KR20120061625A - Led module and lighting assembly - Google Patents

Led module and lighting assembly Download PDF

Info

Publication number
KR20120061625A
KR20120061625A KR1020100122993A KR20100122993A KR20120061625A KR 20120061625 A KR20120061625 A KR 20120061625A KR 1020100122993 A KR1020100122993 A KR 1020100122993A KR 20100122993 A KR20100122993 A KR 20100122993A KR 20120061625 A KR20120061625 A KR 20120061625A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
integrated circuit
circuit device
driving integrated
Prior art date
Application number
KR1020100122993A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101230621B1 (en
Inventor
이성진
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020100122993A priority Critical patent/KR101230621B1/en
Publication of KR20120061625A publication Critical patent/KR20120061625A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101230621B1 publication Critical patent/KR101230621B1/en

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V17/00—Fastening of component parts of lighting devices, e.g. shades, globes, refractors, reflectors, filters, screens, grids or protective cages
    • F21V17/002—Fastening of component parts of lighting devices, e.g. shades, globes, refractors, reflectors, filters, screens, grids or protective cages with provision for interchangeability, i.e. component parts being especially adapted to be replaced by another part with the same or a different function
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/238—Arrangement or mounting of circuit elements integrated in the light source
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • F21S2/005—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction of modular construction
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

PURPOSE: A light emitting diode module and a lighting device therewith are provided to improve heat radiation efficiency by burying LED chips in the light emitting module. CONSTITUTION: A lighting device comprises a heat sink(300) and an LED(light emitting diode) module(200). The LED module is coupled to the heat sink. The LED module comprises one or more light emitting diode chips(210) and a drive circuit integrated circuit(250). The heat sink is thermally coupled to the light emitting diode chips and the drive circuit integrated circuit. The drive circuit integrated circuit outputs a control signal for driving the light emitting diode chips.

Description

발광 다이오드 모듈 및 조명 장치{LED MODULE AND LIGHTING ASSEMBLY}LED Modules and Lighting Units {LED MODULE AND LIGHTING ASSEMBLY}

본 발명은 발광 다이오드 모듈 및 조명 장치에 관한 것으로, 구동 집적회로 소자를 갖는 발광 다이오드 모듈 및 조명 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to light emitting diode modules and lighting devices, and more particularly to light emitting diode modules and lighting devices having drive integrated circuit elements.

종래의 형광등이나 백열 전구를 대체하여 발광 다이오드 조명 장치가 사용되고 있다. 발광 다이오드 조명 장치는 일반적으로 발광 다이오드 패키지가 메탈 인쇄회로기판에 실장된 발광 다이오드 모듈을 포함하며, 상용의 고전압 교류 전원을 강압하기 위한 전해 콘덴서 및 구동 회로를 포함한다.A light emitting diode illumination device is used in place of a conventional fluorescent lamp or incandescent light bulb. The LED lighting apparatus generally includes a light emitting diode module in which a light emitting diode package is mounted on a metal printed circuit board, and includes an electrolytic capacitor and a driving circuit for stepping down commercial high voltage AC power.

발광 다이오드는 상대적으로 낮은 직류 전압하에서 구동되기 때문에 전압 강하를 위한 전해 콘덴서가 사용되며, 또한 교류를 직류로 변환하기 위한 컨버터 등이 요구된다. 전해 콘덴서나 컨버터는 발광 다이오드에 비해 수명이 상대적으로 매우 짧기 때문에 조명 장치의 수명을 좌우하며, 또한 전압 강하에 의해 전력 손실이 발생한다.Since the light emitting diode is driven under a relatively low DC voltage, an electrolytic capacitor for voltage drop is used, and a converter for converting AC into DC is required. Since electrolytic capacitors and converters have a relatively short lifespan compared to light emitting diodes, they affect the lifespan of a lighting device and also cause power loss due to voltage drop.

한편, 상기 발광 다이오드 패키지는 세라믹, 인쇄회로기판 또는 리드 프레임에 발광 다이오드 칩을 실장하고 봉지재로 밀봉하여 완성된다. 이러한 복수의 발광 다이오드 패키지를 메탈 인쇄회로기판에 실장함으로써 발광 다이오드 모듈은 고출력을 구현할 수 있다.On the other hand, the LED package is completed by mounting the LED chip on a ceramic, printed circuit board or lead frame and sealed with an encapsulant. By mounting the plurality of light emitting diode packages on a metal printed circuit board, the light emitting diode module may realize high power.

그러나, 종래의 발광 다이오드 모듈은 복수의 발광 다이오드 패키지를 사용하여 고출력을 구현하기 때문에 모듈의 크기가 크고 비용이 많이 든다. 더욱이, 발광 다이오드 칩에서 생성된 열이 패키지의 리드 프레임 등을 통해 외부로 전달되므로 방열 특성이 나빠 고출력 발광 다이오드 모듈을 구현하는데 한계가 있다. 더욱이, 조명 장치 내의 온도 상승은 구동 전류를 증가시키고, 구동 전류 증가는 다시 온도 상승을 유발하는 악순환이 반복되는 문제가 있다.However, the conventional light emitting diode module uses a plurality of light emitting diode packages to implement high power, which makes the module large in size and expensive. Furthermore, since heat generated from the LED chip is transferred to the outside through the lead frame of the package, heat dissipation characteristics are poor, and thus there is a limit in implementing a high output LED module. Moreover, there is a problem that a vicious cycle in which the temperature rise in the lighting device increases the drive current and the drive current increase causes the temperature rise again is repeated.

본 발명이 해결하려는 과제는, 상용의 고전압 교류 전원하에서 장시간 사용될 수 있는 조명 장치 및 발광 다이오드 모듈을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a lighting device and a light emitting diode module that can be used for a long time under commercial high voltage AC power supply.

본 발명이 해결하려는 또 다른 과제는, 방열 특성을 개선한 조명 장치 및 발광 다이오드 모듈을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an illumination device and a light emitting diode module having improved heat dissipation characteristics.

본 발명이 해결하려는 또 다른 과제는, 구동하는 동안 온도 상승에 의해 구동전류가 증가하는 것을 방지할 수 있는 조명 장치 및 발광 다이오드 모듈을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an illumination device and a light emitting diode module which can prevent the driving current from increasing due to a temperature rise during driving.

본 발명의 일 태양에 따른 조명 장치는, 히트싱크 및 발광 다이오드 모듈을 포함하고, 상기 발광 다이오드 모듈은 적어도 하나의 발광 다이오드 칩과 구동 집적회로 소자를 포함한다. 나아가, 상기 히트싱크는 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩과 상기 구동 집적회로 소자와 열적으로 결합되고, 상기 구동 집적회로 소자는 교류 전원을 입력받는 입력 단자 및 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩을 구동하기 위한 제어신호를 출력하는 출력단자를 포함한다.A lighting apparatus according to an aspect of the present invention includes a heat sink and a light emitting diode module, wherein the light emitting diode module includes at least one light emitting diode chip and a driving integrated circuit device. Further, the heat sink is thermally coupled to the at least one LED chip and the driving integrated circuit device, wherein the driving integrated circuit device is configured to drive an input terminal receiving AC power and the at least one LED chip. It includes an output terminal for outputting a control signal.

구동 집적회로 소자를 채택함으로써 발광 다이오드 모듈을 소형화할 수 있으며, 또한, 발광 다이오드 칩이 열적으로 결합됨으로써 방열 특성이 개선되고, 발광 다이오드 모듈 사이즈 및 두께를 감소시킬 수 있다.By adopting the driving integrated circuit device, the LED module can be miniaturized, and the LED chip is thermally coupled to improve heat dissipation characteristics and reduce the size and thickness of the LED module.

상기 발광 다이오드 모듈은 배선들을 포함하는 인쇄회로기판, 예컨대 금속 인쇄회로기판을 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩과 상기 구동 집적회로 소자는 상기 배선들을 통해 전기적으로 연결된다.The light emitting diode module may include a printed circuit board including wirings, for example, a metal printed circuit board. The at least one light emitting diode chip and the driving integrated circuit device are electrically connected through the wires.

상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩은 상기 금속 인쇄회로기판 상에 칩-온-보드 타입으로 실장되며, 상기 구동 집적회로 소자는 칩 또는 패키지 형태로 금속 인쇄회로기판 상에 실장될 수 있다.The at least one light emitting diode chip may be mounted on the metal printed circuit board in a chip-on-board type, and the driving integrated circuit device may be mounted on the metal printed circuit board in a chip or package form.

상기 금속인쇄회로 기판은 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩이 실장된 제1면과, 상기 제1면에 대향하는 제2면을 포함할 수 있으며, 상기 구동 집적회로 소자는 상기 제1 면 또는 제2면에 실장될 수 있다. 상기 구동 집적회로 소자가 상기 제2면에 실장될 경우, 상기 히트싱크는 상기 구동 집적회로 소자를 수용하는 수용홈을 가질 수 있다.The metal printed circuit board may include a first surface on which the at least one light emitting diode chip is mounted, and a second surface opposite to the first surface, and the driving integrated circuit device may include the first surface or the second surface. It can be mounted on cotton. When the driving integrated circuit device is mounted on the second surface, the heat sink may have a receiving groove for receiving the driving integrated circuit device.

상기 조명 장치는 복수의 발광 다이오드 칩을 포함할 수 있다. 또한, 상기 복수의 발광 다이오드 칩은 복수의 발광 다이오드 블록으로 구분될 수 있으며, 상기 각 발광 다이오드 블록의 양단은 상기 금속 인쇄회로기판의 배선들을 통해 상기 구동 집적회로 소자에 전기적으로 연결될 수 있다.The lighting device may include a plurality of light emitting diode chips. In addition, the plurality of light emitting diode chips may be divided into a plurality of light emitting diode blocks, and both ends of each light emitting diode block may be electrically connected to the driving integrated circuit device through wires of the metal printed circuit board.

몇몇 실시예들에 있어서, 상기 복수의 발광 다이오드 블록은 서로 직렬 연결될 수 있으며, 이에 따라 고전압하에서 구동될 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 상기 복수의 발광 다이오드 블록은 서로 반대 극성으로 연결된 발광 다이오드 블록들을 포함할 수 있다.In some embodiments, the plurality of light emitting diode blocks may be connected in series to each other, and thus may be driven under high voltage. In other embodiments, the plurality of light emitting diode blocks may include light emitting diode blocks connected in opposite polarities to each other.

한편, 각 발광 다이오드 블록은 서로 직렬 연결된 복수의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 칩을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상용의 고전압, 예컨대 110V 또는 220V에서 구동될 수 있는 소형의 발광 다이오드 모듈을 제공할 수 있다. 따라서, 전압 강하를 위한 전해 콘덴서 등을 사용하지 않고도 발광 다이오드 칩들을 구도할 수 있다.On the other hand, each LED block may include a light emitting diode chip having a plurality of light emitting cells connected in series with each other. Accordingly, it is possible to provide a small size light emitting diode module that can be driven at a commercial high voltage, for example, 110V or 220V. Therefore, the LED chips can be configured without using an electrolytic capacitor or the like for voltage drop.

한편, 상기 구동 집적회로 소자는 정전류 구동부를 포함할 수 있으며, 상기 정전류 구동부는 상기 복수의 발광 다이오드 블록들에 공급되는 정전류를 가변적으로 제어할 수 있다. 상기 정전류 구동부에 의해 정전류를 제어함으로써, 조명 장치 내의 온도 증가에 의한 구동 전류 증가를 방지할 수 있다.The driving integrated circuit device may include a constant current driver, and the constant current driver may variably control the constant current supplied to the plurality of light emitting diode blocks. By controlling the constant current by the constant current driver, it is possible to prevent an increase in driving current due to an increase in temperature in the lighting apparatus.

상기 금속 인쇄회로기판은 교류 전원의 입출력을 위한 입출력 단자들을 포함하고, 상기 입출력 단자들은 배선들을 통해 상기 구동 집적회로 소자에 직접 접속될 수 있다.The metal printed circuit board may include input and output terminals for input and output of an AC power source, and the input and output terminals may be directly connected to the driving integrated circuit device through wires.

상기 구동 집적회로 소자는 상기 금속 인쇄회로 기판 상부면 또는 하부면에 실장될 수 있다. 하부면에 실장될 경우, 구동 집적회로 소자와 배선들을 연결하기 위한 패드들이 상기 금속 인쇄회로기판 하부면에 위치하고, 상기 패드들은 금속 인쇄회로기판을 관통하여 상부면의 배선들에 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 히트싱크는 상기 구동 집적회로 소자를 수용하는 수용홈을 가질 수 있다.The driving integrated circuit device may be mounted on an upper surface or a lower surface of the metal printed circuit board. When mounted on the bottom surface, pads for connecting the driving integrated circuit device and the wirings are positioned on the bottom surface of the metal printed circuit board, and the pads are electrically connected to the wirings on the top surface through the metal printed circuit board. In addition, the heat sink may have a receiving groove for receiving the driving integrated circuit device.

