KR20120074112A - Adhesive composition for semiconductor, adhesive film comprising the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체용 접착 조성물 및 이를 포함하는 접착 필름에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 다이 접착후 와이어 본딩시 최소한의 모듈러스를 확보하여 초기 신뢰성이 우수하고, 아민경화제를 이용하여 구현한 반응온도영역이 높은 구간은 다이 접착 후 실시하는 다양한 경화공정 후에도 잔존 경화율을 부여하여 EMC 몰딩시 원활한 보이드 제거를 달성할 수 있는 반도체용 접착 조성물 및 이를 포함하는 접착 필름에 관한 것이다.
The present invention relates to an adhesive composition for a semiconductor and an adhesive film comprising the same. More specifically, the present invention has excellent initial reliability by securing a minimum modulus during wire bonding after die bonding, and a region having a high reaction temperature region implemented using an amine hardener may remain even after various curing processes performed after die bonding. The present invention relates to an adhesive composition for a semiconductor and an adhesive film including the same, which can achieve smooth void removal during EMC molding.
반도체 장치의 고용량화를 위해서는 단위면적당 셀의 갯수를 늘리는 질적인 측면의 고집적화 방법과, 여러 개의 칩을 적층하여 용량을 늘리는 양적인 측면의 패키징 기술적인 방법이 있다.In order to increase the capacity of semiconductor devices, there are high quality integration methods for increasing the number of cells per unit area and quantitative packaging technology methods for increasing capacity by stacking multiple chips.
이러한 패키징 방법에 있어서 다층 칩 적층 패키지 방법(multi-chip package; 이하 MCP라 함) 방법이 주로 사용되어 왔는데, 이는 여러 개의 칩을 접착제에 의해 적층하고, 상하 칩을 와이어 본딩(wire bonding)을 이용하여 전기적으로 연결해주는 구조이다.In such a packaging method, a multi-chip package (hereinafter referred to as MCP) method has been mainly used, in which a plurality of chips are laminated by an adhesive and a top and bottom chips are wire bonded. It is a structure that connects electrically.
반도체 패키지 칩 적층시 동일한 크기의 칩을 수직방향으로 실장하는 경우, 기존에는 스페이서(Spacer)를 미리 붙여서 본딩 와이어의 공간을 확보하였으나, 스페이서를 붙이는 별도의 공정이 추가됨으로 인하여 번거로움을 유발하였다. 최근에는 공정 단순화를 위해 하단의 본딩와이어를 상단칩의 하부면에 부착된 접착제 필름 내부에 직접 수용하는 방식이 선호되고 있다. 이를 위해 접착층은 칩 접착 온도(일반적으로 100~150℃)에서 본딩 와이어가 뚫고 지나갈 수 있을 정도의 유동성을 가져야 하며, 만일 유동성이 부족할 경우엔 와이어가 쓰러지거나 눌리는 것과 같은 품질 불량 현상을 피할 수 없게 된다. In the case of mounting the chip of the same size in the vertical direction when stacking the semiconductor package chip, a space of the bonding wire is secured by attaching a spacer in advance, but it is cumbersome because additional process of attaching the spacer is added. Recently, in order to simplify the process, a method of directly receiving the bonding wire at the bottom of the adhesive film attached to the lower surface of the upper chip has been preferred. For this purpose, the adhesive layer should have sufficient fluidity to allow the bonding wire to pass through at the chip bonding temperature (typically 100 ~ 150 ℃), and if the fluidity is insufficient, poor quality such as the wire falling down or being pressed can not be avoided. do.
이에 따라 기존의 저 유동 접착제가 본딩 와이어를 수용할 수 없다는 점을 개선하기 위해 고 유동접착제가 등장하였다. 그러나 고 유동 접착층의 경우, 고 유동성에 의한 과도한 접착 특성으로 인해 칩 접착공정 칩의 휨등에 의해 접착면의 평탄도가 불량하거나, 접착되는 기재의 표면 요철이 있는 경우 접착층과 기재 표면의 경계면에 보이드(void)가 형성된다. 일단 형성된 보이드는 접착제의 경화(semi-cure)공정이나 에폭시 몰딩(EMC Molding)공정을 거치는 동안 제거되지 않고 고착화됨으로써 반도체 칩 패키지의 불량을 유발하고 가혹 조건 신뢰도를 저하시키는 원인으로 작용하게 된다. 이에 따라 동종 칩 접착 후 반경화(semi-cure)공정을 수행하는 방식이 제안되고 있으나, 상기 방식은 공정이 추가되어 번거로울 뿐만 아니라, 생산성을 저하시키는 요인이 된다.
Accordingly, high flow adhesives have emerged to improve that existing low flow adhesives cannot accept bonding wires. However, in the case of the high flow adhesive layer, due to the excessive adhesion characteristics due to the high fluidity, the flatness of the adhesive surface is poor due to the chip bending process, or the surface irregularities of the substrate to be bonded are voided at the interface between the adhesive layer and the substrate surface. a void is formed. Once formed, the voids are solidified instead of being removed during the semi-cure process or the epoxy molding process, causing the semiconductor chip package to be defective and acting as a cause of severe condition reliability. Accordingly, a method of performing a semi-cure process after bonding homogeneous chips has been proposed. However, the method is not only cumbersome by adding a process, but also reduces the productivity.
본 발명의 하나의 목적은 경화(semi-cure)공정을 단축 및 생략할 수 있는 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.One object of the present invention is to provide an adhesive composition for a semiconductor, which can shorten and omit a semi-cure process, an adhesive film comprising the same.
본 발명의 다른 목적은 경화 후 유동성과 함께 일정범위의 압축 강도를 갖도록 하여 반도체 칩 다층 적층시 칩이 쓰러지지 않는 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide an adhesive composition for a semiconductor, such that the chip does not fall down when stacking the semiconductor chip multilayer by having a range of compressive strength with fluidity after curing.
본 발명의 다른 목적은 발포성 보이드(void)를 제거하거나 최소화할 수 있는 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide an adhesive composition for a semiconductor capable of removing or minimizing expandable voids, and an adhesive film comprising the same.
본 발명의 또 다른 목적은 다이 접착 후 실시하는 다양한 경화공정 후에도 잔존 경화율을 부여하여 EMC 몰딩시 원활한 보이드 제거가 가능한 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.Still another object of the present invention is to provide an adhesive composition for a semiconductor, which is capable of smooth void removal during EMC molding by providing a residual curing rate even after various curing processes performed after die bonding.
본 발명의 또 다른 목적은 반도체 제조공정(Die attach, mold)에서 발생할 수 있는 보이드(void)를 효과적으로 제거함으로써 공정성과 신뢰성을 높일 수 있는 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.Still another object of the present invention is to provide an adhesive composition for a semiconductor which can increase processability and reliability by effectively removing voids that may occur in a semiconductor manufacturing process (Die attach, mold), and an adhesive film including the same. .
본 발명의 또 다른 목적은 본딩 와이어(Bonding Wire)의 Penetration 특성을 요구하는 FOW에도 적용이 가능한 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.Still another object of the present invention is to provide an adhesive composition for a semiconductor that can be applied to a FOW requiring Penetration properties of a bonding wire, and an adhesive film including the same.
본 발명의 또 다른 목적은 에폭시 몰딩(EMC Molding)시 void 제거 특성을 가져 Bonding Wire를 접착 필름이 포함해야 하는 동종 칩 접착시 공정성과 신뢰성을 동시에 얻을 수 있는 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.
Yet another object of the present invention is to provide a void removing property during epoxy molding (EMC Molding), the adhesive composition for a semiconductor that can simultaneously obtain the processability and reliability when bonding the same chip that the adhesive film should include the bonding wire, an adhesive film comprising the same It is to provide.
본 발명의 하나의 관점은 반도체용 접착 조성물에 관한 것이다. 상기 반도체용 접착 조성물은 125℃에서 60분 경화후 압축강도가 100~1500 gf/mm2인 것을 특징으로 한다. 바람직하게는 상기 반도체용 접착 조성물은 압축강도가 500~1000 gf/mm2 일 수 있다.One aspect of the invention relates to an adhesive composition for a semiconductor. The adhesive composition for a semiconductor is characterized in that the compressive strength of 100 ~ 1500 gf / mm 2 after curing 60 minutes at 125 ℃. Preferably, the semiconductor adhesive composition may have a compressive strength of 500 to 1000 gf / mm 2 .
