KR20120064997A - Method for manufacturing ag nano-wire - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A manufacturing method of a silver nano-wire is provided to manufacture a nano-silver wire in a uniformed size by using AAO(Anodic Aluminum Oxide) and nano-ink and to minimize influence of the fabrication condition of the nano-silver wire. CONSTITUTION: A manufacturing method of a nano-silver wire comprises the following steps: eliminating a barrier layer of AA0(Anodic Aluminum Oxide)(s100); adding the aluminum anodic oxide into nano-silver ink and forming a vacuum condition(s102); heat treating the aluminum anodic oxide at 200-400 deg. Celsius(s106); and dissolving the heat treated aluminum anodic oxide(s108). The aluminum anodic oxide is formed in a template form. In the elimination step, the aluminum anodic oxide is dipped in mixed solution of deionized water and NaOH. The nano-silver ink includes nano-silver particles having particle size of less than 10 nano meters.

Description

은 나노 와이어의 제조 방법{Method for manufacturing Ag nano-wire}Method for manufacturing silver nanowires {Method for manufacturing Ag nano-wire}

본 발명은 은 나노 와이어의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)과 은 나노 입자가 포함되어 있는 은 나노 잉크를 이용하여 은 나노 와이어를 제조하는 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for manufacturing silver nanowires, and more particularly, to a method for manufacturing silver nanowires using silver nano ink containing aluminum anodic oxide (AA0) and silver nanoparticles. will be.

나노(nano) 기술이란 10억분의 1을 의미하는 나노 미터 크기 수준의 정밀도를 요구하는 극미세 가공 과학 기술을 말한다.Nanotechnology is a microfabrication technology that requires nanometer-scale precision, meaning one billionth.

나노 기술은 나노미터 크기의 범주에서 조작?분석하고 이를 제어함으로써 새롭거나 개선된 물리적, 화학적, 생물학적 특성을 나타내는 소재, 소자 또는 시스템을 만들어 내는 기술이다.Nanotechnology is a technology that creates materials, devices, or systems that exhibit new or improved physical, chemical, and biological properties by manipulating, analyzing, and controlling them in the nanometer-sized range.

특히 1차원 구조(one dimensional nanostructure)를 갖는 나노 소재는 특이한 양자(quantum) 특성을 보이기 때문에 광범위한 응용 가능성이 있어 최근 세계적으로 관련 기술의 연구 개발이 활발하게 이루어지고 있다.In particular, nano-materials having a one-dimensional nanostructure have a unique quantum characteristic, and thus, there is a wide range of applications.

한편, 나노 입자는 그 형태에 따라 속이 비어 있는 나노 크기의 튜브인 나노 튜브(nano-tube), 막대 형상의 나노 로드(nano-rod), 나노 로드와 달리 성장 방향이 일정하지 않은 나노 와이어(nano-wire), 나노 로드와 같이 성장 방향이 일정하나 단부로 갈수록 가늘어지는 나노 니들(nano-neddle), 그리고 나노 크기의 분말인 나노 파우더(nano-powder) 등의 형태로 나뉜다.Nanoparticles, on the other hand, are nanotubes that are hollow in size depending on their shape, such as nano-tubes, rod-shaped nanorods, and nanorods, which do not have a constant growth direction. -wire), nanorods are grown in the same direction as nanorods, but are tapered toward the ends, and nano-powders, which are nano-sized powders.

이러한 나노 단위의 입자 소재로서 최근 다양한 분야로의 응용되고 있는 것이 은 나노 입자이다.Silver nanoparticles have recently been applied to various fields as nanoparticle materials.

은 나노 입자는 인체에 비교적 무해하고, 살균과 유해 성분 제거 및 탈취 등의 효과로 인하여 다양한 분야에 은 나노 입자가 이용되고 있다.Silver nanoparticles are relatively harmless to the human body, and silver nanoparticles have been used in various fields due to effects such as sterilization, removal of harmful components, and deodorization.

이러한 은 나노 입자 중 막대 형상이지만 그 성장 방향이 일정하지 않은 은 나노 와이어를 제조하는 종래의 방법에 대해 살펴본다.Among the silver nanoparticles, a conventional method of manufacturing silver nanowires having a rod shape but not having a constant growth direction will be described.

종래의 은 나노 와이어의 제조 방법 중 먼저 질산 은(AgNO3: Silver nitrate)과 에탄올 등의 용매 및 이들의 열처리를 통해 합성하는 방법이 있다.Among the conventional methods for producing silver nanowires, there is a method of synthesis through a solvent such as silver nitrate (AgNO 3: silver nitrate) and ethanol and heat treatment thereof.

그러나 이러한 은 나노 와이어의 제조 방법은 제조된 은 나노 와이어의 크기가 매우 불균일하게 합성되는 문제점이 있다.However, the manufacturing method of such silver nanowires has a problem in that the size of the produced silver nanowires is very unevenly synthesized.

종래의 은 나노 와이어를 제조하는 다른 방법으로서 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)을 이용하는 방법도 있다.As another method of manufacturing a conventional silver nanowire, there is also a method using aluminum anodic aluminum oxide (AA0).

