KR20110139813A - High efficiency light emitting diode - Google Patents
High efficiency light emitting diode Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110139813A KR20110139813A KR1020100059861A KR20100059861A KR20110139813A KR 20110139813 A KR20110139813 A KR 20110139813A KR 1020100059861 A KR1020100059861 A KR 1020100059861A KR 20100059861 A KR20100059861 A KR 20100059861A KR 20110139813 A KR20110139813 A KR 20110139813A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- type compound
- compound semiconductor
- light emitting
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 분리 공정을 적용하여 성장기판을 제거한 질화갈륨 계열의 고효율 발광 다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a gallium nitride-based high efficiency light emitting diode having a growth substrate removed by applying a substrate separation process.
일반적으로 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접 천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 가지므로, 최근 가시광선 및 자외선 영역의 발광소자용 물질로 많은 각광을 받고 있다. 특히, 질화인듐갈륨(InGaN)을 이용한 청색 및 녹색 발광 소자는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 신호등, 실내 조명, 고밀도광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.In general, nitrides of group III elements, such as gallium nitride (GaN) and aluminum nitride (AlN), have excellent thermal stability and have a direct transition type energy band structure. It is attracting much attention as a substance. In particular, blue and green light emitting devices using indium gallium nitride (InGaN) have been used in various applications such as large-scale color flat panel display devices, traffic lights, indoor lighting, high density light sources, high resolution output systems, and optical communications.
이러한 III족 원소의 질화물 반도체층은 그것을 성장시킬 수 있는 동종의 기판을 제작하는 것이 어려워, 유사한 결정 구조를 갖는 이종 기판에서 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정을 통해 성장된다. 이종기판으로는 육방 정계의 구조를 갖는 사파이어(Sapphire) 기판이 주로 사용된다. 그러나, 사파이어는 전기적으로 부도체이므로, 발광 다이오드 구조를 제한한다. 이에 따라, 최근에는 사파이어와 같은 이종기판 상에 질화물 반도체층과 같은 에피층들을 성장시키고, 상기 에피층들에 지지기판을 본딩한 후, 레이저 리프트 오프 기술 등을 이용하여 이종기판을 분리하여 수직형 구조의 고효율 발광 다이오드를 제조하는 기술이 개발되고 있다(예컨대, 미국등록특허공보 US7,704,763호 참조).Such a nitride semiconductor layer of Group III elements is difficult to fabricate homogeneous substrates capable of growing them, and therefore, such as metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or molecular beam epitaxy (MBE), etc., on heterogeneous substrates having a similar crystal structure. Is grown through the process. As a hetero substrate, a sapphire substrate having a hexagonal structure is mainly used. However, sapphire is an electrically insulator, thus limiting the light emitting diode structure. Accordingly, recently, epitaxial layers, such as nitride semiconductor layers, are grown on dissimilar substrates such as sapphire, bonding supporting substrates to the epitaxial layers, and then separating the dissimilar substrates using a laser lift-off technique. Techniques for producing high efficiency light emitting diodes with structures have been developed (see, eg, US Pat. No. 7,704,763).
도 1은 종래의 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a conventional light emitting diode.
도 1을 참조하면, 종래의 수직형 구조의 발광 다이오드는 성장기판(도시하지 않음) 상에 질화갈륨계열의 n형 층(23), 활성층(25) 및 p형 층(27)을 차례로 형성하고, p형 층(27) 상에 p형 전극(39)을 형성하고, p형 전극(39)을 본딩 금속(43)을 통해 Si 서브마운트(41)에 플립본딩한 후, 성장 기판을 제거하고, 노출된 n형 층(23) 상에 n-전극(37)을 형성함으로써 제조된다. 한편, Si 서브마운트(41)의 하부면에는 n형 전극(45)이 형성된다. 나아가, 상기 미국등록특허공보 US7,704,763호는 노출된 n형 층(23)의 표면에 건식 또는 PEC 식각 기술을 사용하여 거칠어진 면을 형성함으로써 광 추출 효율을 향상시킨다.Referring to FIG. 1, in the conventional vertical light emitting diode, an n-
본 발명이 해결하려는 과제는, 광추출 효율을 극대화할 수 있는 고효율 발광 다이오드를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a high efficiency light emitting diode that can maximize the light extraction efficiency.