상기 반도체용 접착 조성물은 바인더 수지, 에폭시 수지, 및 아민 경화제를 포함한다. 상기 바인더 수지는 (메타)아크릴레이트 공중합체이고, 상기 아민 경화제는 하기 화학식 1로 표시되는 제1 아민 경화제와 하기 화학식 2로 표시되는 제2 아민 경화제를 포함한다: The adhesive composition for semiconductors includes a binder resin, an epoxy resin, and an amine curing agent. The binder resin is a (meth) acrylate copolymer, and the amine curing agent includes a first amine curing agent represented by Formula 1 and a second amine curing agent represented by Formula 2:
[화학식 1] [Formula 1]
(상기 식에서, A는 탄소수 1~6의 선형 혹은 가지형 알킬렌이며, R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 4인 알킬기, 탄소수 1 내지 4인 알콕시기, 또는 아민기로부터 선택되고, 단 R1 내지 R10 중 아민기를 적어도 2개 이상 포함함, ) (Wherein A is a linear or branched alkylene having 1 to 6 carbon atoms, R1 to R10 are each independently selected from hydrogen, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, or an amine group, Provided that at least two amine groups from R1 to R10
[화학식 2] [Formula 2]
(상기 식에서, B는 -SO2-, -NHCO-, -O-이며, R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 4인 알킬기, 탄소수 1 내지 4인 알콕시기, 또는 아민기로부터 선택되고, 단 R1 내지 R10 중 아민기를 적어도 2개 이상 포함함)
Wherein B is -SO2-, -NHCO-, -O-, R1 to R10 are each independently selected from hydrogen, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, or an amine group, Provided that at least two amine groups are present in R1 to R10)
상기 반도체용 접착 조성물은 150℃에서 10분 및 150℃에서 30분 경화 후 발포성 보이드가 15 % 미만일 수 있다. The adhesive composition for a semiconductor may have a foamable void of less than 15% after curing at 150 ° C. for 10 minutes and at 150 ° C. for 30 minutes.
상기 (메타)아크릴레이트 공중합체는 25℃ 점도가 1,000 내지 300,000 cps 일 수 있다. The (meth) acrylate copolymer may have a viscosity of 25 to 1,000 to 300,000 cps.
상기 (메타)아크릴레이트 공중합체는 글리시딜 (메타)아크릴레이트가 1 내지 20중량% 함유된 공중합체일 수 있다. The (meth) acrylate copolymer may be a copolymer containing 1 to 20% by weight of glycidyl (meth) acrylate.
상기 바인더 수지는 전체 반도체용 접착 조성물중 35~70 중량%(고형분 기준) 함유할 수 있다. The binder resin may contain 35 to 70% by weight (based on solids) of the entire semiconductor adhesive composition.
상기 에폭시 수지는 바이페닐기(biphenyl group)를 함유하는 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 구체예에서는 상기 에폭시 수지는 바이페닐기(biphenyl group)를 함유하는 에폭시 수지를 3 내지 100 중량%로 포함할 수 있다. The epoxy resin may include an epoxy resin containing a biphenyl group. In an embodiment, the epoxy resin may include 3 to 100 wt% of an epoxy resin containing a biphenyl group.
구체예에서 상기 아민 경화제는 제1 아민 경화제 0.5~50 중량% 및 제2 아민 경화제 50~99.5 중량%으로 이루어질 수 있다.In an embodiment, the amine curing agent may be composed of 0.5 to 50 wt% of the first amine curing agent and 50 to 99.5 wt% of the second amine curing agent.
한 구체예에서, 상기 제1 아민 경화제와 상기 제2 아민 경화제의 중량비는 1: 1.1~100 일 수 있다. In one embodiment, the weight ratio of the first amine curing agent and the second amine curing agent may be 1: 1.1 to 100.
상기 반도체용 접착 조성물은 150℃에서 10분, 150℃에서 30분 경화후 및 175 ℃에서 60초간 몰드후 보이드가 10 % 미만 일수 있다.The adhesive composition for semiconductors may be less than 10% of the voids after curing for 10 minutes at 150 ℃, 30 minutes at 150 ℃ and 60 seconds at 175 ℃.
한 구체예에서는 상기 바인더 수지의 함량은 에폭시 수지와 아민 경화제의 합보다 클 수 있다.In one embodiment, the content of the binder resin may be greater than the sum of the epoxy resin and the amine curing agent.
상기 반도체용 접착 조성물은 실란커플링제 및 필러를 더 포함할 수 있다. The adhesive composition for a semiconductor may further include a silane coupling agent and a filler.
상기 반도체용 접착 조성물은 바인더 수지 25~70 중량%, 에폭시 수지 5~35 중량%, 아민 경화제 1~15 중량%, 실란커플링제 0.01~5 중량% 및 필러 10~55 중량%을 포함할 수 있다. The adhesive composition for a semiconductor may include 25 to 70 wt% of a binder resin, 5 to 35 wt% of an epoxy resin, 1 to 15 wt% of an amine curing agent, 0.01 to 5 wt% of a silane coupling agent, and 10 to 55 wt% of a filler. .
본 발명의 다른 관점은 상기 접착 조성물로 형성된 반도체용 접착 필름에 관한 것이다.
Another aspect of the present invention relates to an adhesive film for a semiconductor formed from the adhesive composition.
본 발명은 경화(semi-cure)공정을 단축 및 생략할 수 있고, 발포성 보이드(void)를 제거하거나 최소화할 수 있으며, 다이 접착 후 실시하는 다양한 경화공정 후에도 잔존 경화율을 부여하여 EMC 몰딩시 원활한 보이드 제거가 가능하고, 반도체 제조공정(Die attach, mold)에서 발생할 수 있는 보이드(void)를 효과적으로 제거함으로써 공정성과 신뢰성을 높일 수 있으며, 본딩 와이어(Bonding Wire)의 Penetration 특성을 요구하는 FOW에도 적용이 가능하고, 에폭시 몰딩(EMC Molding)시 void 제거 특성을 가져 Bonding Wire를 접착 필름이 포함해야 하는 동종 칩 접착시 공정성과 신뢰성을 동시에 얻을 수 있는 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름을 제공하는 발명의 효과를 갖는다.
The present invention can shorten and omit a semi-cure process, remove or minimize foamy voids, and provide a residual hardening rate even after various curing processes performed after die bonding, thereby smoothing EMC molding. It is possible to remove voids and effectively remove voids that may occur in semiconductor attach process (Die attach, mold) to improve processability and reliability, and also apply to FOW requiring Penetration characteristics of Bonding Wire. It is possible to provide a bonding composition for a semiconductor, which can obtain both processability and reliability at the same time when bonding the same chip that the adhesive film should include the bonding film by having a void removal property during epoxy molding (EMC Molding), to provide an adhesive film comprising the same Has the effect of the invention.
이하, 본 발명의 구체예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is presented as an example, by which the present invention is not limited and the present invention is defined only by the scope of the claims to be described later.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, 각 함량은 고형분 기준이다.
Unless stated otherwise in the specification, each content is on a solids basis.
본 발명의 반도체용 접착 조성물은 125℃에서 60분 및 150℃에서 30분 경화후 압축 강도가 100~1500 gf/mm2이다. 상기 압축 강도는 접착 조성물을 두께 400um로 합지한 뒤 125℃에서 60분 경화한 후 ARES 를 이용하여 150℃에서 0.1mm/sec로 압축시킨 후 압축거리 0.05mm에서의 강도를 의미한다. 구체예에서는 상기 반도체용 접착 조성물의 압축강도가 500~1000 gf/mm2 일 수 있다. 이처럼 Semi cure 및 와이어 본딩에서 압축강도를 낮게 하여 와이어 본딩(wire bonding)시 초기 신뢰성을 확보하고 EMC 몰딩시 보이드를 원활하게 제거할 수 있는 것이다. The adhesive composition for semiconductors of the present invention has a compressive strength of 100 to 1500 gf / mm 2 after curing at 125 ° C. for 60 minutes and at 150 ° C. for 30 minutes. The compressive strength means the strength at a compression distance of 0.05mm after laminating the adhesive composition to a thickness of 400 μm and curing at 125 ° C. for 60 minutes and then compressing at 150 ° C. at 0.1 ° C./sec using ARES. In embodiments, the compressive strength of the adhesive composition for a semiconductor may be 500 ~ 1000 gf / mm 2 . As such, the compressive strength is lowered in semi cure and wire bonding to secure initial reliability during wire bonding and to smoothly remove voids during EMC molding.