종래의 알루미늄 양극 산화물을 이용하는 방법은 액상의 질산 은을 알루미늄 양극 산화물에 떨어뜨리거나 혹은 침지시켜 자연적으로 인입되게 한 후 열처리(calcination)한 다음 알루미늄 양극 산화물을 제거하여 은 나노 와이어를 회수함으로써 은 나노 와이어를 제조하는 방법이다.The conventional method using aluminum anodic oxide is dropping or immersing liquid silver nitrate in aluminum anodic oxide to allow natural ingress, followed by heat treatment (calcination), and then removing aluminum anodic oxide to recover silver nanowires. It is a method of manufacturing the wire.

그러나 이러한 방법의 경우, 은 나노 와이어의 품질은 질산 은의 농도와 열처리 조건에 매우 민감하게 좌우되므로 재현성에 문제점이 있다.However, in such a method, the quality of the silver nanowires is very sensitive to the concentration of silver nitrate and the heat treatment conditions, so there is a problem in reproducibility.

알루미늄 양극 산화물을 이용하여 은 나노 와이어를 제조하는 종래의 또 다른 방법으로서 전기 증착(electrodeposition)을 이용하여 알루미늄 양극 산화물에 은 입자를 인입시키는 것으로서 전기 증착은 정전류 증착법, 정전압 증착법, 교류 전류 증착법, 펄스 증착법, 순환 전압 전류법(cyclic voltammetry) 등이 널리 사용되고 있다.Another conventional method for producing silver nanowires using aluminum anodic oxide is to introduce silver particles into aluminum anodic oxide using electrodeposition, which is characterized by constant current deposition, constant voltage deposition, alternating current deposition, pulse Vapor deposition, cyclic voltammetry, and the like are widely used.

그러나 이러한 전기 증착을 이용한 방법의 경우 공정 변수 제어가 매우 까다롭고, 알루미늄 양극 산화물에 충진을 잘 시키기 위해서는 알루미늄 양극 산화물에 180nm 내지 400nm 크기 이상의 기공 크기가 요구되므로, 이러한 기공의 크기 증가로 생성된 은 나노 와이어의 크기도 증가되어 이용될 수 있는 분야가 제한되는 문제점이 있다.
However, in the case of the method using the electro-deposition, it is very difficult to control the process parameters, and the pore size of 180 nm to 400 nm or more is required for the aluminum anode oxide in order to fill the aluminum anode oxide well. The size of the nanowires is also increased and there is a problem in that the field that can be used is limited.

상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 보다 균일하고 은 나노 와이어의 제조 조건에 영향을 최소로 받는 은 나노 로드의 제조 방법을 제안하는 것이다.In order to solve the conventional problems as described above, the present invention proposes a method for producing silver nanorods which is more uniform and has a minimal influence on the manufacturing conditions of silver nanowires.

보다 작은 크기를 가지는 은 나노 와이어를 제조할 수 있으며, 따라서 은 나노 와이어가 이용될 수 있는 분야가 제한되지 않는 은 나노 와이어의 제조 방법을 제안하는 것이다.It is possible to produce silver nanowires having a smaller size, and therefore, to propose a method of manufacturing silver nanowires, which is not limited in the field in which silver nanowires can be used.

본 발명의 또 다른 목적들은 이하의 실시예에 대한 설명을 통해 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
Still other objects of the present invention will be readily understood through the following description of the embodiments.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 측면에 따르면 은 나노 와이어의 제조 방법이 제공된다.In order to achieve the object as described above, according to an aspect of the present invention there is provided a method for producing a silver nanowire.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 은 나노 와이어(Ag nano-wire)의 제조 방법에 있어서, 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)의 장벽층(barrier layer)을 제거하는 단계; 상기 장벽층이 제거된 알루미늄 양극 산화물을 은 나노 잉크에 투입하고 진공 상태를 형성하는 단계; 상기 은 나노 잉크에 투입하고 진공 상태를 형성하였던 알루미늄 양극 산화물을 열처리하는 단계; 및 상기 열처리된 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법이 제공된다.According to one preferred embodiment of the present invention, a method of manufacturing Ag nano-wire, comprising: removing a barrier layer of aluminum anode (AA0); Injecting the aluminum anode oxide from which the barrier layer is removed into a silver nano ink and forming a vacuum state; Heat-treating the aluminum anodic oxide which was introduced into the silver nano ink and formed a vacuum state; And dissolving the heat-treated aluminum anode oxide is provided.

상기 알루미늄 양극 산화물은 템플릿(template)의 형태로 형성될 수 있다.The aluminum anode oxide may be formed in the form of a template.

