KR20120041481A - Photolithography apparatus - Google Patents
Photolithography apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120041481A KR20120041481A KR1020100102956A KR20100102956A KR20120041481A KR 20120041481 A KR20120041481 A KR 20120041481A KR 1020100102956 A KR1020100102956 A KR 1020100102956A KR 20100102956 A KR20100102956 A KR 20100102956A KR 20120041481 A KR20120041481 A KR 20120041481A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mask
- led
- exposure apparatus
- housing
- light
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
Abstract
Description
본 발명은 UV LED가 구비된 노광장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an exposure apparatus provided with a UV LED.
노광 공정은 반도체 웨이퍼의 가공 공정으로서, 반도체 웨이퍼 위에 특정 패턴을 적절한 파장의 빛과 마스크를 이용하여 정확한 위치 및 크기로 전사하는 공정이다. 이러한 공정은 메모리 소자 생산비용의 35%, 공정시간의 60% 이상을 차지하는 핵심공정이라 할 수 있다. An exposure process is a process of processing a semiconductor wafer, and is a process of transferring a specific pattern onto a semiconductor wafer to a precise position and size using light and a mask having an appropriate wavelength. Such a process is a key process that takes up 35% of the memory device production cost and more than 60% of the process time.
노광 공정에서 사용되는 장비를 노광장치라 하는데, 노광장치는 마스크를 감광막이 도포된 반도체 웨이퍼 위에 위치시키고 마스크 위에 빛을 노광시킴으로써 반도체 웨이퍼 상에 마스크에 그려진 회로가 전사되도록 하는 장치이다.The equipment used in the exposing process is called an exposure apparatus, which is a device which transfers a circuit drawn on a mask on a semiconductor wafer by placing a mask on a semiconductor wafer coated with a photoresist film and exposing light on the mask.
다양한 종류의 노광장치 중에 광학계 노광장치가 있는데, 광학계 노광장치에는 자외선 영역의 광을 이용하는 노광장치가 있다. 일반적인 광학계 노광장치는 광원으로서 UV 램프를 사용하고 있다. 그럼, 이하에서 종래의 간접형태의 일반적인 광학계 노광장치를 첨부된 도면을 참조하여 설명하도록 한다.Among various kinds of exposure apparatuses, there is an optical exposure apparatus, and there is an exposure apparatus that uses light in the ultraviolet region. A general optical system exposure apparatus uses a UV lamp as a light source. Then, a general optical system exposure apparatus of a conventional indirect type will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래의 간접 형태의 광학계 노광장치의 구성도이다. 도 1을 참조하면, 일반적인 광학계 노광장치는 마스크(150)에 자외선 영역의 광을 공급하는 광원계 (110), 광원(115)에서 나오는 광을 균일한 면 광원으로 확산시키는 동시에 일정한 크기로 집속시키는 조명계(130), 반도체 웨이퍼(P) 상에 구현하려는 회로패턴이 설계된 마스크(레티클)(150), 마스크(150)를 통과한 광이 반도체 웨이퍼(P)의 원하는 위치에 일정한 배율로 전사되도록 하는 렌즈계(170) 및 마스크(150)와 반도체 웨이퍼(P)를 원하는 위치에 정렬시키는 위치 정렬계(190)로 구성된다.1 is a configuration diagram of a conventional indirect optical system exposure apparatus. Referring to FIG. 1, a general optical system exposure apparatus diffuses light emitted from a
이러한 일반적인 광학계 노광장치에서, 광원계(110)는 광원(115)으로서 UV 램프를 사용하고 있다. 여기서, UV 램프는 수은과 불활성 가스가 봉입된 것으로, 특히, 수은은 친환경인 물질이 아니기 때문에, 환경문제를 유발시키는 문제점이 있다.In such a general optical system exposure apparatus, the
또한, UV 램프는 노광 시 필요한 자외선 영역 이외에 불필요한 자외선 영역의 광을 방출한다. 그래서, 기존의 일반적인 광학계 노광장치는 조명계(130)를 통하여 불필요한 자외선 영역의 광을 제거하고 있다. 여기서, 이러한 조명계(130)의 부가는 노광장치 전체의 크기를 증대시킬 뿐만 아니라, 조명계(130) 자체의 적지 않은 비용으로 인해 노광장치 전체의 비용이 높아지는 문제점이 있다.
