KR20120069058A - 태양전지소자의 제조방법 및 그 방법에 의하여 제조된 태양전지소자 - Google Patents

태양전지소자의 제조방법 및 그 방법에 의하여 제조된 태양전지소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 실리콘 기판으로부터 태양전지소자를 제조하는 태양전지소자의 제조방법 및 그 방법에 의하여 제조된 태양전지소자에 관한 것이다.
본 발명은 제1반도체특성을 가지는 실리콘 기판으로서, 상기 제1반도체특성과 같은 특성을 가지는 하나 이상의 제1반도체층과, 상기 제1반도체특성과 다른 제2반도체특성을 가지는 하나 이상의 제2반도체층이 저면에 형성되는 실리콘 기판과; 상기 제1반도체층 및 상기 제2반도체층과 각각 전기적으로 연결되도록 형성된 제1전극층 및 제2전극층과; 상기 실리콘 기판의 상면에 형성된 반사방지막을 포함하는 태양전지소자의 제조방법으로서, 상기 반사방지막의 형성 전에 상기 실리콘 기판의 상면에 다수의 미세요철들을 형성하기 위하여 습식식각공정을 거치는 요철형성단계와; 상기 요철형성단계 중 또는 상기 요철형성단계 후에 상기 기판의 저면을 평탄화하는 평탄화단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지소자의 제조방법을 개시한다.

Description

태양전지소자의 제조방법 및 그 방법에 의하여 제조된 태양전지소자 {Method for manufacturing solar cell, and solar cell manufactured by the same method}
본 발명은 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 실리콘 기판으로부터 태양전지소자를 제조하는 태양전지소자의 제조방법 및 그 방법에 의하여 제조된 태양전지소자에 관한 것이다.
태양전지(solar cell)란 광전효과의 하나인 광기전력효과를 응용하여 기전력을 발생시킨 전지를 말한다.
태양전지는 기판의 재질에 따라 실리콘계 태양전지, 화합물 반도체 태양전지, 화합물 또는 적층형 태양전지로 분류된다. 여기서 실리콘계 태양전지는 다시 단결정 실리콘 및 다결정 실리콘과 같은 결정계 실리콘 태양전지 및 비정질 실리콘 태양전지로 구분된다.
태양전지의 효율은 기판의 반사율 등 여러 가지 변수들에 의하여 결정되며 빛을 받는 표면에서의 빛의 반사, 즉 반사율을 최소화함으로써 극대화할 수 있다.
그리고 제조비용이 저가인 결정계 실리콘 태양전지 분야에서도 태양전지의 효율을 향상시키기 위하여 빛의 반사율을 최소화하기 위한 다양한 방안들이 연구되고 있다.
한편 종래의 태양전지제조방법은 다수의 요철들을 기판의 수광면, 즉 상면에 형성하는 요철형성단계를 통하여 빛의 반사율을 최소화하고 있다.
그런데 종래의 태양전지의 제조방법에 있어서, 요철형성단계가 습식식각공정을 포함하는 경우 요청형성단계의 수행시 기판의 상면은 물론 기판의 저면에도 식각이 이루어져 기판의 저면에도 원하지 않는 미세요철이 형성되는 문제점이 있다.
따라서 종래의 태양전지의 제조방법은 요철형성단계 중 습식식각공정을 포함하는 경우 기판의 저면에 요철형성을 방지하기 위한 마스크를 형성하여 기판의 저면에 요철을 형성하는 것을 방지하였다.
그러나 상기와 같이 기판의 저면에 마스크를 형성한 후 다시 제거함으로써 공정이 복잡하여지고 마스크 형성 및 제거에 따라서 제조비용이 증가하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여 습식식각공정을 포함하여 기판의 상면에 요철을 형성할 때 기판 저면에 요철형성 방지를 위한 마스크를 형성하지 않고 습식식각공정을 거치면서 기판 저면에 형성된 융기 또는 미세요철을 제거하는 평탄화단계를 추가로 수행함으로써 전체 공정을 단순화하고 제조비용을 절감할 수 있는 태양전지제조방법 및 그 방법에 의하여 제조된 태양전지를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 실리콘 기판표면의 빛의 반사를 최소화할 수 있는 태양전지소자의 제조방법 및 그 제조방법에 의하여 제조된 태양전지소자를 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 제1반도체특성을 가지는 실리콘 기판으로서, 상기 제1반도체특성과 같은 특성을 가지는 하나 이상의 제1반도체층과, 상기 제1반도체특성과 다른 제2반도체특성을 가지는 하나 이상의 제2반도체층이 저면에 형성되는 실리콘 기판과; 상기 제1반도체층 및 상기 제2반도체층과 각각 전기적으로 연결되도록 형성된 제1전극층 및 제2전극층과; 상기 실리콘 기판의 상면에 형성된 반사방지막을 포함하는 태양전지소자의 제조방법으로서, 상기 반사방지막의 형성 전에 상기 실리콘 기판의 상면에 다수의 미세요철들을 형성하기 위하여 습식식각공정을 거치는 요철형성단계와; 상기 요철형성단계 중 또는 상기 요철형성단계 후에 상기 기판의 저면을 평탄화하는 평탄화단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지소자의 제조방법을 개시한다.