상기 알루미늄 양극 산화물은, 알루미늄을 아세톤에 침지하여 초음파 세척을 한 후 건조시키는 단계; 상기 건조된 알루미늄을 과염소산(HClO4)과 에탄올(C2H5OH)을 각각 1:3 부피 분율로 혼합한 전해액에 침지한 후 10 내지 40V의 정전압을 인가하는 단계; 상기 10 내지 40V의 정전압을 인가하였던 알루미늄을 옥살산에 침지하여 20 내지 50V의 정전압을 인가하는 단계; 상기 20 내지 50V의 정전압을 인가하였던 알루미늄을 크롬산, 인산 및 초순수(DeIonize water)가 혼합된 용액에 침지하는 단계; 및 상기 침지하였던 알루미늄을 상기 과염소산(HClO4)과 에탄올(C2H5OH)을 각각 1:3 부피 분율로 혼합한 전해액에 침지한 후 10 내지 40V의 정전압을 인가하는 단계; 및 염화구리와 염산의 혼합액에 상기 10 내지 40V의 정전압을 인가한 알루미늄을 침지하는 단계를 수행하여 생성되는 알루미늄 양극 산화물일 수 있다.The aluminum anode oxide is, by immersing aluminum in acetone, ultrasonic cleaning and drying; Immersing the dried aluminum in an electrolyte solution in which perchloric acid (HClO 4) and ethanol (C 2 H 5 OH) are mixed at a volume ratio of 1: 3, respectively, and then applying a constant voltage of 10 to 40 V; Applying a constant voltage of 20 to 50 V by immersing aluminum to which the constant voltage of 10 to 40 V was applied in oxalic acid; Immersing the aluminum applied with the constant voltage of 20 to 50 V in a solution in which chromic acid, phosphoric acid, and deionized water are mixed; And immersing the immersed aluminum in an electrolyte solution in which the perchloric acid (HClO 4) and the ethanol (C 2 H 5 OH) are mixed at a volume ratio of 1: 3, respectively, and then applying a constant voltage of 10 to 40 V. And immersing aluminum to which the constant voltage of 10 to 40 V is applied to the mixed solution of copper chloride and hydrochloric acid.

상기 알루미늄 양극 산화물의 장벽층(barrier layer)을 제거하는 단계는 상기 알루미늄 양극 산화물을 수산화나트륨(NaOH: sodium hydroxide)과 탈이온수(DI water: deionized water)의 혼합액에 침지시켜 수행될 수 있다.Removing the barrier layer of the aluminum anode oxide may be performed by immersing the aluminum anode oxide in a mixed solution of sodium hydroxide (NaOH) and deionized water (DI water).

상기 은 나노 잉크는 10nm 크기 이하의 은 나노 입자가 포함된 은 나노 잉크일 수 있다.The silver nano ink may be silver nano ink including silver nano particles having a size of 10 nm or less.

상기 은 나노 잉크에 투입하고 진공 상태를 형성하였던 알루미늄 양극 산화물을 열처리하는 단계는, 200 내지 400 ℃의 온도 범위 내에서 수행될 수 있다.The step of heat-treating the aluminum anodic oxide, which was added to the silver nano ink and formed a vacuum state, may be performed within a temperature range of 200 to 400 ° C.

상기 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계는, 크롬산 9g, 인산 30ml, 초순수 500ml가 혼합된 60°C의 용액에 5 내지 24시간 동안 상기 알루미늄 양극 산화물을 침지하여 수행될 수 있다.Dissolving the heat treated aluminum anode oxide may be performed by immersing the aluminum anode oxide for 5 to 24 hours in a solution of 60 ° C mixed with 9 g of chromic acid, 30 ml of phosphoric acid, 500 ml of ultrapure water.

상기 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계를 수행한 후, 상기 용해된 알루미늄 양극 산화물로부터 은 나노 와이어를 회수하는 단계를 더 수행할 수 있다.After performing the step of dissolving the heat-treated aluminum anode oxide, the step of recovering the silver nanowires from the dissolved aluminum anode oxide may be further performed.

그리고 상기 용해된 알루미늄 양극 산화물로부터 은 나노 와이어를 회수하는 단계는, 상기 용해된 알루미늄 양극 산화물을 거름종이에 거르고 건조시키는 과정을 반복 수행하여 이루어질 수 있다.
The recovering of the silver nanowires from the dissolved aluminum anode oxide may be performed by repeatedly filtering and drying the dissolved aluminum anode oxide on filter paper.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 은 나노 와이어의 제조 방법에 의하면, 보다 균일한 크기의 은 나노 와이어를 제조할 수 있고, 또한, 은 나노 와이어의 제조 조건에 영향을 최소로 받는 장점이 있다.As described above, according to the method for producing silver nanowires according to the present invention, silver nanowires having a more uniform size can be produced, and there is an advantage that the production conditions of silver nanowires are minimally affected. .

그리고 보다 작은 크기를 가지는 은 나노 와이어를 제조할 수 있으며, 따라서 은 나노 와이어가 이용될 수 있는 분야가 제한되지 않는 장점이 있다.
And it is possible to manufacture a silver nanowire having a smaller size, and thus there is an advantage that the field where the silver nanowires can be used is not limited.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법이 이루어지는 순서를 도시한 순서도.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법에 따라 알루미늄 양극 산화물에 은 나노 잉크를 인입한 후 열 처리를 수행하기 전 알루미늄 양극 산화물의 단면을 전자 현미경으로 촬상한 도면.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법에 따라 알루미늄 양극 산화물에 은 나노 잉크를 인입한 후 열 처리를 수행한 후 알루미늄 양극 산화물의 단면을 전자 현미경으로 촬상한 도면.
1 is a flow chart showing the order in which the manufacturing method of the silver nanowires according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram of an electron microscope image of the cross section of the aluminum anodized oxide after the silver nano ink is introduced into the aluminum anodized oxide according to the method of manufacturing the silver nanowire according to the preferred embodiment of the present invention before the heat treatment is performed. FIG.
FIG. 3 is a diagram illustrating an electron microscope image of a cross section of aluminum anode oxide after heat treatment is performed after the silver nano ink is introduced into the aluminum anode oxide according to the manufacturing method of the silver nanowire according to the preferred embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.As the invention allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the written description. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.And / or < / RTI > includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected to or connected to that other component, but it may be understood that other components may be present in between. Should be.

