KR20120046540A - Support unit and substrate treating apparatus with it - Google Patents

Support unit and substrate treating apparatus with it Download PDF

Info

Publication number
KR20120046540A
KR20120046540A KR1020100108250A KR20100108250A KR20120046540A KR 20120046540 A KR20120046540 A KR 20120046540A KR 1020100108250 A KR1020100108250 A KR 1020100108250A KR 20100108250 A KR20100108250 A KR 20100108250A KR 20120046540 A KR20120046540 A KR 20120046540A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat transfer
substrate
transfer sheet
support unit
heater
Prior art date
Application number
KR1020100108250A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101234358B1 (en
Inventor
이진환
이형근
Original Assignee
에이피시스템 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이피시스템 주식회사 filed Critical 에이피시스템 주식회사
Priority to KR1020100108250A priority Critical patent/KR101234358B1/en
Priority to CN201110339462.2A priority patent/CN102456599B/en
Priority to TW100140040A priority patent/TWI478276B/en
Publication of KR20120046540A publication Critical patent/KR20120046540A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101234358B1 publication Critical patent/KR101234358B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PURPOSE: A support unit and a substrate processing apparatus including the same are provided to prevent particle from being generated from a heat transfer sheet by arranging a metal sheet an upper portion of the heat transfer sheet. CONSTITUTION: A chamber unit(100) forms a space for bonding an upper plate(S2) and a lower plate(S1). A lower support unit(200) includes a susceptor(200a) and a sub heater(200b) supporting the lower plate. A top support unit(300) comprises a ceramic plate(300a) and a top heater(300b) supporting the upper plate. A lower power supply unit(620) supplies a heating source to the lower support unit. A top power supply unit(820) supplies a heating source to the top support unit.

Description

지지 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치{Support unit and substrate treating apparatus with it}Support unit and substrate treating apparatus with the same

본 발명은 히터 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 기판을 빠르고 균일하게 가열할 수 있는 지지 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heater and a substrate processing apparatus having the same, and a support unit capable of quickly and uniformly heating a substrate and a substrate processing apparatus having the same.

일반적인 수직구조의 LED 소자를 제작하기 위해서는 SiC 웨이퍼 상에 반도체층 및 금속층이 적층된 상부 기판과 상부에 금속층이 형성된 하부 기판 간을 접합시켜야 한다. 이때, 공융 접합 방법을 이용하여 상부 기판과 하부 기판 간을 접합시킨다. 즉, 상부 기판의 금속층과 하부 기판의 금속층이 서로 마주보도록 배치시키고, 이를 가압하여 밀착시킨 후 가열한다. 이때, 상부 기판 및 하부 기판 각각의 금속층이 용융됨으로써, 상기 상부 기판과 하부 기판이 접합된다.In order to manufacture a general vertical LED device, it is necessary to bond an upper substrate on which a semiconductor layer and a metal layer are stacked on a SiC wafer and a lower substrate on which a metal layer is formed. At this time, the upper substrate and the lower substrate are bonded by using a eutectic bonding method. That is, the metal layer of the upper substrate and the metal layer of the lower substrate are disposed to face each other, and pressurized to be in close contact with each other and then heated. At this time, the upper and lower substrates are bonded to each other by melting the metal layers of the upper and lower substrates.

수직구조의 LED 소자를 제작하기 위해 상부 기판과 하부 기판 간을 접합시키는 기판 접합 장치는 접합 공정이 이루어지는 내부 공간이 마련된 챔버, 챔버 내부에 배치되어 복수의 하부 기판을 지지 가열하는 하부 히터 유닛, 하부 히터 유닛 상측에 대향 배치되어 복수의 상부 기판을 각기 지지 가열하는 복수의 상부 히터 유닛을 포함한다. 그리고 하부 히터 유닛은 내부에 하부 열선이 삽입 장착되며 금속으로 제작되는 하부 히터 블럭, 하부 히터 블럭의 일측과 접속되며 내부에 냉매가 흐르는 하부 냉매 라인이 삽입 장착된 하부 냉각 블럭을 포함한다. 또한, 상부 히터 유닛은 내부에 상부 열선이 삽입 장착되며 금속으로 제작되는 상부 히터 블럭, 상부 히터 블럭의 일측과 접속되며 내부에 냉매가 흐르는 상부 냉매 라인이 삽입 장착된 상부 냉각 블럭을 포함한다. 이때 하부 히터 블럭의 상부 및 상부 히터 블럭의 하부에 하부 기판 및 상부 기판이 각기 안치된다.Substrate bonding apparatus for bonding between the upper substrate and the lower substrate in order to manufacture a vertical LED device is a chamber having an inner space in which the bonding process is formed, a lower heater unit disposed in the chamber to support and heat the plurality of lower substrate, And a plurality of upper heater units disposed opposite the heater units to support and heat the plurality of upper substrates, respectively. In addition, the lower heater unit includes a lower heating block inserted and mounted therein, a lower heater block made of metal, and a lower cooling block connected to one side of the lower heater block and inserted with a lower refrigerant line through which refrigerant flows. In addition, the upper heater unit includes an upper heating block inserted and mounted therein, an upper heater block made of metal, and an upper cooling block connected to one side of the upper heater block and inserted into an upper refrigerant line through which refrigerant flows. At this time, the lower substrate and the upper substrate are respectively placed on the upper portion of the lower heater block and the lower portion of the upper heater block.

상부 기판과 하부 기판을 접합시키기 위해서는 상기 하부 기판과 상부 기판을 가열시켜야 한다. 즉, 하부 열선을 가열하여 상기 하부 열선이 삽입 장착된 하부 블럭을 가열시킨다. 또한, 상부 열선을 가열하여, 상기 상부 열선이 삽입 장착된 상부 블럭을 가열시킨다. 하부 열선 및 상부 열선이 가열되면, 상기 하부 열선 및 상부 열선이 고온에 의해 빠르게 팽창된다. 하부 열선 및 상부 열선의 팽창에 의해 상기 하부 열선 및 상부 열선이 설치된 하부 블럭 및 상부 블럭의 열선부가 상대적으로 빨리 부풀어 오르는 문제가 발생된다. 이러한 하부 블럭 및 상부 블럭에 하부 기판 및 상부 기판이 안치될 경우, 상기 하부 블럭과 하부 기판 사이 그리고 상부 블럭과 상부 기판 사이의 컨택 문제로 열전달이 국부적으로 이루어진다. 즉, 하부 기판의 하부면의 일부만 하부 히터 블럭 상부면에 컨택되고, 상부 기판의 상부면의 일부만 상부 히터 블럭 하부면에 컨택된다. In order to bond the upper substrate and the lower substrate, the lower substrate and the upper substrate must be heated. That is, the lower heating wire is heated to heat the lower block into which the lower heating wire is inserted. In addition, the upper heating wire is heated to heat the upper block into which the upper heating wire is inserted. When the lower heating wire and the upper heating wire are heated, the lower heating wire and the upper heating wire are expanded rapidly by the high temperature. The expansion of the lower heating wire and the upper heating wire causes a problem that the heating portion of the lower block and the upper block on which the lower heating wire and the upper heating wire are installed swells relatively quickly. When the lower substrate and the upper substrate are placed in the lower block and the upper block, heat transfer is locally performed due to contact problems between the lower block and the lower substrate and between the upper block and the upper substrate. That is, only a portion of the lower surface of the lower substrate is contacted to the lower heater block upper surface, and only a portion of the upper surface of the upper substrate is contacted to the lower surface of the upper heater block.

이에, 하부 기판 및 상부 기판을 균일하게 가열할 수 없는 문제가 발생된다. 따라서, 하부 기판의 금속층과 상부 기판의 금속층에 보이드(Volid)가 발생되어, 상기 하부 기판과 상부 기판의 접합 불량이 발생된다. 그리고 이러한 컨택 문제로 인해 상부 기판과 하부 기판을 균일하게 가압할 수 없다. 또한, 상부 기판 및 하부 기판 각각에 국부적으로 하중이 전달됨에 따라 상기 상부 기판 및 하부 기판이 파손되는 문제가 발생된다.Thus, a problem arises in that the lower substrate and the upper substrate cannot be uniformly heated. Thus, voids are generated in the metal layer of the lower substrate and the metal layer of the upper substrate, resulting in a poor bonding between the lower substrate and the upper substrate. And, due to this contact problem, the upper substrate and the lower substrate cannot be uniformly pressed. In addition, as the load is locally transmitted to each of the upper and lower substrates, a problem arises in that the upper and lower substrates are damaged.

