KR20120038359A - 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치 및 방법 - Google Patents

물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치 및 방법

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KR20120038359A
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Abstract

반도체 또는 태양전지를 생산하는 공정에서 실시간으로 반도체 또는 태양전지를 형성하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치가 개시된다. 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치는 분석 대상물의 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사하여 스크라이빙을 수행하는 레이저 조사부와, 조사된 레이저에 의해 생성된 플라즈마로부터 발생된 분광을 검출하는 분광 검출 광학부와, 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분광 상태 정보를 저장하는 분광 정보 저장부와, 분광 상태 정보와 검출된 분광을 비교하여 물질의 분포 상태 정보를 분석하는 분광 분석부를 포함하여 구성된다. 따라서, 반도체 또는 태양전지를 형성하는 물질의 분포를 실시간으로 정확히 측정할 수 있고, 스크라이빙 공정을 수행함과 동시에 물질의 분포를 측정하므로 별도의 측정공정을 수행할 필요가 없어 생산성이 증가되고, 제품화가 이루어질 영역의 손상없이 물질의 분포를 측정할 수 있고, 물질의 분포를 측정하기 위한 플라즈마를 발생시키기 위한 별도의 어블레이션(ablation)없이 물질의 분포를 측정할 수 있다.

Description

물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치 및 방법{SCRIBING APPARATUS AND METHOD FOR HAVING A ANALYSIS FUNCTION OF MATERIAL DISTRIBUTION}
본 발명은 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 또는 태양전지를 생산하는 공정에서 분석 대상물을 스크라이빙함과 동시에 물질의 분포를 분석할 수 있는 스크라이빙 장치 및 방법에 관한 것이다.
레이저 조사 시 발생되는 플라즈마는 물질에 따라 특정한 파장의 빛을 방출하므로, 이 빛을 수집하여 물질의 구성 성분을 정성적 또는 정량적으로 분석할 수 있다. 수집된 빛을 이용하여 물질의 구성 성분을 분석하는 방법의 하나인 레이저 유도 붕괴 분광법(이하, LIBS라 한다.)은 고 출력의 레이저를 사용하여 일종의 방전현상인 붕괴(breakdown)를 발생시켜 생성되는 플라즈마를 여기원으로 사용하는 분광 분석 기술이다.
레이저에 의해 유도된 플라즈마 속에서 시료는 증기화되어 원자 및 이온은 여기 상태로 존재할 수 있다. 여기 상태의 원자 및 이온은 일정 수명 이후 에너지를 방출하며 다시 바닥 상태로 돌아가는데, 이때 원소의 종류 및 여기 상태에 따라 고유의 파장을 방출한다.
따라서 방출되는 파장의 스펙트럼을 분석하면 물질의 구성 성분을 정성적 또는 정량적으로 분석할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 LIBS의 작동 원리에 대한 개념을 나타내는 개념도이다.
도 1을 참조하면, 먼저 단계 (1)과 같이 펄스 레이저를 조사하여 미소한 분량(수 ㎍)의 재료를 어블레이션(ablation, 레이저에 의해 물질이 용융 및 증발되면서 제거되는 현상)시키면, 어블레이션된 재료는 레이저 에너지를 흡수함으로써 매우 짧은 시간(보통 수 나노초 이내) 안에 이온화가 일어나게 되고, 단계 (2)에서와 같은 약 15000K 이상의 고온 플라즈마가 형성된다. 레이저 펄스가 종료되면, 고온의 플라즈마가 냉각되면서 플라즈마 내에 존재하는 각 원소별로 그에 해당하는 특정한 분광을 내게 되는데, 이때 발생하는 분광을 단계 (3)에서와 같은 분광 분석 장치를 사용하여 수집하고, 분석함으로써 단계 (4)와 같은 각 원소의 고유한 분광 데이터를 얻게 되고, 이러한 데이터의 분석을 통해 재료 내에 포함된 물질의 성분 조성 및 양을 측정할 수 있다.