본 발명의 일측면에 의하면, 지지기판; 상기 지지기판 상에 위치하고, p형 화합물 반도체층, 활성층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체; 및 상기 지지기판과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 위치하여 상기 반도체 적층 구조체에 오믹 콘택하고, 상기 반도체 적층 구조체의 외부로 노출된 영역을 갖는 제1 전극; 상기 제1 전극의 외부로 노출된 영역 상에 위치하고, 상기 제1 전극에 전기적으로 접속된 제1 본딩 패드; 및 상기 반도체 적층 구조체 상에 위치하는 제2 전극을 포함하되; 상기 반도체 적층 구조체는 표면에 거칠어진 면을 가지며, 내부에 서로 이격되어 형성된 복수의 산란 패턴을 가지는 발광 다이오드가 제공된다. According to one aspect of the invention, the support substrate; A semiconductor laminate structure on the support substrate, the semiconductor laminate structure comprising a p-type compound semiconductor layer, an active layer, and an n-type compound semiconductor layer; And a first electrode disposed between the support substrate and the semiconductor stack structure and having ohmic contact with the semiconductor stack structure and having a region exposed to the outside of the semiconductor stack structure. A first bonding pad positioned on an area exposed to the outside of the first electrode and electrically connected to the first electrode; And a second electrode positioned on the semiconductor laminate structure; The semiconductor laminate structure is provided with a light emitting diode having a surface roughened on a surface and having a plurality of scattering patterns formed spaced apart from each other.
상기 산란 패턴은 분포브래그 반사기(DBR)이거나 공기층일 수 있다.The scattering pattern may be a distributed Bragg reflector (DBR) or an air layer.
상기 지지기판은 도전성일 필요가 없으며, 예컨대 사파이어 기판일 수 있다. 견고한 사파이어 기판을 지지기판으로 사용함으로써 발광 다이오드의 변형을 방지할 수 있다.The support substrate need not be conductive, and may be, for example, a sapphire substrate. By using a rigid sapphire substrate as a support substrate, it is possible to prevent deformation of the light emitting diode.
한편, 상기 제1 전극은 반사층을 포함할 수 있으며, 나아가 상기 반사층을 보호하기 위한 보호 금속층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반사층은 상기 보호 금속층과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 매립되고, 상기 보호 금속층이 외부로 노출될 수 있다.Meanwhile, the first electrode may include a reflective layer, and may further include a protective metal layer for protecting the reflective layer. In addition, the reflective layer may be buried between the protective metal layer and the semiconductor laminate, and the protective metal layer may be exposed to the outside.
상기 p형 화합물 반도체층이 n형 화합물 반도체층보다 지지기판측에 가깝게 위치할 수 있으며, 상기 제1 전극은 p형 화합물 반도체층에 오믹 콘택할 수 있다.The p-type compound semiconductor layer may be located closer to the support substrate side than the n-type compound semiconductor layer, and the first electrode may be in ohmic contact with the p-type compound semiconductor layer.
상기 n형 화합물 반도체층은 표면에 거칠어진 면을 가지며, 내부에 서로 이격되어 형성된 산란 패턴을 가질 수 있다.The n-type compound semiconductor layer may have a rough surface on the surface and may have a scattering pattern formed to be spaced apart from each other.