이러한 문제를 해결하기 위해 종래에는 하부 기판 및 상부 기판 각각을 지지하는 하부 세라믹판 및 상부 세라믹판을 마련하였다. 이때 하부 세라믹판은 하부 히터 유닛의 상측에 조립되고, 상부 세라믹판은 상부 히터 유닛 하측으로 조립된다. 이에, 하부 히터 유닛의 열전도와 복사열에 의해 하부 세라믹판 및 하부기판이 간접적으로 가열되고, 상부 히터 유닛의 열전도와 복사열에 의해 상부 세라믹판 및 상부 기판이 간접적으로 가열된다. 또한, 하부 세라믹판 상부에 별도의 서셉터가 배치되는 경우, 서셉터를 추가로 가열해야 하므로 열전달 속도는 더욱 떨어지게 된다. 따라서, 하부 기판 및 상부 기판을 각각을 가열하는데 소요되는 시간이 길어지는 문제가 있다.In order to solve this problem, conventionally, a lower ceramic plate and an upper ceramic plate supporting the lower substrate and the upper substrate are provided. At this time, the lower ceramic plate is assembled above the lower heater unit, and the upper ceramic plate is assembled below the upper heater unit. Thus, the lower ceramic plate and the lower substrate are indirectly heated by the thermal conductivity and radiant heat of the lower heater unit, and the upper ceramic plate and the upper substrate are indirectly heated by the thermal conductivity and radiant heat of the upper heater unit. In addition, when a separate susceptor is disposed above the lower ceramic plate, the susceptor needs to be further heated, so that the heat transfer rate is further lowered. Therefore, there is a problem in that the time required for heating the lower substrate and the upper substrate, respectively, becomes long.

본 발명의 일 기술적 과제는 기판을 빠른 속도로 균일하게 가열할 수 있는 지지 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.One object of the present invention is to provide a support unit capable of uniformly heating a substrate at high speed and a substrate processing apparatus having the same.

또한, 본 발명의 다른 일 기술적 과제는 파티클에 의해 기판이 오염되는 것을 방지하는 지지 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.In addition, another technical problem of the present invention is to provide a support unit for preventing the substrate from being contaminated by particles and a substrate processing apparatus having the same.

본 발명에 따른 지지 유닛은 피처리물을 가열하는 히터 블럭, 상기 히터 블럭의 일측과 접속된 열전달 시트, 상기 열전달 시트와 피처리물 사이에 배치되며, 일측이 상기 열전달 시트와 접속되고 타측이 상기 피처리물과 접속되는 금속 시트를 포함한다.The support unit according to the present invention is a heater block for heating a workpiece, a heat transfer sheet connected to one side of the heater block, disposed between the heat transfer sheet and the workpiece, one side is connected to the heat transfer sheet and the other side is And a metal sheet to be connected with the workpiece.

상기 금속 시트 상에 배치된 서셉터를 포함한다.And a susceptor disposed on the metal sheet.

상기 열전달 시트는 흑연계, 실리콘계, 아크릴계 및 우레탄계 중 어느 하나를 이용하여 제작되는 것이 바람직하다.The heat transfer sheet is preferably produced using any one of graphite, silicon, acrylic and urethane.

상기 금속 시트는 텅스텐(Tu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 타이타늄(Ti), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 은(Ag), 주석(Sn), 백금(Pt), 금(Au), 수은(Hg), 납(Pb), 우라늄(U), 플루토늄(Pu) 및 이들을 적어도 하나 포함하는 합금 중 어느 하나를 이용하여 제작되는 것이 바람직하다.The metal sheet is made of tungsten (Tu), molybdenum (Mo), aluminum (Al), silicon (Si), titanium (Ti), chromium (Cr), manganese (Mn), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu), zinc (Zn), silver (Ag), tin (Sn), platinum (Pt), gold (Au), mercury (Hg), lead (Pb), uranium (U), plutonium It is preferable to manufacture using any one of (Pu) and the alloy containing these at least one.

상기 히터 블럭의 타측에 접속되어 상기 히터 블럭을 냉각시키는 냉각 블럭을 포함한다.And a cooling block connected to the other side of the heater block to cool the heater block.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부공간이 마련된 챔버부, 상기 챔버부 내부에 설치되어 하부 기판을 지지 가열하는 하부 지지 유닛, 상기 하부 히터에 대응 배치되어, 상부 기판을 지지 가열하는 상부 지지 유닛을 포함하고, 상기 하부 지지 유닛 및 상부 지지 유닛 각각은 상기 피처리물을 가열하는 히터 블럭, 상기 히터 블럭의 일측과 접속된 열전달 시트, 상기 열전달 시트와 피처리물 사이에 배치되며, 일측이 상기 열전달 시트와 접속되고 타측이 상기 피처리물과 접속되는 금속 시트를 구비한다.The substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber unit having an internal space, a lower support unit installed inside the chamber to support and heat the lower substrate, and an upper support unit disposed corresponding to the lower heater and supporting and heating the upper substrate. Each of the lower support unit and the upper support unit includes a heater block for heating the object, a heat transfer sheet connected to one side of the heater block, and disposed between the heat transfer sheet and the object, and one side of the heat transfer. A metal sheet is connected to the sheet and the other side is connected to the to-be-processed object.

상기 열전달 시트는 흑연계, 실리콘계, 아크릴계 및 우레탄계 중 어느 하나를 이용하여 제작된다.The heat transfer sheet is produced using any one of graphite, silicon, acryl and urethane.

상기 히터 블럭의 타측에 접속되어 상기 히터 블럭을 냉각시키는 냉각 블럭를 포함한다.And a cooling block connected to the other side of the heater block to cool the heater block.

상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 히터는 피처리물을 가열하는 것으로서, 피처리물을 가열하는 히터 블럭, 히터 블럭의 일측과 접속된 열전달 시트, 열전달 시트와 피처리물 사이에 배치되며, 일측이 상기 열전달 시트와 접속되고 타측이 상기 피처리물과 접속되는 금속 시트를 포함한다. 여기서, 열전달 시트는 열전달 능력 및 연성이 우수한 흑연계, 실리콘계, 아크릴계 및 우레탄계 중 적어도 하나의 재료를 이용하여 제작된다. 그리고, 금속 시트는 피처리물 즉, 기판 또는 상기 기판을 지지하는 서셉터와 열팽창 계수가 유사한 재료를 이용하여 제작된다.As described above, the heater according to the embodiment of the present invention is to heat the workpiece, and is disposed between the heater block for heating the workpiece, a heat transfer sheet connected to one side of the heater block, a heat transfer sheet and the workpiece. And a metal sheet having one side connected to the heat transfer sheet and the other side connected to the workpiece. Here, the heat transfer sheet is produced using at least one of graphite, silicon, acrylic and urethane materials having excellent heat transfer ability and ductility. The metal sheet is made of a workpiece, that is, a substrate or a material having a similar coefficient of thermal expansion to a susceptor for supporting the substrate.

따라서, 본 발명의 실시예에 의하면 히터 블럭으로부터 발생된 열은 열전달 시트를 통해 금속 시트 전체에 균일하게 전달된다. 그리고 금속 시트의 열은 상기 금속 시트 상측에 배치된 서셉터 또는 기판으로 빠르게 전달된다. 이에 종래에 비해 기판을 가열하는 시간을 단축할 수 있다. Therefore, according to the embodiment of the present invention, heat generated from the heater block is uniformly transferred to the entire metal sheet through the heat transfer sheet. The heat of the metal sheet is then quickly transferred to a susceptor or substrate disposed above the metal sheet. As a result, the time for heating the substrate can be shortened as compared with the related art.

그리고 금속 시트가 피처리물인 서셉터 또는 기판과 열팽창 계수가 유사한 재료로 제작됨에 따라, 상기 금속 시트와 서셉터 사이 또는 금속 시트와 기판 사이의 마찰면에서 열팽창 계수 차이에 따른 파티클이 발생되지 않는다. 또한, 열전달 시트의 상측에 금속 시트가 배치되므로, 열전달 시트로부터 파티클이 발생되는 것을 방지할 수 있다.As the metal sheet is made of a material having a similar coefficient of thermal expansion to a susceptor or substrate, which is an object to be processed, particles are not generated due to a difference in coefficient of thermal expansion at the friction surface between the metal sheet and the susceptor or between the metal sheet and the substrate. In addition, since the metal sheet is disposed above the heat transfer sheet, it is possible to prevent particles from being generated from the heat transfer sheet.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 하부 히터 유닛 및 상부 히터 유닛을 도시한 도면
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 하부 기판과 상부 기판 간을 접합시키는 방법을 순서적으로 도시한 도면1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view illustrating a lower heater unit and an upper heater unit according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 to 5 are views sequentially showing a method of bonding the lower substrate and the upper substrate using a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art. It is provided for complete information.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 하부 히터 유닛 및 상부 히터 유닛을 도시한 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a view illustrating a lower heater unit and an upper heater unit according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 하부 기판(S1)과 상부 기판(S2) 간을 접합시키는 접합 공정이 실시되는 접합 장치이다. 이러한 기판 처리 장치는 내부공간을 가지는 챔버부(100), 챔버부(100) 내에 배치되며 복수의 하부 기판(S1)을 지지 가열하는 하부 지지 유닛(200), 하부 지지 유닛(200)의 상측에 대응 배치되어 복수의 상부 기판(S2)을 지지 가열하는 상부 지지 유닛(300), 하부 지지 유닛(200) 하부에 연결되어 상기 하부 지지 유닛(200)을 지지하는 하부 샤프트(410), 챔버부(100) 외부로 돌출된 하부 샤프트(410)에 연결되어 상기 하부 샤프트(410)에 승하강 및 회전 동력을 제공하는 하측 구동부(420), 복수의 상부 지지 유닛(300)에 각기 연결되어 상기 복수의 상부 지지 유닛(300)을 각기 지지하는 복수의 상부 샤프트(510), 챔버부(100) 외부로 돌출된 상부 샤프트(510)에 연결되어 상기 상부 샤프트(510)에 승하강 및 회전동력을 제공하는 상측 구동부(520)를 포함한다. 또한, 챔버부(100) 외부에 배치되어 하부 지지 유닛(200)에 열원을 공급하는 하부 전원 공급부(620), 냉매를 공급하는 하부 냉매 공급부(730), 상부 지지 유닛(300)에 열원을 공급하는 하부 전원 공급부(820) 및 냉매를 공급하는 냉매 공급부(930)를 포함한다. 그리고 도시되지는 않았지만, 챔버부(100) 내부의 압력을 일정하게 유지시키는 압력 유지부, 챔버부(100) 내부의 부산물 및 미반응 물질들을 배기하는 배기부를 포함할 수 있다.1 and 2, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is a bonding apparatus in which a bonding process for bonding the lower substrate S1 and the upper substrate S2 is performed. This substrate processing apparatus is disposed in the chamber 100, a chamber 100 having an interior space on the upper side of the lower support unit 200, the lower support unit (200) for heating the support a plurality of the lower substrate (S1) The upper support unit 300 correspondingly disposed to support and heat the plurality of upper substrates S2, the lower shaft 410 connected to the lower support unit 200 to support the lower support unit 200, and the chamber part ( 100 is connected to the lower drive unit 420, which is connected to the lower shaft 410 protruding outward and provides the lowering and rotational power to the lower shaft 410, and a plurality of upper support units 300, respectively. Connected to the plurality of upper shafts 510 for supporting the upper support unit 300, the upper shaft 510 protruding out of the chamber part 100 to provide the lifting and rotating power to the upper shaft 510. The upper drive unit 520 is included. In addition, a lower power supply unit 620 disposed outside the chamber unit 100 to supply a heat source to the lower support unit 200, a lower refrigerant supply unit 730 to supply a refrigerant, and a heat source to the upper support unit 300. The lower power supply unit 820 and a refrigerant supply unit 930 for supplying a refrigerant. And although not shown, may include a pressure maintaining part for maintaining a constant pressure in the chamber portion 100, an exhaust portion for exhausting the by-products and unreacted substances in the chamber portion 100.