상기 반도체용 접착 조성물은 바인더 수지, 에폭시 수지, 및 아민 경화제를 포함할 수 있다.
The adhesive composition for a semiconductor may include a binder resin, an epoxy resin, and an amine curing agent.
바인더 수지Binder resin
상기 바인더 수지는 (메타)아크릴레이트 공중합체를 단독으로 사용하거나 (메타)아크릴레이트 공중합체에 다른 고분자 수지와 혼합하여 사용할 수도 있다. 구체예에서는 바인더 수지로 (메타)아크릴레이트 공중합체가 사용될 수 있다. 바람직하게는 상기 (메타)아크릴레이트 공중합체는 에폭시기를 함유할 수 있다. The binder resin may be used alone or in combination with another polymer resin in the (meth) acrylate copolymer. In embodiments, a (meth) acrylate copolymer may be used as the binder resin. Preferably, the (meth) acrylate copolymer may contain an epoxy group.
구체예에서는 상기 (메타)아크릴레이트 공중합체는 에폭시 당량이 500~10,000 인 것이 사용될 수 있다. 상기 범위에서 열경화 전 점착력이 높고 열경화후 접착력이 높은 장점이 있다. In a specific embodiment, the (meth) acrylate copolymer may be used that the epoxy equivalent of 500 ~ 10,000. In the above range, there is an advantage of high adhesive strength before heat curing and high adhesive strength after heat curing.
상기 (메타)아크릴레이트 공중합체는 중량평균분자량이 10,000 내지 5,000,000g/mol, 바람직하게는 50,000 내지 1,000,000 g/mol 일 수 있다. 상기 범위에서 코팅 시 도막형성 능력이 우수하다. The (meth) acrylate copolymer may have a weight average molecular weight of 10,000 to 5,000,000 g / mol, preferably 50,000 to 1,000,000 g / mol. Excellent coating film forming ability in the above range.
상기 (메타)아크릴레이트 공중합체는 알킬(메타)아크릴레이트 모노머와 글리시딜 (메타)아크릴레이트 모노머의 공중합체일 수 있다. The (meth) acrylate copolymer may be a copolymer of an alkyl (meth) acrylate monomer and a glycidyl (meth) acrylate monomer.
상기 알킬(메타)아크릴레이트 모노머는 필름에 점착력을 부여하는 기능을 하는 것으로서, 2-에칠헥실메타크릴레이트, 이소 옥칠 아크릴레이트, 2-에칠헥실아크릴레이트, 에칠아크릴레이트, n-부칠아크릴레이트, iso-부칠아크릴레이트 및 옥타데실메타크릴레이트 등이 사용될 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 (메타)아크릴레이트 공중합체는 알킬(메타)아크릴레이트를 50~90 중량%, 바람직하게는 65~85중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 접착력 및 신뢰성이 뛰어난 장점이 있다. The alkyl (meth) acrylate monomer has a function of imparting adhesion to the film, 2-ethylhexyl methacrylate, iso-oxyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, iso-butyl acrylate and octadecyl methacrylate may be used, but are not necessarily limited thereto. The (meth) acrylate copolymer may include 50 to 90% by weight of alkyl (meth) acrylate, preferably 65 to 85% by weight. There is an advantage in the adhesive strength and reliability in the above range.
상기 글리시딜 (메타)아크릴레이트 모노머는 글리시딜 메타크릴레이트 또는 글리시딜 아크릴레이트 등이 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 바람직하게는 상기 (메타)아크릴레이트 공중합체는 글리시딜 (메타)아크릴레이트를 (메타)아크릴레이트 수지중 1~20 중량%, 바람직하게는 3~8 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 접착력 및 신뢰성이 뛰어난 장점이 있다. 또한 상기 범위에서 125℃에서 60분 및 150℃에서 30분 경화후 압축강도가 100~1500 gf/mm2 일 수 있다. The glycidyl (meth) acrylate monomers include glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, and the like, but are not necessarily limited thereto. Preferably, the (meth) acrylate copolymer may include glycidyl (meth) acrylate as 1 to 20% by weight, preferably 3 to 8% by weight of the (meth) acrylate resin. There is an advantage in the adhesive strength and reliability in the above range. In addition, the compressive strength after curing at 125 ℃ 60 minutes and 150 minutes at 150 ℃ 100 ~ 1500 gf / mm 2 Lt; / RTI >
다른 구체예에서는 상기 모노머외에 수산기 함유 (메타)아크릴레이트 모노머도 선택적으로 부가되어 공중합될 수 있다. 상기 수산기 함유 (메타)아크릴레이트 모노머로는 2-하이드록시에틸 메타아크릴레이트, 2-하이드록시에틸 아크릴레이트, 3-하이드록시프로필 메타아크릴레이트, 3-하이드록시프로필 아크릴레이트, 하이드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸 아크릴레이트, N-(하이드록시메틸) 아크릴레이트, 3-클로로-2-하이드록시프로필 메타아크릴레이트 등이 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 (메타)아크릴레이트 공중합체는 수산기 함유 (메타)아크릴레이트를 5~35 중량%, 바람직하게는 10~30 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 접착력 및 신뢰성이 뛰어난 장점이 있다.In another embodiment, a hydroxyl group-containing (meth) acrylate monomer may be optionally added in addition to the monomer to copolymerize. Examples of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate monomers include 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropyl methacrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, and hydroxypropyl (meth). ) Acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, N- (hydroxymethyl) acrylate, 3-chloro-2-hydroxypropyl methacrylate, and the like, but are not necessarily limited thereto. The (meth) acrylate copolymer may include 5 to 35% by weight of hydroxyl group-containing (meth) acrylate, preferably 10 to 30% by weight. There is an advantage in the adhesive strength and reliability in the above range.
상기 바인더 수지는 유리전이온도가 -55 ~ 80℃, 바람직하게는 5 ~ 60℃, 보다 바람직하게는 5 ~ 35℃일 수 있다. 상기 범위에서 고유동을 확보할 수 있어 보이드 제거 능력이 우수하고, 접착력 및 신뢰성을 얻을 수 있다. The binder resin may have a glass transition temperature of -55 to 80 ° C, preferably 5 to 60 ° C, more preferably 5 to 35 ° C. High flow can be secured in the above range, it is excellent in the ability to remove voids, it is possible to obtain adhesion and reliability.
상기 (메타)아크릴레이트 공중합체는 수지의 점도가 25℃에서 1000-300,000cps가 될 수 있다. 상기 범위 내에서 코팅 시 도막형성능이 좋다. 바람직하게는 3000-100,000cps 이다. The (meth) acrylate copolymer may have a viscosity of 1000-300,000 cps at 25 ° C. The coating film forming ability is good when coating within the above range. Preferably it is 3000-100,000cps.
상기 (메타)아크릴레이트 공중합체는 글리시딜 (메타)아크릴레이트가 1~20 중량%, 바람직하게는 3~8 중량%로 포함될 수 있다.The (meth) acrylate copolymer may contain 1 to 20% by weight of glycidyl (meth) acrylate, preferably 3 to 8% by weight.
상기 바인더 수지는 전체 반도체용 접착 조성물중 25~70 중량%(고형분 기준), 바람직하게는 36~60 중량%이다. 상기 범위에서 우수한 신뢰성과 발포성 보이드 제거 효과를 얻을 수 있다.
The binder resin is 25 to 70% by weight (based on solids), preferably 36 to 60% by weight in the total adhesive composition for semiconductors. Excellent reliability and foaming void removal effect can be obtained in the above range.
에폭시 수지Epoxy resin
상기 에폭시 수지는 경화 및 접착 작용을 하는 것으로서, 액상 에폭시 수지, 고상 에폭시 수지 혹은 이들의 혼합이 모두 적용될 수 있다. The epoxy resin has a curing and adhesive action, and a liquid epoxy resin, a solid epoxy resin, or a mixture thereof may be applied.
