KR20120003713A - 일렉트로 웨팅 디스플레이 장치 - Google Patents

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KR20120003713A
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Abstract

본 발명은, 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상에 형성된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소전극과; 상기 화소전극 위로 형성되며 그 표면에 수 나노미터 내지 수 백 나노미터의 크기의 다수의 돌기가 구비된 제 1 보조층과; 상기 제 1 보조층 상부로 각 화소영역의 경계에 형성된 격벽과; 상기 제 1 보조층 상부에 상기 격벽으로 둘러싸인 각 화소영역에 형성된 블랙 오일층과; 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판과; 상기 제 2 기판의 내측면에 형성된 컬러필터층과; 상기 컬러필터층 하부에 형성된 공통전극과; 상기 소수성막 하부로 상기 격벽 내측으로 형성된 무극성의 블랙 오일층과; 상기 공통전극과 상기 블랙 오일층 사이에 개재된 극성의 액체층을 포함하는 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치를 제공한다.

Description

일렉트로 웨팅 디스플레이 장치{Electro wetting display device}
본 발명은 평판표시장치에 관한 것이며, 특히 전기적 젖음성을 이용한 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치에 관한 것이다.
최근에 소비전력이 낮고, 휴대성이 양호한 기술 집약적이며, 경량 박형의 특징을 갖는 평판 디스플레이(display) 장치가 가장 일반적인 표시장치인 CRT를 대체하고 있다.
이러한 경량 박형을 갖는 평판 표시장치 중 하나로써 전기적 젖음성 특성을 이용한 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display)가 최근 주목받고 있다.
상기 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 소자는 극성액체의 전기적 젖음성(electro wetting) 특성을 광 스위칭 도구로 적용한 것을 특징으로 한다.
도 1은 전기적 젖음성(electro wetting) 특징을 설명하기 위한 도면이다.
전기적 젖음성(electro wetting)이란 계면에 존재하는 전하에 의하여 계면의 표면장력이 변하여 상기 계면 상부에 형성되는 액상의 물질의 상기 계면과의 접촉각이 변하는 현상이다.
도시한 바와 같이, 기판(2)상의 전면에 형성된 전극(3)위로 형성된 소수성 특성을 갖는 즉, 소수성막(4)에 H2O와 같이 극성을 띠는 액체를 떨어뜨리면 상기 소수성막(4)과 젖음 특성이 좋지 않아 통상 60도 이상의 크기를 갖는 제 1 접촉각(θ1)을 가지며 상기 소수성막(4)에 극성 액체막(5a)이 형성된다.
하지만, 이러한 소수성막(4)에 전계를 걸어주면 자체적인 젖음성 특성이 증가하여 도시한 바와 같이 소수성막(4)에 대해 상기 제 1 접촉각(θ1)보다 작은 제 2 접촉각(θ2: 통상 30도보다 작음)을 가지며 넓게 퍼져 그 표면이 비교적 평평한 상태를 유지하며 상기 극성 액체막(5b)이 형성되게 된다.
일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치는 이러한 전계 인가에 의한 젖음성 특성이 변화되는 것을 이용한 것을 특징으로 하고 있다.
도 2는 종래의 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치의 다수의 화소영역을 포함하는 영역에 대한 단면도이다.
도시한 바와같이, 종래의 일레트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(10)는 상부의 컬러필터 기판(61)과 하부의 어레이 기판(11)으로 구성되고 있다.
우선, 하부의 어레이 기판(11)의 구조를 살펴보면, 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 서로 교차하며 형성되어 있으며, 이들 두 배선(미도시)으로 둘러싸여 화소영역(P)이 정의되고 있으며, 상기 화소영역(P)에는 도면에 나타나지 않았지만 스위칭 소자인 박막트랜지스터(미도시)가 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터(미도시)의 일전극과 연결되며 화소전극(22)이 각 화소영역(P)별로 형성되어 있다.
또한, 상기 화소전극(22) 상부로 전면에는 평탄화 특성을 갖도록 하기 위해 그 표면이 평탄한 평탄화층(30)이 형성되고 있으며, 상기 평탄화층(30) 위로 소수성 특징을 갖는 물질로 이루어진 소수성막(40)이 형성되어 있다.
또한, 상기 소수성막(37) 상부로 각 화소영역(P)의 경계에 상기 화소영역(P) 각각을 테두리하며 격벽(45)이 형성되고 있으며, 상기 격벽(45) 내측으로 상기 소수성막(40) 상부에는 무극성 특성을 가지며 인가되는 전압에 의해 빛을 투과를 개폐하는 블랙 오일층(50)이 형성되고 있다.
다음, 상기 어레이 기판(11)과 마주하는 컬러필터 기판(61)을 단면 구조를 살펴보면, 그 내측면에 각 화소영역(P)에 대응하여 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(66a, 66b, 66c)을 갖는 컬러필터층(66)이 형성되어 있다. 또한, 상기 컬러필터층(66) 하부로 전면에 공통전극(70)이 형성되어 있다.
또한, 상기 어레이 기판(11)과 상기 컬러필터 기판(61) 사이에는 극성 특성을 갖는 액체 예를들어 H2O로써 극성 액체층(55)이 형성되어 있으며, 도면에는 나타나지 않았으나 상기 어레이 기판(11) 및 컬러필터 기판(61)의 테두리를 따라 상기 극성의 액체층(55)이 외부로 새는 것을 방지하며, 이들 두 기판(11, 61)이 하나의 패널상태를 유지하도록 하기 위해 씰패턴(미도시)이 형성되어 있다.