본 발명에 따르면, 활성층에서 생성된 광이 산란 패턴에 의해 1차적으로 산란되어 내부 전반사 임계각을 확대시키고, 이후 표면에 형성된 거칠어진 면을 통해 광을 2차적으로 산란시켜 내부 전반사 임계각을 2차에 걸쳐 확대시킴으로써 광 추출 효율을 극대화할 수 있다.According to the present invention, the light generated in the active layer is primarily scattered by the scattering pattern to enlarge the total internal reflection critical angle, and then secondly scatter the light through the roughened surface formed on the surface to make the internal total reflection critical angle secondary. By enlarging over, the light extraction efficiency can be maximized.
도 1은 종래기술에 따른 수직형 구조의 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 사시도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode having a vertical structure according to the prior art.
2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view illustrating a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타내며, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. In the drawings, the same reference numerals denote the same components, and the width, length, thickness, etc. of the components may be exaggerated for convenience.
도 2는 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 사시도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a perspective view illustrating a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 발광 다이오드는 지지기판(71), 본딩 금속(73), 반도체 적층 구조체(50), p-전극(61), n-전극(69), p-본딩 패드(65)를 포함한다.2 and 3, the light emitting diode includes a
지지기판(71)은 화합물 반도체층들을 성장시키기 위한 성장기판과 구분되며, 이미 성장된 화합물 반도체층들에 부착된 2차 기판이다. 상기 지지기판(71)은 사파이어 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 종류의 절연 또는 도전 기판일 수 있다. 특히, 성장 기판으로 사파이어 기판을 사용하는 경우, 성장 기판과 동일한 열팽창계수를 갖기 때문에 지지기판을 본딩하고 성장기판을 제거할 때, 웨이퍼 휨을 방지할 수 있으며, 또한 반도체 적층 구조체(50)를 견고하게 지지할 수 있다.The
반도체 적층 구조체(50)는 지지기판(51) 상에 위치하며, p형 화합물 반도체층(57), 활성층(55) 및 n형 화합물 반도체층(53)을 포함한다. 여기서, 상기 반도체 적층 구조체(50)는 일반적인 수직형 발광 다이오드와 유사하게 p형 화합물 반도체층(57)이 n형 화합물 반도체층(53)에 비해 지지기판(71) 측에 가깝게 위치한다. 상기 반도체 적층 구조체(50)는 지지기판(71)의 일부 영역 상에 위치한다. 즉, 지지기판(71)이 반도체 적층 구조체(50)에 비해 상대적으로 넓은 면적을 가지며, 반도체 적층 구조체(50)는 상기 지지기판(71)의 가장자리로 둘러싸인 영역 내에 위치한다.The semiconductor stacked
n형 화합물 반도체층(53), 활성층(55) 및 p형 화합물 반도체층(57)은 III-N 계열의 화합물 반도체, 예컨대 (Al, Ga, In)N 반도체로 형성될 수 있다. n형 화합물 반도체층(53) 및 p형 화합물 반도체층(57)은 각각 단일층 또는 다중층일 수 있다. 예를 들어, n형 화합물 반도체층(53) 및/또는 p형 화합물 반도체층(57)은 콘택층과 클래드층을 포함할 수 있으며, 또한 초격자층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 활성층(55)은 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조일 수 있다. 저항이 상대적으로 작은 n형 화합물 반도체층(53)이 지지기판(71)의 반대쪽에 위치함으로써 n형 화합물 반도체층(53)의 상부면에 거칠어진 면을 형성하는 것이 용이하며, 거칠어진 면은 활성층(55)에서 생성된 광의 추출 효율을 향상시킨다.The n-type
n형 화합물 반도체층(53)은 표면에 거칠어진 면을 가질 수 있다. 즉, n형 화합물 반도체층(53)의 표면에 건식 또는 PEC 식각 기술을 사용하여 거칠어진 면을 형성함으로써 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The n-type
한편, n형 화합물 반도체층(53)은 내부에 서로 이격되어 형성된 복수의 산란 패턴(63)을 가질 수 있다.The n-type
산란 패턴(63)은 활성층(55)에서 생성된 광을 1차적으로 산란켜서 내부 전반사 임계각을 확대시킬 수 있다. 이렇게 산란 패턴(63)을 통해 광을 1차적으로 산란시키고, 이후 표면에 형성된 거칠어진 면을 통해 광을 2차적으로 산란시켜 내부 전반사 임계각을 2차에 걸쳐 확대시킴으로써 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The
산란 패턴(63)은 아일랜드들의 행렬 패턴, 복수개의 라인들 또는 망상 패턴 등 다양한 형상의 패턴일 수 있다.The
산란 패턴(63)의 원리는 산란 패턴(63)과 n형 화합물 반도체층(53)의 굴절률 차이에 기인한다. 따라서, 산란 패턴(63)은 n형 화합물 반도체층(53)과 굴절률이 다른 재질을 이용하여 형성될 수 있다. 예컨대, 산란 패턴(63)은 산화물(oxide) 또는 공기층일 수 있다. 또한, 산란 패턴(63)은 분포 브래기 반사기(DBR)일 수 있다.The principle of the
산란 패턴(63)은 서로 다른 굴절률을 가지는 둘 이상의 절연층이 교번하여 적층되어 형성될 수 있다. 예를 들어 SiO2층과 Si3N4층이 교번하여 적층될 수 있다.The
산란 패턴(63)은 n형 화합물 반도체층(53)을 일부 성장시킨 다음 굴절율이 서로 다른 둘 이상의 절연층을 교번하여 다수의 층으로 적층하고, 포토리소그라피 기술을 이용하여 적층된 절연층을 패터닝 식각하여 형성될 수 있다. 산란 패턴(63)을 구성하는 절연층들은 반사막 형태로 교번하여 적층되는데, 예를 들어, SiO2층과 Si3N4층이 반복적으로 교번하여 다수의 층으로 적층될 수 있다.The
일부 성장된 n형 화합물 반도체층(53)에 산란 패턴(63)이 형성된 다음에는 나머지 n형 화합물 반도체층(53)을 형성한다. After the
산란 패턴(63)은 굴절율이 서로 다른 둘 이상의 절연층이 교번하여 다수층으로 적층되어 생성됨에 따라 DBR(Distributed Bragg Reflector)의 기능을 수행하여 활성층(55)에서 발생된 광이 산란 패턴(63)에 의해 1차적으로 반사되어 산란이 효율적으로 일어나도록 할 수 있다.As the
DBR(Distributed Bragg Reflector)은 발광 기능, 광 검출 기능, 광 변조 기능 등을 포함하는 각종 발광소자에서 높은 반사율을 필요로 하는 경우에 사용될 수 있다. DBR(Distributed Bragg Reflector)은 굴절율이 서로 다른 2 종류의 매질을 교대로 적층하여, 그 굴절율의 차이를 이용하여 광을 반사하는 반사경이다.Distributed Bragg Reflector (DBR) can be used when high reflectivity is required in various light emitting devices including light emitting function, light detecting function, light modulating function and the like. Distributed Bragg Reflector (DBR) is a reflector reflecting light by alternately stacking two kinds of media having different refractive indices and using the difference in the refractive indices.
