KR20120002813A - Inner plate for mocvd device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An inner side plate of a thin film depositing apparatus is provided to reduce maintenance and management costs by improving chemical resistance and corrosion resistance of the inner side plate and extending the life span of the inner side plate. CONSTITUTION: A chamber offers a deposition space by including a cover. A rotatable susceptor is prepared on the inner side of the chamber in order to support a substrate. A coil heater heats the substrate. An inner side plate(40) contacts the inner side of the cover. The inner side plate comprises a coating layer(42) which is coated on the surface of a quartz base(41). A nozzle passes through the cover and the center of the inner side plate. A temperature sensor and thin film thickness measurement sensor are inserted into the cover. An exhausting unit exhausts the inside of the chamber. The location of the inner side plate is changed to the side of the chamber according to the location of the temperature sensor and the thin film thickness measurement sensor.

Description

박막증착장치의 내측판 및 그 제조방법{Inner plate for MOCVD device and manufacturing method thereof}Inner plate of thin film deposition apparatus and its manufacturing method {Inner plate for MOCVD device and manufacturing method

본 발명은 박막증착장치의 내측판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 엘이디를 제조하기 위한 MOCVD 장치의 내측판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to an inner plate of a thin film deposition apparatus and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an inner plate of a MOCVD apparatus for manufacturing an LED and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 반도체 또는 엘이디 제조공정에서 사용하는 박막증착장치는 증착되는 박막의 두께를 검출하기 위한 수단과 공정온도를 검출하는 수단 등 센서들이 다수 마련되어 있다.In general, a thin film deposition apparatus used in a semiconductor or LED manufacturing process is provided with a number of sensors such as a means for detecting the thickness of the thin film to be deposited and a means for detecting the process temperature.

상기 센서의 설치와 아울러 박막증착장치의 내부 공간의 기밀유지를 위하여 상부 덮개 또는 챔버의 측면부의 내측판은 석영(quartz) 재질로 마련되어 있다.In order to maintain the airtightness of the inner space of the thin film deposition apparatus together with the installation of the sensor, the inner plate of the upper cover or the side part of the chamber is made of quartz material.

상기 석영 내측판은 박막증착장치의 제조사 마다 그 위치와 형태에 차이가 있을 수 있으나, 박막증착장치의 챔버 내측에 적어도 1면에 위치하고 있다.
The quartz inner plate may be different in position and shape for each manufacturer of the thin film deposition apparatus, but is located on at least one surface inside the chamber of the thin film deposition apparatus.

상기 석영은 실리카 또는 실리콘옥사이드를 주성분으로 하는 것으로, 광의 투과성이 우수하며 제조공정 중에 상대적으로 이물의 발생이 적고, 가격이 상대적으로 저렴하다는 특징 때문에 사용되고 있다.
The quartz is mainly composed of silica or silicon oxide, and has been used because of its excellent light transmittance, relatively little foreign matters during the manufacturing process, and relatively low cost.

그러나 엘이디 등의 화합물 반도체를 제조하는 공정이 반복되면서, 증착되는 박막의 물질이 석영 내측판의 표면에도 증착되어 그 색상이 변화되며, 이에 의해 방사온도계 등에 오차가 발생하게 되고 박막증착장치의 챔버 내부 온도가 초기의 온도에 비해 사용 회수가 증가할수록 차이가 발생하게 되며, 이는 수율을 저하시키는 원인이 된다.
However, as the process of manufacturing compound semiconductors such as LEDs is repeated, the material of the deposited thin film is deposited on the surface of the quartz inner plate, and the color of the thin film is changed. As the number of times of use increases with respect to the initial temperature, a difference occurs, which causes a decrease in yield.

따라서 석영 내측판의 주기적인 교체 및 세정시 마다 상기와 같은 온도차이가 반복되기 때문에, 그 내측판의 교체 주기마다 공정상에 있어서 생산성을 저하시키는 원인이 된다.
Therefore, the temperature difference as described above is repeated every time the periodical replacement and cleaning of the quartz inner plate, which causes a decrease in productivity in the process for each replacement cycle of the inner plate.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 박막증착장치의 내측판에 공정부산물이 증착되는 것을 방지함과 동시에 증착되어도 내부판의 색깔변화에 의해 내부 온도변화가 발생되지 않는 박막증착장치의 내측판 및 그 제조방법을 제공함에 있다.The problem to be solved by the present invention in consideration of the above problems, thin film deposition that prevents the process by-products are deposited on the inner plate of the thin film deposition apparatus and at the same time does not cause an internal temperature change due to the color change of the inner plate An inner plate of the device and a method of manufacturing the same.

