KR20120000223U - 기판 처리 장치의 냉각장치 - Google Patents

기판 처리 장치의 냉각장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20120000223U
KR20120000223U KR2020100006969U KR20100006969U KR20120000223U KR 20120000223 U KR20120000223 U KR 20120000223U KR 2020100006969 U KR2020100006969 U KR 2020100006969U KR 20100006969 U KR20100006969 U KR 20100006969U KR 20120000223 U KR20120000223 U KR 20120000223U
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cooling
outer cylinder
channel
substrate processing
processing apparatus
Prior art date
Application number
KR2020100006969U
Other languages
English (en)
Other versions
KR200462868Y1 (ko
Inventor
박경완
Original Assignee
주식회사 테라세미콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테라세미콘 filed Critical 주식회사 테라세미콘
Priority to KR2020100006969U priority Critical patent/KR200462868Y1/ko
Publication of KR20120000223U publication Critical patent/KR20120000223U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200462868Y1 publication Critical patent/KR200462868Y1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

기판 처리 장치의 냉각장치가 개시된다. 본 고안의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 냉각장치는 증착 물질의 유입구(102)가 일면부에 형성되고, 타면부에 유출구(103)가 형성된 외통(100); 및 상기 외통(100)의 내부에 구비되며, 상기 외통(100)의 길이 방향을 따라 기립되게 설치되고 냉각수가 유동될 수 있게 연결된 복수의 냉각 채널(121)을 구비한 냉각부(120)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

