KR20120059778A - Adhesive Film for Semiconductor Device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체용 접착필름에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조공정에서 웨이퍼와 부착 시 박리불량 및 접착제 찢어짐 등이 발생되지 않고 UV 조사 없이도 우수한 픽업성을 가지는 반도체용 접착필름에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive film for a semiconductor, and more particularly, to a semiconductor adhesive film having excellent pick-up property without UV irradiation without peeling defect and adhesive tear when adhesion with a wafer in a semiconductor manufacturing process.
일반적으로, IT관련 전기전자부품의 조립기술은 IT 산업을 뒷받침할 중추적인 기술로 인정받고 있으며 국내 기술은 세계 최고수준을 자랑하고 있다. 특히 부품의 경박단소화가 요구되는 PC, 노트북, 핸드폰, 휴대용 AV 기기와 같은 각종 모바일 단말기기의 핵심부품인 반도체칩의 적층기술은 매우 중요한 핵심기술로 부상하고 있다. 이는 반도체칩을 구조적으로 여러 장 적층하여 집적도와 밀도를 높이는 동시에 부품실장면적을 줄이면서도 전체적인 두께를 박형으로 유지하는 첨단기술로써 실제 이러한 적층기술이 적용된 반도체 패키지들이 등장하고 있으며 지속적으로 수요가 증가되고 있다.In general, the assembly technology of IT-related electrical and electronic parts is recognized as a pivotal technology to support the IT industry, and the domestic technology boasts the world's highest level. In particular, the semiconductor chip stacking technology, which is a core component of various mobile terminal devices such as PC, notebook, mobile phone, and portable AV equipment, which requires thin and short parts, is emerging as a very important core technology. This is a state-of-the-art technology that stacks several semiconductor chips structurally to increase density and density, while reducing component mounting area while keeping overall thickness thin. Actually, semiconductor packages using these stacking technologies are emerging and demand is continuously increasing. have.
또한 반도체 칩 적층용 WBL(Wafer Back Lamination) 제품은 소형화, 고집적화가 요구되는 전자기기에 사용되는 적층칩의 제조에 필수적인 소재이며 기존의 페이스트 접착재료를 빠르게 대체하고 있다. 적층된 칩 사이 계면 접착력이 약해서 패키지의 치수안정성이 떨어지거나 또는 외부의 수분이나 열과 같은 응력에 의해 쉽게 변형된다면 전기적 연결부위인 와이어에 손상을 주거나 회로가 입혀진 칩의 전면에 손상을 주어 결국 패키지의 신뢰성을 크게 저하시킬 수도 있기 때문에 적층 기술은 반도체 패키지의 효용과 성능을 좌우하는 매우 중요한 핵심 기술이다.In addition, wafer back lamination (WBL) products for semiconductor chip stacking are essential materials for manufacturing stacked chips used in electronic devices that require miniaturization and high integration, and are rapidly replacing conventional paste adhesive materials. If the interfacial adhesion between the stacked chips is weak, the package's dimensional stability is poor, or if it is easily deformed by stresses such as external moisture or heat, it can damage the wires, or the front of the chip, which will damage the electrical connections. Lamination technology is a very important core technology that determines the utility and performance of semiconductor packages because it can significantly reduce reliability.
따라서 적층 칩 계면을 충실히 접착할 수 있는 층간 접착제의 역할이 매우 중요하며, 이러한 성능을 가진 접착소재 개발은 무엇보다도 중요한 기반이 된다고 할 수 있다.Therefore, the role of the interlayer adhesive that can faithfully bond the laminated chip interface is very important, and the development of adhesive materials having such a performance is the most important basis.
그리고, 일반적으로 반도체칩을 적층하는 stack형 패키지의 경우 WBL(Wafer Back Lamination) 기술이 적용되며 이러한 WBL 기술이 적용된 웨이퍼는 반도체 어셈블리 공정에서 웨이퍼에 접착필름을 부착하는 라미작업과 칩 사이즈로 다이싱한 후 픽업 작업을 통해서 칩을 떼어 내는 공정을 거치는 이러한 제조공정에서 웨이퍼와 접착필름을 부착시키는 라미공정 및 칩을 떼어내는 픽업공정이 반도체 공정에서의 수율을 좌우한다. 또한 웨이퍼 보호와 고정 작업시 사용되는 접착필름에는 점착제가 사용되는데 일반적으로 UV 경화형을 사용하거나 Non UV(PSA) 경화형 다이싱 점착제를 사용하고 있다.In general, in the case of a stack type package in which semiconductor chips are stacked, wafer back lamination (WBL) technology is applied, and the wafer applied with the WBL technology is diced by laminating and chip size to attach an adhesive film to the wafer in a semiconductor assembly process. In this manufacturing process, the chip is removed through the pick-up operation, and the lamination process for attaching the wafer and the adhesive film and the pick-up process for removing the chip determine the yield in the semiconductor process. In addition, an adhesive is used for the adhesive film used for wafer protection and fixing, and generally UV curable or non UV (PSA) curable dicing adhesive is used.
상기 UV 경화형 다이싱 점착제의 경우 UV 조사 전에는 높은 점착력을 유지하여 접착제와의 우수한 계면 밀착력으로 인해 웨이퍼와 접착필름을 라미 작업시 박리불량 및 라미불량이 발생되지 않고 다이싱 공정에서의 칩 플라이, 크랙과 같은 문제가 발생되지 않으며 UV조사 후 점착제층의 점착력이 낮아지기 때문에 Non UV 다이싱 점착제 대비 우수한 픽업성을 보이므로 어셈블리 공정에 많이 사용되고 있으나 기본 공정 외 UV 조사 공정이 추가로 필요하며 반도체 장비특성 및 UV 램프의 사용시간에 따른 광량 차이로 인해 픽업성이 영향을 받게 되는 문제점이 있다.In the case of the UV curable dicing adhesive, the chip ply, crack in the dicing process is maintained without peeling defects and lamination defects when laminating the wafer and the adhesive film due to maintaining a high adhesive force before UV irradiation and excellent interfacial adhesion with the adhesive. As it does not occur, and the adhesive strength of the adhesive layer is lowered after UV irradiation, it shows excellent pick-up property compared to the non-UV dicing adhesive, so it is used in the assembly process, but additional UV irradiation process is required besides the basic process. There is a problem that the pickup properties are affected by the difference in the amount of light according to the use time of the UV lamp.