반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art.

일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art, and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or corresponding components will be denoted by the same reference numerals regardless of the reference numerals and redundant description thereof will be omitted.

먼저 도 1을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법이 이루어지는 순서를 살펴보기로 한다.First, with reference to FIG. 1, the order in which the manufacturing method of the silver nanowire according to the exemplary embodiment of the present invention is made will be described.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법이 이루어지는 순서를 도시한 순서도이다.FIG. 1 is a flowchart illustrating a procedure of manufacturing a silver nanowire according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 로드의 제조 방법은 먼저 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)의 장벽층(barrier layer)를 제거한다(S100).As shown in FIG. 1, in the method of manufacturing the silver nanorods according to the preferred embodiment of the present invention, first, a barrier layer of aluminum anode oxide (AA0) is removed (S100).

장벽층은 언층이라고도 하며, 일반적으로 금속과 반도체를 접촉시켜 전류를 통하게 하면 전류의 방향에 따라 저항이 달라지는 수가 있으며 반도체 쪽에 높은 저항의 층이 생기기 때문인데 이러한 저항층을 장벽층이라 한다. The barrier layer is also referred to as an unlayered layer. In general, when a metal and a semiconductor are brought into contact with each other to pass a current, resistance may vary depending on the direction of the current, and a high resistance layer is formed on the semiconductor side.

이러한 장벽층은 전류의 운반체인 전자 또는 양공을 저지하여 한 쪽으로 쉽게 흐르지 못하도록 하는 작용을 한다.This barrier layer acts to block electrons or holes, which are carriers of current, so that they cannot easily flow to one side.

이러한 장벽층을 제거하는 것은 은 나노 와이어의 경우 성장 방향이 일정한 은 나노 로드와 달리 성장 방향이 일정하지 않은 것이 특징이므로 은 나노 와이어의 생성시 성장 방향이 일정하게 되지 않도록 하기 위한 것이다.The removal of the barrier layer is intended to prevent the growth direction of the silver nanowires from being uniform since the growth direction of the silver nanowires is characterized in that the growth direction is not constant unlike the silver nanorods.

알루미늄 양극 산화물의 장벽층을 제거하는 방법으로는 수산화나트륨(NaOH: sodium hydroxide)과 탈이온수(DI water: deionized water)의 혼합액에 침지시켜 용해시켜 수행될 수 있다.The method of removing the barrier layer of the aluminum anode oxide may be performed by immersing and dissolving in a mixed solution of sodium hydroxide (NaOH) and deionized water (DI water).

한편, 본 발명에 이용되는 알루미늄 양극 산화물은 바람직하게는 나노 크기의 다공을 가지는 알루미늄 양극 산화물의 얇은 판의 형상을 가지는 템플릿(template)일 수 있다.Meanwhile, the aluminum anode oxide used in the present invention may preferably be a template having a shape of a thin plate of aluminum anode oxide having nano-sized pores.

이러한 나노 크기의 다공을 가지는 알루미늄 양극 산화물의 템플릿을 제조하는 방법으로는 예를 들면 다음과 같은 방법이 이용될 수 있다.For example, the following method may be used as a method of manufacturing a template of aluminum anode oxide having such nano-sized pores.

먼저 알루미늄을 아세톤에 침지하여 5 내지 30분간 초음파 세척을 한 후 탈이온수로 세정한다.First, aluminum is immersed in acetone, and then ultrasonically cleaned for 5 to 30 minutes, followed by washing with deionized water.

그리고 전해 연마(electropolishing) 과정을 수행한다.Then, electropolishing is performed.

전해 연마 과정은 먼저 과염소산(Perchloric acid)과 에탄올(Ethanol)을 1:3의 비율로 혼합한 전해액에 알루미늄을 침적시켜 정전압 10 내지 40V, 정전류 0.2 내지 0.8A 인가시킨 상태에서 반응으로 생긴 열을 발산시키기 위해 외부 혹은 내부에서 교반 장치를 통해 교반시킬 수 있다.In electrolytic polishing, aluminum is deposited in an electrolyte mixture of perchloric acid and ethanol at a ratio of 1: 3 to dissipate heat generated by reaction under constant voltage of 10 to 40 V and constant current of 0.2 to 0.8 A. It can be stirred through an agitation device, externally or internally.

이러한 전해 연마 시간은 바람직하게는 5 내지 30분이며, 전해액 온도는 -5 내지 50℃의 범위에서 이루어질 수 있다.This electropolishing time is preferably 5 to 30 minutes, the electrolyte temperature may be made in the range of -5 to 50 ℃.

