KR20120063017A - Light source module and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light source module and a manufacturing method thereof are provided to improve optical efficiency using a scattering effect due to a scattering pattern. CONSTITUTION: A light emitting chip is mounted on the upper surface of a lead frame. The light emitting chip is sealed using a sealing unit(116). A scattering pattern(124) is formed using self-assembling colloid which is projected with a height higher than the surface of the sealing unit. The scattering pattern is projected on the sealing unit or with the height higher than the surface of the sealing unit.

Description

광원 모듈 및 그 제조 방법{LIGHT SOURCE MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}LIGHT SOURCE MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 광효율을 향상시킬 수 있는 광원 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light source module capable of improving light efficiency and a method of manufacturing the same.

종래 발광 다이오드(light emitting diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기 신호를 빛으로 변환시켜 출력하는데 사용되는 반도체의 일종이다. 이러한 발광 다이오드는 발광 효율이 높고, 수명이 길고, 소비전력이 낮으며, 친환경적이라는 많은 장점들을 가지고 있으므로 발광 다이오드를 사용하는 기술 분야가 점점 증가하고 있는 추세이다. 이 발광 다이오드를 갖는 발광칩은 금속 리드 프레임(metal lead frame)이나 인쇄 회로 기판에 실장되고, 그 발광칩을 봉지부를 통해 봉지함으로써 광원 모듈이 형성된다. Conventional light emitting diodes (LEDs) are a type of semiconductor used to convert electrical signals into light by using the characteristics of compound semiconductors. These light emitting diodes have a number of advantages such as high luminous efficiency, long life, low power consumption, and environmentally friendly technologies, and thus the technology field using light emitting diodes is increasing. The light emitting chip having this light emitting diode is mounted on a metal lead frame or a printed circuit board, and the light source module is formed by sealing the light emitting chip through the encapsulation portion.

종래, 봉지부의 상면은 평탄하게 형성되거나 오목하게 형성된다. 봉지부의 상면이 평탄하게 형성되는 경우, 봉지부의 굴절율에 따라 발생하는 전반사에 의한 광추출 효율이 낮아지게 된다. 봉지부의 상면이 오목하게 형성되는 경우, 봉지부의 밖으로 빠져나가는 빛의 양이 줄어들 뿐만 아니라 광원 모듈의 지향각도 넓어지게 되어 광효율이 저하되는 문제점이 있다.Conventionally, the upper surface of the encapsulation portion is formed flat or concave. When the top surface of the encapsulation portion is flat, the light extraction efficiency due to total reflection generated according to the refractive index of the encapsulation portion is lowered. When the upper surface of the encapsulation portion is formed concave, not only the amount of light exiting the encapsulation portion is reduced, but also the directivity of the light source module is widened.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 광효율을 향상시킬 수 있는 광원 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, the present invention is to provide a light source module and a method of manufacturing the same that can improve the light efficiency.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 광원 모듈의 제조 방법은 금속 리드부 상에 발광칩을 실장하는 단계와; 상기 실장된 발광칩을 봉지부를 이용하여 봉지하는 단계와; 상기 봉지부 상에 또는 봉지부 내에 상기 봉지부의 표면보다 높게 돌출되는 자가 조립 콜로이드로 산란 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, a method of manufacturing a light source module according to the present invention comprises the steps of mounting a light emitting chip on the metal lead portion; Encapsulating the mounted light emitting chip using an encapsulation unit; And forming a scattering pattern with a self-assembled colloid protruding higher than the surface of the encapsulation portion on or in the encapsulation portion.

상기 산란 패턴을 형성하는 단계의 제1 실시 예는 상기 봉지부를 큐어링한 후 상기 봉지부 상에 산란 용액을 스프레이 방식으로 분사하거나 침전 방식을 통해 침지시키는 단계와; 상기 산란 용액 내의 용매가 건조 공정을 통해 휘발되어 상기 봉지부 상에 상기 봉지부의 표면보다 높게 돌출되는 상기 산란 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The first embodiment of the step of forming the scattering pattern is a step of curing the encapsulation and then spraying a scattering solution on the encapsulation by a spray method or immersed in a precipitation method; And a solvent in the scattering solution is volatilized through a drying process to form the scattering pattern protruding higher than the surface of the encapsulation part on the encapsulation part.

상기 산란 패턴을 형성하는 단계의 제2 실시 예는 상기 봉지부를 큐어링하기 전에 상기 봉지부 상에 산란 용액을 스프레이 방식으로 분사하거나 침전 방식을 통해 침지시키는 단계와; 상기 산란 용액과 상기 봉지부를 큐어링하여 상기 봉지부 내에 상기 봉지부의 표면보다 높게 돌출되는 상기 산란 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A second embodiment of forming the scattering pattern may include spraying or dipping a scattering solution onto the encapsulation prior to curing the encapsulation; Curing the scattering solution and the encapsulation to form the scattering pattern protruding higher than the surface of the encapsulation in the encapsulation.