상기 요철형성단계는 상기 습식식각공정만으로 수행될 수 있다.
상기 요철형성단계는 상기 기판을 산성수용액으로 식각하여 기판의 외면에 다수의 제1요철들을 형성하는 제1요철형성단계와; 상기 제1요철형성단계를 통해 상기 제1요철들이 형성된 기판의 외면 중 반사방지막이 형성될 수광면을 건식식각하여 상기 제1요철보다 크기가 작은 제2요철들을 형성하는 제2요철형성단계를 포함하며, 상기 평탄화단계는 상기 제2요철형성단계 전 또는 상기 제2요철형성단계 후에 수행될 수 있다.
상기 요철형성단계는, 기판의 표면에서 표면손상을 습식식각에 의하여 제거하는 표면손상제거단계와, 기판의 수광면을 건식식각하여 미세요철들을 형성하는 미세요철형성단계를 포함하며, 상기 평탄화단계는 상기 미세요철형성단계 전 또는 상기 미세요철형성단계 후에 수행될 수 있다.
상기 평탄화단계는 습식식각에 의하여 수행될 수 있다.
상기 평탄화단계는 식각가스를 플라즈마화하여 건식식각에 의하여 수행될 수 있다.
상기 건식식각에 사용되는 식각가스는 염소(Cl)계 가스, 불소(F)계 가스, 브롬(Br)계 가스 및 산소(O2)계 가스 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2요철형성단계는 다수개의 기판들을 트레이에 적재하고 상기 트레이 상에 다수개의 개구부들이 형성된 개구부재를 복개한 상태에서 수행될 수 있다.
상기 실리콘 기판은 단결정 실리콘 기판 또는 다결정 실리콘 기판일 수 있다.
상기 제1반도체특성은 p형 및 n형 중 어느 하나이며, 상기 제2반도체특성은 n형 및 p형 중 나머지 하나일 수 있다.
상기 실리콘 기판의 저면에 상기 제1반도체층 및 상기 제2반도체층을 형성하는 반도체층형성단계와; 상기 실리콘 기판의 상면에 상기 반사방지막을 형성하는 반사방지막형성단계와; 상기 제1전극층 및 상기 제2전극층을 형성하는 전극층형성단계를 포함하며, 상기 요철형성단계는 상기 반도체층형성단계 전에 또는 후에 수행될 수 있다.
본 발명은 또한 상기와 같은 태양전지소자의 제조방법에 의하여 제조된 태양전지소자를 개시한다.
본 발명에 따른 태양전지제조방법 및 그 방법에 의하여 제조된 태양전지는 기판의 상면에 미세요철을 형성하는 요철형성단계가 습식식각공정을 포함하는 경우 기판의 저면에 요철형성 방지를 위한 마스크를 형성하지 않고 습식식각공정을 거치면서 기판 저면에 형성된 융기 또는 미세요철을 제거하는 평탄화단계를 추가로 수행함으로써 공정을 단순화하고 제조비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.
특히 종래의 태양전지제조방법은 미세요철을 형성하는 요철형성단계에서 습식식각공정 수행시 기판의 저면에 요철이 형성되는 것을 방지하기 위하여 기판의 저면에 마스크를 형성하고 습식식각공정 수행 후에 마스크를 제거하여야 하므로 마스크 형성공정 및 제거공정의 추가로 전체공정의 번거로운 문제점이 있었다.
이에 비하여 본 발명은 기판의 저면에 대한 마스크 형성없이 습식식각공정에서 기판의 저면에 형성된 융기(또는 미세요철)를 제거하는 평탄화단계를 추가로 수행함으로써 종래기술에 비하여 전체공정을 간소화할 수 있는 이점이 있다.
더 나아가 종래기술의 경우 기판의 저면에 식각방지를 위한 마스크가 형성되어 있으므로 기판의 저면에 표면손상이 그대로 잔존하여 후속공정에 영향을 미치게 되나, 본 발명은 마스크 형성 및 제거공정 없이 기판의 저면에 대한 평탄화단계를 추가로 수행함으로써 기판의 저면에 잔존하는 표면손상을 온전히 제거할 수 있는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 태양전지소자의 제조방법은 습식에 의한 제1요철형성단계에 의하여 1차로 요철을 형성하고, 건식, 즉 건식식각에 의한 제2요철형성단계에 의하여 2차로 미세요철을 형성함으로써 태양전지소자의 실리콘 기판의 반사율을 현저하게 감소시켜 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
특히 제1요철형성단계를 고온에서 수행되는 알칼리수용액을 사용하지 아니하고 저온에서 수행되는 산성수용액을 사용하여 수행함으로써 공정의 재현성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
또한 상기 제1요철형성단계에서 식각된 실리콘 기판의 실제표면적 및 이상면적의 면적비를 1.2~3.2로 함으로써 표면처리에 의한 반사율 저감을 극대화할 수 있는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 태양전지소자의 제조방법은 습식에 의한 요철을 형성하는 제1요철형성단계를 포함함으로써 미세요철 형성을 위한 건식식각에 의한 공정시간을 단축시킬 수 있는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 태양전지소자의 제조방법은 습식에 의한 요철을 형성하는 제1요철형성단계를 포함함으로써 건식식각에 의한 제2요철형성단계에서 복수개의 기판들을 식각하는 경우 가장자리 쪽에 위치된 기판의 색차(color difference)를 개선할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 태양전지소자의 제조방법을 보여주는 공정도이다.