챔버부(100)는 상부 기판(S2)과 하부 기판(S1)의 접합 공정을 수행하는 공간을 형성하는 하측 챔버(110) 및 하측 챔버(110)의 상측에 배치되어 상기 하측 챔버(110)를 커버하는 상측 챔버(120)로 이루어 진다. 그리고 상측 챔버(120)의 일측은 하측 챔버(110)와 연결부재 예를 들어, 힌지로 연결된다. 또한 상측 챔버(120)와 하측 챔버(110) 간을 밀봉시키기 위한 별도의 밀봉수단이 배치된다.The chamber unit 100 is disposed above the lower chamber 110 and the lower chamber 110 to form a space for performing the bonding process of the upper substrate S2 and the lower substrate S1 to connect the lower chamber 110. It consists of an upper chamber 120 to cover. One side of the upper chamber 120 is connected to the lower chamber 110 by a connecting member, for example, by a hinge. In addition, a separate sealing means for sealing between the upper chamber 120 and the lower chamber 110 is disposed.

하부 지지 유닛(200)은 복수의 하부 기판(S1)을 지지하는 서셉터(200a), 서셉터(200a)의 하측에 배치된 하부 히터(200b)를 포함한다. 여기서 서셉터(200a)는 복수의 하부 기판(S1)을 지지하는 역할을 하며, 복수의 하부 기판(S1)을 지지할 수 있는 크기로 제작된다. 실시예에 따른 서셉터(200a)는 세라믹 예를 들어 SiC 재료를 이용하여 제작된다. 그리고 이러한 서셉터(200a)에는 도시되지는 않았지만, 진공 흡착력을 이용하여 복수의 하부 기판(S1)을 지지할 수 있도록 진공홀이 마련되고, 상기 진공홀에 진공 처리 장치가 연결된다. 물론 이에 한정되지 않고 서셉터 (200a)에 복수의 하부 기판(S1)을 고정시킬 수 있는 다양한 수단을 사용할 수 있다. 그리고 도시되지는 않았지만, 이러한 서셉터(200a)를 이동시키는 서셉터 구동부가 마련된다.Lower support unit 200 The susceptor 200a supporting the plurality of lower substrates S1 and the lower heater 200b disposed below the susceptor 200a are included. Here, the susceptor 200a serves to support the plurality of lower substrates S1 and is manufactured to have a size capable of supporting the plurality of lower substrates S1. The susceptor 200a according to the embodiment is manufactured using a ceramic, for example SiC material. Although not shown in the susceptor 200a, a vacuum hole is provided to support the plurality of lower substrates S1 by using vacuum suction force, and a vacuum processing apparatus is connected to the vacuum hole. Of course, the present invention is not limited thereto, and various means capable of fixing the plurality of lower substrates S1 to the susceptor 200a may be used. Although not shown, a susceptor driver for moving the susceptor 200a is provided.

하부 히터(200b)는 하부 히터 블럭(210), 하부 히터 블럭(210)의 하측에 배치되어 하부 히터 블럭(210)을 냉각시키는 하부 냉각 블럭(220), 하부 히터 블럭(210)의 상측에 배치된 하부 열전달 시트(230), 하부 열전달 시트(230)의 상측에 배치된 하부 금속 시트(240)을 포함한다.The lower heater 200b is disposed below the lower heater block 210 and the lower heater block 210 and disposed above the lower cooling block 220 and the lower heater block 210 to cool the lower heater block 210. The lower heat transfer sheet 230 and the lower metal sheet 240 disposed above the lower heat transfer sheet 230.

하부 히터 블럭(210)은 하부 히터판(211), 하부 히터판(211) 내측에 설치되어 상기 하부 히터판(211)을 가열하는 하부 발열체(212)를 포함한다. 실시예에서는 사각 판 형상으로 하부 히터판(211)을 제작하였으나, 이에 한정되지 않고 하부 기판(S1)을 지지할 수 있는 다양한 다양한 형상으로 제작될 수 있다. 그리고 하부 히터판(211)은 STS(stainless steel), Al, Ni, Mo, Ti 등과 같은 금속 재료를 이용하여 제작하는 것이 바람직하다. 또한, 실시예에서는 원통 형상으로 제작된 열선을 하부 발열체(212)로 사용한다. 물론 이에 한정되지 않고 열을 발산하는 다양한 수단을 하부 발열체(212)로 사용할 수 있다. 이러한 하부 발열체(212)는 하부 히터판(211) 전체에 균일하게 배치되는 것이 효과적이다. 실시예에서는 하부 발열체(212)가 하부 히터판(211) 내측에서 환형 라인 형상으로 배치되나, 이에 한정되지 않고 다양한 형상의 라인으로 하부 히터판(211) 전체에 균일하게 배치될 수 있다. 그리고 하부 발열체(212)의 끝단은 후술되는 하부 전원선(610)의 일단과 접속된다.The lower heater block 210 includes a lower heater plate 211 and a lower heating element 212 installed inside the lower heater plate 211 to heat the lower heater plate 211. In the exemplary embodiment, the lower heater plate 211 is manufactured in the shape of a square plate, but the present invention is not limited thereto, and the lower heater plate 211 may be manufactured in various shapes capable of supporting the lower substrate S1. The lower heater plate 211 is preferably manufactured using a metal material such as stainless steel (STS), Al, Ni, Mo, Ti, or the like. In addition, in the embodiment, a hot wire manufactured in a cylindrical shape is used as the lower heating element 212. Of course, the present invention is not limited thereto, and various means for dissipating heat may be used as the lower heating element 212. It is effective that the lower heating element 212 is uniformly disposed on the entire lower heater plate 211. In the exemplary embodiment, the lower heating element 212 is disposed in an annular line shape inside the lower heater plate 211, but is not limited thereto. The lower heating element 212 may be uniformly disposed on the entire lower heater plate 211 in various shapes. The end of the lower heating element 212 is connected to one end of the lower power line 610 to be described later.