이렇게 전해 연마된 시편을 취출하여 세정 및 건조 후 옥살산(Oxalic acid)과 탈이온수를 혼합하여 3몰의 옥살산을 만들어 1차 양극 산화 반을 실시한다. The electrolytically polished specimens were taken out, washed, dried, and then mixed with oxalic acid and deionized water to form 3 mol of oxalic acid, followed by primary anodic oxidation.

이때 정전압은 바람직하게는 20 내지 50V, 정전류는 5 내지 20Ma, 처리 시간은 1 내지 48 시간 범위에서 수행될 수 있다.In this case, the constant voltage is preferably 20 to 50V, the constant current is 5 to 20Ma, the processing time may be performed in the range of 1 to 48 hours.

나노 기공의 정렬도와 형상 균일도를 최적화시키기 위해 이러한 1차 양극 산화시 생성된 산화 알루미늄인 알루미나는 제거한다.In order to optimize the alignment and shape uniformity of the nano pores, alumina, which is aluminum oxide produced during the primary anodic oxidation, is removed.

알루니마의 제거는 크롬산과 인산의 혼합용액에 침지시키며, 이때 온도는 20 내지 60℃, 처리시간은 5 내지 24 시간의 범위에서 수행되는 것이 바람직하다.The removal of the alumina is immersed in the mixed solution of chromic acid and phosphoric acid, wherein the temperature is 20 to 60 ℃, the treatment time is preferably carried out in the range of 5 to 24 hours.

한편, 알루미나의 제거가 완료되면, 1차 양극 산화 반응과 동일한 조건으로 2차 양극 산화 반응을 실시한다.On the other hand, when the removal of alumina is completed, a secondary anodic oxidation reaction is performed under the same conditions as the primary anodic oxidation reaction.

2차 양극 산화 반응의 실시가 완료되면, 나노 크기의 다공을 가지는 알루미늄 양극 산화물과 알루미늄 부분이 혼재된 상태이므로 알루미늄을 선택적으로 용해시켜 제거한다.Upon completion of the secondary anodic oxidation reaction, aluminum is selectively dissolved by removing aluminum since the aluminum anodized oxide having a nano-sized pore and the aluminum part are mixed.

알루미늄의 제거는 염화구리와 염산의 혼합액을 이용할 수 있으며, 처리 온도는 20 내지 30℃, 처리 시간은 0.5 내지 1시간의 범위 내에서 수행될 수 있다.The aluminum may be removed using a mixed solution of copper chloride and hydrochloric acid, and the treatment temperature may be performed in a range of 20 to 30 ° C. and a treatment time of 0.5 to 1 hour.

이러한 방법으로 제조된 알루미늄 양극 산화물의 템플릿은 기공의 크기가 매우 균일하며 처리 시간과 기타 공정 조건을 조절하여 기공의 크기를 제어할 수 있다.The template of the aluminum anode oxide prepared in this way has a very uniform pore size and can control the pore size by adjusting the treatment time and other process conditions.

한편, 나노 크기의 다공을 가지는 알루미늄 양극 산화물의 템플릿(template)의 제조는 이러한 방법에 제한되는 것은 아니며, 나노 크기의 다공을 가지는 알루미늄 양극 산화물을 제조할 수 있는 방법이라면 아무런 제한이 없다.On the other hand, the production of a template of aluminum anode oxide having nano-sized pores is not limited to this method, and there is no limitation as long as it is a method capable of manufacturing aluminum anode oxide having nano-sized pores.

장벽층이 제거된 알루미늄 양극 산화물을 은 나노 잉크에 장입한다(S102).The aluminum anode oxide from which the barrier layer has been removed is loaded into the silver nano ink (S102).

다음으로 은 나노 잉크에 장입된 알루미늄 양극 산화물을 진공 챔버와 같은 장치에 넣고 진공 상태를 만들어준다(S104).Next, the aluminum anode oxide charged in the silver nano ink is put in a device such as a vacuum chamber to make a vacuum state (S104).

즉, 은 나노 잉크에 장벽층이 제거된 알루미늄 양극 산화물을 투입하고 진공 상태를 형성하여 주는 것이다.In other words, the aluminum anodized oxide in which the barrier layer is removed is introduced into the silver nano ink to form a vacuum state.

이렇게 하면 알루미늄 양극 산화물의 나노 크기의 미세공에 있던 공기가 빠져 나가면서 은 나노 잉크에 포함되어 있던 은 나노 입자가 알루미늄 양극 산화물의 미세공에 인입되게 된다.In this way, the air in the nano-sized micropores of the aluminum anodic oxide escapes and the silver nanoparticles contained in the silver nano ink enter the micropores of the aluminum anodic oxide.

은 나노 잉크는 10nm 입자 크기 이하의 은 나노 입자가 포함된 잉크로서 현재 기성품으로 다양하게 출시되어 있으며, 본 발명에서는 시중에서 용이하게 구입할 수 있는 이러한 은 나노 잉크를 이용한다.The silver nano ink is an ink containing silver nano particles having a particle size of 10 nm or less, and is widely available as a ready-made product, and the present invention uses such silver nano ink which can be easily purchased on the market.