또한 상기 Non UV경화(열경화)형 다이싱 점착제는 UV 조사공정이 불필요하므로 공정단축이 가능하나 웨이퍼 라미 작업시 접착제와의 낮은 계면 밀착력으로 인해 박리불량 및 라미불량이 발생할 수 있으며 1 mil이하의 박막 칩을 픽업시 다이크랙에 의한 불량이 발생되며 점착력 조정을 통해 픽업성을 개선할 경우 웨이퍼링과의 탈락문제가 발생되어 반도체 공정에서 심각한 품질문제를 발생시킨다. 이러한 문제점을 개선하기 위해서 일본 특허공개공보 제2006-203000호 및 제2009-065191호와 같이 열경화형 점착제와 다이본딩 접착제 사이에 픽업성을 용이하게 하는 지지체를 사용하는 기술 및 일본 특허공개공보 제 2006-111727 호와 같이 절삭 깊이를 최적화하는 기술이 개발되었다.In addition, the non UV curing (thermosetting) type dicing adhesive is not required for the UV irradiation process, so the process can be shortened. However, due to the low interfacial adhesion with the adhesive during wafer lamination, peeling defects and lamination defects may occur, and less than 1 mil. When picking up a thin film chip, defects are caused by die crack, and when the pick-up property is improved by adjusting the adhesive force, the dropping problem with the wafer ring occurs, which causes serious quality problems in the semiconductor process. In order to remedy this problem, technologies such as Japanese Patent Laid-Open Publication Nos. 2006-203000 and 2009-065191 and a technique using a support that facilitates pickup properties between a thermosetting adhesive and a die-bonding adhesive, and Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2006 Techniques such as -111727 have been developed to optimize cutting depth.
상기 일본 특허공개공보 제2006-203000호의 경우 지지체 사용을 통해서 1 mil 이하의 박막 칩에 대한 픽업성 및 웨이퍼링과의 밀착력 개선은 가능하나 지지체와 다이본딩 접착제간의 박리력이 지지체와 다이싱 점착제간의 박리력 보다 낮아 실제 웨이퍼 다이싱을 위해서 웨이퍼와 다이싱 다이본드 일체형 필름을 부착시 다이본딩 접착제와 접착제 보호필름간의 박리강도가 지지체와 다이본딩 접착제간의 박리력보다 클 경우 지지체와 다이본딩 접착제 및 다이본딩 접착제와 접착제 보호필름간 계면의 박리강도 차이에 의해서 지지체와 다이본딩 접착제 사이에 층간 박리가 발생되어 다이본딩 접착제가 웨이퍼와 합지되지 못하거나 다이본딩 접착제가 웨이퍼 백면에서 분리되어 픽업시 다이 플라잉이 발생되므로 반도체 제조공정에 치명적인 불량이 발생되는 문제점을 가지고 있다.In the case of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-203000, it is possible to improve pick-up property and adhesion between wafer ring and thin film chips of 1 mil or less through the use of a support, but the peeling force between the support and the dibonding adhesive is increased between the support and the dicing adhesive. When peeling strength is lower than peeling force between die bonding adhesive and adhesive protective film when peeling strength is lower than peeling force between support and die bonding adhesive when attaching wafer and dicing die bond integral film for actual wafer dicing Due to the difference in the peel strength of the interface between the bonding adhesive and the adhesive protective film, an interlayer peeling occurs between the support and the die bonding adhesive so that the die bonding adhesive cannot be laminated with the wafer or the die bonding adhesive is separated from the wafer back surface so that the die flying can be carried out when picking up. Critical defects in the semiconductor manufacturing process. Has a problem.
또한 일본 특허공개공보 제2009-065191호의 경우 지지체의 한쪽 면, 즉 다이본딩 접착제와의 계면에 이형처리가 되어 있지 않아 다이본딩 접착제와 접착제 보호필름간 박리강도 보다 지지체와 다이본딩 접착제간의 박리력이 높아 웨이퍼와 다이싱 다이본드 일체형 필름을 부착시 지지체와 다이본딩 접착제 간의 층간 분리가 발생되지 않을 수 있으나 지지체가 다이본딩 접착제와 접촉하는 계면의 표면에너지를 40N/m이하로 한정될 경우 지지체와 접촉하는 다이본딩 접착제에 사용되는 열경화성 수지, 열가소성 수지의 종류 및 함량에 따라서 지지체와 다이본딩 접착제간의 박리강도가 다이본딩 접착제와 접착제 보호필름간의 박리강도 보다 낮게 되어 웨이퍼와 다이싱 다이본드 일체형 필름을 부착시 상기 일본 특허공개공보 제2006-203000호와 동일하게 웨이퍼와 합지되지 못하거나 다이본딩 접착제가 웨이퍼 백면에서 분리되어 픽업시 다이플라잉이 발생되므로 반도체 제조공정에 치명적인 불량이 발생되는 문제점을 가지고 있다.In addition, in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2009-065191, since the release treatment is not performed on one side of the support, that is, the interface between the die bonding adhesive, the peeling force between the support and the die bonding adhesive is higher than the peel strength between the die bonding adhesive and the adhesive protective film. As the interlayer separation between the support and the die-bonding adhesive may not occur when the wafer and the dicing die-bonding film are attached, the surface energy of the interface where the support is in contact with the die-bonding adhesive is limited to 40 N / m or less. The peel strength between the support and the die bonding adhesive is lower than the peel strength between the die bonding adhesive and the adhesive protective film depending on the type and content of the thermosetting resin and thermoplastic resin used in the die bonding adhesive. In the same way as in Japanese Patent Laid-Open No. 2006-203000 So as not be laminated or the die-bonding adhesive separation is generated when the flying die pick-up at the wafer baekmyeon has a problem in that the fatal defect occurs in the semiconductor manufacturing process.
