KR20120032512A - 광전자 반도체 소자 - Google Patents

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KR20120032512A
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semiconductor device
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슈테판 프로이스
미하엘 치츨슈페어거
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오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
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Abstract

본 발명은 광전자 반도체 소자와 관련이 있으며,
상기 소자는 제 1 캐리어(1A); 적어도 하나의 광전자 반도체 칩(2); 그리고 적어도 하나의 전자 부품(3)을 구비하며,
상기 제 1 캐리어(1A)는 상부면(11A) 그리고 상기 제 1 캐리어(1A)의 상부면(11A)에 마주 놓인 하부면(12A)을 포함하고, 이때 상기 제 1 캐리어(1A)는 제 1 및 제 2 영역(B1, B2)을 가지며,
상기 광전자 반도체 칩(2)은 상기 제 1 캐리어(1A)의 상부면(11A)에 배치되어 있으며,
상기 적어도 하나의 전자 부품(3)은 상기 제 1 캐리어(1A)의 하부면(12A)에 있는 제 2 영역(B2)에 배치되어 있으며, 이때 제 1 영역(B1)은 수직 방향으로 제 2 영역(B2)보다 더 큰 두께를 갖고, 하부면(12A)에서 상기 제 1 영역(B1)은 수직 방향으로 상기 제 2 영역(B2) 위로 돌출하며,
상기 적어도 하나의 전기 부품(3)은 상기 적어도 하나의 광전자 반도체 칩(2)과 도전 접속되어 있다.

Description

광전자 반도체 소자 {OPTOELECTRONIC SEMI-CONDUCTOR COMPONENT}
본 발명은 광전자 반도체 소자에 관한 것이다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원서 제 10 2009 023 854.9호의 우선권을 청구하며, 상기 독일 특허 출원서의 공개 내용은 인용의 형태로 본 출원서에 수용된다.
본 발명의 과제는, 특히 콤팩트한 반도체 소자를 제공하는 것이다.
적어도 하나의 실시 예에 따라 광전자 반도체 소자는 제 1 캐리어를 포함한다. 상기 캐리어는 상부면 그리고 상기 상부면에 마주 놓인 하부면을 포함한다. 상기 제 1 캐리어에서는 반도체 소자를 위한 전기 접촉 면으로서 이용되는 도전성 재료, 예컨대 금속이 캐리어 플레이트로서 사용된다.
상기 제 1 캐리어는 또한 전기 절연 재료, 예를 들어 세라믹으로 이루어진 기본 몸체로 형성될 수도 있다. 그 경우 상기 기본 몸체의 상부면 및/또는 하부면에는 연결 장소들 및 도체 트랙들이 제공될 수 있다.
상기 제 1 캐리어는 제 1 및 제 2 영역을 갖는다. 다시 말해, 상기 제 1 캐리어는 복수의 영역으로 세분되었으며, 이 경우 상기 영역들은 적어도 하나의 물리적인 특성과 관련하여, 예를 들어 수직 방향으로의 두께와 관련하여 서로 상이하다. 이때 "두께"는 두 개 영역 중 각각 한 영역의 확장 길이를 의미하며, "수직 방향"은 상기 제 1 캐리어의 주 연장 평면에 대하여 수직인 방향을 의미한다. 다시 말해 상기 내용과 관련된 "영역"은 캐리어를 적어도 국부적으로 형성하는 각각의 3차원적인 구조물이다. 따라서, 제 1 영역은 제 2 영역과 함께 상기 제 1 캐리어를 형성한다. 제 1 및 제 2 영역이 바람직하게는 직접 상호 연결됨으로써, 제 1 영역과 제 2 영역 사이에는 간극도 형성되지 않고 중단부도 형성되지 않는다. 예를 들어 제 1 캐리어는 일체로 형성되고 그리고/또는 제 1 및 제 2 영역은 동일한 재료로 형성된다.