In addition, the UV lamp emits light in an unnecessary ultraviolet region in addition to the ultraviolet region necessary for exposure. Therefore, the conventional general optical system exposure apparatus removes unnecessary ultraviolet light through the
본 발명의 실시예는 조명계를 부가하지 않고도 불필요한 자외선 영역의 광을 제거할 수 있도록 하는 UV LED가 구비된 노광장치를 제공한다.An embodiment of the present invention provides an exposure apparatus equipped with a UV LED to remove the unnecessary light of the ultraviolet region without adding an illumination system.
본 발명의 일 측면에 따르면, 반도체 웨이퍼 위에 인쇄될 소정의 회로패턴을 갖는 마스크; 자외선 광을 방출하는 복수의 UV LED가 배치된 단위모듈; 및 상기 단위모듈의 아래에 배치되고, 상기 UV LED로부터 방출한 상기 자외선 광을 상기 마스크에 확산시키는 확산시트;를 포함하는 노광장치를 제공한다.According to one aspect of the invention, a mask having a predetermined circuit pattern to be printed on a semiconductor wafer; A unit module in which a plurality of UV LEDs emitting ultraviolet light are disposed; And a diffusion sheet disposed under the unit module and diffusing the ultraviolet light emitted from the UV LED into the mask.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 단위모듈과 확산시트 사이에 배치되고, 상기 UV LED와 대응되어 상기 UV LED로부터의 자외선 광을 확산시키는 렌즈를 더 포함하는 노광장치를 제공한다.According to an embodiment of the present invention, an exposure apparatus is disposed between the unit module and the diffusion sheet, and further includes a lens corresponding to the UV LED to diffuse ultraviolet light from the UV LED.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 렌즈는 고분자 물질로 형성되는 노광 장치를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, the lens provides an exposure apparatus formed of a polymer material.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 고분자 물질은 PMMA(Polymethyl Methacrylate) 시트 또는 PC (Polycarbonate) 시트인 노광장치를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, the polymer material provides an exposure apparatus, which is a polymethyl methacrylate (PMMA) sheet or a polycarbonate (PC) sheet.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, SMPS로부터 전류를 공급받아 상기 UV LED에 일정한 양의 전류를 흘려 보내는 정전류 구동 드라이버를 더 포함하는 노광장치를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided an exposure apparatus further comprising a constant current driving driver for receiving a current from the SMPS to flow a predetermined amount of current to the UV LED.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 단위모듈을 수납하기 위한 소정의 수납공간을 가지며, 상기 수납공간을 형성하기 위한 베이스판과 상기 베이스판의 측면을 둘러싸는 측면판을 가지는 하우징을 더 포함하는 노광장치를 제공한다.According to still another embodiment of the present invention, the storage device may further include a housing having a predetermined storage space for accommodating the unit module and having a base plate for forming the storage space and a side plate surrounding a side surface of the base plate. An exposure apparatus is provided.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 하우징은 상기 베이스판의 외면과 상기 측면판의 외면에 연결되고 외부방향으로 연장된 복수의 핀을 더 포함하는 노광장치를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, the housing provides an exposure apparatus further comprising a plurality of pins connected to the outer surface of the base plate and the outer surface of the side plate and extending in an outward direction.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 하우징의 베이스판과 상기 단위모듈 사이에 게재된 방열시트를 더 포함하는 노광장치를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided an exposure apparatus further comprising a heat dissipation sheet disposed between the base plate of the housing and the unit module.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 마스크의 아래에 배치되고, 상기 마스크를 통과한 자외선 광이 상기 반도체 웨이퍼의 소정 위치에 일정한 배율로 조사되도록 하는 렌즈계; 및 상기 렌즈계의 아래에 배치되고, 상기 반도체 웨이퍼와 상기 마스크를 이동 및 고정시키기 위한 위치 정렬계;를 더 포함하는 노광장치를 제공한다.
According to another embodiment of the present invention, the lens system disposed under the mask, the ultraviolet light passing through the mask is irradiated at a predetermined magnification to a predetermined position of the semiconductor wafer; And a position alignment system disposed under the lens system and configured to move and fix the semiconductor wafer and the mask.
본 발명에 따르면, 노광장치에 UV LED를 구비하도록 함으로써, 환경문제를 유발시키지 않을 뿐만 아니라, 조명계를 부가하지 않고도 불필요한 자외선 영역의 광을 제거할 수 있게 된다.According to the present invention, by providing the UV LED in the exposure apparatus, not only does not cause an environmental problem, but also it is possible to remove unnecessary light in the ultraviolet region without adding an illumination system.
