KR100956106B1 - Transparent display apparatus using chip level light emitting diode package - Google Patents

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Abstract

본 발명은 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치에 관한 것으로, 인쇄 회로기판과, 상기 인쇄 회로기판의 상면에 바로 접합이 가능한 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 포함하여, 투과도의 장점을 최대로 유지시키고, 공정의 단순화를 통한 제작 경비의 절감과 신뢰성 향상을 도모하며, 글래스 기판의 양면에서 볼 수 있고, RGB 풀칼라 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. The present invention relates to a transparent display device using a chip level light emitting diode package, including a printed circuit board and a chip level light emitting diode package that can be directly bonded to an upper surface of the printed circuit board, thereby maintaining the advantages of transmittance to the maximum. In order to reduce manufacturing costs and improve reliability by simplifying the process, it can be seen from both sides of the glass substrate, and an RGB full color display device can be realized.

발광, 다이오드, 칩 Light emitting diode, chip

Description

칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치{Transparent display apparatus using chip level light emitting diode package}Transparent display apparatus using chip level light emitting diode package

본 발명은 글래스 등의 기판을 이용한 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치에 관한 것으로, 기존의 와이어 본딩 등을 생략함으로써 공정의 단순화로 생산성 및 신뢰성의 향상을 꾀할 수 있는 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치에 관한 발명이다.The present invention relates to a transparent display device using a chip-level light emitting diode package using a substrate such as glass, and to a chip level light emitting diode package that can improve productivity and reliability by simplifying the process by omitting conventional wire bonding. The invention relates to a transparent display device used.

발광 다이오드(light emission diode: LED)는 반도체의 P-N접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들고 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭하며, GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, AlGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor)재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로써 다양한 색을 구현할 수 있다.A light emitting diode (LED) refers to a device that makes a small number of carriers (electrons or holes) injected by using a PN junction structure of a semiconductor and emits light by recombination thereof. GaAs, AlGaAs, GaN Various colors can be realized by configuring a light emitting source by changing a compound semiconductor material such as InGaN, AlGaInP, or the like.

이러한 발광 다이오드는 기존의 전구 또는 형광등에 비해 소모 전력이 작고 수명이 길며, 협소한 공간에 설치 가능하고 진동에 강한 특성을 보인다. 이러한 발 광 다이오드는 표시 소자 및 백라이트로 이용하고 있으며, 소모 전력의 절감과 내구성 측면에서 우수한 특성을 갖기 때문에 최근 일반 조명용, 대형 LCD-TV 백라이트, 자동차 헤드라이트, 일반 조명에까지 응용이 확대되고 있다. Such a light emitting diode has a smaller power consumption and a longer life than conventional light bulbs or fluorescent lamps, can be installed in a narrow space, and exhibits strong vibration resistance. These light emitting diodes are used as display devices and backlights, and because they have excellent characteristics in terms of power consumption reduction and durability, applications have recently been extended to general lighting, large LCD-TV backlights, automotive headlights, and general lighting.

한편, 종래에 디스플레이에 발광 다이오드를 사용하는데 있어서, 수율 및 생산성에 문제가 있었다. On the other hand, there has been a problem in yield and productivity in the conventional use of light emitting diodes in displays.

도 1은 종래의 와이어 본딩을 이용한 발광 다이오드 칩을 나타낸 도면이다. 도시된 바와 같이, 종래의 발광 다이오드 칩(110)은 기판(100)상에 발광 다이오드 칩(110)을 실버 페이스트(Silver paste) 등으로 마운팅(mounting)시킨 후, 와이어 본딩(wire bonding)(120)을 통하여 발광 다이오드 칩(110)의 n, p 전극을 외부와 연결한다. 1 is a view showing a light emitting diode chip using a conventional wire bonding. As shown in the drawing, the conventional LED chip 110 mounts the LED chip 110 with silver paste or the like on the substrate 100, and then wire bonding 120. The n and p electrodes of the light emitting diode chip 110 are connected to the outside through the.