또한, 도면에 나타나지 않았지만, 상기 어레이 기판(11)의 외측면으로는 백라이트(back-light)(미도시)가 구비되어 빛을 공급하는 바, 상기 게이트 배선(미도시)으로 상기 박막트랜지스터(미도시)의 온(on)/오프(off) 신호가 순차적으로 스캔 인가되어 선택된 화소영역(P)의 화소전극(22)에 상기 데이터 배선(미도시)의 화상신호가 전달되면 상부의 공통전극(70)과의 수직전계에 의해 상기 무극성의 블랙 오일층(50)이 각 화소영역(P)에서 개폐됨으로써 빛의 투과율 변화로 여러 가지 화상을 표시할 수 있다.
이러한 구성을 갖는 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(10)의 구동에 대해 설명하면, 전압 오프(off) 상태일 경우(청색 컬러필터 패턴(66c)을 갖는 화소영역(P) 참조)에는 상기 어레이 기판(11)의 최상층에 소수성막(40)이 형성되고 있는 바, 상기 무극성의 블랙 오일층(50)이 상기 어레이 기판(11)의 화소영역(P)을 완전히 덮는 형태를 갖게 됨으로써 하부의 백라이트(미도시)로부터 나온 빛을 투과시키지 않게 된다.
한편, 전압 온(on) 상태의 경우(적색 및 녹색 컬러필터 패턴(66a, 66b)을 갖는 화소영역 참조)에는, 전압이 인가되어 상기 화소전극(22)과 공통전극(70) 사이에 전계가 형성되면 상기 소수성막(40)이 전기적 젖음성(electro wetting) 현상(전도성 유체 즉, 극성의 액체의 표면장력을 제어함으로써 극성의 액체의 접촉각과 극성 및 무극성 액체간의 계면의 형상을 변화시키는 현상)에 의해 친수성 특성 즉, 극성의 액체의 접촉각이 낮아지게 되며, 이로인해 상기 무극성의 블랙 오일층(50) 상부에 존재하던 극성의 액체(H2O)층(55)이 상기 블랙 오일층(50)을 각 화소영역의 측면으로 밀어내게 되어 개구영역(op)을 형성함으로써 하부의 백라이트로(미도시)부터 나온 빛을 통과시키게 됨으로써 화상을 표시하기 된다.
전술한 구성을 갖는 종래의 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(10)는 화소전극(22) 위로 평탄한 표면을 갖는 평탄화층(30)이 형성되어 있으며, 상기 평탄화층(30) 위로 소수성을 갖는 물질로 이루어진 소수성막(40)이 형성되고 있다.
따라서, 종래의 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(10)는 공통전극(70)과 화소전극(22)과 이들 두 전극(70, 22) 사이에 개재된 물질층 더욱 정확히는 극성의 액체층(55) 및 블랙 오일층(50)을 제외한 물질층 즉, 평탄화층(30)과 소수성막(40)으로 구성되는 스토리지 커패시터의 용량의 저하가 발생하고 있으며, 상기 평탄화층(30)과 소수성 물질로 이루어진 상기 소수성막(40)의 접착력 등의 문제로 인해 상기 소수성막(40)이 상기 평탄화층 표면으로부터 떨어지는 등의 문제가 발생하여 불량률이 증가되는 등의 문제가 발생되고 있는 실정이다.
상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명에서는 스토리지 커패시터 용량을 향상시키고, 평탄화층과 소수성 막의 접합력 저하에 따른 불량을 방지하며, 스토리지 커패시터 용량을 향상시킬 수 있는 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치는, 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상에 형성된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소전극과; 상기 화소전극 위로 형성되며 그 표면에 수 나노미터 내지 수 백 나노미터의 크기의 다수의 돌기가 구비된 제 1 보조층과; 상기 제 1 보조층 상부로 각 화소영역의 경계에 형성된 격벽과; 상기 제 1 보조층 상부에 상기 격벽으로 둘러싸인 각 화소영역에 형성된 블랙 오일층과; 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판과; 상기 제 2 기판의 내측면에 형성된 컬러필터층과; 상기 컬러필터층 하부에 형성된 공통전극과; 상기 소수성막 하부로 상기 격벽 내측으로 형성된 무극성의 블랙 오일층과; 상기 공통전극과 상기 블랙 오일층 사이에 개재된 극성의 액체층을 포함한다.
이때, 상기 다수의 돌기는 상기 제 1 보조층 자체가 식각되어 형성됨으로써 상기 제 1 보조층과 동일한 물질로 이루어지며, 이 경우 상기 다수의 돌기는 상기 제 1 보조층에 식각액을 스프레이법에 의해 분무하여 상기 제 1 보조층이 상기 식각액에 수 초간 노출되도록 함으로써 형성된 것이 특징이다.