또한, 본 발명에 따르면, 노광장치에 렌즈와 확산시트를 구비함으로써, 점 광원을 2차원의 면 광원으로 만들 수 있게 된다.Further, according to the present invention, by providing a lens and a diffusion sheet in the exposure apparatus, the point light source can be made into a two-dimensional surface light source.
또한, 본 발명에 따르면, 정전류 구동방식으로 노광장치를 구동시킴으로써, LED의 수명을 늘려주고 유지보수 비용도 절감시킬 수 있게 된다.
In addition, according to the present invention, by driving the exposure apparatus in a constant current driving method, it is possible to increase the life of the LED and to reduce the maintenance cost.
도 1은 종래의 간접 형태의 광학계 노광장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광장치의 개략 구성도이다.
도 3은 도 2의 UV 광원의 분해 사시도와 일부 구성의 확대도이다.
도 4는 본 발명에 따른 UV LED 모듈의 정면도와 UV LED 모듈의 UV LED를 확대한 확대도이다. 1 is a configuration diagram of a conventional indirect optical system exposure apparatus.
2 is a schematic structural diagram of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is an exploded perspective view of the UV light source of FIG. 2 and an enlarged view of a partial configuration.
4 is an enlarged view of a front view of the UV LED module according to the present invention and an enlarged view of the UV LED of the UV LED module.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한, 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not entirely reflect the actual size.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 직접(directly) 또는 다른 element를 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한,“상(위) 또는 하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, when described as being formed on "on" or "under" of each element, the above (up) or below (on) or under) includes all formed directly or indirectly through another element. In addition, when expressed as "on" or "under", it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 노광장치를 설명한다.
Hereinafter, an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광장치의 개략 구성도이다. 도 2를 참조하면, 노광장치는, UV 광원(200), 마스크(300), 렌즈계(400) 및 위치 정렬계(500)를 포함할 수 있다.2 is a schematic structural diagram of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the exposure apparatus may include a
UV 광원(200)은 복수의 UV LED를 갖는다. UV LED는 노광공정시 필요한 자외선 영역의 광을 방출한다. 예를 들어, 365nm, 405nm 및 436nm 파장의 자외선 영역의 광을 방출한다. 이렇게 UV 광원(200)으로는 종래의 UV 램프 대신에 UV LED가 사용되므로, 종래의 UV 램프에서 방출되는 자외선 영역의 광을 필터링하기 위한 조명계를 구비하지 않아도 된다.The
마스크(300)는 반도체 위에 인쇄될 소정의 회로패턴을 갖는다.The
렌즈계(400)는 마스크(300)의 아래에 배치되고, 마스크(300)를 통과한 자외선 영역의 광이 반도체 웨이퍼의 소정 위치에 일정한 배율로 조사되도록 한다.The
위치 정렬계(500)는 렌즈계(400)의 아래에 배치되고, 반도체 웨이퍼와 마스크(300)를 이동 및 고정시킨다.
The