상기 발광 다이오드 칩(110)은 보호용 글래스(Glass)나 에폭시(epoxy) 등으로 밀폐해서 와이어 본딩 및 칩을 외부 환경으로부터 보호하게 된다. 따라서 이러한 필수적인 와이어 본딩 및 페이스트 기반의 칩마운팅 공정 등으로 인하여 전체 디스플레이의 두께가 두꺼워지게 된다. The light emitting diode chip 110 is sealed with protective glass or epoxy to protect the wire bonding and the chip from the external environment. Therefore, the thickness of the entire display becomes thick due to the necessary wire bonding and paste-based chip mounting process.

또한, 상기 복잡한 공정으로 인하여 수율, 생산성의 문제가 발생하고, 글래스 기판의 사이즈가 커지면 가용한 와이어 본딩 장비의 유무에 따라 디스플레이 크기 확대도 제한을 받게 된다. In addition, a problem of yield and productivity occurs due to the complicated process, and when the size of the glass substrate is increased, the display size is also limited depending on the presence of available wire bonding equipment.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 발광 다이오드 칩 제작 레벨에서 바로 실장이 가능하도록 한 칩레벨 패키지를 적용하여 종래의 방식에 비해 투과도의 장점을 최대로 유지시키는 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치를 제공하는 데 있다. The present invention is to solve the above problems, by using a chip-level package that can be mounted directly at the LED chip manufacturing level using a chip-level light-emitting diode package that maintains the advantages of the maximum transmittance over the conventional method It is to provide a transparent display device.

또한, 본 발명은 솔더 기반의 안정적인 마운트를 실시함으로써 종래의 필수적인 공정인 와이어 본딩을 생략하고, 이를 통해 공정의 단순화에 따른 제작 경비의 절감과 신뢰성 향상을 도모하는 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치를 제공하는 데 있다. In addition, the present invention eliminates wire bonding, which is an essential step of the conventional process, by implementing a solder-based stable mount, and thereby, a transparent display using a chip-level light emitting diode package that reduces manufacturing costs and improves reliability by simplifying the process. To provide a device.

그리고 본 발명은 칩레벨 패키지의 하부 반사 전극의 반사도를 조정하여 패키지의 상하 양면으로 빛의 발광이 일어나도록 함으로써 글래스 기판의 양면에서 볼 수 있는 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치를 제공하는 데 있다. In another aspect, the present invention provides a transparent display device using a chip-level light emitting diode package that can be seen from both sides of the glass substrate by adjusting the reflectivity of the lower reflective electrode of the chip-level package to emit light to the upper and lower sides of the package. have.

또한, 본 발명은 RGB(Red/Green/Blue) 픽셀의 구현에 있어서 칩스케일 패키지 제작이 어려운 종래의 적색칩을 대신하여 Green InGaN계 칩스케일 패키지 위에 형광체를 도포하여 적색을 여기함으로써 RGB 풀칼라 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치를 제공하는 데 있다. In addition, the present invention is applied to the RGB full-color display by applying a phosphor on the Green InGaN-based chip-scale package instead of the conventional red chip in the implementation of RGB (red / green / blue) pixels to excite red The present invention provides a transparent display device using a chip level light emitting diode package that can implement a device.

상기의 목적을 이루기 위한 본 발명의 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용 한 투명 디스플레이 장치는 인쇄 회로기판과, 상기 인쇄 회로기판의 상면에 바로 접합이 가능한 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 포함하는 것을 특징으로 한다. The transparent display device using the chip level light emitting diode package of the present invention for achieving the above object is characterized in that it comprises a printed circuit board and a chip level light emitting diode package that can be directly bonded to the upper surface of the printed circuit board.

상기 칩레벨 발광 다이오드 패키지는 사파이어 기판의 상면에 형성된 버퍼층과, 상기 버퍼층의 상면에 형성되며, 단차가 상이한 2개의 영역을 포함하는 N형 질화물 반도체과, 상기 N형 질화물 반도체층의 상면 및 상기 N형 질화물 반도체층의 제 1 영역의 상면에 형성되는 활성층과, 상기 활성층의 상면에 형성되는 P형 질화물 반도체층과, 상기 P형 질화물 반도체층의 상면에 형성되는 리플렉터 메탈과, 상기 리플레터 메탈 및 상기 N형 질화물 반도체층의 제 2 영역의 상면에 형성되는 제 1 메탈전극과, 상기 제 1 메탈전극 및 상기 리플렉터 메탈 및 상기 N형 질화물 반도체층의 노출된 영역의 상면에 형성되며, 일부가 제거되어 상기 제 1 메탈전극을 노출시키는 보호막과, 상기 보호막의 상면에 형성되는 제 2 메탈전극를 포함하며, 상기 제 1 메탈전극 및 상기 제 2 메탈전극는 상기 보호막의 노출된 영역을 통해 상호간에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다. The chip level LED package includes an N-type nitride semiconductor including a buffer layer formed on an upper surface of the sapphire substrate, and two regions formed on an upper surface of the buffer layer and having different steps, and an upper surface of the N-type nitride semiconductor layer and the N-type. An active layer formed on the upper surface of the first region of the nitride semiconductor layer, a P-type nitride semiconductor layer formed on the upper surface of the active layer, a reflector metal formed on the upper surface of the P-type nitride semiconductor layer, the reflector metal and the A first metal electrode formed on an upper surface of the second region of the N-type nitride semiconductor layer, and formed on an upper surface of the exposed region of the first metal electrode and the reflector metal and the N-type nitride semiconductor layer, and part of the A protective film exposing the first metal electrode and a second metal electrode formed on an upper surface of the protective film, wherein the first metal electrode and the upper Claim characterized in that electrically connected to each other via a second metal jeongeukneun the exposed area of the protective film.

상기 활성층은 다중 양자 우물 구조를 포함하는 것을 특징으로 한다. The active layer is characterized in that it comprises a multi-quantum well structure.

상기 보호막은 폴리이미드(polyimid) 또는 에폭시(epoxy)를 포함하는 것을 특징으로 한다. The protective film is characterized in that it comprises a polyimide (polyimid) or epoxy (epoxy).

상기 칩레벨 발광 다이오드 패키지는 상기 인쇄회로 기판에 솔더 리플로우 공정으로 형성되는 것을 특징으로 한다. The chip level light emitting diode package is formed on the printed circuit board by a solder reflow process.

상기 인쇄회로 기판은 리세스(Recess) 구조를 포함하는 것을 특징으로 한다. The printed circuit board may include a recess structure.

상기 리세스에는 녹색 여기 적색 형광체를 도포하는 것을 특징으로 한다. The recess is coated with a green excitation red phosphor.

상기 인쇄회로 기판의 상면에 보호부를 형성하는 것을 특징으로 한다. The protective part is formed on the upper surface of the printed circuit board.

상기 보호부는 코팅 및 렌즈로 구성되는 것을 특징으로 한다. The protective part is characterized by consisting of a coating and a lens.

상기 인쇄회로 기판에서 양면으로 빛이 발광되는 것을 특징으로 한다. Light is emitted from both sides of the printed circuit board.

이와 같이 본 발명의 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치는 투과도의 장점을 최대로 유지시키고, 공정의 단순화를 통한 제작 경비의 절감과 신뢰성 향상을 도모하며, 글래스 기판의 양면에서 볼 수 있고, RGB 풀칼라 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. As described above, the transparent display device using the chip-level light emitting diode package of the present invention maintains the advantages of the transmittance to the maximum, reduces manufacturing costs and improves reliability by simplifying the process, and can be seen from both sides of the glass substrate. RGB full color display devices can be implemented.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치를 상세히 설명한다. Hereinafter, a transparent display device using a chip level light emitting diode package of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치를 나타낸 도면이다. 도시된 바와 같이, 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치는 기판(200), 제 1 메탈전극(210), 리플렉터 메탈(220), 보호층(230), 제 2 메탈전극(240) 등을 포함한다. 2 is a view showing a transparent display device using a chip level light emitting diode package of the present invention. As illustrated, the transparent display device using the chip level LED package includes a substrate 200, a first metal electrode 210, a reflector metal 220, a protective layer 230, a second metal electrode 240, and the like. Include.