상기 액상 에폭시 수지는 예를 들면 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀A형 액상 에폭시 수지, 비스페놀F형 액상 에폭시 수지, 3관능성 이상의 다관능성 액상 에폭시 수지, 고무변성 액상 에폭시 수지, 우레탄 변성 액상 에폭시 수지, 아크릴 변성 액상 에폭시 수지 및 감광성 액상 에폭시 수지를 단독 또는 혼합하여 이용할 수 있다. 이중 바람직하게는 비페닐형 에폭시이다. The liquid epoxy resin is, for example, biphenyl type epoxy resin, bisphenol A type liquid epoxy resin, bisphenol F type liquid epoxy resin, trifunctional or higher polyfunctional liquid epoxy resin, rubber modified liquid epoxy resin, urethane modified liquid epoxy resin, Acrylic modified liquid epoxy resin and photosensitive liquid epoxy resin can be used individually or in mixture. Among these, biphenyl type epoxy is preferable.
상기 액상 에폭시 수지는 에폭시 당량이 약 100 내지 약 1500g/eq 이 사용될 수 있다. 바람직하게는 약 150 내지 약 800g/eq이고, 약 150 내지 약 400g/eq이다. 상기 범위에서 경화물의 접착성이 우수하고, 유리전이온도를 유지하며, 우수한 내열성을 가질 수 있다. The liquid epoxy resin may have an epoxy equivalent of about 100 to about 1500 g / eq. Preferably from about 150 to about 800 g / eq and from about 150 to about 400 g / eq. Within the above range, the cured product is excellent in adhesiveness, the glass transition temperature is maintained, and excellent heat resistance can be obtained.
또한 상기 액상 에폭시 수지의 중량평균분자량은 100 내지 1,000 g/mol 인 것이 사용될 수 있다. 상기 범위에서 흐름성이 뛰어난 장점이 있다. In addition, the weight average molecular weight of the liquid epoxy resin may be used that is 100 to 1,000 g / mol. There is an excellent flow in the above range.
상기 고상 에폭시 수지는 상온에서 고상 또는 고상에 근접한 에폭시로서 하나 이상의 관능기를 가지고 있는 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 연화점(Sp)이 30 ~ 100℃인 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀계 에폭시, 페놀 노볼락(Phenol novolac)계 에폭시, o-크레졸 노볼락(Cresol novolac)계 에폭시, 다관능 에폭시, 아민계 에폭시, 복소환 함유 에폭시, 치환형 에폭시, 나프톨계 에폭시 및 이들의 유도체를 사용할 수 있다. The solid epoxy resin may be an epoxy resin having at least one functional group as a solid at or near solid phase at room temperature, preferably a softening point Sp of 30 ~ 100 ℃. For example, biphenyl type epoxy resin, bisphenol type epoxy, phenol novolac type epoxy, o-cresol novolac type epoxy, polyfunctional epoxy, amine type epoxy, heterocyclic containing epoxy, substitution Type epoxy, naphthol type epoxy, and derivatives thereof can be used.
이러한 고상 에폭시 수지로서 현재 시판되고 있는 제품에는 비스페놀계 고상 에폭시로 국도화학의 YD-017H, YD-020, YD020-L, YD-014, YD-014ER, YD-013K, YD-019K, YD-019, YD-017R, YD-017, YD-012, YD-011H, YD-011S, YD-011, YDF-2004, YDF-2001 등이 있고, 페놀 노볼락(Phenol novolac)계로서는 유카 쉘 에폭시 주식회사의 체피코트 152, 에피코트 154, 일본화약주식회사의 EPPN-201, 다우케미컬의 DN-483, 국도화학의 YDPN-641, YDPN-638A80, YDPN-638, YDPN-637, YDPN-644, YDPN-631 등이 있고, o-크레졸 노볼락(Cresol novolac)계로서는 국도화학의 YDCN-500-1P, YDCN-500-2P, YDCN-500-4P, YDCN-500-5P, YDCN-500-7P, YDCN-500-8P, YDCN-500-10P, YDCN-500-80P, YDCN-500-80PCA60, YDCN-500-80PBC60, YDCN-500-90P, YDCN-500-90PA75 등이 있고 일본화약주식회사의 EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027, 독도화학주식회사의 YDCN-701, YDCN-702, YDCN-703, YDCN-704, 대일본 잉크화학의 에피클론 N-665-EXP 등이 있고, 비스페놀계 노볼락 에폭시로는 국도화학의 KBPN-110, KBPN-120, KBPN-115 등이 있고, 다관능 에폭시 수지로서는 유카 쉘 에폭시 주식회사 Epon 1031S, 시바스페샬리티케미칼주식회사의 아랄디이토 0163, 나가섭씨온도화성 주식회사의 데타콜 EX-611, 데타콜 EX-614, 데타콜 EX-614B, 데타콜 EX-622, 데타콜 EX-512, 데타콜 EX-521, 데타콜 EX-421, 데타콜 EX-411, 데타콜 EX-321, 국도화학의 EP-5200R, KD-1012, EP-5100R, KD-1011, KDT-4400A70, KDT-4400, YH-434L, YH-434, YH-300 등이 있으며, 아민계 에폭시 수지로서는 유카 쉘 에폭시 주식회사 에피코트 604, 독도화학주식회사의 YH-434, 미쓰비시가스화학 주식회사의 TETRAD-X, TETRAD-C, 스미토모화학주식회사의 ELM-120 등이 있고, 복소환 함유 에폭시 수지로는 시바스페샬리티케미칼주식회사의 PT-810, 치환형 에폭시 수지로는 UCC사의 ERL-4234, ERL-4299, ERL-4221, ERL-4206, 나프톨계 에폭시로는 대일본 잉크화학의 에피클론 HP-4032, 에피클론 HP-4032D, 에피클론 HP-4700, 에피클론 4701 등이 있고, 이것들은 단독으로 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.Products currently available as such solid epoxy resins include bisphenol-based solid epoxy resins of KD Chemical's YD-017H, YD-020, YD020-L, YD-014, YD-014ER, YD-013K, YD-019K, and YD-019. , YD-017R, YD-017, YD-012, YD-011H, YD-011S, YD-011, YDF-2004, YDF-2001, and the like. As the phenol novolac system, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. Chepicoat 152, Epicoat 154, EPPN-201 of Nippon Kayaku Co., Ltd. DN-483 of Dow Chemical, YDPN-641, YDPN-638A80, YDPN-638, YDPN-637, YDPN-644, YDPN-631 of Kukdo Chemical As the o-cresol novolac system, YDCN-500-1P, YDCN-500-2P, YDCN-500-4P, YDCN-500-5P, YDCN-500-7P, YDCN-500 of Kukdo Chemical -8P, YDCN-500-10P, YDCN-500-80P, YDCN-500-80PCA60, YDCN-500-80PBC60, YDCN-500-90P, YDCN-500-90PA75, etc. and EOCN-102S, EOCN of Nippon Kayaku Co., Ltd. -103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027, YDCN-701, YDCN-702, YDCN-703, YDCN-704 from Japan Dokdo Chemical Co., Ltd. Epiclone N-665-EXP, and bisphenol-based novolac epoxy include KBPN-110, KBPN-120, KBPN-115 of Kukdo Chemical, and Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. Araldito 0163 of RITICAL CHEMICALS, Detacol EX-611, Detacol EX-614, Detacol EX-614B, Detacol EX-622, Detacol EX-512, Detacol EX-521 , Detacol EX-421, Detacol EX-411, Detacol EX-321, Kukdo Chemical EP-5200R, KD-1012, EP-5100R, KD-1011, KDT-4400A70, KDT-4400, YH-434L, YH-434, YH-300, and the like.Amine epoxy resins include Yuka Shell Epoxy Epicoat 604, Dokdo Chemical Co., Ltd. YH-434, Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. TETRAD-X, TETRAD-C, and Sumitomo Chemical Co., Ltd. -120 and the like, heterocyclic containing epoxy resin PT-810 of CIBA Specialty Chemical Co., Ltd., URL ERL-4 of the substitution type epoxy resin 234, ERL-4299, ERL-4221, ERL-4206, and naphthol-based epoxy include epiclon HP-4032, epiclon HP-4032D, epiclon HP-4700 and epiclon 4701 of Japan Ink Chem. Silver can be used individually or in mixture of 2 or more types.