한편, 상기 히트싱크는 상기 발광 다이오드 모듈을 수용하는 캐비티를 갖는 방열 하우징일 수 있다.The heat sink may be a heat dissipation housing having a cavity accommodating the light emitting diode module.

본 발명의 또 다른 태양에 따른 발광 다이오드 모듈은, 교류 전원의 입출력을 위한 입출력 단자들 및 배선들을 갖는 금속 인쇄회로기판; 상기 금속 인쇄회로기판 상에 실장된 복수의 발광 다이오드 칩; 및 상기 금속 인쇄회로기판에 실장된 구동 집적회로 소자를 포함한다. 나아가, 상기 배선들은 상기 입출력 단자들과 상기 구동 집적회로 소자를 전기적으로 연결하기 위한 제1 배선들 및 상기 구동 집적회로 소자와 상기 복수의 발광 다이오드 칩을 전기적으로 연결하기 위한 제2 배선들을 포함한다.According to another aspect of the present invention, a light emitting diode module includes: a metal printed circuit board having input and output terminals and wires for input and output of an AC power source; A plurality of light emitting diode chips mounted on the metal printed circuit board; And a driving integrated circuit device mounted on the metal printed circuit board. Furthermore, the wirings include first wirings for electrically connecting the input / output terminals and the driving integrated circuit device, and second wirings for electrically connecting the driving integrated circuit device and the plurality of light emitting diode chips. .

나아가, 상기 발광 다이오드 모듈은 상기 복수의 발광 다이오드 칩들을 서로 연결하기 위한 본딩와이어들 및 발광 다이오드 칩과 상기 제2 배선들을 연결하기 위한 본딩와이어들을 포함할 수 있다.Furthermore, the LED module may include bonding wires for connecting the plurality of LED chips to each other, and bonding wires for connecting the LED chip and the second wires.

또한, 상기 복수의 발광 다이오드 칩은 복수의 발광 다이오드 블록으로 구분되고, 상기 각 발광 다이오드 블록의 양단은 상기 금속 인쇄회로기판의 배선들을 통해 상기 구동 집적회로 소자에 전기적으로 연결될 수 있다.The plurality of light emitting diode chips may be divided into a plurality of light emitting diode blocks, and both ends of each light emitting diode block may be electrically connected to the driving integrated circuit device through wires of the metal printed circuit board.

한편, 상기 발광 다이오드 모듈은 상기 복수의 발광 다이오드 칩들을 둘러싸는 댐부, 및 상기 댐부 내에서 상기 복수의 발광 다이오드 칩들을 덮는 몰딩부를 더 포함할 수 있다. 상기 몰딩부는 또한 형광체를 함유할 수 있다.The LED module may further include a dam unit surrounding the plurality of LED chips, and a molding unit covering the plurality of LED chips in the dam unit. The molding may also contain phosphors.

또한, 상기 입출력 단자들과 상기 구동 집적회로 소자를 전기적으로 연결하기 위한 제1 배선들은 상기 댐부의 바깥쪽에 배치되고, 상기 구동 집적회로 소자와 상기 복수의 발광 다이오드 칩을 전기적으로 연결하기 위한 제2 배선들은 상기 댐부 둘레에 배치되되, 제2 배선들의 일 단부들은 상기 댐부 내에 위치할 수 있다.In addition, first wirings for electrically connecting the input / output terminals and the driving integrated circuit device are disposed outside the dam portion, and second lines for electrically connecting the driving integrated circuit device and the plurality of light emitting diode chips. Wires may be disposed around the dam, and one ends of the second wires may be located in the dam.

본 발명에 따르면, 구동 회로를 집적화한 구동 집적회로 소자를 사용하여 소형화가 가능하고, 칩-온-보드 타입으로 발광 다이오드 칩들을 실장함으로써 방열 특성을 개선할 수 있으며, 발광 다이오드 모듈 사이즈 및 두께를 감소시킬 수 있다.According to the present invention, miniaturization is possible using a driving integrated circuit device in which a driving circuit is integrated, and heat dissipation characteristics can be improved by mounting light emitting diode chips in a chip-on-board type. Can be reduced.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 조명 장치를 설명하기 위한 개략적인 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 조명 장치를 설명하기 위한 발광 다이오드 모듈(200)이 결합된 히트싱크(300)의 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈을 설명하기 위해 구동 집적회로 소자가 실장되기 전의 개략적인 평면도이고, 도 3b는 구동 집적회로 소자가 실장된 발광 다이오드 모듈(200)을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3a의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 복수의 발광 다이오드 칩의 배열을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈을 설명하기 위한 발광 다이오드 모듈의 배면도이다.
도 8a 및 도 8b는 각각 복수의 발광 다이오드 칩과 배선의 연결 구조의 실시예들을 나타내는 개략적인 평면도들이다.
도 9 (a) 및 (b)는 복수의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 칩을 설명하기 위한 개략적인 단면도 및 등가회로도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 집적회로 소자를 설명하기 위한 블록도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈의 동작을 설명하기 위한 개략도이다.1 is a schematic exploded perspective view for explaining a lighting apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of a heat sink 300 to which a light emitting diode module 200 is coupled for explaining a lighting apparatus according to an embodiment of the present invention.
3A is a schematic plan view of a light emitting diode module according to an embodiment of the present invention before mounting the driving integrated circuit device, and FIG. 3B is a view illustrating the light emitting diode module 200 on which the driving integrated circuit device is mounted. A schematic plan view for the.
4 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 3A.
5 is a schematic cross-sectional view illustrating an arrangement of a plurality of light emitting diode chips according to still another embodiment of the present invention.
6 is a schematic plan view for describing a light emitting diode module according to another embodiment of the present invention.
7 is a rear view of a light emitting diode module for explaining a light emitting diode module according to another embodiment of the present invention.
8A and 8B are schematic plan views illustrating embodiments of a connection structure of a plurality of LED chips and wirings, respectively.
9 (a) and 9 (b) are schematic cross-sectional views and an equivalent circuit diagram for describing a light emitting diode chip having a plurality of light emitting cells.
10 is a block diagram illustrating a driving integrated circuit device according to an exemplary embodiment of the present invention.
11 is a schematic diagram illustrating an operation of a light emitting diode module according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 그리고, 도면에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention; The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. In the drawings, widths, lengths, thicknesses, and the like of components may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 조명 장치를 설명하기 위한 개략적인 분해 사시도이고, 도 2는 발광 다이오드 모듈(200)이 결합된 히트싱크(300)의 평면도를 나타낸다.1 is a schematic exploded perspective view illustrating a lighting apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of a heat sink 300 to which a light emitting diode module 200 is coupled.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 조명 장치는 광학부(100), 발광 다이오드 모듈(200), 히트싱크(300) 및 소켓 베이스(400)를 포함할 수 있다.1 and 2, the lighting apparatus may include an optical unit 100, a light emitting diode module 200, a heat sink 300, and a socket base 400.

상기 히트싱크(300)는 표면적을 증가시키기 위해 요철 패턴(310)을 가질 수 있으며, 또한 광학부를 결합하기 위한 요철 패턴(320)을 가질 수 있다. 또한, 상기 히트싱크(300)는 발광 다이오드 모듈(200)을 장착하기 위한 캐비티(330)를 가질 수 있으며, 방열 하우징으로서 제공될 수 있다. 상기 요철 패턴(310)은 도시한 바와 같이 히트싱크(300)의 표면에 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 다수의 핀형으로 히트싱크(300)의 하부에 형성될 수도 있다. 히트싱크(300)는 방열 특성이 우수한 금속, 예컨대 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성될 수 있다.The heat sink 300 may have a concave-convex pattern 310 to increase the surface area, and may also have a concave-convex pattern 320 for coupling the optical unit. In addition, the heat sink 300 may have a cavity 330 for mounting the LED module 200 and may be provided as a heat dissipation housing. The concave-convex pattern 310 may be formed on the surface of the heat sink 300 as shown, but is not limited thereto and may be formed under the heat sink 300 in a plurality of fins. The heat sink 300 may be formed of a metal having excellent heat dissipation, such as aluminum or an aluminum alloy.

상기 히트싱크(300)는 소켓 베이스(400)와 발광 다이오드 모듈(200)을 전기적으로 연결하기 위해 피복 전선(도시하지 않음)이 통과하는 관통홀들(340)을 가질 수 있다.The heat sink 300 may have through holes 340 through which a covered wire (not shown) passes to electrically connect the socket base 400 and the light emitting diode module 200.

상기 발광 다이오드 모듈(200)은 발광 다이오드 칩(210) 및 구동 집적회로 소자(250)를 포함하며, 히트싱크(300) 상에 열적으로 결합된다. 발광 다이오드 모듈(200)은 히트싱크(300) 상에 직접 장착될 수 있으며, 이를 위해 상기 히트싱크(300)는 발광 다이오드 모듈(200)을 수용하기 위한 안착홈을 가질 수 있다. 예컨대, 발광 다이오드 모듈(200)은 상기 히트싱크(300)의 캐비티(330)의 바닥면에 놓일 수 있으며, 상기 바닥면에 안착홈이 형성될 수 있다. 도 2는 발광 다이오드 모듈(200)이 안착홈에 수용된 상태를 나타내며, 따라서, 발광 다이오드 모듈(200)의 위치가 고정될 수 있다.The light emitting diode module 200 includes a light emitting diode chip 210 and a driving integrated circuit device 250, and is thermally coupled on the heat sink 300. The light emitting diode module 200 may be mounted directly on the heat sink 300, and for this purpose, the heat sink 300 may have a seating groove for accommodating the light emitting diode module 200. For example, the LED module 200 may be placed on the bottom surface of the cavity 330 of the heat sink 300, and a mounting groove may be formed on the bottom surface. 2 illustrates a state in which the light emitting diode module 200 is accommodated in the mounting groove, and thus, the position of the light emitting diode module 200 may be fixed.

한편, 광학부(100)가 상기 발광 다이오드 모듈(200) 상에서 히트싱크(300)에 고정된다. 광학부(100)는 반사기(110)와 반사기를 히트싱크(300)에 결합하기 위한 결합부(120)을 포함할 수 있다. 결합부(120)에는 히트싱크(300)의 요철패턴(320)에 대응하여 홈들(125)이 마련될 수 있다.Meanwhile, the optical unit 100 is fixed to the heat sink 300 on the light emitting diode module 200. The optical unit 100 may include a reflector 110 and a coupling unit 120 for coupling the reflector to the heat sink 300. The coupling part 120 may have grooves 125 corresponding to the uneven pattern 320 of the heat sink 300.

상기 반사기(110)는 발광 다이오드 모듈(200)의 상부에 배치되며, 발광 다이오드 칩(210)에서 방출된 광을 조명 장치의 외부로 반사시킨다. 상기 반사기(110) 대신에 또는 반사기에 더하여 광학 렌즈가 결합될 수도 있다.The reflector 110 is disposed above the LED module 200 and reflects the light emitted from the LED chip 210 to the outside of the lighting device. An optical lens may be coupled instead of or in addition to the reflector 110.

한편, 소켓 베이스(400)는 히트싱크(300)의 하부에 결합된다. 상기 소켓 베이스(400)는 실리더 형태의 몸체(410), 히트싱크(300)에 끼워맞춤하기 위한 결합부(430) 및 소켓 단자들(420)을 가질 수 있다. 소켓 베이스(400)는 사용 용도에 따라 GU10 베이스, GZ10 베이스 등 다양하게 선택될 수 있다. 상기 소켓 베이스는 두개의 소켓 단자(420)를 포함할 수 있으며, 이들 소켓 단자(420)는 피복 전선(도시하지 않음)에 의해 발광 다이오드 모듈(200)에 전기적으로 연결된다.Meanwhile, the socket base 400 is coupled to the lower portion of the heat sink 300. The socket base 400 may have a cylinder-shaped body 410, a coupling part 430 for fitting to the heat sink 300, and socket terminals 420. The socket base 400 may be variously selected, such as a GU10 base and a GZ10 base, depending on the intended use. The socket base may include two socket terminals 420, which are electrically connected to the light emitting diode module 200 by shielded wires (not shown).

