KR20120004163A - 유기발광다이오드 표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

유기발광다이오드 표시장치 및 그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 빛샘 현상을 줄일 수 있는 유기발광다이오드 표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터 상에 형성되고, 각 화소 영역에 대응하는 컬러필터와; 상기 컬러필터 상에 형성된 평탄막과; 상기 평탄막 상에 형성되어 상기 각 화소 영역을 구획하는 뱅크와; 상기 각 화소 영역 사이의 상기 뱅크 중앙부에서 상기 뱅크를 관통하여 상기 평탄막을 노출시키는 뱅크 도랑을 구비함을 특징으로 한다.

Description

유기발광다이오드 표시장치 및 그의 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode; 이하 OLED) 표시장치에 관한 것으로, 특히 각 화소 영역 사이의 뱅크 중앙부에 화소 영역의 장변과 평행함과 아울러 화소 영역의 장변 길이 이상의 뱅크 도랑(Trench)을 형성하여 빛샘 현상을 줄일 수 있는 OLED 표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
OLED 표시장치는 전극과, 유기 발광층으로 구성되며, 유기 발광층은 공통층과 발광층으로 구성된다. 종래기술에 따른 OLED 표시장치는 유기 발광층을 형성하기 위해, 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask)를 이용하여 기판 상에 R, G, B의 서브 화소 단위로 제조되었다.
한편, 최근 표시장치는 대면적화가 추세이며, 이러한 대면적을 갖는 표시장치를 제조하기 위해서는 제조 장비의 대형화가 필수적이다. 따라서, 파인 메탈 마스크 장비도 대형화가 요구되었으며, 큰 면적을 갖는 파인 메탈 마스크는 400Kg 이상의 무게를 갖게 되었다. 이에 따라, 장비의 장착이나 다른 파인 메탈 마스크로 교체 시 너무 많은 시간이 소요되었으며, 진공 증착 시 쳐짐 등이 발생하여 고해상도 구현이 어려운 문제가 발생되었다.
따라서, 대면적화와 고해상도 구현이 어려운 파인 메탈 마스크 방식 대신 백색 발광을 하는 유기 발광층을 형성하고, 서브 화소 단위로 R, G, B의 컬러필터를 형성하여 영상을 구현하는 화이트 OLED 표시장치가 소개되었다.
하지만, 종래기술에 따른 화이트 OLED 표시장치는 유기 발광층에서 출사된 광이 구동하고자 하는 R, G, B의 컬러필터를 경유하지 않고 OLED 표시장치 외부로 빠져나가는 빛샘 현상이 발생되었다. 빛샘 현상이 발생되면, 색 순도가 떨어져서 색 재현율이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 각 화소 영역 사이의 뱅크 중앙부에 화소 영역의 장변과 평행함과 아울러 화소 영역의 장변 길이 이상의 뱅크 도랑을 형성하여 빛샘 현상을 줄일 수 있는 OLED 표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터와;상기 박막 트랜지스터 상에 형성되고, 각 화소 영역에 대응하는 컬러필터와; 상기 컬러필터 상에 형성된 평탄막과; 상기 평탄막 상에 형성되어 상기 각 화소 영역을 구획하는 뱅크와; 상기 각 화소 영역 사이의 상기 뱅크 중앙부에서 상기 뱅크를 관통하여 상기 평탄막을 노출시키는 뱅크 도랑을 구비함을 특징으로 한다.
상기 이웃한 화소 영역의 장변 사이에 위치한 뱅크의 폭은 상기 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극 영역의 폭보다 작거나 같은 것을 특징으로 한다.
상기 뱅크 도랑은 상기 각 화소 영역의 장변과 평행하고, 상기 뱅크 도랑의 길이는 상기 각 화소 영역의 장변 길이 이상인 것을 특징으로 한다.
상기 평탄막 상에 형성되고 상기 박막 트랜지스터와 접속되는 제 1 전극과; 상기 뱅크 및 상기 제 1 전극 상에 형성되어 광을 출사시키는 유기 발광층과; 상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극을 추가로 구비함을 특징으로 한다.