바람직하게는 상기 에폭시 수지는 바이페닐기(biphenyl group)를 함유하는 에폭시 수지를 1 내지 50 중량%, 예를 들면 3~30 중량%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서 경화물의 접착성이 우수하고, 우수한 내열성을 가질 수 있다. Preferably the epoxy resin may comprise 1 to 50% by weight, for example 3 to 30% by weight of an epoxy resin containing a biphenyl group (biphenyl group). It is excellent in the adhesiveness of hardened | cured material in the said range, and can have the outstanding heat resistance.
비페놀계 에폭시로는 Japan epoxy resin의 YX-4000H, 신일철 화학의 YSLV-120TE, GK-3207, Nippon Kayaku의 NC-3000 등이 있고, 이것들은 단독으로 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.Examples of the non-phenolic epoxy include YX-4000H of Japan epoxy resin, YSLV-120TE of Shin-IlChol Chemical, GK-3207, and NC-3000 of Nippon Kayaku, and these can be used alone or in combination of two or more kinds thereof.
상기 에폭시 수지는 전체 조성물(고형분 기준)중 5~35 중량%, 바람직하게는 10~25 중량%이다. 상기 범위에서 우수한 신뢰성과 발포성 보이드 제거 효과를 얻을 수 있다.
The epoxy resin is 5 to 35% by weight, preferably 10 to 25% by weight of the total composition (based on solids). Excellent reliability and foaming void removal effect can be obtained in the above range.
아민 경화제Amine curing agent
본 발명의 아민 경화제는 반응온도구간이 서로 다른 제1 아민 경화제와 제2 아민 경화제인 2종의 경화제가 사용될 수 있다. The amine curing agent of the present invention may be used two kinds of curing agents, the first amine curing agent and the second amine curing agent having a different reaction temperature range.
제1 아민 경화제는 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 디아민이 사용될 수 있다: An aromatic diamine represented by Formula 1 may be used as the first amine curing agent:
[화학식 1] [Formula 1]
(상기 식에서, A는 탄소수 1~6의 선형 혹은 가지형 알킬렌이며, R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 4인 알킬기, 탄소수 1 내지 4인 알콕시기, 또는 아민기로부터 선택되고, 단 R1 내지 R10 중 아민기를 적어도 2개 이상 포함함, ) (Wherein A is a linear or branched alkylene having 1 to 6 carbon atoms, R1 to R10 are each independently selected from hydrogen, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, or an amine group, Provided that at least two amine groups from R1 to R10
상기 R1 내지 R10은 동일 고리내에서 동일하거나 서로 다른 2 이상의 치환기로 존재할 수 있다. 상기 제1 아민 경화제는 대칭구조를 가지거나 비대칭 구조를 가질 수 있다. 바람직하게는 대칭구조를 갖는다. R1 to R10 may be present in the same ring as two or more substituents different from each other. The first amine curing agent may have a symmetric structure or an asymmetric structure. Preferably it has a symmetrical structure.
구체예에서 상기 제1 아민 경화제는 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라-n-프로필디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'5,5-테트라메틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'5,5'-테트라이소프로필디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'5,5'-테트라에틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸-5,5'-디에틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸-5,5'-디이소프로필디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸-5,5'-디에틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,5'-디메틸-3',5'-디에틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,5-디메틸-3',5'-디이소프로필디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,5-디에틸-3',5'-디부틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,5-디이소프로필-3',5'-디부틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디이소프로필-5,5'-디부틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸-5',5'-디부틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸-5',5'-디부틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디-n-프로필디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디이소프로필디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디부틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3',5-트리메틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3',5-트리에틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3',5-트리-n-프로필디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3',5-트리이소프로필디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3',5-트리부틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3-메틸-3'-에틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3-메틸-3'-이소프로필디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3-메틸-3'-부틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3-이소프로필-3'-부틸디페닐메탄, 2,2-비스(4-아미노-3,5-디메틸페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노-3,5-디에틸페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노-3,5-디-n-프로필페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노-3,5-디이소프로필페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노-3,5-디부필페닐)프로판 등이 있다. 이중 바람직하게는 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'5,5-테트라메틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'5,5'-테트라에틸디페닐메탄 이다. In embodiments, the first amine curing agent is 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3 ', 5,5'-tetra-n-propyl Diphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'5,5-tetramethyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'5,5'-tetraisopropyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'5,5'-tetraethyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyl-5,5'-diethyldiphenylmethane, 4 , 4'-diamino-3,3'-dimethyl-5,5'-diisopropyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-diethyl-5,5'-diethyldi Phenylmethane, 4,4'-diamino-3,5'-dimethyl-3 ', 5'-diethyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,5-dimethyl-3', 5'- Diisopropyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,5-diethyl-3 ', 5'-dibutyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,5-diisopropyl- 3 ', 5'-dibutyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-diisopropyl-5,5'-dibutyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3, 3'-dimethyl-5 ', 5'-dibutyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-diethyl-5', 5 ' -Dibutyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-diethyldiphenylmethane, 4,4'-dia Mino-3,3'-di-n-propyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-diisopropyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-di Butyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3 ', 5-trimethyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3', 5-triethyldiphenylmethane, 4,4 ' -Diamino-3,3 ', 5-tri-n-propyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3', 5-triisopropyldiphenylmethane, 4,4'-diamino- 3,3 ', 5-tributyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3-methyl-3'-ethyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3-methyl-3'-isopropyl Diphenylmethane, 4,4'-diamino-3-methyl-3'-butyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3-isopropyl-3'-butyldiphenylmethane, 2,2-bis (4-amino-3,5-dimethylphenyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3,5-diethylphenyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3,5-di- n-propylphenyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3,5- Isopropylphenyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3,5-bupil phenyl) propane and the like. Among these, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'5,5-tetramethyldiphenylmethane, 4,4'-dia Mino-3,3'5,5'-tetraethyldiphenylmethane.
상기 제2 아민 경화제는 하기 화학식 2로 표시되는 방향족 디아민이 사용될 수 있다: The second amine curing agent may be used an aromatic diamine represented by the formula (2):
[화학식 2] [Formula 2]
(상기 식에서, B는 -SO2-, -NHCO-, -O-이며, R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 4인 알킬기, 탄소수 1 내지 4인 알콕시기, 또는 아민기로부터 선택되고, 단 R1 내지 R10 중 아민기를 적어도 2개 이상 포함함)
Wherein B is -SO2-, -NHCO-, -O-, R1 to R10 are each independently selected from hydrogen, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, or an amine group, Provided that at least two amine groups are present in R1 to R10)
구체예에서 상기 제2 아민 경화제는 4,4'-디아미노디페닐 설폰, 3,3'-디아미노디페닐 설폰, 4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라메틸디페닐설폰, 4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라에틸디페닐설폰, 4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라-n-프로필디페닐설폰, 4,4'-디아미노-3,3',5,5'-테트라이소프로필디페닐설폰 등이 있다. 이중 바람직하게는 4,4'-디아미노디페닐 설폰이다. In embodiments said second amine curing agent is 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diamino-3,3 ', 5,5'-tetra Methyldiphenylsulfone, 4,4'-diamino-3,3 ', 5,5'-tetraethyldiphenylsulfone, 4,4'-diamino-3,3', 5,5'-tetra-n -Propyldiphenylsulfone, 4,4'-diamino-3,3 ', 5,5'-tetraisopropyldiphenylsulfone, and the like. Among these, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone is preferable.
구체예에서 상기 아민 경화제는 제1 아민 경화제 0.5~50 중량% 및 제2 아민 경화제 50~99.5 중량%으로 이루어질 수 있다. In an embodiment, the amine curing agent may be composed of 0.5 to 50 wt% of the first amine curing agent and 50 to 99.5 wt% of the second amine curing agent.
한 구체예에서, 상기 제1 아민 경화제과 상기 제2 아민 경화제의 중량비는 1: 1.1 내지 1:100 일 수 있다. 상기 범위에서 안정성이 우수하다. 바람직하게는 1: 1.5 내지 1:85이다. In one embodiment, the weight ratio of the first amine curing agent and the second amine curing agent may be 1: 1.1 to 1: 100. It is excellent in stability in the above range. Preferably 1: 1.5 to 1:85.
상기 아민 경화제는 전체 조성물(고형분 기준)중 1~15 중량%, 바람직하게는 3~10 중량%이다. 상기 범위에서 발포성 보이드 저하효과를 얻을 수 있다.