LIBS 기술은 ①전체 측정에 소요되는 시간이 1초 이내라는 점, ②측정을 위한 별도의 샘플링 및 전처리 과정이 필요없다는 점, ③1회 측정에 아주 미소량(수 ㎍)의 재료만이 소요되므로 깊이 방향으로 재료를 어블레이션시키면서 ㎚ 단위의 정밀도로 재료의 원소 구성을 측정할 수 있다는 점, ④측정을 위한 별도의 환경이 필요하지 않고, 공기 중에서 측정 가능하다는 점, ⑤불활성 기체를 제외한 모든 원소를 ppm 정밀도로 분석해 낼 수 있다는 점 및 ⑥비교적 저렴한 비용으로 설비를 구성할 수 있다는 점에서 다른 측정 기술과 차별된다.
도 2는 LIBS와 다른 측정 기술을 비교한 결과를 나타내는 도표이다.
도 2를 참조하면, 물질 분포의 측정에 흔히 이용되는 SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry), AES(Atomic Emission Spectroscopy), EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy), GD-MS(Glow Discharge Mass Spectrometry) 등은 고진공을 필요로 하기 때문에 연구실 수준에서만 측정이 가능할 뿐, 현실적으로 제조라인에의 적용이 불가능하다.
이외에 널리 사용되는 ICP-MS(Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry)의 경우 분석할 시편을 용매에 녹인 후 분석하여야 하는 어려움이 있으므로 역시 제조라인에서의 적용은 불가능하다. 현재, 사용의 간편함 때문에 연구실이나 현장에서 태양전지 소재의 물질분석에 많이 활용되고 있는 XRF(X-ray Fluorescence)의 경우 비교적 저렴한 가격에 공기 중에서 측정이 가능한 장점이 있기는 하지만, ①Na, O, N, C, B, Be, Li 등과 같은 가벼운 원소들의 측정이 거의 불가능하기 때문에 소자효율에 결정적인 영향을 주는, CIGS 박막 내 Na 함량 측정이 불가능한 점, ②XRF의 깊이방향 정밀도가 최대 약 1μm 정도 밖에 되지 않기 때문에 두께가 2μm인 CIGS 박막에서 깊이 방향으로 원소분포를 측정하는 것이 불가능하다는 점 및 ③측정되는 fluorescence 신호가 실제 박막에서 나오는지 기판에서 나오는지를 구분하기가 용이하지 않다는 점에서 CIGS 박막의 물질 분포를 측정하는데 기술적인 한계점을 가지고 있다.
일반적으로 반도체 태양전지는 p-n접합을 이루는 반도체 다이오드에 빛이 조사되면 전자가 생성되는 광기전 효과(photovaltic effect)를 이용하여 태양광을 직접 전기로 변환하는 소자로 정의할 수 있다. 가장 기본적인 구성 요소로는 전면전극, 후면전극 그리고 이들 사이에 위치하는 광흡수층 등 3 부분으로 구별된다. 이 중 가장 중요한 소재는 광전변환효율의 대부분을 결정하는 광흡수층이며, 이 소재에 따라 태양전지가 여러 종류로 분류된다. 이 광흡수층의 소재가 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2 화합물인 Cu(In,Ga)Se2로 이루어진 것을 특히 CIGS 박막 태양전지라고 하는데, 상기 CIGS 박막 태양전지는 고효율 및 저가형 태양전지로 최근 전 세계적으로 치열한 경쟁이 이루어지고 있는 태양전지 분야에서 결정질 실리콘 태양전지를 대체할 가장 확실한 2세대 태양전지로 주목받고 있으며, 최고효율이 20.6%로 단결정 실리콘 소자에 가장 근접한 효율을 나타내고 있다.
도 3은 본 발명의 일 적용분야인 CIGS 박막 태양전지의 구조를 개략적으로 나타내는 예시도이고, 도 4는 본 발명의 일 적용분야인 CIGS 박막 태양전지의 개략적인 제작 과정을 나타내는 개념도이다.
