KR20120049142A - 액정 패널, ｔｆｔ 어레이 기판 및 그 제조방법 - Google Patents

액정 패널, ｔｆｔ 어레이 기판 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20120049142A
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성헌 송
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베이징 비오이 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
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Abstract

공개된 기술방안은 일종의 액정 패널, TFT 어레이 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 상기 TFT 어레이 기판은 베이스 기판; 및 베이스 기판에 형성되는 게이트전극 스캔라인, 데이터 스캔라인과 상기 게이트전극 스캔라인과 상기 데이터 스캔라인 위에 덮이는 보호층을 포함하며, 상기 보호층 상의 실란트가 도포된 영역 중 게이트전극 스캔라인 및/또는 데이터 스캔라인에 대응되는 위치에 도전층이 설치된다.

Description

액정 패널, ＴＦＴ 어레이 기판 및 그 제조방법{Liquid crystal panel, TFT array substrate and method for manufacturing the same}
본 발명은 액정 패널, TFT 어레이 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
액정 패널은 주로 마주보도록 결합되는 TFT 어레이 기판과 컬러필터 기판을 포함하며, TFT 어레이 기판과 컬러필터 기판 사이에 액정이 주입되며, TFT 어레이 기판과 컬러필터 기판 사이의 주변 영역이 그 사이에 삽입 설치되는 실란트를 통해 밀봉된다. TFT 어레이 기판에는 서로 교차되는 게이트전극 스캔라인과 데이터 스캔라인이 구비되며, 또한 교차되는 게이트전극 스캔라인과 데이터 스캔라인에 의해 화소유닛이 한정된다. 각각의 화소유닛 부위에는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)와 화소전극이 설치되며, 컬러필터 기판에는 공통전극과 각 화소유닛에 대응되는 컬러수지필름이 설치된다.
게이트전극 스캔라인에 전압을 인가하면, TFT 중의 소스전극과 드레인전극이 도통되는데, 데이터 스캔라인은 TFT의 소스전극과 서로 접속되고, TFT의 소스전극은 화소전극과 서로 접속되기 때문에, 데이터 스캔라인에 인가된 화소전압이 바로 화소전극에 인가됨과 아울러 유지될 수 있다. 화소전극 상의 전압은 화소전극과 컬러필터 기판 상의 공통전극 사이에 전기장이 형성되도록 함으로써 영상을 디스플레이 하도록 액정의 광투과율을 제어하게 된다.
상기 TFT 어레이 기판에는 또한 화소전극과 함께 저장 커패시터를 형성하는 공통전극이 설치된다. TFT 어레이 기판 상의 공통전극과 컬러필터 기판 상의 공통전극 사이에 동일한 전위를 갖도록 하기 위해서는 TFT 어레이 기판 상의 공통전극과 컬러필터 기판 상의 공통전극을 함께 연결시킬 필요가 있다. 종래 기술 중 제조 과정을 비교적 줄일 수 있는 방안은 도 1에 도시된 바와 같이, 실란트(11)에 도전성 볼(12)을 설치하고, TFT 어레이 기판 상에서 실란트(11)를 도포한 영역 중 공통전극(13)에 대응되는 위치에 비어홀을 미리 남겨두고, 비어홀 내부에 금속층(14)을 퇴적하여 TFT 어레이 기판 상의 공통전극(13)을 상기 금속층(14)을 통해 실란트(11) 중의 도전성 볼(12)과 전기적으로 접속시킴으로써, 컬러필터 기판(15) 상의 공통전극(16)과 전기적으로 접속될 수 있도록 하는 방식이다.