또한 상기 다수의 돌기는 상기 제 1 보조층과 다른 물질로 이루어진 것이 특징이다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치는, 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상에 형성된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소전극과; 상기 화소전극 위로 형성된 제 1 보조층과; 상기 제 1 보조층 위로 형성되며 그 표면에 수 나노미터 내지 수 백 나노미터의 크기의 다수의 돌기가 구비된 제 2 보조층과; 상기 제 2 보조층 상부로 각 화소영역의 경계에 형성된 격벽과; 상기 제 2 보조층 상부에 상기 격벽으로 둘러싸인 각 화소영역에 형성된 블랙 오일층과; 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판과; 상기 제 2 기판의 내측면에 형성된 컬러필터층과; 상기 컬러필터층 하부에 형성된 공통전극과; 상기 소수성막 하부로 상기 격벽 내측으로 형성된 무극성의 블랙 오일층과; 상기 공통전극과 상기 블랙 오일층 사이에 개재된 극성의 액체층을 포함한다.
이때, 상기 다수의 돌기는 상기 제 2 보조층에 식각액을 스프레이법에 의해 분무하여 상기 제 2 보조층이 상기 식각액에 수 초간 노출되도록 함으로써 형성된 것이 특징이다.
또한, 상기 극성의 액체층은 H2O인 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1 기판 상에는 상기 박막트랜지스터와 연결되며 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선이 형성되며, 상기 박막트랜지스터 위로 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀이 구비된 보호층이 구비되며, 상기 화소전극은 상기 보호층 상부에 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하며 형성된 것이 특징이다.
또한, 상기 제 2 기판과 상기 컬러필터층 사이에는 상기 게이트 및 데이터 배선에 대응하여 블랙매트릭스가 형성되며, 상기 컬러필터층은 순차 반복되는 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴으로 이루어진 것이 특징이다.
또한, 상기 제 1 기판 외측면에 백라이트 유닛을 포함한다.
또한, 상기 다수의 돌기는 그 단면 모양이 사각형, 삼각형, 사다리꼴, 반원형, 반타원형 중 어느 하나의 형태를 이루는 것이 특징이다.
이와 같이, 본 발명에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치는 별도의 소수성 특성을 갖는 물질을 평탄화층 상부에 형성함 없이 평탄화층 자체의 표면에 수 나노미터 또는 수백 나노미터 정도의 크기(폭, 높이)를 갖는 다수의 돌기를 형성하거나, 또는 평탄화층과 접합력이 우수한 물질을 이용하여 그 표면에 수 나노미터 또는 수백 나노미터 정도의 크기(폭, 높이)의 다수의 돌기를 갖는 보조층을 형성함으로써 소수성 특성을 갖는 물질적 제한을 없앰으로서 제품 설계의 자유도를 향상시키는 장점이 있으며, 소수성 물질로 이루어진 소수성 막을 삭제함으로서 재료비 절감에 의한 제조 비용을 저감시키는 효과가 있다.
또한, 화소전극 상부에 평탄화층만이 형성되어 공통전극과 화소전극 사이에 개재되는 물질층의 두께를 최소화함으로써 스토리지 커패시터 용량을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 표면에 수 나노미터 내지 수백 나노미터 수준의 크기의 다수의 돌기 갖는 평탄화층만이 형성되거나, 또는 평탄화층과 접합력이 우수한 물질로서 보조층이 형성되므로 접합력이 약해 상기 평탄화층으로부터 박리되는 등의 불량이 발생되지 않으므로 불량률을 저감시키는 효과가 있다.
도 1은 전기적 젖음성(electro wetting) 특징을 설명하기 위한 도면.
도 2는 종래의 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 소자의 다수의 화소영역을 포함하는 영역에 대한 단면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 소자의 다수의 화소영역을 포함하는 영역에 대한 단면도.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 소자의 다수의 화소영역을 포함하는 영역에 대한 단면도.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 소자의 다수의 화소영역을 포함하는 영역에 대한 단면도.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
<제 1 실시예>
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치의 다수의 화소영역을 포함하는 영역에 대한 단면도이다. 이때, 적색 컬러필터 패턴(166a)이 구비된 화소영역에 대해서는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)를 함께 도시하였으며, 청색 컬러필터 패턴(166c)이 형성된 화소영역에서는 화소전극(150)과 공통전극(170) 간에 전계가 형성되어 젖음성 특성이 발현된 상태를 도시하였다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(100)는 각 화소영역(P) 내에 박막트랜지스터(Tr)와 화소전극(150)과 그 구조적 특징에 의해 소수성을 갖는 것을 특징으로 하는 평탄화층(155)과 격벽(160)과 무극성 블랙 오일층(165)을 포함하는 어레이 기판(111)과, 이에 대응하여 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(176a, 176b, 176c)을 포함하는 컬러필터층(176)과 공통전극(180)을 포함하는 컬러필터 기판(171)과, 이들 두 기판(111, 171) 사이에 극성의 액체층(170)이 씰패턴(미도시)에 의해 봉함되어 구성되어 있다.
또한, 도면에 나타나지 않았지만 상기 어레이 기판(111)의 하부에는 빛을 공급하는 백라이트 유닛(미도시)이 더욱 구성되어 있다.
우선, 상기 어레이 기판(111)에 구조에 대해 설명한다.
상기 어레이 기판(111)에는 서로 교차하여 다수의 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(130)이 형성되어 있다.
또한, 상기 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(130)이 교차하는 부근에는 게이트 전극(113)과, 게이트 절연막(115)과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층(120a)과 상기 액티브층(120a) 상부에서 서로 이격하며 불순물 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹콘택층(120b)으로 구성된 반도체층(120)과, 상기 반도체층(120) 상부에서 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)로 구성되는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 형성되어 있다.
이때, 상기 박막트랜지스터(Tr)의 게이트 전극(113)은 상기 게이트 배선(미도시)과 연결되고 있으며, 상기 소스 전극(133)은 상기 데이터 배선(130)과 연결되고 있다.
상기 게이트 배선(미도시)은 각 화소영역(P) 내에 구비된 상기 박막트랜지스터(Tr)를 온(on)/오프(off) 시킬 수 있도록 상기 박막트랜지스터(Tr)의 게이트 전극(113)과 연결되고 있는 것이며, 상기 데이터 배선(130)은 최종적으로 상기 각 화소영역(P)에 구비된 화소전극(150)에 신호전압을 공급하기 위해 상기 소스 전극(133)과 연결되고 있는 것이다.
또한, 상기 박막트랜지스터(Tr) 및 데이터 배선(130) 위로 상기 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 갖는 보호층(140)이 형성되어 있으며, 상기 보호층(140) 상부로 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 드레인 전극(136)과 접촉하며 각 화소영역(P)별로 화소전극(150)이 형성되어 있다.
또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(100)용 어레이 기판(111)에 있어 가장 특징적인 것으로, 상기 화소전극(150) 위로 투명한 절연물질로 그 하부에 위치하는 상기 화소전극(150)이 형성된 부분과 형성되지 않은 부분간의 단차가 그 표면에 표현되지 않고 비교적 평탄한 표면을 가지며, 상기 표면에 수 나노미터 내지 수백 나노미터 정도의 크기(폭, 높이)를 갖는 돌기(157)가 구비된 평탄화층(155)이 형성되고 있는 것이 특징이다.
한편, 도면에서는 상기 평탄화층(155) 표면에 구비된 상기 돌기(157)가 일정한 이격간격을 가지며 형성되고 있는 것처럼 도시되었지만, 수 나노미터 내지 수백 나노미터 정도의 크기(폭, 높이)를 갖는 상기 다수의 돌기(157)는 불규칙적으로 형성될 수도 있다.
또한, 상기 돌기(157)는 도면에 있어서는 마치 사각형의 톱니형태를 갖도록 도시되고 있지만, 그 단면형태는 사다리꼴, 삼각형, 반타원형, 반원 등 다양한 형태를 이룰 수 있다.
이렇게 그 평탄화층(155)의 표면에 수 나노미터 내지 수백 나노미터 정도의 크기(폭, 높이)를 갖는 상기 다수의 돌기(157)가 구비되는 경우, 상기 미세한 크기를 갖는 다수의 돌기에 의해 상기 평탄화층(155) 표면과 접촉하는 극성의 액체층(170)와의 접촉각을 크게 함으로써 소수성이 부여되게 된다.
접촉각이란 물질층 표면에 위치한 물방울에 있어서 물방울의 측면과 상기 물질층의 표면이 이루는 각도라 정의되며, 이러한 접촉각이 30도보다 작으면 친수성, 60도보다 큰 경우는 소수성을 갖는다 정의되고 있다.
한편, 통상적으로 소수성 특성을 갖는 물질로 이루어진 물질층은 통상 60도 내지 70도 정도의 접촉각을 이루게 있으며, 본 발명에서와 같이 상기 평탄화층(155) 표면에 수 나노미터 내지 수백 나노미터 정도의 크기(폭, 높이)를 갖는 상기 다수의 돌기(157)가 구비되는 경우도 60도 내지 70도 정도의 접촉각을 이루게 됨으로써 소수성을 갖는 것이 특징이다.
이렇게 평탄화층(155) 표면에 수 나노미터 내지 수백 나노미터 정도의 크기(폭, 높이)를 갖는 상기 다수의 돌기(157)가 구비됨으로써 소수성을 갖도록 하는 것은 상기 평탄화층(155)을 이루는 물질의 재질 특성에는 거의 영향이 없으며 상기 평탄화층(155)이 친수성을 갖는 물질로 이루어지더라도 그 구조적 특성상 소수성을 갖게 되는 것이 특징이다.
그러므로, 본 발명의 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(100)의 경우 평탄화층(155) 자체로서 그 표면이 소수성을 갖게되므로 별도로 상기 평탄화층(155) 상부에 소수성 막을 형성할 필요가 없다.
따라서, 소수성 특성을 갖는 물질로 이루어진 소수성막(도 1의 40)을 추가적으로 형성하는 종래의 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(도 1의 10)대비 재료비를 저감시킬 수 있으며, 소수성막 삭제에 의해 상기 소수성 막이 형성됨으로써 상기 소수성막 내부에서 소실되는 빛량을 억제할 수 있으므로 휘도 특성을 향상시키는 효과를 갖는 것이 특징이다.
나아가, 소수성막을 삭제함으로써 상기 화소전극(150)과 공통전극(180) 간의 거리 또한 상대적으로 줄어들게 됨으로써 단위 면적당 스토리지 커패시터 용량을 향상시키는 효과를 갖는다.
다음, 전술한 바와같이 표면에 수 나노미터 내지 수백 나노미터 정도의 크기(폭, 높이)를 갖는 다수의 돌기(157)가 구비된 평탄화층(155) 상부에는 각 화소영역(P)의 경계에 격벽(160)이 형성되어 있다.
또한, 상기 격벽(160) 사이의 각 화소영역(P)에는 무극성 특성을 가지며 빛을 차단하는 것을 특징으로 하는 블랙 오일층(180)이 형성되어 있다.
다음, 전술한 구성을 갖는 어레이 기판(111)에 대응하는 컬러필터 기판(171)의 구성에 대해 설명한다.
상기 어레이 기판(111)과 일정간격 이격하며 대향하는 컬러필터 기판(171)의 내측면에는 상기 어레이 기판(111)의 게이트 및 데이터 배선(미도시, 130)과 박막트랜지스터(Tr)가 형성된 영역에 대응하여 블랙매트릭스(173)가 형성되어 있으며, 상기 블랙매트릭스(173)를 덮으며 각 화소영역(P)별로 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(176a, 176b, 176c)을 순차 반복하는 형태를 갖는 컬러필터층(176)이 형성되어 있다.
또한, 상기 컬러필터층(176)을 덮으며 전면에 투명 도전성 물질로써 공통전극(180)이 형성되어 있다. 이때, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 컬러필터층(176)과 공통전극(180) 사이에는 상기 컬러필터층(176)의 단차를 없애며 상기 컬러필터층(176)의 보호를 위한 오버코트층(미도시)이 더욱 구비될 수도 있다.
이러한 구성을 갖는 상기 어레이 기판(111) 및 컬러필터 기판(171)의 사이에는 극성 특성을 갖는 전도성 유기체 예를들면 H2O가 개재되어 극성 액체층(170)을 이루며 상기 두 기판(171, 111)의 사이의 가장자리를 따라 형성된 씰패턴(미도시)에 의해 봉함됨으로써 본 발명의 제 1 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(100)가 완성되고 있다.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(100)의 구동의 구동에 대해 간단히 설명한다.
우선, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)가 온(on) 됨으로서 데이터 배선(130)을 통해 화소전극(150)으로 신호전압이 인가되면 상기 화소전극(150)과 상부의 공통전극(180)에 의해 특정 세기를 갖는 전계가 형성된다. 이때, 이러한 특정 세기를 갖는 전계에 의해 상기 극성의 액체층(170)의 표면장력이 변화되는 동시에 젖음성 특성이 발현되어 상기 평탄화막(155) 표면이 소수성에서 친수성 특성을 갖도록 변화하게 된다.
따라서, 상기 극성의 액체층(170)이 친수성을 갖게된 평탄화층(155) 표면과 접촉하게 되면서 자연적으로 상기 블랙 오일층(165)을 상기 화소영역(P)의 측면으로 밀어내어 각 화소영역(P) 내에 개구(op)를 형성함으로써 빛이 투과하게 된다. 이 경우, 공통전극(180)에 걸리는 전압은 일정하고 상기 화소전극(150)에 걸리는 신호전압의 크기에 따라 전계의 세기가 결정되며, 상기 화소전극(150)에 걸리는 전압의 세기에 따라 상기 극성 액체층(170)이 상기 평탄화막(155) 표면과 접촉하게 되는 면적을 달리하게 되므로 즉, 블랙 오일층(165)에 의해 덮혀지는 화소영역(P) 내의 면적이 달리 형성됨으로서 빛의 투과되는 량을 조절하게 된다.
이에 의해 동일한 컬러필터 패턴(176a, 176b, 176c)을 통과하면서도 계조를 달리할 수 있게 된다.
한편, 상기 화소전극(150)에 전압이 인가되지 않아 오프(off) 상태를 유지하는 경우는, 상기 화소전극(150)과 공통전극(180) 사이에 전계가 발생되지 않으므로 상기 평탄화층(155) 표면이 소수성을 지속적으로 유지하게 되므로, 상기 극성 액체층(170)은 상기 블랙 오일층(165)의 상부에 위치하게 되어 상기 블랙 오일층(165)은 격벽(160)에 의해 둘러싸인 화소영역(P) 전체에 얇게 퍼지며 상기 화소영역(P) 전체를 가리게 되며, 이 경우 백라이트 유닛(미도시)로부터 상기 어레이 기판(111)을 향하여 나온 빛은 상기 화소영역(P)을 투과하지 못하게 됨으로서 블랙을 표현하게 된다.
<제 2 실시예>
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치의 다수의 화소영역(P)에 대한 단면도이다. 이때, 제 1 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 100을 더하여 도면부호를 부여하였다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(200)는 평탄화층(255)과 이의 상부에 구성되는 보조층(256)만이 차이가 있을 뿐 그 외의 모든 구성요소는 모두 제 1 실시예와 동일하므로 차별점이 있는 부분에 대해서만 간단히 설명한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(200)의 어레이 기판(211)에는 화소전극(250) 상부로 다수의 미세돌기 없는 평탄화층(255)이 구비되고 있으며, 상기 평탄화층(255)의 상부에 보조층(256)이 구비되고 있는 것이 특징이다. 이때, 상기 보조층(256)은 그 표면에 수 나노미터 내지 수백 나노미터 정도의 크기(폭, 높이)를 갖는 다수의 돌기(257)가 구비되고 있으며, 이러한 구성에 의해 상기 보조층(256) 표면에는 소수성이 부여되고 있는 것이 특징이다.
이러한 보조층(256)은 친수성 및 소수성을 갖는 물질에 관계없이 그 하부에 위치한 상기 평탄화층(255)과 접합력이 우수한 물질로 이루어지는 것이 특징이며, 나아가 그 표면에 다수의 돌기(257)를 형성하기 용이한 물질로 이루어지는 것이 특징이다.