도 3은 도 2의 UV 광원의 분해 사시도와 일부 구성의 확대도이고, 도 4는 본 발명에 따른 UV LED 모듈의 정면도와 UV LED 모듈의 UV LED를 확대한 확대도이다. 도 3을 참조하면, UV 광원(200)은 하우징(210), UV LED 모듈(230), 확산시트(250) 및 제어부(270), 정전류 구동 드라이버(290)를 포함한다.3 is an exploded perspective view of the UV light source of FIG. 2 and an enlarged view of some components, and FIG. 4 is an enlarged view of a front view of the UV LED module according to the present invention and an enlarged view of the UV LED of the UV LED module. Referring to FIG. 3, the
하우징(210)은 UV LED 모듈(230)과 확산시트(250)를 수납하기 위한 소정의 수납공간을 가지며, 수납공간을 형성하기 위한 베이스판과, 베이스판의 측면을 둘러싸는 측면판을 가진다. 예를 들면, 하우징(210)은 UV LED 모듈(230)과 확산시트(250)의 수납이 가능하도록 사각형의 박스형태를 가질 수 있다. The
또한, 하우징(210)은 UV LED 모듈(230)로부터의 열을 방열하기 위한 구조와 재질을 갖는다. 여기서, 하우징(210)의 재질로는 알루미늄, 스테인레스 등과 같은 열 전도성이 큰 금속이 사용되는 것이 바람직하다. 방열을 위한 하우징(210)은 하우징(210)은 베이스판의 외면과 측면판의 외면에 연결되고 외부방향으로 연장된 복수의 핀(fin)과, 하우징(210)의 베이스판과 UV LED 모듈(230) 사이에 게재된 방열시트를 더 포함할 수 있다. 방열을 위한 하우징(210)은 일반적인 2차원 면 형상을 가져도 무방하며, 방열면적을 넓히기 위해 하우징(210)과 동일하거나 유사한 재질의 복수의 핀들이 장착된 것이 바람직하다. In addition, the
또한, 하우징(210)의 베이스판 내면에는 UV LED 모듈(230)이 장착되는데, 하우징(210)의 베이스판 내면은 UV LED 모듈(230)의 기판과 면 접촉되는 것이 바람직하다. 하우징(210)과 UV LED 모듈(230)이 면 접촉됨으로써, UV LED 모듈(230)의 UV LED로부터의 열이 효율적으로 하우징(210)으로 전달될 수 있다. 여기서, 하우징 (210)의 베이스판 내면과 UV LED 모듈(230)의 기판 사이에 방열시트(미도시)가 게재될 수 있다. 방열시트(미도시)를 통해 UV LED 모듈(230)의 UV LED로부터의 열이 더욱 효율적으로 하우징(210)으로 전달될 수 있다.In addition, the inner surface of the base plate of the
UV LED 모듈(230)은 하우징(210)에 수납되고, 자외선 영역의 광을 방출하는 복수의 UV LED가 배치된 단위모듈을 포함한다. 하우징(210)에 수납시, UV LED 모듈(230)은 하우징(210)의 베이스판의 내면과 면 접촉된다. 또한, UV LED 모듈(230)은 제어부(270)와 전기적으로 연결되어, 제어부(270)의 제어신호에 따라 자외선 영역의 광을 방출한다. UV LED 모듈(230)에 대해서는 첨부된 도 4를 참조하여 구체적으로 살펴보도록 한다. 여기서, 제어부(270)의 제어신호는 UV LED 모듈(230)에 공급되는 전원신호일 수 있고, UV LED 모듈(230)에 공급되는 전원을 차단 또는 공급하는 스위칭 신호일 수 있다.The
확산시트(250)는 UV LED 모듈(230)을 덮도록 하우징(210)에 수납되는데, 단위모듈의 아래에 배치되어 UV LED(233)로부터 방출한 자외선 영역의 광을 마스크(300)에 확산시킨다. 즉, 확산시트(250)는 렌즈(235)를 통해 1차로 확산된 자외선 영역의 광을 2차로 확산한다. 이와 같이, 렌즈(235)와 확산시트(250)를 통해 UV LED(233)에서 방출되는 자외선 영역의 광을 확산시키는 이유는, 점 광원을 2차원의 면 광원으로 만들기 위함이다.The
제어부(270)는 하우징(210)의 베이스판의 외면에 장착되고, UV LED 모듈 (230)의 복수의 단위모듈로 제어신호를 보낸다. 여기서, 제어신호는 UV LED 모듈 (230)의 복수의 단위모듈 각각에 장착된 UV LED의 온(on)/오프(off)를 제어하기 위한 신호이다. 이러한 제어부(270)는 외부의 컨트롤러(미도시)와 유/무선으로 연결되어, 컨트롤러(미도시)의 지시에 따른 제어신호를 생성한다. The
정전류 구동 드라이버(290)는 제어부(270)에 구비된 SMPS(Switch Mode Power Supply)로부터 전류를 공급받아 UV LED에 일정한 양의 전류를 흘려보낸다. 이와 같이, 정전류 구동 드라이버(290)에 의한 정전류 구동방식은, 현재 대부분 UV LED에 장착된 정전압 방식의 구동 드라이버와 대비하여 UV LED의 수명을 늘려주고 유지보수 비용도 절감시킨다. 그리고, 정전류 구동 드라이버(290)는 전선을 이용하여 UV LED와 분리하여 설치하는 것이 가능하다. 정전압 구동방식의 경우, UV LED와 멀리 떨어지게 되면 정전압 구동 드라이버의 출력이 저하되므로, 정전류 구동방식이 정전압 구동방식에 비하여 우수하다.The constant
도 4를 참조하면, UV LED 모듈(230)은 복수의 기판(231), 복수의 기판(231)각각에 복수로 배치된 UV LED(233), UV LED(233)를 각각 덮는 렌즈(235)를 포함한다. 여기서, 하나의 기판(231), 하나의 기판(231) 각각에 복수로 배치된 UV LED (233) 및 복수의 UV LED(233)를 각각 덮는 렌즈(235)는 하나의 단위모듈을 구성한다. 즉, UV LED 모듈(230)은 복수의 단위모듈로 구성된다.Referring to FIG. 4, the