상기 방안을 실현하는 과정에서, 발명자는 종래 기술 중 적어도 다음과 같은 문제점이 존재한다는 것을 발견하였다: 도 2에 도시된 바와 같이, 실란트(11) 중의 도전성 볼(12)은 정전기를 쉽게 모으기 때문에, 도전성 볼(12)과 TFT 어레이 기판 중의 데이터 스캔라인(17) 사이에 전기장이 존재하여, 데이터 스캔라인(17) 위에 덮여있는 보호층(18)이 뚫리면서 데이터 스캔라인(17)에 누전 현상이 발생하여 정상적인 디스플레이 기능에 영향을 줄 수 있고, 이밖에, 게이트전극 스캔라인에도 역시 상기 문제가 나타날 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 데이터 스캔라인 및/또는 게이트전극 스캔라인 위에 덮이는 보호층이 뚫림으로써 발생되는 누전문제를 해소할 수 있는 액정 패널, TFT 어레이 기판 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에서는 베이스 기판; 및 상기 베이스 기판에 형성되는 게이트전극 스캔라인, 데이터 스캔라인과 보호층을 포함하는 일종의 TFT 어레이 기판을 제공한다. 상기 보호층은 상기 게이트전극 스캔라인과 상기 데이터 스캔라인 위에 덮이며, 상기 보호층 상의 실란트가 도포된 영역 중 게이트전극 스캔라인 및/또는 데이터 스캔라인에 대응되는 위치에 도전층이 설치된다.
본 발명의 다른 실시예에서는 베이스 기판에 게이트전극 스캔라인, 데이터 스캔라인, 박막 트랜지스터 및 상기 게이트전극 스캔라인, 상기 데이터 스캔라인과 상기 박막 트랜지스터 위에 덮이는 보호층을 형성는 단계; 및 상기 보호층에 도전층을 형성하며, 상기 도전층의 위치를 상기 TFT 어레이 기판 중 실란트가 도포된 영역 내의 게이트전극 스캔라인 및/또는 데이터 스캔라인과 대응되도록 하는 단계를 포함하는 일종의 TFT 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 또다른 실시예에 따른 액정패널은 컬러필터 기판과 TFT 어레이 기판을 포함하며, 상기 컬러필터 기판과 TFT 어레이 기판 사이가 실란트로 밀봉되며, 그 중 상기 TFT 어레이 기판은 본 발명의 임의의 상기 TFT 어레이 기판일 수 있다.
본 발명에 따르면, 도전성 볼에 모이는 전하를 도전층으로 분산시킬 수 있어, 도전층과 데이터 스캔라인 및/또는 게이트전극 스캔라인 사이의 전기장을 감소시킬 수 있으며, 데이터 스캔라인 및/또는 게이트전극 스캔라인 위에 덮이는 보호층이 뚫리는 것이 효과적으로 방지될 수 있다.
도 1은 종래 기술 중 도전성 볼을 통해 공통전극과 연결시키는 설명도이다.
도 2는 종래 기술 중 도전성 볼과 데이터 스캔라인으로 커패시터를 형성하는 설명도이다.
도 3은 공개된 기술방안의 실시예 1에서 채택한 일종의 TFT 어레이 기판의 액정 패널 단면도이다.
도 4는 공개된 기술방안의 실시예 1 중 도전성 볼의 단면도이다.
도 5는 공개된 기술방안의 실시예 1에서 채택한 또다른 일종의 TFT 어레이 기판의 액정 패널 단면도이다.
도 6은 공개된 기술방안의 실시예 1 중 실란트 내부에 여러 종류의 도전성 볼을 구비한 액정 패널의 단면도이다.
공개된 기술방안의 실시예의 목적, 기술방안과 장점이 더욱 명확해지도록, 이하 공개된 기술방안의 실시예 중의 도면을 결합하여, 공개된 기술방안의 실시예에 대하여 분명하고도 완전하게 설명하고자 한다. 물론, 묘사하는 실시예는 단지 공개된 기술방안의 일부 실시예일뿐, 실시예의 전부는 아니다. 공개된 기술방안 중의 실시예를 바탕으로, 본 분야의 통상의 기술자의 창조적인 노동이 없었다는 전제 하에 획득된 모든 기타 실시예는 본 발명의 보호범위에 속한다.