기판 처리 장치의 냉각장치{Cold Trap For Processing A Substrate}
본 고안은 기판 처리 장치의 냉각장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 진공 챔버의 진공 배기계에 구비되어 오염물질을 냉각시킴으로써 오염물질의 배출을 차단하는 기판 처리 장치의 냉각장치에 관한 것이다.
증착 장치는 태양전지 또는 액정 디스플레이를 구성하는 반도체 층을 형성하는 장치로서, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)와 같은 화학기상 증착 장치와 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리기상 증착 장치가 있다.
일 예로, 화학 기상 증착 장치로는 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)의 액티브 물질에 해당하는 비정질 실리콘을 유리 기판 상에 증착하는 실리콘 증착 장치가 있다.
화학 기상 증착 장치의 의한 박막의 미세구조와 성장결과는 성장계면 위에서 핵 생성 과정과 표면확산에 의해서 결정되고, 기판온도, 반응기 압력, 가스조성에 의해서 영향을 받는다.
화학 기상 증착 장치는 크게 공정공간을 제공하는 진공 챔버와 진공 챔버 내에서 열분해 온도환경을 조성하기 위한 히터장치와 박막의 재료로서 기상의 소스 가스를 공급하기 위한 증착원을 포함하는 가스공급장치로 이루어진다.
화학 기상 증착 장치는 증착을 위한 부식성, 유독성 가스가 많이 사용되기 때문에, 콜드트랩이나 스크러버 등이 포함된 가스배출장치가 부가되며, 공정의 청정도를 유지시키기 위한 이송장치를 포함한다.
증착원이 배치된 진공챔버는 진공 배기계의 진공펌프에 의해 진공이 형성된다. 콜드트랩은 진공 챔버에 연결되는 진공 배기계에 구비된다. 따라서, 증착원의 증착 물질은 기판 측에 도달하여 기판에 증착되기도 하지만 일부는 진공펌프로 유동하여 진공펌프나 외부환경을 오염시키는 문제를 유발한다.
이에 본 고안은 상기와 같은 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 진공 챔버에서 배출되는 증착 물질의 외부 유출을 저지하여 증착 물질의 배출과 진공펌프에 흡착되는 현상을 차단함으로써 외부 환경 오염을 방지하고, 진공펌프의 고장을 방지하여 진공펌프의 원활한 작동을 보장하는 기판 처리 장치의 냉각장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 고안에 따른 기판 처리 장치의 냉각장치는 증착 물질의 유입구(102)가 일면부에 형성되고, 타면부에 유출구(103)가 형성된 외통(100); 및 상기 외통(100)의 내부에 구비되며, 상기 외통(100)의 길이 방향을 따라 기립되게 설치되고 냉각수가 유동될 수 있게 연결된 복수의 냉각 채널(121)을 구비한 냉각부(120)를 포함할 수 있다.
상기 외통(100)의 내벽에는 냉각수가 순환하는 내벽 채널(105)이 구비될 수 있다.
상기 외통(100)의 양측에는 상기 내벽 채널(105)과 연결된 측벽 채널(106)이 구비될 수 있다.
상기 냉각부(120)의 냉각 채널(121)에는 상기 측벽 채널(106)과 연결되는 유입관(125)과 유출관(126)이 구비될 수 있다.
상기 냉각 채널(121)의 중심부에는 상기 냉각 채널(121)을 관통하여 연결하는 공급관(130)이 구비되고, 상기 공급관(130)의 주위에는 격자형으로 배치된 냉각관(131)이 구비될 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 고안에 따른 기판 처리 장치의 냉각장치는 복수의 냉각 채널을 구비한 냉각부에 의해 진공 챔버에서 배출되는 증착 물질의 외부 유출을 저지하여 증착 물질의 배출과 진공 펌프에 흡착되는 현상을 차단함으로써 외부 환경 오염을 방지하고, 진공펌프의 고장을 방지하여 진공펌프의 원활한 작동을 보장하는 효과가 있다.
도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 냉각장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 냉각부의 측면도이다.
후술하는 본 고안에 대한 상세한 설명은, 본 고안이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 고안을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 고안의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 고안의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 고안의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 고안의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.
이하에서는, 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 고안을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 고안의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 냉각장치의 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 고안의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 냉각장치는 증착 물질의 유입구(102)가 일면부에 형성되고, 타면부에 유출구(103)가 형성된 외통(100)과, 상기 외통(100)의 내부에 구비되며, 상기 외통(100)의 길이 방향을 따라 기립되게 설치되고 냉각수가 유동될 수 있게 연결된 복수의 냉각 채널(121)을 구비한 냉각부(120)를 포함할 수 있다.
다시, 도 1을 참조하면, 외통(100)의 내벽에는 냉각수가 순환하는 내벽 채널(105)이 구비될 수 있다. 내벽 채널(105)은 외통(100) 전체 내벽에 형성되거나 일부에 형성될 수 있다. 외통(100)은 외벽과 내벽을 포함할 수 있으며, 외벽과 내벽 사이에 내벽 채널(105)이 형성될 수 있다. 외통(100)의 양측에는 내벽 채널(105)과 연결된 측벽 채널(106)이 구비될 수 있다. 측벽 채널(106)도 측벽이 외벽과 내벽 이중으로 구성됨으로써 형성될 수 있다. 내벽 채널(105)과 측벽 채널(106)을 통해 냉각수가 유동할 수 있다. 외통(100)의 상부 우측에는 냉각수 유입되는 유입라인(108)이 연결되고, 하부 좌측에는 냉각수가 유출되는 유출라인(109)이 연결될 수 있다.
다시, 도 1을 참조하면, 외통(100)의 내벽 채널(105) 및 측벽 채널(106)과 더불어 외통(100)의 내부 공간으로 유입된 증착 물질을 냉각시킬 수 있는 냉각부(120)가 외통(100)의 내부에 설치될 수 있다. 냉각부(120)의 양측 단부는 측벽 채널(106)에 연결될 수 있다. 좌측 측벽 채널(106)을 통해 유입된 냉각수는 냉각부(106)를 유동하여 우측 측벽 채널(106) 측으로 유입될 수 있다. 이때, 냉각부(120)의 냉각 채널(121)에는 측벽 채널(106)과 연결되는 유입관(125)과 유출관(126)이 구비될 수 있다. 유입관(125)과 유출관(126)은 냉각 채널(121)을 외통(100)의 내부에 고정하는 기능도 할 수 있다.
도 2는 도 1의 냉각부의 측면도이다.
도 1과 도 2를 참조하면, 냉각 채널(121)의 측면형상은 원형으로 형성되는데, 외통(100)의 내부에 설치될 때 외통(100)의 내벽면에 대해 증착 물질이 통과할 있는 틈새를 제공한다. 증착 물질은 원형으로 형성되어 일렬로 배치된 냉각 채널(121) 사이를 유동하고, 열 전달 면적이 넓은 다수의 냉각 채널(121)과 열 교환을 이루면서 냉각될 수 있다. 냉각 채널(121)의 중심부에는 냉각 채널(121)을 관통하여 연결하는 공급관(130)이 구비되고, 공급관(130)의 주위에는 격자형으로 배치된 냉각관(131)이 구비될 수 있다. 즉, 원형의 냉각 채널(121)은 격자형으로 배치된 냉각관(131)에 의해 구성될 수 있다. 냉각관(131)은 격자형으로 촘촘하게 배치되고, 냉각관(131) 사이로 증착 물질이 통과하면서 냉각될 수 있다.
다시, 도 1을 참조하면, 외통(100)의 우측 상부와 좌측 하부에 표시된 화살표는 냉각수의 유입과 유출 방향을 표시한다. 외통(100)의 우측 중앙에 표시된 화살표와 좌측 중앙에 표시된 화살표는 증착 물질이 포함된 기체의 유출과 유입을 표시한다. 냉각부(120)의 우측 상부와 좌측 상부에 표시된 화살표는 냉각관(131)에 대한 냉각수의 유입과 유출 방향을 나타낸다.
다시, 도 1을 참조하면, 외통(100)의 유출구(103)에는 증착 물질을 흡입하여 배출하고, 기판을 처리하는 반응 챔버의 진공 배기를 위한 터보 펌프가 연결될 수 있다. 냉각수 순환은 도시되지 않은 순환 펌프에 의해 수행되며, 순환 펌프에는 냉각수를 냉각시키기 위한 외부 열 교환기가 설치될 수 있다.
본 고안은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 고안의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 고안과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
100: 외통
102: 유입구
103: 유출구
105: 내벽 채널
106: 측벽 채널
108: 유입라인
109: 유출라인
120: 냉각부
121: 냉각 채널
125: 유입관
126: 유출관
130: 공급관
131: 냉각관

