KR20120013919A - A thermoelectric powder and Sintered body of thermoelectric powder - Google Patents

A thermoelectric powder and Sintered body of thermoelectric powder Download PDF

Info

Publication number
KR20120013919A
KR20120013919A KR1020110142740A KR20110142740A KR20120013919A KR 20120013919 A KR20120013919 A KR 20120013919A KR 1020110142740 A KR1020110142740 A KR 1020110142740A KR 20110142740 A KR20110142740 A KR 20110142740A KR 20120013919 A KR20120013919 A KR 20120013919A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
powder
oxide
thermal
composite oxide
phase
Prior art date
Application number
KR1020110142740A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이길근
Original Assignee
부경대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 부경대학교 산학협력단 filed Critical 부경대학교 산학협력단
Priority to KR1020110142740A priority Critical patent/KR20120013919A/en
Publication of KR20120013919A publication Critical patent/KR20120013919A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/853—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising arsenic, antimony or bismuth
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

PURPOSE: A thermoelectric powder and a thermoelectric powder pellet are provided to manufacture the thermoelectric powder by heat treating and reduction processes after mixing and pulverizing an oxide with a mechanical milling process, thereby maximizing resource utilization rate and reducing manufacturing costs. CONSTITUTION: One or more oxides among Bi2O3, Te02, Sb2O3, and Se2O3 are prepared(S100). The oxide is mixed and pulverized using a mechanical milling process(S200). A complex oxide is manufactured by heat-treating a mixed powder in an atmosphere including oxygen(S300). The complex oxide is homogenized using the mechanical milling process(S350). A thermoelectric powder is formed by reduction-heat-processing the complex oxide(S400).

Description

열전분말 및 열전분말소결체{A thermoelectric powder and Sintered body of thermoelectric powder}A thermoelectric powder and Sintered body of thermoelectric powder

본 발명은 원료인 산화물(Bi2O3, Sb2O3, TeO2, Se2O3)을 선택하여 기계적 밀링으로 분쇄 및 혼합하고 열처리 및 환원하여 제조된 열전분말 및 이를 소결하여 형성된 열전분말소결체에 관한 것이다.The present invention is selected from the raw materials of the oxide (Bi 2 O 3 , Sb 2 O 3 , TeO 2 , Se 2 O 3 ) by the thermal milling powder prepared by grinding and mixing by mechanical milling, heat treatment and reduction and the thermal starch powder formed by sintering it It relates to a sintered body.

일반적으로, 열전재료란 재료 양단 간에 온도차를 주었을 때 전기에너지가 생기고 반대로 재료에 전기에너지를 주었을 때 재료 양단 간에 온도차가 생기는 에너지 변환 재료이다. In general, a thermoelectric material is an energy conversion material in which electrical energy is generated when a temperature difference is applied between both ends of a material, and conversely, a temperature difference is generated between both ends of a material when an electric energy is applied to the material.

이러한 열전재료는 19세기 초에 열전현상인 제백효과(Seebeck effect), 펠티에효과(Peltier effect), 톰슨효과(Thomson effect) 등이 발견된 후, 1930년대 후반부터 반도체의 발전과 더불어 열전 성능지수가 높은 열전재료로 개발되어 최근에는 열전 발전을 이용한 산간 벽지용, 우주용, 군사용 등의 특수 전원장치로의 사용과 열전 냉각을 이용한 반도체 레이저 다이오드, 적외선 검출소자 등에서의 정밀한 온도제어나 컴퓨터 관련 소형 냉각기와, 광통신레이저 냉각장치, 냉온수기의 냉각장치, 반도체 온도조절장치, 열교환기 등에 사용되고 있다.These thermoelectric materials were developed in the late 1930s after the discovery of thermoelectric phenomena such as Seebeck effect, Peltier effect and Thomson effect. Recently developed as a high thermoelectric material, it is used as a special power supply device for mountain wallpaper, space, military, etc. using thermoelectric power generation, and precise temperature control in semiconductor laser diodes and infrared detection devices using thermoelectric cooling, etc. And optical communication laser chillers, chillers for cold and hot water, semiconductor thermostats, heat exchangers and the like.

이러한 열전재료의 열전성능지수를 향상시키기 위해서는 무차원 성능지수인 ZT=(σα2/κ)T 값이 향상되어야 한다.In order to improve the thermoelectric performance index of such a thermoelectric material, ZT = (σα 2 / κ) T value, which is a dimensionless performance index, should be improved.

(α: 제벡 계수 (Seebeck coefficient), σ: 전기전도도, κ: 열전도도, T: 온도)(α: Seebeck coefficient, σ: electrical conductivity, κ: thermal conductivity, T: temperature)

열전재료의 성능지수가 높다는 것은 열전재료의 에너지 변환효율이 높다는 것을 의미하는데, 이러한 성능지수를 높이기 위해서는 전기전도도를 높이거나 열전도도를 감소시킬 필요가 있다.The higher the performance index of the thermoelectric material means that the higher the energy conversion efficiency of the thermoelectric material, it is necessary to increase the electrical conductivity or reduce the thermal conductivity in order to increase the performance index.

상기 성능지수(ZT)에서 확인할 수 있는 바와 같이 높은 전기전도도와 낮은 열전도도의 적절한 조합이 필요하다. 성능지수를 좌우하는 함수 중에서 제벡(Seebeck)계수, 전기전도도는 주로 전하의 산란에 의존하고, 열전도도는 주로 격자(phonon)의 산란에 의존하기 때문에 이를 고려한 미세조직의 제어를 통해 특성을 제어할 필요가 있다.As can be seen from the figure of merit ZT, a suitable combination of high and low thermal conductivity is required. Among the functions that influence the figure of merit, Seebeck coefficient and electrical conductivity mainly depend on scattering of charge, and thermal conductivity mainly depends on scattering of phonon. There is a need.

보다 구체적으로 말하면, 열전재료 내에서 전하의 산란은 최대한 감소시키고, 열전재료를 구성하는 격자(phonon)의 산란을 증가시켜 열전도도 감소를 유도함으로써 결과적으로 성능지수를 향상시킬 수 있다. More specifically, the scattering of charges in the thermoelectric material may be reduced as much as possible, and the scattering of phonons constituting the thermoelectric material may be increased to induce thermal conductivity to decrease, thereby improving the performance index.