실시예 1:
공개된 기술방안의 실시예에서는 일종의 TFT 어레이 기판을 제공한다. 상기 TFT 어레이 기판은 베이스 기판 및 베이스 기판에 형성되는 데이터 스캔라인, 게이트전극 스캔라인, 박막트랜지스터 및 상기 TFT 어레이 기판의 보호층 등을 포함하는데, 이러한 구조는 종래의 어떤 기술로도 제작 가능하다. 보호층은 데이터 스캔라인, 게이트전극 스캔라인, 박막 트랜지스터 등 구조의 상부에 덮인다. 도 3은 공개된 기술방안의 실시예 중 액정디스플레이의 국부 단면도로서, 도 3에서는 게이트전극 스캔라인은 도시하지 않았다.
이하 도 3을 예로 들어 공개된 기술방안의 실시예의 실현 방식을 설명한다. 도 3 중 액정 패널은 TFT 어레이 기판(32)과 컬러필터 기판(31)을 구비하며, 또한 TFT 어레이 기판(32)과 컬러필터 기판(31) 사이는 실란트(33)를 통해 밀봉된다. 구체적으로, 실란트(33)는 TFT 어레이 기판(32)과 컬러필터 기판(31) 사이에 주입되는 액정을 밀봉하도록 TFT 어레이 기판(32)과 컬러필터 기판(31)의 주변 영역에서 이들 사이에 삽입 설치되며, 실란트(33)에는 도전성 볼(34)이 포함된다. TFT 어레이 기판(32) 중의 데이터 스캔라인(35)을 보호하기 위하여, 공개된 기술방안의 실시예에서는 TFT 어레이 기판(32)의 보호층(36) 상의 실란트(33)가 도포된 영역 중 데이터 스캔라인(35)과 대응되는 위치에 도전층(37)을 설치하였다.
공개된 기술방안의 실시예를 채택하면, 상기 도전층(37)이 만약 실란트(33) 중의 도전성 볼(34)과 접촉하는 경우, 전하가 하나의 점에 모이지 않도록 도전성 볼(34)에 모이는 전하를 도전층(37)으로 분산시킬 수 있어, 도전성 볼(34)과 데이터 스캔라인(35) 사이의 전기장을 감소시킬 수 있다. 따라서, 데이터 스캔라인(35) 위에 덮이는 보호층(36)이 뚫리게 되는 것을 효과적으로 방지하여 데이터 스캔라인(35)에 발생될 수 있는 누전 문제를 감소시키고 액정 패널의 정상적인 디스플레이를 보장할 수 있다.
데이터 스캔라인 상의 보호층에는 일반적으로 한 층의 부동태화층(passivation layer)만 있고, 게이트전극 스캔라인 상의 보호층은 일반적으로 게이트전극 절연층과 부동태화층의 두 층을 갖기 때문에, 일반적인 상황에서는 데이터 스캔라인만 보호하면 된다.
상기 데이터 스캔라인의 대응위치에 도전층을 설치하는 이외에, 공개된 기술방안의 실시예에서는 또한 다른 일종의 실현방식을 제공한다. 게이트전극 스캔라인을 보호하기 위하여, 공개된 기술방안의 실시예의 TFT 어레이 기판 보호층 상의 실란트를 도포한 영역 중 게이트전극 스캔라인과 대응되는 위치에 도전층을 설치하여, 전하가 하나의 점에 모이지 않도록 도전성 볼에 모이는 전하를 도전층으로 분산시킬 수 있으며, 이를 통해 도전성 볼과 게이트전극 스캔라인 사이의 전기장을 감소시킬 수 있다. 따라서 게이트전극 스캔라인 위에 덮이는 보호층이 뚫리게 되는 것을 효과적으로 방지하여, 게이트전극 스캔라인에 발생할 수 있는 누전 문제를 감소시키고 액정패널의 정상적인 디스플레이를 보장할 수 있다.
공개된 기술방안의 실시예는 또한 실란트 영역 내에서 게이트전극 스캔라인 및 데이터 스캔라인에 동시에 대응되도록 도전층을 설치할 수 있어, 효과적으로 데이터 스캔라인과 게이트전극 스캔라인을 동시에 보호할 수 있다.