이렇게 은 나노 잉크의 은 나노 입자가 미세공으로 인입된 알루미늄 양극 산화물을 가열한다(S106).Thus, the aluminum anode oxide of silver nanoparticles of the silver nano ink introduced into the micropores is heated (S106).

은 나노 잉크가 인입된 알루미늄 양극 산화물의 가열 즉 열처리는 바람직하게는 200 내지 400 ℃의 온도 범위로 가열된 열판 위에 알루미늄 양극 산화물을 올려 놓고 가열함으로써 수행될 수 있다.The heating of the aluminum anode oxide into which the silver nano ink is introduced, that is, the heat treatment, may be performed by placing the aluminum anode oxide on a hot plate heated to a temperature range of 200 to 400 ° C.

이러한 가열 과정을 통해 은 나노 입자들이 서로 연결되면서 은 나노 와이어가 생성된다.Through this heating process, the silver nanoparticles are connected to each other to generate silver nanowires.

한편, 알루미늄 양극 산화물의 가열이 완료되면 알루미늄 양극 산화물을 용해하여, 은 나노 와이어를 회수한다(S104).On the other hand, when the heating of the aluminum anode oxide is completed, the aluminum anode oxide is dissolved to recover the silver nanowires (S104).

먼저 알루미늄 양극 산화물의 용해는 바람직하게는 크롬산 9g, 인산 30ml, 초순수 500ml가 혼합된 용액을 60°C로 가열 유지하여 5 내지 24시간의 범위에서 알루미늄 양극 산화물의 두께에 따라 적정 시간 동안 침지하여 이루어질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.First, dissolution of the aluminum anode oxide is preferably performed by immersing a solution containing 9 g of chromic acid, 30 ml of phosphoric acid, and 500 ml of ultrapure water at 60 ° C. in a suitable time depending on the thickness of the aluminum anode oxide in a range of 5 to 24 hours. But it is not limited thereto.

그리고 용해된 알루미늄 양극 산화물에서 은 나노 와이어만을 회수하는 방법으로서는 가열한 후 알루미늄 양극 산화물을 용해시킨 후 통상의 화학 실험용 거름종이에 수 차례 거르고 건조시키는 과정을 반복함으로서 회수할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the method of recovering only the silver nanowires from the dissolved aluminum anode oxide may be recovered by dissolving the aluminum anode oxide after heating and filtering and drying the filter paper several times on a conventional chemical experiment filter, but the present invention is not limited thereto. .

이러한 은 나노 잉크와 알루미늄 양극 산화물을 이용하여 은 나노 와이어를 제조하는 경우 보다 간단하고 단순한 공정을 통해 은 나노 와이어를 제조하는 것이 가능하게 된다.When the silver nanowires are manufactured using the silver nano ink and the aluminum anode oxide, the silver nanowires may be manufactured through a simpler and simpler process.

특히 현재 기성품 등으로 널리 사용되고 있는 은 나노 잉크를 이용함으로써 보다 손쉽게 은 나노 와이어를 제조할 수 있고, 종래와 같이 복잡하고 민감한 처리 조건이 아닌 조건에서도 은 나노 와이어를 제조할 수 있게 된다.
In particular, by using silver nano ink widely used as a ready-made product, it is possible to manufacture silver nanowires more easily, and it is possible to manufacture silver nanowires under conditions that are not complicated and sensitive processing conditions as in the prior art.

이하에서는 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법에 의해 제조되는 은 나노 와이어의 형상에 대해 살펴보기로 한다.Hereinafter, the shape of the silver nanowires manufactured by the method for manufacturing the silver nanowires according to the preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

먼저 도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법에 따라 알루미늄 양극 산화물에 은 나노 잉크를 인입한 후 열 처리를 수행하기 전 알루미늄 양극 산화물의 단면을 전자 현미경으로 촬상한 도면이다.First, FIG. 2 is a diagram illustrating an electron microscope image of a cross section of aluminum anodic oxide before heat treatment after injecting silver nano ink into aluminum anodic oxide according to a method of manufacturing silver nanowires according to a preferred embodiment of the present invention. to be.

도 2의 전자 현미경으로 촬상한 도면에도 나타나는 바와 같이 본 발명에 이용되는 알루미늄 양극 산화물은 미세한 다공(220)을 가진다.As also shown in the figure taken with the electron microscope of FIG. 2, the aluminum anode oxide used for this invention has the fine pore 220. As shown in FIG.

이러한 알루미늄 양극 산화물을 10nm 크기의 은 나노 입자(210)를 가지는 은 나노 잉크에 장입하여 진공 챔버 등에 장치에 넣고 진공 상태를 만들어 주면, 은 나노 잉크의 은 나노 입자들(210)이 알루미늄 양극 산화물의 미세한 다공(220)에 인입되게 된다.When the aluminum anodic oxide is charged into a silver nano ink having silver nanoparticles 210 having a size of 10 nm and placed in a vacuum chamber or the like to create a vacuum state, the silver nano particles 210 of the silver nano ink are formed of aluminum anodic oxide. It will be drawn into the fine pores 220.