도 4에서는 UV LED 모듈(230)이 24개의 단위모듈로 구성되는 예를 보이고 있는데, 24개의 단위모듈은 독립적으로 구동된다. 즉, 24개의 단위모듈은 각각 제어부(270)로부터 개별적으로 제어신호를 받아 구동되고, 24개의 단위모듈은 각각 제어부(270)로부터 서로 다른 제어신호를 받아 구동될 수 있다. 즉, 24개의 단위모듈은 일괄적으로 온/오프될 수 있을 뿐만 아니라, 일부의 단위모듈은 온되고 나머지 단위모듈들은 오프될 수 있다.4 shows an example in which the
UV LED(233)는 제어부(270)의 제어신호에 따라 온 또는 오프된다. UV LED(233)는 온될 때 노광시에 필요한 자외선 영역의 광을 방출한다. 예를 들면, 365nm, 405nm, 436nm대 파장의 자외선 영역의 광을 방출할 수 있다. 이렇게 UV LED(233)에서 방출되는 광의 파장이 365nm, 405nm, 436nm인 경우, 도 1에 도시된 조명계(130)가 불필요하다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 마스크(300) 위에 직접 자외선 영역의 광을 조사할 수 있다. 따라서, 도 2에 도시된 노광장치는 도 1에 도시된 조명계(130)가 필요하지 않으므로, 공간상 및 비용상의 이점이 있다.The
렌즈(235)는 UV LED(233)와 일대일로 대응되어, UV LED(233)로부터의 자외선 영역의 광을 확산시킨다. 이러한 렌즈(235)는 UV LED(233)에서 방출되는 자외선 영역의 광을 1차로 확산한다. 렌즈(235)는 고분자 물질로 형성되는데, 예를 들면, 고분자 물질은 PMMA 시트 또는 PC 시트일 수 있다.
The
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고, 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.
200 : UV 광원 210 : 하우징
230 : UV LED 모듈 231a : 단위모듈
231 : 기판 233 : UV LED
235 : 렌즈 250 : 확산시트
270 : 제어부 290 : 정전류 구동 드라이버
300 : 마스크 400 : 렌즈계
500 : 위치 정렬계200: UV light source 210: housing
230: UV LED module 231a: unit module
231: substrate 233: UV LED
235
270
300: mask 400: lens system
500: position alignment system
Claims (9)
자외선 광을 방출하는 복수의 UV LED가 배치된 단위모듈; 및
상기 단위모듈의 아래에 배치되고, 상기 UV LED로부터 방출한 상기 자외선 광을 상기 마스크에 확산시키는 확산시트;
를 포함하는 노광장치.A mask having a predetermined circuit pattern to be printed on the semiconductor wafer;
A unit module in which a plurality of UV LEDs emitting ultraviolet light are disposed; And
A diffusion sheet disposed below the unit module and diffusing the ultraviolet light emitted from the UV LED to the mask;
Exposure apparatus comprising a.
상기 단위모듈과 확산시트 사이에 배치되고, 상기 UV LED와 대응되어 상기 UV LED로부터의 자외선 광을 확산시키는 렌즈를 더 포함하는 노광장치.The method of claim 1,
And a lens disposed between the unit module and the diffusion sheet and corresponding to the UV LED to diffuse ultraviolet light from the UV LED.
상기 렌즈는 고분자 물질로 형성되는 노광장치.The method of claim 2,
The lens is an exposure apparatus formed of a polymer material.
상기 고분자 물질은 PMMA(Polymethyl Methacrylate) 시트 또는 PC (Polycarbonate) 시트인 노광장치.The method of claim 3,
The polymer material is an exposure apparatus, PMMA (Polymethyl Methacrylate) sheet or PC (Polycarbonate) sheet.
SMPS로부터 전류를 공급받아 상기 UV LED에 일정한 양의 전류를 흘려 보내는 정전류 구동 드라이버를 더 포함하는 노광장치.The method of claim 1,
And a constant current driving driver for receiving a current from the SMPS and flowing a predetermined amount of current to the UV LEDs.