게이트전극 스캔라인 및/또는 데이터 스캔라인 위에 덮이는 보호층이 뚫리는 것을 효과적으로 방지하기 위하여, 공개된 기술방안의 실시예에서는 상기 도전층을 TFT 어레이 기판 상의 실란트 외부 영역까지 연장하고 접지단부와 연결시켰다. 외부 영역까지 연장된 부분을 통해 접지시키면 게이트전극 스캔라인 및/또는 데이터 스캔라인 상방에 위치한 도전성 볼에 전하가 모이지 않도록 도전성 볼의 전하를 도전층을 통해 접지단부로 전송할 수 있어, 게이트전극 스캔라인 및/또는 데이터 스캔라인 위에 덮인 보호층이 뚫리는 것을 효과적으로 방지하여, 게이트전극 스캔라인 및/또는 데이터 스캔라인에 발생하는 누전 문제를 감소시키고 액정 디스플레이의 정상적인 디스플레이를 보장할 수 있다.
공개된 기술방안의 실시예에서, 상기 도전층을 제작하기 위한 재료로는 투명 도전 재료, 다시 말해 화소전극과 동일한 재료를 사용할 수 있으나, 단 이에 국한되지 않는다. 물론 공개된 기술방안의 실시예에서는 도전층이 액정패널의 유효 디스플레이 영역 내에 위치하지 않기 때문에, 상기 도전층은 또한 기타 금속재료를 사용할 수도 있다. 이밖에, TFT 어레이 기판은 또한 화소전극과 저장 커패시터를 형성하는 공통전극을 포함할 수 있으며, TFT 어레이 기판 상의 공통전극은 실란트(구체적으로 실란트 중의 도전성 볼)를 통하여 컬러필터 기판 상의 공통전극과 전기적으로 접속된다.
실란트가 도포된 영역 내의 도전층이 모두 접지될 수 있도록 하기 위하여, 공개된 기술방안의 실시예에서는 실란트가 도포된 영역 내의 모든 도전층이 서로 도통되도록 하거나, 또는 실란트가 도포된 영역을 다수의 서브영역으로 분리하여, 하나의 서브 영역 내의 모든 도전층이 서로 도통되도록 하였으며, 이럴 경우 어느 한 서브 영역 내의 도전층을 접지시키기가 편리하다. 예를 들어 사각형의 TFT 어레이 기판의 경우, TFT 어레이 기판의 네 측변을 네 개의 서브 영역으로 구분하여, 각각의 서브 영역마다 그 중 한 측변에 대응되는 실란트가 도포된 영역을 갖도록 한다.
일반적으로, 공개된 기술방안의 실시예에서 실란트 도전성 볼은 내부에 탄성을 지닌 수지재료를 사용하고, 외곽은 니켈 등으로 제조된 1차 도전필름과 금 등으로 제조된 2차 도전필름으로 구성할 수 있다. 구체적으로 도 4에 도시된 구조를 참조한다. 도전성 볼 내부는 탄성을 지닌 수지재료(41)이고, 외곽은 니켈 등으로 제작된 1차 도전필름(42)과 금 등으로 제작된 2차 도전필름(43)으로 구성된다.
구체적으로 실현할 때, 공개된 기술방안의 실시예 중의 도전층은 다음 설치방식을 채택할 수 있으나, 단 이에 국한되지 않는다:
첫 번째, 도 3에 도시된 바와 같이, 만약 데이터 스캔라인과 대응되는 위치에 도전층을 설치하는 경우, 도전층을 데이터 스캔라인의 전체 너비 방향과 서로 중첩되는 형식, 다시 말해 도전층으로 실란트 영역 내의 전체 데이터 스캔라인을 덮도록 설치할 수 있다. 만약 게이트전극 스캔라인에 대응되는 위치에 도전층을 설치하는 경우, 역시 도전층을 게이트전극 스캔라인의 전체 너비와 서로 중첩되는 형식, 다시 말해 도전층으로 실란트 영역 내의 전체 게이트전극 스캔라인을 덮도록 설치할 수 있다.