한편, 알루미늄 양극 산화물의 미세한 다공(220)의 경우 일반적으로 70nm 정도의 크기를 가지는데 비해 은 나노 잉크에 포함되는 은 나노 입자(210)는 10nm 이하의 크기를 가지므로 도 2에 도시된 바와 같이 알루미늄 양극 산화물을 열처리하기 전에는 알루미늄 양극 산화물의 미세한 다공(220)에는 10nm 크기의 은 나노 입자들(210)이 존재하게 된다.On the other hand, the fine pores 220 of the aluminum anode oxide generally has a size of about 70 nm, whereas the silver nanoparticles 210 included in the silver nano ink have a size of 10 nm or less, as shown in FIG. 2. Before the heat treatment of the aluminum anode oxide, silver nanoparticles 210 having a size of 10 nm are present in the minute pores 220 of the aluminum anode oxide.

이러한 상태에서 열처리를 수행하게 되면, 도 3에 도시된 바와 같이 10nm 이하의 크기를 가지는 은 나노 입자들(210)이 서로 연결되어 은 나노 와이어(200)를 형성하게 된다.When the heat treatment is performed in such a state, as shown in FIG. 3, silver nanoparticles 210 having a size of 10 nm or less are connected to each other to form a silver nanowire 200.

이렇게 형성되는 은 나노 와이어(200)의 경우 알루미늄 양극 산화물의 미세공(220)의 크기인 70nm 이하의 크기를 가지게 된다.The silver nanowires 200 formed as described above have a size of 70 nm or less, which is the size of the micropores 220 of the aluminum anode oxide.

그리고 일반적으로 은 나노 와이어의 경우에도 막대 형상을 띠게 되나 은 나노 로드와 달리 성장 방향이 일정하지 않으며, 본 발명에 의해 형성되는 은 나노 와이어가 이러한 성장 방향이 일정하지 않은 은 나노 와이어로 제조될 수 있는 것은 알루미늄 양극 산화물에서 장벽층을 제거하였기 때문이다.In general, silver nanowires have a rod shape, but unlike the silver nanorods, the growth direction is not constant, and the silver nanowires formed by the present invention may be made of silver nanowires in which the growth direction is not constant. This is because the barrier layer is removed from the aluminum anode oxide.

따라서 본 발명에 의한 은 나노 와이어의 제조 방법에 의하면 알루미늄 양극 산화물의 미세공의 크기인 약 70nm의 크기를 가지는 다수의 은 나노 와이어를 용이하게 제조할 수 있다.Therefore, according to the method for manufacturing silver nanowires according to the present invention, it is possible to easily manufacture a plurality of silver nanowires having a size of about 70 nm, which is the size of the micropores of the aluminum anode oxide.

그리고 알루미늄 양극 산화물의 미세공에 의해 은 나노 와이어가 형성되므로 은 나노 와이어가 보다 균일하게 형성될 수 있다.In addition, since the silver nanowires are formed by the micropores of the aluminum anode oxide, the silver nanowires may be more uniformly formed.

또한, 기존에 널리 사용되던 은 나노 잉크를 알루미늄 양극 산화물을 이용한 열처리를 통해 은 나노 와이어를 형성하게 되므로 은 나노 와이어의 제조를 위한 제조 조건에 따라 은 나노 와이어의 형성이 크게 영향을 받지 않게 된다.
In addition, since silver nanowires are formed through heat treatment using aluminum anode oxide, which is widely used in the related art, the formation of silver nanowires is not significantly affected by manufacturing conditions for the production of silver nanowires.

상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대해 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
Preferred embodiments of the present invention described above are disclosed for purposes of illustration, and those skilled in the art will be able to make various modifications, changes, and additions within the spirit and scope of the present invention. Additions should be considered to be within the scope of the following claims.

200: 은 나노 입자 210: 은 나노 와이어
220: 알루미늄 양극 산화물의 미세공
200: silver nanoparticles 210: silver nanowires
220: micropores of aluminum anode oxide

Claims (9)