여기서, 상기 산란 용액은 30~50wt%의 수십nm ~수㎛의 직경을 가지는 자가 조립 콜로이드와, 50~70wt%의 용매와, 0.001~1wt%의 첨가제로 이루어지며, 상기 자가 조립 콜로이드로는 실리카(SiO2)가 이용되며, 용매로는 물이 이용되며, 첨가제로는 NaCl과 같은 염화물(Chloride), Na2O와 같은 티트라테이블 알칼리(Titratable alkali), Na2SO4와 같은 황산염(Sulfate) 또는 이들의 혼합물이 이용되는 것을 특징으로 한다.Here, the scattering solution is composed of a self-assembled colloid having a diameter of several tens of nm ~ several μm of 30 ~ 50wt%, a solvent of 50 ~ 70wt%, an additive of 0.001 ~ 1wt%, the silica is a self-assembled colloid (SiO 2 ) is used, water is used as a solvent, chloride as NaCl, Titratable alkali such as Na 2 O, sulfate such as Na 2 SO 4 ) Or mixtures thereof.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 광원 모듈의 제조 방법의 다른 실시 예는 금속 리드부 상에 발광칩을 실장하는 단계와; 상기 실장된 발광칩을 봉지부를 이용하여 봉지하는 단계와; 상기 봉지부의 표면에 흡착된 자가 조립 콜로이드를 탈착하여 홈 형태의 산란 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, another embodiment of the manufacturing method of the light source module according to the present invention comprises the steps of mounting a light emitting chip on the metal lead; Encapsulating the mounted light emitting chip using an encapsulation unit; And removing the self-assembled colloid adsorbed on the surface of the encapsulation to form a scattering pattern in the form of a groove.

상기 산란 패턴을 형성하는 단계의 제3 실시 예는 상기 봉지부를 큐어링하기 전에 상기 봉지부 상에 산란 용액을 스프레이 방식으로 분사하거나 침전 방식을 통해 침지시키는 단계와; 상기 산란 용액과 상기 봉지부를 큐어링하여 상기 산란 용액 내의 상기 자가 조립 콜로이드를 상기 봉지부의 표면에 흡착시키는 단계와; 상기 흡착된 자가 조립 콜로이드를 HF를 이용하여 제거함으로써 상기 홈 형태의 산란 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A third embodiment of forming the scattering pattern may include spraying or dipping a scattering solution onto the encapsulation prior to curing the encapsulation; Curing the scattering solution and the encapsulation to adsorb the self-assembled colloid in the scattering solution to the surface of the encapsulation; And removing the adsorbed self-assembled colloid using HF to form the groove-shaped scattering pattern.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 광원 모듈은 발광칩과; 상기 발광칩을 봉지하는 봉지부와; 상기 봉지부 상에 또는 봉지부 내에 상기 봉지부의 표면보다 높게 돌출되며, 자가 조립 콜로이드로 형성되는 산란 패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, the light source module according to the present invention includes a light emitting chip; An encapsulation unit encapsulating the light emitting chip; It is characterized in that it comprises a scattering pattern protruding higher than the surface of the encapsulation portion on the encapsulation portion or in the encapsulation portion, and formed of a self-assembled colloid.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 광원 모듈의 다른 실시 예는 발광칩과; 상기 발광칩을 봉지하는 봉지부와; 상기 봉지부의 표면에 흡착된 자가 조립 콜로이드가 탈착되어 형성되는 홈 형태의 산란 패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, another embodiment of the light source module according to the present invention includes a light emitting chip; An encapsulation unit encapsulating the light emitting chip; It characterized in that it comprises a scattering pattern of the groove shape formed by detaching the self-assembled colloid adsorbed on the surface of the encapsulation.

여기서, 상기 자가 조립 콜로이드는 실리카로 형성되는 것을 특징으로 한다.Here, the self-assembling colloid is characterized in that formed of silica.