또한 상술한 문제점을 개선하기 위해 일본 특허공개공보 제2006-111727 호와 같이 프리컷 형태로 접착필름을 가공시 절단 깊이를 최적화 하여 접착제가 절입부에 휩쓸려 들어가거나 박리기재와 접착제와의 계면이 실링되는 문제를 개선하였으나 웨이퍼와 접착필름을 라미 작업을 진행할 때 다이싱 점착제가 박리기재와의 박리 시 발생되는 정전기 및 주름에 의해서 박리 및 라미불량과 같은 심각한 문제점을 유발시킬 수 있다.In addition, in order to improve the above-mentioned problem, as in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2006-111727, the cutting depth is optimized when processing the adhesive film in the pre-cut form, and the adhesive is swept into the incision or the interface between the peeling substrate and the adhesive is sealed. However, when the laminating the wafer and the adhesive film, the dicing adhesive may cause serious problems such as peeling and lamination due to static electricity and wrinkles generated during peeling with the peeling substrate.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 반도체 제조공정에서 웨이퍼와 부착 시 박리불량 및 접착제 찢어짐 등이 발생되지 않고 UV 조사 없이도 우수한 픽업성을 가지는 반도체용 접착필름을 제공하고자 하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, the object of the present invention is that the adhesive film for semiconductors having excellent pick-up properties without UV irradiation without peeling defects and adhesive tears when attached to the wafer in the semiconductor manufacturing process Is to provide.
본 발명의 상기 및 다른 목적과 이점은 바람직한 실시예를 설명한 하기의 설명으로부터 보다 분명해 질 것이다.These and other objects and advantages of the present invention will become more apparent from the following description of a preferred embodiment thereof.
상기 목적은, 기재필름(5)과, 상기 기재필름(5)상에 다이싱 점착제(4), 다이본딩 접착제(2) 및 접착제 보호필름(1)이 순차적으로 적층된 반도체용 접착필름에 있어서, 상기 접착제 보호필름(1)의 적어도 한 면이 대전방지 처리된 것을 특징으로 하는 반도체용 접착필름에 의해 달성된다.The object is that in the adhesive film for semiconductor in which the base film (5), the dicing adhesive (4), the die-bonding adhesive (2) and the adhesive protective film (1) are sequentially laminated on the base film (5) At least one surface of the adhesive
여기서, 상기 접착제 보호필름(1)의 단위 면적당 표면저항은 다음의 수학식 1을 만족하되,Here, the surface resistance per unit area of the adhesive
(수학식 1)(1)
R ≤ 1012 R ≤ 10 12
여기서, "R"은 이형층의 단위 면적당 표면저항(Ω/□)인 것을 특징으로 한다.Here, "R" is characterized in that the surface resistance (Ω / □) per unit area of the release layer.
바람직하게는, 상기 다이본딩 접착제(2)의 외경은 다이싱 점착제(4)의 외경보다 작으며 두 외경의 비율은 다음 수학식 2를 만족하되,Preferably, the outer diameter of the
(수학식 2)(Equation 2)
0.8 < (A/B) < 0.90.8 <(A / B) <0.9
여기서, "A"는 상기 다이본딩 접착제(2)의 외경이고, "B"는 상기 다이싱 점착제(4)의 외경인 것을 특징으로 한다.Here, "A" is the outer diameter of the die-bonding
바람직하게는, Preferably,
상기 다이본딩 접착제(2)와 다이싱 점착제(4)간의 박리강도 및 상기 다이본딩 접착제(2)와 상기 접착제 보호필름(1)간의 박리강도는 다음 수학식 3을 만족하되,The peel strength between the
(수학식 3) (Equation 3)
Y > 3ZY> 3Z
여기서, "Y"는 상기 다이본딩 접착제(2)와 상기 다이싱 점착제(4)간의 박리강도이고, "Z"는 상기 다이본딩 접착제(2)와 상기 접착제 보호필름(1)간의 박리강도인 것을 특징으로 한다.Here, "Y" is the peel strength between the
본 발명에 따르면, 다이본딩 접착제 보호필름의 적어도 한 면에 대전방지 처리를 함으로써 다이싱 점착제가 보호필름에서 박리 시 발생되는 정전기를 최소화하여 다이싱 점착제가 박리 후 재 부착되는 문제를 개선하였으며 다이본딩 접착제의 외경과 다이싱 점착제의 외경을 최적 비율을 설계함으로써 다이싱 점착제의 기재필름 박리 시 기재필름의 변형을 방지하여 웨이퍼와의 라미 작업시 라미불량이 발생되지 않으며 계면간의 박리강도를 최적화하여 웨이퍼와의 라미 작업시 다이본딩 접착제와 접착제 보호필름간의 박리가 용이하게 되어 웨이퍼 백면과 기포 없이 부착되며 다이싱된 칩들을 양호하게 픽업할 수 있으므로 반도체 제조공정에서 우수한 작업성과 안정된 품질을 제공할 수 있는 등의 효과를 가진다.According to the present invention, the anti-static treatment on at least one surface of the die-bonding adhesive protective film minimizes the static electricity generated when the dicing adhesive is peeled off the protective film, thereby improving the problem of re-attaching the dicing adhesive after peeling. By designing the optimum ratio between the outer diameter of the adhesive and the outer diameter of the dicing adhesive, it prevents deformation of the base film when peeling off the base film of the dicing adhesive so that no lamination defect occurs when laminating with the wafer and optimizes the peel strength between interfaces. It is easy to peel off between the die bonding adhesive and the adhesive protective film during lamination work with the wafer back surface and without bubbles, and can pick up the diced chips satisfactorily and can provide excellent workability and stable quality in the semiconductor manufacturing process. Has the same effect.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체용 접착필름의 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체용 접착필름의 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 반도체용 접착필름이 웨이퍼와 라미 작업되는 것을 보여주는 도면.1 is a cross-sectional view of an adhesive film for a semiconductor according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of an adhesive film for a semiconductor according to another embodiment of the present invention.
3 is a view showing that the adhesive film for semiconductor according to the present invention is laminating with the wafer.
이하, 본 발명의 실시예와 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 제시한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가지는 자에 있어서 자명할 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments and drawings of the present invention. These examples are only presented by way of example only to more specifically describe the present invention, it will be apparent to those skilled in the art that the scope of the present invention is not limited by these examples. .