도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈을 설명하기 위해 구동 집적회로 소자(250)가 실장되기 전 발광 다이오드 모듈(200a)의 개략적인 평면도를 나타내고, 도 3b는 구동 집적회로 소자(250)가 실장된 발광 다이오드 모듈(200)을 설명하기 위한 개략적인 평면도를 나타낸다. 한편, 도 4는 도 3a의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도이다.FIG. 3A is a schematic plan view of the LED module 200a before the driving integrated circuit device 250 is mounted in order to explain the LED module according to the exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a view illustrating the driving integrated circuit device ( A schematic plan view for describing the LED module 200 mounted with 250 is shown. 4 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 3A.

도 3a, 도 3b 및 도 4를 참조하면, 상기 발광 다이오드 모듈(200a, 200)은 금속 인쇄회로기판, 댐부(211), 복수의 발광 다이오드 칩(210a, 210b, 210c, 210d, 220), 몰딩부(217) 및 구동 집적회로 소자(250)를 포함한다.Referring to FIGS. 3A, 3B, and 4, the LED modules 200a and 200 may include a metal printed circuit board, a dam unit 211, a plurality of LED chips 210a, 210b, 210c, 210d, and 220, and molding. The unit 217 and the driving integrated circuit device 250 are included.

한편, 상기 금속 인쇄회로기판은 금속 기판(201), 절연층(203), 입출력 단자(AC1, AC2), 배선들(C1, C2, W1, W2, W3, W4, W5), 구동 집적회로 소자(250)를 실장하기 위한 실장 영역(250a), 솔더 레지스트(209), 금속층(205) 및 반사층(207)을 포함할 수 있다. 또한, 금속 인쇄회로기판은, 그루브(G1, G2), 댐부 정렬 마킹(213) 및 가이드 실크(215)를 더 포함할 수 있다. 금속 기판(201)은 예컨대 알루미늄 기판일 수 있다. 절연층(203)은 예컨대 프리-프레그(pre-preg)로 형성될 수 있으며, 배선들(C1, C2, W1, W2, W3, W4, W5)과 금속 기판(201)을 절연시킨다.The metal printed circuit board may include a metal substrate 201, an insulating layer 203, input / output terminals AC1 and AC2, wires C1, C2, W1, W2, W3, W4, and W5, and a driving integrated circuit device. The mounting area 250a, the solder resist 209, the metal layer 205, and the reflective layer 207 for mounting the 250 may be included. In addition, the metal printed circuit board may further include grooves G1 and G2, a dam alignment marking 213, and a guide silk 215. The metal substrate 201 may be, for example, an aluminum substrate. The insulating layer 203 may be formed of, for example, pre-preg, and insulates the wirings C1, C2, W1, W2, W3, W4, and W5 from the metal substrate 201.

금속층(205)은 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 반사층은 은(Ag)을 포함할 수 있다. 상기 배선들은 금속층(205) 또는 금속층(205)과 반사층을 패터닝하여 절연층(203) 상에 형성될 수 있다.The metal layer 205 may include copper (Cu), and the reflective layer may include silver (Ag). The wires may be formed on the insulating layer 203 by patterning the metal layer 205 or the metal layer 205 and the reflective layer.

상기 솔더 레지스트(209)는 배선들(C1, C2, W1, W2, W3, W4, W5)을 덮어 솔더링 공정에서 땜납에 의해 전기적 단선이 발생되는 것을 방지한다. 상기 솔더 레지스트(209)는 피복 전선을 연결하기 위한 입출력 단자들(AC1, AC2)을 노출시키며, 각 배선들의 단부들, 즉 본딩 패드들을 노출시킨다.The solder resist 209 covers the wirings C1, C2, W1, W2, W3, W4, and W5 to prevent electrical disconnection from being generated by the solder in the soldering process. The solder resist 209 exposes the input / output terminals AC1 and AC2 for connecting the shielded wire, and exposes the ends of the wirings, that is, the bonding pads.

복수의 발광 다이오드 칩(210a, 210b, 210c, 210d, 220)은 칩-온-보드 타입으로 금속 인쇄회로기판 상에 실장된다. 즉, 발광 다이오드 패키지가 실장되는 대신, 발광 다이오드 칩이 직접 실장된다. 복수의 발광 다이오드 칩(210a, 210b, 210c, 210d, 220)은 반사층(207) 상에 접착제에 의해 접착될 수 있다. 복수의 발광 다이오드 칩은 도시한 바와 같이 연속적인 반사층(207) 상에 부착될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 금속층(205)과 반사층(207)을 패터닝하여 서로 전기적으로 이격된 반사층(207) 상에 각 발광 다이오드 칩이 배치될 수도 있다. 나아가, 상기 복수의 발광 다이오드 칩(210a, 210b, 210c, 210d, 220)은 접착제를 사용하여 절연층(203) 상에 직접 또는 금속 기판(201) 상에 직접 접착될 수도 있다.The plurality of light emitting diode chips 210a, 210b, 210c, 210d, and 220 are mounted on a metal printed circuit board in a chip-on-board type. That is, instead of mounting the LED package, the LED chip is directly mounted. The plurality of light emitting diode chips 210a, 210b, 210c, 210d, and 220 may be adhered to the reflective layer 207 by an adhesive. The plurality of light emitting diode chips may be attached to the continuous reflective layer 207 as shown, but is not limited thereto. The reflective layer 207 may be electrically spaced apart from each other by patterning the metal layer 205 and the reflective layer 207. Each light emitting diode chip may be disposed thereon. In addition, the plurality of light emitting diode chips 210a, 210b, 210c, 210d, and 220 may be directly bonded to the insulating layer 203 or directly to the metal substrate 201 using an adhesive.

상기 복수의 발광 다이오드 칩(210a, 210b, 210c, 210d, 220)은 질화갈륨 계열의 발광 다이오드 칩들(210a, 210b, 210c, 210d), 예컨대 청색 발광 다이오드 칩들과 인화갈륨 계열의 발광 다이오드 칩들(220), 예컨대 적색 발광 다이오드 칩들을 포함할 수 있다.The plurality of light emitting diode chips 210a, 210b, 210c, 210d and 220 are gallium nitride based light emitting diode chips 210a, 210b, 210c and 210d, for example, blue light emitting diode chips and gallium phosphide based light emitting diode chips 220. ), For example, red light emitting diode chips.

복수의 발광 다이오드 칩(210a, 210b, 210c, 210d, 220)은 대략 사각형 형상으로 배열될 수 있으며, 청색 발광 다이오드 칩들 사이에 적색 발광 다이오드 칩들(220)이 배치될 수 있다. 적색 발광 다이오드 칩들(220)을 중앙에 배치함으로써 조명 장치에서 방출되는 광의 중심에서 온백색이 구현되게 할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 도 5에 도시한 바와 같이, 청색 발광 다이오드 칩들(210a, 210b, 210c, 210d)을 서로 인접하도록 배치하고, 적색 발광 다이오드 칩들(220)을 청색 발광 다이오드 칩들(210a, 210b, 210c, 210d)의 외곽에 배치할 수도 있으며, 그 외 다양한 형태로 배치할 수 있다.The plurality of light emitting diode chips 210a, 210b, 210c, 210d, and 220 may be arranged in a substantially rectangular shape, and red light emitting diode chips 220 may be disposed between the blue light emitting diode chips. By arranging the red light emitting diode chips 220 in the center, warm white may be realized at the center of the light emitted from the lighting device. However, the present invention is not limited thereto, and as shown in FIG. 5, the blue light emitting diode chips 210a, 210b, 210c, and 210d are disposed to be adjacent to each other, and the red light emitting diode chips 220 are arranged as blue light emitting diodes. The chips 210a, 210b, 210c, and 210d may be disposed outside, or may be disposed in various other forms.

본 실시예에서, 상기 발광 다이오드 칩들은 네개의 구역으로 나위어 배열되어 있다. 각 구역에, 청색 발광 다이오드 칩(210; 210a, 210b, 210c 또는 210d)이 배치되어 있고, 5개의 적색 발광 다이오드 칩들(220)이 청색 발광 다이오드 칩 주위에 배치된다. 이에 따라, 두개의 청색 발광 다이오드 칩들(210) 사이에 네개의 적색 발광 다이오드 칩들(220)이 배치되며, 청색 발광 다이오드 칩들(210)로 둘러싸인 중앙영역에 네개의 적색 발광 다이오드 칩들(220)이 배치된다. 상기 발광 다이오드 칩들은 본딩 와이어에 의해 전기적으로 연결되고, 상기 각 구역들이 발광 다이오드 블록을 형성한다. 발광 다이오드 칩들의 연결 구조에 대해서는 도 8a 및 8b를 참조하여 뒤에서 상세히 설명한다.In this embodiment, the LED chips are arranged in four zones. In each zone, blue light emitting diode chips 210 (210a, 210b, 210c or 210d) are arranged, and five red light emitting diode chips 220 are arranged around the blue light emitting diode chip. Accordingly, four red light emitting diode chips 220 are disposed between the two blue light emitting diode chips 210, and four red light emitting diode chips 220 are disposed at the center region surrounded by the blue light emitting diode chips 210. do. The light emitting diode chips are electrically connected by bonding wires, and each of the regions forms a light emitting diode block. The connection structure of the LED chips will be described later in detail with reference to FIGS. 8A and 8B.

한편, 댐부(211)는 상기 발광 다이오드 칩(210a, 210b, 210c, 210d, 220)을 둘러싼다. 댐부(211)는 몰딩부(217)를 발광 다이오드 칩 실장 영역에 한정하기 위해 형성되며, 예컨대 실리콘 수지로 원형링 형상으로 형성될 수 있다. 상기 댐부(211)의 위치를 제어하기 위해 댐부 정렬 마킹(213)이 솔더 레지스트209) 상에 형성될 수 있다.Meanwhile, the dam unit 211 surrounds the light emitting diode chips 210a, 210b, 210c, 210d and 220. The dam part 211 is formed to limit the molding part 217 to the light emitting diode chip mounting area, and may be formed in a circular ring shape of, for example, a silicone resin. A dam alignment marking 213 may be formed on the solder resist 209 to control the position of the dam 211.

한편, 상기 입출력 단자들(AC1, AC2)은 교류 전원으로부터 교류 전력을 입출력하기 위한 단자 패드들이다. 상기 입출력 단자들(AC1, AC2)에 소켓 베이스(400)에 연결된 피복 전선(도시하지 않음)이 땜납 등에 의해 접속되어, 교류 전력이 입출력된다. 상기 피복 전선은 소켓 베이스(400)로부터 히트 싱크(300)의 관통홀들 및 그루브(G1, G2)를 거쳐 입출력 단자들(AC1, AC2)에 안내될 수 있다. 입출력 단자들(AC1, AC2)은 금속층(205) 또는 금속층(205)과 반사층(207)으로 형성될 수 있으며, 솔더 레지스트(209)의 개구부를 통해 외부에 노출될 수 있다.The input / output terminals AC1 and AC2 are terminal pads for inputting and outputting AC power from an AC power source. A coated wire (not shown) connected to the socket base 400 is connected to the input / output terminals AC1 and AC2 by solder or the like, and AC power is input and output. The sheathed wire may be guided to the input / output terminals AC1 and AC2 through the through holes and the grooves G1 and G2 of the heat sink 300 from the socket base 400. The input / output terminals AC1 and AC2 may be formed of the metal layer 205 or the metal layer 205 and the reflective layer 207, and may be exposed to the outside through the opening of the solder resist 209.

배선들(C1, C2)은 상기 입출력 단자들(AC1, AC2)로부터 연장되어 그 끝단이 구동 집적회로 소자(250)를 실장하기 위한 실장 영역(250a) 근처에 배치된다. 배선들(C1, C2)은 솔더 레지스트(209)에 의해 대부분 피복되고 그 끝단들은 구동 집적회로 소자(250)를 접속하기 위한 핀 패드(PP)로서 외부에 노출된다. 상기 배선들(C1, C2)은 댐부(211) 바깥쪽에 배치될 수 있다.The wirings C1 and C2 extend from the input / output terminals AC1 and AC2 and the ends thereof are disposed near the mounting area 250a for mounting the driving integrated circuit device 250. The wirings C1 and C2 are mostly covered by the solder resist 209 and the ends thereof are exposed to the outside as the pin pad PP for connecting the driving integrated circuit device 250. The wires C1 and C2 may be disposed outside the dam 211.