본 발명은 봉지부 표면에 광파장 크기에 맞는 수십nm ~수㎛의 직경을 가지도록 돌출 형태 또는 홈 형태로 산란 패턴을 형성한다. 이에 따라, 본 발명은 산란 패턴에 의한 산란 효과로 인해 광추출효율이 증가되고 광효율이 증가된다. The present invention forms a scattering pattern in the form of a protrusion or a groove so as to have a diameter of several tens of nm ~ several ㎛ to fit the wavelength of light on the surface of the encapsulation. Accordingly, the present invention increases the light extraction efficiency and the light efficiency due to the scattering effect by the scattering pattern.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광원 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 도 1에 도시된 광원 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 광원 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 도 3에 도시된 광원 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 광원 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 도 5에 도시된 광원 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light source module according to a first embodiment of the present invention.
2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light source module illustrated in FIG. 1.
3 is a cross-sectional view illustrating a light source module according to a second embodiment of the present invention.
4A and 4B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light source module illustrated in FIG. 3.
5 is a cross-sectional view illustrating a light source module according to a third embodiment of the present invention.
6A and 6B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light source module illustrated in FIG. 5.

이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and embodiments.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광원 모듈을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light source module according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 광원 모듈(110)은 리드 프레임(120)과, 발광칩(112)과, 봉지부(116)와, 금속 리드부(122)와, 산란 패턴(124)을 구비한다.The light source module 110 illustrated in FIG. 1 includes a lead frame 120, a light emitting chip 112, an encapsulation portion 116, a metal lead portion 122, and a scattering pattern 124.

리드 프레임(120)은 발광칩(112)을 수용하는 반사컵(118)을 구비한다. 반사컵(118)에 의해 리드 프레임(120)의 내부 측면과 내부 바닥면이 노출된다. 내부 측면은 반사컵(118)의 선폭이 상부로 갈수록 넓어지도록 예각의 경사각을 가진다. 내부 바닥면은 회로 기판 상의 전극 단자와 접속된 금속 리드부(122)를 노출시키도록 형성된다.The lead frame 120 includes a reflective cup 118 that accommodates the light emitting chip 112. The inner side surface and the inner bottom surface of the lead frame 120 are exposed by the reflective cup 118. The inner side has an acute angle of inclination so that the line width of the reflective cup 118 widens upward. The inner bottom surface is formed to expose the metal lead portion 122 connected with the electrode terminal on the circuit board.

발광칩(112)은 반사컵(118)에 의해 노출된 금속 리드부(122) 상에 실장되며, 와이어(114)를 통해 금속 리드부(122)와 접속된다. 이에 따라, 발광칩(112)은 금속 리드부(122)를 통해 회로 기판으로부터 전달되는 구동 신호에 따라 광을 생성한다.The light emitting chip 112 is mounted on the metal lead part 122 exposed by the reflective cup 118 and is connected to the metal lead part 122 through the wire 114. Accordingly, the light emitting chip 112 generates light according to the driving signal transmitted from the circuit board through the metal lead 122.

금속 리드부(122)는 와이어(114)를 통해 발광칩(112)의 양극과 음극 각각에 전기적으로 연결되며, 회로 기판의 전극 단자와 전기적으로 연결된다. 따라서, 금속 리드부(122)를 통해 회로 기판으로부터의 구동 신호가 발광칩(112)의 양극과 음극에 전달된다.The metal lead 122 is electrically connected to each of the anode and the cathode of the light emitting chip 112 through the wire 114, and is electrically connected to the electrode terminal of the circuit board. Therefore, the driving signal from the circuit board is transmitted to the anode and the cathode of the light emitting chip 112 through the metal lead 122.

봉지부(116)는 반사컵(118) 내에 실리콘 수지로 이루어진 투명 수지와 형광체의 혼합 물질을 충진함으로써 형성되어 발광칩(112)을 봉지한다.The encapsulation part 116 is formed by filling a mixed material of a transparent resin made of a silicone resin and a phosphor in the reflective cup 118 to encapsulate the light emitting chip 112.

산란패턴(124)은 봉지부(116) 상에 광파장 크기와 대응하는 수십nm ~수㎛의 직경을 가지는 자가 조립 콜로이드(Self Assembled Colloid)로 형성되며, 산란 패턴(124)에 의한 산란 효과로 인해 광추출효율이 증가되고 광효율이 증가된다. 특히, 산란 패턴(124)은 봉지부(116)보다 굴절율이 높거나 낮은 물질로 형성된다. 예를 들어 봉지부(116)의 굴절율이 1.4~1.52인 경우, 산란 패턴(124)은 1.46의 굴절율을 가지는 실리카로 형성된다. 이와 같은 산란 패턴(124)은 광을 집광하여 지향각을 줄일 수 있다.The scattering pattern 124 is formed of a self-assembled colloid (Self Assembled Colloid) having a diameter of several tens of nm ~ several ㎛ corresponding to the wavelength of light on the encapsulation portion 116, due to the scattering effect by the scattering pattern 124 Light extraction efficiency is increased and light efficiency is increased. In particular, the scattering pattern 124 is formed of a material having a higher or lower refractive index than the encapsulation 116. For example, when the refractive index of the encapsulation portion 116 is 1.4 to 1.52, the scattering pattern 124 is formed of silica having a refractive index of 1.46. The scattering pattern 124 condenses light to reduce the directivity angle.