도 3 및 4를 참조하면, CIGS 박막 태양전지는 먼저 기판 위에 Mo층, CIGS층, CdS층 및 TCO층을 순차적으로 증착시킴으로써 제작되는데, 보다 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 기판 위에 후면전극층인 Mo를 증착시키고, 스크라이빙 공정을 통해 패턴을 형성(P1 scribing)한 후, 패턴이 형성된 Mo층 위에 흡수층인 CIGS층과 CdS 버퍼층을 순차적으로 증착시키고, 스크라이빙 공정을 통해 패턴을 형성(P2 scribing)한 다음, 다시 CdS층 위에 TCO(transparent conductive oxide)층을 증착하고, Ni/Al의 전면전극 그리드(grid)를 증착하여, 마지막으로 스크라이빙 공정을 진행하여 패턴을 형성(P3 scribing)함으로써 CIGS 박막 모듈을 제작한다. 상기와 같은 스크라이빙 공정은 태양전지의 면적이 커지면서 면저항의 증가로 인한 효율 감소를 방지하기 위하여 일정한 간격으로 직렬 연결되도록 패터닝하는 공정으로서, P1, P2 및 P3의 총 3회에 걸쳐 이루어진다. 종래, P1 스크라이빙은 레이저로, P2 및 P3 스크라이빙은 기계적인 방법으로 패터닝하였으나, 최근에는 P1, P2 및 P3 스크라이빙을 모두 레이저로 패터닝하는 기술이 개발되고 있다.
이러한 CIGS 박막 태양전지의 경우, 박막의 두께(1 ~ 2.2㎛)나 소자의 구조뿐만 아니라, 다원화합물인 CIGS 박막을 구성하는 물질의 조성 및 박막 내에서의 원소 분포가 광흡수율 및 광전변환 효율에 결정적인 영향을 미치는 것으로 보고되고 있다. 상기 CIGS 박막 태양전지의 기판으로 일반적으로 많이 이용되고 있는 소다회(soda-lime) 유리로부터 공정 중에 CIGS 광흡수층으로 확산된 나트륨이, 박막의 전하농도를 증가시키거나(Nakada et al., Jpn. J. Appl. Phys., 36, 732 (1997)), CIGS 단일 결정립의 크기(grain size)를 증가시켜 조성 변화에 따른 구조적인 특성변화를 줄여주어 광전변환 효율을 향상시킨다고 보고되고 있다(Rockett et al., Thin Solid Films 361-362(2000); Probst et al., Proc. of the First World Conf. on Photovoltaic Energy, Conversion (IEEE, New York, 1994), p.144).
상기와 같은 보고들은 CIGS 박막 태양전지 생산라인에서의 품질관리를 위해서는 박막 내 물질분포 측정을 통해 광흡수층의 화학적 특성이 제어될 필요가 있음을 시사하고, 상기와 같은 물리화학적 특성이 제품의 성능에 직접적인 영향을 미치는 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED), 트랜지스터(Transistor), 레이저 다이오드(Laser Diode: LD), 포토디텍터(Photodetector) 등의 생산라인에서도 품질관리를 위해 물질분포 측정을 필수적임을 시사한다.
한편, CIGS 박막 태양전지의 연속생산 공정은 크게, 소다회 유리와 같은 경화소재기판을 사용하는 롤투플레이트(Roll-to-Plate, 이하, R2P라 한다.) 공정과 스테인리스스틸, Ti, Mo, Cu 등의 금속 박판 또는 폴리이미드와 같은 폴리머 필름 등의 유연소재기판을 사용하는 롤투롤(Roll-to-Roll, 이하, R2R이라 한다.) 공정으로 구분된다. 현재 이러한 연속생산 공정의 라인에는 제품의 성능에 큰 영향을 미치는 CIGS 박막의 물리화학적 특성을 실시간으로 측정할 수 있는 시스템이 구비되지 않은 실정이어서, 상기와 같은 물리화학적 특성은 연구개발 단계에서 미리 결정된 값에 의존할 수 밖에 없다. 또한, 실제 생산 공정에서 목표하는 물리화학적 규격을 벗어나더라도 별도의 확인이 불가능하며, 최종적으로 완성된 제품의 평가 단계에서 성능 및 품질의 저하를 통해 발견될 수 밖에 없고, 상당한 제품의 손실이 발생하게 된다.