The amine curing agent is 1 to 15% by weight, preferably 3 to 10% by weight of the total composition (based on solids). In the above range, the foamable void lowering effect can be obtained.
실란커플링제Silane coupling agent
상기 실란 커플링제는 조성물 배합시 필러와 같은 무기물질의 표면과 유기물질간의 화학적 결합으로 인한 접착력을 증진시키기 위한 접착증진제의 작용을 한다.The silane coupling agent acts as an adhesion promoter to promote adhesion due to chemical bonding between the surface of the inorganic material such as filler and the organic material when the composition is blended.
상기 커플링제는 통상적으로 사용되는 실란 커플링제를 사용할 수 있으며, 예를 들어 에폭시가 함유된 2-(3,4 에폭시 사이클로 헥실)-에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 아민기가 함유된 N-2(아미노에틸)3-아미토프로필메틸디메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실리-N-(1,3-디메틸뷰틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 머캅토가 함유된 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리에톡시실란, 이소시아네이트가 함유된 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등이 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The coupling agent may be a commonly used silane coupling agent, for example, epoxy-containing 2- (3,4 epoxy cyclohexyl) -ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxytrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, N-2 (aminoethyl) 3-amitopropylmethyldimethoxysilane containing amine group, N-2 (aminoethyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane, N- 2 (aminoethyl) 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysil-N- (1,3-dimethylbutylidene ) Propylamine, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane with mercapto, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-isocyanatepropyl with isocyanate Triethoxysilane and the like, and these may be used alone or in combination of two or more thereof. have.
상기 커플링제는 전체 접착 조성물(고형분 기준)중 0.01 내지 5중량%, 바람직하게는 0.1 내지 3 중량%, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 2 중량%이다. 상기 범위에서 접착신뢰성이 우수하고 기포발생 문제를 줄일 수 있다.
The coupling agent is 0.01 to 5% by weight, preferably 0.1 to 3% by weight, more preferably 0.5 to 2% by weight of the total adhesive composition (based on solids). Excellent adhesion reliability in the above range and can reduce the bubble generation problem.
필러filler
본 발명의 조성물은 필러를 더 포함할 수 있다.The composition of the present invention may further comprise a filler.
상기 필러는 금속성분인 금분, 은분, 동분, 니켈을 사용할 수 있고, 비금속성분인 알루미나, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 실리카, 질화붕소, 이산화티타늄, 유리, 산화철, 세라믹 등을 사용할 수 있다. 이중 바람직하게는 실리카이다. The filler may be a metal component gold powder, silver powder, copper powder, nickel, and non-metallic components such as alumina, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, Aluminum nitride, silica, boron nitride, titanium dioxide, glass, iron oxide, ceramics and the like can be used. Among these, silica is preferable.
상기 필러의 형상과 크기는 특별히 제한되지 않으나, 통상적으로 충진제 중에서는 구형 실리카와 무정형 실리카가 주로 사용되고, 그 크기는 5㎚ 내지 20㎛인 것이 바람직하다.Although the shape and size of the filler are not particularly limited, usually, spherical silica and amorphous silica are mainly used in the filler, and the size thereof is preferably 5 nm to 20 μm.
상기 필러는 전체 접착 조성물(고형분 기준)중 10~55 중량%, 바람직하게는 15~45 중량%로 포함될 수 있다. 더욱 바람직하게는 20~40 중량%이다. 상기 범위에서 우수한 유동성과 필름형성성 및 접착성을 가질 수 있다.
The filler may be included in 10 to 55% by weight, preferably 15 to 45% by weight of the total adhesive composition (based on solids). More preferably, it is 20-40 weight%. It may have excellent fluidity and film formability and adhesion in the above range.
용매menstruum
상기 접착 조성물은 용매를 추가로 포함할 수 있다. 상기 용매는 반도체용 접착 조성물의 점도를 낮게 하여 필름의 제조가 용이하도록 한다. 구체적으로 톨루엔, 자일렌, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 벤젠, 아세톤, 메틸에틸케톤, 테트라히드로 퓨란, 디메틸포름알데히드, 시클로헥사논 등의 유기용매를 사용할 수 있으며, 반드시 이에 제한되지 않는다.
The adhesive composition may further include a solvent. The solvent lowers the viscosity of the adhesive composition for a semiconductor to facilitate the manufacture of a film. Specifically, organic solvents such as toluene, xylene, propylene glycol monomethyl ether acetate, benzene, acetone, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, dimethylformaldehyde, and cyclohexanone may be used, but are not necessarily limited thereto.
상기 반도체용 접착 조성물은 150℃에서 10분 및 150℃에서 30분 경화후발포성 보이드가 15 % 미만이다. 여기서 발포성 보이드는 접착 조성물을 잔류 solvent 1% 미만으로 두께 50~60um로 제작하여 슬라이드 glass와 슬라이드 glass 사이에 60도 조건에서 라미네이션(Lamination)하고 150℃ Oven에서 10분 및 150℃ hot plate 에서 30분간 경화 후 현미경(배율 : x25)으로 촬영후 이미지 분석을 통해 측정 면적대비 발포성 보이드의 면적을 수치화 한 것이다. (발포성 void = 발포성 보이드 면적 / 전체면적 x 100).The adhesive composition for semiconductors has a foamable void of less than 15% after curing at 150 ° C. for 10 minutes and at 150 ° C. for 30 minutes. Here, the foamed voids are laminated with the adhesive composition of less than 1% of the residual solvent to a thickness of 50 to 60um at a temperature of 60 degrees between the slide glass and the slide glass, and then 10 minutes at 150 ° C. Oven and 30 minutes at 150 ° C. hot plate. After curing, the area of the foamed voids compared to the measured area was quantified through image analysis after shooting under a microscope (magnification: x25). (Foamable void = foamable void area / total area x 100).
또한 상기 반도체용 접착 조성물은 150℃에서 10분, 150℃에서 30분 경화후 및 175 ℃에서 60초간 몰드후 보이드가 10 % 미만이다. 여기서 몰드후 보이드는 필름을 QDP 페케이지에 2층으로 부착한 후에 각각 1 cycle의 semi cure 를 실시한 다음 EMC를 이용하여 175℃에서 60초간 몰딩한 후에 SAT를 이용하여 측정 면적대비 보이드의 면적을 수치화 한 것이다.
In addition, the adhesive composition for the semiconductor has a void after curing 10 minutes at 150 ℃, 30 minutes at 150 ℃ and 60 seconds at 175 ℃ after molding less than 10%. Here, after molding, the voids are attached to the QDP page with two layers, and then each cycle is semi-cured and then molded at 175 ° C for 60 seconds using EMC, and then quantified the area of voids compared to the measured area using SAT. It is.
본 발명의 다른 관점은 상기 접착 조성물로 형성된 반도체용 접착 필름에 관한 것이다. 본 발명의 조성물을 사용하여 반도체 조립용 접착필름을 형성하는 데에는 특별한 장치나, 설비가 필요치 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래 알려져 있는 통상의 제조방법을 제한없이 사용하여 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 각 성분을 용매에 용해시킨 후 비즈밀을 이용하여 충분히 혼련시킨 후, 어플리케이터를 이용하여 이형처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름상에 도포하고 100도 오븐에서 10~30분 가열 건조하여 적당한 도막 두께를 가지는 접착필름을 얻을 수 있다. Another aspect of the present invention relates to an adhesive film for a semiconductor formed from the adhesive composition. No special apparatus or equipment is required to form the adhesive film for semiconductor assembly using the composition of the present invention, and can be manufactured using any conventional manufacturing method known in the art to which the present invention pertains without limitation. For example, after dissolving each component in a solvent and kneading sufficiently using a bead mill, it is applied on a release-treated polyethylene terephthalate (PET) film using an applicator and heated in a 100 degree oven for 10 to 30 minutes. It can be dried to obtain an adhesive film having a suitable coating film thickness.
다른 구체예에서는 상기 반도체용 접착 필름은 기재 필름, 점착층, 접착층 및 보호 필름을 포함하여 구성될 수 있으며, 기재 필름-점착층-접착층-보호 필름의 순서로 적층시켜 이용할 수 있다.In another embodiment, the adhesive film for semiconductor may include a base film, an adhesive layer, an adhesive layer, and a protective film, and may be used by laminating in the order of a base film-adhesive layer-adhesive layer-protective film.
