, -OCH 2 CH 2 CN, -OCH 2 CH 2 (CO) OR, wherein R is C 1 -C 8 Alkyl group), -O (CO) R (where R is a phenyl group, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms),-(CO) OR (where R is a hydrogen atom, C 2 to C 12 Is an alkyl group), -OR (wherein R is a halogen atom, a hydroxy group, C 2 ~ C 12 Alkyl group,-(CH 2 CH 2 O) n + 1 H (n is an integer from 1 to 5),-(CH 2 CH 2 O) n (CO) R, where n is an integer from 1 to 5 , R is C 1 to C 8 Alkyl group), C 1 ~ C 8 Alkanoyl group, C 2 ~ C 12 phosphorus Alkenyl, C 3 ~ C 6 phosphorus Alkenoyl, C 3 ~ C 8 phosphorus Cycloalkyl group, C 1 to C 12 phosphorus Alkoxy group, phenoxy group, C 1 ~ C 12 phosphorus Alkylsulfanyl group, phenylsulfanyl group, -NR where R is C 1 -C 12 An alkyl group.), A phenyl group or a naphthyl group substituted with a diphenylamino group.)

A2는 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, 비치환된 C1~C20 알킬기, 비치환된 C2~C12 알케닐기, 비치환된 C3~C8 사이클로알킬기, 비치환된 C3~C6 알켄옥실기, 산소원자 또는 황원자로 치환된 C2~C12 알킬기, 산소원자 또는 황원자로 치환된 C1~C8 알카노일기, 산소원자 또는 황원자로 치환된 C2~C12 알케닐기, 산소원자 또는 황원자로 치환된 C3~C6 알케노일기, C1~C6 알킬기로 치환된 벤조일기, 할로겐으로 치환된 벤조일기, 히드록시기로 치환된 벤조일기, C1~C4 알콕시기로 치환된 벤조일기, C1~C4 알킬설파닐기로 치환된 벤조일기이고, A 2 is hydrogen atom, hydroxy group, thiol group, cyano group, unsubstituted C 1 ~ C 20 Alkyl group, unsubstituted C 2 ~ C 12 phosphorus Alkenyl, unsubstituted C 3 ~ C 8 phosphorus Cycloalkyl group, unsubstituted C 3 ~ C 6 phosphorus C 2 ~ C 12 substituted with alkenoxyl, oxygen or sulfur C 1 to C 8 substituted with alkyl, oxygen or sulfur atoms C 2 ~ C 12 phosphorus substituted with an alkanoyl group, oxygen atom or sulfur atom C 3 ~ C 6 substituted with alkenyl, oxygen or sulfur atoms Alkenoyl group, C 1 to C 6 A benzoyl group substituted with an alkyl group, a benzoyl group substituted with a halogen, a benzoyl group substituted with a hydroxy group, and C 1 to C 4 A benzoyl group substituted with an alkoxy group, C 1 to C 4 A benzoyl group substituted with an alkylsulfanyl group,

A3 및 A4는 각각 독립적으로, 수소원자, 벤조일기, C1~C20 알킬기, C2~C4 하이드록시알킬기, C2~C10 알콕시알킬기, C2~C5 알케닐기, C3~C8 사이클로알킬기, 페닐-R(여기서, R은 C1~C3 알킬기이다.), C1~C8 알카노일기, C3~C12 알케노일기, C3~C12 벤조일기, C1~C12 알킬기로 치환된 페닐기, 벤조일기로 치환된 페닐기, C1~C12 알콕시기로 치환된 페닐기, C1~C12 알킬기로 치환된 나프틸기, 벤조일기로 치환된 나프틸기, C1~C12 알콕시기로 치환된 나프틸기, 히드록시기 또는 C1~C4 알콕시기 또는 C2~C4 알카노일옥시기 또는 벤조옥시기로 치환된 C2~C6 알킬렌기이다.)
A 3 and A 4 are each independently a hydrogen atom, a benzoyl group, C 1 to C 20 Alkyl group, C 2 ~ C 4 phosphorus Hydroxyalkyl group, C 2 ~ C 10 phosphorus Alkoxyalkyl group, C 2 ~ C 5 phosphorus Alkenyl, C 3 ~ C 8 phosphorus Cycloalkyl group, phenyl-R, wherein R is C 1 to C 3 Alkyl group), C 1 ~ C 8 Alkanoyl group, C 3 ~ C 12 phosphorus Alkenoyl group, C 3 to C 12 Benzoyl group, C 1 to C 12 phosphorus A phenyl group substituted with an alkyl group, a phenyl group substituted with a benzoyl group, C 1 to C 12 Phenyl group substituted by alkoxy group, C 1 to C 12 Naphthyl group substituted with alkyl group, naphthyl group substituted with benzoyl group, C 1 to C 12 phosphorus Naphthyl, hydroxy or C 1 to C 4 substituted with an alkoxy group Alkoxy or C 2 to C 4 C 2 ~ C 6 substituted with an alkanoyloxy group or a benzooxy group Alkylene group.)

상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 구체적인 일례로는 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Specific examples of the compound represented by the formula (1) include a compound represented by the following formula (3).

<화학식 3><Formula 3>

Figure pat00009

Figure pat00009

상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 구체적인 일례로는 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Specific examples of the compound represented by the formula (2) include a compound represented by the following formula (4).

<화학식 4>&Lt; Formula 4 >

Figure pat00010

Figure pat00010

상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합하여 광중합 개시제로 사용하는 경우 화학식 1로 표시되는 화합물대 화학식 2로 표시되는 화합물의 중량비가 1 내지 30 : 1 내지 30으로 포함하는 것이 바람직하다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 대 화학식 2로 표시되는 화합물의 중량비가 상기 범위 내에 있는 경우 보호막의 감도를 향상시키고, 잔막율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. When the compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) are mixed and used as a photopolymerization initiator, the weight ratio of the compound represented by the formula (1) to the compound represented by the formula (2) is 1 to 30: 1 to 30 desirable. When the weight ratio of the compound represented by Chemical Formula 1 to the compound represented by Chemical Formula 2 is within the above range, the sensitivity of the protective film may be improved and the residual film rate may be prevented from decreasing.

본 발명에서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 화학식 2로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 광중합 개시제로 사용하여 노광감도가 매우 높고 현상공정 후의 패턴 안정성이 우수하여 적은 노광량으로 미세패턴(15㎛ 이하)을 형성할 수 있는 장점을 가지는데, 이는 광에 의한 라디칼 형성이 쉽고 생성된 라디칼 또한 이동성이 좋아 반응이 빠르므로 적은 노광량 하에서도 이러한 효과를 얻을 수 있는 것이다. In the present invention, by using any one or more selected from the compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) as a photoinitiator, the exposure sensitivity is very high and the pattern stability after the development process is excellent, fine pattern (15㎛) with a small exposure amount It is possible to form the following), which is easy to form radicals by light and the generated radicals also have good mobility and fast reaction so that such an effect can be obtained even at a low exposure amount.

또한, 본 발명에서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 화학식 2로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 화합물과 함께 다른 광중합 개시제도 함께 사용할 수 있다. In addition, in the present invention, other photopolymerization initiators may be used together with the compound represented by Formula 1 and at least one compound selected from the compounds represented by Formula 2.

상기 다른 광중합 개시제로는 예를 들면 아세토페논계 화합물, 이미다졸계 화합물, 벤조인계 화합물, 벤조페논계 화합물, α-디케톤계 화합물, 다핵 퀴논계 화합물, 크산톤계 화합물, 포스핀계 화합물, 트리아진계 화합물 등을 들 수 있다. Examples of the other photopolymerization initiators include acetophenone compounds, imidazole compounds, benzoin compounds, benzophenone compounds, α-diketone compounds, polynuclear quinone compounds, xanthone compounds, phosphine compounds, and triazine compounds. Etc. can be mentioned.