본 발명에 따른 반도체용 접착필름은 단면도인 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 다이싱 점착제(4)는 기재필름(5)상에 적층되어 있고, 상기 다이본딩 접착제(2) 상에는 접착제 보호필름(1)이 적층되어 있는 다이싱 다이본드 일체형 필름에 관한 것으로서, 상기 접착제 보호필름(1)의 적어도 한 면에 대전방지 처리가 된 것을 특징으로 한다. 한편 도 2에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 반도체용 접착필름은 다이본딩 접착제(2)와 다이싱 점착제(4) 사이에 지지체(3)가 사용되는 다이싱 다이본드 일체형 필름에도 적용됨은 물론이다.As shown in FIGS. 1 and 2, which are cross-sectional views, the dicing adhesive 4 is laminated on the
상기 접착제 보호필름의 적어도 한 면이 대전방지 처리될 경우 다이싱 점착제(4)를 접착제 보호필름(1)에서 박리 시 발생되는 정전기를 최소화해서 다이싱 점착제(4)가 접착제 보호필름(1)에 재 부착되거나 주름이 발생되지 않아 웨이퍼에 다이싱 다이본드 일체형 필름을 부착 시 웨이퍼와의 합지 불량의 문제가 개선되기 때문이다. When at least one side of the adhesive protective film is antistatically treated, the dicing adhesive 4 is minimized by peeling the dicing adhesive 4 from the adhesive
또한 본 발명에 따른 반도체용 접착필름은 접착제 보호필름(1)의 단위 면적당 표면저항이 다음의 수학식 1을 만족하되,In addition, in the adhesive film for semiconductors according to the present invention, the surface resistance per unit area of the adhesive
(수학식 1)(1)
R ≤1012 R ≤10 12
여기서, "R"은 접착제 보호필름(1)의 단위면적당 표면저항(Ω/□)인 것을 특징으로 한다.Here, "R" is characterized in that the surface resistance (Ω / □) per unit area of the adhesive protective film (1).
상기 접착제 보호필름(1)의 단위 면적당 표면저항이 1012보다 적게 되면 다이싱 점착제(4) 박리 시 발생되는 정전기로 인해서 다이싱 점착제(4)가 재 부착되어 웨이퍼와 반도체용 접착필름을 라미 작업 시 라미불량이 발생되어 다이싱 및 다이본딩 공정과 같은 반도체 후공정 작업이 불가능한 치명적인 문제가 발생되기 때문이다.When the surface resistance per unit area of the adhesive
또한 본 발명에 따른 반도체용 접착필름은 다이본딩 접착제(2)의 외경은 다이싱 점착제(4)의 외경보다 작으며 두 외경의 비율은 다음 수학식 2를 만족하되In addition, in the adhesive film for semiconductors according to the present invention, the outer diameter of the
(수학식 2)(Equation 2)
0.8 < (A/B) < 0.90.8 <(A / B) <0.9
여기서, "A"는 상기 다이본딩 접착제(2)의 외경이고, "B"는 상기 다이싱 점착제(4)의 외경인 것을 특징으로 한다.Here, "A" is the outer diameter of the die-
상기 다이본딩 접착제(2)의 외경이 다이싱 점착제(4)의 외경보다 크게 되면 반도체용 접착필름을 웨이퍼와 라미 작업시 웨이퍼 링과의 밀착력 부족으로 박리 및 주름 문제가 발생된다. 또한 두 외경의 비율이 0.8보다 작을 경우 다이싱 점착제(4)가 접착제 보호필름(1)에서 박리 시 주름이 발생되며 0.9보다 클 경우 접착제 보호필름(1)에서 박리 시 주름은 발생되지 않으나 웨이퍼와 라미 작업을 위한 다이싱 점착제(4)의 박리 길이가 부족하여 다이본딩 접착제(2)가 접착제 보호필름(1)에 박리가 불균일해져서 접착제가 찢어지는 문제가 발생하기 때문이다.When the outer diameter of the
또한 본 발명에 따른 반도체용 접착필름은 상기 다이본딩 접착제(2)와 다이싱 점착제(4)간의 박리강도 및 상기 다이본딩 접착제(2)와 상기 접착제 보호필름(1)간의 박리강도는 다음 수학식 2를 만족하되,In addition, in the adhesive film for semiconductor according to the present invention, the peeling strength between the
(수학식 3) (Equation 3)
Y > 3ZY> 3Z
여기서, "Y"는 상기 다이본딩 접착제(2)와 다이싱 점착제(4)간의 박리강도이고, "Z"는 상기 다이본딩 접착제(2)와 상기 접착제 보호필름(1)간의 박리강도인 것을 특징으로 한다. Here, "Y" is the peel strength between the
상기 다이본딩 접착제(2)와 다이싱 점착제(4)간의 박리강도가 다이본딩 접착제(2)와 접착제 보호필름(1)간의 박리강도의 3배 이하일 경우 다이본딩 접착제(2)가 접착제 보호필름(1)에서 박리되지 못하는 웨이퍼 라미불량 문제가 발생되기 때문에 상기 범위로 하는 것이 바람직하다.When the peel strength between the
또한 본 발명에 사용하는 (다이싱) 기재필름(5)으로는 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리올레핀계 공중합체와 폴리에스테르류, 폴리우레탄, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐 공중합체 필름 등이 포함될 수 있으며 다이싱 공정에서의 버 특성을 개선하고 픽업 작업 시 반복되는 연신과 수축과정에서 연신 후 다시 수축되지 않는 문제를 개선하기 위해서 상기 필름들의 가교필름 및 복합가공필름이 사용되며 이들 필름의 적층된 경우에도 가능하다. 상기 다이싱 기재필름(5)의 경우 기재필름(5)과 다이싱 점착제(4)간의 밀착력을 높이기 위해 일반적으로 코로나 및 플라즈마와 같은 표면처리를 진행하는데 이때의 표면장력은 일반적으로 50 dyne 이상, 바람직하게는 60dyne 이상이다. 또한 상기 기재필름(5)의 두께는 일반적으로 10~300㎛, 바람직하게는 50~200㎛ 정도, 더욱 바람직하게는 80~150㎛ 수준으로 하는 것이 좋다.In addition, as the (dicing)