도 2a 및 도 2b는 각각 도 1의 태양전지제조방법의 요철형성단계의 실시예 2 및 실시예 3의 공정도들이다.
도 3은 도 1의 태양전지소자의 저면을 보여주는 저면도이다.
도 4a 내지 도 4d는 도 1의 태양전지소자의 제조방법에 대응되는 상태를 보여주는 단면도들이다.
도 5는 도 2b의 태양전지소자의 제조방법 중 요철형성단계의 제1요철형성단계에 의하여 1차로 표면처리된 기판을 보여주는 일부 단면도이다.
도 6은 도 2b의 태양전지소자의 제조방법 중 요철형성단계의 제1요철형성단계에 의하여 요철이 형성된 상태를 보여주는 개념도이다.
도 7a 내지 도 7c는 도 1의 태양전지소자의 제조방법의 다른 예에 대응되는 상태를 보여주는 단면도들이다.
이하 본 발명에 따른 태양전지소자의 제조방법 및 그 제조방법에 의하여 제조된 태양전지에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 명세서에 첨부된 도면들은 설명의 편의상 단면표시인 해칭을 생략하였으며, 치수 등을 실제와 다르게 표시하였다.
도 1은 본 발명에 따른 태양전지소자의 제조방법을 보여주는 공정도이고, 도 3은 도 1의 태양전지소자의 저면을 보여주는 저면도이고, 도 4a 내지 도 4d는 도 1의 태양전지소자의 제조방법에 대응되는 상태를 보여주는 단면도들이다.
본 발명에 따른 태양전지소자의 제조방법은 도 1 내지 도 4d에 도시된 바와 같이, 반도체층형성단계(S110)와; 요철형성단계(S120)와; 평탄화단계(S230)와; 반사방지막형성단계(S140)와; 전극층형성단계(S150)를 포함하여 구성된다.
본 발명에 따른 태양전지소자의 제조방법에 의하여 제조되는 태양전지소자는 빛을 수광하는 표면적을 늘리기 위하여 수광면인 기판의 상면에 전극을 형성하지 않고 저면에 두 전극을 형성한 소위 IBC (interdigitated back contact) 태양전지소자로서, 도 4d에 도시된 바와 같이, 저면에 제1반도체특성을 가지는 하나 이상의 제1반도체층(111) 및 제2반도체특성을 가지는 하나 이상의 제2반도체층(112)이 형성되며 제1반도체특성을 가지는 실리콘 기판(110)과; 제1반도체층(111) 및 제2반도체층(112)과 각각 전기적으로 연결되도록 형성된 제1전극층(210) 및 제2전극층(220)과; 실리콘 기판(110)의 상면에 형성된 반사방지막(120)을 포함하여 구성된다.
여기서 실리콘 기판(110)은 단결정 또는 다결정과 같이 결정계 실리콘 기판으로서 불순물이 도핑된 n형 반도체특성 또는 p형 반도체 특성 중 어느 하나의 특성을 가진다.
상기 실리콘 기판(110)은 다양한 제조방법에 의하여 제조될 수 있으며, 예를 들면 실리콘 잉곳(ingot)으로부터 와이어 소(wire saw)와 같은 장치로 슬라이싱하여 실리콘 기판(110)을 가공하여 제조될 수 있다.
이때 상기 실리콘 기판(110)은 설계 조건에 따라서 다양한 두께를 가질 수 있으며, 약 100㎛~400㎛의 두께를 가질 수 있다.
이하 본 발명에 따른 태양전지소자의 제조방법에 관하여 단계별로 상세히 설명한다.
1. 반도체층형성단계( S110 )
상기 반도체층형성단계(S110)는 IBC 태양전지소자를 이루도록 실리콘 기판(110)의 저면에 제1반도체층(111) 및 제2반도체층(112)을 형성하는 단계이다.
상기 제1반도체층(111) 및 제2반도체층(112)은 p형 및 n형에서 선택되어 각각 서로 반대의 반도체특성을 가지며, 제1반도체층(111)이 p형을 가지는 경우 제2반도체층(112)은 반대의 반도체특성인 n형을 가진다.
상기 제1반도체층(111) 및 제2반도체층(112)은 도 4a에 도시된 바와 같이, 반도체공정에 의하여 형성됨을 특징으로 하며, 증착 및 식각 등의 반도체공정을 수회 반복하여 실리콘 기판(110)의 저면에 형성된다.
한편 상기 제1반도체층(111) 및 제2반도체층(112)의 형성순서는 바뀔 수 있으며 각 반도체층(111, 112)의 형성을 위한 불순물은 다양한 재질이 사용될 수 있으며, 불순물의 확산방법 또한 다양한 방법이 사용될 수 있다.
그리고 상기 제1반도체층(111) 및 제2반도체층(112)은 실리콘 기판(110)의 상면을 통하여 빛을 수광할 때 기전력이 발생할 수 있도록 서로 적층되지 않고 실리콘 기판(110)의 표면방향으로 간격을 두고 형성된다.