두 번째, 도 5에 도시된 바와 같이 만약 데이터 스캔라인과 대응되는 위치에 도전층을 설치하는 경우, 도전층(37)을 데이터 스캔라인(35) 양측변과 각각 중첩되는 형식으로 설치할 수 있으며, 즉 데이터 스캔라인(35) 양측변의 대응위치에 도전층(37)을 각각 하나씩 설치하는 것에 해당한다. 이와 같이 설치하는 원인은 도 2에 도시된 바와 같이, 데이터 스캔라인의 측변의 코너 부위에 뚫림 현상이 비교적 쉽게 발생하기 때문이다. 같은 이치로, 만약 게이트전극 스캔라인에 대응되는 위치에 도전층을 설치할 경우, 역시 도전층을 게이트전극 스캔라인 양측변과 서로 중첩되는 형식으로 설치할 수 있다.
도전성 볼이 도전층과 효과적으로 접촉되도록 하기 위하여, 공개된 기술방안의 실시예에서는 실란트 내부에 적어도 두 종류의 직경을 지니는 도전성 볼을 설치할 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 만약 실란트에 일종의 직경이 큰 도전성 볼(341)과 일종의 직경이 작은 도전성 볼(342)이 구비되는 경우, 직경이 작은 도전성 볼(342)이 도전층과 비교적 효과적으로 접촉될 수 있어, 단락 불량이 발생하는 상황을 줄일 수 있다.
실란트 내의 도전성 볼이 도전층과 비교적 효과적으로 접촉될 수 있도록 하기 위하여, 공개된 기술방안의 실시예에서는 도전층의 너비를 상기 도전성 볼의 직경보다 일반적으로 크게 하였다.
실시예 2:
공개된 기술방안의 실시예에서는 일종의 TFT 어레이 기판의 제조방법을 제공하며, 상기 제조방법은
단계 1: 베이스 기판에 게이트전극 스캔라인, 데이터 스캔라인, 박막 트랜지스터 및 게이트전극 스캔라인, 데이터 스캔라인, 박막 트랜지스터 위에 덮이는 보호층을 형성하는 단계이다. 본 단계의 제작 과정은 종래의 제작 방법을 채택할 수 있으나, 단 이에 국한되지 않으며, 구체적인 제작 과정은 뒤에 이어지는 설명을 참조할 수 있다. 또한, 공개된 기술방안의 실시예 중 보호층은 주로 데이터 스캔라인 위에 위치하는 부동태화층을 지칭한다.
단계 2: 데이터 스캔라인 및/또는 게이트전극 스캔라인을 보호하도록 하기 위하여, 공개된 기술방안의 실시예에서는 또한 보호층에 도전층을 형성하고, 상기 도전층의 위치를 TFT 어레이 기판 상에서 실란트가 도포된 영역 내의 게이트전극 스캔라인 및/또는 데이터 스캔라인과 서로 대응시키는 단계가 더 필요하며, 구체적으로 형성된 도전층은 도 3과 도 5를 참조할 수 있다.
상기 도전층이 만약 실란트 중의 도전성 볼과 접촉하는 경우, 전하가 하나의 점에 모이지 않도록 도전성 볼에 모이는 전하를 도전층으로 분산시킴으로써, 도전성 볼과 게이트전극 스캔라인 및/또는 데이터 스캔라인 사이의 전기장을 감소시킬 수 있다. 따라서 게이트전극 스캔라인 및/또는 데이터 스캔라인 위에 덮인 보호층이 뚫리게 되는 것을 효과적으로 방지하여, 게이트전극 스캔라인 및/또는 데이터 스캔라인에 발생하는 누전문제를 감소시키고, 액정패널의 정상적인 디스플레이를 보장할 수 있다.