또한 본 발명에 따른 상기 기재필름(5)상의 상기 다이싱 점착제(4)는 열경화형 아크릴계, 폴리에스테르계, 우레탄계, 실리콘계, 고무계 등 기타 범용의 점착제가 점착성분으로 사용될 수 있으나 본 발명에서는 아크릴계 점착제를 사용하는 것이 바람직하며 점착제(4)층의 두께는 특별히 한정되어 있지는 않지만 다이싱 작업 시 버 및 픽업 작업 시 다이 플라잉을 방지하기 위해 3~50㎛ 정도, 더욱 바람직하게는 5~30㎛ 수준으로 하는 것이 좋다.In addition, in the dicing adhesive 4 on the
또한 본 발명에 따른 상기 지지체(3)는 표면에 이형처리가 되어 있지 않는 것을 특징으로 하며 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드 필름 등이 사용될 수 있으며 상기 다이본딩 접착제(2)의 열경화성 수지, 열가소성 수지의 종류 및 함량, 접착제(2)의 경화 정도에 따라서 사용되는 지지체의 종류가 결정된다. 상기 지지체(3)는 픽업 작업시 연신과 수축과정에서 연신 후 다시 수축되지 않는 문제를 개선하기 위해서 무연신된 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 본 발명에 따른 상기 지지체(3)의 한쪽 면 즉 상기 다이싱(테이프) 점착제(4)와 접촉하는 계면에 코로나 플라즈마 처리를 통해서 밀착력을 높인 제품이 일반적으로 사용되며, 상기 지지체(3)의 두께는 5~100㎛인, 바람직하게는 10~50㎛ 수준으로 하는 것이 좋다.In addition, the
또한 본 발명에 따른 다이 본딩을 위한 접착제(2)층은 열가소성 고무, 열경화성 수지, 경화제, 촉진제 및 충진제로 구성되며 상기 열가소성 고무는 일반적으로는 30~85 중량%, 바람직하게는 30~50% 수준이며 적절한 열가소성 고무는 폴리에스테르계 수지, 열가소성 폴리우레탄계 수지, 아미드계 혹은 나일론계 수지, 이미드계 수지이며 열가소성 수지와의 상용성, 웨이퍼와의 접착력을 높이기 위해서 카르복시, 에폭시, 페닐 등이 말단기가 부착된 수지를 사용한다. 상기 접착제의 두께는 제품의 용도에 따라 달라지며 일반적으로는 bottom 다이용으로는 10~30㎛, die to die용으로는 5~25㎛ 수준이다. 또한 상기 접착제에 이용되는 열경화성 수지는 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 열경화성 아크릴 수지, 페놀계 수지등을 사용할 수 있으며 바람직하게는 에폭시 수지가 사용되며, 상기 에폭시 수지에는 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 크레졸 노볼락형, 페놀, 노보락형 에폭시 수지가 등이 사용되며 웨이퍼와의 접착력 및 반도체 공정에서의 내열성을 높이기 위해 다수의 에폭시 수지를 혼합하여 사용하는 것도 가능하다.In addition, the adhesive 2 layer for die bonding according to the present invention is composed of a thermoplastic rubber, a thermosetting resin, a curing agent, an accelerator and a filler, and the thermoplastic rubber is generally 30 to 85% by weight, preferably 30 to 50%. Suitable thermoplastic rubbers are polyester resins, thermoplastic polyurethane resins, amide or nylon resins, imide resins, and end groups are attached to carboxy, epoxy, and phenyl to improve compatibility with thermoplastic resins and adhesion to wafers. Used resins. The thickness of the adhesive depends on the use of the product and is generally about 10-30 μm for the bottom die and 5-25 μm for the die to die. In addition, the thermosetting resin used in the adhesive may be an epoxy resin, an unsaturated polyester resin, a thermosetting acrylic resin, a phenol-based resin, and the like. Preferably, an epoxy resin is used, and the epoxy resin is bisphenol A type, bisphenol F type, Cresol novolak-type, phenol, novolak-type epoxy resins are used, and a plurality of epoxy resins may be mixed and used to improve adhesion to wafers and heat resistance in semiconductor processes.
또한 본 발명에 사용되는 경화제는 특별히 한정되지 않으나 아민 화합물, 이미다졸 화합물, 산무수물, 페놀 화합물, 디시안 디아미드 및 그러한 유도체 등이 사용된다.Moreover, although the hardening | curing agent used for this invention is not specifically limited, An amine compound, an imidazole compound, an acid anhydride, a phenol compound, dicyanic diamide, such derivatives, etc. are used.
또한 본 발명에 사용되는 촉진제는 0.01~10 중량%로 사용되며 특별히 한정되지 않으나 이미다졸 또는 3급 아민 등이 사용된다.In addition, the accelerator used in the present invention is used in 0.01 to 10% by weight and is not particularly limited, but imidazole or tertiary amine is used.
또한 본 발명에 사용되는 충진제의 크기는 일반적으로 0.1~10㎛ 이며 바람직하게는 0.2~5㎛이며 사용되는 함량은 1~80% 이며 바람직하게는 3~30%이고, 알루미나, 실리카, 알루미늄 히드록시드, 운모, 칼슘 카아보네이트, 티타니아, 샌드, 글래스 등이 사용된다.In addition, the size of the filler used in the present invention is generally 0.1 ~ 10㎛, preferably 0.2 ~ 5㎛, used content is 1 ~ 80%, preferably 3 ~ 30%, alumina, silica, aluminum hydroxide Seeds, mica, calcium carbonate, titania, sand, glass and the like are used.