이러한 구성을 갖는 제 2 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(200)는 제 1 실시예 대비 보조층(256)이 더욱 구비됨으로서 스토리지 커패시터 용량의 향상에는 기여할 수 없지만, 소수성을 갖는 물질로 이루어진 소수성막(도 1의 40)을 구비한 종래의 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(도 1의 10) 대비 물질적 제한이 없음으로서 설계의 자유도가 향상되며, 소수성을 갖는 물질대비 저가의 물질을 사용할 수 있으므로 비용 저감의 효과를 가지며, 상기 보조층(256)이 상기 평탄화층(255)과의 접합력이 우수하므로 평탄화층(255)으로부터 박리되는 등의 불량을 억제하는 효과가 있다.
<제 3 실시예>
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치의 다수의 화소영역(P)에 대한 단면도이다. 이때, 제 1 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 200을 더하여 도면부호를 부여하였다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(300)는 제 2 실시예와 유사한 구성을 가지므로 제 2 실시예와 차별점이 있은 부분을 위주로 설명한다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(300)의 가장 특징적인 구성은 평탄화층(355) 자체의 표면에는 돌기가 구비되지 않고, 제 2 실시예와 유사하게 돌기 없이 평탄한 표면을 갖는 상기 평탄화층(355) 위로 상기 평탄화층(355)과 접합력이 우수한 물질로 이루어지며, 수 나노미터 내지 수백 나노미터 정도의 크기(폭, 높이)를 갖는 다수의 돌기(357)가 구비되고 있는 것이다.
이러한 구성에 의해 상기 평탄화층(355) 상부에는 이종의 물질로 실질적으로 그 높이가 수 나노미터 내지 수백 나노미터 정도인 다수의 돌기(357)만이 구비됨으로써 소수성막(도 1의 40)을 구비하는 종래의 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(도 1의 10) 대비 스토리지 커패시터 용량을 향상시킬 수 있는 특징이 있으며, 나아가 상기 돌기(357)는 상기 평탄화층(355)과의 접합력이 우수하므로 종래의 소수성을 갖는 물질로 이루어진 소수성막(도 1의 40)을 평탄화층(도 1의 30) 상부에 형성함으로써 발생되는 평탄화층으로부터 박리되는 등의 불량을 억제하는 효과가 있다.
이후에는 본 발명의 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(100)용 어레이 기판(111)의 제조 방법에 대해 간단히 설명한다.
투명한 절연 기판 상에 기판(111)상에 제 1 금속물질을 증착하여 제 1 금속층을 형성하고 이를 패터닝함으로써 게이트 전극(113)과 이와 연결되며 일방향으로 연장하는 게이트 배선(미도시)을 형성한다.
이후, 연속하여 그 상부로 무기 절연물질을 전면에 게이트 절연막(115)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(115) 상부로 순수 비정질 실리콘(a-Si)과 불순물 비정질 실리콘(n+ a-Si)과 제 2 금속물질을 연속하여 증착하고 이를 패터닝함으로써 상기 게이트 전극(113)에 대응하여 비정질 실리콘의 액티브층(120a)과 그 상부로 서로 이격하는 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(120b)과 상기 오믹콘택층(120b) 위로 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 형성한다. 이때, 상기 게이트 전극(113)과, 게이트 절연막(115)과, 액티브층(120a)과 오믹콘택층(120b)으로 구성된 반도체층(120)과, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)은 박막트랜지스터(Tr)를 이루게 된다.
또한, 상기 소스 및 드레인 전극(133, 136)을 형성한 동일 공정에 의해 상기 게이트 절연막(115) 위로 상기 소스 전극(133)과 연결되며 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(130)을 형성한다.
다음, 상기 박막트랜지스터(Tr)와 상기 데이터 배선(130) 위로 전면에 무기절연물질을 증착하거나 또는 유기절연물질을 도포함으로써 보호층(140)을 형성한 후, 이를 패터닝함으로써 상기 드레인 전극(136) 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 형성한다.
다음, 상기 보호층(140) 위로 투명 도전성 물질을 증착하고, 이를 패터닝함으로써 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 드레인 전극(136)과 접촉하는 화소전극(150)을 형성한다.
다음, 상기 화소전극(150) 위로 유기 절연물질을 도포하거나 또는 무기절연물질을 증착함으로써 하부의 구성요소의 단차에 영향없이 그 표면이 평탄한 상태를 갖는 평탄화층(155)을 형성한다.
이후, 상기 평탄화층(155)이 형성된 기판(111)을 상기 평탄화층(155)을 이루는 물질과 반응하는 식각액에 수 초간 노출시킴으로써 도포 또는 증착 특성에 기인한 상기 평탄화층(155)의 입자간 모폴로지(morphology) 차에 의한 식각률 차이 발생을 이용한 식각을 진행함으로써 그 표면에 수 나노미터 내지 수백 나노미터 정도의 크기(폭, 높이)를 갖는 다수의 돌기(157)를 형성한다.
이때, 상기 평탄화층(155)의 표면 식각은 상기 식각액에 기판(111)을 담구는 디핑(dipping)법보다는 식각액을 소정량 기체 형태로 분무하는 스프레이(spray)법을 진행하는 것이 바람직하다. 이러한 스프레이(spray)법을 이용하는 경우 평탄화층(155) 표면에 식각액 양이 부분적으로 차이가 나게되므로 평탄화층(155)의 모폴로지(morphology) 차만을 이용하여 식각이 이루어지는 디핑(dipping)법보다 더욱더 표면에 수 나노미터 내지 수백 나노미터 수준의 미세한 크기를 갖는 돌기(157)가 잘 형성된다.