적어도 하나의 실시 예에 따라 제 1 영역은 수직 방향으로 제 2 영역보다 더 큰 두께를 갖는다.
적어도 하나의 실시 예에 따라 제 1 캐리어의 상부면에는 적어도 하나의 광전자 반도체 칩이 배치되어 있다. 광전자 반도체 칩으로서는 예를 들어 발광 다이오드 칩이 사용될 수 있다. 발광 다이오드 칩으로서는 자외선 영역으로부터 적외선 영역까지의 방사선을 방출하는 조명- 또는 레이저 다이오드 칩이 사용될 수 있다. 상기 발광 다이오드 칩은 바람직하게 전자기 방사선 스펙트럼의 가시 영역의 광 또는 자외선 영역의 광을 방출한다. 광전자 반도체 칩으로서는 또한 방사선을 수신하는 칩, 예를 들어 포토 다이오드도 사용될 수 있다.
상기 적어도 하나의 광전자 반도체 칩은 예를 들어 상부면의 제 1 영역에 배치되어 있다.
적어도 하나의 실시 예에 따라 상기 광전자 반도체 소자는 적어도 하나의, 예컨대 정확하게 하나의 광전자 부품을 구비하고, 상기 광전자 부품은 제 1 캐리어 하부면의 제 2 영역에 배치되어 있다.
상기 제 1 영역은 하부면에서 수직 방향으로 제 2 영역 위로 돌출한다. 이와 같은 내용이 의미하는 바는, 제 1 캐리어의 상부면은 융기부 또는 함몰부를 갖지 않는 평면이고 그래서 "평평"한 반면에, 하부면은 제 1 영역이 제 2 영역 위로 돌출하기 때문에 예를 들어 계단의 형태로 형성된 융기부를 갖는다는 것이다. 다른 말로 말하자면, 캐리어는 가로 방향으로 두 개 이상의 영역으로 세분되며, 이 경우 캐리어는 제 1 영역에서는 수직 방향으로 제 2 영역에서보다 더 큰 두께를 갖는다.
또한, 상기 적어도 하나의 전자 부품은 적어도 하나의 광전자 반도체 칩과 도전성으로 접속되어 있다. 예를 들어 이와 같은 도전 접속 상황은 제 1 캐리어 자체가 도전성이거나 또는 전기 도체 트랙들 및 접촉 연결부들에 의해서 전자 부품과 광전자 반도체 칩 간에 전기적인 콘택팅이 만들어짐으로써 구현될 수 있다.
광전자 반도체 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라 상기 반도체 소자는 제 1 캐리어를 구비하고, 상기 제 1 캐리어는 상부면 그리고 상기 제 1 캐리어의 상부면에 마주 놓인 하부면을 가지며, 이 경우 상기 제 1 캐리어는 제 1 및 제 2 영역을 포함한다. 또한, 상기 광전자 반도체 소자는 제 1 캐리어의 상부면에 배치된 적어도 하나의 광전자 반도체 칩을 구비한다. 상기 광전자 반도체 소자는 또한 제 1 캐리어 하부면의 제 2 영역에 배치된 적어도 하나의 전자 부품을 구비한다. 상기 제 1 영역은 수직 방향으로 제 2 영역보다 더 큰 두께를 가지며, 이 경우 하부면에서 상기 제 1 영역은 수직 방향으로 상기 제 2 영역 위로 돌출하고, 상기 적어도 하나의 전자 부품은 상기 적어도 하나의 광전자 반도체 칩과 도전 접속된다.
본 출원서에 기재된 광전자 반도체 소자는 다른 무엇보다 광전자 부품을 동일한 면에서, 예를 들어 캐리어의 상부면에서 예컨대 반도체 칩 옆에 설치하는 방식이 공간적인 복잡성을 야기한다는 인식을 토대로 하는데, 그 이유는 이 경우에는 상부면이 충분히 크게 선택되어야만 함으로써, 결과적으로 두 개의 부품, 즉 광전자 반도체 칩 및 전자 부품이 상부면에 공동으로 설치될 수 있기 때문이다. 특히 이와 같은 사실은 캐리어의 성질 및 구조 면에서 제한을 야기하는데, 그 이유는 예를 들어 반도체 소자의 크기와 반도체 소자의 방출 특성들 간에 절충안을 찾아내야만 하기 때문이다.
아주 특히 콤팩트하고 공간을 절약하는 방식의 반도체 소자를 제조하기 위하여, 본 출원서에 기재된 광전자 반도체 소자는 제 1 영역 및 제 2 영역을 갖는 캐리어를 사용하려는 아이디어를 활용하는데, 이 경우 상기 제 1 영역은 수직 방향으로 제 2 영역보다 더 큰 두께를 갖고, 하부면에서는 수직 방향으로 상기 제 2 영역 위로 돌출한다. 이때 하나의 전자 부품은 제 1 캐리어의 제 2 영역에서 하부면에 배치되어 있으며, 이 경우에는 동시에 하나의 광전자 반도체 칩이 캐리어의 상부면에 배치되어 있다. 따라서, 광전자 반도체 칩 및 전자 부품은 캐리어의 마주 보는 측에 존재하게 된다.
전자 부품을 하나의 상부면에 배치함으로써, 그리고 그와 더불어 또한 반도체 칩에 마주 놓인 측에 배치함으로써 바람직하게는 적어도 캐리어 또는 광전자 반도체 소자의 가로 확장을 줄이는 것이 가능해진다.
또한, 광전자 부품을 설치할 목적으로 형성되었고 적어도 하나의 전자 부품이 설치되어 있는 하부면은 반도체 소자를 위한 콘택 마아커(contact marker)로서 이용된다. 다시 말해서, 예컨대 제 2 영역 또는 전자 부품 자체가 캐소드 마아커(cathode marker)로서 이용될 수 있다.
적어도 하나의 실시 예에 따라 적어도 하나의 전자 부품은 수직 방향으로 제 1 캐리어 위로 돌출하지 않는다. 이와 같은 내용이 의미할 수 있는 바는, 제 1 영역이 상기 전자 부품 위로 돌출하거나 또는 적어도 하나의 전자 부품이 가로 방향으로 제 1 영역과 동일한 높이에서 종료된다는 것이다. 상기 적어도 하나의 전자 부품이 수직 방향으로 제 1 캐리어 위로 돌출하지 않음으로써 바람직하게는 소자의 수직 확장이 가급적 적게 유지되는데, 그 이유는 이 경우에는 제 1 영역의 두께가 적어도 하나의 광전자 반도체 칩의 수직 확장과 함께 전체 반도체 소자의 최대 수직 확장이 될 수 있기 때문이다. 또한, 이 경우에는 제 1 영역에서 하부면이 반도체 소자를 위한 조립 면 혹은 접촉 면을 형성할 수도 있다.
광전자 반도체 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라 제 2 영역은 언더커트(undercut)에 의해서 제 1 캐리어 안에 형성되어 있다. 이 경우 "언더커트"는 제 1 캐리어 안에 있는 에지 측 리세스를 의미하며, 상기 리세스는 외부로부터 자유롭게 접근할 수 있고, 제 1 캐리어의 두 개 이상의 측면에 의해 제한되어 있다. 언더커트는 예를 들어 에칭(etching), 엠보싱(embossing), 펀칭(punching), 소잉(sawing), 밀링(milling) 또는 다른 형태의 재료 제거에 의해서 제 1 캐리어 내부에 형성된다. 예를 들어 상기 언더커트에 의해서는 수직 방향의 두께가 제 2 영역으로부터 출발하여 제 1 영역의 방향으로 "갑자기", 예를 들어 계단의 형태로 확대된다. 이와 같은 맥락에서 "갑자기"라는 용어는 하부면이 가로 방향으로, 더 상세하게 말하자면 제 1 캐리어의 주 연장 평면에 대하여 평행한 방향으로 하나의 장소로부터 다음 장소로 옮겨갈 때에 수직 팽창부에서 소정의 변경이 나타난다는 것을 의미한다. 제 2 영역이 다수의 언더커트에 의해서 형성되는 것도 또한 가능한데, 이 경우에는 상기 다수의 언더커트가 하나의 계단 모양 층계 구조물을 형성한다. 그 경우에는 하나 또는 다수의 계단상에 각각 하나의 전자 부품을 설치하는 것을 생각할 수 있다.
광전자 반도체 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라 제 2 영역은 제 1 캐리어 안에 리세스에 의해서 형성되었다. 상기 리세스는 제 1 캐리어 안에 있는 홈으로서, 하나의 개구를 갖고 하부면으로부터 자유롭게 접근할 수 있다. 또한, 상기 리세스는 예컨대 하나의 바닥면 및 적어도 하나의 측면을 갖는다. 바닥면 및 측면은 캐리어에 의해서 형성된다. 바닥면은 상기 리세스의 개구에 마주 놓인 측에 존재할 수 있다. 개구 및 바닥면은 측면에 의해 서로 연결되어 있다. 이 경우에도 단 하나의 리세스 대신에 확장 길이가 상이한 다수의 리세스가 제 1 캐리어 안에 형성될 수 있으며, 그 경우 상기 다수의 리세스는 각각 층계 모양의 돌출부를 형성하고, 상기 층계 모양의 돌출부에는 예를 들어 각각 하나의 전자 부품이 설치된다.
적어도 하나의 실시 예에 따라 제 2 영역은 적어도 세 개의 측에서 제 1 영역을 둘러싼다. 또한, 제 2 영역이 제 1 영역을 완전히, 예를 들어 프레임 형태로 둘러쌀 수도 있다. 예컨대 제 2 영역을 형성하는 하나의 언더커트는 세 개의 측에서 제 1 캐리어의 에지를 따라 뻗는다.
광전자 반도체 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라 광전자 반도체 칩 및 전자 부품은 각각 하나의 본딩 와이어에 의해 추가의 캐리어와 도전 접속되어 있다. 상기 추가의 캐리어는 제 1 캐리어와 동일한 또는 상이한 재료들로 형성될 수 있다. 또한, 상기 추가의 캐리어는 예를 들어 제 1 및 제 2 영역으로의 세분과 관련하여 동일한 구조적 특징들을 가질 수 있다. 예컨대 상기 추가의 캐리어 그리고 제 1 캐리어도 마찬가지로 제 1 및 제 2 영역에 의해서 형성되며, 이 경우에도 또한 제 1 영역은 하부면에서 수직 방향으로 제 2 영역 위로 돌출한다. 그 경우 상기 또는 하나의 추가 전자 부품은 상기 추가 캐리어의 하부면에서 제 2 영역에 배치될 수 있다.
적어도 하나의 실시 예에 따라 상기 적어도 하나의 광전자 반도체 칩은 하우징 몸체에 의해 측면에서 둘러싸여 있다. 이 경우 상기 하우징 몸체는 상기 제 1 및/또는 상기 추가 캐리어의 상부면을 적어도 국부적으로 덮는다. 예를 들어 상기 하우징 몸체는 가로 방향으로 광전자 반도체 칩을 원형으로, 타원형으로 또는 정사각형으로 둘러싼다. 예를 들어 하우징 몸체는 칩 조립 영역을 제외하고 제 1 및/또는 제 2 캐리어의 표면을 완전히 덮는다. 상기 하우징 몸체는 열경화성- 또는 열가소성 재료, 예를 들어 에폭시드로 형성될 수 있거나 또는 세라믹 재료로도 형성될 수 있거나 또는 이와 같은 재료로 구성될 수 있다. 또한, 상기 하우징 몸체는 실리콘 또는 다른 재료, 예를 들어 고무 형태의 재료들 또는 전술된 재료들의 혼합물로 형성될 수도 있다.
적어도 하나의 실시 예에 따라 하우징 몸체는 적어도 하나의 전자 부품을 적어도 국부적으로 변형시킨다. 이와 관련하여 "변형"이라는 용어는 하우징 몸체가 전자 부품과 직접 접촉되어 전자 부품을 적어도 국부적으로 둘러싸며, 그로 인해 하우징 몸체와 전자 부품 사이에는 간극도 형성되지 않고 중단부도 형성되지 않는다는 것을 의미한다. 따라서, 바람직하게 전자 부품은 하우징 몸체에 의하여 예를 들어 습기 또는 기계적인 하중과 같은 외부 영향으로부터 보호된다. 다시 말해, 그 경우 제 1 캐리어는 하부면에서 단지 제 1 영역에서만 하우징 몸체에 의해 덮여 있지 않고, 제 2 영역에서는 하우징 몸체에 의해 덮여 있다.
바람직하게 전자 부품을 제 1 캐리어의 하부면에 배치함으로써, 제 1 캐리어 상부면 위에서 이루어지는 하우징 몸체의 수직 확장은 광전자 반도체 칩의 수직 확장 이외에 더 이상 전자 부품 및 상황에 따라 존재하는 본딩 콘택팅의 수직 확장을 추가로 포함할 필요가 없다. 이와 같은 상황은 아주 특별히 평평한 하우징을 야기하는데, 그 이유는 하우징 몸체의 수직 확장을 위해서는 단지 적어도 하나의 광전자 반도체 칩의 수직 확장만 중요하기 때문이다.
또한, 제 1 캐리어 상부면의 축소에 의해서 가로로 적게 확장되는 하우징 몸체도 구현될 수 있다.
광전자 반도체 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라 하우징 몸체는 하부면에서 수직 방향으로 제 1 영역 위로 돌출하지 않는다. 전자 소자가 제 1 영역 위로 돌출하지 않으면, 하우징 몸체도 제 1 영역 위로 돌출하지 않는다고 생각할 수 있다. 또한, 하우징 몸체가 가로 방향으로 제 1 영역에서 하부면과 동일한 높이로 종료될 수도 있다.
바람직하게 상기와 같은 사실에 의해서는 제 1 캐리어 하부면에서 노출되는 상기 제 1 영역의 장소들이 반도체 소자를 위한 접촉 면 혹은 조립 면으로서 이용될 수 있는 한편, 전자 부품이 배치된 제 2 영역은 하우징 몸체에 의해서 완전히 덮여 있다.
광전자 반도체 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라 하우징 몸체는 제 1 캐리어를 추가 캐리어와 기계적으로 연결한다. 이와 같은 내용이 의미할 수 있는 바는, 제 1 캐리어 외에 상기 추가 캐리어도 상기 캐리어의 상부면 혹은 하부면 그리고 측면에서 하우징 몸체에 의해 적어도 국부적으로 덮여 있고, 그로 인해 하우징 몸체는 상기 두 개 캐리어 상호 간의 기계적인 슬라이딩 현상을 저지하게 된다. 그리하여 바람직하게는 예를 들어 외부의 기계적인 작용에 대하여 아주 특히 안정적이고 그로 인해 제 1 캐리어 및 추가 캐리어가 자신들의 상호 위치에 안정적으로 배치되는 소자가 제조된다. 또한, 하우징 몸체는 두 개의 캐리어 사이에서 전기 절연 작용을 할 수도 있다.
적어도 하나의 실시 예에 따라 전자 소자는 정전기적인 충전에 의한 손상을 막는 보호 회로를 포함하거나 또는 보호 회로 자체이다. 예를 들어 전자 소자로서는 ESD(electro static discharge)-보호 소자가 사용될 수 있다. 상기 ESD-보호 소자는 예를 들어 광전자 반도체 칩의 차단 방향으로 발생하는 전압 피크를 소산 하기에 적합하다. ESD-보호 소자로서는 예를 들어 다음과 같은 부품들이 사용된다: 배리스터, 발광 다이오드 칩, 제너 다이오드, 저항. 상기 ESD-보호 소자는 광전자 반도체 칩에 대하여 병렬로 접속되거나 또는 반대 방향으로 병렬 접속된다.
전자 소자로서 발광 다이오드 칩이 사용되면, 상기 발광 다이오드 칩은 광전자 반도체 칩에 대하여 반대 방향으로 병렬 접속된다. 그 경우에 발광 다이오드 칩은 또한 방사선 형성을 목적으로 이용될 수도 있다.
광전자 반도체 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라 적어도 하나의 전자 소자는 적어도 하나의 광전자 반도체 칩을 위한 제어 회로를 포함한다. 상기 제어 회로에 의해서는 광전자 반도체 칩이 예를 들어 명도 및 열 발생과 제어될 수 있다.
본 출원서에 기재된 소자는 실시 예들 및 관련 도면들을 참조하여 아래에서 상세하게 설명된다.
도 1a, 도 1b, 도 2a, 도 2b, 도 2c, 도 2d 및 도 2e는 본 발명에 따른 광전자 반도체 소자의 실시 예들의 개략적인 사시도이다.
각각의 실시 예들 및 도면들에서 동일한 또는 동일한 작용을 하는 구성 부품들은 각각 동일한 도면 부호를 갖는다. 도면에 도시된 소자들은 척도에 맞게 도시된 것으로 간주 될 수 없으며, 오히려 개별 소자들은 개관을 명확히 할 목적으로 과도하게 확대 도시되어 있다.
도 1a는 본 발명에 따른 광전자 반도체 소자(100)의 한 실시 예를 절단 선 A-A를 따라 절단하여 도시한 개략적인 단면도를 보여준다. 제 1 캐리어(1A)는 상부면(11A) 그리고 상기 상부면(11A)에 마주 놓인 하부면(12A)을 포함한다.
또한, 제 1 캐리어(1A)는 제 1 영역(B1) 및 제 2 영역(B2)을 갖는다. 제 2 영역(B2)은 언더커트(5A)에 의해서 형성되며, 이 경우 제 1 영역(B1)은 두께(D1)를 갖고, 제 2 영역(B2)은 두께(D2)를 갖는다. 상기 언더커트(5A)는 캐리어(1A)의 두 개 측면에 의해서 제한되며, 이 경우 상기 두 개 측면 중 하나의 측면에 전자 부품(3)이 설치되어 있다. 제 1 영역(B1)에서 캐리어(1A)의 한 상부면(11A)에는 광전자 반도체 칩(2)이 설치되어 있다. 다시 말해, 상기 광전자 반도체 칩(2) 및 전자 부품(3)은 캐리어(1A)의 마주 놓인 측에 존재한다. 본 경우에 제 1 영역(B1)의 두께(D1)는 상기 전자 부품(3)의 수직 확장 길이에 제 2 영역(B2)의 두께(D2)를 가산한 치수보다 더 크다.
도 1b의 개략적인 단면도에는 본 발명에 따른 광전자 반도체 소자(100)의 추가의 한 실시 예가 도시되어 있으며, 이 경우 제 2 영역(B2)은 리세스(13)로 형성되었다. 본 경우에 리세스(13)는 캐리어(1A)의 세 개 측면에 의해 각각 측면에서 제한되었다. 리세스(13)의 한 바닥면에 전자 부품(3)이 설치되어 있다. 바람직하게 상기 리세스(13)는 특히 예컨대 기계적인 하중과 같은 외부 작용으로부터 전자 부품을 보호해준다.
도 1a에서뿐만 아니라 도 1b에서도 제 2 영역(B2)은 세 개의 측에서 제 1 영역(B1)을 둘러싼다.
도 2a에서는 제 1 캐리어(1A) 및 광전자 반도체 칩(2)을 구비한 도 1a에 따른 실시 예가 개략적인 측면 사시도를 참조하여 설명되며, 이 경우 상기 광전자 반도체 칩은 캐리어(1A)의 상부면(11A)에 설치되어 있다. 본 실시 예에서 캐리어(1A)로서는 예컨대 구리로 이루어진 금속 캐리어 스트립이 사용되며, 상기 금속 캐리어 스트립에 의해서 반도체 칩(2)이 전기적으로 콘택팅 된다. 또한, 광전자 반도체 칩(2)은 본딩 와이어 콘택팅(21)에 의해 추가 캐리어(1B)와 도전 콘택팅 된다. 상기 추가 캐리어(1B)로서도 마찬가지로 예컨대 구리로 이루어진 금속 캐리어 스트립이 사용될 수 있다. 또한, 제 1 캐리어(1A) 및/또는 추가 캐리어(1B)가 세라믹 재료로 형성되는 것도 생각할 수 있는데, 이 경우에는 광전자 반도체 칩(2)이 캐리어(1A 및 1B) 상에 제공된 도체 트랙들 및 접촉 장소들에 의해서 전기적으로 콘택팅 된다. 캐리어들(1A 및 1B)은 또한 상호 전기적으로 절연된다. 또한, 캐리어(1B)도 하부면(12B) 그리고 상기 하부면(12B)을 통해 제 2 캐리어(1B) 안으로 삽입된 언더커트(5B)를 포함한다. 예를 들어 상기 언더커트(5B)는 에칭 프로세스에 의해 캐리어(1B) 안으로 삽입된다. 본딩 와이어 콘택팅(31)에 의해서는 전자 부품(3)이 추가 캐리어(1B)와 도전성으로 콘택팅 되며, 이 경우 언더커트(5B)는 상기 본딩 와이어 콘택팅(31)을 위한 콘택 영역으로서 이용된다. 본 경우에 전자 부품(3)으로서는 ESD-보호 회로를 구비하는 부품이 사용된다.
도 2b는 도 1a 및 도 2a에 따른 실시 예를 개략적인 사시 평면도로 보여준다. 도 1a에 도시된 반도체 소자(100)에 비해 본 도면에 도시된 반도체 소자(100)에는 하우징 몸체(4)가 제공된다. 상기 하우징 몸체는 반도체 칩(2)을 원형으로 둘러싸고, 캐리어들(1A 및 1B)의 상부면들(11A 및 11B)의 모든 노출 장소들을 덮는다. 하우징 몸체(4)는 두 개의 캐리어(1A 및 1B)를 기계적으로 서로 연결한다. 또한, 하우징 몸체(4)는 두 개 캐리어(1A 및 1B)의 전기 절연을 보증해준다. 본 경우에 하우징 몸체(4)는 열경화성 또는 열가소성 재료, 예를 들어 에폭시드로 형성된다. 또한, 하우징 몸체(4)는 세라믹 재료로부터 형성되거나 또는 이와 같은 세라믹 재료로 이루어질 수도 있다.
도 2c는 도 2b에 따른 실시 예를 개략적인 사시 저면도로 보여준다. 도면을 통해 재차 언더커트(5A)에 제공된 전자 부품(3)을 확인할 수 있으며, 상기 전자 부품은 본딩 와이어 콘택팅(31)에 의해서 상기 언더커트(5B)의 영역에 있는 추가 캐리어(1B)와 전기적으로 콘택팅 된다. 또한, 하우징 몸체(4)가 전자 부품(3)을 완전히 둘러싸고, 가로 방향으로 접촉 면(6)과 동일한 높이에서 종료된다는 것도 알 수 있다.
도 2d 및 도 2e는 도 1a 및 도 2a, 도 2b 그리고 도 2c에 따른 실시 예의 추가의 개략적인 측면도 및 저면도이다.
본 발명은 실시 예를 참조하는 상세한 설명에 의해서 제한되지 않는다. 오히려 본 발명은 각각의 새로운 특징 그리고 상기 특징들의 각각의 조합을 포함하며, 특히 상기 특징 그리고 특징 조합 자체가 특허 청구의 범위 또는 실시 예에 명시적으로 기재되어 있지 않더라도 각각의 특징 및 특징 조합은 특허 청구의 범위에 포함된 것으로 간주 된다.

Claims (12)

  1. 광전자 반도체 소자(100)로서,
    제 1 캐리어(1A);
    적어도 하나의 광전자 반도체 칩(2); 그리고
    적어도 하나의 전자 부품(3)
    을 구비하며,
    상기 제 1 캐리어(1A)는 상부면(11A) 그리고 상기 제 1 캐리어(1A)의 상부면(11A)에 마주 놓인 하부면(12A)을 포함하고, 이때 상기 제 1 캐리어(1A)는 제 1 및 제 2 영역(B1, B2)을 가지며,
    상기 광전자 반도체 칩(2)은 상기 제 1 캐리어(1A)의 상부면(11A)에 배치되어 있으며,
    상기 적어도 하나의 전자 부품(3)은 상기 제 1 캐리어(1A)의 하부면(12A)에 있는 제 2 영역(B2)에 배치되어 있으며,
    상기 제 1 영역(B1)은 수직 방향으로 제 2 영역(B2)보다 더 큰 두께를 갖고,
    상기 하부면(12A)에서 상기 제 1 영역(B1)은 수직 방향으로 상기 제 2 영역(B2) 위로 돌출하며,
    상기 적어도 하나의 전기 부품(3)은 상기 적어도 하나의 광전자 반도체 칩(2)과 도전 접속된,
    광전자 반도체 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 전자 부품(3)은 수직 방향으로 상기 제 1 캐리어(1A) 위로 돌출하지 않는,
    광전자 반도체 소자.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 영역(B2)이 상기 제 1 캐리어(1A) 안에서 언더커트(5A)로 형성된,
    광전자 반도체 소자.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 영역(B2)이 상기 제 1 캐리어(1A) 안에서 리세스(13)로 형성된,
    광전자 반도체 소자.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 영역(B2)이 적어도 세 개의 측에서 상기 제 1 영역(B1)을 둘러싸는,
    광전자 반도체 소자.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광전자 반도체 소자(2) 및 상기 전자 부품(3)은 각각 본딩 와이어(21, 31)에 의해서 추가 캐리어(1B)와 도전 접속된,
    광전자 반도체 소자.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 광전자 반도체 칩(2)이 하우징 몸체(4)에 의해 측면에서 둘러싸인,
    광전자 반도체 소자.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 하우징 몸체(4)가 상기 적어도 하나의 전자 부품(3)을 적어도 국부적으로 둘러싸는,
    광전자 반도체 소자.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 하우징 몸체(4)가 하부면(12A)에서 수직 방향으로 상기 제 1 영역(B1) 위로 돌출하지 않는,
    광전자 반도체 소자.
  10. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하우징 몸체(4)가 제 1 캐리어(1A)를 상기 추가 캐리어(1B)와 기계적으로 연결하는,
    광전자 반도체 소자.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 전자 부품(3)이 정전기적인 충전에 의한 손상을 방지하는 보호 회로를 포함하는,
    광전자 반도체 소자.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 전자 부품(3)이 상기 적어도 하나의 광전자 반도체 칩(2)을 위한 제어 회로를 포함하는,
    광전자 반도체 소자.
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