상기 접착필름의 두께는 5 내지 200um인 것이 바람직하고, 10 내지 100um인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위에서 충분한 접착력과 경제성의 발란스를 갖는다. 더욱 바람직하게는 15 내지 60um 이다. The thickness of the adhesive film is preferably 5 to 200um, more preferably 10 to 100um. Within this range, there is a balance of sufficient adhesion and economy. More preferably, it is 15-60 um.
본 발명의 접착 조성물을 이용하여 제조되는 접착층 및 접착 필름은 동종 칩 접착 후 거치는 경화(semi-cure)공정을 단축하거나 생략할 수 있으며, 발포성 보이드를 최소화할 수 있다.
The adhesive layer and the adhesive film prepared by using the adhesive composition of the present invention may shorten or omit a semi-cure process after homogeneous chip adhesion, and may minimize foaming voids.
본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 더 잘 이해 될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시목적을 위한 것이며 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
The invention can be better understood by the following examples, which are intended to illustrate the invention and are not intended to limit the scope of protection defined by the appended claims.
실시예Example
하기 실시예 및 비교예에서 사용된 각 성분의 사양은 다음과 같다: The specifications of each component used in the following Examples and Comparative Examples are as follows:
(A1) 바인더 수지: SG- P3 (제조원: Nagase Chemtex)(A1) Binder Resin: SG-P3 (manufacturer: Nagase Chemtex)
(A2) 바인더 수지 : SBR 1000(금호석유화학) - Emulsion Styrene Butadiene Rubber(A2) Binder Resin: SBR 1000 (Kumho Petrochemical)-Emulsion Styrene Butadiene Rubber
(B1) 에폭시 수지: YDCN-500-1P (제조원: 국도화학)(B1) epoxy resin: YDCN-500-1P (manufacturer: Kukdo Chemical)
(B2) 에폭시 수지:NC-3000(제조원 : Nippon Kayaku)(B2) epoxy resin: NC-3000 (manufacturer: Nippon Kayaku)
(C1) 아민형 경화 수지 : C-300S (제조원: Nippon Kayaku, 당량 65)(C1) Amine type cured resin: C-300S (manufacturer: Nippon Kayaku, Equivalent 65)
(C2) 아민형 경화 수지 : DDS (제조원: Wako, 당량 65)(C2) Amine type cured resin: DDS (manufacturer: Wako, Equivalent 65)
(D) 실란커플링제 : KBM-403 (제조원: Shinetsu)(D) Silane coupling agent: KBM-403 (manufactured by Shinetsu)
(E) 충진제: SO-25H, (제조원: ADMATECH)(E) Filler: SO-25H, (Manufacturer: ADMATECH)
(F) 용매: 시클로헥사논
(F) Solvent: Cyclohexanone
(고형분 기준)
(Based on solids)
(고형분 기준)
(Based on solids)
접착 필름 제조Adhesive film manufacturers
상기 표 1 및 2에 기재된 성분에 용매(I : 사이클로헥사논)를 전체 조액의 고형분이 40%가 되도록 투입한 다음 비즈밀을 이용하여 충분히 혼련시킨 후, 어플리케이터를 이용하여 이형처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름상에 도포하고 100도 오븐에서 10~30분 가열 건조하여 60 um 도막 두께를 가지는 접착필름을 얻었다.
The solvent (I: cyclohexanone) was added to the components shown in Tables 1 and 2 so that the solid content of the entire crude liquid was 40%, and then sufficiently kneaded using a bead mill, and then the polyethylene terephthalate was released using an applicator. (PET) It was coated on a film and heated and dried in an oven at 100 degrees for 10 to 30 minutes to obtain an adhesive film having a 60 um coating thickness.
상기 실시예1 ~ 4 및 비교예1 ~ 7에서 제조된 접착 필름을 이용하여 하기와 같은 방법으로 실험하고, 그 결과를 하기 표 3 및 4에 나타내었다.
Experiment using the adhesive film prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 7 as described below, and the results are shown in Tables 3 and 4.
(1) 압축강도 : 제조된 접착제 조성물을 두께 400um로 합지한 뒤 125℃ oven 60min 경화를 실시한 후 ARES 를 이용하여 150℃에서 0.1mm/sec로 압축시킨 후 압축거리 0.05mm 에서의 강도를 측정하여 150℃ wire bonding 시의 Die 움직임과 자연적 void 제거력을 측정하였다.(1) Compressive strength: After the adhesive composition is laminated to a thickness of 400um and cured at 125 ℃ oven 60min and then compressed to 0.1mm / sec at 150 ℃ using ARES to measure the strength at a compression distance of 0.05mm Die motion and natural void removal force at 150 ℃ wire bonding were measured.
(2)1 cycle 후 Mold 후 void(10%미만 제거 판정): 제조된 필름을 이산화막으로 코팅되어 있는 두께 100um 웨이퍼에 마운팅한 후에 각각 8㎜ X 8㎜ 크기와 10㎜ X 10㎜ 크기로 자른 후 QDP 페케이지에 2층으로 부착한 후에 각각 1 cycle의 semi cure 를 실시한 다음 제일모직 EMC(제품명 SG-8500B)를 이용하여 175℃에서 60초간 몰딩한 후에 SAT를 이용하여 void유무를 검사하여 10%이하일 경우 void 제거로 판정하고 10% 이상일 경우 미제거로 판정하였다. (2) void after mold (determination of less than 10% removal): After mounting the prepared film on a 100um wafer with a thickness coated with a dioxide film, it was cut into 8mm x 8mm and 10mm x 10mm, respectively. After attaching two layers to the QDP page, apply 1 cycle of semi cure, and then mold for 60 seconds at 175 ℃ using Cheil Industries EMC (Product name SG-8500B), and then check the presence of voids using SAT. If it is less than%, it is determined to be void removed, and if it is more than 10%, it is not removed.
(3) 1 cycle 후 Mold 후 Die 밀림 발생여부 : 제조된 필름을 이산화막으로 코팅되어 있는 두께 100um 웨이퍼에 마운팅한 후에 각각 8㎜ X 8㎜ 크기와 10㎜ X 10㎜ 크기로 자른 후 QDP 페케이지에 2층으로 부착한 후에 각각 1 cycle의 semi cure 를 실시한 다음 제일모직 EMC(제품명 SG-8500B)를 이용하여 175℃에서 60초간 몰딩한 후에 SAT를 이용하여 밀림유무를 검사하여 attach 시 위치에서 10% 이상 이탈시 밀림으로 판정하였다.(3) Whether die rolling occurs after mold after 1 cycle: QDP page after cutting the film into 8mm X 8mm size and 10mm X 10mm size after mounting the manufactured film on 100um wafer with thickness coated with dioxide film. After attaching it to the second layer on each layer, each cycle of semi-cure was carried out, followed by molding for 60 seconds at 175 ℃ using Cheil Industries EMC (Product name SG-8500B), and then checking the presence of jungle using SAT. Deviation of more than% was determined as jungle.
(4) 다이쉐어 강도(Die Shear Strength): 이산화막으로 코팅되어 있는 두께 530um 웨이퍼를 사용하여 5㎜ X 5㎜ 크기로 자른 후 접착필름과 함께 60도 조건에서 라미네이션(Lamination)하고 접착부분만 남기고 절단하였다. 10㎜ X 10㎜ 크기의 알로이42 리드프레임에 5㎜ X 5㎜ 크기인 상부칩을 올려 놓은 후 온도가 120℃인 핫플레이트 위에서 1kgf의 힘으로 1초 동안 눌러서 붙인 뒤에 125℃ oven 60min + 150℃ hot plate 30min cure 실시하여 175℃에서 2hr동안 경화하였다. 상기와 같이 제작된 시험편은 85℃/85RH% 조건 하에서 168시간 흡습 시킨 후 최고온도 260℃의 리플로우를 3회 실시한 후의 다이쉐어 값을 250도에서 측정하여 나타내었다. (4) Die Shear Strength: Using a 530um thick wafer coated with a dioxide film, cut into 5mm x 5mm size, lamination at 60 degrees with adhesive film and leaving only the adhesive part. Cut. Put the upper chip of 5mm x 5mm on the alloy 42 lead frame of 10mm x 10mm and press it for 1 second on the hot plate with temperature of 120 ℃ for 1 second, then press 125 ℃ oven 60min + 150 ℃ The hot plate was cured for 30 min at 175 ° C. for 30 min. The test specimen prepared as described above was measured at 250 degrees after measuring the die share at 250 ° C. after absorbing 168 hours under 85 ° C./85 RH% conditions for three times of reflow at a maximum temperature of 260 ° C. FIG.