도 2a 내지 도 2c는 도 1에 도시된 광원 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light source module illustrated in FIG. 1.

도 2a에 도시된 바와 같이 세정된 리드 프레임(120)의 상면에 위치하는 금속 리드부(122) 상에 발광칩(112)을 칩 본딩(Chip bonding)하고 1차 큐어링(Curing)한다. 그런 다음, 발광칩(112)은 와이어(114)를 이용한 와이어 본딩(Wire bonding)을 통해 금속 리드부(122)와 전기적으로 연결된다. As shown in FIG. 2A, the LED chip 112 is chip bonded and first cured on the metal lead 122 positioned on the cleaned lead frame 120. Thereafter, the light emitting chip 112 is electrically connected to the metal lead 122 through wire bonding using the wire 114.

그런 다음, 도 2b에 도시된 바와 같이 리드 프레임(120) 내의 반사컵(118) 내에 투명 수지와 형광체의 혼합 물질을 충진한 후 2차 큐어링(Curing)함으로써 봉지부(116)가 형성된다. Next, as shown in FIG. 2B, the encapsulation portion 116 is formed by filling the reflective material 118 in the lead frame 120 with the mixed material of the transparent resin and the phosphor, followed by secondary curing.

그런 다음, 도 2c에 도시된 바와 같이 자가 조립 콜로이드가 함유된 산란 용액을 봉지부(116) 상에 스프레이 방식으로 분사하거나 침전 방식을 통해 봉지부(116) 상에 침지시킨다. 여기서, 산란 용액은 30~50wt%의 수십nm ~수㎛의 직경을 가지는 자가 조립 콜로이드와, 50~70wt%의 용매와, 0.001~1wt%의 첨가제로 이루어진다. 자가 조립 콜로이드로는 실리카(SiO2)가 이용되며, 용매로는 자가 조립 콜로이드인 실리카가 수용성이므로 물이 이용되며, 첨가제로는 NaCl과 같은 염화물(Chloride), Na2O와 같은 티트라테이블 알칼리(Titratable alkali), Na2SO4와 같은 황산염(Sulfate) 또는 이들의 혼합물이 이용된다.Then, as shown in FIG. 2C, the scattering solution containing the self-assembled colloid is sprayed onto the encapsulation 116 or immersed on the encapsulation 116 through a precipitation method. Here, the scattering solution consists of a self-assembled colloid having a diameter of several tens of nm to several μm of 30-50 wt%, a solvent of 50-70 wt%, and an additive of 0.001-1 wt%. As a self-assembled colloid, silica (SiO 2 ) is used. As a solvent, a self-assembled colloidal silica is water-soluble and water is used. As an additive, chloride (NaCl) such as NaCl and titratable alkali such as Na 2 O are used. (Titratable alkali), Sulfate such as Na 2 SO 4 or mixtures thereof are used.

그런 다음, 봉지부(116) 상의 산란 용액 내의 용매가 건조 공정을 통해 휘발됨으로써 봉지부(116) 상에 돌출 형태의 산란 패턴(124)이 형성된다.Then, the solvent in the scattering solution on the encapsulation portion 116 is volatilized through a drying process to form a scattering pattern 124 of a protruding shape on the encapsulation portion 116.

도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 광원 모듈을 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a light source module according to a second embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 광원 모듈(110)은 도 1에 도시된 광원 모듈과 대비하여 산란 패턴(124)이 봉지부(116) 내에 위치하는 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명을 생략하기로 한다.The light source module 110 shown in FIG. 3 has the same components except that the scattering pattern 124 is located in the encapsulation 116 as compared to the light source module shown in FIG. 1. Accordingly, detailed description of the same components will be omitted.