하부 냉각 블럭(220)은 하부 히터판(211) 하측에 배치되는 하부 냉각판(221) 및 하부 냉각판(221) 내측에 삽입 장착되는 하부 냉각 라인(222)을 포함한다. 실시예에 따른 하부 냉각판(221)은 상기에서 전술된 하부 히터판(211)과 동일한 형상 예를 들어, 사각 판 형상으로 제작되며, STS(stainless steel), Al, Ni, Mo, Ti 등과 같은 금속 재료를 이용하여 제작하는 것이 바람직하다. 그리고 이러한 하부 냉각판(221)의 내측에는 하부 냉각 라인(222)이 삽입되는 냉각 라인 수납홈(미도시)이 마련된다. 하부 냉각 라인(222)은 하부 히터판(211)을 냉각시키는 냉매가 흐르는 유로로써, 전술한 바와 같이 하부 냉각판(221)에 마련된 하부 냉각 라인 수납홈(미도시)에 삽입 설치된다. 실시예에서는 하부 냉각 라인(222)으로 내부공간이 마련된 통 형상의 파이프를 사용한다. 물론 이에 한정되지 않고, 냉매가 흐를 수 있는 내부 공간이 마련된 다양한 형상으로 하부 냉각 라인(222)을 제작할 수 있다. 하부 냉각 라인(222)은 하부 냉각판(221) 전체에 균일하게 배치되는 것이 효과적이며, 실시예에서는 환형 라인 형상이 되도록 하부 냉각 라인(222)을 배치한다. 물론 이에 한정되지 않고, 하부 냉각 라인(222)이 다양한 형상의 라인으로 하부 냉각판(221) 전체에 균일하게 배치될 수도 있다. 그리고 이러한 하부 냉각 라인(222)의 일단은 후술되는 하부 냉매 공급 배관(710)과 연결되고, 타단은 하부 냉매 배출 배관(720)과 연결된다.The lower cooling block 220 includes a lower cooling plate 221 disposed below the lower heater plate 211 and a lower cooling line 222 inserted into the lower cooling plate 221. The lower cooling plate 221 according to the embodiment is manufactured in the same shape as the lower heater plate 211 described above, for example, a square plate shape, such as STS (stainless steel), Al, Ni, Mo, Ti, etc. It is preferable to produce using a metal material. In addition, a cooling line receiving groove (not shown) in which the lower cooling line 222 is inserted is provided inside the lower cooling plate 221. The lower cooling line 222 is a flow path through which a coolant for cooling the lower heater plate 211 flows and is inserted into a lower cooling line accommodation groove (not shown) provided in the lower cooling plate 221 as described above. In the embodiment, a tubular pipe having an inner space is used as the lower cooling line 222. Of course, the present invention is not limited thereto, and the lower cooling line 222 may be manufactured in various shapes provided with internal spaces through which the refrigerant may flow. The lower cooling line 222 is effectively arranged uniformly throughout the lower cooling plate 221, and in the embodiment, the lower cooling line 222 is arranged to have an annular line shape. Of course, the present invention is not limited thereto, and the lower cooling line 222 may be uniformly disposed on the entire lower cooling plate 221 in a line having various shapes. One end of the lower cooling line 222 is connected to the lower refrigerant supply pipe 710 to be described later, and the other end is connected to the lower refrigerant discharge pipe 720.

하부 열전달 시트(230)는 하부 히터판(211) 상측에 배치되어, 상기 하부 히터판(211)에서 발생한 열을 하부 금속 시트(240)에 전달하는 역할을 한다. 이러한 하부 열전달 시트(230)는 열전달 능력 및 연성이 우수한 재료를 이용하여 제작되는 것이 바람직하다. 실시예에서는 흑연을 하부 히터판(211) 상에 라미네이팅(lamininating) 함으로써, 하부 열전달 시트(230)를 제작한다. 하지만 이에 한정되지 않고, 실리콘계, 아크릴계 및 우레탄계 중 적어도 하나의 재료를 하부 히터판(211) 상에 라미네이트(lamininate)함으로써, 하부 열전달 시트(230)를 제작할 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고 하부 히터판(211) 상에 흑연계, 실리콘계, 아크릴계 및 우레탄계 중 적어도 하나의 재료를 증착함으로써 하부 열전달 시트(230)를 제작할 수도 있다. 이때, 하부 열전달 시트(230)의 두께는 1mm 내지 5mm인 것이 바람직하다. 예를 들어, 하부 열전달 시트(230)의 두께가 1mm 미만일 경우, 상기 하부 열전달 시트(230)가 외부의 충격에 의해 휘거나 파손될 수 있으며, 5mm를 초과할 경우 열 전도율이 낮아지는 문제가 발생된다. 이에, 실시예에서는 하부 열전달 시트(230)의 두께가 1mm 내지 5mm가 되도록 한다. 이와 같이 하부 히터 블럭(210) 상부에 하부 열전달 시트(230)가 배치되면, 하부 히터 블럭(210)의 열이 하부 열전달 시트(230) 전체에 균일하게 전달될 수 있다. 그리고 이러한 하부 열전달 시트(230) 상에 하부 금속 시트(240)가 배치되므로, 하부 금속 시트(240)에 전체에 균일한 열이 전달된다.The lower heat transfer sheet 230 is disposed above the lower heater plate 211 and serves to transfer the heat generated from the lower heater plate 211 to the lower metal sheet 240. The lower heat transfer sheet 230 is preferably made of a material having excellent heat transfer capability and ductility. In the embodiment, the lower heat transfer sheet 230 is manufactured by laminating graphite on the lower heater plate 211. However, the present invention is not limited thereto, and the lower heat transfer sheet 230 may be manufactured by laminating at least one material of silicon, acrylic, and urethane on the lower heater plate 211. Of course, the present invention is not limited thereto, and the lower heat transfer sheet 230 may be manufactured by depositing at least one material of graphite, silicon, acryl, and urethane on the lower heater plate 211. At this time, the thickness of the lower heat transfer sheet 230 is preferably 1mm to 5mm. For example, when the thickness of the lower heat transfer sheet 230 is less than 1 mm, the lower heat transfer sheet 230 may be bent or broken by an external impact, and when the thickness exceeds 5 mm, thermal conductivity may be lowered. . Thus, in the embodiment, the thickness of the lower heat transfer sheet 230 is 1 mm to 5 mm. As such, when the lower heat transfer sheet 230 is disposed above the lower heater block 210, heat of the lower heater block 210 may be uniformly transmitted to the entire lower heat transfer sheet 230. In addition, since the lower metal sheet 240 is disposed on the lower heat transfer sheet 230, uniform heat is transmitted to the entire lower metal sheet 240.

하부 열전달 시트(230)는 전술한 바와 같이 흑연계, 실리콘계, 아크릴계 및 우레탄계 중 적어도 하나의 재료를 이용하여 제작되는데, 이와 같은 재료들은 열전달 능력 및 연성이 우수하나, 파티클을 발생 시킬 수도 있다. 이러한 하부 열전달 시트(230) 상에 하부 기판(S1)이 안치된 서셉터(200a)가 배치되면, 상기 파티클에 의해 하부 기판(S1)이 오염될 수 있다. 이에, 실시예에서는 하부 열전달 시트(230) 상에 하부 금속 시트(240)를 배치한다. 그리고 하부 금속 시트(240) 상에 서셉터(200a)가 배치된다. 실시예에서는 열전도율이 우수하며, 세라믹 판(200a)의 재료인 세라믹과 열팽창 계수가 유사한 금속 재료를 이용하여 하부 금속 시트(240)를 제작한다. 이때 하부 금속 시트(240)로 사용되는 재료는 서셉터(200a)를 구성하는 재료와의 열팽창 계수의 차이가 4-5 마이크로/K 인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 이는 하부 열전달 시트(230)의 열을 서셉터(200a)로 용이하게 전달할 수 있으며, 상기 하부 금속 시트(240)와 서셉터(200a) 사이의 마찰면에서 파티클이 발생되는 것을 방지하기 위함이다. 이에 실시예에서는 텅스텐(Tu)을 하부 열전달 시트(230) 상에 라미네이팅(laminating) 함으로써, 하부 금속 시트(240)을 제작한다. 이에 한정되지 않고 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 타이타늄(Ti), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 은(Ag), 주석(Sn), 백금(Pt), 금(Au), 수은(Hg), 납(Pb), 우라늄(U) 및 플루토늄(Pu) 또는 이들의 화합물(합금)을 이용할 수도 있다. 또한, 한정되지 않고 상기와 같은 재료를 하부 열전달 시트(230) 상에 증착하여 하부 금속 시트(240)를 제작할 수도 있다. 또한, 별도로 하부 금속 시트(240)를 제작한 후, 이를 하부 열전달 시트(230) 상에 용접하여 설치할 수도 있다. 이때, 하부 금속 시트(240)의 두께는 1 mm 내지 3mm인 것이 효과적이다.The lower heat transfer sheet 230 is manufactured using at least one material of graphite, silicon, acrylic, and urethane, as described above. Such materials may have excellent heat transfer ability and ductility, but may generate particles. When the susceptor 200a on which the lower substrate S1 is placed is disposed on the lower heat transfer sheet 230, the lower substrate S1 may be contaminated by the particles. Thus, in the embodiment, the lower metal sheet 240 is disposed on the lower heat transfer sheet 230. The susceptor 200a is disposed on the lower metal sheet 240. In the embodiment, the lower metal sheet 240 is manufactured using a metal material having excellent thermal conductivity and similar thermal expansion coefficient to that of the ceramic of the ceramic plate 200a. In this case, it is preferable that the material used as the lower metal sheet 240 has a difference in thermal expansion coefficient of 4-5 micro / K from the material constituting the susceptor 200a. This is to easily transfer the heat of the lower heat transfer sheet 230 to the susceptor 200a, and to prevent the generation of particles in the friction surface between the lower metal sheet 240 and the susceptor 200a. Accordingly, in the exemplary embodiment, the lower metal sheet 240 is manufactured by laminating tungsten (Tu) on the lower heat transfer sheet 230. Molybdenum (Mo), aluminum (Al), silicon (Si), titanium (Ti), chromium (Cr), manganese (Mn), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu), zinc (Zn), silver (Ag), tin (Sn), platinum (Pt), gold (Au), mercury (Hg), lead (Pb), uranium (U) and plutonium (Pu) or these The compound (alloy) of can also be used. In addition, the material is not limited thereto, and the above material may be deposited on the lower heat transfer sheet 230 to manufacture the lower metal sheet 240. In addition, after separately manufacturing the lower metal sheet 240, it may be installed by welding on the lower heat transfer sheet 230. At this time, it is effective that the thickness of the lower metal sheet 240 is 1 mm to 3 mm.