상기 제 2 전극은 상기 광을 하측으로 반사시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터 상에 각 화소 영역에 대응하는 컬러필터를 형성하는 단계; 상기 컬러필터 상에 평탄막을 형성하는 단계; 상기 평탄막 상에 상기 각 화소 영역을 구획하는 뱅크를 형성하는 단계; 상기 각 화소 영역 사이의 상기 뱅크 중앙부에서 상기 뱅크를 관통하여 상기 평탄막을 노출시키는 뱅크 도랑을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
상기 이웃한 화소 영역의 장변 사이에 위치한 뱅크의 폭은 상기 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극 영역의 폭보다 작거나 같게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 뱅크 도랑은 상기 각 화소 영역의 장변과 평행하고, 상기 뱅크 도랑의 길이는 상기 각 화소 영역의 장변 길이 이상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 평탄막 상에 형성되고 상기 박막 트랜지스터와 접속되는 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 뱅크 및 상기 제 1 전극 상에 형성되어 광을 출사시키는 유기 발광층을 형성하는 단계; 상기 유기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함함을 특징으로 한다.
상기 제 2 전극은 상기 광을 하측으로 반사시키도록 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)의 금속 재질로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 OLED 표시장치는 R, G, B의 각 화소 영역 사이의 뱅크 중앙부에 화소 영역의 장변과 평행함과 아울러 화소 영역의 장변 길이 이상의 뱅크 도랑이 형성된다. 이에 따라, 다양한 반사 경로를 통해 뱅크에 입사된 광을 뱅크 도랑의 측면에서 차단하여 화소 영역간의 광 간섭을 방지하고, 입사된 광이 컬러필터를 거치지 않고 OLED 표시장치 외부로 방출되는 빛샘 현상을 방지한다.
또한, 본 발명에 따른 OLED 표시장치는 이웃한 화소 영역의 장변 사이에 위치한 뱅크의 폭을 소스 및 드레인 전극 형성 영역의 폭보다 작거나 같게 형성된다. 이에 따라, 뱅크에 입사되어서 하측으로 반사된 광이 소스 및 드레인 전극에서 차단되어 OLED 표시장치 외부로 방출되는 빛샘 현상을 추가적으로 방지한다. 따라서, 표시 영상의 색 순도가 높아져, 색 재현율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시장치의 단면도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시장치의 평면도.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
도 4a 및 도 4b는 종래와 본 발명의 빛샘 현상을 비교하기 위한 시뮬레이션.
도 5a 및 도 5b는 종래와 본 발명의 빛샘 현상을 비교하기 위한 실험 이미지.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시장치 및 그의 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시장치의 단면도이다. 그리고 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시장치의 평면도이다.
도 1에 도시된 OLED 표시장치는 박막 트랜지스터(이하, 'TFT')와, TFT 상에 형성되고 각 화소 영역(5)에 대응하는 R, G, B의 컬러필터(18)와, 컬러필터(18) 상에 형성되고 화소 콘택홀(34, 도 2c참고)을 통해 TFT와 접속된 제 1 전극(24)과, 제 1 전극(24) 상에 형성되고 화소 영역(5)을 구획하는 뱅크(30)와, 뱅크(30)와 제 1 전극(24)을 포함한 기판(2) 전면에 순차적으로 형성된 유기 발광층(26) 및 제 2 전극(28)을 구비한다.
TFT는 반도체층(8)과, 게이트 전극(12)과, 소스 및 드레인 전극(14, 16)을 구비한다. 구체적으로, 기판(2) 상에 버퍼층(4)이 형성되고, 버퍼층(4) 상에 반도체층(8)이 형성된다. 그리고 반도체층(8)을 포함한 버퍼층(4) 전면에 제 1 절연막(6)이 형성되고, 제 1 절연막(6) 상에 반도체층(8)에 대응되도록 게이트 전극(12)이 형성된다. 그리고 게이트 전극(12)을 포함한 제 1 절연막(6) 전면에 제 2 절연막(10)이 형성되고, 제 1 절연막(6)과 제 2 절연막(10)을 관통해서 반도체층(8)을 노출시키는 콘택홀들을 통해 반도체층(8)과 접속되는 소스 및 드레인 전극(14, 16)이 형성된다. 이때, 소스 및 드레인 전극(14, 16)은 게이트 전극(12)을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된다. 이러한, TFT의 소스 및 드레인 전극(14, 16) 상에는 제 1 평탄막(18)이 형성된다.