도 3a 내지 3d는 본 발명의 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 도면이다. 3A to 3D illustrate a method of manufacturing a transparent display device using the chip level LED package of the present invention.

도 3a에 도시된 바와 같이 기판(300)의 상면에 버퍼층(310), N형 질화물 반 도체층(320), 활성층(330) 및 P형 질화물 반도체층(340)을 화학 기상 증착 기법 등의 방법을 이용하여 순차적으로 형성한다. As shown in FIG. 3A, the buffer layer 310, the N-type nitride semiconductor layer 320, the active layer 330, and the P-type nitride semiconductor layer 340 are formed on the upper surface of the substrate 300 by a chemical vapor deposition technique. Form sequentially using.

상기 기판(300)은 반도체 디바이스(device)에서 많이 사용되는 사파이어 기판이나 n-GaAs 등의 기판을 사용한다. 그리고 상기 활성층(330)은 다중 양자 우물구조로 이루어진다. 상기 P형 질화물 반도체층(340)은 P-갈륨나이트라이드(p-GaN)로 형성한다. The substrate 300 uses a sapphire substrate, n-GaAs, or the like, which are commonly used in semiconductor devices. The active layer 330 has a multi quantum well structure. The P-type nitride semiconductor layer 340 is formed of P-gallium nitride (p-GaN).

상기 활성층(330) 등을 연속적으로 형성한 이후에, 사진 식각 공정 및 습식/건식 식각을 이용하여 P형 질화물 반도체층(340), 활성층(330), N형 질화물 반도체층(320)의 일부를 제거하여 N형 질화물 반도체층(320)의 일부의 상면이 노출되도록 패터닝(patterning)한다. 즉, N형 질화물 반도체층(320)은 단차가 상이한 2개의 영역으로 형성된다. 그리고 상기 P형 질화물 반도체층(340)과 활성층(330)은 상기 N형 질화물 반도체층(320)에서 단차가 높은 제 1 영역에 형성된다. After the active layer 330 is continuously formed, a portion of the P-type nitride semiconductor layer 340, the active layer 330, and the N-type nitride semiconductor layer 320 are formed by using a photolithography process and wet / dry etching. By removing the pattern, the upper surface of the portion of the N-type nitride semiconductor layer 320 is exposed. That is, the N-type nitride semiconductor layer 320 is formed of two regions having different steps. The P-type nitride semiconductor layer 340 and the active layer 330 are formed in the first region of the N-type nitride semiconductor layer 320 having a high step height.

상기 패터닝한 이후에 P형 질화물 반도체층(340)의 상면에 광의 반사를 위하여 리플렉터(reflector) 메탈(350)을 형성한다. 상기 리플렉터 메탈(350)은 상황에 따라 반사도가 낮은 메탈을 사용하여 패키지의 상하 양면으로 발광층에서 발생한 빛이 방출될 수 있다. After the patterning, a reflector metal 350 is formed on the upper surface of the P-type nitride semiconductor layer 340 to reflect light. The reflector metal 350 may emit light generated from the light emitting layer on both top and bottom surfaces of the package by using a metal having low reflectivity according to circumstances.