이와 같이 실시예에서는 하부 히터 블럭(210), 하부 열전달 시트(230) 및 하부 금속 시트(240)를 순서적으로 적층하고, 상기 하부 금속 시트(240) 상에 서셉터(200a)를 배치시킨다. 이에, 하부 히터 블럭(210)으로부터 발생된 열은 하부 열전달 시트(230)를 통해 하부 금속 시트(240) 전체에 균일하게 전달된다. 그리고 하부 금속 시트(240)의 열은 상기 하부 금속 시트(240) 상에 배치된 서셉터(200a) 및 복수의 하부 기판(S1)으로 전달된다. 즉, 서셉터(200a)의 하측에 배치된 하부 금속 시트(240)에 의해 하부 열전달 시트(230)의 열이 상기 서셉터(200a) 및 복수의 하부 기판(S1)으로 빠르게 전달된다. 이에 종래에 비해 복수의 하부 기판(S1)을 가열하는 시간을 단축할 수 있다. 그리고 하부 금속 시트(240)가 서셉터(200a)와 열팽창 계수가 유사한 재료 예를 들어 텅스텐(Tu)으로 제작됨에 따라, 상기 하부 금속 시트(240)와 서셉터(200a) 사이의 마찰면에서 열팽창 계수 차이에 따른 파티클이 발생되지 않는다. 또한, 하부 열전달 시트(230)의 상측에 하부 금속 시트(240)가 배치되므로, 하부 열전달 시트(230)로부터 파티클이 발생되는 것을 방지할 수 있다.In this embodiment, the lower heater block 210, the lower heat transfer sheet 230, and the lower metal sheet 240 are sequentially stacked, and the susceptor 200a is disposed on the lower metal sheet 240. Thus, heat generated from the lower heater block 210 is uniformly transferred to the entire lower metal sheet 240 through the lower heat transfer sheet 230. The heat of the lower metal sheet 240 is transferred to the susceptor 200a and the plurality of lower substrates S1 disposed on the lower metal sheet 240. That is, the heat of the lower heat transfer sheet 230 is rapidly transferred to the susceptor 200a and the plurality of lower substrates S1 by the lower metal sheet 240 disposed below the susceptor 200a. In comparison with the related art, a time for heating the plurality of lower substrates S1 can be shortened. And since the lower metal sheet 240 is made of a material having a similar thermal expansion coefficient to the susceptor 200a, for example, tungsten (Tu), thermal expansion at the friction surface between the lower metal sheet 240 and the susceptor 200a. No particles are generated due to the coefficient difference. In addition, since the lower metal sheet 240 is disposed above the lower heat transfer sheet 230, particles may be prevented from being generated from the lower heat transfer sheet 230.

하부 샤프트(410)는 일단이 챔버부(100) 내부로 삽입되어 하부 냉각 블럭(220)의 하부와 연결되고, 타단이 챔버부(100) 외부로 돌출되어 하측 구동부(420)와 연결된다. 여기서 하측 구동부(420)는 하부 샤프트(410)에 승하강 및 회전력을 제공하는 역할을 한다. 이에, 하측 구동부(420)에 의해 하부 샤프트(410)가 승하강 또는 회전하면 상기 하부 샤프트(410)에 의해 하부 지지 유닛(200)이 승하강 또는 회전한다. 그리고 이러한 하부 샤프트(410) 내에는 하부 히터 블럭(210)의 하부 발열체(212)에 전원을 인가하는 하부 전원선(610), 하부 냉각 라인(222)에 냉매를 공급하는 하부 냉매 공급 배관(710), 하부 냉각 라인(222)의 냉매를 배출하는 하부 냉매 배출 배관(720)이 마련된다. 여기서 하부 전원선(610)의 일단은 하부 냉각판(221) 및 하부 히터판(211)을 관통하여 상기 하부 히터판(211)의 내부에 설치된 하부 발열체(212)와 접속되고, 타단은 하부 샤프트(410) 끝단으로 돌출되어 하부 전원 공급부(620)와 접속된다. 또한, 하부 냉매 공급 배관(710)의 일단은 하부 냉각판(221) 내부로 삽입되어 하부 냉각 라인(222)과 연결되고, 타단은 하부 샤프트(410) 끝단으로 돌출되어 하부 냉매 공급부(730)에 접속된다. 그리고 하부 냉매 배출 배관(720)의 일단은 하부 냉각판(221) 내부로 삽입되어 하부 냉각 라인(222)과 연결되고 타단은 하부 냉매 공급부(730)에 접속된다. 여기서, 하부 냉매 공급부(730)는 냉매를 저장하여, 상기 냉매의 온도를 낮추어 하부 냉매 공급 배관(710)으로 공급한다. 또한, 하부 냉매 배출 배관(720)으로 배출된 냉매를 공급 받아, 다시 상기 냉매의 온도를 낮춘 후, 하부 냉매 공급 배관(710)으로 공급한다.One end of the lower shaft 410 is inserted into the chamber part 100 to be connected to the lower part of the lower cooling block 220, and the other end is protruded out of the chamber part 100 to be connected to the lower driving part 420. The lower drive unit 420 serves to provide the lifting and lowering force to the lower shaft 410. Thus, when the lower shaft 410 is lowered or rotated by the lower driving unit 420, the lower support unit 200 is lowered or rotated by the lower shaft 410. In the lower shaft 410, the lower power supply line 610 for applying power to the lower heating element 212 of the lower heater block 210, and the lower refrigerant supply pipe 710 for supplying refrigerant to the lower cooling line 222. ), A lower refrigerant discharge pipe 720 for discharging the refrigerant of the lower cooling line 222 is provided. Here, one end of the lower power line 610 passes through the lower cooling plate 221 and the lower heater plate 211 and is connected to the lower heating element 212 installed in the lower heater plate 211, and the other end thereof is the lower shaft. Protruding to the end 410 is connected to the lower power supply 620. In addition, one end of the lower refrigerant supply pipe 710 is inserted into the lower cooling plate 221 and connected to the lower cooling line 222, and the other end protrudes toward the end of the lower shaft 410 to the lower refrigerant supply unit 730. Connected. One end of the lower refrigerant discharge pipe 720 is inserted into the lower cooling plate 221 to be connected to the lower cooling line 222 and the other end is connected to the lower refrigerant supply unit 730. Here, the lower coolant supply unit 730 stores the coolant, lowers the temperature of the coolant, and supplies the lower coolant to the lower coolant supply pipe 710. In addition, the coolant discharged through the lower coolant discharge pipe 720 is supplied, and after lowering the temperature of the coolant, the coolant is supplied to the lower coolant supply pipe 710.

복수의 상부 지지 유닛(300) 각각은 서셉터(200a)의 상측에 대응 배치되며 상부 기판(S2)을 각기 지지하는 세라믹 판(300a), 세라믹 판(200a)의 상측에 배치되어 세라믹 판(300a)를 가열하는 상부 히터(300b)를 포함한다. 실시예에서는 세라믹 예를 들어, SiC로 이루어진 하부 기판(S1) 및 상부 기판(S2)을 사용한다.Each of the plurality of upper support units 300 is disposed on the upper side of the susceptor 200a and disposed on the ceramic plate 300a for supporting the upper substrate S2, and on the ceramic plate 200a, respectively. ), An upper heater 300b for heating. In the embodiment, a lower substrate S1 and an upper substrate S2 made of ceramic, for example, SiC, are used.

복수의 상부 히터(300b)는 하부 지지 유닛(200) 상측에 대응 배치되어 세라믹 판(300a)를 지지 가열한다. 여기서 상부 히터(300b)는 하나의 세라믹 판(300a)를 지지할 수 있도록 제작되며, 복수개로 마련된다. 이러한 복수의 상부 히터(300b) 각각은 상기에서 전술한 하부 히터(200b)와 동일한 구성을 갖는다. 복수의 상부 히터(300b) 각각은 상부 히터 블럭(310), 상부 히터 블럭(310)의 상측에 배치되어 상기 상부 히터 블럭(310)을 냉각시키는 상부 냉각 블럭(320), 상부 히터 블럭(310)의 하측에 배치된 상부 열전달 시트(330), 상부 열전달 시트(330)의 하측에 배치되는 상부 금속 시트(340)를 포함한다. 이때, 복수의 상부 히터(300b) 각각의 상부 히터 블럭(310) 및 상부 냉각 블럭(320)의 구성 및 구조는 상기에서 설명한 하부 히터(200b)와 동일하다. 또한, 복수의 상부 히터(300b) 각각의 상부 열전달 시트(330) 및 상부 금속 시트(340)는 상기에서 설명한 하부 열전달 시트(230) 및 하부 금속 시트(240)와 동일한 방법으로 제작된다.The plurality of upper heaters 300b are disposed to correspond to the upper side of the lower support unit 200 to support and heat the ceramic plate 300a. Here, the upper heater 300b is manufactured to support one ceramic plate 300a and is provided in plural. Each of the plurality of upper heaters 300b has the same configuration as the lower heater 200b described above. Each of the plurality of upper heaters 300b is disposed at an upper side of the upper heater block 310 and the upper heater block 310, and an upper cooling block 320 and an upper heater block 310 for cooling the upper heater block 310. An upper heat transfer sheet 330 disposed below the upper portion, and an upper metal sheet 340 disposed below the upper heat transfer sheet 330. In this case, the configuration and structure of the upper heater block 310 and the upper cooling block 320 of each of the plurality of upper heaters 300b are the same as those of the lower heater 200b described above. In addition, the upper heat transfer sheet 330 and the upper metal sheet 340 of each of the plurality of upper heaters 300b are manufactured in the same manner as the lower heat transfer sheet 230 and the lower metal sheet 240 described above.