이러한 열전재료를 제조하는 방법으로 대한민국 공개특허 제2007-01172705호에는 용해, 응고 및 밀링 과정을 거쳐 입자 특성이 다른 열전재료 분말을 제조하고, 각각 제조된 입자특성이 다른 분말을 균일하게 혼합한 후, 혼합분말을 소결하여 완료되는 "열전재료 제조방법"이 개시되어 있다.As a method of manufacturing such a thermoelectric material, Korean Patent Publication No. 2007-01172705 discloses thermoelectric material powders having different particle characteristics through melting, solidification and milling processes, and uniformly mixing powders having different particle characteristics. , "Thermoelectric material manufacturing method" which is completed by sintering a mixed powder is disclosed.

그러나 상기와 같은 제조방법에 따르면, 제조공정이 복잡하고 잉곳 제조, 제조된 잉곳의 용융 및 분쇄과정에서의 불순물 혼입, 입도제어의 곤란성 등의 문제점이 있다.However, according to the manufacturing method as described above, the manufacturing process is complicated, there are problems such as ingot production, incorporation of impurities in the melting and grinding process of the manufactured ingot, difficulty of particle size control, and the like.

또한 일본공개특허 제2004-235278호에는 비스무스 및 안티몬으로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 원소와, 텔루륨 및 세륨으로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 1종의원소와, Ge, Si, Sn, Ga 및 Pb로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 원소로 이루어지는 "열전재료 및 이의 제조방법"이 개시되어 있다.Also, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-235278 discloses at least one element selected from the group consisting of bismuth and antimony, at least one element selected from the group consisting of tellurium and cerium, and Ge, Si, Sn, Ga And at least one element selected from the group consisting of Pb is disclosed.

그러나, 상기 종래기술 역시 잉곳으로 원소를 제조하고, 액체 급냉법에 의해 분말로 만든 다음 수소 분위기하에서 열처리를 실시하며, 이후 핫프레스 공정에 의해 고체화 성형체를 제조하도록 구성된다.However, the prior art is also configured to produce an element from an ingot, to powder into a liquid quenching method and then to heat treatment in a hydrogen atmosphere, and then to produce a solidified molded body by a hot press process.

따라서, 고가의 장비가 요구되며 제조 공정이 복잡하여 생산성이 저하되므로, 제조 원가가 상승하게 되는 문제점이 있다.Therefore, expensive equipment is required, and the manufacturing process is complicated, and thus productivity is lowered, resulting in a problem that the manufacturing cost increases.

본 발명의 목적은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 보다 구체적으로는, 원료로서 산화물(Bi2O3, Sb2O3, TeO2, Se2O3)을 사용하고, 산화물을 기계적 밀링으로 분쇄 및 혼합한 후 열처리 및 환원하여 제조되는 열전분말을 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve a conventional problem. More specifically, an oxide (Bi 2 O 3 , Sb 2 O 3 , TeO 2 , Se 2 O 3 ) is used as a raw material, and the oxide is subjected to mechanical milling. It is to provide a thermal starch produced by heat treatment and reduction after grinding and mixing.

본 발명의 목적은, 열전분말을 소결하여 200℃ 이하의 온도에서 최대 1.1의 성능지수를 갖도록 한 열전분말소결체를 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide a thermal powder sintered body which is sintered and has a performance index of up to 1.1 at a temperature of 200 ° C. or lower.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 열전분말은, Bi2O3와 Te02를 반드시 포함하고, Sb2O3와 Se2O3중 어느 하나를 포함하는 산화물을 기계적 밀링으로 분쇄 및 혼합하여 혼합분말을 제조하고, 산소를 포함하는 분위기에서 혼합분말을 열처리하여 복합산화물을 제조한 후, 복합산화물을 기계적 밀링 공정으로 처리하여 균질화된 복합산화물을 제조하고, 균질화된 복합산화물을 수소 분위기에서 250 내지 400℃ 온도 범위로 가열하여 환원함으로써 (Bi2Te3)X(Sb2Te3)1-X상 또는 (Bi2Se3)X(Bi2Te3)1-X상을 갖는 것을 특징으로 한다.The thermal starch according to the present invention for achieving the above object, including the Bi 2 O 3 and Te0 2 necessarily, pulverized by mechanical milling oxide containing any one of Sb 2 O 3 and Se 2 O 3 and To prepare a mixed powder by mixing, heat-treat the mixed powder in an atmosphere containing oxygen to produce a composite oxide, and then process the composite oxide by a mechanical milling process to produce a homogenized composite oxide, the homogenized composite oxide in a hydrogen atmosphere Having a (Bi 2 Te 3 ) X (Sb 2 Te 3 ) 1-X phase or (Bi 2 Se 3 ) X (Bi 2 Te 3 ) 1-X phase by heating to a temperature ranging from 250 to 400 ° C. at It features.

본 발명에 의한 열전분말소결체는 Bi2O3와 Te02를 반드시 포함하고, Sb2O3와 Se2O3중 어느 하나를 포함하는 산화물을 기계적 밀링으로 분쇄 및 혼합하여 혼합분말을 제조하고, 산소를 포함하는 분위기에서 혼합분말을 열처리하여 복합산화물을 제조한 후, 복합산화물을 기계적 밀링 공정으로 처리하여 균질화된 복합산화물을 제조하고, 균질화된 복합산화물을 수소 분위기에서 250 내지 400℃ 온도 범위로 가열하여 환원함으로써 (Bi2Te3)X(Sb2Te3)1-X상 또는 (Bi2Se3)X(Bi2Te3)1-X상을 갖는 열전분말을 소결하여 형성됨을 특징으로 한다.The thermopowder sintered body according to the present invention necessarily includes Bi 2 O 3 and Te0 2 , to prepare a mixed powder by grinding and mixing the oxide containing any one of Sb 2 O 3 and Se 2 O 3 by mechanical milling, After preparing a composite oxide by heat-treating the mixed powder in an atmosphere containing oxygen, the composite oxide is treated by a mechanical milling process to produce a homogenized composite oxide, and the homogenized composite oxide in a hydrogen atmosphere at a temperature ranging from 250 to 400 ° C. It is formed by sintering a thermal powder having a (Bi 2 Te 3 ) X (Sb 2 Te 3 ) 1-X phase or a (Bi 2 Se 3 ) X (Bi 2 Te 3 ) 1-X phase by heating and reducing it. do.