컬러필터(20)는 제 1 평탄막(18) 상에 형성되고, 각 화소 영역(5)에 대응되도록 R, G, B의 컬러필터(20)가 순차적으로 형성된다. 이렇게 형성된 R, G, B의 화소 영역(5)이 모여서 하나의 단위 화소(Pixel)을 구성하게 된다. 이러한 컬러필터(20) 상에는 제 2 평탄막(22)이 형성된다.
제 1 전극(24)은 제 2 평탄막(22)과 제 1 평탄막(18)을 관통하여 드레인 전극(16)을 노출시키는 화소 콘택홀(34, 도 2c참고)을 통해 드레인 전극(16)과 접속된다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 뱅크(30)는 R, G, B의 각 화소 영역(5) 사이에 형성된다. 그리고 뱅크(30)는 R, G, B의 각 화소 영역(5) 사이의 중앙부에 뱅크 도랑(32)이 형성된다. 뱅크 도랑(32)은 각 화소 영역(5)의 장변과 평행하며, 각 화소 영역(5)의 장변 길이보다 크거나 같다. 이러한 뱅크 도랑(32)은 R, G, B의 각 화소 영역(5) 사이의 중앙부를 관통하여 제 2 평탄막(22)의 표면을 노출시킨다. 따라서, 이웃한 R, G, B의 화소 영역(5) 사이에는 뱅크 도랑(32)을 사이에 두고 서로 이격된 제 1 및 제 2 뱅크(30a, 30b)가 형성된다. 한편, 뱅크(30)의 폭은 소스 및 드레인 전극(14, 16) 영역의 폭과 동일하거나 작게 형성된다. 여기서, 뱅크(30)의 폭은 이웃한 화소 영역(5)의 장변 사이에 위치한 뱅크(30)의 폭을 의미하며, 마주보는 장변 사이의 거리를 의미한다.
이러한 뱅크(30)는 이웃한 화소 영역(5)간의 광학적, 전기적인 간섭이 일어나지 않도록 함으로써 각 화소 영역(5)이 독립적으로 구동 및 발광 되도록 한다.
한편, 도 2에 도시된 스페이서(7)는 뱅크(30) 상에 바(Bar) 형태로 형성되고, 기판(2)을 보호하는 역할을 한다.
유기 발광층(26)은 제 1 전극(24)과 뱅크(30)를 포함한 기판(2) 전면에 형성되고, 제 2 전극(28)은 유기 발광층(26)을 포함한 기판(2) 전면에 형성된다.
여기서, 유기 발광층(26)은 순차적으로 적층된 제 1 스택과 제 2 스택을 구비한다. 제 1 스택은 제 1 정공 전달층과, 제 1 정공 수송층과, 청색 발광을 하는 제 1 발광층과, 제 1 전자 수송층 및, 제 1 전자 주입층을 구비한다. 제 2 스택은 제 2 정공 전달층과, 제 2 정공 수송층과, 하나의 호스트에 인광 적색과 녹색 도펀트를 함께 도핑한 제 2 발광층과, 제 2 전자 수송층 및 제 2 전자 주입층을 구비한다. 한편, 제 1 스택과 제 2 스택의 사이에는 전하 생성층이 형성된다. 이러한, 유기 발광층(26)은 제 1 및 제 2 발광층에 의해 백색의 광을 발생하게 된다. 유기 발광층(26)에서 출사된 광은 하부의 컬러필터(20)를 경유하면서 R, G, B의 컬러를 갖게 되고, 각 화소 영역(5)에 해당하는 영상을 구현하게 된다.