복수의 상부 히터(300b) 각각은 복수의 상부 샤프트(510)와 각기 연결된다. 즉, 복수의 상부 샤프트(510)의 일단은 챔버부(100) 내부로 삽입되어 복수의 상부 냉각 블럭(320)의 상부와 연결되고, 타단은 챔버부(100) 외부로 돌출되어 상측 구동부(520)와 연결된다. 이에, 복수의 상측 구동부(520)에 의해 상부 샤프트(510)가 승하강 또는 회전하면 상기 상부 샤프트(510)에 의해 상부 지지 유닛(300)이 승하강 또는 회전한다. 그리고 이러한 상부 샤프트(510) 내측에는 상부 히터 블럭(310)의 상부 발열체(312)에 전원을 인가하는 상부 전원선(810), 상부 냉각 라인(322)에 냉매를 공급하는 상부 냉매 공급 배관(910), 상부 냉각 라인(322)의 냉매를 배출하는 상부 냉매 배출 배관(920)이 마련된다. 여기서 상부 전원선(810)의 일단은 상부 냉각판(321) 및 상부 히터판(311)을 관통하여 상기 상부 히터판(311)의 내부에 설치된 상부 발열체(312)와 접속되고, 타단은 상부 샤프트(510) 끝단으로 돌출되어 상부 전원 공급부(820)와 접속된다. 또한, 상부 냉매 공급 배관(910)의 일단은 상부 냉각판(321) 내부로 삽입되어 상부 냉각 라인(322)과 연결되고, 타단은 상부 샤프트(510) 끝단으로 돌출되어 상부 냉매 공급부(930)에 접속된다. 그리고 상부 냉매 배출 배관(920)의 일단은 상부 냉각판(321) 내부로 삽입되어 상부 냉각 라인(322)과 연결되고 타단은 상부 냉매 공급부(930)에 접속된다.Each of the plurality of upper heaters 300b is connected to the plurality of upper shafts 510, respectively. That is, one end of the plurality of upper shafts 510 is inserted into the chamber part 100 to be connected to an upper portion of the plurality of upper cooling blocks 320, and the other end protrudes out of the chamber part 100 to the upper driving part 520. ). Thus, when the upper shaft 510 is raised or lowered by the plurality of upper driving units 520, the upper support unit 300 is raised or lowered by the upper shaft 510. In addition, an upper coolant supply pipe 910 for supplying a coolant to the upper power line 810 and the upper cooling line 322 to apply power to the upper heating element 312 of the upper heater block 310 inside the upper shaft 510. ), An upper refrigerant discharge pipe 920 for discharging the refrigerant of the upper cooling line 322 is provided. Here, one end of the upper power line 810 is connected to the upper heating element 312 installed inside the upper heater plate 311 through the upper cooling plate 321 and the upper heater plate 311, the other end is the upper shaft Protruding to the end 510 is connected to the upper power supply 820. In addition, one end of the upper refrigerant supply pipe 910 is inserted into the upper cooling plate 321 is connected to the upper cooling line 322, the other end is protruded to the end of the upper shaft 510 to the upper refrigerant supply unit 930 Connected. One end of the upper refrigerant discharge pipe 920 is inserted into the upper cooling plate 321 to be connected to the upper cooling line 322, and the other end thereof is connected to the upper refrigerant supply unit 930.

상기에서는 하부 금속 시트(240) 상측에 하부 기판(S1)을 지지하는 별도의 서셉터(200a)를 배치시키고, 상부 금속 시트(340) 하측에 상부 기판(S2)를 지지하는 별도의 세라믹 판(300a)를 배치시겼다. 하지만 별도의 서셉터(200a) 및 세라믹 판(300a)를 구비하지 않고, 하부 금속 시트(240) 상부에 하부 기판(S1)을 직접 지지시키고 상부 금속 시트(340) 하부에 상부 기판(S1)을 직접 지지시킬 수도 있다. 즉, 하부 기판(S1)의 하부면에 하부 금속 시트(240) 상부면에 직접 지지되고, 상부 기판(S2)의 상부면이 상부 금속 시트(340) 상부면에 직접 지지된다. 이때, 실시예에서는 세라믹 예를 들어 SiC로 이루어진 하부 기판(S1) 및 상부 기판(S1)을 사용하므로, 하부 금속 시트(240) 및 상부 금속 시트(340) 각각은 하부 기판(S1) 및 상부 기판(S1)으로 사용되는 세라믹 재료와 유사한 열팽창 계수를 갖는 금속을 이용하여 제작된다. 즉, 하부 금속 시트(240) 및 상부 금속 시트(340) 각각은 텅스텐(Tu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 타이타늄(Ti), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 은(Ag), 주석(Sn), 백금(Pt), 금(Au), 수은(Hg), 납(Pb), 우라늄(U) 및 플루토늄(Pu) 중 적어도 어느 하나를 이용하여 제작된다.In the above, a separate susceptor 200a for supporting the lower substrate S1 is disposed above the lower metal sheet 240, and a separate ceramic plate for supporting the upper substrate S2 below the upper metal sheet 340 ( 300a). However, without the separate susceptor 200a and the ceramic plate 300a, the lower substrate S1 is directly supported on the lower metal sheet 240, and the upper substrate S1 is disposed below the upper metal sheet 340. It can also be supported directly. That is, the lower surface of the lower substrate S1 is directly supported by the upper surface of the lower metal sheet 240, and the upper surface of the upper substrate S2 is directly supported by the upper surface of the upper metal sheet 340. In this embodiment, since the lower substrate S1 and the upper substrate S1 made of ceramic, for example, SiC, are used, each of the lower metal sheet 240 and the upper metal sheet 340 may be the lower substrate S1 and the upper substrate. It is produced using a metal having a coefficient of thermal expansion similar to that of the ceramic material used for (S1). That is, each of the lower metal sheet 240 and the upper metal sheet 340 may include tungsten (Tu), molybdenum (Mo), aluminum (Al), silicon (Si), titanium (Ti), chromium (Cr), and manganese (Mn). ), Iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu), zinc (Zn), silver (Ag), tin (Sn), platinum (Pt), gold (Au), mercury (Hg) ), Lead (Pb), uranium (U) and plutonium (Pu) is produced using at least one.

도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 하부 기판과 상부 기판 간을 접합시키는 방법을 순서적으로 도시한 도면이다. 하기에서는 도 3 내지 도 5를 참조하여, 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 하부 기판과 상부 기판 간을 접합시키는 방법을 설명한다.3 to 5 are views sequentially showing a method of bonding the lower substrate and the upper substrate using a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, a method of bonding the lower substrate and the upper substrate using the substrate processing apparatus according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 3 to 5.

실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 하부 기판(S1)과 상부 기판(S2)을 접합시켜 수직 구조의 LED를 제작한다. 이를 위해 먼저 복수의 하부 기판(S1)을 챔버부(100) 내부로 인입시켜, 서셉터(200a) 상에 안치시킨다. 이때, 복수의 하부 기판(S1)이 서셉터(200a) 상에서 상호 이격되도록 배치된다. 그리고 복수의 상부 기판(S2)을 챔버부(100) 내부로 인입시켜, 복수의 세라믹 판(300a) 각각에 상부 기판(S2)을 지지시킨다. 실시예에서는 SiC로 제작된 서셉터(200a) 및 세라믹 판(300a)을 사용한다. 그리고 하부 기판(S1)은 도시되지는 않았지만, Si를 이용하여 제작된 플레이트 상에 낮은 융점의 공융 금속 예를 들어, Au층을 형성한 것을 사용한다. 그리고 상부 기판(S2)은 SiC 웨이퍼, 웨이퍼 상부에 형성된 GaN계 반도체층, 반도체층 상에 Sn을 이용하여 형성된 금속층으로 이루어진 것을 사용한다. 또한, 실시예에서는 Au 및 Sn을 이용하여 상부 기판(S2) 및 하부 기판(S1)의 금속층을 형성하였으나, 이에 한정되지 않고 낮은 융점의 다양한 공융 금속을 이용하여 금속층을 형성할 수 있다. 그리고 이러한 하부 기판(S1)은 그 상부에 형성된 금속층이 상측을 향하도록 서셉터(200a) 상에 안착된다. 그리고 상부 기판(S2)은 반도체층 상에 형성된 금속층이 하부 기판(S1) 상부에 형성된 금속층과 마주보도록 배치된다.Using the substrate processing apparatus according to the embodiment, the lower substrate S1 and the upper substrate S2 are bonded to each other to manufacture a vertical structure LED. To this end, the plurality of lower substrates S1 are first introduced into the chamber part 100 and placed on the susceptor 200a. In this case, the plurality of lower substrates S1 are disposed to be spaced apart from each other on the susceptor 200a. The plurality of upper substrates S2 are introduced into the chamber part 100 to support the upper substrates S2 on the ceramic plates 300a, respectively. In the embodiment, a susceptor 200a and a ceramic plate 300a made of SiC are used. Although the lower substrate S1 is not shown, a low melting eutectic metal, for example, an Au layer is formed on a plate made of Si. The upper substrate S2 is formed of a SiC wafer, a GaN-based semiconductor layer formed on the wafer, and a metal layer formed of Sn on the semiconductor layer. In addition, although the metal layers of the upper substrate S2 and the lower substrate S1 are formed using Au and Sn in the embodiment, the metal layer may be formed using various eutectic metals having a low melting point. The lower substrate S1 is mounted on the susceptor 200a so that the metal layer formed thereon faces upward. The upper substrate S2 is disposed such that the metal layer formed on the semiconductor layer faces the metal layer formed on the lower substrate S1.