Claims (5)

  1. 증착 물질의 유입구(102)가 일면부에 형성되고, 타면부에 유출구(103)가 형성된 외통(100); 및
    상기 외통(100)의 내부에 구비되며, 상기 외통(100)의 길이 방향을 따라 기립되게 설치되고 냉각수가 유동될 수 있게 연결된 복수의 냉각 채널(121)을 구비한 냉각부(120)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 냉각장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 외통(100)의 내벽에는 냉각수가 순환하는 내벽 채널(105)이 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 냉각장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 외통(100)의 양측에는 상기 내벽 채널(105)과 연결된 측벽 채널(106)이 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 냉각장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 냉각부(120)의 냉각 채널(121)에는 상기 측벽 채널(106)과 연결되는 유입관(125)과 유출관(126)이 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 냉각장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 냉각 채널(121)의 중심부에는 상기 냉각 채널(121)을 관통하여 연결하는 공급관(130)이 구비되고, 상기 공급관(130)의 주위에는 격자형으로 배치된 냉각관(131)이 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 냉각장치.
KR2020100006969U 2010-06-30 2010-06-30 기판 처리 장치의 냉각장치 KR200462868Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020100006969U KR200462868Y1 (ko) 2010-06-30 2010-06-30 기판 처리 장치의 냉각장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020100006969U KR200462868Y1 (ko) 2010-06-30 2010-06-30 기판 처리 장치의 냉각장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120000223U true KR20120000223U (ko) 2012-01-05
KR200462868Y1 KR200462868Y1 (ko) 2012-10-05

Family

ID=47560044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020100006969U KR200462868Y1 (ko) 2010-06-30 2010-06-30 기판 처리 장치의 냉각장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200462868Y1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150072833A (ko) * 2013-12-20 2015-06-30 주식회사 케이씨텍 열교환 배기장치

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100631924B1 (ko) * 2005-01-24 2006-10-04 삼성전자주식회사 반도체 설비의 잔류부산물 포집장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150072833A (ko) * 2013-12-20 2015-06-30 주식회사 케이씨텍 열교환 배기장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR200462868Y1 (ko) 2012-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101684755B1 (ko) 트랩 기구, 배기계 및 성막 장치
JP5252457B2 (ja) 拡散プレートおよび噴射アセンブリを具備するバッチ処理チャンバ
US7988755B2 (en) Byproduct collecting apparatus of semiconductor apparatus
KR101645262B1 (ko) 가스 분산 장치
TWI517279B (zh) 基材處理裝置
KR101313524B1 (ko) 성막 장치와 성막 방법
TWI567220B (zh) Capture device and film forming device
US9650727B2 (en) Reactor gas panel common exhaust
TW201428116A (zh) 真空蒸鍍裝置
TW201604320A (zh) 試劑輸送系統防凍熱交換器
KR200462868Y1 (ko) 기판 처리 장치의 냉각장치
US8752580B2 (en) Vacuum chamber for processing substrate and apparatus including the same
KR200461396Y1 (ko) 기판 처리 장치의 냉각장치
KR101508752B1 (ko) 유지보수가 용이한 기판 열처리 챔버, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법
KR20190075627A (ko) 웨이퍼 도핑 프로세스튜브의 배기 장치
JP4618288B2 (ja) 熱媒体循環装置及びこれを用いた熱処理装置
KR200461393Y1 (ko) 기판 처리 장치의 냉각장치
KR101557037B1 (ko) 대면적 유리기판 열처리장치
KR200461392Y1 (ko) 기판 처리 장치의 냉각장치
KR20140079279A (ko) 개선된 기판 열처리 챔버 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
KR20180118938A (ko) 기판처리 장치
JP2013013873A (ja) 昇華性物質の分離精製装置および昇華性物質の分離精製方法
TW201339356A (zh) Pecvd系統的熱傳控制
KR20140015874A (ko) 기판 처리 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR20150142133A (ko) 기판 열처리 시스템의 가스 냉각장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150706

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160824

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170919

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180912

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190128

Year of fee payment: 8