아울러 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 내화학성과 내마모성을 향상시켜 공정중 이물 발생을 방지하며, 광투과율을 일정하게 유지시켜 기판의 온도를 측정하는 장치의 오차를 감소시킬 수 있는 박막증착장치의 내측판 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
In addition, the problem to be solved by the present invention is to improve the chemical resistance and wear resistance to prevent foreign substances in the process, and to maintain a constant light transmittance of the thin film deposition apparatus that can reduce the error of the device for measuring the temperature of the substrate An inner plate and a method of manufacturing the same.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명 박막증착장치의 내측판은, 내부에 코일히터가 마련되어 챔버 내부 온도를 제어하며, 광을 이용한 온도의 검출이 가능하며, 상기 광이 투과될 수 있는 내측판을 구비하는 박막증착장치에 있어서, 상기 내측판은 석영베이스와, 상기 석영베이스의 표면에 흑색을 띠는 코팅된 SiC 또는 SiOC 재질의 코팅층을 포함한다. The inner plate of the thin film deposition apparatus of the present invention for solving the above problems, the coil heater is provided therein to control the temperature inside the chamber, the temperature can be detected using light, the inner plate through which the light can be transmitted In the thin film deposition apparatus having a, the inner plate comprises a quartz base, and a coating layer of a coated SiC or SiOC material having a black color on the surface of the quartz base.

또한 본 발명 박막증착장치의 내측판 제조방법은, a) SiC 전구체중 하나인 PCS(Polycarbosilane) 무기고분자를 용매에 용해시켜 PCS 코팅용액을 제조하는 단계와, b) 상기 PCS 코팅용액을 석영베이스에 도포하고, 건조시키는 단계와, c) 상기 건조된 PCS를 열처리하여 SiC 또는 SiOC 코팅층으로 전환시키는 단계를 포함한다.
In addition, the method for manufacturing the inner plate of the thin film deposition apparatus of the present invention comprises the steps of: a) dissolving an inorganic polymer of PCS (Polycarbosilane), one of the SiC precursors, in a solvent to prepare a PCS coating solution, and b) coating the PCS coating solution on a quartz base. Applying, drying, and c) heat treating the dried PCS to a SiC or SiOC coating layer.

상기와 같이 구성되는 본 발명 박막증착장치의 내측판 및 그 제조방법은, 석영 재질의 내측판을 SiC 또는 SiOC로 코팅하여, 석영재질의 표면을 흑체화 시켜줌으로써 박막증착공정으로 증착되는 박막성분이 그 내측판에 증착되는 것을 감소시킬 수 있으며, 증착 되어도 흑체화에 의한 온도측정 오차를 방지할 수 있어 박막증착장치의 지속적인 사용에도 수율의 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다.The inner plate and the method of manufacturing the thin film deposition apparatus of the present invention constituted as described above, by coating the inner plate of the quartz material with SiC or SiOC, blackening the surface of the quartz material is a thin film component deposited by the thin film deposition process Deposition of the inner plate can be reduced, and even if deposited, it is possible to prevent temperature measurement errors due to blackening, and thus there is an effect of preventing a decrease in yield even with continuous use of the thin film deposition apparatus.

또한 본 발명 박막증착장치의 내측판 및 그 제조방법은, 표면이 SiC 또는 SiOC로 코팅되어, 내화학성 및 내식성을 향상시켜 그 내측판의 수명을 연장시킴으로써, 내측판의 교체주기를 연장하여 유지 및 관리비용을 절감하고, 내측판의 교체에 따른 공정중단을 최소화하여 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
In addition, the inner plate and the manufacturing method of the thin film deposition apparatus of the present invention, the surface is coated with SiC or SiOC, to improve the chemical resistance and corrosion resistance to extend the life of the inner plate, thereby prolonging the maintenance period of the inner plate and maintain and It is effective in reducing productivity and improving productivity by minimizing process interruption due to replacement of the inner plate.