또한 본 발명에 따른 상기 접착제 보호필름(1)은 특별히 한정되지 않으나 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르계 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름 등이 사용되며 상기 다이본딩 접착제(2)를 코팅시 캐리어 필름으로 사용되기 때문에 코팅장치에서의 장력조정과 건조장치 통과시의 내열성 및 치수안정성 등의 이유로 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 사용되며 웨이퍼와 합지시 다이본딩 접착제(2)와 박리가 용이하게 하기 위해서 적어도 한쪽 면에 대전방지 기능이 있는 이형제를 코팅하여 사용한다. 상기 보호필름(1)의 이형층에 사용되는 이형제는 실리콘계, 불소계 등이 사용되며 다이본딩 접착제(2)와의 박리강도 조절 및 가격적인 측면을 고려할 때 실리콘계 이형제가 바람직하다.In addition, the adhesive
또한 상기 대전방지 기능이 있는 실리콘 이형제는 오르가노 폴리실록산, 오르가노 하이드로전 폴리실록산, 실란 커플링제, 전도성 폴리머 수지 및 백금킬레이트 촉매를 포함하는 것을 특징으로 하며 바람직하게는 상기 대전방지 실리콘 이형 조성물 중 상기 전도성 폴리머 수지는 폴리음이온에 폴리티오펜 또는 그의 유도체를 중합하여 제조되는 것을 특징으로 한다.In addition, the anti-static silicone release agent is characterized in that it comprises an organo polysiloxane, an organohydrogen polysiloxane, a silane coupling agent, a conductive polymer resin and a platinum chelate catalyst, preferably in the conductive antistatic silicone release composition The polymer resin is characterized in that it is prepared by polymerizing polythiophene or a derivative thereof to polyanion.
상기 보호필름의 두께는 일반적으로 5~100㎛이며, 바람직하게는 10~75㎛ 더욱 바람직하게는 38~50㎛ 수준이다. 38㎛ 이하의 경우 펀칭 작업 시 펀칭나이프 깊이에 따라서 기재필름이 찢어지는 문제가 발생되며 50㎛이상의 경우 펀칭공정에서 가이드 롤 통과 시 기재필름 각도에 의해서 접착제와 분리되는 문제가 발생되기 때문이다.The thickness of the protective film is generally 5 ~ 100㎛, preferably 10 ~ 75㎛ more preferably 38 ~ 50㎛ level. In the case of 38 μm or less, a problem occurs in that the base film is torn according to the punching knife depth during the punching operation, and in the case of 50 μm or more, a problem of separation from the adhesive due to the base film angle when the guide roll passes in the punching process occurs.
또한 본 발명에 따른 반도체용 접착필름을 제조하는 방법은 접착제 보호필름(1)의 이형처리된 한 면에 수지와 용해도가 우수한 유기용제로 용액상태로 제조된 접착제 수지 조성물을 도포한다.In addition, the method for producing an adhesive film for semiconductor according to the present invention is applied to the release-treated one side of the adhesive protective film (1) by applying an adhesive resin composition prepared in solution with an organic solvent excellent in resin and solubility.
상기 도포방법으로서는, 예를 들면, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 분사 코팅법, 스핀 코팅법, 에어 나이프 코팅법, 롤 코팅법, 블레이드 코팅법, 게이트 롤 코팅법, 다이 코팅법 등을 사용할 수 있다. 또한 건조 방법으로서는, 예를 들면, 열풍건조로 등으로 열건조하는 방법 등을 사용할 수 있다. 건조 온도는 특별히 제한 없으나, 100~200℃가 바람직하며, 건조시간은 10초 내지 5분간이 바람직하다.As the coating method, for example, gravure coating method, bar coating method, spray coating method, spin coating method, air knife coating method, roll coating method, blade coating method, gate roll coating method, die coating method and the like can be used. have. Moreover, as a drying method, the method of heat-drying with a hot air drying furnace etc., etc. can be used, for example. Although drying temperature in particular is not restrict | limited, 100-200 degreeC is preferable and a drying time of 10 second-5 minutes is preferable.
다음으로 상기 건조된 접착제면에 접착제 보호필름(1)보다 낮은 박리력을 가지는 한쪽 면이 이형처리된 보호필름을 합지하여 다이본딩 접착제를 제조한다.Next, one side having a lower peeling force than the adhesive
다음으로 도 1과 같이 지지체(3)가 사용되는 경우 지지체(3)를 오프라인 합지기를 이용하여 다이싱 테이프 점착제 보호필름을 제거 후 합지하여 다이싱 테이프/지지체 구조의 필름을 제조한다.Next, when the
다음으로 상기 공정에서 제조된 다이싱테이프 혹은 다이싱테이프/지지체 구조의 필름을 펀칭기에 장착하여 다이본딩 접착제 외경보다 작은 펀칭나이프를 이용하여 1차 펀칭 후 지지체(3) 펀칭원 외부영역을 제거한 후 한쪽 면이 이형 처리된 보호필름과 합지하여 다이싱테이프 혹은 다이싱테이프/지지체 펀칭필름을 제조한다.Next, after the first punching using a punching knife smaller than the outer diameter of the die-bonding adhesive by attaching the film of the dicing tape or dicing tape / support structure manufactured in the above process to the punching machine, the outer area of the punching source is removed. One side is laminated with a release treated protective film to produce a dicing tape or a dicing tape / support punching film.