한편, 배선들(W1, W2, W3, W4, W5)은 상기 구동 집적회로 소자 실장 영역(250a) 근처에 핀 패드들(PP)을 갖고, 핀 패드들로부터 복수의 발광 다이오드 칩 근처로 연장하며, 복수의 발광 다이오드 칩 근처에 단부들을 갖는다. 상기 배선들(W1, W2, W3, W4, W5)의 단부들은 댐부(211) 내에 배치되며, 상기 배선들(W1, W2, W3, W4, W5)은 댐부(211) 둘레에 배치된다. 상기 댐부(211) 내에 배치된 단부들은 각각 본딩 와이어들을 연결하기 위한 패드들(P1, P2, P3, P4, P5)로서 솔더 레지스트(209)의 개구부를 통해 외부에 노출된다.Meanwhile, the wirings W1, W2, W3, W4, and W5 have pin pads PP near the driving integrated circuit device mounting area 250a and extend from the pin pads to a plurality of light emitting diode chips. And ends near the plurality of light emitting diode chips. End portions of the wires W1, W2, W3, W4, and W5 are disposed in the dam portion 211, and the wires W1, W2, W3, W4, and W5 are disposed around the dam portion 211. End portions disposed in the dam portion 211 are exposed to the outside through the openings of the solder resist 209 as pads P1, P2, P3, P4, and P5 for connecting bonding wires, respectively.

실장영역(250a)은 구동 집적회로 소자(250)를 실장하기 위한 금속 인쇄회로기판의 영역으로, 금속층(205) 또는 금속층(205)과 반사층(207)이 노출될 수 있다. 상기 실장 영역(250a)에, 도 3b에 도시한 바와 같이, 구동 집적회로 소자(250)가 실장된다. 구동 집적회로 소자(250)는 칩 또는 패키지 형태로 제공되며, 핀 패드들(PP)에 본딩 와이어 또는 땜납에 의해 전기적으로 연결된다.The mounting area 250a is an area of the metal printed circuit board for mounting the driving integrated circuit device 250, and the metal layer 205 or the metal layer 205 and the reflective layer 207 may be exposed. In the mounting region 250a, as shown in FIG. 3B, a driving integrated circuit device 250 is mounted. The driving integrated circuit device 250 is provided in a chip or package form and is electrically connected to the pin pads PP by bonding wires or solder.

구동 집적회로 소자 실장영역(250a)은 금속 인쇄회로기판을 소형화하도록 그 위치가 설정될 수 있다. 상기 금속 인쇄회로기판이 전체적으로 정사각형 형상인 경우, 상기 실장 영역(250a)은 도 3a에 도시한 바와 같이 정사각형의 모서리(corner) 근처에 배치되는 것이 바람직하다. 이와 달리, 상기 금속 인쇄회로기판이 전체적으로 직사각형 형상인 경우, 실장 영역(250a)은 도 7에 도시한 바와 같이, 변의 중심 근처에 배치될 수 있다. 도 7과 같이 실장 영역(250a)을 변의 중심 근처에 배치함으로써 배선들(W1, W2, W3, W4, W5)을 대칭 형상으로 배치할 수 있으며, 배선들의 전체 길이를 감소시킬 수 있다.The driving integrated circuit device mounting area 250a may be set to reduce the size of the metal printed circuit board. When the metal printed circuit board is generally square in shape, the mounting area 250a may be disposed near a corner of the square as shown in FIG. 3A. In contrast, when the metal printed circuit board is generally rectangular in shape, the mounting area 250a may be disposed near the center of the side as shown in FIG. 7. As shown in FIG. 7, the wirings W1, W2, W3, W4, and W5 may be arranged in a symmetrical shape by arranging the mounting region 250a near the center of the side, and the overall length of the wirings may be reduced.

나아가, 상기 실장 영역(250a)은 금속 인쇄회로기판의 배면에 형성될 수도 있다. 이에 따라, 도 8에 도시한 바와 같이, 구동 집적회로 소자(250)가 금속 인쇄회로기판의 배면에 실장된다. 이 경우, 핀 패드들(PP)은 금속 인쇄회로기판의 배면에 형성되며, 금속 기판(201)을 통해 상면의 배선들(C1, C2, W1~W5)에 연결될 수 있다. 상기 핀 패드들(PP)은 금속 기판(201)으로부터 절연된다. 구동 집적회로 소자(250)을 금속 인쇄회로기판의 배면에 실장함에 따라, 금속 인쇄회로기판의 전체 크기를 더 소형화할 수 있다. 또한, 구동 집적회로 소자(250)가 히트싱크(300)에 직접 접할 수 있어 방열 특성을 더욱 개선할 수 있다.In addition, the mounting area 250a may be formed on the rear surface of the metal printed circuit board. Accordingly, as shown in FIG. 8, the driving integrated circuit device 250 is mounted on the rear surface of the metal printed circuit board. In this case, the pin pads PP may be formed on the rear surface of the metal printed circuit board and may be connected to the wirings C1, C2, W1 to W5 on the upper surface through the metal substrate 201. The pin pads PP are insulated from the metal substrate 201. As the driving integrated circuit device 250 is mounted on the rear surface of the metal printed circuit board, the overall size of the metal printed circuit board may be further reduced. In addition, since the driving integrated circuit device 250 may directly contact the heat sink 300, heat dissipation characteristics may be further improved.

한편, 가이드 실크(215)는 금속 인쇄회로기판의 가장자리를 따라 배치된다. 가이드 실크(215)는 IR 잉크와 같은 절연 재료의 잉크를 사용하여 실크 스크린 기술에 의해 형성될 수 있으며, 발광 다이오드 칩 및 구동 집적회로 소자의 내전압 특성을 향상시킨다. Meanwhile, the guide silk 215 is disposed along the edge of the metal printed circuit board. Guide silk 215 may be formed by silk screen technology using an ink of an insulating material, such as IR ink, to improve the breakdown voltage characteristics of light emitting diode chips and driving integrated circuit devices.

몰딩부(217)는 상기 댐부(211) 내에서 발광 다이오드 칩(210a, 210b, 210c, 210d, 220)을 덮는다. 몰딩부(217)는 실리콘 수지로 형성될 수 있으며, 형광체를 함유할 수 있다. 발광 다이오드 칩(210a, 210b, 210c, 210d, 220)과 형광체의 조합에 의해 백색광이 구현되는 조명 장치가 제공될 수 있다.The molding part 217 covers the light emitting diode chips 210a, 210b, 210c, 210d and 220 in the dam part 211. The molding part 217 may be formed of a silicone resin and may contain a phosphor. A lighting device in which white light is realized by a combination of the light emitting diode chips 210a, 210b, 210c, 210d, and 220 and a phosphor may be provided.

도 8a 및 도 8b는 각각 복수의 발광 다이오드 칩과 배선의 연결 구조의 실시예들을 나타내는 개략적인 평면도들이다. 도 8a는 발광 다이오드 칩들(210a, 210b, 210c, 210d)로 둘러싸인 중앙 영역에도 발광 다이오드 칩들(220)이 배치된 것을 나타내며, 도 8b는 중앙영역의 발광 다이오드 칩들(220)이 제거된 예를 나타낸다.8A and 8B are schematic plan views illustrating embodiments of a connection structure of a plurality of LED chips and wirings, respectively. FIG. 8A illustrates that the LED chips 220 are also disposed in the center region surrounded by the LED chips 210a, 210b, 210c and 210d, and FIG. 8B illustrates an example in which the LED chips 220 in the center region are removed. .

도 8a 및 8b를 참조하면, 본딩와이어들(BW)에 의해 복수의 발광다이오드 칩(210a, 210b, 210c, 210d, 220)이 서로 직렬 연결되고, 또한, 배선(W1~W5)의 패드(P1~P5)가 본딩 와이어들(BW)에 의해 발광 다이오드 칩들에 전기적으로 연결된다.8A and 8B, the plurality of light emitting diode chips 210a, 210b, 210c, 210d, and 220 are connected to each other in series by the bonding wires BW, and the pads P1 of the wirings W1 to W5 are connected. P5 is electrically connected to the LED chips by bonding wires BW.

구체적으로, 배선(W1)의 패드(P1)가 본딩 와이어(BW)에 의해 발광 다이오드 칩(210a)의 p형 전극 패드에 접속하고, 발광 다이오드 칩(210a)의 n형 전극 패드는 발광 다이오드 칩(220)의 p형 전극 패드에 접속한다. 제1 블록 내의 발광 다이오드 칩들(220)이 서로 직렬 연결되고, 마지막 발광 다이오드 칩(220)의 n형 전극 패드는 배선(W2)의 패드(P2)에 본딩 와이어(BW)에 연결된다. 패드(P2)는 다시 제2 블록 내의 발광 다이오드 칩(220)의 p형 전극 패드에 연결된다. 이와 같이, 제1 내지 제4 블록에서 각 발광 다이오드 칩(210)과 발광 다이오드 칩들(220)이 서로 직렬 연결되며, 직렬 연결된 제1 내지 제4 블록의 양 끝단에 배선들(W1, W2)이 각각 연결되고, 제1 내지 제4 블록들 사이의 노드들에 배선들(W2, W3, W4)이 전기적으로 연결된다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드 블록들(L1~L4)의 전기적 연결 구조에 대한 등가회로도는 도 10에 나타나 있다.Specifically, the pad P1 of the wiring W1 is connected to the p-type electrode pad of the LED chip 210a by the bonding wire BW, and the n-type electrode pad of the LED chip 210a is the LED chip. The p-type electrode pad of 220 is connected. The LED chips 220 in the first block are connected to each other in series, and the n-type electrode pad of the last LED chip 220 is connected to the bonding wire BW to the pad P2 of the wiring W2. The pad P2 is again connected to the p-type electrode pad of the LED chip 220 in the second block. As described above, the LED chips 210 and the LED chips 220 are connected to each other in series in the first to fourth blocks, and the wirings W1 and W2 are connected to both ends of the first to fourth blocks connected in series. The wires W2, W3, and W4 are electrically connected to nodes between the first to fourth blocks, respectively. An equivalent circuit diagram of the electrical connection structure of the LED blocks L1 to L4 according to the present embodiment is shown in FIG. 10.

도 8a의 예에서, 각 블록 내에 1개의 발광 다이오드 칩(210)과 5개의 발광 다이오드 칩들(220)이 서로 직렬 연결되며, 도 8b의 예에서, 각 블록 내에 1개의 발광 다이오드 칩(210)과 4개의 발광 다이오드 칩들(220)이 서로 직렬 연결된다. 상기 발광 다이오드 칩들(210) 및 발광 다이오드 칩들(220)의 개수는 상용 전압의 수준에 따라 조절 가능하다.In the example of FIG. 8A, one light emitting diode chip 210 and five light emitting diode chips 220 are connected to each other in series in each block. In the example of FIG. 8B, one light emitting diode chip 210 and one light emitting diode chip 210 are included in each block. Four LED chips 220 are connected in series with each other. The number of the light emitting diode chips 210 and the light emitting diode chips 220 may be adjusted according to the level of a commercial voltage.

본 실시예에 있어서, 발광 다이오드 칩(210) 발광 다이오드 칩(220)이 수평형 구조의 발광 다이오드 칩, 즉 2 본딩 다이인 것을 예로서 설명하지만, 상기 발광 다이오드 칩들(210, 220)은 수직형 구조일 수도 있다. 이 경우, 발광 다이오드 칩(210, 220)들은 개별적으로 분리된 금속층(205) 및 반사층(207) 상에 각각 배치되고, 본딩 와이어들 중 일부는 반사층(207, 또는 금속층(205))에 본딩될 수 있다.In the present embodiment, the light emitting diode chip 210 is described as an example of the light emitting diode chip 220 of a horizontal structure, that is, two bonding dies, but the light emitting diode chips 210 and 220 are vertical. It may be a structure. In this case, the LED chips 210 and 220 are respectively disposed on the separately separated metal layer 205 and the reflective layer 207, and some of the bonding wires are to be bonded to the reflective layer 207 or the metal layer 205. Can be.

본 실시예에 있어서, 발광 다이오드 칩들이 서로 직렬 연결된 것을 개시하지만, 본딩 와이어들의 연결에 의해 다양한 형태의 전기적 연결이 가능하다. 예컨대, 직렬 연결된 2개의 블록들이 서로 반대극성으로 연결될 수도 있다. 블록들이 반대 극성으로 연결되어도, 각 블록들 사이의 노드들이 배선들(W2, W3, W4)에 연결됨으로써 전류 경로가 형성될 수 있다.In the present embodiment, it is disclosed that the LED chips are connected in series with each other, but various types of electrical connection are possible by connecting the bonding wires. For example, two blocks connected in series may be connected to each other in opposite polarity. Even though the blocks are connected with opposite polarities, current paths may be formed by connecting nodes between the blocks to the wirings W2, W3, and W4.