또한 상기 제1반도체층(111)은 실리콘 기판(110)보다 불순물의 농도가 높게 형성됨이 바람직하며, 즉 실리콘 기판(110)보다 불순물의 농도가 높은 p+ 또는 n+로 형성됨이 바람직하다.
2. 요철형성단계
상기 요철형성단계(S120)는 빛에 대한 반사율을 낮추기 위하여 기판(110)의 수광면에 다수의 미세요철(20)을 형성하는 단계로서, 습식식각공정 만으로 수행되거나, 습식식각 및 건식식각의 조합에 의하여 수행될 수 있다.
1) 요철형성 실시예 1 ( 습식식각공정에 의해서만 수행)
상기 요철형성단계(S120)가 습식식각공정 만으로 수행되는 경우 알칼리 수용액 또는 산성 수용액에 의하여 수행될 수 있다.
이때 상기 실리콘 기판이 단결정 실리콘인 경우에는 알칼리 수용액에 의하여 수행되며, 다결정 실리콘의 경우 HF 및 HNO3 혼합수용액과 같은 산성수용액에 의하여 수행됨이 바람직하다.
2) 요철형성 실시예 2 ( 습식식각공정 및 건식식각공정의 조합 1)
도 2a는 도 1의 태양전지제조방법의 요철형성단계의 실시예 2의 공정도이다.
한편 상기 요철형성단계(S120)는 습식식각 및 건식식각의 조합의 일 예로서, 도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(110)의 표면에서 표면손상을 습식식각에 의하여 제거하는 표면손상제거단계(S210)와, 기판(110)의 외면 중 반사방지막(120)이 형성될 기판(110)의 수광면, 즉 상면을 건식식각하여 제2요철(20)들과 같은 다수의 미세요철들을 형성하는 미세요철형성단계(S220)를 포함한다.
상기 표면손상제거단계(S210)는 결정계 실리콘 기판(110)의 제조를 위한 슬라이싱 과정에서 데미지가 발생하는바 산성수용액 또는 알칼리수용액으로 데미지를 제거하는 단계이다.
여기서 상기 산성수용액은 HNO3 및 HF의 혼합수용액, HNO3, HF 및 CH3COOH (또는 탈이온수)가 사용될 수 있다. 여기서 혼합수용액의 H2O의 비율은 본 발명이 속하는 통상의 지식을 가진 자의 선택에 의하여 정해진다.
그리고 상기 기판손상처리단계는 알칼리수용액의 경우 약 80℃~90℃에서 약 15분~25분 정도 수행될 수 있다. 여기서 상기 알칼리수용액은 NaOH 또는 KOH가 사용되며, IPA(2-isopropyl-alcohol)가 추가로 혼합될 수 있다.
특히 상기 기판손상처리단계는 실리콘 기판이 단결정인 경우 알칼리수용액을 사용하고, 다결정인 경우 산성수용액을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 미세요철형성단계(S220)는 후술하는 실시예 3의 제2요철형성단계(S320)와 유사하게 수행되는바 자세한 설명은 생략한다.
3) 요철형성의 실시예 3 ( 습식식각공정 및 건식식각공정의 조합 2)
도 2b는 도 1의 태양전지제조방법의 요철형성단계의 실시예 3의 공정도이고, 도 5는 도 1의 태양전지소자의 제조방법 중 요철형성단계의 제1요철형성단계에 의하여 1차로 표면처리된 기판을 보여주는 일부 단면도이고, 도 6은 도 2b의 태양전지소자의 제조방법 중 요철형성단계의 제1요철형성단계에 의하여 요철이 형성된 상태를 보여주는 개념도이다. 도 5 및 도 6은 설명의 편의를 위하여 대략적으로 도시한 것으로 실제로는 식각깊이 및 최상단의 높이, 크기 등은 편차가 존재하며, 그 단면의 형상 또한 실제형상은 불규칙적이며 다양함은 물론이다.
상기 요철형성단계(S120)는 도 2b에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(110)을 산성수용액으로 식각하여 실리콘 기판(110)의 외면에 다수의 제1요철(10)들을 형성하는 제1요철형성단계(S310)와; 제1요철형성단계(S310)를 통해 다수의 제1요철(10)들이 형성된 실리콘 기판(110)의 외면 중 반사방지막(120)이 형성될 실리콘 기판(110)의 상면을 건식식각하여 미세요철인 제2요철(20)을 형성하는 제2요철형성단계(S320)를 포함하여 구성될 수 있다.
i. 제1요철형성단계( S310 )
상기 제1요철형성단계(S310)는 실리콘 기판(110)의 외면을 알칼리수용액 또는 산성수용액으로 식각하여 제1요철(10)을 형성하는 단계이다. 특히 상기 제1요철형성단계(S310)는 실리콘 기판(110)의 외면에 도 4b 및 도 5에 도시된 바와 같은 다수개의 제1요철(10)들을 형성하는 것을 목적으로 한다.
여기서 제1요철형성단계(S310)에서 산성수용액을 사용하는 경우 알칼리수용액을 사용하는 것보다 반사방지막(120)이 형성될 실리콘 기판(110)의 상면에 대한 더 낮은 반사율의 확보가 가능하여 빛의 수광량을 증가시켜 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
또한 제1요철형성단계(S310)에서 알칼리수용액을 사용하는 경우 실리콘 기판(110)의 재질에 대한 의존성이 큰데 산성수용액을 사용하는 경우 실리콘 기판(110)의 재질에 대한 의존성을 감소시킬 수 있다.