p-전극(59, 61)은 p형 화합물 반도체층(57)과 지지기판(71) 사이에 위치하며, p형 화합물 반도체층(57)에 오믹 콘택한다. p-전극(59, 61)은 반사층(59) 및 보호 금속층(61)을 포함할 수 있으며, 반사층(59)이 반도체 적층 구조체(50)와 지지기판(71) 사이에 매립되도록 보호 금속층(61)이 반사층(59)을 감쌀 수 있다. 상기 반사층(59)은 예컨대 Ag와 같은 반사 금속으로 형성될 수 있으며, 보호 금속층(61)은 예컨대, Ni로 형성될 수 있다. 상기 p-전극, 예컨대 상기 보호 금속층(61)은 지지기판(71)의 전면 상에 위치할 수 있으며, 따라서, 상기 보호 금속층(61)은 반도체 적층 구조체(50)의 외부로 노출된 영역을 갖는다.The p-
반도체 적층 구조체(50)의 외부로 노출된 p-전극, 예컨대 보호 금속층(61) 상에 p형 본딩 패드(65)가 위치할 수 있다. 상기 p형 본딩 패드(65)는 p-전극(59, 61)을 통해 p형 화합물 반도체층(57)에 전기적으로 접속한다.The p-
한편, 본딩 금속(73)은 지지기판(71)과 p-전극(59, 61) 사이에 위치하여 반도체 적층 구조체(30)와 지지기판(71)을 결합시킨다. 본딩 금속(73)은 예컨대 Au-Sn으로 공융 본딩을 이용하여 형성될 수 있다.Meanwhile, the
p형 전극(59, 61)은 본딩 금속(73)을 통해 지지기판(71)에 플립본딩되고, n형 화합물 반도체층(53)은 성장 기판의 제거를 통해 노출된다.The p-
한편, n-전극(69)은 반도체 적층 구조체(50) 상에 위치하며, 성장 기판의 제거를 통해 노출된 n형 화합물 반도체층(53)에 전기적으로 접속된다.On the other hand, the n-
노출된 n형 화합물 반도체층(53)은 건식 또는 PEC 식각 기술을 사용하여 표면에 거칠어진 면을 가지게 되어 광 추출 효율을 향상시키게 된다.The exposed n-type
본 발명의 몇몇 실시예들에 대해 예시적으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 앞서 설명된 실시예들은 본 발명의 기술사상을 한정하기 위한 것이 아니라 단지 더 잘 이해할 수 있도록 설명하기 위한 것으로 이해되어야 한다. 본 발명의 권리 범위는 이러한 실시예들에 의해 한정되지 않으며, 아래 청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While some embodiments of the present invention have been described by way of example, those skilled in the art will appreciate that various modifications and variations can be made without departing from the essential features thereof. Therefore, the embodiments described above should not be construed as limiting the technical spirit of the present invention but merely for better understanding. The scope of the present invention is not limited by these embodiments, and should be interpreted by the following claims, and the technical spirit within the scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
예컨대, 앞에서 설명한 실시예들에 있어서, p형 화합물 반도체층(57)이 n형 화합물 반도체층(53)에 비해 지지기판(71)측에 가깝게 위치하는 것으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 그 역으로 배치될 수도 있다. 이 경우, n-전극(69)과 p-전극(59, 61) 및 p형 본딩 패드(65)는 극성이 서로 바뀐다.For example, in the above-described embodiments, the p-type compound semiconductor layer 57 is described as being located closer to the
Claims (7)
상기 지지기판 상에 위치하고, p형 화합물 반도체층, 활성층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체; 및
상기 지지기판과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 위치하여 상기 반도체 적층 구조체에 오믹 콘택하고, 상기 반도체 적층 구조체의 외부로 노출된 영역을 갖는 제1 전극;
상기 제1 전극의 외부로 노출된 영역 상에 위치하고, 상기 제1 전극에 전기적으로 접속된 제1 본딩 패드; 및
상기 반도체 적층 구조체 상에 위치하는 제2 전극을 포함하되;
상기 반도체 적층 구조체 상에 위치하는 제2 전극을 포함하되; 상기 반도체 적층 구조체는 표면에 거칠어진 면을 가지며, 내부에 서로 이격되어 형성된 복수의 산란 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.Support substrate;
A semiconductor laminate structure on the support substrate, the semiconductor laminate structure comprising a p-type compound semiconductor layer, an active layer, and an n-type compound semiconductor layer; And
A first electrode disposed between the support substrate and the semiconductor stack structure and having ohmic contact with the semiconductor stack structure, and having an area exposed to the outside of the semiconductor stack structure;
A first bonding pad positioned on an area exposed to the outside of the first electrode and electrically connected to the first electrode; And
A second electrode positioned on the semiconductor laminate structure;
A second electrode positioned on the semiconductor laminate structure; The semiconductor laminate structure has a surface roughened on the surface, and has a plurality of scattering patterns formed therein spaced apart from each other.