산란패턴(124)은 봉지부(116) 내에 광파장 크기와 대응하는 수십nm ~수㎛의 직경을 가지는 자가 조립 콜로이드(Self Assembled Colloid)로 형성된다. 이 산란 패턴(124) 각각의 일부 영역은 봉지부(116) 내에 형성되며, 나머지 일부 영역은 봉지부(116)의 표면보다 높게 외부로 돌출된다. 이 산란 패턴(124)에 의한 산란 효과로 인해 광추출효율이 증가되고 광효율이 증가된다. 특히, 산란 패턴(124)은 봉지부(116)보다 굴절율이 높거나 낮은 물질로 형성된다. 예를 들어, 봉지부(116)의 굴절율이 1.4~1.52인 경우, 산란 패턴(124)은 1.46의 굴절율을 가지는 실리카로 형성된다. 이와 같은 산란 패턴(124)은 광을 집광하여 지향각을 줄일 수 있다.The scattering pattern 124 is formed of a self-assembled colloid having a diameter of several tens of nm to several micrometers corresponding to the wavelength of light in the encapsulation portion 116. Some regions of each of the scattering patterns 124 are formed in the encapsulation portion 116, and the remaining portions of the scattering pattern 124 protrude outwardly higher than the surface of the encapsulation portion 116. Due to the scattering effect by the scattering pattern 124, the light extraction efficiency is increased and the light efficiency is increased. In particular, the scattering pattern 124 is formed of a material having a higher or lower refractive index than the encapsulation 116. For example, when the refractive index of the encapsulation portion 116 is 1.4 to 1.52, the scattering pattern 124 is formed of silica having a refractive index of 1.46. The scattering pattern 124 condenses light to reduce the directivity angle.

도 4a 및 도 4b는 도 3에 도시된 광원 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.4A and 4B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light source module illustrated in FIG. 3.

도 4a에 도시된 바와 같이 세정된 리드 프레임(120)의 상면에 위치하는 금속 리드부(122) 상에 발광칩(112)을 칩 본딩(Chip bonding)하고 1차 큐어링(Curing)한다. 그런 다음, 발광칩(112)은 와이어(114)를 이용한 와이어 본딩(Wire bonding)을 통해 금속 리드부(122)와 전기적으로 연결된다. 그런 다음, 리드 프레임(120) 내의 반사컵(118) 내에 투명 수지와 형광체의 혼합 물질로 이루어진 봉지부(116)를 충진한다. As illustrated in FIG. 4A, the light emitting chip 112 may be chip bonded and first cured on the metal lead 122 positioned on the upper surface of the cleaned lead frame 120. Thereafter, the light emitting chip 112 is electrically connected to the metal lead 122 through wire bonding using the wire 114. Then, the encapsulation portion 116 made of a mixed material of a transparent resin and a phosphor is filled in the reflective cup 118 in the lead frame 120.

그런 다음, 도 4b에 도시된 바와 같이 자가 조립 콜로이드가 함유된 산란 용액을 큐어링되지 않은 봉지부(116) 상에 스프레이 방식으로 분사하거나 침전 방식을 통해 봉지부(116) 상에 침지시킨다. 여기서, 산란 용액은 30~50wt%의 수십nm ~수㎛의 직경을 가지는 자가 조립 콜로이드와, 50~70wt%의 용매와, 0.001~1wt%의 첨가제로 이루어진다. 자가 조립 콜로이드로는 실리카(SiO2)가 이용되며, 용매로는 자가 조립 콜로이드인 실리카가 수용성이므로 물이 이용되며, 첨가제로는 NaCl과 같은 염화물(Chloride), Na2O와 같은 티트라테이블 알칼리(Titratable alkali), Na2SO4와 같은 황산염(Sulfate) 또는 이들의 혼합물이 이용된다.Then, as shown in FIG. 4B, the scattering solution containing the self-assembled colloid is sprayed onto the uncured encapsulation 116 or immersed on the encapsulation 116 through the precipitation method. Here, the scattering solution consists of a self-assembled colloid having a diameter of several tens of nm to several μm of 30-50 wt%, a solvent of 50-70 wt%, and an additive of 0.001-1 wt%. Self-assembled colloidal a is utilized is silica (SiO 2), the solvent is self-assembled because the colloidal silica is water-soluble with water is used, the additive include Ti Tra table alkali such as chloride (Chloride), Na 2 O, such as NaCl (Titratable alkali), Sulfate such as Na 2 SO 4 or mixtures thereof are used.

그러면, 산란 용액 내의 자가 조립 콜로이드는 큐어링되지 않은 연질 상태의 봉지부(116) 내로 흡착된다. 그런 다음, 봉지부(116)와, 봉지부 내에 흡착된 자가 조립 콜로이드를 함유하는 산란 용액을 동시에 2차 큐어링한다. 이에 따라, 봉지부(116)의 표면보다 높게 돌출되는 산란 패턴(124)이 봉지부(116) 내에 고착된다. The self-assembled colloid in the scattering solution is then adsorbed into the uncured soft encapsulation 116. Thereafter, the encapsulation 116 and the scattering solution containing the self-assembled colloid adsorbed in the encapsulation are simultaneously secondary cured. Accordingly, the scattering pattern 124 protruding higher than the surface of the encapsulation 116 is fixed in the encapsulation 116.