이들 화합물의 예로는 티옥산톤, 2,4-디에틸 티옥산톤, 티옥산톤-4-술폰산, 벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 아세토페논, p-디메틸아미노아세토페논, α,α'-디메톡시아세톡시벤조페논, 2,2'-디메톡시-2-페틸아세토페논, p-메톡시아세토페논, 2-메틸[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디에틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-(2-히드록시-2-프로필)케톤, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 케톤류 안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논 등의 퀴논류 1,3,5-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 1,3-비스(트리클로로메틸)-5-(2-클로로페닐)-s-트리아진, 1,3-비스(트리클로로페닐)-s-트리아진, 페나실 클로라이드, 트리브로모메틸페닐술폰, 트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등의 할로겐 화합물 디-t-부틸 퍼옥사이드 등의 과산화물 2,4,6-트리메틸 벤조일 디페닐 포스핀 옥사이드 등의 아실 포스핀 옥사이드류 등을 들 수 있다. Examples of these compounds are thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, thioxanthone-4-sulfonic acid, benzophenone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, acetophenone, p-dimethyl Aminoacetophenone, α, α'-dimethoxyacetoxybenzophenone, 2,2'-dimethoxy-2-petylacetophenone, p-methoxyacetophenone, 2-methyl [4- (methylthio) phenyl]- 2-morpholino-1-propaneone, 2-benzyl-2-diethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl Ketones such as propane-1-one, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 1,4-naphtho Quinones such as quinones 1,3,5-tris (trichloromethyl) -s-triazine, 1,3-bis (trichloromethyl) -5- (2-chlorophenyl) -s-triazine, 1, Halo such as 3-bis (trichlorophenyl) -s-triazine, phenacyl chloride, tribromomethylphenylsulfone, tris (trichloromethyl) -s-triazine And the like compounds di -t- butyl peroxide, 2,4,6-trimethylbenzoyl peroxide, such as diphenylphosphine acylphosphine oxides, such as oxides.

이러한 광중합 개시제는 단독 또는 조합하여 사용할 수 있다.These photoinitiators can be used individually or in combination.

상기 광중합 개시제는 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여 1 내지 30중량부로 포함된다. 상기 광중합 개시제의 함량이 1중량부 미만이면 보호막의 감도가 충분하지 않아 현상 공정에서 보호막이 유실되기 쉽고, 잔막율이 저하되는 문제가 있다. 또한 현상 공정에서 보호막이 유지된다고 하더라도 충분히 높은 가교밀도를 갖는 보호막을 얻기 어렵고, 30중량부를 초과하면 보호막의 내열성, 평탄화성 등이 저하되기 쉽다.
The photopolymerization initiator is included in an amount of 1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the photopolymerization initiator is less than 1 part by weight, the sensitivity of the protective film is not sufficient, so that the protective film is easily lost in the developing step, and there is a problem that the residual film ratio is lowered. In addition, even if the protective film is maintained in the developing step, it is difficult to obtain a protective film having a sufficiently high crosslinking density. When it exceeds 30 parts by weight, the heat resistance, the flattening property, and the like of the protective film tend to be lowered.

[D] 용매[D] solvent

본 발명에 사용되는 용매로는 공중합체 [A]의 제조시 혹은 조성물의 고형분 및 점도를 유지시킬 수 있는 용매로서 다음과 같은 물질들이 사용가능하다. 구체적으로는, 메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 테트라하이드로퓨란, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르 등의 에테르류; 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 에틸 에테르 아세테이트, 프로펠렌 글리콜 프로필 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 부틸 에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트류 등을 들 수 있다. 이러한 용매 가운데에서 용해성, 각 성분과의 반응성 및 도막 형성의 편리성의 관점에서 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로펠렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트류 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타난 등의 케톤류 아세트산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 부틸에스테르; 2-히드록시프로피온산의 에틸에스테르, 메틸에스테르; 2-히드록시-2-메틸프로피온산의 에틸에스테르; 히드록시아세트산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 부틸 에스테르; 젖산에틸, 젖산프로필, 젖산부틸; 메톡시아세트산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 부틸에스테르; 프로폭시아세트산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 부틸에스테르; 부톡시아세트산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 부틸에스테르; 2-메톡시프로피온산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 부틸에스테르; 2-에톡시프로피온산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 부틸에스테르; 2-부톡시프로피온산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 부틸에스테르; 3-메톡시프로판의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 부틸에스테르; 3-에톡시프로피온산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 부틸에스테르; 3-부톡시프로피온산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 부틸에스테르 등의 에스테르류를 들 수 있다. As the solvent used in the present invention, the following materials can be used in the preparation of the copolymer [A] or as a solvent capable of maintaining the solid content and the viscosity of the composition. Specifically, Alcohol, such as methanol and ethanol; Ethers such as tetrahydrofuran, diethylene glycol dimethyl ether and diethylene glycol diethyl ether; And propylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate, propylene glycol propyl ether acetate, and propylene glycol butyl ether acetate. Diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, propylene glycol methyl ether acetate methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydride from the viewpoint of solubility, reactivity with each component, and convenience of coating film formation among these solvents Methyl esters, ethyl esters, propyl esters, butyl esters of ketones and acetic acid such as oxy-4-methyl-2-pentanane; Ethyl ester and methyl ester of 2-hydroxypropionic acid; Ethyl ester of 2-hydroxy-2-methylpropionic acid; Methyl esters, ethyl esters, butyl esters of hydroxyacetic acid; Ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate; Methyl esters, ethyl esters, propyl esters, butyl esters of methoxyacetic acid; Methyl esters, ethyl esters, propyl esters, butyl esters of propoxyacetic acid; Methyl esters, ethyl esters, propyl esters, butyl esters of butoxyacetic acid; Methyl ester, ethyl ester, propyl ester, butyl ester of 2-methoxypropionic acid; Methyl ester, ethyl ester, propyl ester, butyl ester of 2-ethoxypropionic acid; Methyl ester, ethyl ester, propyl ester, butyl ester of 2-butoxypropionic acid; Methyl ester, ethyl ester, propyl ester, butyl ester of 3-methoxypropane; Methyl ester, ethyl ester, propyl ester, butyl ester of 3-ethoxypropionic acid; Ester, such as the methyl ester of 3-butoxy propionic acid, ethyl ester, propyl ester, and butyl ester, is mentioned.

또한 상기 용매와 함께 고비등점 용매를 병용한 것도 가능하다. 병용할 수 있는 고비등점 용매로서는, 예를 들면 N-메틸 포름아미드, N,N-디메틸 포름아미드, N-메틸 아세트아미드, N,N-디메틸 아세트아미드, N-메틸 피롤리돈, 디메틸 설폭시드, 벤질 에틸 에테르 등을 들 수 있다. Moreover, it is also possible to use a high boiling point solvent together with the said solvent. As a high boiling point solvent which can be used together, it is N-methyl formamide, N, N-dimethyl formamide, N-methyl acetamide, N, N-dimethyl acetamide, N-methyl pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, for example. And benzyl ethyl ether.

상기 용매는 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여 200 내지 800중량부로 포함된다. 상기 용매의 함량이 상기 범위 내에 있는 경우 원활한 코팅성 효과를 얻을 수 있고, 박막의 두께 조절이 용이한 효과를 얻을 수 있다.
The solvent is included in an amount of 200 to 800 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the solvent is within the above range can be obtained a smooth coating effect, it is possible to obtain an effect that the thickness of the thin film can be easily adjusted.