상기 Sb2O3와 Se2O3중 Sb2O3가 채택된 경우, (Bi2Te3)X(Sb2Te3)1-X상을 가지는 열전분말소결체는 200℃ 이하의 온도에서 최대 1.1의 성능지수(ZT)를 갖는 것을 특징으로 한다.When Sb 2 O 3 is adopted among the Sb 2 O 3 and Se 2 O 3 , the thermal powder sintered body having a (Bi 2 Te 3 ) X (Sb 2 Te 3 ) 1-X phase is maximum at a temperature of 200 ° C. or less. It is characterized by having a performance index (ZT) of 1.1.

상기 Sb2O3와 Se2O3중 Se2O3가 채택된 경우, (Bi2Se3)X(Bi2Te3)1-X상을 가지는 열전분말소결체는 200℃ 이하의 온도에서 최대 0.95의 성능지수(ZT)를 갖는 것을 특징으로 한다.If the Sb 2 O 3 and Se 2 O 3 of the Se 2 O 3 employed, (Bi 2 Se 3) X (Bi 2 Te 3) thermally powder sintered body having the 1-X-phase is the maximum at a temperature not higher than 200 ℃ It is characterized by having a performance index (ZT) of 0.95.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 열전분말은, 원료로서 산화물(Bi2O3, Sb2O3, TeO2, Se2O3)을 사용하고, 산화물을 기계적 밀링으로 분쇄 및 혼합한 후 열처리 및 환원하여 제조되도록 구성된다.As described above, the thermal starch according to the present invention uses oxides (Bi 2 O 3 , Sb 2 O 3 , TeO 2 , Se 2 O 3 ) as raw materials, and is subjected to heat treatment after grinding and mixing the oxides by mechanical milling. It is configured to be produced by reducing.

따라서, 저가의 원료를 사용하고 제조 공정수를 간소화하여 대량생산이 가능하므로 제조 원가를 낮출 수 있는 이점이 있다.Therefore, it is possible to use a low-cost raw material and simplify the number of manufacturing processes, thereby enabling mass production, thereby reducing the manufacturing cost.

또한, 산화물을 사용하여 열전분말의 제조가 가능하므로, 기존 잉곳을 구매하여 재용융하고 다단계로 분쇄하는 방법과 대비할 때 제조원가를 절감할 뿐만 아니라, 자원 활용률을 극대화할 수 있는 이점이 있다.In addition, since it is possible to manufacture the thermal powder using the oxide, compared to the method of purchasing the existing ingot, remelting and crushing in multiple stages, there is an advantage that can not only reduce the manufacturing cost, but also maximize the resource utilization rate.

뿐만 아니라, 본 발명에 의한 열전분말소결체는, 200℃ 이하의 온도에서 최대 1.1의 뛰어난 성능지수(ZT)를 가질 수 있다.In addition, the thermopowder sintered body according to the present invention may have an excellent performance index (ZT) of up to 1.1 at a temperature of 200 ° C. or less.

도 1 은 본 발명을 제조하기 위한 원료인 산화물의 XRD 그래프.
도 2 는 본 발명에 의한 열전분말의 제조방법을 나타낸 공정 순서도.
도 3a 는 본 발명의 제1실시예에 따른 열전분말의 제조방법에서 일 단계인 기계적혼합단계에 따라 제조된 산화물분말의 상분석결과를 나타낸 XRD 그래프.
도 3b는 본 발명에 의한 제1실시예에 따른 열전분말의 제조방법에서 일 단계인 기계적혼합단계에 따라 제조된 산화물분말의 SEM 사진.
도 4a 는 본 발명에 의한 제1실시예에 따른 열전분말의 제조방법에서 일 단계인 열처리단계 완료시 제조된 복합산화물분말의 SEM 사진.
도 4b 는 도 4a의 상분석결과를 나타낸 XRD 그래프.
도 5a 는 본 발명에 의한 제1실시예에 따른 열전분말의 제조방법에서 일 단계인 환원열처리단계가 완료된 열전분말의 상분석 결과를 나타낸 XRD 그래프.
도 5b 는 본 발명에 의한 제1실시예에 따른 열전분말의 SEM 사진.
도 6 은 본 발명에 의한 제1실시예에 따른 열전분말의 성능지수를 측정하기 위해 제조한 열전분말소결체 및 비교예의 소결체의 성능지수를 비교한 그래프.
도 7a 는 본 발명에 의한 제2실시예에 따른 열전분말의 제조방법에서 일 단계인 기계적혼합단계에 따라 제조된 산화물분말의 상분석 결과를 나타낸 XRD 그래프.
도 7b는 본 발명에 의한 제2실시예에 따른 열전분말의 제조방법에서 일 단계인 기계적혼합단계에 따라 제조된 산화물분말의 SEM 사진.
도 8a 는 본 발명에 의한 제2실시예에 따른 열전분말의 제조방법에서 일 단계인 열처리단계 완료시 제조된 복합산화물분말의 SEM 사진.
도 8b 는 도 8a의 상분석결과를 나타낸 XRD 그래프.
도 9a 는 본 발명에 의한 제2실시예에 따른 열전분말의 제조방법에서 일 단계인 환원열처리단계가 완료된 열전분말의 상분석 결과를 나타낸 XRD 그래프.
도 9b 는 본 발명에 의한 제2실시예에 따른 열전분말의 SEM 사진.
도 10 은 본 발명에 의한 제2실시예에 따른 열전분말의 성능지수를 측정하기 위해 제조한 열전분말소결체 및 비교예의 소결체의 성능지수를 비교한 그래프.1 is an XRD graph of an oxide which is a raw material for producing the present invention.
2 is a process flow chart showing a method for producing a thermal starch powder according to the present invention.
3A is an XRD graph showing a phase analysis result of an oxide powder prepared according to a mechanical mixing step which is one step in the method of manufacturing a thermopowder according to the first embodiment of the present invention.
Figure 3b is a SEM photograph of the oxide powder prepared according to the mechanical mixing step, which is one step in the method for producing a thermoelectric powder according to the first embodiment of the present invention.
Figure 4a is a SEM photograph of the composite oxide powder prepared at the completion of the heat treatment step one step in the method for producing a thermoelectric powder according to the first embodiment of the present invention.
Figure 4b is an XRD graph showing the phase analysis of Figure 4a.
Figure 5a is an XRD graph showing the phase analysis results of the thermal starch powder is a step of reducing heat treatment step is completed in the method of manufacturing a thermal starch powder according to the first embodiment of the present invention.
5b is a SEM photograph of the thermopowder according to the first embodiment of the present invention.
Figure 6 is a graph comparing the performance index of the thermal powder sintered body and the sintered body of the comparative example prepared to measure the performance index of the thermal powder according to the first embodiment of the present invention.
7A is an XRD graph showing a phase analysis result of an oxide powder prepared according to a mechanical mixing step which is one step in the method of manufacturing a thermopowder according to a second embodiment of the present invention.
Figure 7b is a SEM photograph of the oxide powder prepared according to the mechanical mixing step which is one step in the method for producing a thermoelectric powder according to the second embodiment of the present invention.
Figure 8a is a SEM photograph of the composite oxide powder prepared at the completion of the heat treatment step one step in the method for manufacturing a thermoelectric powder according to the second embodiment of the present invention.
8B is an XRD graph showing the results of phase analysis of FIG. 8A.
Figure 9a is an XRD graph showing the phase analysis results of the thermal starch powder is a step of reducing heat treatment step is completed in the method of manufacturing a thermal starch powder according to the second embodiment of the present invention.
9b is a SEM photograph of a thermopowder according to a second embodiment of the present invention.
10 is a graph comparing the performance index of the thermal powder sintered body and the sintered body of Comparative Example prepared to measure the performance index of the thermal powder according to the second embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명에 의한 열전분말의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a thermal starch according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1에는 본 발명을 제조하기 위한 원료인 산화물의 XRD 그래프가 도시되어 있고, 도 2에는 본 발명에 의한 열전분말의 제조방법을 나타낸 공정 순서도가 도시되어 있다.FIG. 1 shows an XRD graph of an oxide which is a raw material for producing the present invention, and FIG. 2 shows a process flowchart showing a method of manufacturing a thermal starch according to the present invention.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 열전분말은, 첨부된 도면과 같이 산화물을 기계적 밀링으로 분쇄 및 혼합하고, 열처리 공정과 환원 공정을 거쳐 제조되며, 상기 열전분말은 P형을 위한 (Bi2Te3)X(Sb2Te3)1-X상과, N형을 위한 (Bi2Se3 )X(Bi2Te3)1-X상을 갖도록 선택적으로 제조될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the thermal starch is prepared by grinding and mixing the oxides by mechanical milling as shown in the accompanying drawings, through a heat treatment process and a reduction process, and the thermal starch powder is formed of P-type (Bi 2 Te 3). ) X (Sb 2 Te 3) 1-X -phase and, for the N-type (Bi 2 Se 3) X ( Bi 2 Te 3) 1-X so as to have the phase may alternatively be prepared by.