상기 리플렉터 메탈(350)을 형성한 이후에 n, p 컨택(contact)을 위하여 제 1 메탈 전극(360)을 형성한다. 상기 제 1 메탈전극(360)은 상기 리플렉터 메탈(350)의 상면 및 상기 N형 질화물 반도체층(320)에서 상면이 노출된 영역에 형성된다. 즉, 제 1 메탈전극(360)은 N형 질화물 반도체층(320)의 제 2 영역의 상면에 도 형성된다. 상기 제 1 메탈전극(360)은 기판(300)의 상면 전체에 형성한 이후에 일부가 제거되도록 패터닝하여 상호간에 특정 거리가 떨어지도록 한다. After forming the reflector metal 350, the first metal electrode 360 is formed for n and p contacts. The first metal electrode 360 is formed on an upper surface of the reflector metal 350 and an area where the upper surface of the N-type nitride semiconductor layer 320 is exposed. That is, the first metal electrode 360 is also formed on the upper surface of the second region of the N-type nitride semiconductor layer 320. The first metal electrode 360 is patterned to be partially removed after being formed on the entire upper surface of the substrate 300 so that a specific distance is separated from each other.

상기 제 1 메탈전극(360)을 형성한 이후에, 도 3b에 도시된 바와 같이 보호막(370)을 형성한다. 상기 보호막(370)으로 사용되는 물질은 폴리이미드(Polyimid) 또는 에폭시(epoxy) 등 여러 가지 물질이 선택된다. After forming the first metal electrode 360, a protective film 370 is formed as shown in FIG. 3B. As the material used as the passivation layer 370, various materials such as polyimide or epoxy may be selected.

상기 보호막(370)을 형성한 이후에 도 3c에 도시된 바와 같이 제 2 메탈전극(380)를 형성한다. 상기 제 2 메탈전극(380)는 보호막(370)의 상면 전체에 형성된다. 상기 제 2 메탈전극(380)는 패키지 공정을 고려하여 크기와 두께를 조절할 수 있다. After forming the passivation layer 370, the second metal electrode 380 is formed as shown in FIG. 3C. The second metal electrode 380 is formed on the entire upper surface of the passivation layer 370. The second metal electrode 380 may be adjusted in size and thickness in consideration of a packaging process.

상기 제 2 메탈전극(380)을 형성한 이후에 도 3d에 도시된 바와 같이 제 1 메탈전극(360)을 오픈하여 제 2 메탈전극(380)와 연결한다. 상기 제 1 메탈전극(360)과 제 2 메탈전극(380)의 연결은 상기 제 2 메탈전극(380)의 일부 및 보호막(370)의 일부를 식각하고, 기판의 상면에 메탈을 형성하여 연결한다. 또는 상기 제 1 메탈전극(360)과 제 2 메탈전극(380)의 연결은 보호막(370) 형성시 제 1 메탈전극(360)의 일부분을 오픈하는 방법을 사용한다. 패드 형성 이후에는 칩을 세퍼레이션(seperation) 하면 바로 PCB(Printed circuit board)상에 실장이 가능한 칩레벨 패키지가 된다. After the second metal electrode 380 is formed, the first metal electrode 360 is opened and connected to the second metal electrode 380 as shown in FIG. 3D. The first metal electrode 360 and the second metal electrode 380 are connected to each other by etching a part of the second metal electrode 380 and a part of the passivation layer 370 and forming a metal on the upper surface of the substrate. . Alternatively, the first metal electrode 360 and the second metal electrode 380 may be connected by using a method of opening a portion of the first metal electrode 360 when the protective film 370 is formed. After the pad is formed, the chip is separated into a chip-level package that can be mounted on a printed circuit board (PCB).

상기 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 형성한 이후에 기판으로 사용되는 글래스 기판에 표면 실장을 위한 솔더 패드를 형성하고, 상기 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 실장한 이후에 부품과 PCB 사이를 강력한 메탈 본딩 형태로 접착시키기 위 해 솔더 리플로우(Reflow) 공정을 수행한다. After the chip level LED package is formed, a solder pad for surface mounting is formed on a glass substrate used as a substrate, and after mounting the chip level LED package, the component and the PCB are bonded in a strong metal bonding form. A solder reflow process is performed to ensure that this is done.

상기 솔더 리플로우 공정을 이용하면 기존의 와이어 본딩이 불필요하므로 높은 투과성을 유지하면서 신뢰성과 생산성이 우수한 투명 디스플레이 장치의 제작이 가능하다. The solder reflow process eliminates the need for conventional wire bonding, and thus enables the manufacture of a transparent display device having high reliability and high productivity while maintaining high transparency.