도 1은 본 발명이 적용되는 박막증착장치의 일실시 단면 구성도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막증착장치 내측판의 일실시 단면 구성도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막증착장치 내측판의 제조공정 순서도이다.
1 is a cross-sectional configuration of one embodiment of a thin film deposition apparatus to which the present invention is applied.
Figure 2 is a cross-sectional configuration of one embodiment of a thin film deposition apparatus inner plate according to a preferred embodiment of the present invention.
Figure 3 is a flow chart of the manufacturing process of the thin film deposition apparatus inner plate according to a preferred embodiment of the present invention.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명 박막증착장치의 내측판 및 그 제조방법의 바람직한 실시예들을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the inner plate and the method of manufacturing the thin film deposition apparatus of the present invention configured as described above in detail as follows.

도 1은 본 발명이 적용되는 박막증착장치의 일실시 단면 구성도이고, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막증착장치의 내측판의 단면 구성도이다.1 is a cross-sectional configuration of one embodiment of a thin film deposition apparatus to which the present invention is applied, Figure 2 is a cross-sectional configuration diagram of the inner plate of the thin film deposition apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 각각 참조하면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막증착장치의 내측판은, 덮개(11)를 포함하여 증착공간을 제공하는 챔버(10)와, 상기 챔버(10)의 내측에 회동가능하게 마련되어 기판(21)을 지지하는 서셉터(20)와, 상기 기판(21)을 가열하는 코일히터(30)와, 상기 덮개(11)의 내측면에 접하여 위치하며, 석영베이스(41)의 표면에 코팅층(42)이 코팅되어진 내측판(40)과, 상기 덮개(11)와 내측판(40)의 중앙부를 관통하여 마련된 노즐(50)과, 상기 덮개(11)에 삽입되어 위치하는 온도센서(60) 및 박막두께측정센서(70)와, 상기 챔버(10)의 내부를 배기하는 배기부(80)를 포함하여 구성될 수 있다.1 and 2, the inner plate of the thin film deposition apparatus according to the preferred embodiment of the present invention includes a chamber 10 including a cover 11 and a deposition space, and an inner side of the chamber 10. A susceptor 20 rotatably provided to support the substrate 21, a coil heater 30 for heating the substrate 21, and a quartz base ( 41 is inserted into the cover 11, an inner plate 40 coated with a coating layer 42 on the surface of the cover 41, a nozzle 50 provided through a central portion of the cover 11 and the inner plate 40, and the cover 11. The temperature sensor 60 and the thin film thickness measurement sensor 70 may be positioned, and the exhaust unit 80 may exhaust the interior of the chamber 10.

도 1에 도시한 박막증착장치의 일실시예는 하나의 실시예일 뿐이며, 상기 온도센서(60) 및 박막두께측정센서(70)의 위치에 따라 상기 내측판(40)의 위치는 상기 챔버(10)의 측면측 등으로 변경설계 될 수 있음은 당업자 수준에서 쉽게 변경할 수 있다.
One embodiment of the thin film deposition apparatus shown in Figure 1 is only one embodiment, the position of the inner plate 40 according to the position of the temperature sensor 60 and the thin film thickness measurement sensor 70 is the chamber 10 Can be changed to the side of the design, etc. can be easily changed at the level of those skilled in the art.

상기 서셉터(20) 또한 메인디스크와, 그 메인디스크의 포켓 내에서 기판(21)을 지지하면서, 회전하는 회전디스크를 포함할 수 있는 구조이며, 그 서셉터의 구조에 의해 본 발명은 한정되지 않는다.
The susceptor 20 is also a structure that may include a main disk and a rotating disk that rotates while supporting the substrate 21 in a pocket of the main disk. The present invention is not limited by the structure of the susceptor. Do not.

상기 내측판(40)은 앞서 설명한 바와 같이 석영베이스(41)의 표면에 코팅층(42)이 코팅된 것이다. 상기 석영베이스(41)는 광투과 특성이 상대적으로 우수하지만, 증착공정이 진행될수록 박막 공정성분의 파티클(particle)이 다량 증착되어 복사열의 변화를 발생시킴과 아울러 온도센서(60)의 온도 검출파장의 검출오류가 발생할 수 있게 된다.As described above, the inner plate 40 is coated with a coating layer 42 on the surface of the quartz base 41. The quartz base 41 has excellent light transmission characteristics, but as the deposition process proceeds, a large amount of particles of thin film process components are deposited to generate a change in radiant heat and the temperature detection wavelength of the temperature sensor 60. Can cause a detection error.