즉, 상기 열전분말은 비스무스(Bi)계 산화물, 텔루륨(Te)계 산화물, 안티몬(Sb)계 산화물, 셀레늄(Se)계 산화물 중 하나 이상의 산화물을 원료로 사용하여 제조된 것으로, 보다 구체적으로 상기 산화물은 Bi2O3와 Te02를 반드시 포함하고, Sb2O3와 Se2O3 중 어느 하나를 선택적으로 포함시켜 P형 또는 N형 반도체를 제조할 수 있게 된다.That is, the thermal starch is manufactured using at least one oxide of bismuth (Bi) oxide, tellurium (Te) oxide, antimony (Sb) oxide, selenium (Se) oxide as a raw material, more specifically The oxide necessarily includes Bi 2 O 3 and Te0 2 , and selectively includes any one of Sb 2 O 3 and Se 2 O 3 to form a P-type or N-type semiconductor.

상기 열전분말의 제조방법을 첨부된 도 2를 참조하여 보다 구체적으로 살펴보면, Bi2O3와, Te02와, Sb2O3와 Se2O3 중 하나 이상의 산화물을 준비하는 재료준비단계(S100)와, 상기 산화물을 기계적 밀링 공정으로 혼합 및 분쇄하는 기계적혼합단계(S200)와, 상기 혼합분말을 산소를 포함하는 분위기에서 열처리하여 복합산화물을 제조하는 열처리단계(S300)와, 상기 복합산화물을 환원열처리하여 열전분말을 형성하는 환원열처리단계(S400)로 이루어진다.Looking at the method of manufacturing the thermal powder in more detail with reference to the accompanying Figure 2, the material preparation step of preparing at least one oxide of Bi 2 O 3 , Te0 2 , Sb 2 O 3 and Se 2 O 3 (S100) ), A mechanical mixing step of mixing and pulverizing the oxide in a mechanical milling process (S200), a heat treatment step of preparing a composite oxide by heat-treating the mixed powder in an atmosphere containing oxygen (S300), and the composite oxide Reduction heat treatment consists of a reduction heat treatment step (S400) to form a thermal starch.

상기 재료준비단계(S100)는 전술한 바와 같이 Bi2O3와 Te02를 반드시 포함하고, Sb2O3와 Se2O3 중 하나 이상을 포함하는 원료를 준비하는 과정으로, 그리고, 본 발명의 제1실시예에서 상기 산화물은 Sb2O3와 Se2O3 중 Sb2O3를 사용하였고, 제2실시예에서는 Se2O3 를 사용하였다.The material preparation step (S100) is a process of preparing a raw material including at least one of Bi 2 O 3 and Te0 2 as described above, Sb 2 O 3 and Se 2 O 3 , and the present invention in the first embodiment, the oxide is Sb 2 O 3 were used as Se 2 O 3 of Sb 2 O 3, the second embodiment was used as the Se 2 O 3.

이하 Bi2O3와 Te02 및 Sb2O3를 포함하여 P형 열전분말을 제조하는 제1실시예를 들어 설명한다.Hereinafter, a first embodiment of manufacturing a P-type thermopowder including Bi 2 O 3 , Te0 2, and Sb 2 O 3 will be described.