이어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상부 기판(S2)의 하부면과 하부 기판(S1)의 상부면이 접속되도록 하부 지지 유닛(200)을 승강시키고 상부 지지 유닛(300)을 하강시킨다. 물론 이에 한정되지 않고, 하부 지지 유닛(200)을 고정시킨 상태로 상부 지지 유닛(300)을 하강시키거나, 상부 지지 유닛(300)을 고정시킨 상태로 하부 지지 유닛(200)을 승강시킬 수 있다. 그리고 이와 같이 상부 기판(S2)과 하부 기판(S1) 간이 접속된 상태에서 상부 지지 유닛(300)을 2차적으로 하강시켜, 상기 상부 기판(S2)과 하부 기판(S1) 간을 밀착시킨다. Subsequently, as shown in FIG. 4, the lower support unit 200 is lifted and the upper support unit 300 is lowered to connect the lower surface of the upper substrate S2 and the upper surface of the lower substrate S1. Of course, the present invention is not limited thereto, and the lower support unit 200 may be lowered in a state where the lower support unit 200 is fixed, or the lower support unit 200 may be lifted in a state where the upper support unit 300 is fixed. . In the state where the upper substrate S2 and the lower substrate S1 are connected as described above, the upper support unit 300 is secondarily lowered to bring the upper substrate S2 and the lower substrate S1 into close contact with each other.

그리고, 상부 히터 블럭(310) 및 하부 히터 블럭(210) 각각을 이용하여 상부 기판(S2) 및 하부 기판(S1)을 가열시킨다. 이를 위해 하부 히터 블럭(210)의 하부 발열체(212)를 이용하여 하부 히터판(211)을 가열시키면, 상기 하부 히터판(211)의 열이 하부 열전달 시트(230)를 통해 하부 금속 시트(240)에 전달된다. 그리고 하부 금속 시트(240)의 열은 상기 하부 금속 시트(240) 상측에 배치된 서셉터(200a) 및 복수의 하부 기판(S1)에 전달된다. 이때, 하부 열전달 시트(230)와 하부 서셉터 (200a) 사이에 배치된 하부 금속 시트(240)에 의해 상기 하부 열전달 시트(230)의 열이 서셉터(200)로 빠르게 전달된다. 이에, 종래에 비해 빠른 속도로 복수의 하부 기판(S1) 가열할 수 있다. 그리고, 하부 금속 시트(240) 하측에 흑연으로 제작된 하부 열전달 시트(230)가 배치됨에 따라, 하부 금속 시트(240), 서셉터(200a) 및 복수의 하부 기판(S1) 각각을 균일하게 가열할 수 있다. 마찬가지로 상부 히터 블럭(310)의 상부 발열체(312)를 이용하여 상부 히터판(311)을 가열시키면, 상기 상부 히터판(311)의 열이 상부 열전달 시트(330)를 통해 상부 금속 시트(340)로 전달된다. 그리고 상부 금속 시트(340)의 열은 상기 상부 금속 시트(340) 상측에 배치된 세라믹 판(300a) 및 복수의 상부 기판(S2)에 전달된다. 이때, 상부 열전달 시트(330)와 세라믹 판(200) 사이에 배치된 상부 금속 시트(340)에 의해 상기 상부 열전달 시트(330)의 열이 세라믹 판(300)로 빠르게 전달된다. 이에, 종래에 비해 빠른 속도로 복수의 상부 기판(S2) 가열할 수 있다. 그리고, 상부 금속 시트(340) 하측에 흑연으로 제작된 상부 열전달 시트(330)가 배치됨에 따라, 상부 금속 시트(340), 세라믹 판(300a) 및 복수의 상부 기판(S2) 각각을 균일하게 가열할 수 있다.Then, the upper substrate S2 and the lower substrate S1 are heated using the upper heater block 310 and the lower heater block 210, respectively. To this end, when the lower heater plate 211 is heated using the lower heating element 212 of the lower heater block 210, heat of the lower heater plate 211 is transferred to the lower metal sheet 240 through the lower heat transfer sheet 230. Is delivered). The heat of the lower metal sheet 240 is transferred to the susceptor 200a and the plurality of lower substrates S1 disposed above the lower metal sheet 240. At this time, the heat of the lower heat transfer sheet 230 is quickly transferred to the susceptor 200 by the lower metal sheet 240 disposed between the lower heat transfer sheet 230 and the lower susceptor 200a. Thus, the plurality of lower substrates S1 may be heated at a higher speed than in the related art. As the lower heat transfer sheet 230 made of graphite is disposed under the lower metal sheet 240, the lower metal sheet 240, the susceptor 200a and the plurality of lower substrates S1 are uniformly heated. can do. Similarly, when the upper heater plate 311 is heated using the upper heating element 312 of the upper heater block 310, the heat of the upper heater plate 311 is transferred to the upper metal sheet 340 through the upper heat transfer sheet 330. Is delivered to. The heat of the upper metal sheet 340 is transferred to the ceramic plate 300a and the plurality of upper substrates S2 disposed on the upper metal sheet 340. At this time, the heat of the upper heat transfer sheet 330 is quickly transferred to the ceramic plate 300 by the upper metal sheet 340 disposed between the upper heat transfer sheet 330 and the ceramic plate 200. Thus, the plurality of upper substrates S2 can be heated at a faster speed than in the related art. As the upper heat transfer sheet 330 made of graphite is disposed below the upper metal sheet 340, the upper metal sheet 340, the ceramic plate 300a, and the plurality of upper substrates S2 are uniformly heated. can do.

이와 같이, 상호 밀착된 하부 기판(S1) 및 상부 기판(S2)을 가열시키면, 상기 히부 기판(S1)의 금속층과 상부 기판(S2)의 금속층이 용융되면서 상호 접합된다. 따라서, 이와 같은 접합 공정을 통해 하부 기판(S1)과 상부 기판(S2)이 공융 접합되어, 수직 구조의 LED가 제작된다.As such, when the lower substrate S1 and the upper substrate S2 that are in close contact with each other are heated, the metal layer of the upper substrate S1 and the metal layer of the upper substrate S2 are melted and bonded to each other. Therefore, the lower substrate S1 and the upper substrate S2 are eutectic bonded through such a bonding process, thereby producing a vertical structure LED.

그리고, 도 5에 도시된 바와 같이, 상부 샤프트(510) 및 상측 구동부(520)를 이용하여 상부 히터(300b)을 승강시켜, 상기 상부 히터(300b)으로부터 상부 기판(S2)을 분리시킨다.As shown in FIG. 5, the upper heater 300b is elevated using the upper shaft 510 and the upper driver 520 to separate the upper substrate S2 from the upper heater 300b.

이후, 하부 지지 유닛(200) 및 상부 지지 유닛(300) 각각을 냉각시킨다. 즉, 하부 냉각 블럭(220)의 하부 냉각 라인(222)에 냉매를 공급함으로써, 상부 히터(300b)을 냉각시킨다. 또한, 상부 냉각 블럭(320)의 상부 냉각 라인(322)에 냉매를 공급함으로써, 상부 히터(300b)을 냉각시킨다. 이와 같이 하부 히터(200b) 및 상부 히터(300b)의 온도가 급격하게 변할때 발생되는 충격은 상기 하부 히터(200b) 및 상부 히터(300b) 각각의 열전달 시트(230, 330)에 의해 완화된다. 이는 전술한 바와 같이 하부 열전달 시트(230) 및 상부 열전달 시트(330) 각각이 연성이 우수한 재료로 제작되어, 온도 변화에 따른 충격을 흡수할 수 있기 때문이다.Thereafter, each of the lower support unit 200 and the upper support unit 300 is cooled. That is, the upper heater 300b is cooled by supplying a coolant to the lower cooling line 222 of the lower cooling block 220. In addition, the upper heater 300b is cooled by supplying a coolant to the upper cooling line 322 of the upper cooling block 320. As described above, the shock generated when the temperature of the lower heater 200b and the upper heater 300b changes abruptly is alleviated by the heat transfer sheets 230 and 330 of the lower heater 200b and the upper heater 300b. This is because each of the lower heat transfer sheet 230 and the upper heat transfer sheet 330 is made of a material having excellent ductility, and thus absorbs a shock due to temperature change.

상기에서는 챔버부(100)의 하측에 배치되는 하부 지지 유닛(200)과 상기 하부 지지 유닛(200)의 상측에 배치되는 복수의 상부 지지 유닛(200)을 마련하였다. 그리고, 이러한 하부 지지 유닛(200) 및 복수의 상부 지지 유닛(200)을 하부 기판(S1)과 상부 기판(S2) 간을 접합시키는 접합 장치 내에 배치시킨다. 하지만 이에 한정되지 않고, 실시예에 따른 히터(200b, 300b)는 기판을 가열시키는 다양한 장치에 적용될 수 있다.In the above, the lower support unit 200 disposed below the chamber unit 100 and the plurality of upper support units 200 disposed above the lower support unit 200 are provided. Then, the lower support unit 200 and the plurality of upper support units 200 are disposed in the bonding apparatus for bonding the lower substrate S1 and the upper substrate S2 to each other. However, the present invention is not limited thereto, and the heaters 200b and 300b according to the embodiment may be applied to various devices for heating the substrate.