현재, 상기와 같은 연속생산 공정을 통하여 생산되는 CIGS 박막 태양전지, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED), 트랜지스터(Transistor), 레이저 다이오드(Laser Diode: LD), 포토디텍터(Photodetector) 등에서는 제품의 성능 및 품질저하를 유발하는 물리화학적인 변수를 파악하는데 상당한 노력과 시간이 소요되어, 궁극적으로 가격상승 및 경쟁력 저하가 유발되는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 반도체 또는 태양전지를 생산하는 공정에서 실시간으로 상기 반도체 또는 태양전지를 형성하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치를 제공하는데 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 다른 목적은, 반도체 또는 태양전지를 생산하는 공정에서 실시간으로 상기 반도체 또는 태양전지를 형성하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치는, 분석 대상물의 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사하여 스크라이빙을 수행하는 레이저 조사부와, 조사된 상기 레이저에 의해 생성된 플라즈마로부터 발생된 분광을 검출하는 분광 검출 광학부와, 상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분광 상태 정보를 저장하는 분광 정보 저장부와, 상기 검출된 분광과 상기 분광 상태 정보를 비교하여 상기 물질의 분포 상태를 분석하는 분광 분석부를 포함하여 구성된다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 방법은, 분석 대상물의 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사하여 스크라이빙을 수행하는 단계와, 조사된 상기 레이저에 의해 생성된 플라즈마로부터 발생된 분광을 검출하는 단계와, 상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분광 상태 정보와 상기 검출된 분광을 비교하여 상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분포 상태를 분석하는 단계를 포함하여 구성된다.
상기와 같은 본 발명에 따른 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치 및 방법을 이용할 경우에는 반도체 또는 태양전지를 형성하는 물질의 분포를 실시간으로 정확히 측정할 수 있다.
또한, 반도체 또는 태양전지를 생산하는 공정에서 필수적으로 수행되는 스크라이빙 공정을 수행함과 동시에 반도체 또는 태양전지를 형성하는 물질의 분포를 측정하므로 별도의 측정공정을 수행할 필요가 없어 생산시간이 감소하고, 이에 따른 생산단가가 절감되어 결국 생산성이 증가시킬 수 있다.
또한, 제품화가 이루어질 영역의 손상없이 물질의 분포를 측정할 수 있고, 물질의 분포를 측정하기 위한 플라즈마를 발생시키기 위한 별도의 어블레이션(ablation)이 필요없는 장점이 있다.
또한, 깊이방향 분석(depth profiling)을 이용하여 분석 대상물을 형성하는 물질의 분포를 측정함과 동시에 대상물의 두께도 측정할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 LIBS의 작동 원리에 대한 개념을 나타내는 개념도이다.
도 2는 LIBS와 다른 측정 기술을 비교한 결과를 나타내는 도표이다.
도 3은 본 발명의 일 적용분야인 CIGS 박막 태양전지의 구조를 개략적으로 나타내는 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일 적용분야인 CIGS 박막 태양전지의 개략적인 제작 과정을 나타내는 개념도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치의 개략적인 구성을 나타내는 예시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치의 개략적인 구성을 나타내는 사시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치의 동작에 관한 일 구현례를 나타내는 예시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 방법을 나타내는 순서도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
제1, 제2, A, B 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치의 개략적인 구성을 나타내는 예시도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치의 개략적인 구성을 나타내는 사시도이다.
도 5내지 도 6을 참조하면, 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치(100)는 반도체 또는 태양전지 제조공정에서 분석 대상물인 상기 반도체 또는 태양전지에 스크라이빙을 위해 레이저를 조사한다. 조사된 레이저에 의해 생성된 플라즈마로부터 발생된 분광은 검출되고, 상기 분석 대상물의 고유의 분광 상태 정보는 후술할 분광 정보 저장부(140)에 저장된다.
상기 분석 대상물의 조성과 물질의 분포는 상기 검출된 분광과 기 저장된 상기 분광 상태 정보의 비교를 통하여 측정될 수 있다.