상기 글래스 기판의 표면에 실장된 칩레벨 발광 다이오드 패키지는 ITO(Indium-Tin-Oxide)나 도전체 등의 전도성 패턴을 통하여 외부 및 각 패키지 상호간의 전기적인 결선이 이루어질 수 있도록 한다. The chip level light emitting diode package mounted on the surface of the glass substrate enables electrical connection between the external and each package through a conductive pattern such as indium tin oxide (ITO) or a conductor.

칩레벨 발광 다이오드 패키지가 부착될 부분의 글래스 기판 부분을 리세스(recess)를 형성하여 에폭시(epoxy) 등을 충진하면 커버 글래스를 사용하지 않고도 외부 환경으로부터 보호할 수 있다. If a recess is formed in the glass substrate portion of the portion where the chip level LED package is to be attached to fill the epoxy, it may be protected from the external environment without using the cover glass.

한편, 도 4는 본 발명의 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치의 실시예를 나타낸 도면으로, 낮은 반사도를 갖는 리플렉터 메탈(400)을 사용하여 발광하는 빛 중에서 특정 양의 빛이 통과할 수 있게 된다. On the other hand, Figure 4 is a view showing an embodiment of a transparent display device using a chip-level light emitting diode package of the present invention, a specific amount of light can pass through the light emitted by the reflector metal 400 having a low reflectivity. Will be.

도 5는 본 발명의 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치의 다른 실시예를 나타낸 도면이다. 도시된 바와 같이, 리세스 구조에 녹색 여기 적색 형광체(500)를 도포한다. 이로 인하여 녹색칩(510)으로부터 적색을 구현할 수 있으므로 RGB 픽셀의 구성이 가능하다. 5 is a view showing another embodiment of a transparent display device using a chip level light emitting diode package of the present invention. As shown, green excitation red phosphor 500 is applied to the recess structure. As a result, since the red color can be implemented from the green chip 510, the RGB pixel can be configured.

도 6은 본 발명의 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치의 또 다른 실시예를 나타낸 도면이다. 도시된 바와 같이, 글래스 기판의 상면에 보호부(600)를 형성한다. 상기 보호부는 코팅 및 렌즈로 구성되어 신뢰성과 광 분포의 변화를 용도에 맞게 변화시킬 수 있다. 6 is a view showing another embodiment of a transparent display device using a chip level light emitting diode package of the present invention. As shown, the protection part 600 is formed on the upper surface of the glass substrate. The protective part may be composed of a coating and a lens to change reliability and light distribution according to a use.

한편, 상기에서는 본 발명의 특정의 바람직한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있다. On the other hand, while shown and described in connection with a specific preferred embodiment of the present invention, various modifications and changes of the present invention without departing from the spirit or field of the invention provided by the claims below It can be easily understood by those skilled in the art.

도 1은 종래의 와이어 본딩을 이용한 발광 다이오드 칩을 나타낸 도면.1 is a view showing a light emitting diode chip using a conventional wire bonding.

도 2는 본 발명의 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치를 나타낸 도면.2 is a view showing a transparent display device using a chip-level light emitting diode package of the present invention.

도 3a 내지 3d는 본 발명의 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 도면.3A to 3D illustrate a method of manufacturing a transparent display device using the chip level LED package of the present invention.

도 4도 본 발명의 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치의 실시예를 나타낸 도면.4 is a view showing an embodiment of a transparent display device using a chip level light emitting diode package of the present invention.

도 5는 본 발명의 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치의 다른 실시예를 나타낸 도면. 5 is a view showing another embodiment of a transparent display device using a chip-level light emitting diode package of the present invention.

도 6은 본 발명의 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치의 또 다른 실시예를 나타낸 도면.6 is a view showing another embodiment of a transparent display device using a chip level light emitting diode package of the present invention.