한편, 유기 발광층(26)에서 출사된 광 중에 일부는 컬러필터(20)를 통해 OLED 표시 장치 외부로 방출되지 않고 반사되며, 이하 설명의 편의를 위해 이러한 광을 '빛샘 광'이라 정의한다. 빛샘 광 중에 일부는 유기 발광층(26)에서 출사되어 제 1 전극(24)과, 제 1 평탄막(18)과, 소스 및 드레인 전극(14, 16)과, 컬러필터(18) 등에서 반사되어 뱅크(30)로 유입된다. 뱅크(30)로 유입된 빛샘 광은 뱅크 도랑(32)의 측면에서 차단되어, 이웃한 화소 영역(5)으로 이동하거나, 컬러필터(20)를 거치지 않고 OLED 표시장치 외부로 방출되는 것이 방지된다. 즉, 뱅크 도랑(32)은 뱅크(30)에 입사된 빛샘 광을 차단하여 화소 영역(5)간의 광 간섭을 방지하고, 입사된 빛샘 광이 컬러필터(20)를 거치지 않고 OLED 표시장치 외부로 방출되는 것을 방지한다. 한편, 뱅크(30)에 입사된 빛샘 광이 하측으로 반사 될지라도, 뱅크(30)의 폭이 소스 및 드레인 전극(14, 16) 형성 영역의 폭과 같거나 작게 형성되므로, 뱅크(30)에서 하측으로 반사된 빛샘 광이 소스 및 드레인 전극(14, 16)에서 차단된다.
이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시장치는 R, G, B의 각 화소 영역(5) 사이의 뱅크(30) 중앙부에 화소 영역(5)의 장변과 평행함과 아울러 장변 길이 이상의 뱅크 도랑(32)이 형성된다. 이에 따라, 다양한 반사 경로를 통해 뱅크(30)에 입사된 광을 뱅크 도랑(32)의 측면에서 차단하여 화소 영역(5)간의 광 간섭을 방지하고, 입사된 광이 컬러필터(20)를 거치지 않고 OLED 표시장치 외부로 방출되는 빛샘 현상을 방지한다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시장치는 이웃한 화소 영역의 장변 사이에 위치한 뱅크(30)의 폭이 소스 및 드레인 전극(14, 16) 형성 영역의 폭과 동일하거나 작게 형성된다. 이에 따라, 뱅크(30)에 입사되어서 하측으로 반사된 광은 소스 및 드레인 전극(14, 16)에서 차단되어 OLED 표시장치 외부로 방출되는 빛샘 현상을 추가적으로 방지한다. 따라서, 표시 영상의 색 순도가 높아져, 색 재현율을 향상시킬 수 있다.
한편, 도 2에 도시된 뱅크 도랑(32)은 직선 형태로 형성되었지만, R, G, B의 화소 영역(5) 사이에 빛샘 차단을 목적으로 형성되는 뱅크 도랑(32)은 지그재그 형태 또는 물결 무늬 등의 형태로 형성될 수 있다. 또한, 도 2에서는 R, G, B 의 화소 영역(5)을 구비하였지만, 백색 (W)의 화소 영역을 추가로 구비할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 장치의 제조방법을 살펴본다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
먼저, 도 3a를 참조하면, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition)등의 증착방법으로 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 증착하여 기판(2) 상에 버퍼층(4)을 형성한 후에, 그 위에 CVD등의 증착방법으로 아몰퍼스 실리콘(Si:H)을 증착하고 결정화하고 패터닝하여 폴리 실리콘(P-Si)으로 된 TFT의 반도체층(8)을 형성한다.
이어서, PECVD 또는 CVD등의 증착방법으로 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 증착하여 반도체층(8)을 포함한 기판(2) 전면에 제 1 절연막(6)을 형성한다.
한편, 제 1 절연막(6)의 형성 전 또는 형성 후에 반도체층(8)에 불순물 이온(예를들면 P+)을 도핑하여 소스 및 드레인 영역을 형성한다.
이어서, 알루미늄(Al), 알루미늄네오듐(AlNd), 몰리브덴(Mo) 중에서 어느 한 금속 또는 둘 이상의 금속이나 합금을 스퍼터링(Sputtering)등의 증착방법으로 증착한 후에 포토리소그래피(Photolithography) 공정 및 식각공정으로 패터닝하여, TFT의 게이트 전극(12), 게이트 전극(12)에 연결된 게이트 라인(미도시), 게이트 라인의 끝단에 연결된 게이트 패드(미도시), 스토리지 전극(미도시)등을 형성한다.