[E] 첨가제[E] additive

본 발명의 감광성 수지 조성물에는 필요에 따라 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에서 상기 성분 이외의 임의 첨가제, 예를 들면 계면 활성제, 접착조제, 보존 안정제, 내열성 향상제 등을 배합할 수 있다. Optionally other additives such as surfactants, adhesion aids, storage stabilizers, heat resistance enhancers and the like can be added to the photosensitive resin composition of the present invention in a range that does not impair the effects of the present invention as necessary.

상기 계면활성제는 도포성을 향상하기 위해 배합되는 성분이고, 불소계 계면활성제 및 실리콘계 계면활성제가 바람직하다. The said surfactant is a component mix | blended in order to improve applicability | paintability, A fluorochemical surfactant and silicone type surfactant are preferable.

예를 들면 3M사의 FC-129, FC-170C, FC-430, DIC사의 F-172, F-173, F-183, F-470, F-475, 신에츠실리콘사의 KP322, KP323, KP340, KP341 등을 들 수 있다. 이러한 계면활성제는 공중합체 [A] 100 중량부에 대하여 5중량부 이하, 바람직하게는 2중량부 이하의 양으로 사용된다. 상기 계면활성제의 함량이 5중량부를 초과한 경우에는 도포시 거품이 발생하기 쉽고, 막이 거칠어지기 쉬워지는 경향이 있다. For example, 3M's FC-129, FC-170C, FC-430, DIC's F-172, F-173, F-183, F-470, F-475, Shin-Etsu Silicone's KP322, KP323, KP340, KP341, etc. Can be mentioned. Such surfactant is used in an amount of 5 parts by weight or less, preferably 2 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the copolymer [A]. When the content of the surfactant exceeds 5 parts by weight, bubbles tend to occur during application, and the film tends to become rough.

또한 기체와의 밀착성을 향상시키기 위해 접착 조제를 사용하는 것도 가능하다. 이와 같은 접착 조제로는 관능성 실란 커플링제가 바람직하게 사용되는데, 예를 들면 트리메톡시실릴 안식향산, γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 접착 조제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 이러한 접착 조제는 공중합체 [A] 100 중량부에 대하여 20중량부 이하, 바람직하게는 10중량부 이하의 함량으로 사용된다. 상기 접착 조제의 함량이 20중량부를 초과한 경우에는 내열성이 저하되기 쉽다.
It is also possible to use an adhesion aid in order to improve the adhesion with the base. As such an adhesion aid, a functional silane coupling agent is preferably used. For example, trimethoxysilyl benzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ -Isocyanate propyl triethoxysilane, (gamma)-glycidoxy propyl trimethoxysilane, etc. are mentioned. These adhesion aids can be used individually or in mixture of 2 or more types. Such adhesion aid is used in an amount of 20 parts by weight or less, preferably 10 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the copolymer [A]. When content of the said adhesion | attachment adjuvant exceeds 20 weight part, heat resistance will fall easily.

본 발명의 감광성 수지 조성물을 이용한 박막 및 패턴의 제조 방법은 먼저, 감광성 수지 조성물을 균질화한 후, 0.1 내지 5㎛ 필터를 사용하여 여과한 후 투명 기판에 코팅하고, 박막을 70 내지 150℃의 온도에서 30초 내지 5분 동안 Pre-Bake 한 다음, 박막을 포토 마스크를 사용하여 노광한다. 그 다음 박막을 알칼리 현상액으로 현상한 후, 박막을 150 내지 300℃의 온도에서 30분 내지 2시간 동안 Post-Bake 하는 방법으로 수행한다.
In the method for producing a thin film and a pattern using the photosensitive resin composition of the present invention, first, the photosensitive resin composition is homogenized, filtered using a 0.1 to 5 μm filter, coated on a transparent substrate, and the thin film is heated to a temperature of 70 to 150 ° C. Pre-Bake for 30 seconds to 5 minutes at and then expose the thin film using a photo mask. Then, after the thin film is developed with an alkaline developer, the thin film is post-baked at a temperature of 150 to 300 ° C. for 30 minutes to 2 hours.

이를 구체적으로 설명하면 아래와 같다. This will be described in detail below.

투명 기판의 한 면에 투명 도전막을 형성하고, 이 투명 도전막의 위에 본 발명의 감광성 수지 조성물의 조성물 용액을 도포한 후, 도포면을 가열함으로써 피막을 형성한다. 스페이서의 형성에 사용되는 투명 기판으로는, 유리기판, 수지 기판 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는 소다 석회 유리, 무알칼리 유리 등의 유리 기판 등을 들 수 있다. 도포막이 형성되면 소정 형태의 포토마스크를 얻어진 도막 위에 놓은 상태에서 방사선을 60mJ/㎠ 이하로 조사한다. 사용되는 방사선으로는, 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등을 사용할 수 있지만, 파장이 190 내지 450㎚의 범위에 있는 방사선이 바람직하다. 이어서 노광 후의 피막을 현상함으로써, 불필요한 부분을 제거하여 소정의 패턴을 형성한다. A transparent conductive film is formed on one surface of a transparent substrate, and after apply | coating the composition solution of the photosensitive resin composition of this invention on this transparent conductive film, a film is formed by heating a coating surface. As a transparent substrate used for formation of a spacer, a glass substrate, a resin substrate, etc. are mentioned, More specifically, glass substrates, such as a soda-lime glass and an alkali free glass, etc. are mentioned. When a coating film is formed, radiation is irradiated to 60 mJ / cm <2> or less in the state which put the photomask of a predetermined form on the obtained coating film. As the radiation used, visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, X rays and the like can be used, but radiation having a wavelength in the range of 190 to 450 nm is preferable. Next, by developing the film after exposure, an unnecessary part is removed and a predetermined pattern is formed.

그 후, 150 내지 300℃의 핫플레이트 또는 오븐 등의 가열 장치로, 30 내지 2시간 동안 가열하여 경화시킴으로써 소정의 형상을 갖는 스페이서를 얻을 수 있다. Then, the spacer which has a predetermined shape can be obtained by heating and hardening for 30 to 2 hours with a heating apparatus, such as a hotplate or oven of 150-300 degreeC.

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 스페이서는 패턴의 바닥에서 20% 올라간 지점을 Bottom CD(a), 95% 올라간 지점을 Top CD(b)로 정의하고, (b)의 길이를 (a)의 길이로 나눈 후 100을 곱한 값(=b/a×100)으로 계산된 top/bottom 비율이 50 이상, 바람직하게는 80 이상인 값을 가질 수 있다. The spacer manufactured using the photosensitive resin composition according to the present invention defines a point where the CD is raised at the bottom of the pattern by 20% to the bottom CD (a) and the point where the 95% is raised as the top CD (b), and the length of (b) is ( The top / bottom ratio calculated by dividing by the length of a) and multiplying by 100 (= b / a × 100) may have a value of 50 or more, preferably 80 or more.

또한, 상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 감광성 조성물로 프록시미티 노광을 실시하여 패턴을 형성하는 경우 고감도의 고해상 미세패턴을 형상할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
In addition, when the pattern is formed by performing proximity exposure with the photosensitive composition including the compound represented by Chemical Formula 1 or Chemical Formula 2, an effect of forming a high-resolution fine pattern with high sensitivity may be obtained.

이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 설명한다.  그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, preferred embodiments and comparative examples of the present invention will be described. However, the following embodiments are merely preferred embodiments of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiments.