이와 같은 온도의 변화 또는 온도 검출 오류를 방지하기 위하여 상기 석영베이스(41)의 표면에 SiC 또는 SiOC를 코팅하여 흑색의 코팅층(42)을 형성한다. 이 코팅층(42)은 상기 석영베이스(41)에 비하여 공정이 진행 되어도 광투과율이나 색의 변화가 발생하지 않게 된다.In order to prevent such a change in temperature or a temperature detection error, a black coating layer 42 is formed by coating SiC or SiOC on the surface of the quartz base 41. The coating layer 42 does not change light transmittance or color even when the process proceeds as compared to the quartz base 41.

즉, SiC 또는 SiOC는 표면의 조도 등의 특성상 타 박막의 증착이 쉽지 않으며, 강도가 우수하며 내화학성 및 내식성을 가지는 것으로 알려져 있으며, 이러한 SiC 또는 SiOC를 석영베이스(41) 상에 코팅하여 내측판(40)의 특성을 개선할 수 있다.
That is, SiC or SiOC is not easy to deposit other thin films due to the surface roughness and the like, and is known to have excellent strength and chemical resistance and corrosion resistance. The characteristic of 40 can be improved.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막증착장치 내측판의 제조공정 순서도이다.Figure 3 is a flow chart of the manufacturing process of the thin film deposition apparatus inner plate according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, SiC 전구체 코팅용액을 제조하는 단계(S31)와, 상기 SiC 전구체 코팅용액을 석영베이스(41) 상부에 도포하는 단계(S32)와, 상기 도포된 SiC 전구체 코팅용액을 건조시키는 단계(S33)와, 열처리를 통해 상기 도포된 SiC 전구체를 SiC로 전환하는 단계(S34)를 포함하여 구성된다.
Referring to FIG. 3, a step of preparing a SiC precursor coating solution (S31), a step of applying the SiC precursor coating solution on a quartz base 41 (S32), and drying the applied SiC precursor coating solution Step S33 and the step of converting the applied SiC precursor to SiC through heat treatment (S34) is configured.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명 박막증착장치의 내측판 제조방법을 보다 상세히 설명한다.
Hereinafter, the inner plate manufacturing method of the thin film deposition apparatus of the present invention configured as described above will be described in more detail.

먼저, S31단계에서는 SiC 전구체 물질을 용매에 녹여 코팅용액을 획득한다.First, in step S31 to dissolve the SiC precursor material in a solvent to obtain a coating solution.

이때, SiC 전구체 물질은 구조식이 (-R2SiCH2-)n, (-R2Si-)n 또는 (-R2SiO-)n (R은 폴리머, n은 양의 정수)인 무기 고분자들 중 적어도 하나 이상에서 선택된 무기 고분자를 사용할 수 있으며, 특히 PCS(Polycarbosilane)를 사용할 수 있으며, 그 PCS를 용해시키는 용매는 헥산(Hexane), 크실란(Xylane), 톨루엔(Toluene), 테트라-하이드로퓨론(Tetra-hydrofuron)을 사용할 수 있다.
At this time, the SiC precursor material is inorganic polymers of the formula (-R 2 SiCH 2- ) n, (-R 2 Si-) n or (-R 2 SiO-) n (R is a polymer, n is a positive integer) Inorganic polymers selected from at least one of them may be used, and in particular, polycarbosilane (PCS) may be used, and the solvent for dissolving the PCS may be hexane, hexane, xylane, toluene, or tetra-hydrofuron. Tetra-hydrofuron can be used.

상기 열거한 용매에 용해되는 PCS의 양을 조절하여 코팅용액의 점도를 조절할 수 있으며, 이때 코팅용액의 점도는 석영베이스(41) 상에 코팅되는 SiC 또는 SiOC 코팅층(42)의 두께와 관계가 있다. 즉, 용액의 점도가 높을수록 코팅층(42)의 두께를 더 두껍게 코팅할 수 있다.
The viscosity of the coating solution can be adjusted by adjusting the amount of PCS dissolved in the solvents listed above, wherein the viscosity of the coating solution is related to the thickness of the SiC or SiOC coating layer 42 coated on the quartz base 41. . In other words, the higher the viscosity of the solution, the thicker the coating layer 42 may be coated.

그 다음, S32단계에서는 상기 석영베이스(41) 상에 상기 PCS가 용매에 용해된 코팅용액을 코팅한다.Next, in step S32, the coating solution in which the PCS is dissolved in a solvent is coated on the quartz base 41.