100: 챔버부 200: 하부 히터 유닛
230: 하부 열전달 시트 240: 하부 금속 시트
300: 상부 히터 유닛 330: 상부 열전달 시트
340: 상부 금속 시트100: chamber 200: lower heater unit
230: lower heat transfer sheet 240: lower metal sheet
300: upper heater unit 330: upper heat transfer sheet
340: top metal sheet

Claims (8)

피처리물을 지지 가열하는 지지 유닛에 있어서,
상기 피처리물을 가열하는 히터 블럭;
상기 히터 블럭의 일측과 접속된 열전달 시트;
상기 열전달 시트와 피처리물 사이에 배치되며, 일측이 상기 열전달 시트와 접속되고 타측이 상기 피처리물과 접속되는 금속 시트를 포함하는 지지 유닛.A support unit for supporting and heating a workpiece,
A heater block for heating the object to be processed;
A heat transfer sheet connected to one side of the heater block;
And a metal sheet disposed between the heat transfer sheet and the workpiece, wherein one side is connected to the heat transfer sheet and the other side is connected to the workpiece. 청구항 1에 있어서,
상기 금속 시트 상에 배치된 서셉터를 포함하는 지지 유닛.The method according to claim 1,
And a susceptor disposed on the metal sheet. 청구항 1에 있어서,
상기 열전달 시트는 흑연계, 실리콘계, 아크릴계 및 우레탄계 중 어느 하나를 이용하여 제작되는 지지 유닛.The method according to claim 1,
The heat transfer sheet is a support unit produced using any one of graphite, silicon, acrylic and urethane. 청구항 1에 있어서,
상기 금속 시트는 텅스텐(Tu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 타이타늄(Ti), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 은(Ag), 주석(Sn), 백금(Pt), 금(Au), 수은(Hg), 납(Pb), 우라늄(U), 플루토늄(Pu) 및 이들을 적어도 하나 포함하는 합금 중 어느 하나를 이용하여 제작되는 지지 유닛.The method according to claim 1,
The metal sheet is made of tungsten (Tu), molybdenum (Mo), aluminum (Al), silicon (Si), titanium (Ti), chromium (Cr), manganese (Mn), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu), zinc (Zn), silver (Ag), tin (Sn), platinum (Pt), gold (Au), mercury (Hg), lead (Pb), uranium (U), plutonium (Pu) and a support unit manufactured using any one of these alloys. 청구항 1에 있어서,
상기 히터 블럭의 타측에 접속되어 상기 히터 블럭을 냉각시키는 냉각 블럭을 포함하는 지지 유닛.The method according to claim 1,
And a cooling block connected to the other side of the heater block to cool the heater block. 피처리물을 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
내부공간이 마련된 챔버부;
상기 챔버부 내부에 설치되어 하부 기판을 지지 가열하는 하부 지지 유닛;
상기 하부 히터에 대응 배치되어, 상부 기판을 지지 가열하는 상부 지지 유닛을 포함하고,
상기 하부 지지 유닛 및 상부 지지 유닛 각각은 상기 피처리물을 가열하는 히터 블럭, 상기 히터 블럭의 일측과 접속된 열전달 시트, 상기 열전달 시트와 피처리물 사이에 배치되며, 일측이 상기 열전달 시트와 접속되고 타측이 상기 피처리물과 접속되는 금속 시트를 구비하는 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus which processes a to-be-processed object,
A chamber part provided with an inner space;
A lower support unit installed inside the chamber to support and heat the lower substrate;
An upper support unit disposed corresponding to the lower heater to support and heat the upper substrate;
Each of the lower support unit and the upper support unit is disposed between a heater block for heating the object, a heat transfer sheet connected to one side of the heater block, the heat transfer sheet and the object, and one side connected to the heat transfer sheet. And a metal sheet on the other side connected to the object to be processed. 청구항 6에 있어서,
상기 열전달 시트는 흑연계, 실리콘계, 아크릴계 및 우레탄계 중 어느 하나를 이용하여 제작되는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The heat transfer sheet is a substrate processing apparatus that is produced using any one of graphite, silicon, acrylic and urethane. 청구항 6에 있어서,
상기 히터 블럭의 타측에 접속되어 상기 히터 블럭을 냉각시키는 냉각 블럭를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
And a cooling block connected to the other side of the heater block to cool the heater block.
KR1020100108250A 2010-11-02 2010-11-02 Support unit and substrate treating apparatus with it KR101234358B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100108250A KR101234358B1 (en) 2010-11-02 2010-11-02 Support unit and substrate treating apparatus with it
CN201110339462.2A CN102456599B (en) 2010-11-02 2011-11-01 Support unit and substrate processing apparatus provided with support unit
TW100140040A TWI478276B (en) 2010-11-02 2011-11-02 Support unit and substrate treating apparatus having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100108250A KR101234358B1 (en) 2010-11-02 2010-11-02 Support unit and substrate treating apparatus with it

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120046540A true KR20120046540A (en) 2012-05-10
KR101234358B1 KR101234358B1 (en) 2013-02-28

Family

ID=46039630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100108250A KR101234358B1 (en) 2010-11-02 2010-11-02 Support unit and substrate treating apparatus with it

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101234358B1 (en)
CN (1) CN102456599B (en)
TW (1) TWI478276B (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101499335B1 (en) * 2013-07-29 2015-03-06 이향이 Heater Block For Die Bonding Of Semiconductor
US20220310434A1 (en) * 2021-03-24 2022-09-29 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Electrostatic chuck and substrate fixing device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101877272B1 (en) * 2015-10-02 2018-07-12 에이피시스템 주식회사 Bonding system using vacuum laminating

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3411174B2 (en) * 1997-02-28 2003-05-26 京セラ株式会社 Crimping device
JP3980187B2 (en) * 1998-07-24 2007-09-26 日本碍子株式会社 Semiconductor holding device, its manufacturing method and its use
JP3170248B2 (en) * 1998-10-26 2001-05-28 日本エー・エス・エム株式会社 Semiconductor substrate holding device
US6765178B2 (en) * 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US20080066683A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-20 General Electric Company Assembly with Enhanced Thermal Uniformity and Method For Making Thereof
KR100836183B1 (en) 2007-01-16 2008-06-09 (주)나노테크 Heater assembly and setup structure
JP2009094138A (en) * 2007-10-04 2009-04-30 Sei Hybrid Kk Wafer holder, and semiconductor manufacturing device
JP2009186707A (en) * 2008-02-06 2009-08-20 Seiko Epson Corp Method of manufacturing electro-optical device and electro-optical device
US8023247B2 (en) * 2008-12-10 2011-09-20 Axcelis Technologies, Inc. Electrostatic chuck with compliant coat
KR101066603B1 (en) * 2009-01-20 2011-09-22 에이피시스템 주식회사 Substrate holder unit and subtrate assembling appartus having the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101499335B1 (en) * 2013-07-29 2015-03-06 이향이 Heater Block For Die Bonding Of Semiconductor
US20220310434A1 (en) * 2021-03-24 2022-09-29 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Electrostatic chuck and substrate fixing device

Also Published As

Publication number Publication date
CN102456599A (en) 2012-05-16
CN102456599B (en) 2015-05-27
KR101234358B1 (en) 2013-02-28
TW201220428A (en) 2012-05-16
TWI478276B (en) 2015-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5347214B2 (en) Mounting table structure and heat treatment apparatus
JP5593472B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
EP2785501B1 (en) Method for joining materials and multi-layer plate formed therewith
JP6322656B2 (en) Work cradle structure with low thermal expansion coefficient top
KR20100040799A (en) Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof
US10079167B2 (en) Electrostatic chucking device
JP3980187B2 (en) Semiconductor holding device, its manufacturing method and its use
JP5620090B2 (en) Substrate processing apparatus, heat-treated substrate manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method
US7547611B2 (en) Process and device for bonding wafers
CN102574361B (en) Laminate and manufacture method thereof
JP2006336103A (en) Elastomer bonding of large area sputtering target
JP2010052015A (en) Method for producing different material-joined body and different material-joined body by the method
JPH11204238A (en) Ceramic heater
KR101234358B1 (en) Support unit and substrate treating apparatus with it
WO2005101471A1 (en) Processing equipment for object to be processed
JP2009200075A (en) Heating and pressurizing system
US6510888B1 (en) Substrate support and method of fabricating the same
JP2003080375A (en) Manufacturing method of semiconductor wafer supporting member joined body and semiconductor wafer supporting member joined body
JP4698097B2 (en) Wafer support member
JP2010277809A (en) Heater and device equipped with the same
JP5376023B2 (en) Mounting table structure and heat treatment apparatus
JP4124589B2 (en) Wafer holding device
JP2010125525A (en) Method for metal alloying
JP5449045B2 (en) Heater unit with shaft and heater unit manufacturing method with shaft
JP4803716B2 (en) Backing plate and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160211

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161206

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171218

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181211

Year of fee payment: 7