은 나노 와이어(Ag nano-wire)의 제조 방법에 있어서,
알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)의 장벽층(barrier layer)을 제거하는 단계;
상기 장벽층이 제거된 알루미늄 양극 산화물을 은 나노 잉크에 투입하고 진공 상태를 형성하는 단계;
상기 은 나노 잉크에 투입하고 진공 상태를 형성하였던 알루미늄 양극 산화물을 열처리하는 단계; 및
상기 열처리된 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.
In the manufacturing method of silver nano-wire (Ag nano-wire),
Removing a barrier layer of aluminum anodic aluminum oxide (AA0);
Injecting the aluminum anode oxide from which the barrier layer is removed into a silver nano ink and forming a vacuum state;
Heat-treating the aluminum anodic oxide which was introduced into the silver nano ink and formed a vacuum state; And
And dissolving the heat treated aluminum anodic oxide.
제1항에 있어서,
상기 알루미늄 양극 산화물은 템플릿(template)의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.
The method of claim 1,
The aluminum anode oxide is a method of manufacturing a silver nano wire, characterized in that formed in the form of a template (template).
제1항에 있어서,
상기 알루미늄 양극 산화물은,
알루미늄을 아세톤에 침지하여 초음파 세척을 한 후 건조시키는 단계;
상기 건조된 알루미늄을 과염소산(HClO4)과 에탄올(C2H5OH)을 각각 1:3 부피 분율로 혼합한 전해액에 침지한 후 10 내지 40V의 정전압을 인가하는 단계;
상기 10 내지 40V의 정전압을 인가하였던 알루미늄을 옥살산에 침지하여 20 내지 50V의 정전압을 인가하는 단계;
상기 20 내지 50V의 정전압을 인가하였던 알루미늄을 크롬산, 인산 및 초순수(DeIonize water)가 혼합된 용액에 침지하는 단계;
상기 침지하였던 알루미늄을 상기 과염소산(HClO4)과 에탄올(C2H5OH)을 각각 1:3 부피 분율로 혼합한 전해액에 침지한 후 10 내지 40V의 정전압을 인가하는 단계; 및
염화구리와 염산의 혼합액에 상기 10 내지 40V의 정전압을 인가한 알루미늄을 침지하는 단계를 수행하여 생성되는 알루미늄 양극 산화물인 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.
The method of claim 1,
The aluminum anode oxide is,
Immersing aluminum in acetone to perform ultrasonic cleaning and then drying;
Immersing the dried aluminum in an electrolyte solution in which perchloric acid (HClO 4) and ethanol (C 2 H 5 OH) are mixed at a volume ratio of 1: 3, respectively, and then applying a constant voltage of 10 to 40 V;
Applying a constant voltage of 20 to 50 V by immersing aluminum to which the constant voltage of 10 to 40 V was applied in oxalic acid;
Immersing the aluminum applied with the constant voltage of 20 to 50 V in a solution in which chromic acid, phosphoric acid, and deionized water are mixed;
Immersing the immersed aluminum in an electrolyte solution in which the perchloric acid (HClO 4) and ethanol (C 2 H 5 OH) are mixed in a volume ratio of 1: 3, respectively, and then applying a constant voltage of 10 to 40 V; And
A method for producing silver nanowires, characterized in that the aluminum anodized oxide produced by immersing the aluminum applied a constant voltage of 10 to 40V in a mixed solution of copper chloride and hydrochloric acid.
제1항에 있어서,
상기 알루미늄 양극 산화물의 장벽층(barrier layer)을 제거하는 단계는 상기 알루미늄 양극 산화물을 수산화나트륨(NaOH: sodium hydroxide)과 탈이온수(DI water: deionized water)의 혼합액에 침지시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.
The method of claim 1,
Removing the barrier layer of the aluminum anode oxide is characterized in that is performed by immersing the aluminum anode oxide in a mixed solution of sodium hydroxide (NaOH: sodium hydroxide) and DI water (DI water: deionized water) Method for producing silver nanowires.
제1항에 있어서,
상기 은 나노 잉크는 10nm 크기 이하의 은 나노 입자가 포함된 은 나노 잉크인 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.
The method of claim 1,
The silver nano ink is a silver nano-wire manufacturing method, characterized in that the silver nano ink containing silver nanoparticles of 10nm size or less.
제1항에 있어서,
상기 은 나노 잉크에 투입하고 진공 상태를 형성하였던 알루미늄 양극 산화물을 열처리하는 단계는, 200 내지 400 ℃의 온도 범위 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.
The method of claim 1,
The step of heat-treating the aluminum anodic oxide which was added to the silver nano ink and formed a vacuum state, the manufacturing method of the silver nanowires, characterized in that carried out within a temperature range of 200 to 400 ℃.
제1항에 있어서,
상기 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계는,
크롬산 9g, 인산 30ml, 초순수 500ml가 혼합된 60°C의 용액에 5 내지 24시간 동안 상기 알루미늄 양극 산화물을 침지하여 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.
The method of claim 1,
Dissolving the heat treated aluminum anode oxide,
9 g of chromic acid, 30 ml of phosphoric acid, 500 ml of ultrapure water is prepared by dipping the aluminum anode oxide for 5 to 24 hours in a solution of 60 ° C.
제1항에 있어서,
상기 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계를 수행한 후,
상기 용해된 알루미늄 양극 산화물로부터 은 나노 와이어를 회수하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.
The method of claim 1,
After the step of dissolving the heat treatment the aluminum anode oxide,
The method for producing silver nanowires, characterized in that to perform the step of recovering the silver nanowires from the dissolved aluminum anode oxide.
제8항에 있어서,
상기 용해된 알루미늄 양극 산화물로부터 은 나노 와이어를 회수하는 단계는,
상기 용해된 알루미늄 양극 산화물을 거름종이에 거르고 건조시키는 과정을 반복 수행하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.
The method of claim 8,
Recovering the silver nanowires from the dissolved aluminum anode oxide,
Method of producing a silver nanowires, characterized in that by repeating the process of filtering and drying the dissolved aluminum anodic oxide on the filter paper.
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KR102117783B1 (en) * 2019-03-29 2020-06-01 한국기술교육대학교 산학협력단 Preparation method of Ag nano wires by selective dealloying

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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