이때, 코팅용액의 코팅방법은 열을 사용하지 않는 것으로, 코팅용액에 상기 석영베이스(41)를 디핑법(dipping), 스핀코팅법(spin coating), 분사코팅법(spray coating)을 사용하거나, 상기 코팅용액을 석영베이스(41) 위에 흘려서 코팅(flow coating)하는 방법을 사용할 수 있다.
At this time, the coating method of the coating solution does not use heat, the dipping method, spin coating (spray coating), or spray coating method (dipping) of the quartz base 41 in the coating solution, The coating solution may be flowed on the quartz base 41 and coated.

그 다음, S33단계에서는 상기 석영베이스(41) 상에 코팅된 코팅용액을 건조시킨다.Next, in step S33, the coating solution coated on the quartz base 41 is dried.

이때의 건조방법은 불활성가스 분위기 또는 진공분위기에서 건조할 수 있다. 또한 산소가 포함된 SiC의 코팅을 위해서는 공기 분위기에서 건조할 수 있다.At this time, the drying method may be dried in an inert gas atmosphere or a vacuum atmosphere. In addition, for the coating of oxygen-containing SiC may be dried in an air atmosphere.

상기 산소의 포함여부에 따라 코팅층(42)은 SiC 또는 SiOC가 된다.
Depending on whether oxygen is included in the coating layer 42 is SiC or SiOC.

상기 건조과정에 의해 용매가 건조되어 상기 석영베이스(41)의 표면에는 PCS 코팅층이 형성된다.
The solvent is dried by the drying process to form a PCS coating layer on the surface of the quartz base 41.

그 다음, S34단계에서는 상기 형성된 PCS 코팅층을 열처리하여, PCS의 폴리머 성분을 제거하여 PCS 코팅층을 SiC 또는 SiOC 코팅층(42)으로 전환시킨다.Next, in step S34, the formed PCS coating layer is heat-treated to remove the polymer component of the PCS, thereby converting the PCS coating layer to the SiC or SiOC coating layer 42.

이때, 전환되는 코팅층(42)의 표면에 포말이 생기지 않도록 하기 위해서는 승온속도를 조절하여야 한다.In this case, in order to prevent foam from occurring on the surface of the coating layer 42 to be converted, the temperature increase rate should be adjusted.

가장 적당한 승온속도는 5~30℃/hr의 낮은 승온속도를 가지게 하며, 최종 온도는 약 700~1500℃가 되도록 함이 적당하다.The most suitable temperature increase rate is to have a low temperature increase rate of 5 ~ 30 ℃ / hr, it is appropriate that the final temperature is about 700 ~ 1500 ℃.

이때 최종 열처리 온도를 조절하여 원하는 결정구조의 SiC 코팅층을 획득할 수 있다. 즉, 1000~1500℃의 열처리에 의해 상기 SiC 코팅층의 결정구조는 결정질이 되며, 700~1000℃의 열처리에 의해서는 비정질의 SiC 코팅층을 획득할 수 있게 된다.
At this time, the final heat treatment temperature may be adjusted to obtain a SiC coating layer having a desired crystal structure. That is, the crystal structure of the SiC coating layer becomes crystalline by heat treatment at 1000 to 1500 ° C., and the amorphous SiC coating layer can be obtained by heat treatment at 700 to 1000 ° C. FIG.

또한, 상기 S34단계를 수행하기 전에 PCS 코팅층을 전처리하여 PCS 코팅층을 경화시키는 전처리 단계를 더 포함할 수 있다. 이는 상기 PCS 코팅층에 포함된 PCS 간의 결합이 크로스 링크가 되도록 하여 더욱 견고한 SiC 또는 SiOC 코팅층(42)을 획득하고 수율과 밀도를 높일 수 있도록 하는 것이다.The method may further include a pretreatment step of curing the PCS coating layer by pretreating the PCS coating layer before performing the step S34. This allows the bonding between the PCS included in the PCS coating layer to be a cross link to obtain a more robust SiC or SiOC coating layer 42 and to increase the yield and density.

상기 전처리는 5 내지 20MGy의 전자빔 또는 자외선을 사용할 수 있다.The pretreatment may use an electron beam or ultraviolet rays of 5 to 20 mgy.

이 외에 200 내지 400℃의 온도에서 옥시데이션(oxidation)을 통해 경화할 수 있다.
In addition to this it can be cured through oxidation (oxidation) at a temperature of 200 to 400 ℃.