(5) 발포성 void : 접착 조성물을 잔류 solvent 1% 미만으로 두께 50~60um로 제작하여 슬라이드 glass와 슬라이드 glass 사이에 60도 조건에서 라미네이션(Lamination)하고 150℃ Oven에서 10분 및 150℃ hot plate 에서 30분간 경화 후 현미경(배율 : x25)으로 촬영후 이미지 분석을 통해 측정 면적대비 발포성 void의 면적을 수치화 하였다. (발포성 void = 발포성 보이드 면적 / 전체면적 x 100).(5) Effervescent void: The adhesive composition is made in 50 ~ 60um thickness with less than 1% of residual solvent, and is laminated at 60 ° C between slide glass and slide glass, and it is 10min at 150 ℃ Oven and at 150 ℃ hot plate. After curing for 30 minutes, the area of the foamed voids was measured by using an image (microscope: x25) and analyzed by image analysis. (Foamable void = foamable void area / total area x 100).
(6) 내리플로우 test: 제조된 필름을 두께 100um 웨이퍼에 마운팅한 후에 각각 8mm X 8mm 크기와 10mm X 10mm 크기로 자른 후 QDP Pacage에 2층으로 부착한 후에 제일모직 EMC(제품명 SG-8500B)를 이용하여 175℃에서 60초간 몰딩한 후에 175℃에서 2시간 동안 후경화하였다. 상기와 같이 제작된 시험편은 85℃/85℃ RH% 조건 하에서 168시간 흡습 시킨 후 최고온도 260℃의 리플로우를 3회 실시한 후 시험편의 크랙유무를 관찰하여 표시하였다.
(6) Reflow test: After mounting the prepared film on a 100um thick wafer, cut into 8mm x 8mm size and 10mm x 10mm size, respectively, and attach it to QDP Pacage in two layers, then apply Cheil Industries EMC (Product Name SG-8500B). After molding for 60 seconds at 175 ℃ using a post-cure for 2 hours at 175 ℃. The test specimen prepared as described above was absorbed under 85 ° C./85° C. RH% condition for 168 hours, and then reflowed three times at a maximum temperature of 260 ° C., and then observed by cracking the test piece.
(10%미만 제거 판정)After 1 cycle Mold after void
(Less than 10% removal judgment)
kgf/chip Die shear value after reflow
kgf / chip
(크랙유무)Downflow test
(With or without crack)
150℃ oven 10min + 150℃ hot plate 30min cure 실시를 1 cycle로 함.
150 ℃ oven 10min + 150 ℃ hot plate 30min cure should be 1 cycle.
(10%미만 제거 판정)After 1 cycle Mold after void
(Less than 10% removal judgment)
kgf/chip Die shear value after reflow
kgf / chip
(크랙유무)Downflow test
(With or without crack)
상기 표 4~5에 나타난 바와 같이 실시예 1-4은 압축강도가 100~1500 g이고, 몰드후 보이드가 10 % 미만으로 나타났다. 이에 비해 비교예 1, 3, 7은 발포성 보이드가 상당히 높았으며, 비교예 1~5는 압축강도가 상당히 낮게 나타난 반면, 비교예 6~7은 압축강도가 상당히 높게 나타났다. 비교예 1-2, 4, 6-7은 몰드후 보이드가 제거되지 못한 것을 확인할 수 있다.
As shown in Tables 4 to 5, Example 1-4 has a compressive strength of 100 to 1500 g and a void after molding is less than 10%. On the other hand, Comparative Examples 1, 3, and 7 were highly foamable voids, Comparative Examples 1 to 5 were significantly lower compressive strength, while Comparative Examples 6 to 7 were significantly higher compressive strength. Comparative Examples 1-2, 4, 6-7 can be confirmed that the void after the mold was not removed.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.
The present invention is not limited to the above embodiments, but may be manufactured in various forms, and a person skilled in the art to which the present invention pertains has another specific form without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It will be appreciated that the present invention may be practiced as. It is therefore to be understood that the embodiments described above are in all respects illustrative and not restrictive.
Claims (18)
The adhesive composition for a semiconductor, characterized in that the compressive strength after curing for 100 minutes at 125 ℃ 100 ~ 1500 gf / mm 2 .
The adhesive composition for semiconductor according to claim 1, wherein the adhesive composition for semiconductor comprises a binder resin, an epoxy resin, and an amine curing agent.
The adhesive composition for a semiconductor according to claim 1, wherein the binder resin is a (meth) acrylate copolymer.
[화학식 1]
(상기 식에서, A는 탄소수 1~6의 선형 혹은 가지형 알킬렌이며, R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 4인 알킬기, 탄소수 1 내지 4인 알콕시기, 또는 아민기로부터 선택되고, 단 R1 내지 R10 중 아민기를 적어도 2개 이상 포함함, )
[화학식 2]
(상기 식에서, B는 -SO2-, -NHCO-, -O-이며, R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 4인 알킬기, 탄소수 1 내지 4인 알콕시기, 또는 아민기로부터 선택되고, 단 R1 내지 R10 중 아민기를 적어도 2개 이상 포함함)
The adhesive composition of claim 1, wherein the amine curing agent comprises a first amine curing agent represented by Formula 1 and a second amine curing agent represented by Formula 2 below:
[Formula 1]
(Wherein A is a linear or branched alkylene having 1 to 6 carbon atoms, R1 to R10 are each independently selected from hydrogen, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, or an amine group, Provided that at least two amine groups from R1 to R10
(2)
Wherein B is -SO2-, -NHCO-, -O-, R1 to R10 are each independently selected from hydrogen, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, or an amine group, Provided that at least two amine groups are present in R1 to R10)
The adhesive composition of claim 1, wherein the adhesive composition for semiconductors has a compressive strength of 500 to 1000 gf / mm 2 .
The adhesive composition according to claim 1, wherein the adhesive composition for semiconductors has a foamable void of less than 15% after curing for 10 minutes at 150 ° C and 30 minutes at 150 ° C.
The adhesive composition of claim 1, wherein the (meth) acrylate copolymer has a viscosity of 1,000-300,000 cps at 25 ° C.
The adhesive composition for a semiconductor according to claim 1, wherein the (meth) acrylate copolymer is a copolymer containing 1 to 20% by weight of glycidyl (meth) acrylate.
The semiconductor adhesive composition according to claim 1, wherein the binder resin contains 35 to 70% by weight (based on solids) of the entire semiconductor adhesive composition.
The adhesive composition of claim 1, wherein the epoxy resin comprises an epoxy resin containing a biphenyl group.
The adhesive composition of claim 10, wherein the epoxy resin comprises 3 to 100 wt% of an epoxy resin containing a biphenyl group.
According to claim 1, wherein the amine curing agent is an adhesive composition for a semiconductor, characterized in that consisting of 0.5 to 50% by weight of the first amine curing agent and 50 to 99.5% by weight of the second amine curing agent.
The adhesive composition for a semiconductor according to claim 12, wherein a weight ratio of the first amine curing agent and the second amine curing agent is 1: 1.1 to 100.
The adhesive composition of claim 1, wherein the adhesive composition for semiconductors has a void less than 10% after curing at 150 ° C. for 10 minutes, at 150 ° C. for 30 minutes, and at 175 ° C. for 60 seconds.
The adhesive composition for a semiconductor according to claim 2, wherein the content of the binder resin is larger than the sum of the epoxy resin and the amine curing agent.
The adhesive composition for a semiconductor according to claim 2, wherein the adhesive composition for semiconductor further comprises a silane coupling agent and a filler.
The adhesive composition of claim 16, wherein the adhesive composition for semiconductors is 25 to 70% by weight of binder resin, 5 to 35% by weight of epoxy resin, 1 to 15% by weight of amine curing agent, 0.01 to 5% by weight of silane coupling agent and 10 to 55% by weight of filler. % Adhesive composition for semiconductors.
The adhesive film for semiconductors formed from the adhesive composition of any one of Claims 1-17.
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