도 5는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 광원 모듈을 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a light source module according to a third embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 광원 모듈(110)은 도 1에 도시된 광원 모듈과 대비하여 산란 패턴(126)이 봉지부(116) 내에 홈 형태로 형성되는 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명을 생략하기로 한다.The light source module 110 illustrated in FIG. 5 has the same components except that the scattering pattern 126 is formed in the encapsulation portion 116 in a groove form as compared to the light source module illustrated in FIG. 1. Accordingly, detailed description of the same components will be omitted.

산란패턴(126)은 봉지부(116)의 표면에 광파장 크기와 대응하는 수십nm ~수㎛의 직경을 가지는 홈 형태로 형성된다. 이 산란 패턴(126)은 봉지부(116)의 표면에 흡착된 자가 조립 콜로이드가 탈착되어 제거됨으로써 홈 형태로 형성된다.The scattering pattern 126 is formed in the shape of a groove having a diameter of several tens of nm to several μm corresponding to the wavelength of light on the surface of the encapsulation 116. The scattering pattern 126 is formed in a groove shape by detaching and removing the self-assembled colloid adsorbed on the surface of the encapsulation portion 116.

이 산란 패턴(126)에 의한 산란 효과로 인해 광추출효율이 증가되고 광효율이 증가된다. 이 홈 형태의 산란 패턴(126)은 지향각을 넓게 사용하는 광원 모듈에 유리하다. Due to the scattering effect by the scattering pattern 126, the light extraction efficiency is increased and the light efficiency is increased. This groove-shaped scattering pattern 126 is advantageous for a light source module that uses a wide directing angle.

도 6a 및 도 6b는 도 5에 도시된 광원 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.6A and 6B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the light source module illustrated in FIG. 5.

도 6a에 도시된 바와 같이 세정된 리드 프레임(120)의 상면에 위치하는 금속 리드부(122) 상에 발광칩(112)을 칩 본딩(Chip bonding)하고 1차 큐어링(Curing)한다. 그런 다음, 발광칩(112)은 와이어(114)를 이용한 와이어 본딩을 통해 금속 리드부(122)과 전기적으로 연결된다. 그런 다음, 리드 프레임(120) 내의 반사컵(118) 내에 투명 수지와 형광체의 혼합 물질로 이루어진 봉지부(116)를 충진한다. As illustrated in FIG. 6A, the light emitting chip 112 may be chip bonded and first cured on the metal lead 122 positioned on the cleaned lead frame 120. Then, the light emitting chip 112 is electrically connected to the metal lead 122 through wire bonding using the wire 114. Then, the encapsulation portion 116 made of a mixed material of a transparent resin and a phosphor is filled in the reflective cup 118 in the lead frame 120.

그런 다음, 자가 조립 콜로이드가 함유된 산란 용액을 큐어링되지 않은 연질 상태의 봉지부(116) 상에 스프레이 방식으로 분사하거나 침전 방식을 통해 봉지부(116) 상에 침지시킨다. 여기서, 산란 용액은 30~50wt%의 수십nm ~수㎛의 직경을 가지는 자가 조립 콜로이드와, 50~70wt%의 용매와, 0.001~1wt%의 첨가제로 이루어진다. 자가 조립 콜로이드로는 실리카(SiO2)가 이용되며, 용매로는 자가 조립 콜로이드인 실리카가 수용성이므로 물이 이용되며, 첨가제로는 NaCl과 같은 염화물(Chloride), Na2O와 같은 티트라테이블 알칼리(Titratable alkali), Na2SO4와 같은 황산염(Sulfate) 또는 이들의 혼합물이 이용된다.Then, the scattering solution containing the self-assembled colloid is sprayed onto the uncured soft encapsulation 116 or sprayed or immersed on the encapsulation 116 through a precipitation method. Here, the scattering solution consists of a self-assembled colloid having a diameter of several tens of nm to several μm of 30-50 wt%, a solvent of 50-70 wt%, and an additive of 0.001-1 wt%. As a self-assembled colloid, silica (SiO 2 ) is used. As a solvent, a self-assembled colloidal silica is water-soluble and water is used. As an additive, chloride (NaCl) such as NaCl and titratable alkali such as Na 2 O are used. (Titratable alkali), Sulfate such as Na 2 SO 4 or mixtures thereof are used.