앞의 실시예들에 있어서, 발광 다이오드 칩들(210; 210a, 210b, 210c, 210d)은 질화갈륨 계열의 발광 다이오드 칩으로서, 예컨대 일반적인 청색 발광 다이오드 칩들이 사용될 수 있음을 설명하였다. 그러나, 단일의 발광 다이오드 칩들을 배치하여 상용의 교류 전원의 고전압을 전압 강하하지 않고 사용하기 위해서는 상당히 많은 수의 발광 다이오드 칩들을 직렬 연결하지 않으면 안 된다. 이에 반해, 상기 발광 다이오드 칩들(210)이 직렬 연결된 복수의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 칩일 경우, 사용되는 발광 다이오드 칩의 개수를 줄일 수 있어 발광 다이오드 모듈을 소형화할 수 있다.In the above embodiments, the light emitting diode chips 210 (210a, 210b, 210c, and 210d) have been described as gallium nitride based light emitting diode chips, for example, general blue light emitting diode chips may be used. However, in order to arrange a single light emitting diode chip and use the high voltage of a commercial AC power supply without voltage drop, a large number of light emitting diode chips must be connected in series. In contrast, when the light emitting diode chips 210 are light emitting diode chips having a plurality of light emitting cells connected in series, the number of light emitting diode chips used may be reduced, thereby miniaturizing the light emitting diode module.

도 9(a)는 복수의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 칩(210)을 설명하기 위한 단면도이고, 도 9(b)는 직렬 연결된 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 칩(210)을 설명하기 위한 등가회로도이다.FIG. 9A is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode chip 210 having a plurality of light emitting cells, and FIG. 9B is an equivalent circuit diagram illustrating a light emitting diode chip 210 having light emitting cells connected in series. .

도 9(a)를 참조하면, 발광 다이오드 칩(210)은 기판(21), 복수의 발광셀들(30), 발광셀들(30)을 전기적으로 연결하는 배선들(35)을 포함하며, 버퍼층(23), 투명 도전층(31), 제1 절연층(33), 제2 절연층(35), 분포 브래그 반사기(45) 및 금속층(47)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9A, the LED chip 210 includes a substrate 21, a plurality of light emitting cells 30, and wires 35 electrically connecting the light emitting cells 30. A buffer layer 23, a transparent conductive layer 31, a first insulating layer 33, a second insulating layer 35, a distributed Bragg reflector 45, and a metal layer 47 may be included.

기판(21)은 사파이어, 실리콘 탄화물 또는 실리콘 기판 등 질화갈륨계 반도체층을 성장시키기 위한 성장기판일 수 있다. 각 발광셀(30)은 제1 도전형 반도체층(25), 활성층(27) 및 제2 도전형 반도체층(29)을 포함한다. 이들 반도체층(29)은 질화갈륨계 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 한편, 제2 도전형 반도체층(29) 상에 투명 도전층(31)이 위치하여 제2 도전형 반도체층(29)에 오믹콘택할 수 있다. 배선(35)은 하나의 발광셀(30)의 제1 도전형 반도체층(25)을 그것에 인접한 다른 발광셀(30)의 제2 도전형 반도체층(29)에 전기적으로 연결한다. 상기 배선들(35)에 의해 도 9(b)에 도시한 바와 같이 단일 기판(21) 상에서 전극 패드들(51, 53) 사이에서 복수의 발광셀들(30)이 직렬 연결된 어레이가 형성될 수 있다. The substrate 21 may be a growth substrate for growing a gallium nitride based semiconductor layer such as sapphire, silicon carbide, or silicon substrate. Each light emitting cell 30 includes a first conductive semiconductor layer 25, an active layer 27, and a second conductive semiconductor layer 29. These semiconductor layers 29 may be formed of a gallium nitride compound semiconductor. Meanwhile, the transparent conductive layer 31 may be positioned on the second conductive semiconductor layer 29 to make ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 29. The wiring 35 electrically connects the first conductive semiconductor layer 25 of one light emitting cell 30 to the second conductive semiconductor layer 29 of another light emitting cell 30 adjacent thereto. As shown in FIG. 9B, an array in which a plurality of light emitting cells 30 are connected in series between the electrode pads 51 and 53 may be formed on the single substrate 21 by the wirings 35. have.

한편, 배선(35)에 의해 제1 도전형 반도체층(25)과 제2 도전형 반도체층(29)이 단락되는 것을 방지하기 위해 제1 절연층(33)이 발광셀(30)과 배선(35) 사이에 개재될 수 있다. 또한, 발광셀(30) 및 배선들(35)을 보호하기 위해 제2 절연층(37)이 발광셀(30) 및 배선들(35)을 덮을 수 있으며, 또한 제2 절연층(37)은 제1 절연층(33)을 덮는다. 상기 제1 절연층(33) 및 제2 절연층(37)은 동일한 재질의 물질막 예컨대, 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성될 수 있으며, 각각 단일층으로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제2 절연층(37)이 제1 절연층(33)으로부터 박리되는 것을 방지하기 위해, 상기 제2 절연층(37)이 제1 절연층(33)에 비해 상대적으로 얇을 수 있다.On the other hand, in order to prevent the first conductive semiconductor layer 25 and the second conductive semiconductor layer 29 from being shorted by the wiring 35, the first insulating layer 33 is connected to the light emitting cell 30 and the wiring ( 35) may be intervened. In addition, in order to protect the light emitting cell 30 and the wirings 35, the second insulating layer 37 may cover the light emitting cell 30 and the wirings 35, and the second insulating layer 37 may be The first insulating layer 33 is covered. The first insulating layer 33 and the second insulating layer 37 may be formed of a material film of the same material, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film, and each may be formed of a single layer. In this case, in order to prevent the second insulating layer 37 from being peeled from the first insulating layer 33, the second insulating layer 37 may be relatively thinner than the first insulating layer 33. .

한편, 상기 기판(21)의 하부에 하부 분포 브래그 반사기(45)가 위치할 수 있다. 상기 하부 분포 브래그 반사기(45)는 굴절률이 서로 다른 절연층들을 교대로 적층함으로써 형성되며, 청색 파장 영역의 광, 예컨대 활성층(27)에서 생성된 광뿐만 아니라, 황색 파장 영역의 광 혹은 녹색 및/또는 적색 파장 영역의 광에 대해서도 상대적으로 높은, 바람직하게 90% 이상의 반사율을 갖는다. 나아가, 상기 하부 분포 브래그 반사기(45)는 예컨대 400~700nm의 파장 범위에 걸쳐 전체적으로 90% 이상의 반사율을 가질 수도 있다.Meanwhile, a lower distribution Bragg reflector 45 may be positioned below the substrate 21. The lower distribution Bragg reflector 45 is formed by alternately stacking insulating layers having different refractive indices, and is not only light generated in a blue wavelength region, for example, light generated in the active layer 27, but also light or green and / or in a yellow wavelength region. Or relatively high, preferably 90% or more, of light in the red wavelength region. Further, the lower distribution Bragg reflector 45 may have a reflectivity of 90% or more as a whole over a wavelength range of, for example, 400 to 700 nm.

넓은 파장 영역에 걸쳐 상대적으로 높은 반사율을 갖는 하부 분포 브래그 반사기(45)는 반복 적층되는 재료층들의 각 광학 두께를 제어함으로써 형성된다. 상기 하부 분포 브래그 반사기(45)는 예컨대, SiO2의 제1층과 TiO2의 제2층을 교대로 적층하여 형성되거나, SiO2의 제1층과 Nb2O5의 제2층을 교대로 적층하여 형성될 수 있다. TiO2에 비해 Nb2O5의 광 흡수율이 상대적으로 작기 때문에, SiO2의 제1층과 Nb2O5의 제2층을 교대로 적층하는 것이 더 바람직하다. 제1층과 제2층의 적층수가 증가할수록 분포 브래그 반사기(45)의 반사율이 더욱 안정적이며, 예컨대, 분포 브래그 반사기(40)의 적층수는 40층 이상, 즉 20쌍 이상일 수 있다.The lower distribution Bragg reflector 45, which has a relatively high reflectance over a wide wavelength region, is formed by controlling the respective optical thicknesses of the layers of material that are repeatedly stacked. The lower distribution Bragg reflector 45 is formed by alternately stacking, for example, a first layer of SiO 2 and a second layer of TiO 2 , or alternately between a first layer of SiO 2 and a second layer of Nb 2 O 5 . It can be formed by laminating. Since the light absorption of Nb 2 O 5 is relatively smaller than that of TiO 2 , it is more preferable to alternately stack the first layer of SiO 2 and the second layer of Nb 2 O 5 . As the number of stacked layers of the first and second layers increases, the reflectance of the distributed Bragg reflector 45 is more stable. For example, the number of stacked Bragg reflectors 40 may be 40 or more, that is, 20 pairs or more.

교대로 적층되는 제1층들 또는 제2층들이 모두 동일한 두께를 가질 필요는 없으며, 활성층(27)에서 생성된 광의 파장뿐만 아니라 가시영역의 다른 파장에 대해서도 상대적으로 높은 반사율을 갖도록 제1층들 및 제2층들의 두께가 선택된다. 또한, 특정 파장 대역에 대해 반사율이 높은 복수의 분포 브래그 반사기들을 적층하여 상기 하부 분포 브래그 반사기(45)를 형성할 수도 있다.The first or second layers stacked alternately do not have to have the same thickness, and the first layers and the first layers and the first layers and the second layers do not have to have the same thickness, but have relatively high reflectance not only for the wavelength of the light generated in the active layer 27 but also for other wavelengths in the visible region. The thickness of the two layers is chosen. In addition, the lower distribution Bragg reflector 45 may be formed by stacking a plurality of distribution Bragg reflectors having a high reflectance for a specific wavelength band.

상기 하부 분포 브래그 반사기(45)를 채택함으로써, 몰딩부(도 4의 217)의 형광체에서 변환된 광이 다시 기판(21)쪽으로 입사될 때, 이 입사된 광을 다시 반사시켜 외부로 방출할 수 있으며, 따라서 광 효율을 개선할 수 있다.By adopting the lower distribution Bragg reflector 45, when the light converted from the phosphor of the molding part 217 of FIG. 4 is incident again toward the substrate 21, the incident light can be reflected again and emitted to the outside. Therefore, the light efficiency can be improved.

또한, 금속층(47)이 상기 하부 분포 브래그 반사기(45)의 하부에 위치할 수 있다. 상기 금속층(47)은 하부 분포 브래그 반사기(45)를 투과한 광을 반사시키기 위해 알루미늄과 같은 반사 금속으로 형성될 수 있으나, 반사 금속 이외의 금속으로 형성될 수도 있다. 더욱이, 금속층(47)은 적층 구조체(30)에서 생성된 열을 외부로 방출하는 것을 도와, 발광 다이오드 칩(102)의 열 방출 성능을 향상시킨다.In addition, the metal layer 47 may be positioned under the lower distribution Bragg reflector 45. The metal layer 47 may be formed of a reflective metal such as aluminum to reflect light transmitted through the lower distribution Bragg reflector 45, but may be formed of a metal other than the reflective metal. Furthermore, the metal layer 47 helps to release heat generated in the stacked structure 30 to the outside, thereby improving the heat dissipation performance of the light emitting diode chip 102.

본 발명에 따르면, 직렬 연결된 복수의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 칩을 이용함으로써 적은 수의 발광 다이오드 칩으로 고전압에서 구동될 수 있으면서도 크기가 작은 발광 다이오드 모듈(200)을 제공할 수 있다.According to the present invention, by using a light emitting diode chip having a plurality of light emitting cells connected in series, it is possible to provide a small size light emitting diode module 200 that can be driven at a high voltage with a small number of light emitting diode chips.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 블록(L1~L4)을 구동하기 위한 구동 집적회로 소자(250)의 구성 블록도를 나타낸다.FIG. 10 is a block diagram illustrating a driving integrated circuit device 250 for driving light emitting diode blocks L1 to L4 according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 구동 집적회로 소자(250)는 정류부(260), 구동 제어부(270), 정전류 구동부(280), 제어 전원 공급부(290)를 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 10, the driving integrated circuit device 250 may include a rectifier 260, a drive controller 270, a constant current driver 280, and a control power supply 290.