<제조예 1> 알카리 가용성 수지 A 제조<Manufacture example 1> Alkali-soluble resin A manufacture

냉각관과 교반기가 구비된 반응 용기에 알칼리 가용성 수지의 고형분 100중량부에 대하여 중합개시제로서 2,2'-아조비스 이소부티로니트릴 5중량부를 용매인 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 200중량부에 녹였다. 계속해서 스티렌 10중량부, 메타크릴산 15중량부, 메타크릴산 글리시딜 50중량부 및 디시클로펜타닐 메타크릴레이트 25중량부를 투입하고 질소 치환한 후 부드럽게 교반을 시작하였다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고 이 온도를 6시간 동안 유지하여 공중합체(이하, 알칼리 가용성 수지 A라 함)를 포함한 중합체 용액을 얻었다. 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는 30중량%이었다.
In a reaction vessel equipped with a cooling tube and a stirrer, 5 parts by weight of 2,2'-azobis isobutyronitrile was dissolved in 200 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate as a polymerization initiator based on 100 parts by weight of an alkali-soluble resin. . Subsequently, 10 parts by weight of styrene, 15 parts by weight of methacrylic acid, 50 parts by weight of glycidyl methacrylate, and 25 parts by weight of dicyclopentanyl methacrylate were added thereto, followed by nitrogen substitution, followed by gentle stirring. The temperature of the solution was raised to 70 ° C. and maintained at this temperature for 6 hours to obtain a polymer solution containing a copolymer (hereinafter referred to as alkali soluble resin A). Solid content concentration of the obtained polymer solution was 30 weight%.

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

상기 제조예 1에서 얻어진 공중합체 용액 [A] 100중량부(고형분), [B] 2개 이상의 에틸렌성 불포화결합을 갖는 다관능성 아크릴 모노머로서 디펜타에리쓰리톨헥사아크릴레이트(KAYARAD DPHA, 닛본 가야꾸 ㈜) 100중량부, [C] 광중합 개시제로 1,2-옥탄디온-1[(4-페닐티오)페닐]-2-벤조일 옥심 5중량부, [D] 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트를 사용하여 감광성 수지 조성물 중 전체 고형분이 30중량%가 되도록 하였다.
100 parts by weight of the copolymer solution [A] obtained in Preparation Example 1 (solid content) and [B] as a polyfunctional acrylic monomer having two or more ethylenically unsaturated bonds, dipentaerythritol hexaacrylate (KAYARAD DPHA, Nippon Kaya CU)) 100 parts by weight, 5 parts by weight of 1,2-octanedione-1 [(4-phenylthio) phenyl] -2-benzoyl oxime as the photopolymerization initiator [C], propylene glycol monomethyl ether acetate as the solvent [D] Was used so that the total solids in the photosensitive resin composition was 30% by weight.

<실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 2><Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 2>

[A]성분, [B]성분 및 [C] 성분으로서 하기 표 1에 나타내는 각 성분을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 각 조성물 용액을 제조하였다.
Each composition solution was produced like Example 1 except using each component shown in following Table 1 as a component [A], a component [B], and a component [C].

구분division [A]성분 중량부[A] component weight part [B]성분 중량부 [B] component weight part [C]성분 중량부[C] component weight part 실시예 1Example 1 100100 100100 D-1 (5)D-1 (5) 실시예 2Example 2 100100 100100 D-1 (10)D-1 (10) 실시예 3Example 3 100100 100100 D-1 (2) / D-3 (5)D-1 (2) / D-3 (5) 실시예 4Example 4 100100 100100 D-1 (2) / D-4 (5)D-1 (2) / D-4 (5) 실시예 5Example 5 100100 100100 D-2 (5)D-2 (5) 실시예 6Example 6 100100 100100 D-2 (10)D-2 (10) 실시예 7Example 7 100100 100100 D-2 (2) / D-3 (5)D-2 (2) / D-3 (5) 실시예 8Example 8 100100 100100 D-2 (2) / D-4 (5)D-2 (2) / D-4 (5) 비교예 1Comparative Example 1 100100 100100 D-3 (10)D-3 (10) 비교예 2Comparative Example 2 100100 100100 D-4 (10)D-4 (10)

주) 상기 표 1 중 [D]의 성분은 하기와 같다. Note) The components of [D] in Table 1 are as follows.

D-1 : 1,2-옥탄디온-1[(4-페닐티오)페닐]-2-벤조일 옥심D-1: 1,2-octanedione-1 [(4-phenylthio) phenyl] -2-benzoyl oxime

D-2 : 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9.H.-카르바졸-3-일] 에탄-1-온옥심-O-아세테이트D-2: 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9.H.-carbazol-3-yl] ethane-1-one oxime-O-acetate

D-3 : 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온D-3: 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one

D-4 : 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-(모르폴리노페닐)부탄-1-온
D-4: 2-benzyl-2- (dimethylamino) -1- (morpholinophenyl) butan-1-one

특성 분석Characterization

상기 실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 2에서 제조된 조성물로 상술한 방법으로 패턴을 형성한 후, 다음과 같이 방법으로 물성 평가를 하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
After the pattern was formed by the method described above with the compositions prepared in Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 and 2, physical properties were evaluated by the following method, and the results are shown in Table 2 below.

(1) 패턴의 Top/Bottom 비율 (T/B 비율로 표기)(1) Top / Bottom ratio of the pattern (in T / B ratio)

ITO가 스파트된 유리기판에 상기의 조성물을 이용하여 패턴을 형성한 후 전자현미경으로 관찰하여 패턴의 바닥에서 20% 올라간 지점을 Bottom CD(a), 95% 올라간 지점을 Top CD(b)로 정의하고, (b)의 길이를 (a)의 길이로 나눈 후 100을 곱한 값(=b/a×100)을 T/B 비율로 정의하고 있다.
After the pattern was formed on the glass substrate on which the ITO was sputtered, the pattern was formed by observation with an electron microscope, and the bottom CD (a) and the top CD (b) were defined as 20% and 95% respectively. The value obtained by dividing the length of (b) by the length of (a) and multiplying by 100 (= b / a × 100) is defined as the T / B ratio.

(2) 평탄도(2) flatness

ITO가 스파트된 유리 기판에 상기의 조성물을 이용하여 패턴을 형성한 후 각각 다른 25곳의 코팅막의 표면 요철 3D-프로파일러를 이용하여 최대 두께와 최소 두께의 차를 구하여 하기 식 1에 따라 평탄도를 계산하였다.
After the pattern was formed on the glass substrate on which ITO was spattered, the difference between the maximum thickness and the minimum thickness was obtained by using surface irregularities 3D-profilers of 25 different coating films, respectively. Was calculated.

<식 1><Equation 1>

평탄도 = (최대 두께 - 최소 두께) ÷ (최대 두께 + 최소두께) × 100
Flatness = (Max Thickness-Min Thickness) ÷ (Max Thickness + Min Thickness) × 100

(3) 감도(3) sensitivity

프록시미티 노광기를 사용하여 노광갭은 50㎛를 유지하며 노광량을 각기 20, 40, 60, 80, 100mJ/㎠로 변화시키면서 패턴을 형성하였다. 이렇게 형성된 패턴의 두께를 각기 노광량 별로 측정, 두께 변화가 200Å이하인 최소 노광량을 감도록 하였다. 이 노광량이 60mJ/㎠ 이하일 때, 감도가 양호하다고 할 수 있다.
Using a proximity exposure machine, the exposure gap was maintained at 50 μm, and patterns were formed while changing the exposure amounts to 20, 40, 60, 80, and 100 mJ / cm 2, respectively. The thickness of the thus formed pattern was measured for each exposure amount, and the minimum exposure amount having a thickness change of 200 kPa or less was wound. When this exposure amount is 60 mJ / cm <2> or less, it can be said that a sensitivity is favorable.