다음으로 도 1에 표시된 지지체(3)가 사용된 반도체용 접착필름의 경우 제조된 다이본딩 접착제를 펀칭기에 장착하여 지지체(3) 펀칭원보다 직경이 큰 펀칭나이프로 1차 펀칭 후 펀칭원 외부영역을 제거한 다음 다이싱테이프/지지체 펀칭필름의 보호필름을 제거한다. 보호필름이 제거된 다이싱테이프/지지체 펀칭필름을 1차 펀칭된 다이본딩 접착제와 합지 후 다이본딩 접착제의 직경보다 큰 펀칭나이프로 2차 펀칭을 진행한다.Next, in the case of the adhesive film for semiconductors using the
다음으로 2차 펀칭 후 펀칭원 외부영역을 제거하면 최종적으로 다이싱 테이프 점착제(4)와 다이본딩 접착제(2)사이에 다이본딩 접착제(2)의 직경보다 작고 웨이퍼 직경보다 큰 지지체가 사용되는 다이싱 다이본드 일체형 필름이 완성된다.Next, after the second punching, the outer portion of the punching source is removed, and finally, a die between the dicing
또한 도 2에 표시된 지지체(3)가 사용되지 않는 반도체용 접착필름의 경우 제조된 다이본딩 접착제를 펀칭기에 장착하여 다이싱 점착제의 펀칭원보다 직경이 작은 펀칭나이프로 1차 펀칭 후 펀칭원 외부영역을 제거한 다음 다이싱테이프의 보호필름을 제거한다. 보호필름이 제거된 다이싱테이프를 1차 펀칭된 다이본딩 접착제와 합지 후 다이본딩 접착제의 외경보다 큰 펀치나이프로 2차 펀칭을 진행한다.In addition, in the case of the adhesive film for a semiconductor, in which the
상기와 같이 제조된 본 발명에 따른 반도체용 접착필름, 즉 다이싱 다이본드 일체형 필름은 접착제 보호필름(1)이 제거되는 동시에 웨이퍼와 합지 및 웨이퍼링을 통해 고정된 후 칩사이즈로 다이싱된 후 픽업된 다음 PCB와 리드프레임과 같은 기판재료에 부착되어 다이본딩 공정이 완료된다.The adhesive film for semiconductors, that is, the dicing die-bonded integrated film according to the present invention manufactured as described above, is fixed through a lamination and wafer ring at the same time as the adhesive
이하, 실시예와 비교예를 통하여 본 발명의 구성 및 그에 따른 효과를 보다 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 본 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the configuration and effects of the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, this embodiment is intended to illustrate the present invention in more detail, and the scope of the present invention is not limited to these examples.
[실시예 1, 2][Examples 1 and 2]
다음 표 1에 나타낸 조건으로 실시예 1 및 2에 따른 반도체용 접착필름을 제조하였다.Next, the adhesive films for semiconductors according to Examples 1 and 2 were prepared under the conditions shown in Table 1.
[비교예 1~4][Comparative Examples 1-4]
다음 표 1에 나타낸 조건으로 비교예 1~4의 반도체용 접착필름을 제조하였다.Next, the adhesive films for semiconductors of Comparative Examples 1 to 4 were manufactured under the conditions shown in Table 1.
저항
(R)surface
resistance
(R)
접착제 외경
(A)Die bonding
Adhesive outer diameter
(A)
점착제 외경
(B)Dicing
Adhesive outer diameter
(B)
(A/B)Outer Ratio
(A / B)
(3)&(2)Peel Strength Y
(3) & (2)
(2)&(1)Peel Strength Z
(2) & (1)
상기 실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 4에 따른 다이본드 일체형 필름을 사용하여 다음과 같은 실험예를 통해 성능 평가를 하고 그 결과를 다음 표 2에 나타내었다.Using the die-bonded integral film according to Examples 1 to 2 and Comparative Examples 1 to 4 was evaluated for performance through the following experimental example and the results are shown in Table 2 below.
[실험예][Experimental Example]
(1)라미 Miss(1) Lamy Miss
각 실시예 및 각 비교예에서 얻어진 반도체용 접착필름, 즉 다이싱 다이본드 일체형 필름을 웨이퍼와 라미시 다이본딩 점착제 및 다이본딩 접착제층이 접착제 보호필름과 분리되어 웨이퍼 백면에 부착되는지의 여부를 확인하고 다음의 기준으로 평가하였다.Check whether the wafer, the lamination die-bonding adhesive, and the die-bonding adhesive layer are separated from the adhesive protective film and adhered to the wafer back surface by the semiconductor adhesive film obtained in each example and each comparative example, that is, a dicing die-bonded integral film And evaluated according to the following criteria.
불량: 다이싱 점착제 및 다이본딩 접착제가 접착제 보호필름에서부터 박리되지 못하고 웨이퍼와 라미되지 못한 상태.Poor: Dicing adhesive and die-bonding adhesive are not peeled off from the adhesive protection film and laminated to the wafer.
양호: 다이싱 점착제 및 다이본딩 접착제가 접착제 보호필름에서부터 박리되고 웨이퍼 백면에 라미된 상태.Good: Dicing adhesive and die-bonding adhesive peeled from the adhesive protective film and laminated to the wafer back surface.
(2)라미외관 (2) Lami appearance
반도체용 접착필름, 즉 다이싱 다이본드 일체형 필름을 웨이퍼와 라미시 다이본딩 점착제 및 다이본딩 접착제층이 접착제 보호필름과 분리되어 웨이퍼 백면에 부착된 후 주름 및 기포 등의 발생 여부를 확인하고 다음의 기준으로 평가하였다.The semiconductor adhesive film, that is, the dicing die-bonded film, the wafer, the lamish die-bonding pressure-sensitive adhesive and the die-bonding adhesive layer are separated from the adhesive protective film and attached to the back surface of the wafer to check whether wrinkles and bubbles are generated. Evaluation was made based on the criteria.
불량: 웨이퍼 백면에 라미된 접착필름의 표면에 주름이나 기포가 발생된 상태.Poor: A wrinkle or bubble is formed on the surface of the adhesive film laminated on the back surface of the wafer.
양호: 웨이퍼 백면에 라미된 접착필름의 표면에 주름이나 기포가 발생되지 않은 상태.Good: No wrinkles or bubbles are generated on the surface of the adhesive film laminated on the wafer back surface.
(3)접착제 찢어짐(3) adhesive tearing
반도체용 접착필름, 즉 다이싱 다이본드 일체형 필름을 웨이퍼와 라미시 다이본딩 접착제층이 접착제 보호필름과 분리시 부분적으로 박리가 되지 않아 접착제층이 찢어짐 발생 여부를 확인하고 다음의 기준으로 평가하였다.The adhesive film for semiconductor, ie, the dicing die-bonded film, was not partially peeled off when the wafer and the lamish die-bonding adhesive layer were separated from the adhesive protective film, and then the tearing of the adhesive layer was confirmed and evaluated based on the following criteria.
불량: 반도체용 접착필름의 다이본딩 접착제층이 접착제 보호필름에서 박리시 접착제층의 찢어짐이 발생된 상태.Poor: The tearing of the adhesive layer occurs when the die bonding adhesive layer of the adhesive film for semiconductor is peeled off from the adhesive protective film.