발광 다이오드 블록(L1~L4)은 각각 단일의 발광 다이오드 칩을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 앞서 설명한 바와 같이, 청색 발광 다이오드 칩과 적색 발광 다이오드 칩의 조합으로 구성될 수 있다. 또한, 상기 청색 발광 다이오드 칩은 도 9를 참조하여 설명한 바와 같이 단일 기판 상에 복수의 발광셀들이 직렬 연결된 고전압 발광 다이오드 칩일 수 있다. 여기에서는 4개의 발광 다이오드 블록(L1~L4)이 직렬로 연결된 발광 다이오드 어레이가 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 발광 다이오드 어레이를 구성하는 발광 다이오드의 블록의 수, 발광 다이오드 어레이의 수 및 연결구조는 필요에 따라 얼마든지 변경이 가능하다.Each of the light emitting diode blocks L1 to L4 may include a single light emitting diode chip, but is not limited thereto. As described above, the light emitting diode blocks L1 to L4 may include a combination of a blue light emitting diode chip and a red light emitting diode chip. In addition, the blue light emitting diode chip may be a high voltage light emitting diode chip in which a plurality of light emitting cells are connected in series on a single substrate as described with reference to FIG. 9. Here, a light emitting diode array in which four light emitting diode blocks L1 to L4 are connected in series is illustrated, but the present invention is not limited thereto. The number of blocks of light emitting diodes, the number of light emitting diode arrays, and the connection structure of the light emitting diode array may be changed as necessary.

정류부(260)는 상용 교류 전원(10)을 입력받아 전파정류하여 구동전압을 출력한다. 예컨대, 정류부(260)는 브리지 다이오드를 포함할 수 있다.The rectifying unit 260 receives the commercial AC power supply 10 and rectifies the full wave to output a driving voltage. For example, the rectifier 260 may include a bridge diode.

구동 제어부(270)는 정류부(260)를 통해 출력된 구동전압의 주파수에 따라 동기 신호 및 클럭을 발생시키고, 클럭 수에 따라 소정의 구간을 설정하고, 발광 다이오드 블록(L1~L4)을 구동하기 위해 미리 저장된 구동 정보들 중에서 해당 구간에 대응하는 구동 정보를 이용하여 구동 제어 신호를 생성한다.The driving controller 270 generates a synchronization signal and a clock according to the frequency of the driving voltage output through the rectifier 260, sets a predetermined section according to the number of clocks, and drives the light emitting diode blocks L1 to L4. In order to generate the drive control signal using the drive information corresponding to the corresponding section among the previously stored drive information.

여기에서, 구동 제어부(270)에 미리 저장된 구동 정보는 입력전원(10)의 전압을 고려하여 발광 다이오드 블록(L1~L4)을 구성하는 각 발광 다이오드 블록이 최적의 효율, 역률 및 저고조파 특성을 가지고 구동되게 하기 위한 구동 파형 데이터를 포함한다.Herein, the driving information stored in advance in the driving controller 270 may be determined by the LED blocks constituting the LED blocks L1 to L4 in consideration of the voltage of the input power source 10 to provide the optimum efficiency, power factor, and low harmonic characteristics. Drive waveform data to be driven with the drive.

구동 제어부(270)는 동기신호 및 클럭 발생부(271), 구동 데이터 저장부(275), 디지털 제어부(273), 디지털-아날로그 제어부(277)를 포함하여 구성될 수 있다.The driving controller 270 may include a synchronization signal and clock generator 271, a driving data storage 275, a digital controller 273, and a digital-analog controller 277.

동기 신호 및 클럭 발생부(271)는 구동 전압을 검출하여 구동 전압의 주파수에 따라 동기 신호 및 클럭을 발생시킨다. 이를 위해 동기 신호 및 클럭 발생부(271)는 구동 전압 주파수에 대응하는 동기 신호 및 구동 전압 주파수의 수배 이상 주파수를 가지는 발진 주파수를 사용하여 클럭을 발생시킨다.The synchronization signal and clock generator 271 detects the driving voltage to generate the synchronization signal and the clock according to the frequency of the driving voltage. To this end, the synchronization signal and clock generator 271 generates a clock using a synchronization signal corresponding to the driving voltage frequency and an oscillation frequency having a frequency several times or more of the driving voltage frequency.

동기 신호 및 클럭 발생부(271)에 의해 발생된 동기 신호 및 클럭은, 발광 다이오드 블록(L1~L4)을 구성하는 각 발광 다이오드 블록의 전류 파형을 시간에 따라 제어하기 위해 구동 데이터 저장부(275)에 저장되어 있는 구동 데이터를 읽어들이기 위한 동기 신호 및 클럭으로 사용된다. The synchronization signal and clock generated by the synchronization signal and clock generator 271 are driven by the drive data storage unit 275 in order to control the current waveform of each light emitting diode block constituting the light emitting diode blocks L1 to L4 over time. It is used as a synchronous signal and a clock for reading the drive data stored in the).

구동 데이터 저장부(275)는 발광 다이오드 블록(L1~L4)을 구성하는 각 발광 다이오드 블록의 전류 파형을 시간에 따라 제어하기 위한 각종 구동 데이터를 어드레스별로 저장할 수 있다. 각 어드레스별로 저장된 구동 데이터에는 구동 전류의 크기와 펄스폭 정보가 포함되어 있다. The driving data storage unit 275 may store various driving data for controlling the current waveform of each of the light emitting diode blocks constituting the light emitting diode blocks L1 to L4 according to time. The driving data stored for each address includes the magnitude of the driving current and the pulse width information.

따라서, 구동 데이터 저장부(275)는 디지털 제어부(273)로부터 임의의 어드레스가 입력되면, 해당 어드레스에 저장된 구동 데이터를 디지털 제어부(273)에 출력한다. Therefore, when an arbitrary address is input from the digital control unit 273, the driving data storage unit 275 outputs the driving data stored at the address to the digital control unit 273.

구동 데이터 저장부(275)는 예컨대, ROM 셀(cell) 형태로 구현되어 ROM 코딩 기반 전류 제어 기술을 가능하게 할 수 있다. ROM 셀(cell)은 N-비트(bit) X M-워드(word)로 구성될 수 있다. 롬 데이터는 복수개의 채널을 각각 제어할 수 있도록 구성가능하고, 각 채널 마다 전류 제어 비트, PWM 제어 비트, 출력 제어 비트를 갖도록 설계될 수 있다. 또한 향후 특성 수정을 위해 예컨대, 최상위의 2 비트를 예비(reserved bit)로 남겨둘 수 있다.The driving data storage 275 may be implemented, for example, in the form of a ROM cell to enable a ROM coding based current control technique. The ROM cell may consist of N-bit X M-words. The ROM data is configurable to control each of a plurality of channels, and may be designed to have a current control bit, a PWM control bit, and an output control bit for each channel. It is also possible to leave the two most significant bits, for example, as reserved bits for future feature modifications.

구동 데이터 저장부(275)에 저장되어 있는 구동 데이터는, 발광 다이오드 블록(L1~L4)에 인가되는 구동 전원의 한 주기 또는 반주기에 해당하는 구간을 여러 개의 구간으로 나눌 때, 나누어진 각각의 구간에서 발광 다이오드 블록(L1~L4)을 구성하는 각 발광 다이오드 블록의 구동에 관련된 데이터들을 포함한다. The driving data stored in the driving data storage unit 275 is divided into a plurality of sections when a section corresponding to one cycle or half cycle of the driving power applied to the light emitting diode blocks L1 to L4 is divided into several sections. Includes data related to driving of each of the light emitting diode blocks constituting the light emitting diode blocks L1 to L4.

예컨대, 구동 데이터 저장부(275)에 저장되어 있는 구동 데이터는, 그 구간에서 선택될 정전류 구동부(280)의 정보와, 선택된 정전류 구동부(280)가 흘려야할 전류의 데이터값과, 그 구간에서의 전류 펄스폭과 같은 구동 데이터를 포함할 수 있다. 이외에도 구동 데이터는 구동하고자 하는 발광 다이오드의 특성, 연결된 발광 다이오드의 개수, 입력되는 구동 전원의 전압과 주파수, 사용하고자 하는 전력, 조명 장치의 효율, 역률, 및 고조파 사양에 대응하여 최적의 구동 데이터들을 포함할 수 있다. 구동 데이터 저장부(275)에 저장되는 구동 데이터는 설계자의 필요에 따라 다양하게 변형하여 발광 다이오드 구동 전류의 크기, 형태, 주파수등을 조절할 수 있다.For example, the drive data stored in the drive data storage unit 275 may include information of the constant current driver 280 to be selected in the section, data values of the current to which the selected constant current driver 280 flows, and Drive data such as current pulse width. In addition, the driving data may be optimized to correspond to the characteristics of the light emitting diode to be driven, the number of connected LEDs, the voltage and frequency of the input driving power, the power to be used, the efficiency of the lighting device, the power factor, and the harmonic specifications. It may include. The driving data stored in the driving data storage unit 275 may be variously modified according to a designer's needs to adjust the size, shape, frequency, and the like of the LED driving current.

디지털 제어부(273)는 동기 신호 및 클럭 발생부(271)로부터 생성된 클럭을 입력받아, 클럭에 상응하여 해당 시점에서의 구동 데이터를 구동 데이터 저장부(275)로부터 읽어들여 읽어들인 구동 데이터에 따라 정전류 구동부(280)의 동작을 선택하고 각각에 맞는 펄스 공급을 제어한다. The digital controller 273 receives the clock generated from the synchronization signal and the clock generator 271 and according to the drive data read from the drive data storage unit 275 to read the drive data at the corresponding time point corresponding to the clock. The operation of the constant current driver 280 is selected and the pulse supply for each is controlled.

디지털 제어부(273)는 동기 신호 및 클럭 발생부(271)로부터 생성된 클럭을 이용하여 구동 데이터 저장부(275)에 저장된 구동 데이터를 요청한다. 디지털 제어부(273)는 클럭 수에 상응하여 임의의 어드레스 정보를 구동 데이터 저장부(275)에 줄 수 있다. 이에 따라, 구동 데이터 저장부(275)는 해당 어드레스에 저장된 구동 데이터를 디지털 제어부(273)에 출력한다. 디지털 제어부(273)는 구동 데이터 저장부(275)로부터 전달되는 구동 데이터에 상응하여 발광 다이오드 블록(L1~L4)을 구성하는 발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하기 위하여 정전류 구동부(280)에 대한 제어 신호를 생성한다. 이때, 디지털 제어부(273)의 출력은 디지털 신호일 수 있다.The digital controller 273 requests the drive data stored in the drive data storage 275 using the synchronization signal and the clock generated by the clock generator 271. The digital controller 273 may give arbitrary address information to the driving data storage 275 in correspondence with the number of clocks. Accordingly, the drive data storage 275 outputs drive data stored at the corresponding address to the digital control unit 273. The digital controller 273 controls a current for the constant current driver 280 to control a current flowing through the light emitting diodes constituting the light emitting diode blocks L1 to L4 in response to the drive data transmitted from the drive data storage 275. Create In this case, the output of the digital controller 273 may be a digital signal.

디지털-아날로그 제어부(277)는 디지털 제어부(273)로부터의 디지털 신호를 입력받아 정전류 구동부(280)를 제어하기 위한 아날로그 신호로 변환한다.The digital-analog controller 277 receives a digital signal from the digital controller 273 and converts the digital signal into an analog signal for controlling the constant current driver 280.

정전류 구동부(280)는 디지털-아날로그 제어부(277)로부터 생성된 구동 제어 신호에 따라 발광 다이오드 블록(L1~L4)을 구동하기 위해, 발광 다이오드 블록(L1~L4)을 구성하는 각 발광 다이오드 블록에 인가되는 정전류를 가변적으로 제어한다.The constant current driver 280 is configured to drive the light emitting diode blocks L1 to L4 according to the driving control signal generated from the digital-analog control unit 277, to each light emitting diode block constituting the light emitting diode blocks L1 to L4. Variable current is controlled variably.

정전류 구동부(280)는 발광 다이오드 블록(L1~L4)을 구성하는 발광 다이오드의 개수, 어레이수, 배치에 따라 그 개수 및 배치가 결정될 수 있다. 예컨대, 정전류 구동부(280)는 발광 다이오드 블록(L1~L4)을 구성하고 있는 직렬 연결된 각각의 발광 다이오드에 상응하여 네개의 정전류 구동부를 포함하여 구성될 수 있다. 각 정전류 구동부는 디지털-아날로그 제어부(277)의 제어신호에 따라 선택적으로 온 또는 오프가 결정되며, 이에 따라 배선(W2, W3, W4 또는 W5)이 선택적으로 전류 경로를 형성하여 발광 다이오드가 선택적으로 턴온된다.The number and arrangement of the constant current driver 280 may be determined according to the number, arrangement, and arrangement of the light emitting diodes constituting the light emitting diode blocks L1 to L4. For example, the constant current driver 280 may include four constant current drivers corresponding to each of the LEDs connected in series forming the LED blocks L1 to L4. Each constant current driver is selectively turned on or off according to a control signal of the digital-analog controller 277. Accordingly, the wirings W2, W3, W4, or W5 selectively form a current path to selectively emit light. Is turned on.