(4) 내용제성(4) solvent resistance

막이 형성된 유리 기판을 5% HCl, NMP, IPA, 아세톤 각각의 용액에 30℃, 30분간 침지한 후, 보호막의 외관 변화 및 두께 변화를 관찰하여 막의 내용제성을 평가하였다. After the glass substrate on which the film was formed was immersed in a solution of 5% HCl, NMP, IPA, and acetone at 30 ° C. for 30 minutes, the change in appearance and thickness of the protective film was observed to evaluate the solvent resistance of the film.

양호: 외관, 두께 변화없음, 불량: 외관, 두께 변화있음
Good: Appearance, no thickness change, Poor: Appearance, thickness change

(5) 압축변위 및 회복율 측정방법(5) Method of measuring compression displacement and recovery rate

본 발명에서는 감광성 조성물로부터 형성된 두께(T)가 3㎛이고 패턴의 폭(W)이 9(±2)㎛의 도트패턴을 패턴의 기계적 물성 즉, 압축변위와 탄성회복율을 측정하기 위한 기본조건의 모양으로 정하였다. 압축변위 및 탄성회복율의 측정기기는 SHIMADZU사 초미소압축경도계(모델명:DUH-W201S)를 사용하였으며 측정조건은 다음과 같다. In the present invention, a dot pattern having a thickness T formed from the photosensitive composition having a thickness of 3 μm and a pattern width W of 9 (± 2) μm is used as a basic condition for measuring mechanical properties of the pattern, that is, compression displacement and elastic recovery rate. The shape was determined. SHIMADZU's ultra-compact hardness tester (model name: DHU-W201S) was used for measuring the compression displacement and elastic recovery rate.

패턴을 누르는 압자로는 직경 50㎛ 평면압자를 사용하였으며 측정원리는 하중부가-제거(Load-unload) 방법으로 진행하였고 시험 하중부여 기준치는 5gf/㎠ 이고 부하속도는 0.45 gf/sec, 보전시간(holding time)은 5초로 일정하게 진행하였다. A flat indenter with a diameter of 50㎛ was used as the indenter for pressing the pattern. The measurement principle was carried out by a load-unload method. The test loading standard was 5gf / ㎠, the load speed was 0.45 gf / sec, and the maintenance time ( The holding time was constantly performed at 5 seconds.

압축변위는 도 1에서 나타낸 바와 같이 일정한 힘을 주었을 때 패턴이 들어간 길이(D1)을 의미한다. 도 1에서 A는 압자로 누르기 전 패턴상태, B는 압자로 누른 상태에서의 패턴상태, C는 누른 힘을 제거했을 때의 복원된 패턴상태, T는 패턴높이(막 두께), 3(±3)㎛, D1은 일정한 힘을 가했을 때까지의 압축변화(㎛), D2는 초기 막 두께와 최종 복원된 상태와의 차이를 의미한다. Compression displacement refers to the length (D1) the pattern is entered when given a constant force as shown in FIG. In Figure 1, A is the pattern state before pressing with the indenter, B is the pattern state with the indenter pressed, C is the restored pattern state when the pressing force is removed, T is the pattern height (film thickness), 3 (± 3 ) Μm, D1 is the change in compression until a constant force is applied (µm), and D2 is the difference between the initial film thickness and the final restored state.

회복율은 두 가지의 개념으로 나타낼 수 있다. Recovery rates can be expressed in two ways.

첫째는 도 1에 나타난 바와 같이 일정 힘을 주었을 때 들어간 길이(D1)에 대해 회복된 거리(D1-D2)의 비율을 의미하며(회복율A) 둘째는 원래의 패턴의 높이(T)에 대해 최종 변형후의 패턴높이(T-D2)를 의미할 수 있다.The first means the ratio of the recovered distance (D1-D2) to the length (D1) entered when given a constant force as shown in Figure 1 (recovery rate A), the second is the final for the height (T) of the original pattern It may mean the pattern height (T-D2) after deformation.

이를 정리하면 다음과 같다. This is summarized as follows.

압축변위 = D1(㎛)Compression Displacement = D1 (㎛)

회복율 A(%)=(D1 - D2)÷ D1 × 100Recovery Rate A (%) = (D1-D2) ÷ D1 × 100

회복율 B(%)=(T - D2)÷ T × 100
Recovery Rate B (%) = (T-D2) ÷ T × 100

T/B 비율
(%)
T / B ratio
(%)
평탄도
(%)
flatness
(%)
감도 (mJ/cm2)Sensitivity (mJ / cm 2 ) 내용제성Solvent resistance 회복율 A
(%)
Recovery rate A
(%)
회복율 B
(%)
Recovery rate B
(%)
실시예1Example 1 8888 <1<1 4040 양호Good 6060 8383 실시예2Example 2 8484 <1<1 3030 양호Good 5858 8282 실시예3Example 3 7171 <1<1 6060 양호Good 5555 7777 실시예4Example 4 6565 <1<1 6060 양호Good 5454 7676 실시예5Example 5 8383 <1<1 3030 양호Good 5858 8181 실시예6Example 6 8080 <1<1 2020 양호Good 5959 8080 실시예7Example 7 7373 <1<1 6060 양호Good 5353 7575 실시예8Example 8 6868 <1<1 6060 양호Good 5454 7474 비교예1Comparative Example 1 4747 22 >100> 100 양호Good 4949 7070 비교예2Comparative Example 2 4242 22 >100> 100 양호Good 4848 6868

상기 표 2에서 보는 바와 같이, 실시예 1 내지 8에서 제조한 감광성 수지 조성물은 화학식 1 내지 2를 사용하여 T/B비율이 향상되고, 감도가 빨라졌으며, 평탄도가 향상되었음을 알 수 있다. As shown in Table 2, the photosensitive resin composition prepared in Examples 1 to 8 can be seen that the T / B ratio is improved, the sensitivity is faster, and the flatness is improved using the general formula (1).

특히, T/B 비율을 높이기 위해서는 패턴 모양의 Top CD (b) 길이를 Bottom CD(a) 길이와 같아지도록 해야 하는데, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 감광성 조성물로 패턴을 형성하는 경우 (a)의 길이와 (b)의 길이가 거의 같아지게 되어 T/B 비율이 높아지는 효과를 얻을 수 있다.In particular, in order to increase the T / B ratio, the length of the patterned top CD (b) should be equal to the length of the bottom CD (a), which is selected from the compound represented by Formula 1 and the compound represented by Formula 2 When the pattern is formed of the photosensitive composition including one or more, the length of (a) and the length of (b) become substantially the same, thereby obtaining an effect of increasing the T / B ratio.

또한, 본 발명에서의 감광성 조성물로부터 형성된 두께(T)가 3㎛이고 패턴의 폭(W)이 9(±2)㎛의 도트패턴이 상기 요건을 충족함으로써, 박막트랜지스터(TFT)방식의 컬러액정표시장치의 컬럼스페이서를 형성할 때, 두께에 대한 균일성에 대한 물성확보(압축변위의 증대 및 회복율의 개선)에 따라 패턴의 과다 침식을 방지할 수 있으며 압축에 의한 두께를 용이하게 조절할 수 있는 장점이 있다. In addition, a dot pattern having a thickness T formed from the photosensitive composition of the present invention having a thickness of 3 µm and a pattern W of 9 (± 2) µm satisfies the above requirements, whereby a color liquid crystal of the TFT method is used. When forming the column spacer of the display device, it is possible to prevent excessive erosion of the pattern according to securing the properties of uniformity with respect to thickness (increasing the compression displacement and improving the recovery rate) and to easily control the thickness by compression. There is this.