그러면, 산란 용액 내의 자가 조립 콜로이드는 큐어링되지 않은 연질 상태의 봉지부(116) 내로 흡착된다. 그런 다음, 봉지부(116)와, 봉지부 내에 흡착된 자가 조립 콜로이드를 함유하는 산란 용액을 동시에 2차 큐어링한다. 이에 따라, 봉지부(116)의 표면보다 높게 돌출되는 자가 조립 콜로이드는 봉지부(116) 내에 고착된다.The self-assembled colloid in the scattering solution is then adsorbed into the uncured soft encapsulation 116. Thereafter, the encapsulation 116 and the scattering solution containing the self-assembled colloid adsorbed in the encapsulation are simultaneously secondary cured. Accordingly, the self-assembled colloid protruding higher than the surface of the encapsulation 116 is fixed in the encapsulation 116.

그런 다음, 도 6c에 도시된 바와 같이 자가 조립 콜로이드를 HF를 이용한 제거제를 통해 봉지부(116)에서 탈착 제거함으로써 홈 형태의 산란 패턴(126)이 형성된다. Then, as shown in FIG. 6C, the self-assembling colloid is detached and removed from the encapsulation part 116 through the removal agent using HF, thereby forming a groove-shaped scattering pattern 126.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of.

110 : 광원 모듈 112 : 발광칩
114 : 와이어 116 : 봉지부
118 : 반사컵 120: 리드 프레임
122 : 금속 리드부 124,126 : 산란 패턴110: light source module 112: light emitting chip
114: wire 116: encapsulation
118: reflection cup 120: lead frame
122: metal lead portion 124,126: scattering pattern

Claims (11)