상기 제1요철형성단계(S310)에서 사용되는 산성수용액은 HNO3 및 HF를 포함하는 수용액이 사용될 수 있으며, 그 질량비, 농도 등은 식각온도, 식각깊이 등을 고려하여 결정된다.
상기 제1요철형성단계(S310)에서 사용되는 산성수용액 중 수용액 내 HNO3및 HF의 실질적 질량비가 1:1~5.5:1인 비율인 것이 바람직하다. 여기서 상기 산성수용액은 표면 활성화제 및 촉매를 추가로 포함할 수 있다. 이때 상기 기판(110)은 산성수용액이 사용됨을 고려하여 다결정 실리콘 기판인 것이 바람직하다.
한편 상기 산성수용액은 HNO3, HF 및 CH3COOH (또는 탈이온수)를 포함하는 수용액이 사용될 수 있다.
이때 상기 제1요철형성단계(S310)에 의하여 식각되는 식각깊이는 1㎛~10㎛인 것이 바람직하다.
상기와 같은 제1요철형성단계(S310)는 알칼리수용액 또는 산성수용액, 바람직하게는 산성수용액이 담긴 저장조(wet station)에 롤러에 의하여 실리콘 기판(110)이 이송되면서 식각이 수행되는 인라인방식 또는 알칼리수용액 또는 산성수용액, 바람직하게는 산성수용액이 담긴 저장조(wet station)에 침지하여 식각이 수행되는 디핑방식(dipping)에 의하여 수행될 수 있다.
이때 상기 제1요철형성단계(S310)는 인라인방식에 수행될 때, 6~10℃의 온도로 1분~10분 동안 식각이 수행될 수 있다.
상기 제1요철형성단계(S310)는 디핑방식에 의하여 수행될 때, 6℃~10℃의 온도로 15~25분 동안 식각이 수행될 수 있다.
한편 상기 제1요철형성단계(S310)는 산성수용액과 같이 습식에 의하여 수행됨에 따라서 식각을 마친 후 실리콘 기판(110)의 표면을 건조하는 등 후속 공정을 추가로 포함할 수 있다.
상기 제1요철형성단계(S310)에서 식각되어 외면에 다수개의 제1요철(10)들이 형성된 실리콘 기판(110)의 외면 중 반사방지막(120)이 형성될 상면의 실제 표면적을 실제표면적(Sr)이라 하고 상기 표면이 완전히 평면인 상태의 표면의 면적을 이상면적(Si)이라 할 때, 제1요철형성단계(S310) 후에 실리콘 기판(110)은 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 실제표면적(Sr) 대 이상면적(Si)의 면적비는 1.2 내지 3.2인 것이 바람직하다.
상기 면적비가 1.2보다 작은 경우 요철(10) 생성의 정도가 작아 제1요철형성단계(S310)에 의한 반사율 감소가 크지 않은 문제점이 있다.
또한 상기 면적비가 3.2보다 큰 경우 후속 단계인 제2요철형성단계(S320)에서 플라즈마에 의한 반응이 크지 않아 표면처리 효과를 감소시키는 문제점이 있다. 더 나아가 상기 면적비가 3.2보다 큰 경우 태양전지 제조방법의 후속공정인 전극형성단계(S150)에서 전극형성을 위한 금속물질의 확산을 방해하여 공극이 형성되는 등 후속 공정에 악영향을 미치는 문제점이 있다.
ii . 제2요철형성단계( S320 )
상기 제2요철형성단계(S320)는 제1요철형성단계(S310)에서 표면처리된 실리콘 기판(110)의 외면 중 반사방지막(120)이 형성될 상면을 건식식각하여 미세요철인 제2요철(20)을 형성하는 단계이다.
특히 상기 제2요철형성단계(S320)는 실리콘 기판(110)의 상면에 도 4c에 도시된 바와 같은 다수개의 제2요철(20)들을 형성하는 것을 목적으로 한다. 여기서 상기 제2요철(20)은 제1요철(10)보다 크기가 작은 미세요철들이다.
그리고 상기 제1요철(10)은 그 식각깊이가 1㎛~10㎛이고 지름이 약 2㎛~20㎛정도의 반구형 형상(이상적인 형상으로 간주하였을 때)의 홈에 의하여 형성될 수 있으며, 제2요철(20)은 대략 피라미드형상을 가지며 약 100㎚~800㎚의 크기를 가질 수 있다.
상기 제2요철형성단계(S320)에서 수행되는 건식식각(Dry Etching)은 공정모듈을 이용하여 RIE(Reactive Ion Etching) 또는 ICP(Inductively coupled plasma)에 의하여 수행될 수 있다.
그리고 건식식각에 사용되는 식각가스는 Cl2/CF4/O2, SF6/O2, CHF3/SF6/O2, NF3, F2 및 그 혼합물이 사용될 수 있다. 이때 식각 시간은 약 수초에서 수분 정도 수행된다.