상기 재료준비단계(S100) 이후에는 기계적혼합단계(S200)가 실시된다. 상기 기계적혼합단계(S200)는 미리 준비된 TeO2분말, Bi2O3분말, Sb2O3분말을 볼밀링 공정을 이용하여 기계적으로 혼합하는 과정이다.After the material preparation step (S100), a mechanical mixing step (S200) is carried out. The mechanical mixing step (S200) is a process of mechanically mixing TeO 2 powder, Bi 2 O 3 powder, and Sb 2 O 3 powder prepared in advance using a ball milling process.

이때 상기 기계적혼합단계(S200)에서 제조되는 혼합분말은 미세조직의 조정이 가능하며, 입자 형상의 다변화가 가능하다.At this time, the mixed powder produced in the mechanical mixing step (S200) is capable of adjusting the microstructure, it is possible to diversify the particle shape.

그리고, 상기 혼합분말은 첨부된 도 3a 및 도 3b와 같이 Bi2O3-TeO2-Sb2O3 로 혼합된 상태로 존재하게 되며, 비스무스, 안티몬, 텔루륨은 Bi0 .5Sb1 .5Te3의 원자비를 갖는 조성을 나타낸다.Then, the mixed powder is be present in a state mixed with Bi 2 O 3 -TeO 2 -Sb 2 O 3 as in the Figs. 3a and 3b attached, bismuth, antimony, tellurium is Bi 0 .5 Sb 1. A composition having an atomic ratio of 5 Te 3 is shown.

도 3a는 본 발명의 제1실시예에 따른 열전분말의 제조방법에서 일 단계인 기계적혼합단계 따라 제조된 산화물분말의 상분석결과를 나타낸 XRD 그래프이고, 도 3b는 본 발명에 의한 제1실시예에 따른 열전분말의 제조방법에서 일 단계인 기계적혼합단계에 따라 제조된 산화물분말의 SEM 사진이다.Figure 3a is an XRD graph showing the results of the phase analysis of the oxide powder prepared according to the mechanical mixing step is a step in the method of manufacturing a thermal powder according to the first embodiment of the present invention, Figure 3b is a first embodiment according to the present invention SEM picture of the oxide powder prepared according to the mechanical mixing step, which is one step in the method for producing a thermal powder according to the present invention.

즉, 도 3a와 같이 기계적혼합단계(S200)를 기계적 볼밀링 공정으로 실시하였을 때 Bi2O3-TeO2-Sb2O3 혼합분말 상태를 나타내었으며, 도 3b의 SEM 사진과 같이 1㎛ 이하의 구형 입경을 갖게 되며, 상기 비스무스와 안티몬과 텔루륨은 0.5:1.5:3 의 원자비로 혼합되어 있다.That is, when performing the mechanical mixing step (S200) as a mechanical ball milling process as shown in Figure 3a, Bi 2 O 3 -TeO 2 -Sb 2 O 3 It showed a mixed powder state, 1㎛ or less as shown in the SEM picture of Figure 3b It has a spherical particle diameter of and bismuth, antimony and tellurium are mixed in an atomic ratio of 0.5: 1.5: 3.

상기 기계적혼합단계(S200) 이후에는 열처리단계(S300)가 실시된다. 상기 열처리단계(S300)는 산소를 포함하는 분위기로 350 내지 600℃의 온도에서 실시되는 과정으로 본 발명의 실시예에서는 대기분위기에서 실시하였다.After the mechanical mixing step (S200), a heat treatment step (S300) is performed. The heat treatment step (S300) is a process that is carried out at a temperature of 350 to 600 ℃ in an atmosphere containing oxygen in the embodiment of the present invention was carried out in the atmosphere.

상기 열처리단계(S300)가 완료되어 제조된 복합산화물분말은 첨부된 도 4a와 같이 2㎛이하의 입경 크기를 가지며, 첨부된 도 4b와 같이 TeO2-Sb2O4-Bi0.864Te0.136O1.568의 혼합분말 상태임을 알 수 있다.The composite oxide powder prepared by completing the heat treatment step (S300) has a particle size of 2 μm or less as shown in FIG. 4A, and TeO 2 -Sb 2 O 4 -Bi 0.864 Te 0.136 O 1.568 as shown in FIG. 4B. It can be seen that the mixed powder state of.

상기 열처리단계(S300) 이후에는 도 2와 같이 균질화단계(S350)가 선택적으로 실시될 수 있다.After the heat treatment step (S300) it may be selectively carried out a homogenization step (S350) as shown in FIG.

상기 균질화단계(S350)는 상기 복합산화물을 기계적 밀링 공정으로 균질화하는 과정이다.The homogenization step (S350) is a process of homogenizing the composite oxide by a mechanical milling process.

상기 균질화단계(S350) 이후에는 환원열처리단계(S400)가 실시된다. 상기 환원열처리단계(S400)는 250 내지 400℃의 온도 범위에서 수소분위기로 가열하여 텔루륨(Te), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb)의 휘발량이 최소화되도록 함과 동시에 (Bi2Te3 )X(Sb2Te3)1-X상을 가지는 열전분말을 제조하는 과정이다.After the homogenization step (S350), a reduction heat treatment step (S400) is carried out. The reduction heat treatment step (S400) is heated to a hydrogen atmosphere in the temperature range of 250 to 400 ℃ to minimize the volatilization of tellurium (Te), bismuth (Bi), antimony (Sb) and at the same time (Bi 2 Te 3 ) X (Sb 2 Te 3 ) It is a process for preparing a thermoelectric powder having a 1-X phase.

즉, 첨부된 도 5a와 같이 환원열처리단계(S400)의 실시에 따라 제조된 열전분말의 상분석 결과를 나타낸 XRD 그래프와 같이, (Bi2Te3 )X(Sb2Te3)1-X상을 나타내었으며, 도 5b와 같이 다양한 형상 및 크기를 가지는 열전분말의 제조가 가능하였다.That is, as shown in the XRD graph showing the results of the phase analysis of the thermopowder prepared according to the reduction heat treatment step (S400) as shown in Figure 5a, (Bi 2 Te 3 ) X (Sb 2 Te 3 ) 1-X phase As shown in Figure 5b, it was possible to prepare a thermal starch having a variety of shapes and sizes.

한편, 상기와 같은 과정에 따라 제조된 열전분말의 성능지수를 확인하기 위해 도 6과 같이 실험하였다.On the other hand, it was tested as shown in Figure 6 to confirm the performance index of the thermal powder prepared according to the above process.