공개된 기술방안의 실시예에서는 보호층의 제작이 완료된 후 화소전극의 제작을 실시할 수 있으며, 그 재료로는 ITO, IZO 등 투명 도전재료를 사용하여 화소전극과 컬러필터 기판 상의 공통전극을 통해 커패시터를 형성함으로써 액정재료가 회전하도록 구동시킬 수 있다. 공정을 줄이기 위하여, 공개된 기술방안의 실시예에서는 단계 2 중 도전층을 제작하는 공정을 화소전극 제작과 동일한 마스크(MASK) 공정을 채택할 수 있기 때문에, 공개된 기술방안의 실시예에서 도전층의 재료는 일반적으로 화소전극과 동일한 재료, 즉 투명 도전 재료를 선택하여 사용한다.
도전성 볼과 게이트전극 스캔라인 및/또는 데이터 스캔라인 사이의 전기장을 좀 더 감소시키기 위하여, 공개된 기술방안의 실시예에서는 단계 2 중 상기 도전층을 형성할 때, 도전층을 TFT 어레이 기판 위의 실란트의 외부영역까지 연장하여 접지단부와 연결시켰다. 이를 통해 도전성 볼 위의 전하를 도전층을 통해 접지단부로 전송하여, 게이트전극 스캔라인 및/또는 데이터 스캔라인 상방에 위치한 도전성 볼이 전하를 모으지 못하도록 할 수 있어, 게이트전극 스캔라인 및/또는 데이터 스캔라인 위에 덮여 있는 보호층이 뚫리는 현상을 효과적으로 방지하여, 게이트전극 스캔라인 및/또는 데이터 스캔라인에 발생하는 누전문제를 감소시키고, 액정패널의 정상적인 디스플레이를 보장할 수 있다.
실란트가 도포된 영역 내의 도전층이 모두 접지될 수 있도록 하기 위하여, 공개된 기술방안의 실시예에서 실란트가 도포된 영역 내의 모든 도전층을 서로 도통시키거나, 또는 실란트가 도포된 영역을 다수의 서브 영역으로 구분하여, 하나의 서브 영역 내의 모든 도전층이 서로 도통되도록 하면, 어느 한 서브 영역 내의 도전층을 접지시키기에 편리하다. 예를 들어, 사각형 TFT 어레이 기판의 경우, TFT 어레이 기판의 네 측변을 네 개의 서브 영역으로 구분하여, 각각의 서브 영역마다 그 중 하나의 측변에 대응되는 실란트가 도포된 영역을 구비하도록 할 수 있다.
구체적으로 실현할 때, 공개된 기술방안의 실시예 중의 도전층은 다음과 같은 설치방식을 채택할 수 있으나, 단 이에 국한되지 않는다:
첫 번째, 만약 데이터 스캔라인과 대응되는 위치에 도전층을 설치하는 경우, 상기 도전층을 형성하는 과정에서, 도전층을 데이터 스캔라인의 전체 너비 방향과 서로 중첩되는 형식, 다시 말해 도전층이 실란트 영역 내의 전체 데이터 스캔라인을 덮는 형식으로 설치할 수 있으며, 구체적인 형식은 도 3을 참조한다. 만약 게이트전극 스캔라인과 대응되는 위치에 도전층을 설치하는 경우, 역시 도전층을 게이트전극 스캔라인의 전체 너비와 서로 중첩되는 형식으로 설치할 수 있다.
두 번째, 만약 데이터 스캔라인과 대응되는 위치에 도전층을 설치하는 경우, 상기 도전층을 형성하는 과정에서, 도전층을 데이터 스캔라인 양측변과 각각 중첩되는 형식, 다시 말해 데이터 스캔라인 양측변의 대응위치에 도전측을 각각 하나씩 설치할 수 있으며, 구체적인 형식을 도 5를 참조한다. 만약 게이트전극 스캔라인 상의 대응위치에 도전층을 설치하는 경우, 역시 도전층을 게이트전극 스캔라인 양측변과 서로 중첩되는 형식으로 설치할 수 있다.