상기 단위모듈을 수납하기 위한 소정의 수납공간을 가지며, 상기 수납공간을 형성하기 위한 베이스판과 상기 베이스판의 측면을 둘러싸는 측면판을 가지는 하우징을 더 포함하는 노광장치.The method of claim 1,
And a housing having a predetermined accommodating space for accommodating the unit module and having a base plate for forming the accommodating space and a side plate surrounding a side surface of the base plate.
상기 하우징은 상기 베이스판의 외면과 상기 측면판의 외면에 연결되고 외부방향으로 연장된 복수의 핀을 더 포함하는 노광장치.The method of claim 6,
The housing further comprises a plurality of pins connected to the outer surface of the base plate and the outer surface of the side plate and extending in an outward direction.
상기 하우징의 베이스판과 상기 단위모듈 사이에 게재된 방열시트를 더 포함하는 노광장치.The method of claim 6,
And an heat dissipation sheet disposed between the base plate of the housing and the unit module.
상기 마스크의 아래에 배치되고, 상기 마스크를 통과한 자외선 광이 상기 반도체 웨이퍼의 소정 위치에 일정한 배율로 조사되도록 하는 렌즈계; 및
상기 렌즈계의 아래에 배치되고, 상기 반도체 웨이퍼와 상기 마스크를 이동 및 고정시키기 위한 위치 정렬계;
를 더 포함하는 노광장치.The method of claim 1,
A lens system disposed under the mask and configured to irradiate ultraviolet light passing through the mask at a predetermined magnification to a predetermined position of the semiconductor wafer; And
A position alignment system disposed below the lens system and configured to move and fix the semiconductor wafer and the mask;
Exposure apparatus further comprising.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100102956A KR20120041481A (en) | 2010-10-21 | 2010-10-21 | Photolithography apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100102956A KR20120041481A (en) | 2010-10-21 | 2010-10-21 | Photolithography apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120041481A true KR20120041481A (en) | 2012-05-02 |
Family
ID=46262551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100102956A KR20120041481A (en) | 2010-10-21 | 2010-10-21 | Photolithography apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20120041481A (en) |
-
2010
- 2010-10-21 KR KR1020100102956A patent/KR20120041481A/en not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101872132B (en) | Exposing device, exposing light beam illuminating method and method for manufacturing display panel substrate | |
TWI608309B (en) | Uv led light source module unit for exposure photolithography process and exposure photolithography apparatus used the same | |
KR101532352B1 (en) | LED light source apparatus for exposure resist and management system for the same | |
KR101219323B1 (en) | Photolithography apparatus | |
KR20100026422A (en) | Lighting apparatus using led | |
KR101333361B1 (en) | Light irradiation device | |
KR20120082805A (en) | Exposure method and exposure apparatus | |
KR20060050911A (en) | Light s0urce f0r exp0sure | |
TW202123787A (en) | Uv led radiation sources for use in photopolymer exposure | |
KR20120041481A (en) | Photolithography apparatus | |
KR20120041483A (en) | Exposure apparatus for sensing off status of ultra violet light emitting diode module for driving ultra violet light emitting diode module and method for sensing off status of ultra violet light emitting diode module thereof | |
KR20130078004A (en) | Scan type exposure system using uv led | |
TWI579658B (en) | Uv led light source module unit for exposure photolithography process and exposure photolithography apparatus used the same | |
JP2007019073A (en) | Exposure pattern forming apparatus and exposure apparatus | |
KR101761279B1 (en) | LED array light source module for exposing large area pattern and apparatus for controlling the LED array light source module | |
KR20120041479A (en) | Photolithography apparatus | |
KR102082659B1 (en) | Led lamp moudle, exposure apparatus including the same and dirving method for exposure apparatus | |
KR20120041977A (en) | Photolithography apparatus | |
KR20120047666A (en) | Apparatus for photolithography | |
KR102089310B1 (en) | Maskless exposure apparatus | |
JP2013109144A (en) | Light source for exposure and exposure equipment using the same | |
JP2011003866A (en) | Exposure device | |
JP5382373B2 (en) | Light irradiation device | |
JP2010118456A (en) | Ultraviolet irradiation apparatus using ultraviolet light-emitting diode | |
KR20230137128A (en) | Apparatus for proximity exposure using UV LED light source |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal |