KR20120019794A - 방오코팅막 및 그 제조방법 - Google Patents

방오코팅막 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20120019794A
KR20120019794A KR1020100083244A KR20100083244A KR20120019794A KR 20120019794 A KR20120019794 A KR 20120019794A KR 1020100083244 A KR1020100083244 A KR 1020100083244A KR 20100083244 A KR20100083244 A KR 20100083244A KR 20120019794 A KR20120019794 A KR 20120019794A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
coating film
antifouling
sputtering target
sputtering
deposited
Prior art date
Application number
KR1020100083244A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101691376B1 (ko
Inventor
신유민
김의수
김태원
조성님
Original Assignee
삼성코닝정밀소재 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성코닝정밀소재 주식회사 filed Critical 삼성코닝정밀소재 주식회사
Priority to KR1020100083244A priority Critical patent/KR101691376B1/ko
Publication of KR20120019794A publication Critical patent/KR20120019794A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101691376B1 publication Critical patent/KR101691376B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3485—Sputtering using pulsed power to the target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/10—Glass or silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3464—Sputtering using more than one target

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 내마모성이 우수한 방오코팅막 제조방법은, 방오물질로 이루어진 제1 스퍼터링 타겟과 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟과 기판을 스퍼터링 챔버 내에 설치하는 단계와, 스퍼터링 챔버 내에 분위기 가스를 투입한 상태에서 제2 스퍼터링 타겟에 DC 전력을 인가하는 동시에 제1 스퍼터링 타겟에 RF 전력을 인가하여, 기판 위에 산화규소와 방오물질이 증착된 코팅막을 형성하는 단계와, 스퍼터링 챔버 내에 분위기 가스를 투입한 상태에서 제1 스퍼터링 타겟에 RF 전력을 인가하여 산화규소와 방오물질이 증착된 코팅막 위에 방오물질로 이루어진 코팅막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

방오코팅막 및 그 제조방법{Anti-pollution coating layer and method for manufacturing the same}
본 발명은 방오코팅막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 방오물질과 기판 간에 접착성을 높여 내마모성이 우수한 방오코팅막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 들어 디스플레이장치의 발달로 인해 각종 디지털 정보 제공장치, 예컨대 텔레비전용 모니터, 퍼스널컴퓨터용 모니터, 버스/지하철 안내 표시판 등이 널리 보급되고 있다. 이러한 디스플레이 장치들은 사람들이 많이 모이는 백화점, 호텔, 공항, 전시장, 공원 등에까지 설치되고 있다. 이러한 디스플레이 장치들은 여러 가지 오염물질에 노출되게 되어 장치의 특성이 저하되고 미관상 좋지 않은 영향을 갖게 된다.
이를 해결하기 위해 방오코팅막 제조업체에서는 디스플레이 장치를 보호하는 기판의 최외각 표면에 방오물질 예컨대, 이산화티타늄(TiO2), 황화카드뮴(CdS), 산화규소(SiO), 불소계 화합물, 유기 실록산 화합물 또는 실리콘 아크릴 공중합체 등을 코팅하여 해결하고 있다.
기존에 광촉매 물질을 코팅하는 방식은 무기계의 유전체 재료를 증착시키거나 스퍼터링하여 적층하는 건식 코팅 방식과 유기재료를 도포하는 습식 코팅 방식이 있다.
습식 코팅 방식으로 광촉매 물질을 코팅하면 건식 코팅 방식에 비해 상대적으로 낮은 가격으로 제조할 수 있으나, 기판에 다른 막 예컨대 반사방지막, 전자파 차폐막을 코팅하는 경우 건식 코팅 방식을 사용함으로써 인라인(inline) 제조가 불가능하여 제조시간이 늘어나고 생산효율이 떨어진다.
건식 코팅 방식으로 광촉매 물질을 코팅하면 비용이 많이 드나, 기판에 다른 막 예컨대 반사방지막, 전자파 차폐막을 코팅하는 경우 건식 코팅 방식을 사용함으로 인라인(inline) 제조가 가능함으로써 제조효율이 좋아진다.
그런데, 건식 코팅 방식에 의해 방오물질을 기판에 코팅한 경우, 종종 방오물질과 기판 사이의 접착성 문제로 인해 외부 환경에 쉽게 마모되어 방오성능이 떨어지는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 배경에서 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 방오물질과 기판 간에 접착성을 높여 내마모성이 우수한 방오코팅막 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 양상에 따른 방오코팅막 제조방법은, 방오물질로 이루어진 제1 스퍼터링 타겟과, 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟과, 기판을 스퍼터링 챔버 내에 설치하는 단계와, 스퍼터링 챔버 내에 분위기 가스를 투입한 상태에서 제2 스퍼터링 타겟에 DC 전력을 인가하는 동시에 제1 스퍼터링 타겟에 RF 전력을 인가하여, 기판 위에 산화규소와 방오물질이 증착된 코팅막을 형성하는 단계와, 스퍼터링 챔버 내에 분위기 가스를 투입한 상태에서 제1 스퍼터링 타겟에 RF 전력을 인가하여 산화규소와 방오물질이 증착된 코팅막 위에 방오물질로 이루어진 코팅막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 부가적인 양상에 따르면, 방오물질로 이루어진 제1 스퍼터링 타겟은, 테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 양상에 따른 방오코팅막 제조방법은, 방오물질로 이루어진 제1 스퍼터링 타겟과, 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟과, 기판을 스퍼터링 챔버 내에 설치하는 단계와, 스퍼터링 챔버 내에 분위기 가스를 투입한 상태에서 제2 스퍼터링 타겟에 DC 전력을 인가하여 기판 위에 산화규소가 증착된 제1 코팅막을 형성하는 단계와, 제2 스퍼터링 타겟에 DC 전력을 인가하는 동시에 상기 제1 스퍼터링 타겟에 RF 전력을 인가하여, 산화규소가 증착된 제1 코팅막 위에 산화규소와 방오물질이 증착된 제2 코팅막을 형성하는 단계와, 스퍼터링 챔버 내에 분위기 가스를 투입한 상태에서 제1 스퍼터링 타겟에 RF 전력을 인가하여 산화규소와 방오물질이 증착된 제2 코팅막 위에 방오물질로 이루어진 제3 코팅막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 방오코팅막 제조방법에 의해 제조된 방오코팅막은 기판의 표면에 스퍼터링 코팅 방식으로 산화규소와 방오물질이 증착된 코팅막과, 그 위에 방오물질로 이루어진 코팅막을 포함하도록 구현됨으로써, 방오물질과 기판 간에 접착성이 높아 마모성이 우수하고 방오성능이 장시간 유지되는 유용한 효과가 있다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 방오 성능을 갖는 반사방지막이 적용된 제1 디스플레이 장치의 개략적인 구조,
도 2a 는 본 발명의 제1 실시예에 따른 방오코팅막 제조방법을 도시한 일예,
도 2b 는 본 발명의 제2 실시예에 따른 방오코팅막 제조방법을 도시한 일예,
도 3 은 본 발명의 제1 실시예에 따른 방오코팅막 제조방법에 의해 제조된 방오코팅막 구조,
도 4 는 본 발명의 제2 실시예에 따른 방오코팅막 제조방법에 의해 제조된 방오코팅막 구조,
도 5 는 본 발명의 일 실시예에 따른 방오 성능을 갖는 반사방지막의 액정 접촉 각도를 설명하기 위한 예시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 전술한, 그리고 추가적인 양상을 기술되는 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 당업자가 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 상세히 설명하기로 한다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방직막이 적용된 제1 디스플레이 장치의 개략적인 구조를 도시한다.
도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 제1 디스플레이 장치는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP) 장치이다. 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 장치는 구동회로기판(5)에 장착되는 제1 기판(1)과 제2 기판(3) 사이에 방전셀(2)이 형성되며, 방전셀(2)에는 네온(Ne)과 제논(Xe) 혼합가스가 채워진다. 또한, 제1 기판(1)과 제2 기판(3)의 내측면에는 형광물질이 발라져 있다. 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 장치는 방전셀(2)에 채워진 혼합가스에 강한 전기장을 걸어주면, 혼합가스에서 방출된 자외선이 형광물질과 부딪쳐 고유의 가시광선과 전자파(EMI), 근적외선(NIR), 색순도를 저하시키는 오렌지광을 방출한다.
도 1에 도시한 바와 같이 디스플레이 필터(10)는 디스플레이 모듈(9) 전방에 설치된다. 디스플레이 필터(10)는 근적외선(NIR) 차폐막(14), 전자파(EMI) 차폐막(13), 기판(12), 방오코팅막(11)을 포함한다.
방오코팅막(11)은 물과 방오코팅막(11)이 이루는 접촉각도가 90도 이상이 되도록 하는 방오물질로 코팅되어, 물에 의해 표면에 묻은 지문이나 얼룩 등 무기물질을 제거한다. 방오물질은 일례로 불소계 화합물로 예컨대, 불화마그네슘(MgF2), 테프론(PTFE)으로 구현될 수 있다.
기판(12)은 가시광선 투과율이 80% 이상인 투명성을 갖는 유리기판 또는 반도체 기판으로 구현될 수 있다. 전자파(EMI) 차폐막(13)은 인체에 유해한 전자파(EMI)를 차단한다. 전자파(EMI) 차폐막(13)은 도전성 메쉬 타입 또는 도전막 타입의 필름으로 구현될 수 있다. 전자파(EMI) 차폐막(13)은 금속박막 또는 고굴절률 투명박막을 적층한 다층 투명도전막으로 구현될 수 있다. 근적외선(NIR) 차폐막(14)을 별도로 형성하지 않고 전자파(EMI) 차폐막(13)만으로 근적외선(NIR)과 전자파(EMI)를 차폐하는 두 가지 기능을 수행할 수 있다.
근적외선(NIR) 차폐막(14)은 무선전화기나 리모콘 등의 전자기기의 오동작을 야기하는 근적외선(NIR)을 차폐한다. 근적외선 흡수물질로는 니켈 착체계와 디이모늄계의 혼합색소, 구리 이온과 아연 이온을 함유하는 화합물 색소, 시아닌계 색소, 안트라퀴논계 색소, 스쿠아릴륨계，아조메틴계，오키소놀，아조계 또는 벤질리덴계 화합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
통상적으로, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 장치는 혼합가스로부터 발생하는 빨간색의 가시광선이 오렌지색으로 나타나는 경향이 있다. 도 1에 도시하지 않았지만, 본 발명에 따른 디스플레이 필터(10)는 색보정 필름을 더 포함할 수 있다. 색보정 필름은 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 양을 감소시키거나 조절하여 색균형을 변화시키거나 교정한다.
도 2a 는 본 발명의 제1 실시예에 따른 방오코팅막 제조방법을, 도 2b 는 본 발명의 제2 실시예에 따른 방오코팅막 제조방법을 도시한 것이다.
도 2a에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 방오코팅막 제조방법은, 제1 스퍼터링 타겟과, 제2 스퍼터링 타겟과, 기판을 스퍼터링 챔버 내에 설치한다(S211). 일례로, 제1 스퍼터링 타겟은, 방오물질인 테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟으로, 제2 스퍼터링 타겟은, 규소(Si)로 이루어진 스퍼터링 타겟으로 구현될 수 있다.
이후, 스퍼터링 챔버 내에 분위기 가스를 투입한 상태에서 제2 스퍼터링 타겟에 DC 전력을 인가하는 동시에 제1 스퍼터링 타겟에 RF 전력을 인가하여, 기판 위에 저굴절 산화물과 방오물질이 증착된 코팅막을 형성한다(S212). 여기서, 스퍼터링 챔버 내에 투입되는 분위기 가스는 아르곤(Ar)과 산소이다. 여기서, 저굴절 산화물은 산화규소(SiO2)이다.
이후, 스퍼터링 챔버 내에 분위기 가스를 투입한 상태에서 제1 스퍼터링 타겟에 RF 전력을 인가하여 저굴절 산화물인 산화규소(SiO2)와 방오물질이 증착된 코팅막 위에 방오물질로 이루어진 코팅막을 형성한다(S213). 여기서, 스퍼터링 챔버 내에 투입되는 분위기 가스는 아르곤(Ar)이다.
단계 S212에서 제1, 제2 스퍼터링 타겟에 동시에 전력을 인가하여 스퍼터링하는 이유는, 단계 S213에서 증착되는 방오물질로 이루어진 코팅막과 기판과의 접착성을 높이고 또한 마모성을 높이기 위함이다.
도 2b에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 방오코팅막 제조방법은, 제1 스퍼터링 타겟과, 제2 스퍼터링 타겟과, 기판을 스퍼터링 챔버 내에 설치한다(S221). 일례로, 제1 스퍼터링 타겟은, 방오물질인 테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟으로, 제2 스퍼터링 타겟은, 규소(Si)로 이루어진 스퍼터링 타겟으로 구현될 수 있다.
이후, 스퍼터링 챔버 내에 분위기 가스를 투입한 상태에서 제2 스퍼터링 타겟에 DC 전력을 인가하여 기판 위에 저굴절 산화물인 산화규소(SiO2)가 증착된 제1 코팅막을 형성한다(S222). 여기서, 스퍼터링 챔버 내에 투입되는 분위기 가스는 산소이다.
이후, 스퍼터링 챔버 내에 분위기 가스를 투입한 상태에서 제2 스퍼터링 타겟에 DC 전력을 인가하는 동시에 제1 스퍼터링 타겟에 RF 전력을 인가하여, 저굴절 산화물인 산화규소가 증착된 제1 코팅막 위에 산화규소(SiO2)와 방오물질이 증착된 제2 코팅막을 형성한다(S223). 여기서, 스퍼터링 챔버 내에 투입되는 분위기 가스는 아르곤(Ar)과 산소이다.
이후, 스퍼터링 챔버 내에 분위기 가스를 투입한 상태에서 제1 스퍼터링 타겟에 RF 전력을 인가하여 산화규소(SiO2)와 방오물질이 증착된 제2 코팅막 위에 방오물질로 이루어진 제3 코팅막을 형성한다(S224). 여기서, 스퍼터링 챔버 내에 투입되는 분위기 가스는 아르곤(Ar) 이다.
도 3 은 본 발명의 제1 실시예에 따른 방오코팅막 제조방법에 의해 제조된 방오코팅막 구조이고, 도 4 는 본 발명의 제2 실시예에 따른 방오코팅막 제조방법에 의해 제조된 방오코팅막 구조이다.
먼저, 도 3 에서 방오코팅막(30)은 기판(12) 위에 스퍼터링에 의해 산화규소(SiO2)와 방오물질이 증착된 코팅막(31)과, 방오물질이 증착된 코팅막(32)을 포함한다. 여기서, 방오물질은 물과 이루는 접촉각도가 90도 이상을 갖는 불소계 화합물, 예컨대 테프론(PTFE) 이다.
도 4 에서 방오코팅막(40)은 기판(12) 위에 스퍼터링에 의해 산화규소(SiO2)가 증착된 코팅막(41)과, 산화규소(SiO2)와 방오물질이 동시 증착된 코팅막(42)과, 방오물질이 증착된 코팅막(43)을 포함한다.
도 5 는 본 발명의 일 실시예에 따른 방오 성능을 갖는 반사방지막의 액정 접촉 각도를 설명하기 위한 예시도이다.
접촉 각도(θ)는 물방울(51)을 코팅막(52) 위에 떨어뜨려, 물(51)과 코팅막(52)이 이루는 각도를 측정하는 것으로 방오성능의 지표로 사용된다. 접촉 각도(θ)가 90도 이상이면 방오 성능이 우수한 것으로 볼 수 있다.
비교예 1
테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟과, 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟과, 기판을 스퍼터링 챔버 내에 설치한 후, 스퍼터링 챔버 내에 산소 가스를 투입한 상태에서 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟에 300W의 DC 전력을 인가하여, 기판에 산화규소(SiO2)가 12nm 두께로 증착된 코팅막을 형성하였다.
이후, 스퍼터링 챔버 내에 아르곤(Ar) 가스를 투입한 상태에서 테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟에 100W의 RF 전력을 인가하여, 산화규소(SiO2)가 12nm 두께로 증착된 코팅막 위에 테프론(PTFE)이 8nm 두께로 증착된 코팅막을 형성하였다.
비교예 2
테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟과, 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟과, 기판을 스퍼터링 챔버 내에 설치한 후, 스퍼터링 챔버 내에 산소 가스를 투입한 상태에서 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟에 300W의 DC 전력을 인가하여, 기판에 산화규소(SiO2)가 12nm 두께로 증착된 코팅막을 형성하였다.
이후, 스퍼터링 챔버 내에 아르곤(Ar) 가스를 투입한 상태에서 테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟에 100W의 RF 전력을 인가하여, 산화규소(SiO2)가 12nm 두께로 증착된 코팅막 위에 테프론(PTFE)이 20nm 두께로 증착된 코팅막을 형성하였다.
비교예 3
테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟과, 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟과, 기판을 스퍼터링 챔버 내에 설치한 후, 스퍼터링 챔버 내에 산소 가스를 투입한 상태에서 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟에 300W의 DC 전력을 인가하여, 기판에 산화규소(SiO2)가 12nm 두께로 증착된 코팅막을 형성하였다.
이후, 스퍼터링 챔버 내에 아르곤(Ar) 가스를 투입한 상태에서 테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟에 100W의 RF 전력을 인가하여, 산화규소(SiO2)가 12nm 두께로 증착된 코팅막 위에 테프론(PTFE)이 50nm 두께로 증착된 코팅막을 형성하였다.
실시예 1
테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟과, 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟과, 기판을 스퍼터링 챔버 내에 설치한 후, 스퍼터링 챔버 내에 산소 가스를 투입한 상태에서 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟에 300W의 DC 전력을 인가하여, 기판에 산화규소(SiO2)가 12nm 두께로 증착된 코팅막을 형성하였다.
이후, 스퍼터링 챔버 내에 아르곤(Ar) 가스와 산소 가소를 투입한 상태에서 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟에 300W의 DC 전력을 인가하고 동시에 테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟에 100W의 RF 전력을 인가하여, 산화규소(SiO2)와 테프론(PTFE)이 동시 증착된 21nm 두께의 코팅막을 형성하였다.
이후, 스퍼터링 챔버 내에 아르곤(Ar) 가스를 투입한 상태에서 테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟에 100W의 RF 전력을 인가하여, 테프론(PTFE)이 20nm 두께로 증착된 코팅막을 형성하였다.
실시예 2
테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟과, 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟과, 기판을 스퍼터링 챔버 내에 설치한 후, 스퍼터링 챔버 내에 산소 가스를 투입한 상태에서 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟에 300W의 DC 전력을 인가하여, 기판에 산화규소(SiO2)가 12nm 두께로 증착된 코팅막을 형성하였다.
이후, 스퍼터링 챔버 내에 아르곤(Ar) 가스와 산소 가소를 투입한 상태에서 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟에 250W의 DC 전력을 인가하고 동시에 테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟에 120W의 RF 전력을 인가하여, 산화규소(SiO2)와 테프론(PTFE)이 동시 증착된 20nm 두께의 코팅막을 형성하였다.
이후, 스퍼터링 챔버 내에 아르곤(Ar) 가스를 투입한 상태에서 테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟에 100W의 RF 전력을 인가하여, 테프론(PTFE)이 20nm 두께로 증착된 코팅막을 형성하였다.
비교예 1 내지 3, 실시예 1, 2에 따른 방오코팅막의 초기 접촉각과, 방오코팅막의 내마모성 테스트 후의 접촉각을 측정한 결과는 표 1과 같다. 방오코팅막의 내마모성 테스트는 200g의 스틸 울(STEEL WOOL)을 10회 왕복하였다.
층 구조 두께(nm) 초기 접촉각(°) 후기 접촉각(°)
비교예 1 SiO2 /PTFF 12/8 89.6 44.6
비교예 2 SiO2 /PTFF 12/20 94.6 23.8
비교예 3 SiO2 /PTFF 12/50 97.8 45.1
실시예 1 SiO2 /SiO2 +PTFF/PTFF 12/21/20 96.8 104.6
실시예 2 SiO2 /SiO2 +PTFF/PTFF 12/20/20 100.5 99.9
표 1을 보면, 비교예 1 내지 3에 따른 방오코팅막은 내마모성 테스트 후의 접촉각은 90도 이하인 반면, 실시예1, 2에 따른 방오코팅막은 내마모성 테스트 후의 접촉각이 90도 이상을 유지하여 방오 성능이 우수한 것을 알 수 있다.
지금까지, 본 명세서에는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 지닌 자가 본 발명을 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 도면에 도시한 실시예들을 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에 통상의 지식을 지닌 자라면 본 발명의 실시예들로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 이에 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

Claims (7)

  1. 방오물질로 이루어진 제1 스퍼터링 타겟과, 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟과, 기판을 스퍼터링 챔버 내에 설치하는 단계;
    상기 스퍼터링 챔버 내에 분위기 가스를 투입한 상태에서 상기 제2 스퍼터링 타겟에 DC 전력을 인가하는 동시에 상기 제1 스퍼터링 타겟에 RF 전력을 인가하여, 상기 기판 위에 산화규소와 방오물질이 증착된 코팅막을 형성하는 단계; 및
    상기 스퍼터링 챔버 내에 분위기 가스를 투입한 상태에서 상기 제1 스퍼터링 타겟에 RF 전력을 인가하여 상기 산화규소와 방오물질이 증착된 코팅막 위에 방오물질로 이루어진 코팅막을 형성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 방오코팅막 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 내마모성이 우수한 방오코팅막 제조방법이:
    상기 방오물질로 이루어진 제1 스퍼터링 타겟은, 테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟인 것을 특징으로 하는 방오코팅막 제조방법.
  3. 방오물질로 이루어진 제1 스퍼터링 타겟과, 규소(Si)로 이루어진 제2 스퍼터링 타겟과, 기판을 스퍼터링 챔버 내에 설치하는 단계;
    상기 스퍼터링 챔버 내에 분위기 가스를 투입한 상태에서 상기 제2 스퍼터링 타겟에 DC 전력을 인가하여 상기 기판 위에 산화규소가 증착된 제1 코팅막을 형성하는 단계;
    상기 스퍼터링 챔버 내에 분위기 가스를 투입한 상태에서 상기 제2 스퍼터링 타겟에 DC 전력을 인가하는 동시에 상기 제1 스퍼터링 타겟에 RF 전력을 인가하여, 상기 산화규소가 증착된 제1 코팅막 위에 산화규소와 방오물질이 증착된 제2 코팅막을 형성하는 단계; 및
    상기 스퍼터링 챔버 내에 분위기 가스를 투입한 상태에서 상기 제1 스퍼터링 타겟에 RF 전력을 인가하여 상기 산화규소와 방오물질이 증착된 제2 코팅막 위에 방오물질로 이루어진 제3 코팅막을 형성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 방오코팅막 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 방오물질로 이루어진 제1 스퍼터링 타겟은, 테프론(PTFE) 스퍼터링 타겟인 것을 특징으로 하는 방오코팅막 제조방법.
  5. 기판 위에 스퍼터링 방식으로 산화규소(SiO2)와 방오물질이 동시에 증착된 코팅막; 및
    상기 산화규소(SiO2)와 방오물질이 증착된 코팅막 위에 스퍼터링 방식으로 방오물질이 증착된 코팅막;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 방오코팅막.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 방오물질은, 테프론(PTFE)인 것을 특징으로 하는 방오코팅막.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 방오코팅막이:
    상기 기판과 산화규소(SiO2)와 방오물질이 증착된 코팅막 사이에, 스퍼터링 방식으로 산화규소(SiO2)가 증착된 코팅막;
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방오코팅막.
KR1020100083244A 2010-08-27 2010-08-27 방오코팅막 및 그 제조방법 KR101691376B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100083244A KR101691376B1 (ko) 2010-08-27 2010-08-27 방오코팅막 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100083244A KR101691376B1 (ko) 2010-08-27 2010-08-27 방오코팅막 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120019794A true KR20120019794A (ko) 2012-03-07
KR101691376B1 KR101691376B1 (ko) 2017-01-02

Family

ID=46128609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100083244A KR101691376B1 (ko) 2010-08-27 2010-08-27 방오코팅막 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101691376B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101242591B1 (ko) * 2011-05-23 2013-03-19 유흥상 지문방지층 증착방법
CN110894306A (zh) * 2018-08-23 2020-03-20 Sk新技术株式会社 防反射硬涂膜及其制备方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11693155B2 (en) * 2018-08-23 2023-07-04 Sk Innovation Co., Ltd. Antireflection hard coating film and preparation method thereof
CN110858008B (zh) * 2018-08-23 2023-02-17 Sk新技术株式会社 防反射硬涂膜及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002277609A (ja) * 2001-01-15 2002-09-25 Dainippon Printing Co Ltd 反射防止膜、反射防止フィルム、画像表示装置、及び、それらの製造方法
JP2006309139A (ja) * 2005-03-29 2006-11-09 Seiko Epson Corp 防汚性光学物品の製造方法
JP2007098955A (ja) * 2006-11-29 2007-04-19 Azuma Denkosha:Kk 他物体との接触摩擦により表面が摩耗することを考慮した物品
KR20100079482A (ko) * 2008-12-31 2010-07-08 주식회사 동부하이텍 스퍼터링 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002277609A (ja) * 2001-01-15 2002-09-25 Dainippon Printing Co Ltd 反射防止膜、反射防止フィルム、画像表示装置、及び、それらの製造方法
JP2006309139A (ja) * 2005-03-29 2006-11-09 Seiko Epson Corp 防汚性光学物品の製造方法
JP2007098955A (ja) * 2006-11-29 2007-04-19 Azuma Denkosha:Kk 他物体との接触摩擦により表面が摩耗することを考慮した物品
KR20100079482A (ko) * 2008-12-31 2010-07-08 주식회사 동부하이텍 스퍼터링 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101242591B1 (ko) * 2011-05-23 2013-03-19 유흥상 지문방지층 증착방법
CN110894306A (zh) * 2018-08-23 2020-03-20 Sk新技术株式会社 防反射硬涂膜及其制备方法
CN110894306B (zh) * 2018-08-23 2023-05-02 Sk新技术株式会社 防反射硬涂膜及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101691376B1 (ko) 2017-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1648013B1 (en) Electromagnetic wave shielding filter, method of manufacturing the same, PDP apparatus including the same filter
US20090297877A1 (en) Extreme low resistivity light attenuation anti-reflection coating structure in order to increase transmittance of blue light and method for manufacturing the same
KR20060080116A (ko) 디스플레이 장치용 필터 및 이를 포함한 디스플레이 장치
KR100947451B1 (ko) 광학 부재 및 이를 포함하는 디스플레이 장치용 필터
KR20060120527A (ko) 디스플레이 장치용 필터 및 이를 포함한 디스플레이 장치
KR20080020504A (ko) 전자기 방사 방지 및 광 필터링 기능을 갖는 플라즈마디스플레이 패널용의 광 필터 플레이트
US20060158114A1 (en) Plasma display panel including a display filter having a black peripheral portion formed using a black treatment layer and method of fabricating the same
KR101691376B1 (ko) 방오코팅막 및 그 제조방법
JP3034218B2 (ja) 透明積層体及びそれを用いた調光体及びディスプレイ用フィルター
KR20090127618A (ko) 디스플레이 장치용 필터 및 이를 구비하는 디스플레이 장치
JP2001353810A (ja) 透明積層体とプラズマデイスプレイパネル用フイルタ
KR20080020505A (ko) 전자기 방사 방지 및 광 필터링 기능을 갖는 플라즈마디스플레이 패널용의 광 필터
US7851065B2 (en) Extreme low resistivity light attenuation anti-reflection coating structure in order to increase transmittance of blue light and method for manufacturing the same
KR101049460B1 (ko) 디스플레이 장치용 필터 및 이를 포함한 디스플레이 장치
KR101771069B1 (ko) 방오 성능을 갖는 반사방지막 및 그 제조방법
KR20100090056A (ko) 광 산란 기능을 갖는 반사방지 필름
KR101052527B1 (ko) 전도성 고분자 필름층을 포함하는 ｐｄｐ 필터 및 이를포함하는 ｐｄｐ 장치
JP2003015536A (ja) ディスプレイ用フィルタおよびそれを用いた表示素子
KR20120018425A (ko) 디스플레이 필터
KR101108610B1 (ko) 디스플레이장치용 필터
KR20040074298A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 전면필터
JP2004264350A (ja) 前面フィルター
JP2011008261A (ja) ディスプレイフィルタ
KR100566389B1 (ko) 평판표시소자용 기능성 고분자 필름과 그 제조방법
KR101091808B1 (ko) 디스플레이 필터 및 이를 구비하는 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190924

Year of fee payment: 4