본 실시예에 따르면, 서로 직렬 연결된 복수의 발광셀들, 예컨대 약 13개의 발광셀들을 갖는 청색 발광 다이오드 칩과 4 또는 5개의 적색 발광 다이오드 칩들을 사용하여 하나의 발광 다이오드 블록을 구성함으로써, 220V의 교류 전원하에서 구동될 수 있는 발광 다이오드 모듈(200)을 제공할 수 있다. According to the present embodiment, a single light emitting diode block is constructed by using a blue light emitting diode chip having a plurality of light emitting cells connected in series with each other, for example, about 13 light emitting cells and four or five red light emitting diode chips. A light emitting diode module 200 that can be driven under an AC power source can be provided.

도 11은 구동 집적회로 소자(250)를 이용하여 110V 교류 전압에서 구동하는 예를 설명하기 위한 개략도이다.11 is a schematic diagram illustrating an example of driving at a 110V AC voltage using the driving integrated circuit device 250.

본 실시예에 따르면, 발광 다이오드 블록(L3 및 L4)이 발광 다이오드 블록(L1 및 L2)에 반대 극성으로 연결된다. 즉, 발광 다이오드 블록(L1 및 L2)은 서로 직렬 연결되고, 발광 다이오드 블록(L3 및 L4)은 서로 직렬 연결되며, 발광 다이오드 블록(L1 및 L2)과 발광 다이오드 블록(L3 및 L4)이 서로 반대 극성으로 연결된다.According to the present embodiment, the light emitting diode blocks L3 and L4 are connected to the light emitting diode blocks L1 and L2 with opposite polarities. That is, the light emitting diode blocks L1 and L2 are connected in series with each other, the light emitting diode blocks L3 and L4 are connected in series with each other, and the light emitting diode blocks L1 and L2 and the light emitting diode blocks L3 and L4 are opposite to each other. It is connected in polarity.

한편, 상기 구동 집적회로 소자(250)는 AC 전원에서 인가된 전압에 따른 제어 신호에 의해 발광 다이오드 블록(L1 및 L4)을 턴온하고, 그 후, 발광 다이오드 블록들(L1~L4)을 턴온시킨다.Meanwhile, the driving integrated circuit device 250 turns on the LED blocks L1 and L4 by a control signal according to a voltage applied from an AC power source, and then turns on the LED blocks L1 to L4. .

이에 따라, 서로 직렬 연결된 복수의 발광셀들, 예컨대 약 13개의 발광셀들을 갖는 청색 발광 다이오드 칩과 4 또는 5개의 적색 발광 다이오드 칩들을 사용하여 하나의 발광 다이오드 블록을 구성함으로써, 110V의 교류 전원하에서 구동될 수 있다.Accordingly, a single light emitting diode block is formed by using a blue light emitting diode chip having about 13 light emitting cells, for example, about 13 light emitting cells and four or five red light emitting diode chips connected to each other, and thus, under an AC power supply of 110V. Can be driven.

Claims (20)

히트싱크; 및
발광 다이오드 모듈을 포함하고,
상기 발광 다이오드 모듈은 적어도 하나의 발광 다이오드 칩과 구동 집적회로 소자를 포함하고,
상기 히트싱크는 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩과 상기 구동 집적회로 소자와 열적으로 결합되고,
상기 구동 집적회로 소자는 교류 전원을 입력받는 입력 단자 및 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩을 구동하기 위한 제어신호를 출력하는 출력단자를 포함하는 조명 장치.Heat sink; And
Including a light emitting diode module,
The light emitting diode module includes at least one light emitting diode chip and a driving integrated circuit device.
The heat sink is thermally coupled to the at least one light emitting diode chip and the driving integrated circuit device,
The driving integrated circuit device includes an input terminal for receiving AC power and an output terminal for outputting a control signal for driving the at least one LED chip. 청구항 1에 있어서,
상기 발광 다이오드 모듈은 배선들을 포함하는 금속 인쇄회로기판을 포함하고,
상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩과 상기 구동 집적회로 소자는 상기 배선들을 통해 전기적으로 연결된 조명 장치.The method according to claim 1,
The light emitting diode module includes a metal printed circuit board including wirings.
And the at least one light emitting diode chip and the driving integrated circuit device are electrically connected through the wirings. 청구항 2에 있어서,
상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩은 상기 금속 인쇄회로기판 상에 칩-온-보드 타입으로 실장된 조명 장치.The method according to claim 2,
And the at least one light emitting diode chip is mounted on the metal printed circuit board in a chip-on-board type. 청구항 2에 있어서,
상기 금속인쇄회로 기판은 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩이 실장된 제1면과, 상기 제1면에 대향하는 제2면을 포함하고,
상기 구동 집적회로 소자는 상기 제1 면에 실장된 조명 장치.The method according to claim 2,
The metal printed circuit board includes a first surface on which the at least one LED chip is mounted, and a second surface opposite to the first surface,
The driving integrated circuit device is mounted on the first surface. 청구항 2에 있어서,
상기 금속인쇄회로 기판은 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩이 실장된 제1면과, 상기 제1면에 대향하는 제2면을 포함하고,
상기 구동 집적회로 소자는 상기 제2면에 실장되고,
상기 히트싱크는 상기 구동 집적회로 소자를 수용하는 수용홈을 갖는 조명 장치.The method according to claim 2,
The metal printed circuit board includes a first surface on which the at least one LED chip is mounted, and a second surface opposite to the first surface,
The driving integrated circuit device is mounted on the second surface,
And the heat sink has a receiving groove for receiving the driving integrated circuit device. 청구항 2에 있어서,
상기 조명 장치는 복수의 발광 다이오드 칩을 포함하되,
상기 복수의 발광 다이오드 칩은 복수의 발광 다이오드 블록으로 구분되고,
상기 각 발광 다이오드 블록의 양단은 상기 금속 인쇄회로기판의 배선들을 통해 상기 구동 집적회로 소자에 전기적으로 연결된 조명 장치.The method according to claim 2,
The lighting device includes a plurality of light emitting diode chips,
The plurality of light emitting diode chips are divided into a plurality of light emitting diode blocks,
And both ends of each light emitting diode block are electrically connected to the driving integrated circuit device through wires of the metal printed circuit board. 청구항 6에 있어서,
상기 복수의 발광 다이오드 블록은 서로 직렬 연결된 조명 장치.The method of claim 6,
The plurality of light emitting diode blocks are connected to each other in series. 청구항 6에 있어서,
상기 복수의 발광 다이오드 블록은 서로 반대 극성으로 연결된 발광 다이오드 블록들을 포함하는 조명 장치.The method of claim 6,
The plurality of light emitting diode blocks includes light emitting diode blocks connected in opposite polarity to each other. 청구항 6에 있어서,
각 발광 다이오드 블록은 서로 직렬 연결된 복수의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 칩을 포함하는 조명 장치.The method of claim 6,
Each light emitting diode block includes a light emitting diode chip having a plurality of light emitting cells connected in series with each other. 청구항 6에 있어서,
상기 구동 집적회로 소자는 정전류 구동부를 포함하고,
상기 정전류 구동부는 상기 발광 다이오드 블록들에 공급되는 정전류를 가변적으로 제어하는 조명 장치.The method of claim 6,
The driving integrated circuit device includes a constant current driver,
The constant current driver variably controls the constant current supplied to the light emitting diode blocks. 청구항 2에 있어서,
상기 금속 인쇄회로기판은 교류 전원의 입출력을 위한 입출력 단자들을 포함하고,
상기 입출력 단자들은 배선들을 통해 상기 구동 집적회로 소자에 직접 접속되는 조명 장치.The method according to claim 2,
The metal printed circuit board includes input and output terminals for input and output of AC power,
And the input / output terminals are directly connected to the driving integrated circuit device through wires. 청구항 1에 있어서,
상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩은 서로 직렬 연결된 복수의 발광셀들을 갖는 조명 장치.The method according to claim 1,
The at least one light emitting diode chip has a plurality of light emitting cells connected in series with each other. 청구항 1에 있어서,
상기 히트싱크는 상기 발광 다이오드 모듈을 수용하는 캐비티를 갖는 방열 하우징인 조명 장치.The method according to claim 1,
And the heat sink is a heat dissipation housing having a cavity for receiving the light emitting diode module. 교류 전원의 입출력을 위한 입출력 단자들 및 배선들을 갖는 금속 인쇄회로기판;
상기 금속 인쇄회로기판 상에 실장된 복수의 발광 다이오드 칩; 및
상기 금속 인쇄회로기판에 실장된 구동 집적회로 소자를 포함하고,
상기 배선들은 상기 입출력 단자들과 상기 구동 집적회로 소자를 전기적으로 연결하기 위한 제1 배선들; 및
상기 구동 집적회로 소자와 상기 복수의 발광 다이오드 칩을 전기적으로 연결하기 위한 제2 배선들을 포함하는 발광 다이오드 모듈.A metal printed circuit board having input and output terminals and wires for input and output of an AC power source;
A plurality of light emitting diode chips mounted on the metal printed circuit board; And
A driving integrated circuit device mounted on the metal printed circuit board,
The wirings may include first wirings for electrically connecting the input / output terminals and the driving integrated circuit device; And
And second lines for electrically connecting the driving integrated circuit device to the plurality of light emitting diode chips. 청구항 14에 있어서,
상기 복수의 발광 다이오드 칩을 서로 연결하는 본딩와이어들 및 발광 다이오드 칩과 상기 제2 배선들을 연결하기 위한 본딩와이어들을 더 포함하는 발광 다이오드 모듈.The method according to claim 14,
And a bonding wire for connecting the plurality of light emitting diode chips to each other, and bonding wires for connecting the light emitting diode chip and the second wires. 청구항 15에 있어서,
상기 복수의 발광 다이오드 칩은 복수의 발광 다이오드 블록으로 구분되고,
상기 각 발광 다이오드 블록의 양단은 상기 금속 인쇄회로기판의 배선들을 통해 상기 구동 집적회로 소자에 전기적으로 연결된 발광 다이오드 모듈.The method according to claim 15,
The plurality of light emitting diode chips are divided into a plurality of light emitting diode blocks,
Both ends of each light emitting diode block are electrically connected to the driving integrated circuit device through wires of the metal printed circuit board. 청구항 16에 있어서,
상기 복수의 발광 다이오드 블록은 서로 직렬 연결된 발광 다이오드 모듈.The method according to claim 16,
The plurality of light emitting diode blocks are LED modules connected in series with each other. 청구항 16에 있어서,
상기 복수의 발광 다이오드 블록은 서로 반대 극성으로 연결된 발광 다이오드 블록들을 포함하는 발광 다이오드 모듈.The method according to claim 16,
The plurality of light emitting diode blocks includes light emitting diode blocks connected in opposite polarities to each other. 청구항 14에 있어서,
상기 복수의 발광 다이오드 칩들을 둘러싸는 댐부; 및
상기 댐부 내에서 상기 복수의 발광 다이오드 칩들을 덮는 몰딩부를 더 포함하는 발광 다이오드 모듈.The method according to claim 14,
A dam unit surrounding the plurality of light emitting diode chips; And
The LED module further comprises a molding part covering the plurality of LED chips in the dam portion. 청구항 19에 있어서,
상기 입출력 단자들과 상기 구동 집적회로 소자를 전기적으로 연결하기 위한 제1 배선들은 상기 댐부의 바깥쪽에 배치되고,
상기 구동 집적회로 소자와 상기 복수의 발광 다이오드 칩을 전기적으로 연결하기 위한 제2 배선들은 상기 댐부 둘레에 배치되되, 제2 배선들의 일 단부들은 상기 댐부 내에 위치하는 발광 다이오드 모듈.The method of claim 19,
First wirings for electrically connecting the input / output terminals and the driving integrated circuit device are disposed outside the dam unit,
The second wirings for electrically connecting the driving integrated circuit device and the plurality of light emitting diode chips are disposed around the dam portion, and one ends of the second wiring lines are located in the dam portion.
KR1020100122993A 2010-12-03 2010-12-03 Led module and lighting assembly KR101230621B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100122993A KR101230621B1 (en) 2010-12-03 2010-12-03 Led module and lighting assembly