리드 프레임 상면에 발광칩을 실장하는 단계와;
상기 실장된 발광칩을 봉지부를 이용하여 봉지하는 단계와;
상기 봉지부 상에 또는 봉지부 내에 상기 봉지부의 표면보다 높게 돌출되는 자가 조립 콜로이드로 산란 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈의 제조 방법.Mounting a light emitting chip on an upper surface of the lead frame;
Encapsulating the mounted light emitting chip using an encapsulation unit;
And forming a scattering pattern with a self-assembled colloid protruding higher than the surface of the encapsulation portion on or in the encapsulation portion. 제 1 항에 있어서,
상기 산란 패턴을 형성하는 단계는
상기 봉지부를 큐어링한 후 상기 봉지부 상에 산란 용액을 스프레이 방식으로 분사하거나 침전 방식을 통해 침지시키는 단계와;
상기 산란 용액 내의 용매가 건조 공정을 통해 휘발되어 상기 봉지부 상에 상기 봉지부의 표면보다 높게 돌출되는 상기 산란 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈의 제조 방법.The method of claim 1,
Forming the scattering pattern
Curing the encapsulation unit and then spraying a scattering solution onto the encapsulation unit in a spray method or immersing it in a precipitation method;
And forming a scattering pattern in which the solvent in the scattering solution is volatilized through a drying process to protrude higher than the surface of the encapsulation part on the encapsulation part. 제 1 항에 있어서,
상기 산란 패턴을 형성하는 단계는
상기 봉지부를 큐어링하기 전에 상기 봉지부 상에 산란 용액을 스프레이 방식으로 분사하거나 침전 방식을 통해 침지시키는 단계와;
상기 산란 용액과 상기 봉지부를 큐어링하여 상기 봉지부 내에 상기 봉지부의 표면보다 높게 돌출되는 상기 산란 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈의 제조 방법.The method of claim 1,
Forming the scattering pattern
Spraying or dipping a scattering solution onto the encapsulation prior to curing the encapsulation;
Curing the scattering solution and the encapsulation unit to form the scattering pattern protruding higher than the surface of the encapsulation unit in the encapsulation unit. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 산란 용액은
30~50wt%의 수십nm ~수㎛의 직경을 가지는 자가 조립 콜로이드와,
50~70wt%의 용매와,
0.001~1wt%의 첨가제로 이루어지며,
상기 자가 조립 콜로이드로는 실리카(SiO2)가 이용되며, 용매로는 물이 이용되며, 첨가제로는 NaCl과 같은 염화물(Chloride), Na2O와 같은 티트라테이블 알칼리(Titratable alkali), Na2SO4와 같은 황산염(Sulfate) 또는 이들의 혼합물이 이용되는 것을 특징으로 하는 광원 모듈의 제조 방법.The method according to claim 2 or 3,
The scattering solution is
A self-assembled colloid having a diameter of several tens of nm to several μm of 30-50 wt%,
50-70 wt% of solvent,
It consists of 0.001 ~ 1wt% of additives,
Silica (SiO 2 ) is used as the self-assembled colloid, water is used as a solvent, chloride as NaCl, titratable alkali such as Na 2 O, Na 2 A method of manufacturing a light source module, characterized in that a sulfate such as SO 4 or a mixture thereof is used. 리드 프레임 상면에 발광칩을 실장하는 단계와;
상기 실장된 발광칩을 봉지부를 이용하여 봉지하는 단계와;
상기 봉지부의 표면에 흡착된 자가 조립 콜로이드를 탈착하여 홈 형태의 산란 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈의 제조 방법.Mounting a light emitting chip on an upper surface of the lead frame;
Encapsulating the mounted light emitting chip using an encapsulation unit;
And removing the self-assembled colloid adsorbed on the surface of the encapsulation unit to form a scattering pattern in the form of a groove. 제 5 항에 있어서,
상기 산란 패턴을 형성하는 단계는
상기 봉지부를 큐어링하기 전에 상기 봉지부 상에 산란 용액을 스프레이 방식으로 분사하거나 침전 방식을 통해 침지시키는 단계와;
상기 산란 용액과 상기 봉지부를 큐어링하여 상기 산란 용액 내의 상기 자가 조립 콜로이드를 상기 봉지부의 표면에 흡착시키는 단계와;
상기 흡착된 자가 조립 콜로이드를 HF를 이용하여 제거함으로써 상기 홈 형태의 산란 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈의 제조 방법.The method of claim 5, wherein
Forming the scattering pattern
Spraying or dipping a scattering solution onto the encapsulation prior to curing the encapsulation;
Curing the scattering solution and the encapsulation to adsorb the self-assembled colloid in the scattering solution to the surface of the encapsulation;
And removing the adsorbed self-assembled colloid using HF to form the groove-shaped scattering pattern. 제 6 항에 있어서,
상기 산란 용액은
30~50wt%의 수십nm ~수㎛의 직경을 가지는 자가 조립 콜로이드와,
50~70wt%의 용매와,
0.001~1wt%의 첨가제로 이루어지며,
상기 자가 조립 콜로이드로는 실리카(SiO2)가 이용되며, 용매로는 물이 이용되며, 첨가제로는 NaCl과 같은 염화물(Chloride), Na2O와 같은 티트라테이블 알칼리(Titratable alkali), Na2SO4와 같은 황산염(Sulfate) 또는 이들의 혼합물이 이용되는 것을 특징으로 하는 광원 모듈의 제조 방법.The method according to claim 6,
The scattering solution is
A self-assembled colloid having a diameter of several tens of nm to several μm of 30-50 wt%,
50-70 wt% of solvent,
It consists of 0.001 ~ 1wt% of additives,
Silica (SiO 2 ) is used as the self-assembled colloid, water is used as a solvent, chloride as NaCl, titratable alkali such as Na 2 O, Na 2 A method of manufacturing a light source module, characterized in that a sulfate such as SO 4 or a mixture thereof is used. 발광칩과;
상기 발광칩을 봉지하는 봉지부와;
상기 봉지부 상에 또는 봉지부 내에 상기 봉지부의 표면보다 높게 돌출되며, 자가 조립 콜로이드로 형성되는 산란 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.Light emitting chip;
An encapsulation unit encapsulating the light emitting chip;
And a scattering pattern protruding higher than the surface of the encapsulation on the encapsulation or in the encapsulation and formed of a self-assembled colloid. 제 8 항에 있어서,
상기 자가 조립 콜로이드는 실리카로 형성되는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.The method of claim 8,
The self-assembled colloid is a light source module, characterized in that formed of silica. 발광칩과;
상기 발광칩을 봉지하는 봉지부와;
상기 봉지부의 표면에 흡착된 자가 조립 콜로이드가 탈착되어 형성되는 홈 형태의 산란 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.Light emitting chip;
An encapsulation unit encapsulating the light emitting chip;
Light source module, characterized in that it comprises a scattering pattern of the groove shape formed by detaching the self-assembled colloid adsorbed on the surface of the encapsulation. 제 10 항에 있어서,
상기 자가 조립 콜로이드는 실리카로 형성되는 것을 특징으로 하는 광원 모듈.11. The method of claim 10,
The self-assembled colloid is a light source module, characterized in that formed of silica.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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WO2022225077A1 (en) * 2021-04-20 2022-10-27 베이징 신냉 일렉트로닉 테크놀로지 씨오.,엘티디 Led package with improved beam angle characteristics

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003298115A (en) * 2002-04-05 2003-10-17 Citizen Electronics Co Ltd Light emitting diode

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019134048A (en) * 2018-01-31 2019-08-08 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and manufacturing method thereof
WO2022225077A1 (en) * 2021-04-20 2022-10-27 베이징 신냉 일렉트로닉 테크놀로지 씨오.,엘티디 Led package with improved beam angle characteristics

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