상기 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치(100)는 레이저 조사부(110), 분광 검출 광학부(120), 분광 정보 저장부(140) 및 분광 분석부(130)를 포함한다.
상기 레이저 조사부(110)는 상기 태양전지 또는 반도체 등 분석 대상물의 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사하여 스크라이빙(scribing)을 수행할 수 있다. 상기 레이저는 ND:YAG 레이저, Nd:YLF 레이저 및 ND:YV04 레이저 등의 다양한 레이저일 수 있다. 또한 상기 레이저의 펄스폭, 에너지 밀도, 파장 등은 상기 분석 대상물의 물리화학적 특성에 따라 다르게 설정될 수 있다.
상기 레이저 조사부(100)는 스크라이빙용 레이저모듈(113), 분석용 레이저모듈(111) 및 위치조정모듈(115)을 포함할 수 있다.
상기 스크라이빙용 레이저모듈(113)은 반도체 또는 태양전지 등 분석 대상물을 스크라이빙하기 위한 것으로 상기 분석 대상물 상의 스크라이빙될 위치에 스크라이빙하기 위한 레이저를 조사할 수 있다.
상기 분석용 레이저모듈(111)은 반도체 또는 태양전지 등 상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 조성과 분포 상태를 분석하기 위한 레이저를 조사할 수 있다.
상기 스크라이빙용 레이저모듈과 상기 분석용 레이저모듈의 레이저는 ND:YAG 레이저, Nd:YLF 레이저 및 ND:YV04 레이저 등의 다양한 레이저일 수 있고, 상기 스크라이빙용 레이저와 상기 분석용 레이저는 동일한 레이저를 사용할 수도 있다.
또한, 상기 레이저 조사부(110)는 상기 스크라이빙과 상기 물질의 분포 상태의 분석이 동시에 수행되는 경우에 상기 스크라이빙용 레이저모듈(113)만 인에이블시켜 상기 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사할 수 있다.
또한, 상기 스크라이빙과 상기 물질의 분포 상태의 분석이 동시에 수행되지 않는 경우에 상기 분석용 레이저모듈(111)을 먼저 인에이블시켜 상기 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사하여 상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 조성과 분포 상태를 분석한 후 상기 스크라이빙용 레이저모듈(113)을 인에이블시켜 상기 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사하여 상기 분석 대상물을 스크라이빙할 수 있다.
상기 레이저에 의해 분석될 위치는 결함이 있는 부분, 제품화가 되지 않는 데드존(dead area)일 수 있다.
상기 위치조정모듈(115)은 상기 스크라이빙용 레이저모듈(113) 및 상기 분석용 레이저모듈(111) 중 적어도 하나가 상기 분석 대상물 상에 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사할 수 있도록 조사 위치 및 각도 중 적어도 하나를 조절할 수 있다. 상기 위치조정모듈(115)은 조사된 레이저를 왕복 및 회전운동 중 적어도 하나를 통하여 빛을 반사하는 기능을 수행할 수 있는 갈바노미터(galvanometer)일 수 있다.
상기 분광 검출 광학부(120)는 상기 레이저 조사부에서 조사된 레이저에 의해 생성된 플라즈마로부터 발생된 분광을 검출할 수 있고, echelle 분광기 등의 고정밀의 광학기기, 고감도(Intensified Charge Coupled Device: ICCD) 검출기 등을 사용할 수 있다.
또한, 상기 분광 검출 광학부(120)는 상기 분석 대상물의 특성에 기초하여 발생된 상기 분광을 측정하는 시점(delay) 및 측정하는 시간(gate)을 조절할 수 있다.
상기 조사된 레이저에 의해 발생된 플라즈마는 시간에 따라 모든 파장의 빛이 동시에 방사되는 상태(continous emission)로부터 점차 배경신호(Background Signal)가 감소하면서 상기 분석 대상물을 구성하는 각 원소의 고유한 신호가 분광으로 변환되므로 상기 분석 대상물을 형성하는 각 원소별로 특성이 다르다. 따라서, 플라즈마가 발생되고 얼마 후의 시점에서 분광을 측정할 것인지를 의미하는 분광을 측정하는 시점(delay)과, 분광을 얼마의 시간 동안 측정할 것인지를 의미하는 상기 분광을 측정하는 시간(gate)은 중요한 파라미터이고, 상기 분광을 측정하는 시점과 상기 분광을 측정하는 시간은 분석 대상물이 고체인지 또는 액체인지 여부, 단일재료인지 또는 복합물인지 여부, 금속인지 또는 비금속인지 여부 등 다양한 파라미터에 영향을 받으므로 상기와 같은 분석 대상물의 특성을 고려하여 설정될 수 있다.