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100122993A KR101230621B1 (en) 2010-12-03 2010-12-03 Led module and lighting assembly

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120072320A Division KR20120090896A (en) 2012-07-03 2012-07-03 Led module and lighting assembly

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120061625A true KR20120061625A (en) 2012-06-13
KR101230621B1 KR101230621B1 (en) 2013-02-06

Family

ID=46612138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100122993A KR101230621B1 (en) 2010-12-03 2010-12-03 Led module and lighting assembly

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101230621B1 (en)

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9964266B2 (en) 2013-07-05 2018-05-08 DMF, Inc. Unified driver and light source assembly for recessed lighting
USD833977S1 (en) 2015-10-05 2018-11-20 DMF, Inc. Electrical junction box
US10139059B2 (en) 2014-02-18 2018-11-27 DMF, Inc. Adjustable compact recessed lighting assembly with hangar bars
USD847414S1 (en) 2015-05-29 2019-04-30 DMF, Inc. Lighting module
USD864877S1 (en) 2019-01-29 2019-10-29 DMF, Inc. Plastic deep electrical junction box with a lighting module mounting yoke
US10488000B2 (en) 2017-06-22 2019-11-26 DMF, Inc. Thin profile surface mount lighting apparatus
US10551044B2 (en) 2015-11-16 2020-02-04 DMF, Inc. Recessed lighting assembly
US10563850B2 (en) 2015-04-22 2020-02-18 DMF, Inc. Outer casing for a recessed lighting fixture
US10663153B2 (en) 2017-12-27 2020-05-26 DMF, Inc. Methods and apparatus for adjusting a luminaire
US10753558B2 (en) 2013-07-05 2020-08-25 DMF, Inc. Lighting apparatus and methods
USD901398S1 (en) 2019-01-29 2020-11-10 DMF, Inc. Plastic deep electrical junction box
USD902871S1 (en) 2018-06-12 2020-11-24 DMF, Inc. Plastic deep electrical junction box
USD905327S1 (en) 2018-05-17 2020-12-15 DMF, Inc. Light fixture
US10975570B2 (en) 2017-11-28 2021-04-13 DMF, Inc. Adjustable hanger bar assembly
US11060705B1 (en) 2013-07-05 2021-07-13 DMF, Inc. Compact lighting apparatus with AC to DC converter and integrated electrical connector
US11067231B2 (en) 2017-08-28 2021-07-20 DMF, Inc. Alternate junction box and arrangement for lighting apparatus
US11231154B2 (en) 2018-10-02 2022-01-25 Ver Lighting Llc Bar hanger assembly with mating telescoping bars
US11255497B2 (en) 2013-07-05 2022-02-22 DMF, Inc. Adjustable electrical apparatus with hangar bars for installation in a building
USD945054S1 (en) 2017-06-22 2022-03-01 DMF, Inc. Light fixture
US11274821B2 (en) 2019-09-12 2022-03-15 DMF, Inc. Lighting module with keyed heat sink coupled to thermally conductive trim
US11306903B2 (en) 2020-07-17 2022-04-19 DMF, Inc. Polymer housing for a lighting system and methods for using same
US11391442B2 (en) 2018-06-11 2022-07-19 DMF, Inc. Polymer housing for a recessed lighting system and methods for using same
US11435064B1 (en) 2013-07-05 2022-09-06 DMF, Inc. Integrated lighting module
USD966877S1 (en) 2019-03-14 2022-10-18 Ver Lighting Llc Hanger bar for a hanger bar assembly
USD970081S1 (en) 2018-05-24 2022-11-15 DMF, Inc. Light fixture
US11585517B2 (en) 2020-07-23 2023-02-21 DMF, Inc. Lighting module having field-replaceable optics, improved cooling, and tool-less mounting features
USD990030S1 (en) 2020-07-17 2023-06-20 DMF, Inc. Housing for a lighting system
USD1012864S1 (en) 2019-01-29 2024-01-30 DMF, Inc. Portion of a plastic deep electrical junction box

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040027642A (en) * 2004-02-19 2004-04-01 (주) 케이티지 Hybrid ic type led lamp
KR100866046B1 (en) * 2008-07-18 2008-10-30 주식회사 누리플랜 Cluster lamp device
JP5062433B2 (en) 2008-10-30 2012-10-31 東芝ライテック株式会社 Light bulb shaped lamp
KR101048154B1 (en) * 2009-04-30 2011-07-08 (주)강산조명 Assembly for Light Emitting Diode Lamp

Cited By (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9964266B2 (en) 2013-07-05 2018-05-08 DMF, Inc. Unified driver and light source assembly for recessed lighting
US11808430B2 (en) 2013-07-05 2023-11-07 DMF, Inc. Adjustable electrical apparatus with hangar bars for installation in a building
US11085597B2 (en) 2013-07-05 2021-08-10 DMF, Inc. Recessed lighting systems
US11255497B2 (en) 2013-07-05 2022-02-22 DMF, Inc. Adjustable electrical apparatus with hangar bars for installation in a building
US10753558B2 (en) 2013-07-05 2020-08-25 DMF, Inc. Lighting apparatus and methods
US11060705B1 (en) 2013-07-05 2021-07-13 DMF, Inc. Compact lighting apparatus with AC to DC converter and integrated electrical connector
US10816148B2 (en) 2013-07-05 2020-10-27 DMF, Inc. Recessed lighting systems
US10408395B2 (en) 2013-07-05 2019-09-10 DMF, Inc. Recessed lighting systems
US12000562B2 (en) 2013-07-05 2024-06-04 DMF, Inc. Lighting assembly with AC to DC converter and heat-sinking housing
US11435064B1 (en) 2013-07-05 2022-09-06 DMF, Inc. Integrated lighting module
US10982829B2 (en) 2013-07-05 2021-04-20 DMF, Inc. Adjustable electrical apparatus with hangar bars for installation in a building
US11028982B2 (en) 2014-02-18 2021-06-08 DMF, Inc. Adjustable lighting assembly with hangar bars
USD939134S1 (en) 2014-02-18 2021-12-21 DMF, Inc. Module applied to a lighting assembly
USD907284S1 (en) 2014-02-18 2021-01-05 DMF, Inc. Module applied to a lighting assembly
US10139059B2 (en) 2014-02-18 2018-11-27 DMF, Inc. Adjustable compact recessed lighting assembly with hangar bars
USD924467S1 (en) 2014-02-18 2021-07-06 DMF, Inc. Unified casting light module
USD847415S1 (en) 2014-02-18 2019-04-30 DMF, Inc. Unified casting light module
US11118768B2 (en) 2015-04-22 2021-09-14 DMF, Inc. Outer casing for a recessed lighting fixture
US11435066B2 (en) 2015-04-22 2022-09-06 DMF, Inc. Outer casing for a recessed lighting fixture
US10563850B2 (en) 2015-04-22 2020-02-18 DMF, Inc. Outer casing for a recessed lighting fixture
US11022259B2 (en) 2015-05-29 2021-06-01 DMF, Inc. Lighting module with separated light source and power supply circuit board
USD847414S1 (en) 2015-05-29 2019-04-30 DMF, Inc. Lighting module
USD925109S1 (en) 2015-05-29 2021-07-13 DMF, Inc. Lighting module
US10591120B2 (en) 2015-05-29 2020-03-17 DMF, Inc. Lighting module for recessed lighting systems
USD851046S1 (en) 2015-10-05 2019-06-11 DMF, Inc. Electrical Junction Box
USD833977S1 (en) 2015-10-05 2018-11-20 DMF, Inc. Electrical junction box
USD848375S1 (en) 2015-10-05 2019-05-14 DMF, Inc. Electrical junction box
USD944212S1 (en) 2015-10-05 2022-02-22 DMF, Inc. Electrical junction box
US11242983B2 (en) 2015-11-16 2022-02-08 DMF, Inc. Casing for lighting assembly
US10551044B2 (en) 2015-11-16 2020-02-04 DMF, Inc. Recessed lighting assembly
US11668455B2 (en) 2015-11-16 2023-06-06 DMF, Inc. Casing for lighting assembly
US10663127B2 (en) 2017-06-22 2020-05-26 DMF, Inc. Thin profile surface mount lighting apparatus
US11047538B2 (en) 2017-06-22 2021-06-29 DMF, Inc. LED lighting apparatus with adapter bracket for a junction box
US10488000B2 (en) 2017-06-22 2019-11-26 DMF, Inc. Thin profile surface mount lighting apparatus
USD945054S1 (en) 2017-06-22 2022-03-01 DMF, Inc. Light fixture
US11649938B2 (en) 2017-06-22 2023-05-16 DMF, Inc. Thin profile surface mount lighting apparatus
US11293609B2 (en) 2017-06-22 2022-04-05 DMF, Inc. Thin profile surface mount lighting apparatus
US11067231B2 (en) 2017-08-28 2021-07-20 DMF, Inc. Alternate junction box and arrangement for lighting apparatus
US10975570B2 (en) 2017-11-28 2021-04-13 DMF, Inc. Adjustable hanger bar assembly
US11448384B2 (en) 2017-12-27 2022-09-20 DMF, Inc. Methods and apparatus for adjusting a luminaire
US10663153B2 (en) 2017-12-27 2020-05-26 DMF, Inc. Methods and apparatus for adjusting a luminaire
USD905327S1 (en) 2018-05-17 2020-12-15 DMF, Inc. Light fixture
USD970081S1 (en) 2018-05-24 2022-11-15 DMF, Inc. Light fixture
US11391442B2 (en) 2018-06-11 2022-07-19 DMF, Inc. Polymer housing for a recessed lighting system and methods for using same
USD902871S1 (en) 2018-06-12 2020-11-24 DMF, Inc. Plastic deep electrical junction box
USD903605S1 (en) 2018-06-12 2020-12-01 DMF, Inc. Plastic deep electrical junction box
US11231154B2 (en) 2018-10-02 2022-01-25 Ver Lighting Llc Bar hanger assembly with mating telescoping bars
USD901398S1 (en) 2019-01-29 2020-11-10 DMF, Inc. Plastic deep electrical junction box
USD1012864S1 (en) 2019-01-29 2024-01-30 DMF, Inc. Portion of a plastic deep electrical junction box
USD864877S1 (en) 2019-01-29 2019-10-29 DMF, Inc. Plastic deep electrical junction box with a lighting module mounting yoke
USD966877S1 (en) 2019-03-14 2022-10-18 Ver Lighting Llc Hanger bar for a hanger bar assembly
US11274821B2 (en) 2019-09-12 2022-03-15 DMF, Inc. Lighting module with keyed heat sink coupled to thermally conductive trim
US11306903B2 (en) 2020-07-17 2022-04-19 DMF, Inc. Polymer housing for a lighting system and methods for using same
USD990030S1 (en) 2020-07-17 2023-06-20 DMF, Inc. Housing for a lighting system
US11585517B2 (en) 2020-07-23 2023-02-21 DMF, Inc. Lighting module having field-replaceable optics, improved cooling, and tool-less mounting features

Also Published As

Publication number Publication date
KR101230621B1 (en) 2013-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101230621B1 (en) Led module and lighting assembly
US7479660B2 (en) Multichip on-board LED illumination device
EP1815534B1 (en) Composite LED modules
US9450155B2 (en) Light emitting device having wavelength converting layer
JP6025787B2 (en) Light emitting diode package
KR101543333B1 (en) Lead frame for light emitting device package, light emitting device package, and illumination apparatus employing the light emitting device package
US8115385B2 (en) Multi-chip packaged LED light source
KR101662038B1 (en) chip package
US8390021B2 (en) Semiconductor light-emitting device, light-emitting module, and illumination device
EP2341560B1 (en) Light emitting device
JP2005158957A (en) Light emitting device
JP2011192703A (en) Light emitting device, and illumination apparatus
CN106997888B (en) Light emitting diode display device
KR20120060306A (en) Led module and led illumination apparatus
KR20160109335A (en) Light emitting module and lighting apparatus having thereof
KR20120090896A (en) Led module and lighting assembly
KR101761854B1 (en) Led module
JP2023032709A (en) Light-emitting module
KR101896669B1 (en) The light emitting system
JP4601404B2 (en) Light emitting device and lighting device
JP5212178B2 (en) Light emitting module
KR102052040B1 (en) Optoelectronic device and method for manufacturing the same
CN204853254U (en) LED light source subassembly, LED optoelectronic integration module and LED shot -light
KR102358842B1 (en) Light emitting device package and lighting source unit
KR20180012123A (en) Illumination module and illumination apparatus including the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151201

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161212

Year of fee payment: 5