이와 같은 방법에 의해 제조된 본 발명에 따른 박막증착장치의 내측판은 상기 코일히터(30)에 의해 챔버(10)의 내부 온도가 공정온도로 승온되고, 노즐(50)을 통해 공급되는 공정가스가 반응하여 기판(21)에 박막을 증착하는 과정에서, 그 챔버(10) 내에 위치하며 최초의 공정에서부터 광을 투과시키지 않는 흑체여서 최초 공정에서부터 광을 투과시키지 않게되어, 따라서 초기의 내측판(40)의 광투과율과 지속적인 사용 후의 내측판(40) 광투과율에는 변함이 없게 된다.In the inner plate of the thin film deposition apparatus according to the present invention manufactured by the above method, the internal temperature of the chamber 10 is raised to the process temperature by the coil heater 30, and the process gas is supplied through the nozzle 50. In the process of depositing a thin film on the substrate 21 by reacting, it is a black body which is located in the chamber 10 and does not transmit light from the first process, and thus does not transmit light from the first process, thus the initial inner plate ( The light transmittance of 40 and the light transmittance of the inner plate 40 after continuous use remain unchanged.

따라서 챔버(10)의 내부 온도는 상기 코일히터(30)에 의해 가열된 설정온도에서 변화되지 않고 유지됨이 가능하게 되며, 공정의 균일성이 확보된다.
Therefore, the internal temperature of the chamber 10 can be maintained unchanged at the set temperature heated by the coil heater 30, ensuring uniformity of the process.

또한 광을 이용하여 온도를 검출하는 온도센서(60) 또한 광투과율에 변화가 없기 때문에 정확한 온도를 검출할 수 있어, 챔버(10) 내부 온도의 정확한 제어가 가능하게 된다.
In addition, since the temperature sensor 60 which detects the temperature by using light also has no change in the light transmittance, it is possible to detect the accurate temperature, thereby enabling accurate control of the temperature inside the chamber 10.

이와 같이 코팅된 박막증착장치의 내측판의 광투과 특성과 내화학성 특성을 코팅되지 않은 내측판과 비교실험한 결과를 아래의 표1에 도시하였다.Table 1 below shows the results of comparing the light transmission and chemical resistance characteristics of the inner plate of the thin film deposition apparatus coated with the uncoated inner plate.

Figure pat00001
Figure pat00001

위의 표 1은 SiC 또는 SiOC가 표면에 코팅된 본 발명 박막증착장치의 내측판과 종래의 석영 내측판의 광투과율을 비교하고, 본 발명의 내측판과 종래 인코넬(Inconel) 내측판의 내화학성을 비교하기 위하여 산에서 유실된 중량비의 결과이다.
Table 1 above compares the light transmittance of the inner plate of the thin film deposition apparatus of the present invention coated with SiC or SiOC and the conventional quartz inner plate, and the chemical resistance of the inner plate of the present invention and the conventional Inconel inner plate This is the result of the weight ratio lost in the acid to compare.

상기 투과율의 시험은 각각 두께가 6mm인 석영 내측판을 준비하고, 앞서 상세히 설명한 본 발명의 제조방법에 따라 SiC를 코팅한 시료와 코팅하지 않은 시료를 사용하여, 광을 투과시키고 그 투과율을 측정한 결과이다.In the test of the transmittance, a quartz inner plate having a thickness of 6 mm was prepared, and the light was transmitted through the SiC-coated and uncoated samples according to the manufacturing method of the present invention described above, and the transmittance was measured. The result is.

이 결과에서 알 수 있듯이 종래 석영 재질의 내측판은 약 93%의 광투과율을 보이며, 본 발명에 따른 내측판은 0.05%의 광투과율을 나타낸다.
As can be seen from the results, the conventional inner plate of quartz material has a light transmittance of about 93%, and the inner plate according to the present invention has a light transmittance of 0.05%.

그리고 상기 내화학성 실험은 인코넬 내측판과 본 발명에 따라 SiC로 코팅된 인코넬 시료를 동시에 80℃의 60% 질산용액에 투입하고, 48시간 후 중량을 측정하여 유실된 중량을 검출한 결과이며, 종래 인코넬 내측판은 1.64wt%의 중량이 유실되었으나, 본 발명에 따라 코팅된 내측판은 0.08wt%의 중량이 유실된 것을 알 수 있다.And the chemical resistance test is a result of detecting the lost weight by injecting the Inconel inner plate and SiC-coated Inconel sample according to the present invention in a 60% nitric acid solution at 80 ℃ at the same time, measuring the weight after 48 hours, The Inconel inner plate has lost 1.64 wt% of its weight, but it can be seen that the inner plate coated according to the present invention has lost 0.08 wt% of its weight.