그리고 상기 건식식각이 RIE에 의하여 수행되는 경우 RIE에 의한 건식식각은 미세요철인 제2요철(20)의 형성을 촉진하기 위하여 실리콘 기판(110)의 상측에 다수개의 개구부들이 형성된 개구부재를 설치하여 수행될 수 있다.
이때 건식식각은 다수개의 실리콘 기판(110)들이 적재되는 트레이를 통하여 이송하여 공정모듈 내의 기판지지대 상에 적재하여 수행될 수 있다.
한편 상기와 같은 제2요철형성단계(S320)에 의하여 표면처리가 수행된 후의 실리콘 기판(110)의 상면은 도 4c에 도시된 바와 같다.
상기 제1요철형성단계(S310)에 의하여 형성된 제1요철(10)보다 작은, 즉 미세한 다수개의 제2요철(20)들이 실리콘 기판(110)의 상면에 형성된다.
그리고 상기 제2요철(20)은 도 4c에 도시된 바와 같이, 단면이 대략 삼각형(입체적으로는 대략 피라미드) 형상을 이루며, 제1요철(10)의 정상 쪽으로 향하는 쪽의 변이 그 반대쪽 변보다 짧게 형성된다.
한편 제1요철형성단계(S310)에서 실리콘 기판(110)은 후술하는 도 4b에 도시된 바와 같이, 산성수용액을 사용하여 즉, 습식식각에 의하여 처리되므로 제1요철(10)들이 반사방지막(120)이 형성되는 상면 및 그 반대면인 저면, 측면을 포함하는 외면 모두에 제1요철(10)들이 형성된다.
iii . 반도체층형성단계(S110)와 관련한 요철형성단계( S120 )의 수행 순서
도 7a 내지 도 7c는 도 1의 태양전지소자의 제조방법의 다른 예에 대응되는 상태를 보여주는 단면도들이다.
한편 상기 요철형성단계(S120)는 도 4a 내지 도 4d에 도시된 바와 같이, 반도체층형성단계(S110) 후에 수행되는 대신에, 도 7a 내지 도 7c에 도시된 바와 같이, 반도체층형성단계(S110) 전에 수행될 수 있다.
상기 요철형성단계(S120)가 반도체층형성단계(S110) 후에 수행되는 예로서, 요철형성단계(S120)의 실시예 3을 들어 설명하면 다음과 같다.
요철형성단계(S120)인 제1요철형성단계(S310) 및 제2요철형성단계(S320)는 도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, 순차적으로 수행되어 제1요철(10) 및 제2요철(20)이 형성된다.
한편 후술하는 반도체층형성단계(S110)에서 제1반도체층(111) 및 제2반도체층(112)이 형성된 후에는 제1반도체층(111)이 형성될 때 실리콘 기판(110)의 상면에 보호층(150)이 같이 형성되므로 보호층형성단계(S130)를 거치지 않고 바로 반사방지막형성단계(S140)가 수행될 수 있다.
한편 본 발명에 따른 태양전지기판의 제조방법 중 요철형성단계인 제1요철형성단계 및 제2요철형성단계가 수행된 후 기판(110)의 반사율을 측정한바 기판손상처리만 수행된 경우의 반사율(%, 350nm~1050nm) 28.96보다 7.79로서 현저히 작아짐을 확인하였다.
더 나아가 본 발명에 따른 태양전지소자의 제조방법 중 요철형성단계인 제1요철형성단계 및 제2요철형성단계가 수행된 후 PECVD에 의하여 반사방지막(120)이 형성된 후 반사율은 1.40이었다.
3. 평탄화단계( S230 )
상기 평탄화단계(S230)는 요철형성단계(S120)의 수행과정에서 습식식각공정에 의하여 실리콘 기판(110)의 저면에 형성된 요철 또는 융기(예를 들면 제1요철(10)들을 제거하는 단계로서, RIE, ICP 등의 건식식각 또는 알칼리수용액 또는 산성수용액 등을 사용하는 습식식각에 의하여 수행될 수 있다.
상기 평탄화단계(S230)는 요철형성단계(S120)의 수행과정에서 습식식각공정에 의하여 실리콘 기판(110)의 저면에 형성된 요철 또는 융기를 제거하는 것을 목적으로 하는바, 요철형성단계(S120)의 습식식각공정 직후(요철형성단계 수행 중) 또는 요철형성단계(S120) 전체공정을 마친 후에 수행될 수 있다.
즉, 요철형성단계(S120)의 실시예 2 또는 3의 경우, 상기 평탄화단계(S230)는 요철형성단계(S120) 중, 즉 표면손상제거단계(S210) 또는 제1요철형성단계(S310)의 수행 직후에 그리고 미세요철형성단계(S220) 또는 제2요철형성단계(S320) 수행 전에 수행되거나, 요철형성단계(S120) 수행 후에 수행될 수 있다.
예를 들면 상기 평탄화단계(S230)는 표면손상제거단계(S210) 또는 제1요철형성단계(S310) 이후 해당 기판(110)의 저면이 위로 향하도록 건식식각장비인 공정모듈 내로 로딩한 다음, RIE 또는 ICP를 사용하여 약 3~10um 식각을 진행하여 평탄화를 진행할 수 있다.