다음, 그 표면에 미세한 다수의 돌기(157)가 형성된 상기 평탄화층(155) 위로 유기 절연물질을 도포하고 이를 패터닝함으로서 각 화소영역(P)의 경계에 소정의 높이를 갖는 격벽(160)을 형성한다.
다음, 상기 격벽(160)으로 둘러싸인 각 화소영역(P) 내의 상기 평탄화층(155) 위로 무극성의 블랙 오일을 도포하여 블랙 오일층(165)을 형성함으로써 본 발명의 제 1 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치용 어레이 기판(111)을 완성한다.
한편, 도 4 및 도 5를 참조하면, 제 2 실시예와 제 3 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치용 어레이 기판(211, 311)의 경우, 상기 평탄화층(255, 355)을 식각액을 이용한 식각을 진행하기 전에 상기 평탄화층(255, 355) 위로 상기 평탄화층(255, 355)과 접합력이 우수한 물질을 도포하거나 증착하여 보조층(256, 미도시)을 형성한 후, 제 1 실시예에서 설명한 바와같이, 상기 보조층(256, 미도시) 표면에 스프레이(spray)법에 의해 식각액을 분무하여 수 초간 식각액에 노출되도록 함으로써 상기 보조층(256, 미도시) 표면 또는 상기 평탄화층(255, 355) 표면에 수 나노미터 내지 수백 나노미터 정도의 크기(폭, 높이)를 갖는 다수의 돌기(257, 357)를 형성하고, 이후 상기 다수의 돌기(257, 357)를 갖는 상기 보조층(256) 또는 상기 평탄화층(355) 상부에 격벽(260, 360)을 형성하고 각 화소영역(P)에 무극성의 블랙 물질을 도포하여 블랙 오일층(260, 360)을 형성함으로서 완성한다.
이때, 제 2 실시예와 제 3 실시예의 차이점은 상기 평탄화층(255, 355) 상부에 형성되는 보조층(256, 미도시)의 두께에 있다. 제 2 실시예(도 4 참조)의 경우, 상기 보조층(255)을 수 나노미터 내지 수백 나노미터보다 큰 두께를 갖도록 형성함으로 식각액에 상기 보조층(256)이 노출되더라도 완전히 식각되지 않아 상기 돌기(257)가 상기 보조층(256) 표면에 형성된 것이고, 제 3 실시예(도 5 참조)의 경우, 상기 평탄화층(355) 상부로 수 나노미터 내지 수백 나노미터 정도 두께를 갖도록 보조층(미도시)을 형성하고, 이에 대해 식각을 진행함에 있어 돌기가 형성되지 않는 부분에 대해서는 식각액에 의해 완전히 제거되도록 함으로써 상기 평탄화층(355) 표면에 이종의 물질로 다수의 돌기(357)가 형성된 것이다.
다음, 도 3을 참조하여 컬러필터 기판의 제조 방법을 살펴보면, 투명한 절연기판(171) 상에 산화크롬(CrOx) 등의 빛을 차단하는 것을 특징으로 하는 금속물질 또는 블랙수지를 전면에 증착(또는 도포)한 후, 이를 패터닝함으로써 이와 대응되는 어레이 기판(미도시)상의 게이트 및 데이터 배선(미도시, 130)에 대응하여 즉 격자형태를 갖는 통하여 블랙매트릭스(black matrix)(173)를 형성한다.
이후, 상기 블랙매트릭스(173) 또는 기판(171) 하부로 적, 녹, 청색 중의 한 가지 예를 들면 적색 컬러 레지스트(color resist)를 전면에 도포하여 적색 컬러필터층(미도시)을 형성한 후, 빛을 통과시키는 부분과 빛을 차단하는 패턴을 갖는 노광 마스크(미도시)를 상기 적색 컬러필터층(미도시) 위에 위치시킨 후, 노광(exposure)하고, 현상을 실시함으로써 상기 적색 컬러필터 패턴(176a)을 완성한다.
이후, 상기 적색 컬러필터 패턴(176a) 형성한 방법과 동일하게 녹색 및 청색 컬러 레지스트에 대해서도 진행하여 녹 및 청색 컬러필터 패턴(176b, 176c)을 형성함으로써 적, 녹 ,청색 컬러필터 패턴(176a, 176b, 176c)이 순차 반복되는 형태를 갖는 컬러필터층(176)을 형성한다.
다음, 상기 컬러필터층(176) 위로 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 증착하여 공통전극(180)을 형성함으로써 본 발명의 실시예에 따른 컬러필터 기판(171)을 완성한다.
한편, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 적, 녹, 청색의 컬러필터 패턴(176a, 176b, 176c)으로 이루어진 상기 컬러필터층(176) 위로 상기 컬러필터층(176)의 보호와 단차 보상을 위해 투명한 유기절연물질을 도포하여 오버코트층(미도시)을 더욱 형성할 수도 있다.
다음, 전술한 바와같이 완성된 어레이 기판(111) 및 컬러필터 기판(171)에 대해 상기 컬러필터 기판(171) 또는 어레이 기판(111)의 테두리를 따라 주입구를 갖는 씰패턴(미도시)을 형성하고, 이들 두 기판(171, 111)을 합착하여 소정의 이격간격을 갖는 패널상태를 이루도록 한다.