도 6은 본 발명에 의한 산화물을 원료로 이용한 열전분말의 성능지수를 측정하기 위해 제조한 열전분말소결체 및 비교예의 소결체의 성능지수를 비교한 그래프로서, 도면과 같이, 본 발명의 바람직한 실시예의 열전분말로 제조된 열전분말소결체는 200℃ 이하의 온도에서 최대 1.1의 성능지수(ZT)를 나타내어, 잉곳(Ingot)을 원료로 하여 제조된 비교예의 성능지수보다는 전체적으로 높게 나타났다.Figure 6 is a graph comparing the performance index of the thermal powder sintered body and the sintered body of the comparative example prepared in order to measure the performance index of the thermal powder using the oxide according to the present invention, as shown in the figure, the thermoelectric of the preferred embodiment of the present invention The thermal powder sintered body made of powder exhibited a maximum performance index (ZT) of 1.1 at a temperature of 200 ° C. or lower, which was higher than the performance index of the comparative example prepared using Ingot as a raw material.

이하 첨부된 도 7a 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 제2실시예인 N형 열전분말의 구성 및 제조방법을 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying Figures 7a to 10 will be described the configuration and manufacturing method of the N-type thermoelectric powder of the second embodiment of the present invention.

본 발명의 제2실시예는 N형을 위한 (Bi2Se3 )X(Bi2Te3)1-X상을 제조할 수 있도록 비스무스(Bi)계 산화물, 텔루륨(Te)계 산화물 및 셀레늄(Se)계 산화물을 사용하였다.A second embodiment of the present invention is bismuth (Bi) oxide, tellurium (Te) oxide and selenium to prepare (Bi 2 Se 3 ) X (Bi 2 Te 3 ) 1-X phase for N-type (Se) type oxide was used.

즉, 상기 산화물은 Bi2O3와 Te02 및 Se2O3 를 포함시켜 N형 반도체를 제조할 수 있게 된다.That is, the oxide includes Bi 2 O 3 and Te0 2 and Se 2 O 3 to form an N-type semiconductor.

상기 열전분말의 제조방법은 전술한 P형 반도체를 제조하는 과정과 대부분 동일하므로 상세한 설명은 생략하며, 상이한 부분만 실험 결과를 토대로 상세하게 설명하기로 한다.Since the method of manufacturing the thermal powder is largely the same as the process of manufacturing the P-type semiconductor described above, a detailed description thereof will be omitted, and only different portions will be described in detail based on the experimental results.

상기 재료준비단계(S100)는 전술한 바와 같이 Bi2O3와 Te02및 Se2O3 를 포함하는 원료를 준비하는 과정이다.The material preparation step (S100) is a process of preparing a raw material including Bi 2 O 3 and Te0 2 and Se 2 O 3 as described above.

상기 재료준비단계(S100) 이후에는 기계적혼합단계(S200)가 실시된다. 상기 기계적혼합단계(S200)는 미리 준비된 TeO2분말, Bi2O3분말, Se2O3 분말을 볼밀링 공정을 이용하여 기계적으로 혼합하는 과정이다.After the material preparation step (S100), a mechanical mixing step (S200) is carried out. The mechanical mixing step (S200) is a process of mechanically mixing a TeO 2 powder, Bi 2 O 3 powder, Se 2 O 3 powder prepared in advance using a ball milling process.

이때 상기 기계적혼합단계(S200)에서 제조되는 혼합분말은 미세조직의 조정이 가능하며, 입자 형상의 다변화가 가능하다.At this time, the mixed powder produced in the mechanical mixing step (S200) is capable of adjusting the microstructure, it is possible to diversify the particle shape.

그리고, 상기 혼합분말은 첨부된 도 7a 및 도 7b와 같이 Bi2O3-TeO2-SeO2 로 혼합된 상태로 존재하게 되며, 비스무스, 셀레늄, 텔루륨은 Bi2Se0 .3Te2 .7의 원자비를 갖는 조성을 나타낸다.Then, the mixed powder is be present in a state mixed with Bi 2 O 3 -TeO 2 -SeO 2 as shown in the accompanying Figures 7a and 7b, bismuth, selenium, tellurium is Bi 2 Se 0 .3 Te 2. The composition which has an atomic ratio of 7 is shown.

도 7a는 본 발명에 의한 제2실시예에 따른 열전분말의 제조방법에서 일 단계인 기계적혼합단계에 따라 제조된 산화물분말의 상분석 결과를 나타낸 XRD 그래프이고, 도 7b는 본 발명에 의한 제2실시예에 따른 열전분말의 제조방법에서 일 단계인 기계적혼합단계에 따라 제조된 산화물분말의 SEM 사진이다.Figure 7a is an XRD graph showing the results of the phase analysis of the oxide powder prepared according to the mechanical mixing step, which is one step in the method of manufacturing a thermal powder according to the second embodiment of the present invention, Figure 7b is a second embodiment of the present invention SEM picture of the oxide powder prepared according to the mechanical mixing step, which is one step in the method for producing a thermal powder according to the embodiment.

즉, 도 7a와 같이 기계적혼합단계(S200)를 기계적 볼밀링 공정으로 실시하였을 때 Bi2O3-TeO2-SeO2 혼합분말 상태를 나타내었으며, 도 7b의 SEM 사진과 같이 1㎛ 이하의 입경을 갖게 되며, 상기 비스무스와 셀레늄과 텔루륨은 2:0.3:2.7 의 원자비로 혼합되어 있다.That is, when the mechanical mixing step (S200) is carried out by a mechanical ball milling process as shown in FIG. 7A, the Bi 2 O 3 -TeO 2 -SeO 2 mixed powder state is shown, and the particle diameter of 1 μm or less is shown in FIG. 7B. The bismuth, selenium and tellurium are mixed in an atomic ratio of 2: 0.3: 2.7.

상기 기계적혼합단계(S200) 이후에는 열처리단계(S300)가 실시된다. 상기 열처리단계(S300)는 산소를 포함하는 분위기로 250 내지 400℃의 온도에서 실시되는 과정으로 본 발명의 실시예에서는 대기분위기에서 실시하였다.After the mechanical mixing step (S200), a heat treatment step (S300) is performed. The heat treatment step (S300) is a process carried out at a temperature of 250 to 400 ℃ in an atmosphere containing oxygen in the embodiment of the present invention was carried out in the atmosphere.