상기 평탄화단계(S230)를 수행하는 공정모듈(100)은 RIE, ICP를 수행할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.
한편 상기 평탄화단계(S230)가 수행될 때 균일하게 평탄화할 수 있도록, 평탄화단계(S230)는 기판(110)들이 적재된 트레이 상에 다수개의 개구부들이 형성된 개구부재가 복개된 후 수행될 수 있다.
상기 개구부재는 RIE에 의하여 실리콘 재질의 기판(110)이 식각될 때 플라즈마가 기판(110)에 직접 노출되는 것을 방지하는 한편 기판(110) 상에 가해지는 플라즈마의 강도를 완화시켜 균일하게 평탄화할 수 있게 된다.
상기 개구부재는 기판(110) 및 개구부 사이에서 형성된 공간이 측면으로 개방되도록 형성되는 것이 바람직하다.
상기와 같이 기판(110) 및 개구부 사이에서 형성된 공간이 측면으로 개방되면 실리콘 재질의 기판(110)이 식각되어 발생되는 식각물질이 개구부재의 개구된 측면을 통하여 유동하게 되므로 기판(110)에 대한 평탄화단계(S230)가 보다 원활하게 수행될 수 있다.
한편 상기 개구부재는 공정모듈의 구성을 고려하여 공정모듈의 외부에서 트레이 상에 복개됨이 바람직하다.
한편 상기 평탄화단계(S230)에서 사용되는 식각가스는 염소(Cl)계 가스, 불소(F)계 가스, 브롬(Br)계 가스 및 산소(O2)계 가스 중 적어도 어느 하나를 포함하며, SF6/O2, SF6/N2 및 NF3, CF4, NF3, ClF3, F2 및 그 혼합물이 사용될 수 있다. 이때 식각시간은 약 수초에서 수분 정도이다.
이와 같이 상기와 같은 평탄화단계(S230)를 진행함으로써, 종래 습식식각을 통해 기판(110)의 저면에 요철이 형성되는 것을 방지하기 위하여 사용했던 마스크 형성 및 마스크 제거가 필요치 않아 기판(110)에 대한 표면처리 시간을 단축할 수 있다.
또한 상기와 같은 평탄화단계(S230)가 수행되는 경우 마스크 형성 및 마스크 제거 과정이 불필요하기 때문에 제조비용의 절감 및 제조시간의 단축이 가능하며, 평탄한 저면 확보가 가능하다.
한편 앞서 설명한 바와 같이, 상기 요철형성단계(S120)는 반도체층형성단계(S110) 전에 수행되거나, 반도체층형성단계(S110) 후에 수행될 수 있다.
여기서 상기 요철형성단계(S120)가 반도체층형성단계(S110) 후에 수행되는 경우 평탄화단계(S230)는 제1요철(10)을 형성하는 제1요철형성단계(S310) 직후에 수행되거나, 제2요철형성단계(S320)의 수행 후에 수행되어 도 7b에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(110)의 저면에서 제1요철(10)을 제거한다.
한편 요철형성단계(S120) 및 평탄화단계(S230)를 거치면서 식각됨을 고려하여 제1반도체층(111) 및 제2반도체층(112)은 충분한 깊이로 형성됨이 바람직하다.
상기와 같이 평탄화단계(S230)가 추가로 수행되면 반도체층형성단계(S110)에 의하여 형성된 제1반도체층(111) 및 제2반도체층(112)를 보호하기 위한 마스크 형성없이 요철형성단계(S120)의 수행이 가능하여 전체 공정을 간소화할 수 있다.
한편 상기 평탄화단계(S230)가 습식식각에 의하여 수행되는 경우 저면 만이 식각되어야 함으로 알칼리수용액 또는 산성수용액, 바람직하게는 산성수용액이 담긴 저장조(wet station)에 롤러에 의하여 기판(1)이 이송되면서 식각이 수행되는 인라인 방식에 의하여 수행됨이 바람직하다.
4. 반사방지막형성단계( S140 )
상기 반사방지막형성단계(S140)는 도 4d에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(110)의 상면에 형성되어 빛의 반사를 최소화하며 실리콘 기판(110)의 상면을 보호하는 반사방지막(120)을 형성하는 단계이다.
상기 반사방지막형성단계(S140)는 다양한 방법에 의하여 수행될 수 있으며, 반사방지막(120)은 증착 등을 통하여 기판(110)의 상면에 SiNx, TiO2, SiO2, MgO, ITO, SnO2, ZnO 등으로 이루어진 얇은 층으로 형성될 수 있다.
한편 상기 반사방지막형성단계(S140) 전에는 보호층(140)을 형성하는 보호층형성단계(S130)가 추가로 수행될 수 있다.
5. 전극층형성단계( S150 )
상기 전극층형성단계(S150)는 도 4d에 도시된 바와 같이, 제1전극층(210) 및 제2전극층(220)을 형성하는 단계로서 전극을 형성할 수 있는 방법이면 어떠한 방법도 가능하다.
상기 제1전극층(210) 및 제2전극층(220)은 각각 제1반도체층(111) 및 제2반도체층(112)과 전기적으로 연결되어 실리콘 기판(110)의 상면을 통하여 빛을 수광할 때 기전력을 외부로 전달하도록 형성된다.