이후, 상기 주입구를 통해 상기 두 기판(171, 111)의 이격영역에 극성의 액체를 주입하여 극성의 액체층(170)을 형성하고, 상기 주입구를 봉지함으로써 본 발명의 각 실시예에 따른 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치용 패널을 완성한다.
이후, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치용 패널의 상기 어레이 기판 하부(111)로 백라이트 유닛(미도시)을 부착함으로써 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치(100)를 완성한다.
100 : 일렉트로 웨팅 디스플레이 장치
101 : 어레이 기판 113 : 게이트 전극
115 : 게이트 절연막 120 : 반도체층
120a : 액티브층 120b : 오믹콘택층
130 : 데이터 배선 133 : 소스 전극 136 : 드레인 전극 140 : 보호층 143 : 드레인 콘택홀 150 : 화소전극
155 : 평탄화층 157 : 돌기
160 : 격벽 165 : 블랙 오일층
170 : 극성의 액체층 171 : 컬러필터 기판
173 : 블랙매트릭스
176a, 176b, 176c : 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴
176 : 컬러필터층 180 : 공통전극
op : 개구 P : 화소영역
Tr : 박막트랜지스터

Claims (12)

  1. 제 1 기판과;
    상기 제 1 기판 상에 형성된 박막트랜지스터와;
    상기 박막트랜지스터와 연결된 화소전극과;
    상기 화소전극 위로 형성되며 그 표면에 수 나노미터 내지 수 백 나노미터의 크기의 다수의 돌기가 구비된 제 1 보조층과;
    상기 제 1 보조층 상부로 각 화소영역의 경계에 형성된 격벽과;
    상기 제 1 보조층 상부에 상기 격벽으로 둘러싸인 각 화소영역에 형성된 블랙 오일층과;
    상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판과;
    상기 제 2 기판의 내측면에 형성된 컬러필터층과;
    상기 컬러필터층 하부에 형성된 공통전극과;
    상기 소수성막 하부로 상기 격벽 내측으로 형성된 무극성의 블랙 오일층과;
    상기 공통전극과 상기 블랙 오일층 사이에 개재된 극성의 액체층
    을 포함하는 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 돌기는 상기 제 1 보조층 자체가 식각되어 형성됨으로써 상기 제 1 보조층과 동일한 물질로 이루어진 것이 특징인 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 돌기는 상기 제 1 보조층과 다른 물질로 이루어진 것이 특징인 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치.
  4. 제 1 기판과;
    상기 제 1 기판 상에 형성된 박막트랜지스터와;
    상기 박막트랜지스터와 연결된 화소전극과;
    상기 화소전극 위로 형성된 제 1 보조층과;
    상기 제 1 보조층 위로 형성되며 그 표면에 수 나노미터 내지 수 백 나노미터의 크기의 다수의 돌기가 구비된 제 2 보조층과;
    상기 제 2 보조층 상부로 각 화소영역의 경계에 형성된 격벽과;
    상기 제 2 보조층 상부에 상기 격벽으로 둘러싸인 각 화소영역에 형성된 블랙 오일층과;
    상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판과;
    상기 제 2 기판의 내측면에 형성된 컬러필터층과;
    상기 컬러필터층 하부에 형성된 공통전극과;
    상기 소수성막 하부로 상기 격벽 내측으로 형성된 무극성의 블랙 오일층과;
    상기 공통전극과 상기 블랙 오일층 사이에 개재된 극성의 액체층
    을 포함하는 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 극성의 액체층은 H2O인 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 상에는 상기 박막트랜지스터와 연결되며 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선이 형성되며,
    상기 박막트랜지스터 위로 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀이 구비된 보호층이 구비되며,
    상기 화소전극은 상기 보호층 상부에 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하며 형성된 것이 특징인 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제 2 기판과 상기 컬러필터층 사이에는 상기 게이트 및 데이터 배선에 대응하여 블랙매트릭스가 형성된 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 컬러필터층은 순차 반복되는 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴으로 이루어진
    것이 특징인 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 외측면에 백라이트 유닛을 포함하는 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 다수의 돌기는 상기 제 1 보조층에 식각액을 스프레이법에 의해 분무하여 상기 제 1 보조층이 상기 식각액에 수 초간 노출되도록 함으로써 형성된 것이 특징인 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치.
  11. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 다수의 돌기는 상기 제 2 보조층에 식각액을 스프레이법에 의해 분무하여 상기 제 2 보조층이 상기 식각액에 수 초간 노출되도록 함으로써 형성된 것이 특징인 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 다수의 돌기는 그 단면 모양이 사각형, 삼각형, 사다리꼴, 반원형, 반타원형 중 어느 하나의 형태를 이루는 것이 특징인 일렉트로 웨팅 디스플레이(electro wetting display) 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20130137978A (ko) * 2012-06-08 2013-12-18 삼성디스플레이 주식회사 전기습윤 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN103605206A (zh) * 2013-11-26 2014-02-26 上海交通大学 一种具有纳米金属光栅的电润湿显示单元
KR20140064525A (ko) * 2012-11-20 2014-05-28 삼성전자주식회사 향상된 개구율을 갖는 전기습윤 디스플레이 장치 및 그 구동 방법

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