상기 분광 정보 저장부(140)는 반도체 또는 태양전지 등 상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분광 상태 정보를 저장할 수 있다.
구체적으로, 상기 분광 정보 저장부에 저장된 상기 분광 상태 정보는 반도체 또는 태양전지 등 상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질에 대응되는 분광에 관한 정보, 바람직하게 제조된 분석 대상물을 표준 대상물로 하여 상기 표준 대상물을 형성하는 각 물질에 대응되는 분광에 관한 정보를 포함할 수 있다.
상기 분광 분석부(130)는 상기 분광 정보 저장부(140)에 저장된 상기 분광 상태 정보와 상기 분광 검출 광학부(120)에서 검출된 분광을 비교하여 상기 분석 대상물을 형성하는 물질의 분포 상태를 분석할 수 있다.
또한, 상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분포에 변화가 있는 경우에 상기 분석 대상물의 스크라이빙될 위치에 깊이방향 분석(depth profiling)을 할 수 있고, 상기 깊이방향 분석은 스크라이빙하기 위해 조사된 레이저에 의해 생성된 플라즈마로부터 발생된 분광을 분석하는 것이 바람직하나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치의 동작에 관한 일 구현예를 나타내는 예시도이다.
도 7을 참조하면, 도 5에 도시된 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치와 동일한 구성으로 동일한 구성요소의 설명은 생략하고, 이하에서는 분석 대상물과의 연동에 대해 설명한다.
상기 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치(100)는 반도체 또는 태양전지 등의 분석 대상물(M)의 이동에 연동되어 이동될 있다. 예를 들면, 상기 분석 대상물인 CIGS 태양전지(M)이 우측 방향으로 V의 속력으로 이동하는 경우에 상기 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치는 상기 분석 대상물에 연동되도록 이동하여 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사할 수 있게 된다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 방법을 나타내는 순서도이다.
도 8을 참조하면, 물질 분포의 측정 대상이 되는 반도체 또는 태양전지를 형성하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 방법은 분석 대상물의 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사하여 스크라이빙을 수행할 수 있고(S 110), 조사된 상기 레이저에 의해 생성된 플라즈마로부터 발생된 분광을 검출할 수 있다(S 120).
또한, 상기 발생된 분광의 검출은 상기 분석 대상물의 특성에 기초하여 발생된 상기 분광을 측정하는 시점 및 분광을 측정하는 시간을 조절하여 분광을 검출할 수 있다.
상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분광 상태 정보와 상기 검출된 분광을 비교하여 검출된 상기 분광을 이용하여 상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분포 상태를 분석할 수 있다(S 130).
또한, 상기 스크라이빙과 물질의 분포 상태의 분석이 동시에 수행되지 않는 경우에 상기 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사하여 상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분포 상태를 분석하고, 분석된 상기 스크라이빙될 위치에 다시 레이저를 조사하여 상기 분석 대상물을 스크라이빙할 수 있다.
또한, 상기 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 방법은, 상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분포에 변화가 있는 경우, 소정의 주기에 따라 상기 분석 대상물의 스크라이빙될 위치에 깊이방향 분석(depth profiling)을 하여 두께 방향의 물질의 분포를 분석할 수 있다.