한편 상기 제1전극층(210) 및 제2전극층(220)은 실리콘 기판(110)의 저면에서 볼 때 일체로 연결되는 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 도 3에 도시된 바와 같이, 다지형상(多枝形狀)을 가지고 각 가지가 서로 교차하여 위치되도록 형성될 수 있다.
또한 상기 제1전극층(210) 및 제2전극층(220)은 실리콘 기판(110)의 저면을 볼 때 막대형상을 이루어 복수개로 형성되고 상기 제1반도체층(111) 및 제2반도체층(112), 제1전극층(210) 및 제2전극층(220)이 각각 서로 교번하여 위치될 수도 있다..
여기서 제1반도체층(111) 및 제2반도체층(112)은 제1전극층(210) 및 제2전극층(220)과 대응되므로 실리콘 기판(110)의 저면에서 볼 때 제1전극층(210) 및 제2전극층(220)과 유사한 형상을 이룬다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
110 : 실리콘 기판
111 : 제1반도체층 112 : 제1반도체층
120 : 반사방지막
210 : 제1전극층 220 : 제2전극층
10 : 제1요철 20 : 제2요철(미세요철)

Claims (12)

  1. 제1반도체특성을 가지는 실리콘 기판으로서, 상기 제1반도체특성과 같은 특성을 가지는 하나 이상의 제1반도체층과, 상기 제1반도체특성과 다른 제2반도체특성을 가지는 하나 이상의 제2반도체층이 저면에 형성되는 실리콘 기판과; 상기 제1반도체층 및 상기 제2반도체층과 각각 전기적으로 연결되도록 형성된 제1전극층 및 제2전극층과; 상기 실리콘 기판의 상면에 형성된 반사방지막을 포함하는 태양전지소자의 제조방법으로서,
    상기 반사방지막의 형성 전에 상기 실리콘 기판의 상면에 다수의 미세요철들을 형성하기 위하여 습식식각공정을 거치는 요철형성단계와;
    상기 요철형성단계 중 또는 상기 요철형성단계 후에 상기 기판의 저면을 평탄화하는 평탄화단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지소자의 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 요철형성단계는 상기 습식식각공정만으로 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 요철형성단계는 상기 기판을 산성수용액으로 식각하여 기판의 외면에 다수의 제1요철들을 형성하는 제1요철형성단계와; 상기 제1요철형성단계를 통해 상기 제1요철들이 형성된 기판의 외면 중 반사방지막이 형성될 수광면을 건식식각하여 상기 제1요철보다 크기가 작은 제2요철들을 형성하는 제2요철형성단계를 포함하며,
    상기 평탄화단계는 상기 제2요철형성단계 전 또는 상기 제2요철형성단계 후에 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 요철형성단계는, 기판의 표면에서 표면손상을 습식식각에 의하여 제거하는 표면손상제거단계와, 기판의 수광면을 건식식각하여 미세요철들을 형성하는 미세요철형성단계를 포함하며,
    상기 평탄화단계는 상기 미세요철형성단계 전 또는 상기 미세요철형성단계 후에 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지제조방법.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 평탄화단계는 습식식각에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘기판의 표면처리방법.
  6. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 평탄화단계는 식각가스를 플라즈마화하여 건식식각에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘기판처리방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 건식식각에 사용되는 식각가스는 염소(Cl)계 가스, 불소(F)계 가스, 브롬(Br)계 가스 및 산소(O2)계 가스 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘기판의 표면처리방법.
  8. 청구항 3에 있어서,
    상기 제2요철형성단계는 다수개의 기판들을 트레이에 적재하고 상기 트레이 상에 다수개의 개구부들이 형성된 개구부재를 복개한 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘기판의 표면처리방법.
  9. 청구항 1 내지 청구항 4 및 청구항 8 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 실리콘 기판은 단결정 실리콘 기판 또는 다결정 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지소자의 제조방법.
  10. 청구항 1 내지 청구항 4 및 청구항 8 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제1반도체특성은 p형 및 n형 중 어느 하나이며, 상기 제2반도체특성은 n형 및 p형 중 나머지 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지소자의 제조방법.
  11. 청구항 1 내지 청구항 4 및 청구항 8 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 실리콘 기판의 저면에 상기 제1반도체층 및 상기 제2반도체층을 형성하는 반도체층형성단계와; 상기 실리콘 기판의 상면에 상기 반사방지막을 형성하는 반사방지막형성단계와; 상기 제1전극층 및 상기 제2전극층을 형성하는 전극층형성단계를 포함하며,
    상기 요철형성단계는 상기 반도체층형성단계 전에 또는 후에 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지소자의 제조방법.
  12. 청구항 1 내지 청구항 4 및 청구항 8 중 어느 하나의 항에 따른 태양전지소자의 제조방법에 의하여 제조된 태양전지소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000101111A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Sharp Corp 太陽電池の製造方法
JP4646584B2 (ja) * 2004-09-24 2011-03-09 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
JP2006294696A (ja) 2005-04-06 2006-10-26 Sharp Corp 太陽電池の製造方法および太陽電池用シリコン基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101718630B1 (ko) * 2015-10-23 2017-03-21 전북대학교산학협력단 태양전지용 실리콘 기판의 표면처리방법

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