이어서, 게이트 전극(12)을 덮도록 PECVD 또는 CVD등의 증착방법으로 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 제 1 절연막(6) 상에 증착하여 제 2 절연막(10)을 형성한다. 이어서, 포토리소그래피공정 및 식각공정으로 제 1 및 제 2 절연막(6, 10)을 패터닝하여 반도체층(8)의 소스 및 드레인 영역을 각각 노출시키는 컨택홀들을 형성한다.
이어서, 스퍼터링 등 등의 증착방법으로 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 구리(Cu)등에서 선택된 금속, 이들의 적층 또는 합금으로 이루어진 소스/드레인 금속을 제 2 절연막(10) 상에 증착한다. 이어서, 포토리소그래피공정 및 식각공정으로 소스/드레인 금속을 패터닝하여 콘택홀들을 통해 각각 반도체층(8)에 접속되는 TFT의 소스 전극(14) 및 드레인 전극(16)과, 게이트 라인과 직교하는 데이터 라인, 데이터 라인의 끝단에 연결된 데이터 패드 등을 제 2 절연막(10) 상에 형성한다.
이어서, PECVD 또는 CVD등의 증착방법으로 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 제 2 절연막(10) 상에 증착해서 제 1 평탄막(18)을 형성한다.
이어서, 도 3b를 참조하면, 스핀 코터(Spin coater)방식 또는 슬릿 코터(Slit coater) 등의 방법으로 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러 수지를 제 1 평탄막(18) 상에 형성한 후, 포토리소그래피공정 및 식각공정으로 컬러수지를 패터닝하여 R, G, B의 컬러필터(20)를 형성한다.
이어서, 도 3c를 참조하면, 스핀 코터 또는 슬릿 코터 등의 방법으로 포토아크릴(Photo acrylic) 또는 폴리이미드(Polyimide) 등의 감광성 유기물질을 증착하여 제 2 평탄막(22)을 형성하고, 제 2 보호막을(22) 노광 및 현상함으로써 제 2 평탄막(22)을 관통하여 드레인 전극(16)을 노출시키는 화소 콘택홀(34)을 형성한다. 그리고 스퍼터링 등의 증착방법으로 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO), 틴 옥사이드(Tin Oxide: TO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide: IZO)와 같은 광투명한 전극소재를 증착하고 포토리소그래피 공정 및 식각공정으로 패터닝하여 화소 콘택홀(34)을 통해 드레인 전극(16)과 접속되는 제 1 전극(24)을 형성한다.
이어서, 도 3d를 참조하면, 폴리이미드 또는 포토레지스트 등의 감광성 유기재료를 전면 도포한 후에 포토리소그래피 공정으로 그 유기재료를 패터닝하여 각 화소 영역(5)을 구획하기 위한 뱅크(30)와 외부로부터 압력에 의한 물리적 손상을 방지함과 아울러 뱅크(5)에서 돌출되어 형성된 다수의 스페이서(7)를 형성한다. 이때, 뱅크(30)는 R, G, B의 각 화소 영역(5) 사이의 중앙부에 뱅크 도랑(32)이 형성되도록 패터닝 되고, 뱅크(30)의 폭은 소스 및 드레인 전극(14, 16) 영역의 폭과 동일하거나 작게 형성되도록 패터닝 된다. 또한, 뱅크 도랑(32)은 각 화소 영역(5)의 장변과 평행하며, 각 화소 영역(5)의 장변 길이 이상으로 패터닝 된다. 한편, 뱅크(30)와 뱅크 도랑(32) 및 다수의 스페이서(7)를 동시에 형성하기 위하여 포토마스크는 하프톤 마스크(Halftone mask) 또는 슬릿(회절) 마스크를 사용할 수 있다.
이어서, 도 3e를 참조하면, 증발법 또는 스핀 코터 방식으로 다수의 정공 전달층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 생성층, 전하 생성층을 포함하여 백색 발광을 하는 유기 발광층(26)을 형성한다.