도 2과 도 3은 본 발명의 실시예 1 및 3에 따른 감광성 수지 조성물로 패턴을 형성한 후, 전자현미경을 이용하여 패턴을 측정한 것이다. 2 and 3 after forming a pattern with the photosensitive resin composition according to Examples 1 and 3 of the present invention, the pattern is measured using an electron microscope.

도 2 및 도 3에서 보는 바와 같이 적은 노광량에 의해서도 빠르게 광라디칼이 생성되어 감도가 빨라지고 T/B 비율이 향상된 것을 알 수 있다.
As shown in FIGS. 2 and 3, it is understood that optical radicals are generated quickly even with a small exposure amount, so that the sensitivity is increased and the T / B ratio is improved.

본 발명의 단순한 변형 또는 변경은 모두 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다. All simple modifications or changes of the present invention can be easily carried out by those skilled in the art, and all such modifications or changes can be seen to be included in the scope of the present invention.

Claims (12)

[A]알칼리 가용성 수지, [B]불포화성 에틸렌계 모노머, [C]하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 광중합 개시제 및 [D]용매를 포함하는 감광성 수지 조성물.

<화학식 1>
Figure pat00011

(상기 식에서, R1은 수소원자, 할로겐 원자, 페닐기, 페녹시카보닐기, C1~C20 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기에 의해 치환된 C2~C20 알킬기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 -OR(여기서, R은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20인 알킬기, 페닐기, C3~C6인 알켄옥실기, -OCH2CH2CN, -OCO-페닐기이다.) 또는 -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.) 또는 -O(CO)-R(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.)에 의해 치환된 페닐기, C1~C6 알킬기 또는 페닐기 또는 -OR(여기서, R은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20인 알킬기, 페닐기, C3~C6인 알켄옥실기, -OCH2CH2CN, -OCO-페닐기이다.) 또는 -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.) 또는 -O(CO)-R(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.)에 의해 치환된 알카노일기, C1~C6 알킬기 또는 페닐기 또는 -OR(여기서, R은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20인 알킬기, 페닐기, C3~C6인 알켄옥실기, -OCH2CH2CN, -OCO-페닐기이다.) 또는 -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.) 또는 -O(CO)-R(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.)에 의해 치환된 벤조일기, 하나 이상의 -O- 또는 하이드록실기에 의해 치환된 C2~C12인 알콕시카보닐기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 페닐기 또는 -OR(여기서, R은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20인 알킬기, 페닐기, C3~C6인 알켄옥실기, -OCH2CH2CN, -OCO-페닐기이다.) 또는 -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.) 또는 -O(CO)-R(여기서, R은 C1~C4 알킬기이다.)에 의해 치환된 페녹시카보닐, 시아노기 또는 NO2 또는 C1~C4 할로알킬기 또는 C1~C12 알킬기 또는 SO2-R (여기서, R은 C1~C6 알킬기이다.)에 의해 치환된 S(O)m-페닐기(여기서, m은 2~6의 정수이다.), C1~C12 알킬기에 의해 치환된 SO2-O페닐기이며,
R2는 수소원자, 할로겐 원자, C1~C6인 알킬기, 페닐기, 시아노기, 페녹시기, 시아노기 또는 페닐기로 치환된 C3~C8 사이클로알킬기, 시아노기 또는 페닐기로 치환된 C1~C12인 알킬기, 시아노기 또는 페닐기로 치환된 C2~C5 알케닐기, 시아노기 또는 할로겐으로 치환된 페닐기, 시아노기 또는 할로겐 원자로 치환된 C1~C8인 알콕시기, 시아노기 또는 할로겐으로 치환된 벤질옥시기, 할로겐 원자로 치환된 페녹시기, C1~C6인 알킬기로 치환된 페녹시기이다.)

<화학식 2>
Figure pat00012

(상기 식에서, R3, R4 및 R5는 각각 서로 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 페닐기, 시아노기, C1~C12 알킬기, 페닐기 또는 시아노기로 치환된 C3~C8 사이클로알킬기, 페닐기 또는 시아노기로 치환된 C1~C12인 알킬기, 페닐기 또는 시아노기로 치환된 C2~C5 알케닐기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 시아노기 또는 OA1 또는 SA2 또는 NA3A4 치환된 페닐기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 시아노기 또는 OA1 또는 SA2 또는 NA3A4 치환된 C1~C8인 알콕시기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자 또는 시아노기 또는 OA1 또는 SA2 또는 NA3A4 치환된 벤질옥시기, C1~C6 알킬기 또는 할로겐 원자로 치환된 페녹시기이다.
R6는 페닐기, 나프틸기, 벤조일기, 나프토일기이다. 이들은 각각 할로겐 또는 C2~C12인 알킬기 또는 C3~C8인 사이클로알킬기 또는 벤질기 또는 페닐기 또는 페녹시카보닐기에 의해 치환되거나; 각각 OA1 또는 SA2 또는 NA3A4에 의해 치환된 페닐기에 치환되거나; 각각 -O- 또는 히드록시기에 의해 치환된 C2~C12인 알콕시카보닐기에 의해 치환되거나; 각각 OA1 또는 SA2 또는 SOA2 또는 SO2A2 또는 NA3A4에 의해 치환될 수 있다.
A1은 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, C1~C20 알킬기, C3~C6 알켄옥실기, 페닐기로 치환된 C1~C3 알킬기, -OCH2CH2CN, -OCH2CH2(CO)OR(여기서, R은 C1~C8 알킬기이다.), -O(CO)R(여기서, R은 페닐기, C1~C8인 알킬기이다.), -(CO)OR(여기서, R은 수소원자, C2~C12 알킬기이다.), -OR(여기서, R은 할로겐 원자, 하이드록시기, C2~C12 알킬기, -(CH2CH2O)n+1H(n은 1 내지 5의 정수이다.), -(CH2CH2O)n(CO)R(여기서, n은 1 내지 5의 정수이고, R은 C1~C8 알킬기이다.), C1~C8 알카노일기, C2~C12 알케닐기, C3~C6 알케노일기, C3~C8 사이클로알킬기, C1~C12 알콕시기, 페녹시기, C1~C12 알킬설파닐기, 페닐설파닐기, -NR(여기서, R은 C1~C12 알킬기이다.), 디페닐아미노기로 치환된 페닐기 또는 나프틸기이다.)
A2는 수소원자, 히드록시기, 티올기, 시아노기, 비치환된 C1~C20 알킬기, 비치환된 C2~C12 알케닐기, 비치환된 C3~C8 사이클로알킬기, 비치환된 C3~C6 알켄옥실기, 산소원자 또는 황원자로 치환된 C2~C12 알킬기, 산소원자 또는 황원자로 치환된 C1~C8 알카노일기, 산소원자 또는 황원자로 치환된 C2~C12 알케닐기, 산소원자 또는 황원자로 치환된 C3~C6 알케노일기, C1~C6 알킬기로 치환된 벤조일기, 할로겐으로 치환된 벤조일기, 히드록시기로 치환된 벤조일기, C1~C4 알콕시기로 치환된 벤조일기, C1~C4 알킬설파닐기로 치환된 벤조일기이고,
A3 및 A4는 각각 독립적으로, 수소원자, 벤조일기, C1~C20 알킬기, C2~C4 하이드록시알킬기, C2~C10 알콕시알킬기, C2~C5 알케닐기, C3~C8 사이클로알킬기, 페닐-R(여기서, R은 C1~C3 알킬기이다.), C1~C8 알카노일기, C3~C12 알케노일기, C3~C12 벤조일기, C1~C12 알킬기로 치환된 페닐기, 벤조일기로 치환된 페닐기, C1~C12 알콕시기로 치환된 페닐기, C1~C12 알킬기로 치환된 나프틸기, 벤조일기로 치환된 나프틸기, C1~C12 알콕시기로 치환된 나프틸기, 히드록시기 또는 C1~C4 알콕시기 또는 C2~C4 알카노일옥시기 또는 벤조옥시기로 치환된 C2~C6 알킬렌기이다.)
[A] alkali-soluble resin, [B] unsaturated unsaturated ethylene monomer, [C] containing at least one photoinitiator selected from a compound represented by the following formula (1) and a compound represented by the following formula (2) and a solvent [D] Photosensitive resin composition.