공개된 기술방안의 실시예에서 단계 1 중 TFT 어레이 기판 상의 게이트전극 스캔라인, 데이터 스캔라인, 박막 트랜지스터, 보호층 등 구조를 제작하는 방법은 다음 과정을 채택할 수 있으나, 단 이에 국한되지 않는다:
단계 11: 베이스 기판에 게이트전극 스캔라인, 및 게이트전극 스캔라인과 서로 연결되는 게이트전극을 포함하는 게이트 패턴을 형성하는 단계로서, 게이트 패턴은 일반적으로 알루미늄, 몰리브덴, 티타늄 또는 구리 등 금속재료, 또는 상기 재료 중 두 가지 이상의 금속재료의 합금으로 제작된다.
단계 12: 게이트 패턴을 구비한 기판에 게이트전극 절연 박막을 퇴적하는 단계로서, 게이트전극 절연 박막의 재료는 일반적으로 질화규소(SiNx)이다.
단계 13: 게이트전극 절연 박막에 상기 게이트전극과 중첩되는 활성 박막 패턴을 형성하는 단계로서, 상기 활성 박막 패턴은 순차적으로 형성되는 도핑 반도체층과 반도체층을 구비하며, 또한 상기 활성 박막 패턴에 채널 영역이 형성된다.
단계 14: 활성 박막 패턴을 구비한 기판에 소스-드레인 금속 박막을 형성하고, 상기 소스-드레인 금속 박막에 소스-드레인 패턴을 식각하는 단계로서, 상기 소스-드레인 패턴은 게이트전극 스캔라인과 교차되는 데이터 스캔라인, 박막 트랜지스터의 소스전극과 드레인전극을 구비하며, 그 중 박막 트랜지스터의 소스전극과 드레인전극은 모두 상기 활성 박막 패턴과 교대로 중첩된다.
단계 15: 상기 소스-드레인 패턴에 부동태화층을 형성하고, 부동태화층에 드레인전극 상방에 위치한 비어홀을 식각하여 드레인전극을 노출시키는 단계이다.
단계 16: 부동태화층에 화소전극을 형성하고, 상기 화소전극을 상기 비어홀을 통해 박막 트랜지스터의 드레인전극과 서로 접속시키는 단계로서, 공개된 기술방안의 실시예에서 화소전극의 재료는 ITO, IZO 등 투명 도전재료일 수 있다. 구체적으로 활용할 경우, 공개된 기술방안의 실시예 중 단계 2에서 제작되는 도전층은 화소전극과 동일한 마스크 공정으로 동시에 형성할 수 있다.
실시예 3:
공개된 기술방안의 실시예에서는 또한 컬러필터 기판과 TFT 어레이 기판을 포함하며, 상기 컬러필터 기판과 TFT 어레이 기판 사이를 실란트로 밀봉시킨 일종의 액정 패널을 제공하며, 또한 상기 액정 패널에 사용되는 TFT 어레이 기판은 실시예 1에 설명된 TFT 어레이 기판이다.
공개된 기술방안의 실시예에서 제공하는 액정 패널을 제작할 때, 실시예 2에서 제공하는 방법에 따라 TFT 어레이 기판을 제작하는 이외에, 또한 컬러필터 기판을 제작한 다음, 컬러필터 기판과 TFT 어레이 기판을 실란트를 통해 마주보도록 결합하여 밀봉시킨다.
공개된 기술방안의 실시예는 주로 각종 액정 패널, 예를 들어 노트북 컴퓨터, 액정 TV 또는 액정 디스플레이 등 전자장치의 액정 패널에 응용된다.
이상에서 설명한 내용은 단지 공개된 기술방안의 구체적인 실시 방식일 뿐으로서, 본 발명의 보호범위는 이에 국한되지 않으며, 본 기술분야를 숙지하는 기술자라면 누구든지 본 발명에 공개된 기술 범위 내에서 쉽게 생각할 수 있는 변화 또는 교체가 가능하며, 이는 모두 본 발명의 보호범위 내에 포함되어야 함이 마땅하다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 첨부된 청구항의 보호범위를 기준으로 한다.