상기 열처리단계(S300)가 완료되어 제조된 복합산화물분말은 첨부된 도 8a와 같이 2㎛이하의 입경 크기를 가지며, 첨부된 도 8b와 같이 Bi3 .2Te0 .8O6 .4-TeO2의 혼합분말 상태임을 알 수 있다.The heat treatment step The compound oxide powder (S300) is completed, is prepared having a particle diameter size of less than 2㎛ as in Figure 8a attached, as shown in the appended Fig. 8b Bi 3 .2 Te 0 .8 O 6 .4 -TeO It can be seen that the mixed powder state of 2 .

상기 열처리단계(S300) 이후에는 도 2와 같이 균질화단계(S350)가 선택적으로 실시될 수 있다.After the heat treatment step (S300) it may be selectively carried out a homogenization step (S350) as shown in FIG.

상기 균질화단계(S350)는 상기 복합산화물을 기계적 밀링 공정으로 균질화하는 과정이다.The homogenization step (S350) is a process of homogenizing the composite oxide by a mechanical milling process.

상기 균질화단계(S350) 이후에는 환원열처리단계(S400)가 실시된다. 상기 환원열처리단계(S400)는 250 내지 400℃의 온도 범위에서 수소분위기로 가열하여 텔루륨(Te), 비스무스(Bi), 셀레늄(Se)의 휘발량이 최소화되도록 함과 동시에 (Bi2Se3)X(Bi2Te3)1-X상을 가지는 열전분말을 제조하는 과정이다.After the homogenization step (S350), a reduction heat treatment step (S400) is carried out. The reduction heat treatment step (S400) is heated to a hydrogen atmosphere in the temperature range of 250 to 400 ℃ to minimize the volatilization of tellurium (Te), bismuth (Bi), selenium (Se) and at the same time (Bi 2 Se 3 ) X (Bi 2 Te 3 ) It is a process for preparing a thermal powder having a 1-X phase.

즉, 첨부된 도 9a와 같이 환원열처리단계(S400)의 실시에 따라 제조된 열전분말의 상분석 결과를 나타낸 XRD 그래프와 같이, (Bi2Se3)X(Bi2Te3)1-X상을 나타내었으며, 도 9b와 같이 다양한 형상 및 크기를 가지는 열전분말의 제조가 가능하였다.That is, as shown in the XRD graph showing the results of the phase analysis of the thermal powder prepared according to the reduction heat treatment step (S400) as shown in Figure 9a, (Bi 2 Se 3 ) X (Bi 2 Te 3 ) 1-X phase As shown in Figure 9b, it was possible to manufacture a thermal starch having a variety of shapes and sizes.

한편, 상기와 같은 과정에 따라 제조된 열전분말의 성능지수를 확인하기 위해 도 10과 같이 실험하였다.On the other hand, it was tested as shown in Figure 10 to confirm the performance index of the thermal powder prepared according to the above process.

도 10은 본 발명에 의한 제2실시예에 따른 열전분말의 성능지수를 측정하기 위해 제조한 열전분말소결체 및 비교예의 소결체의 성능지수를 비교한 그래프로서, 도면과 같이, 산화물을 원료로 하여 제조된 열전분말의 성능지수(ZT)는 200℃ 이하의 온도에서 최대 0.95의 성능지수를 나타냈으며, 잉곳(Ingot)을 원료로 하여 제조된 비교예의 성능지수보다는 전체적으로 높게 나타났다.FIG. 10 is a graph comparing the performance indexes of the thermal powder sintered body prepared in order to measure the performance index of the thermal powder according to the second embodiment of the present invention and the sintered body of the comparative example. The performance index (ZT) of the prepared thermal powder showed a maximum performance index of 0.95 at a temperature of 200 ° C. or lower, and was higher than the performance index of the comparative example manufactured using Ingot as a raw material.

이러한 본 발명의 범위는 상기에서 예시한 실시예에 한정되지 않고, 상기와 같은 기술범위 안에서 당업계의 통상의 기술자에게 있어서는 본 발명을 기초로 하는 다른 많은 변형이 가능할 것이다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and many other modifications based on the present invention will be possible to those skilled in the art within the scope of the present invention.

S100. 재료준비단계 S200. 기계적혼합단계
S300. 열처리단계 S350. 균질화단계
S400. 환원열처리단계S100. Material preparation step S200. Mechanical mixing step
S300. Heat treatment step S350. Homogenization step
S400. Reduction heat treatment step

Claims (4)