<Formula 1>
Figure pat00011

Wherein R 1 is a hydrogen atom, a halogen atom, a phenyl group, a phenoxycarbonyl group, C 1 to C 20 C 2 to C 20 substituted by alkyl, halogen atom or phenyl group Alkyl group, C 1 to C 6 phosphorus An alkyl group or a halogen atom or -OR, wherein R is a hydrogen atom, a hydroxy group, a thiol group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, an alkenoxyl group having 3 to 6 carbon atoms, -OCH 2 CH 2 CN, -OCO-phenyl group) or -OCH 2 CH 2 (CO) OR wherein R is C 1 ~ C 4 Alkyl group) or -O (CO) -R wherein R is C 1 -C 4 Is a phenyl group substituted with an alkyl group, and C 1 to C 6 An alkyl group or a phenyl group or -OR, wherein R is a hydrogen atom, a hydroxy group, a thiol group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, an alkenoxyl group having 3 to 6 carbon atoms, -OCH 2 CH 2 CN,- OCO-phenyl group) or -OCH 2 CH 2 (CO) OR where R is C 1 ~ C 4 Alkyl group) or -O (CO) -R wherein R is C 1 -C 4 An alkanoyl group substituted with an alkyl group, C 1 to C 6 An alkyl group or a phenyl group or -OR, wherein R is a hydrogen atom, a hydroxy group, a thiol group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, an alkenoxyl group having 3 to 6 carbon atoms, -OCH 2 CH 2 CN,- OCO-phenyl group) or -OCH 2 CH 2 (CO) OR where R is C 1 ~ C 4 Alkyl group) or -O (CO) -R wherein R is C 1 -C 4 An alkyl group.), A C 2 to C 12 alkoxycarbonyl group substituted by one or more -O- or hydroxyl groups, C 1 to C 6 An alkyl group or a halogen atom or a phenyl group or -OR, wherein R is a hydrogen atom, a hydroxy group, a thiol group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, an alkenoxyl group having 3 to 6 carbon atoms, -OCH 2 CH 2 CN, -OCO-phenyl group) or -OCH 2 CH 2 (CO) OR, wherein R is C 1 ~ C 4 Alkyl group) or -O (CO) -R wherein R is C 1 -C 4 Phenoxycarbonyl, cyano group or NO 2 or C 1 to C 4 Haloalkyl group or C 1 to C 12 phosphorus An alkyl group or SO 2 -R wherein R is C 1 to C 6 S (O) m-phenyl group substituted with an alkyl group, wherein m is an integer of 2 to 6, and C 1 to C 12 SO 2 -Ophenyl group substituted by an alkyl group,
R 2 is a hydrogen atom, a halogen atom, C 3 ~ C 8 substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, a cyano group, a phenoxy group, a cyano group or a phenyl group Cycloalkyl group, a cyano group or a phenyl group substituted with C 1 ~ C 12 is a C 2 alkyl group substituted by a cyano group or a phenyl group is 5 ~ C Alkenyl group, a cyano group or a halogen-substituted phenyl group, a cyano group or a halogen atom-substituted C 1 ~ C 8 alkoxy group, a cyano cost as group or halogen-substituted benzyl oxy group, a halogen-substituted phenoxy group, C 1 ~ C Phenoxy group substituted with a 6 -membered alkyl group.)

<Formula 2>
Figure pat00012

Wherein R 3 , R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a phenyl group, a cyano group, and C 1 to C 12 C 3 to C 8 substituted with alkyl, phenyl or cyano groups Cycloalkyl group, a C 2 substituted with a phenyl group or a cyano group, a C 1 ~ C 12 alkyl group, a phenyl group or a cyano group substituted with a 5 ~ C Alkenyl, C 1 to C 6 phosphorus With an alkyl group or a halogen atom or a cyano group or OA 1 or SA 2 or NA 3 A 4 Substituted phenyl groups, C 1 to C 6 With an alkyl group or a halogen atom or a cyano group or OA 1 or SA 2 or NA 3 A 4 Substituted C 1 ~ C 8 phosphorus alkoxy group, C 1 ~ C 6 phosphorus With an alkyl group or a halogen atom or a cyano group or OA 1 or SA 2 or NA 3 A 4 Substituted Benzyloxy group, C 1 to C 6 phosphorus Phenoxy group substituted with an alkyl group or a halogen atom.
R 6 is a phenyl group, a naphthyl group, a benzoyl group or a naphthoyl group. They are substituted by halogen or C 2 -C 12 alkyl group or C 3 -C 8 cycloalkyl group or benzyl group or phenyl group or phenoxycarbonyl group, respectively; Each substituted with a phenyl group substituted by OA 1 or SA 2 or NA 3 A 4 ; Substituted with a C 2 to C 12 alkoxycarbonyl group each substituted with —O— or a hydroxy group; Or may be substituted by OA 1 or SA 2 or SOA 2 or SO 2 A 2 or NA 3 A 4 , respectively.
A 1 is a hydrogen atom, a hydroxyl group, a thiol group, a cyano group, C 1 to C 20 Alkyl group, C 3 to C 6 phosphorus C 1 ~ C 3 substituted with alkenoxyl, phenyl groups Alkyl group, -OCH 2 CH 2 CN, -OCH 2 CH 2 (CO) OR, wherein R is C 1 -C 8 Alkyl group), -O (CO) R (where R is a phenyl group, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms),-(CO) OR (where R is a hydrogen atom, C 2 to C 12 Is an alkyl group), -OR (wherein R is a halogen atom, a hydroxy group, C 2 ~ C 12 Alkyl group,-(CH 2 CH 2 O) n + 1 H (n is an integer from 1 to 5),-(CH 2 CH 2 O) n (CO) R, where n is an integer from 1 to 5 , R is C 1 to C 8 Alkyl group), C 1 ~ C 8 Alkanoyl group, C 2 ~ C 12 phosphorus Alkenyl, C 3 ~ C 6 phosphorus Alkenoyl, C 3 ~ C 8 phosphorus Cycloalkyl group, C 1 to C 12 phosphorus Alkoxy group, phenoxy group, C 1 ~ C 12 phosphorus Alkylsulfanyl group, phenylsulfanyl group, -NR where R is C 1 -C 12 An alkyl group.), A phenyl group or a naphthyl group substituted with a diphenylamino group.)
A 2 is hydrogen atom, hydroxy group, thiol group, cyano group, unsubstituted C 1 ~ C 20 Alkyl group, unsubstituted C 2 ~ C 12 phosphorus Alkenyl, unsubstituted C 3 ~ C 8 phosphorus Cycloalkyl group, unsubstituted C 3 ~ C 6 phosphorus C 2 ~ C 12 substituted with alkenoxyl, oxygen or sulfur C 1 to C 8 substituted with alkyl, oxygen or sulfur atoms C 2 ~ C 12 phosphorus substituted with an alkanoyl group, oxygen atom or sulfur atom C 3 ~ C 6 substituted with alkenyl, oxygen or sulfur atoms Alkenoyl group, C 1 to C 6 A benzoyl group substituted with an alkyl group, a benzoyl group substituted with a halogen, a benzoyl group substituted with a hydroxy group, and C 1 to C 4 A benzoyl group substituted with an alkoxy group, C 1 to C 4 A benzoyl group substituted with an alkylsulfanyl group,
A 3 and A 4 are each independently a hydrogen atom, a benzoyl group, C 1 to C 20 Alkyl group, C 2 ~ C 4 phosphorus Hydroxyalkyl group, C 2 ~ C 10 phosphorus Alkoxyalkyl group, C 2 ~ C 5 phosphorus Alkenyl, C 3 ~ C 8 phosphorus Cycloalkyl group, phenyl-R, wherein R is C 1 to C 3 Alkyl group), C 1 ~ C 8 Alkanoyl group, C 3 ~ C 12 phosphorus Alkenoyl group, C 3 to C 12 Benzoyl group, C 1 to C 12 phosphorus A phenyl group substituted with an alkyl group, a phenyl group substituted with a benzoyl group, C 1 to C 12 Phenyl group substituted by alkoxy group, C 1 to C 12 Naphthyl group substituted with alkyl group, naphthyl group substituted with benzoyl group, C 1 to C 12 phosphorus Naphthyl, hydroxy or C 1 to C 4 substituted with an alkoxy group Alkoxy or C 2 to C 4 C 2 ~ C 6 substituted with an alkanoyloxy group or a benzooxy group Alkylene group.)
제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물인 광중합 개시제는 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물인 감광성 수지 조성물.