이어서, 유기 발광층(26)에서 출사되는 광을 하측으로 반사하기 위해, 광반사율이 우수한 알루미늄(Al)이나 은(Ag) 등의 도전 재료를 전면 증착하여 제 2 전극(28)을 형성한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시장치 및 그의 제조방법은 R, G, B의 각 화소 영역(5) 사이의 뱅크(30) 중앙부에 화소 영역(5)의 장변과 평행함과 아울러 장변 길이 이상의 뱅크 도랑(32)이 형성된다. 이에 따라, 다양한 반사 경로를 통해 뱅크(30)에 입사된 광을 뱅크 도랑(32)의 측면에서 차단하여 화소 영역간의 광 간섭을 방지하고, 입사된 광이 컬러필터(20)를 거치지 않고 OLED 표시장치 외부로 방출되는 빛샘 현상을 방지한다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 OLED 표시장치 및 그의 제조방법은 이웃한 화소 영역의 장변 사이에 위치한 뱅크(30)의 폭이 소스 및 드레인 전극(14, 16) 형성 영역의 폭과 동일하거나 작게 형성된다. 이에 따라, 뱅크(30)에 입사되어서 하측으로 반사된 광은 소스 및 드레인 전극(14, 16)에서 차단되어 OLED 표시장치 외부로 방출되는 빛샘 현상을 추가적으로 방지한다. 따라서, 표시 영상의 색 순도가 높아져, 색 재현율을 향상 시킬 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 종래와 본 발명의 빛샘 현상을 비교하기 위한 시뮬레이션이다. 구체적으로, 도 4a는 종래 기술에 따른 OLED 표시장치의 시뮬레이션이고, 도 4b는 본 발명에 따른 OLED 표시장치의 시뮬레이션이다.
한편, 도 5a 및 도 5b는 종래와 본 발명의 빛샘 현상을 비교하기 위한 실험 이미지이다. 구체적으로, 도 5a는 종래 기술에 따른 OLED 표시장치의 실험 이미지이고, 도 5b는 본 발명에 따른 OLED 표시장치의 실험 이미지이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 종래 기술에 따른 OLED 표시장치는 이웃한 화소 영역의 장변 사이에 위치한 뱅크의 폭이 하부의 소스 및 드레인 영역의 폭보다 크거나 같아서 발광 영역 즉, 화소 영역 주변의 소스 및 드레인 영역에서 빛샘 현상이 발생된 것을 알 수 있다. 반면, 본 발명에 따른 OLED 표시장치는 화소 영역(발광 영역) 주변의 소스 및 드레인 영역에서 빛샘 현상이 발생되지 않은 것을 알 수 있다.
이와 같이, 빛샘 현상이 줄어드는 본 발명의 효과는 도 5a 및 도 5b를 통해서도 알 수 있다. 즉, 종래 기술에 따른 OLED 표시장치는 화소 영역 주변에 빛샘 현상이 많이 발생되지만, 본 발명에 따른 OLED 표시장치는 종래에 비해 빛샘 현상이 줄어든 것을 알 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
20: 컬러필터 22: 제 2 평탄막
24: 제 1 전극 26: 유기 발광층
30: 뱅크 32: 뱅크 도랑

Claims (10)

  1. 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터와;
    상기 박막 트랜지스터 상에 형성되고, 각 화소 영역에 대응하는 컬러필터와;
    상기 컬러필터 상에 형성된 평탄막과;
    상기 평탄막 상에 형성되어 상기 각 화소 영역을 구획하는 뱅크와;
    상기 각 화소 영역 사이의 상기 뱅크 중앙부에서 상기 뱅크를 관통하여 상기 평탄막을 노출시키는 뱅크 도랑을 구비함을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 이웃한 화소 영역의 장변 사이에 위치한 뱅크의 폭은
    상기 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극 영역의 폭보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 뱅크 도랑은
    상기 각 화소 영역의 장변과 평행하고, 상기 뱅크 도랑의 길이는 상기 각 화소 영역의 장변 길이 이상인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 평탄막 상에 형성되고 상기 박막 트랜지스터와 접속되는 제 1 전극과;
    상기 뱅크 및 상기 제 1 전극 상에 형성되어 광을 출사시키는 유기 발광층과;
    상기 유기 발광층 상에 형성된 제 2 전극을 추가로 구비함을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은
    상기 광을 하측으로 반사시키는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
  6. 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터 상에 각 화소 영역에 대응하는 컬러필터를 형성하는 단계;
    상기 컬러필터 상에 평탄막을 형성하는 단계;
    상기 평탄막 상에 상기 각 화소 영역을 구획하는 뱅크를 형성하는 단계;
    상기 각 화소 영역 사이의 상기 뱅크 중앙부에서 상기 뱅크를 관통하여 상기 평탄막을 노출시키는 뱅크 도랑을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 이웃한 화소 영역의 장변 사이에 위치한 뱅크의 폭은
    상기 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극 영역의 폭보다 작거나 같게 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 뱅크 도랑은
    상기 각 화소 영역의 장변과 평행하고, 상기 뱅크 도랑의 길이는 상기 각 화소 영역의 장변 길이 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 평탄막 상에 형성되고 상기 박막 트랜지스터와 접속되는 제 1 전극을 형성하는 단계;
    상기 뱅크 및 상기 제 1 전극 상에 형성되어 광을 출사시키는 유기 발광층을 형성하는 단계;
    상기 유기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 추가로 포함함을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은