31 ; 컬러필터 기판 32 ; TFT 어레이 기판
33 ; 실란트 34 ; 도전성 볼
35 ; 데이터 스캔라인 36 ; 보호층
37 ; 도전층

Claims (15)

  1. TFT 어레이 기판에 있어서,
    베이스 기판; 및
    상기 베이스 기판에 형성되는 게이트전극 스캔라인, 데이터 스캔라인, 상기 게이트전극 스캔라인과 상기 데이터 스캔라인 상부에 덮이는 보호층을 포함하며,
    상기 보호층 상의 실란트가 도포된 영역 중 상기 게이트전극 스캔라인 및/또는 상기 데이터 스캔라인과 대응되는 위치에 도전층이 설치되는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 도전층은 TFT 어레이 기판 상의 실란트의 외부 영역까지 연장되어, 접지단부와 연결되는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 도전층을 제작하기 위한 재료는 투명 도전 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 TFT 어레이 기판은 또한 상기 보호층에 설치되는 화소전극을 더 포함하며, 상기 도전재료와 상기 화소전극은 동일한 재료로 제작되는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실란트가 도포된 영역 내의 모든 상기 도전층은 서로 도통되거나, 또는 상기 실란트가 도포된 영역에 적어도 두 개의 서브 영역이 포함되면서, 각각의 상기 서브 영역 내의 모든 상기 도전층이 서로 도통되는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판.
  6. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실란트 내에 도전성 볼이 설치되며, 상기 도전층의 너비가 상기 도전성 볼의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판.
  7. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실란트 내에 직경이 다른 적어도 두 종류의 도전성 볼이 구비되는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판.
  8. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전층은 상기 게이트전극 스캔라인 및/또는 상기 데이터 스캔라인과 서로 중첩되거나, 또는 상기 도전층은 상기 게이트전극 스캔라인의 양측변 및/또는 상기 데이터 스캔라인의 양측변과 서로 중첩되는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판.
  9. 제 4항에 있어서,
    상기 TFT 어레이 기판은 또한 상기 화소전극과 함께 저장 커패시터를 형성하는 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판.
  10. TFT 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
    베이스 기판에 게이트전극 스캔라인, 데이터 스캔라인, 박막 트랜지스터 및 상기 게이트전극 스캔라인, 상기 데이터 스캔라인과 상기 박막 트랜지스터 위에 덮이는 보호층을 형성하는 단계; 및
    상기 보호층에 도전층을 형성하여, 상기 도전층의 위치를 상기 TFT 어레이 기판 중 실란트가 도포된 영역 내의 상기 게이트전극 스캔라인 및/또는 상기 데이터 라인과 서로 대응되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 도전층을 TFT 어레이 기판 상의 실란트의 외부 영역까지 연장하여 접지단부와 연결시키는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법.
  12. 제 10항 또는 제 11항에 있어서,
    상기 도전층을 형성하는 과정에서, 형성된 상기 도전층을 상기 게이트전극 스캔라인 및/또는 상기 데이터 스캔라인과 서로 중첩시키거나, 또는
    상기 도전층을 형성하는 과정에서, 형성된 상기 도전층을 상기 게이트전극 스캔라인의 양측변 및/또는 상기 데이터 스캔라인의 양측변과 서로 중첩시키는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법.
  13. 제 10항 또는 11항에 있어서,
    상기 실란트가 도포된 영역 내의 모든 상기 도전층을 서로 도통시키거나; 또는 상기 실란트가 도포된 영역에 적어도 두 개의 서브 영역을 구비하여, 각각의 서브 영역 내의 모든 상기 도전층이 서로 도통되도록 하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법.
  14. 제 10항 또는 제 11항에 있어서,
    상기 보호층에 화소전극을 형성하여, 상기 도전층과 상기 화소전극을 동일한 마스크를 사용하여 동시에 형성하도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT 어레이 기판의 제조방법.
  15. 액정 패널에 있어서,
    컬러필터 기판과 TFT 어레이 기판을 포함하며, 상기 컬러필터 기판과 상기 TFT 어레이 기판 사이를 실란트로 밀봉하며; 상기 TFT 어레이 기판은 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 따른 TFT 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 액정 패널.
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