또한, 상기 레이저에 의해 분석될 위치는 결함이 있는 부분, 제품화가 되지 않는 데드존(dead area)일 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 스크라이빙 장치 110: 레이저 조사부
111: 분석용 레이저모듈 113: 스크라이빙용 레이저모듈
115: 미세조정모듈 120: 분광 검출 광학부
130: 분광 분석부 140: 분광 정보 저장부

Claims (13)

  1. 분석 대상물의 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사하여 스크라이빙을 수행하는 레이저 조사부;
    조사된 상기 레이저에 의해 생성된 플라즈마로부터 발생된 분광을 검출하는 분광 검출 광학부;
    상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분광 상태 정보를 저장하는 분광 정보 저장부; 및
    상기 검출된 분광과 상기 분광 상태 정보를 비교하여 상기 물질의 분포 상태를 분석하는 분광 분석부를 포함하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레이저 조사부는,
    상기 스크라이빙될 위치에 스크라이빙하기 위한 레이저를 조사하는 스크라이빙용 레이저모듈; 및
    상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분포 상태를 분석하기 위한 레이저를 조사하는 분석용 레이저모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 레이저 조사부는,
    상기 스크라이빙용 레이저모듈 및 상기 분석용 레이저모듈 중 적어도 하나가 상기 스크라이빙될 위치에 상기 레이저를 조사하도록 조사 위치 및 각도 중 적어도 하나를 조절하는 위치조정모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 레이저 조사부는,
    상기 스크라이빙과 상기 물질의 분포 상태의 분석이 동시에 수행되는 경우에 상기 스크라이빙용 레이저모듈만 인에이블시켜 상기 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사하고,
    상기 스크라이빙과 상기 물질의 분포 상태의 분석이 동시에 수행되지 않는 경우에 상기 분석용 레이저모듈을 먼저 인에이블시켜 상기 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사하여 상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분포 상태를 분석한 후 상기 스크라이빙용 레이저모듈을 인에이블시켜 상기 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사하여 상기 분석 대상물을 스크라이빙하는 것을 특징으로 하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 분광 상태 정보는,
    상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질에 대한 고유한 분광 특성 정보인 것을 특징으로 하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 분광 검출 광학부는,
    상기 분석 대상물의 특성에 기초하여 발생된 상기 분광을 측정하는 시점(delay) 및 측정하는 시간(gate)을 조절하는 것을 특징으로 하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 분석 대상물의 특성은,
    상기 분석 대상물의 상(phase) 정보, 물리적 성질 및 화학적 성질에 관한 정보인 것을 특징으로 하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 장치.
  8. 분석 대상물의 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사하여 스크라이빙을 수행하는 단계;
    조사된 상기 레이저에 의해 생성된 플라즈마로부터 발생된 분광을 검출하는 단계; 및
    상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분광 상태 정보와 상기 검출된 분광을 비교하여 상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분포 상태를 분석하는 단계를 포함하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 방법은,
    상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분포에 변화가 있는 경우에 상기 분석 대상물의 스크라이빙될 위치에 깊이방향 분석(depth profiling)을 하는 것을 특징으로 하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 분석 대상물의 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사하여 스크라이빙을 수행하는 단계는,
    상기 스크라이빙과 물질의 분포 상태의 분석이 동시에 수행되지 않는 경우에 상기 스크라이빙될 위치에 레이저를 조사하여 상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질의 분포 상태를 분석하는 단계; 및
    분석된 상기 스크라이빙될 위치에 스크라이빙하기 위해 레이저를 조사하여 상기 분석 대상물을 스크라이빙하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 스크라이빙될 위치는,
    상기 분석 대상물의 물질의 분포를 분석하는 위치로 데드존 또는 결함위치인 것을 특징으로 하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 조사된 상기 레이저에 의해 생성된 플라즈마로부터 발생된 분광을 검출하는 단계는,
    상기 분석 대상물의 특성에 기초하여 발생된 상기 분광을 측정하는 시점(delay) 및 측정하는 시간(gate)을 조절하는 것을 특징으로 하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 분광 상태 정보는,
    상기 분석 대상물을 형성하는 각 물질에 대한 고유한 분광 특성 정보인 것을 특징으로 하는 물질의 분포를 분석하는 기능을 구비한 스크라이빙 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102281696B1 (ko) * 2019-08-07 2021-07-26 광주과학기술원 레이저 유도 기술 기반 폐금속 자동선별 시스템

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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