    상기 광을 하측으로 반사시키도록 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)의 금속 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104157668A (zh) * 2013-05-13 2014-11-19 三星显示有限公司 有机电致发光显示器
KR20160078608A (ko) * 2014-12-24 2016-07-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이를 제조하는 방법
KR20160149599A (ko) * 2015-06-18 2016-12-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 패널 및 이를 이용한 플렉서블 표시 장치
KR20170010172A (ko) * 2015-07-15 2017-01-26 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR20170054496A (ko) * 2014-12-19 2017-05-17 제이에스알 가부시끼가이샤 발광 장치 및 그의 제조 방법, 격벽의 제조 방법, 그리고 감방사선성 재료
KR20170079336A (ko) * 2015-12-30 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드표시장치
WO2019183898A1 (en) * 2018-03-29 2019-10-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel and apparatus, and fabricating method thereof
EP3664147A1 (en) * 2018-12-07 2020-06-10 LG Display Co., Ltd. Electroluminescent display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002208491A (ja) * 2000-11-09 2002-07-26 Toshiba Corp 自己発光型表示装置
JP2004071365A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Hitachi Ltd 有機発光表示装置
KR20070051636A (ko) * 2006-04-03 2007-05-18 주식회사 대우일렉트로닉스 유기 발광 소자
JP2009238456A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Casio Comput Co Ltd エレクトロルミネッセンスパネル

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002208491A (ja) * 2000-11-09 2002-07-26 Toshiba Corp 自己発光型表示装置
JP2004071365A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Hitachi Ltd 有機発光表示装置
KR20070051636A (ko) * 2006-04-03 2007-05-18 주식회사 대우일렉트로닉스 유기 발광 소자
JP2009238456A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Casio Comput Co Ltd エレクトロルミネッセンスパネル

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104157668B (zh) * 2013-05-13 2018-10-16 三星显示有限公司 有机电致发光显示器
CN104157668A (zh) * 2013-05-13 2014-11-19 三星显示有限公司 有机电致发光显示器
KR20170054496A (ko) * 2014-12-19 2017-05-17 제이에스알 가부시끼가이샤 발광 장치 및 그의 제조 방법, 격벽의 제조 방법, 그리고 감방사선성 재료
KR20160078608A (ko) * 2014-12-24 2016-07-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이를 제조하는 방법
KR20160149599A (ko) * 2015-06-18 2016-12-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 패널 및 이를 이용한 플렉서블 표시 장치
KR20170010172A (ko) * 2015-07-15 2017-01-26 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR20170079336A (ko) * 2015-12-30 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드표시장치
WO2019183898A1 (en) * 2018-03-29 2019-10-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel and apparatus, and fabricating method thereof
CN110612607A (zh) * 2018-03-29 2019-12-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN110612607B (zh) * 2018-03-29 2022-04-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
US11563197B2 (en) 2018-03-29 2023-01-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel and apparatus, and fabricating method thereof
EP3664147A1 (en) * 2018-12-07 2020-06-10 LG Display Co., Ltd. Electroluminescent display device
CN111293139A (zh) * 2018-12-07 2020-06-16 乐金显示有限公司 电致发光显示装置
US11211588B2 (en) 2018-12-07 2021-12-28 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device
CN111293139B (zh) * 2018-12-07 2023-11-03 乐金显示有限公司 电致发光显示装置

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