Bi2O3와 Te02를 반드시 포함하고, Sb2O3와 Se2O3중 어느 하나를 포함하는 산화물을 기계적 밀링으로 분쇄 및 혼합하여 혼합분말을 제조하고, 산소를 포함하는 분위기에서 혼합분말을 열처리하여 복합산화물을 제조한 후, 복합산화물을 기계적 밀링 공정으로 처리하여 균질화된 복합산화물을 제조하고, 균질화된 복합산화물을 수소 분위기에서 250 내지 400℃ 온도 범위로 가열하여 환원함으로써 (Bi2Te3)X(Sb2Te3)1-X상 또는 (Bi2Se3)X(Bi2Te3)1-X상을 갖는 것을 특징으로 하는 열전분말.
A mixed powder is prepared by pulverizing and mixing an oxide including Bi 2 O 3 and Te0 2 , and containing any one of Sb 2 O 3 and Se 2 O 3 by mechanical milling, and mixing powder in an atmosphere containing oxygen. After heat treatment to prepare a composite oxide, the composite oxide is treated by a mechanical milling process to produce a homogenized composite oxide, and the homogenized composite oxide is reduced by heating to a temperature range of 250 to 400 ℃ in a hydrogen atmosphere (Bi 2 Te 3 ) A thermoelectric powder comprising X (Sb 2 Te 3 ) 1-X phase or (Bi 2 Se 3 ) X (Bi 2 Te 3 ) 1-X phase.
Bi2O3와 Te02를 반드시 포함하고, Sb2O3와 Se2O3중 어느 하나를 포함하는 산화물을 기계적 밀링으로 분쇄 및 혼합하여 혼합분말을 제조하고, 산소를 포함하는 분위기에서 혼합분말을 열처리하여 복합산화물을 제조한 후, 복합산화물을 기계적 밀링 공정으로 처리하여 균질화된 복합산화물을 제조하고, 균질화된 복합산화물을 수소 분위기에서 250 내지 400℃ 온도 범위로 가열하여 환원함으로써 (Bi2Te3)X(Sb2Te3)1-X상 또는 (Bi2Se3)X(Bi2Te3)1-X상을 갖는 열전분말을 소결하여 형성됨을 특징으로 하는 열전분말소결체.
A mixed powder is prepared by pulverizing and mixing an oxide including Bi 2 O 3 and Te0 2 , and containing any one of Sb 2 O 3 and Se 2 O 3 by mechanical milling, and mixing powder in an atmosphere containing oxygen. After heat treatment to prepare a composite oxide, the composite oxide is treated by a mechanical milling process to produce a homogenized composite oxide, and the homogenized composite oxide is reduced by heating to a temperature range of 250 to 400 ℃ in a hydrogen atmosphere (Bi 2 Te 3 ) A thermopowder sintered body formed by sintering a thermopowder having X (Sb 2 Te 3 ) 1-X phase or (Bi 2 Se 3 ) X (Bi 2 Te 3 ) 1-X phase.
제 2 항에 있어서, 상기 Sb2O3와 Se2O3중 Sb2O3가 채택된 경우,
(Bi2Te3)X(Sb2Te3)1-X상을 가지는 열전분말소결체는 200℃ 이하의 온도에서 최대 1.1의 성능지수(ZT)를 갖는 것을 특징으로 하는 열전분말소결체.
The method of claim 2, wherein if the Sb 2 O 3 and O 2 Se 3 of Sb 2 O 3 was adopted,
(Bi 2 Te 3 ) X (Sb 2 Te 3 ) The thermopowder sintered body having a 1-X phase has a maximum performance index (ZT) of 1.1 at a temperature of 200 ° C. or less.
제 2 항에 있어서, 상기 Sb2O3와 Se2O3중 Se2O3가 채택된 경우,
(Bi2Se3)X(Bi2Te3)1-X상을 가지는 열전분말소결체는 200℃ 이하의 온도에서 최대 0.95의 성능지수(ZT)를 갖는 것을 특징으로 하는 열전분말소결체.The method according to claim 2, wherein when Se 2 O 3 of the Sb 2 O 3 and Se 2 O 3 is adopted,
(Bi 2 Se 3 ) X (Bi 2 Te 3 ) The thermopowder sintered body having a 1-X phase has a maximum performance index (ZT) of 0.95 at a temperature of 200 ℃ or less.
KR1020110142740A 2011-12-26 2011-12-26 A thermoelectric powder and Sintered body of thermoelectric powder KR20120013919A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110142740A KR20120013919A (en) 2011-12-26 2011-12-26 A thermoelectric powder and Sintered body of thermoelectric powder

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110142740A KR20120013919A (en) 2011-12-26 2011-12-26 A thermoelectric powder and Sintered body of thermoelectric powder

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100047760A Division KR101114252B1 (en) 2010-05-21 2010-05-21 Method for fabricating thermoelectric material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120013919A true KR20120013919A (en) 2012-02-15

Family

ID=45837288

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110142740A KR20120013919A (en) 2011-12-26 2011-12-26 A thermoelectric powder and Sintered body of thermoelectric powder

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120013919A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160072351A (en) * 2014-12-12 2016-06-23 재단법인대구경북과학기술원 Thermoelectric material for mid-temperature comprising tungsten diselenide of bulk type and the method for preparation thereof
CN109524663A (en) * 2018-11-22 2019-03-26 广东工业大学 A kind of negative electrode material and preparation method thereof of lithium ion/sodium-ion battery

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160072351A (en) * 2014-12-12 2016-06-23 재단법인대구경북과학기술원 Thermoelectric material for mid-temperature comprising tungsten diselenide of bulk type and the method for preparation thereof
CN109524663A (en) * 2018-11-22 2019-03-26 广东工业大学 A kind of negative electrode material and preparation method thereof of lithium ion/sodium-ion battery

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104766921B (en) Electrothermal module and the heat conversion device for using it
CN108238796B (en) Copper seleno solid solution thermoelectric material and preparation method thereof
WO2005104255A2 (en) High performance thermoelectric materials and their method of preparation
TWI656667B (en) Thermoelectric materials and their manufacturing method
CN107074666A (en) The porous thermoelectric generator of nanostructured
JP2013016685A (en) Thermoelectric conversion material, thermoelectric conversion element, and method for manufacturing the same
KR101114252B1 (en) Method for fabricating thermoelectric material
KR100795194B1 (en) Method for fabricating thermoelectric material by mechanical milling-mixing and thermoelectric material fabricated thereby
US7067733B2 (en) Thermoelectric material having crystal grains well oriented in certain direction and process for producing the same
JP2002151751A (en) Method of manufacturing thermoelectric element and thermoelectric module
KR20110112993A (en) Thermoelectric materials and method for manufacturing the same
JP6249426B2 (en) Thermoelectric material
TWI555243B (en) Thermoelectric materials and their manufacturing method
KR20120013919A (en) A thermoelectric powder and Sintered body of thermoelectric powder
CN105702847A (en) Method for increasing performance of BiTeSe-based N-type semiconductor thermoelectric material
KR101323319B1 (en) The manufacturing process of Bi-Te-Se thermoelectric materials doped with silver
CN108735887A (en) Mix antimony high-performance GeTe-PbTe solid solution thermoelectric materials and preparation method thereof
CN108640683B (en) A kind of preparation method of nano composite thermoelectric materials
KR101302490B1 (en) An Method for fabricating thermoelectric thick film made from thermoelectric powder having a bimodal size distribution
KR102269404B1 (en) Selenium content increased thermal element
KR101401078B1 (en) Method for fabricating thermoelectric powder having a bimodal size distribution
KR102401917B1 (en) Thermoelectric Material Composition for Thermoelectric Element and Thermoelectric Element including the same
KR101753215B1 (en) Compound semiconductors and manufacturing method thereof
KR101469759B1 (en) Manufacturing method for Fe-Sb thermoelectric material doped with Yb
KR101405364B1 (en) SYNTHESIZING METHOD FOR Al-DOPED Mn-Si THERMOELECTRIC MATERIAL AND THERMOELECTRIC MATERIAL SYNTHESIZED BY THE METHOD

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application