이는 본 발명에 따라 코팅된 박막증착장치의 내측판은 종래에 비하여 20배 정도의 중량유실 방지의 효과가 있어, 그 수명을 보다 연장할 수 있게 된다.
This is because the inner plate of the thin film deposition apparatus coated according to the present invention has an effect of preventing weight loss of about 20 times as compared with the conventional, it is possible to extend the life more.

전술한 바와 같이 본 발명에 따른 박막증착장치의 내측판 및 그 제조방법에 대하여 바람직한 실시예를 들어 상세히 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시예들에 한정되는 것이 아니고, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.
As described above, the inner plate of the thin film deposition apparatus according to the present invention and the manufacturing method thereof have been described in detail with reference to a preferred embodiment, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the claims and the details of the invention. It is possible to carry out various modifications within the scope of the description and the accompanying drawings, which also belong to the present invention.

40:내측판 41:석영베이스
42:코팅층40: inner plate 41: quartz base
42: Coating layer

Claims (5)

내부에 코일히터가 마련되어 챔버 내부 온도를 제어하며, 광을 이용한 온도의 검출이 가능하며, 상기 광이 투과될 수 있는 내측판을 구비하는 박막증착장치에 있어서,
상기 내측판은 석영베이스와, 상기 석영베이스의 표면에 코팅된 흑색의 SiC 또는 SiOC 재질의 코팅층을 포함하는 박막증착장치의 내측판.
In the thin film deposition apparatus having a coil heater is provided therein to control the temperature inside the chamber, the temperature can be detected using light, and the inner plate through which the light is transmitted.
The inner plate is an inner plate of a thin film deposition apparatus comprising a quartz base and a coating layer of black SiC or SiOC material coated on the surface of the quartz base.
제1항에 있어서,
상기 코팅층은 하기의 구조식을 가지는 무기 고분자들 중 적어도 하나 이상에서 선택된 무기 고분자에서 유도된 것을 특징으로 하는 박막증착장치의 내측판.

구조식 : (-R2SiCH2-)n, (-R2Si-)n 또는 (-R2SiO-)n (R은 폴리머, n은 양의 정수)
The method of claim 1,
The coating layer is an inner plate of the thin film deposition apparatus, characterized in that derived from the inorganic polymer selected from at least one or more of the inorganic polymer having the following structural formula.

Structural Formula: (-R 2 SiCH 2- ) n, (-R 2 Si-) n or (-R 2 SiO-) n (R is a polymer, n is a positive integer)
a) SiC 전구체중 하나인 PCS(Polycarbosilane) 무기고분자를 용매에 용해시켜 PCS 코팅용액을 제조하는 단계;
b) 상기 PCS 코팅용액을 석영베이스에 도포하고, 건조시키는 단계; 및
c) 상기 건조된 PCS를 열처리하여 SiC 또는 SiOC 코팅층으로 전환시키는 단계를 포함하는 박막증착장치의 내측판 제조방법.
a) preparing a PCS coating solution by dissolving an inorganic polymer of polycarbosilane (PCS), which is one of SiC precursors, in a solvent;
b) applying the PCS coating solution to a quartz base and drying; And
c) heat treating the dried PCS to convert the SiC or SiOC coating layer into an inner plate manufacturing method of the thin film deposition apparatus.
제3항에 있어서,
상기 b) 단계와 c) 단계의 사이에서, 상기 PCS를 전처리하여, PCS 사이의 크로스링크를 유도하는 단계를 더 포함하는 박막증착장치의 내측판 제조방법.
The method of claim 3,
Between the steps b) and c), pre-processing the PCS, further comprising the step of inducing crosslinks between the PCS inner plate manufacturing method of the thin film deposition apparatus.
제4항에 있어서,
전처리는,
전자빔 또는 자외선을 조사하거나, 옥시데이션 시키는 것을 특징으로 하는 박막증착장치의 내측판 제조방법.
The method of claim 4, wherein
Pretreatment,
Method of manufacturing an inner plate of a thin film deposition apparatus characterized by irradiating or oxidizing an electron beam or ultraviolet rays.
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