Claims (10)

인쇄 회로기판; 및 Printed circuit boards; And 상기 인쇄 회로기판의 상면에 바로 접합이 가능한,Can be directly bonded to the upper surface of the printed circuit board, 사파이어 기판의 상면에 형성된 버퍼층;A buffer layer formed on an upper surface of the sapphire substrate; 상기 버퍼층의 상면에 형성되며, 단차가 상이한 2개의 영역을 포함하는 N형 질화물 반도체층;An N-type nitride semiconductor layer formed on an upper surface of the buffer layer and including two regions having different steps; 상기 N형 질화물 반도체층의 단차가 높은 제 1 영역의 상면에 형성되는 활성층;An active layer formed on an upper surface of the first region having a high level difference between the N-type nitride semiconductor layers; 상기 활성층의 상면에 형성되는 P형 질화물 반도체층;A P-type nitride semiconductor layer formed on the upper surface of the active layer; 상기 P형 질화물 반도체층의 상면에 형성되는 리플렉터 메탈;A reflector metal formed on an upper surface of the P-type nitride semiconductor layer; 상기 리플렉터 메탈 및 상기 N형 질화물 반도체층의 상면이 노출된 제 2 영역의 상면에 형성되는 제 1 메탈전극;A first metal electrode formed on an upper surface of the second region where the upper surface of the reflector metal and the N-type nitride semiconductor layer is exposed; 상기 제 1 메탈전극 및 상기 리플렉터 메탈 및 상기 N형 질화물 반도체층의 노출된 영역의 상면에 형성되며, 일부가 제거되어 상기 제 1 메탈전극을 노출시키는 보호막; 및 A passivation layer formed on an upper surface of an exposed region of the first metal electrode, the reflector metal, and the N-type nitride semiconductor layer, and partially removing the passivation layer to expose the first metal electrode; And 상기 보호막의 상면에 형성되는 제 2 메탈전극을 포함하며, A second metal electrode formed on the upper surface of the protective film, 상기 제 1 메탈전극 및 상기 제 2 메탈전극는 상기 보호막의 노출된 영역을 통해 상호간에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 포함하는 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치.And the first metal electrode and the second metal electrode are electrically connected to each other through an exposed area of the passivation layer. 삭제delete 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 활성층은 다중 양자 우물 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치.The active layer is a transparent display device using a chip-level light emitting diode package, characterized in that it comprises a multi-quantum well structure. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 보호막은 폴리이미드(polyimid) 또는 에폭시(epoxy)를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치.The passivation layer is a transparent display device using a chip-level light emitting diode package, characterized in that the polyimide (polyimid) or epoxy (epoxy). 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 칩레벨 발광 다이오드 패키지는 상기 인쇄회로 기판에 솔더 리플로우 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치.The chip level light emitting diode package is a transparent display device using a chip level light emitting diode package, characterized in that formed on the printed circuit board by a solder reflow process. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 인쇄회로 기판은 리세스(Recess) 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치.The printed circuit board is a transparent display device using a chip-level light emitting diode package, characterized in that it comprises a recess (Recess) structure. 제 6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 리세스에는 녹색 여기 적색 형광체를 도포하는 것을 특징으로 하는 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치.The recess is coated with a green excitation red phosphor, characterized in that the transparent display device using a chip-level light emitting diode package. 제 6항 또는 제 7항에 있어서, The method according to claim 6 or 7, 상기 인쇄회로 기판의 상면에 보호부를 형성하는 것을 특징으로 하는 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치.A transparent display device using a chip level light emitting diode package, characterized in that the protective portion is formed on the upper surface of the printed circuit board. 제 8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 보호부는 코팅 및 렌즈로 구성되는 것을 특징으로 하는 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치.The protection unit is a transparent display device using a chip-level light emitting diode package, characterized in that consisting of a coating and a lens. 제 9항에 있어서, The method of claim 9, 상기 인쇄회로 기판에서 양면으로 빛이 발광되는 것을 특징으로 하는 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이 장치.Transparent display device using a chip-level LED package, characterized in that light is emitted from both sides of the printed circuit board.
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