<화학식 3>
Figure pat00013

The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the photopolymerization initiator which is a compound represented by Chemical Formula 1 is a compound represented by the following Chemical Formula 3.

<Formula 3>
Figure pat00013

제1항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물인 광중합 개시제는 하기 화학식 4로 표시되는 화합물인 감광성 수지 조성물.

<화학식 4>
Figure pat00014

The photosensitive resin composition of claim 1, wherein the photopolymerization initiator is a compound represented by Chemical Formula 2.

&Lt; Formula 4 >
Figure pat00014

제1항에 있어서, 상기 [A]알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여 [B]불포화성 에틸렌계 모노머 10 내지 300중량부, [C]상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 광중합 개시제 1 내지 30중량부 및 [D]용매 200 내지 800중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물. According to claim 1, 10 to 300 parts by weight of the [B] unsaturated unsaturated ethylene monomer based on 100 parts by weight of the [A] alkali-soluble resin, [C] the compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) The photosensitive resin composition containing 1-30 weight part of any 1 or more photoinitiators selected from 200-800 weight part of [D] solvents. 제1항에 있어서, 상기 [C]광중합 개시제로서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합하는 경우 화학식 1로 표시되는 화합물대 화학식 2로 표시되는 화합물의 중량비가 1 내지 30 : 1 내지 30인 감광성 수지 조성물. The weight ratio of the compound represented by the formula (1) to the compound represented by the formula (2) when the compound represented by the formula (1) and the compound represented by the formula (2) is mixed as the [C] photopolymerization initiator 30: 1-30 photosensitive resin composition. 제1항에 있어서, 상기 [A]알칼리 가용성 수지는 [a1]불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물 중 선택된 단독 또는 2종 이상의 혼합물; 및 [a2]에폭시기 함유 불포화 화합물의 공중합체인 감광성 수지 조성물.The method of claim 1, wherein the [A] alkali-soluble resin is selected from the group consisting of a single or a mixture of two or more selected from [a1] unsaturated carboxylic acid and unsaturated carboxylic anhydride; And [a2] A photosensitive resin composition which is a copolymer of an epoxy group-containing unsaturated compound. 제6항에 있어서, 상기 [A]알칼리 가용성 수지는 [a1]불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물 중 선택된 단독 또는 2종 이상의 혼합물; [a2]에폭시기 함유 불포화 화합물; 및 [a3]상기 [a1] 및 [a2] 이외의 올레핀계 불포화 카르복실산 에스테르 화합물의 공중합체; 또는 [a1]불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물 중 선택된 단독 또는 2종 이상의 혼합물; [a2]에폭시기 함유 불포화 화합물; 및 [a4]상기 [a1], [a2] 및 [a3] 이외의 올레핀계 불포화 화합물 중 선택된 1종 이상의 화합물의 공중합체; 또는 [a1]불포화 카르복실산 및 불포화 카르복실산 무수물 중 선택된 단독 또는 2종 이상의 혼합물; [a2]에폭시기 함유 불포화 화합물; [a3]상기 [a1] 및 [a2] 이외의 올레핀계 불포화 카르복실산 에스테르 화합물; 및 [a4]상기 [a1], [a2] 및 [a3] 이외의 올레핀계 불포화 화합물 중 선택된 1종 이상의 화합물의 공중합체인 감광성 수지 조성물.The method of claim 6, wherein the [A] alkali-soluble resin is selected from the group consisting of a single or a mixture of two or more selected from [a1] unsaturated carboxylic acid and unsaturated carboxylic anhydride; [a2] epoxy group-containing unsaturated compounds; And [a3] copolymers of olefinically unsaturated carboxylic acid ester compounds other than the above [a1] and [a2]; Or [a1] single or a mixture of two or more selected from unsaturated carboxylic acids and unsaturated carboxylic anhydrides; [a2] epoxy group-containing unsaturated compounds; And [a4] a copolymer of at least one compound selected from olefinically unsaturated compounds other than [a1], [a2] and [a3]; Or [a1] single or a mixture of two or more selected from unsaturated carboxylic acids and unsaturated carboxylic anhydrides; [a2] epoxy group-containing unsaturated compounds; [a3] Olefinic unsaturated carboxylic ester compound other than said [a1] and [a2]; And [a4] A photosensitive resin composition which is a copolymer of at least one compound selected from olefinically unsaturated compounds other than [a1], [a2] and [a3]. 제6항에 있어서, 상기 [a1]:[a2] 성분은 1:1.3 내지 3.5의 중량비로 포함되는 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition of claim 6, wherein the component [a1]: [a2] is included in a weight ratio of 1: 1.3 to 3.5. 제6항에 있어서, 상기 [A]알칼리 가용성 수지는 상기 [a4] 성분을 [A]알칼리 가용성 수지 고형분 100중량부에 대하여 10 내지 70중량부로 포함하는 감광성 수지 조성물. The photosensitive resin composition of Claim 6 in which the said [A] alkali-soluble resin contains the said [a4] component at 10-70 weight part with respect to 100 weight part of [A] alkali-soluble resin solid content. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 이용하여 제조된 스페이서.A spacer produced using the composition according to claim 1. 제10항에 있어서, 상기 스페이서는 패턴의 바닥에서 20% 올라간 지점을 Bottom CD(a), 95% 올라간 지점을 Top CD(b)로 정의하고, (b)의 길이를 (a)의 길이로 나눈 후 100을 곱한 값(=b/a×100)으로 계산된 top/bottom 비율이 50 이상인 스페이서. The method of claim 10, wherein the spacer is defined as the bottom CD (a) 20% point raised from the bottom of the pattern, the top 95 (95%) point raised to the top CD (b), the length of (b) to the length of (a) Spacers with a top / bottom ratio of 50 or more, calculated by dividing and multiplying by 100 (= b / a × 100). 제10항에 따른 스페이서를 포함하는 액정표시소자.A liquid crystal display device comprising the spacer according to claim 10.
KR1020100140816A 2010-12-31 2010-12-31 Photosensitive resin composition, spacer thereof and liquid crystal display comprising the same KR20120078498A (en)

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