양호: 반도체용 접착필름의 다이본딩 접착제층이 접착제 보호필름에서 박리시 접착제층의 찢어짐이 없이 박리된 상태.Good: The die-bonding adhesive layer of the adhesive film for semiconductor is peeled off without tearing of the adhesive layer when peeling off from the adhesive protective film.
(4)접착제 박리불량(4) Adhesive Peeling Defect
반도체용 접착필름, 즉 다이싱 다이본드 일체형 필름을 웨이퍼와 라미시 다이본딩 접착제층이 접착제 보호필름과 박리가 정상적으로 이루어 지는지를 확인하고 다음의 기준으로 평가하였다.The adhesive film for semiconductor, that is, the dicing die-bonded film, was checked whether the wafer and the lamish die-bonding adhesive layer were normally peeled off with the adhesive protective film and evaluated according to the following criteria.
불량: 반도체용 접착필름의 다이본딩 접착제층이 접착제 보호필름에서 박리가 되지 않고 다이본딩 점착제와 분리된 상태.Poor: The die-bonding adhesive layer of the adhesive film for semiconductor is separated from the die-bonding adhesive without peeling off from the adhesive protective film.
양호: 반도체용 접착필름의 다이본딩 접착제층이 접착제 보호필름에서 박리되어 다이본딩 점착제와 같이 웨이퍼 백면에 라미된 상태.Good: The die-bonding adhesive layer of the adhesive film for semiconductor is peeled off from the adhesive protective film and laminated to the wafer back surface as the die-bonding adhesive.
* 비교예 2의 경우 웨이퍼 라미 Miss 발생으로 인해서 라미외관, 접착제 찢어짐, 접착제 박리불량 특성을 평가하지 못함.* In the case of Comparative Example 2, due to the occurrence of wafer lami miss, lamina appearance, adhesive tearing, adhesive peeling failure characteristics could not be evaluated.
상기 표2에 나타난 바와 같이 비교예 1~4와 같은 종래기술을 사용하면 반도체 패키지 어셈블리 공정에서 많은 문제점이 발생되었으나 본 발명에 따른 실시예 1과 2에서는 라미 Miss, 라미외관, 접착제 찢어짐 및 접착제 박리불량과 같은 모든 물성에서 양호한 결과를 얻을 수 있었다.As shown in Table 2, when using the prior art, such as Comparative Examples 1 to 4, many problems occurred in the semiconductor package assembly process, but in Examples 1 and 2 according to the present invention Lamy Miss, Lamy appearance, adhesive tear and adhesive peeling Good results were obtained in all properties such as poor.
본 명세서에서는 본 발명자들이 수행한 다양한 실시예 가운데 몇 개의 예만을 들어 설명하는 것이나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고, 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시될 수 있음은 물론이다. It is to be understood that the present invention is not limited to the above embodiments and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention.
1 : 접착제 보호필름 2 : 다이본딩 접착제
3 : 지지체 4 : 다이싱 점착제
5 : 기재필름 6 : 웨이퍼
7 : 라미롤
1: adhesive protective film 2: die-bonding adhesive
3:
5: base film 6: wafer
7: ramyol
Claims (4)
기재필름(5)과, 상기 기재필름(5)상에 다이싱 점착제(4), 다이본딩 접착제(2) 및 접착제 보호필름(1)이 순차적으로 적층된 반도체용 접착필름으로서,
상기 접착제 보호필름(1)의 적어도 한 면이 대전방지 처리된 것을 특징으로 하는, 반도체용 접착필름. In the adhesive film for semiconductors,
An adhesive film for a semiconductor in which a base film (5) and a dicing adhesive (4), a die bonding adhesive (2), and an adhesive protective film (1) are sequentially laminated on the base film (5),
At least one surface of the adhesive protective film (1) is characterized in that the antistatic treatment, the adhesive film for a semiconductor.
상기 접착제 보호필름(1)의 단위 면적당 표면저항은 다음의 수학식 1을 만족하되,
(수학식 1)
R ≤ 1012
여기서, "R"은 이형층의 단위 면적당 표면저항(Ω/□)인 것을 특징으로 하는, 반도체용 접착필름. The method of claim 1,
The surface resistance per unit area of the adhesive protective film 1 satisfies the following equation 1,
(Equation 1)
R ≤ 10 12
Here, "R" is the surface resistance (Ω / □) per unit area of the release layer, adhesive film for semiconductors.
상기 다이본딩 접착제(2)의 외경은 다이싱 점착제(4)의 외경보다 작으며 두 외경의 비율은 다음 수학식 2를 만족하되,
(수학식 2)
0.8 < (A/B) < 0.9
여기서, "A"는 상기 다이본딩 접착제(2)의 외경이고, "B"는 상기 다이싱 점착제(4)의 외경인 것을 특징으로 하는, 반도체용 접착필름. The method according to claim 1 or 2,
The outer diameter of the die bonding adhesive 2 is smaller than the outer diameter of the dicing adhesive 4 and the ratio of the two outer diameters satisfy the following Equation 2,
(2)
0.8 <(A / B) <0.9
Here, "A" is the outer diameter of the die-bonding adhesive (2), "B" is the outer diameter of the dicing adhesive (4), The adhesive film for semiconductors.
상기 다이본딩 접착제(2)와 다이싱 점착제(4)간의 박리강도 및 상기 다이본딩 접착제(2)와 상기 접착제 보호필름(1)간의 박리강도는 다음 수학식 3을 만족하되,
(수학식 3)
Y > 3Z
여기서, "Y"는 상기 다이본딩 접착제(2)와 상기 다이싱 점착제(4)간의 박리강도이고, "Z"는 상기 다이본딩 접착제(2)와 상기 접착제 보호필름(1)간의 박리강도인 것을 특징으로 하는, 반도체용 접착필름.The method according to claim 1 or 2,
The peel strength between the die bonding adhesive 2 and the dicing adhesive 4 and the peel strength between the die bonding adhesive 2 and the adhesive protective film 1 satisfy the following Equation 3,
(3)
Y> 3Z
Here, "Y" is the peel strength between the die bonding adhesive 2 and the dicing adhesive 4, "Z" is the peel strength between the die bonding adhesive 2 and the adhesive protective film (1). The adhesive film for semiconductors characterized by the above-mentioned.
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