상기 산란 패턴은 산화물, DBR, 공기층중 적어도 하나인 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The scattering pattern is at least one of oxide, DBR, air layer.
상기 지지기판은 사파이어인 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The support substrate is a sapphire light emitting diode.
상기 제1 전극은 반사층; 및
상기 반사층을 보호하기 위한 보호 금속층을 포함하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The first electrode may include a reflective layer; And
A light emitting diode comprising a protective metal layer for protecting the reflective layer.
상기 반사층은 상기 보호 금속층과 상기 반도체 적층 구조체 사이에 매립되고, 상기 보호 금속층이 외부로 노출된 발광 다이오드.The method of claim 4,
The reflective layer is buried between the protective metal layer and the semiconductor laminate, the protective metal layer is exposed to the outside.
상기 제1 전극은 p형 화합물 반도체층에 오믹 콘택하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The first electrode is in ohmic contact with the p-type compound semiconductor layer.
상기 n형 화합물 반도체층은 표면에 거칠어진 면을 가지며, 내부에 서로 이격되어 형성된 산란 패턴을 가지는 발광 다이오드.The method of claim 6,
The n-type compound semiconductor layer has a surface roughened on the surface, and has a scattering pattern formed spaced apart from each other therein.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100059861A KR101154510B1 (en) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | High efficiency light emitting diode high efficiency light emitting diode |
JP2013516494A JP5706962B2 (en) | 2010-06-24 | 2011-05-02 | Light emitting diode |
US13/099,127 US9142715B2 (en) | 2010-06-24 | 2011-05-02 | Light emitting diode |
CN201180005026.XA CN102668135B (en) | 2010-06-24 | 2011-05-02 | Light emitting diode |
PCT/KR2011/003269 WO2011162479A2 (en) | 2010-06-24 | 2011-05-02 | Light emitting diode |
JP2014177428A JP5840744B2 (en) | 2010-06-24 | 2014-09-01 | Light emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100059861A KR101154510B1 (en) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | High efficiency light emitting diode high efficiency light emitting diode |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110139813A true KR20110139813A (en) | 2011-12-30 |
KR101154510B1 KR101154510B1 (en) | 2012-06-13 |
Family
ID=45505137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100059861A KR101154510B1 (en) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | High efficiency light emitting diode high efficiency light emitting diode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101154510B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130118502A (en) * | 2012-04-20 | 2013-10-30 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device, light emitting device package, and light unit |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100581831B1 (en) * | 2004-02-05 | 2006-05-23 | 엘지전자 주식회사 | Light emitting diode |
KR100670928B1 (en) * | 2004-11-29 | 2007-01-17 | 서울옵토디바이스주식회사 | GaN compound semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same |
KR101507129B1 (en) * | 2008-03-28 | 2015-03-31 | 서울바이오시스 주식회사 | Light emitting diode and method for fabricating the same |
KR101457209B1 (en) * | 2008-09-29 | 2014-10-31 | 서울바이오시스 주식회사 | Light emitting device and method for fabricating the same |
-
2010
- 2010-06-24 KR KR1020100059861A patent/KR101154510B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130118502A (en) * | 2012-04-20 | 2013-10-30 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device, light emitting device package, and light unit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101154510B1 (en) | 2012-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9455378B2 (en) | High efficiency light emitting diode and method for fabricating the same | |
JP5550078B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP6320486B2 (en) | Light emitting diode | |
US8618565B2 (en) | High efficiency light emitting diode | |
TWI453908B (en) | Light-emitting structure | |
JP6347600B2 (en) | High efficiency light emitting diode | |
JP2007019488A (en) | Semiconductor light emitting element | |
JP2008159894A (en) | Light emitting element and illuminator | |
KR101138976B1 (en) | Light emitting diode | |
KR20120001434A (en) | Light emitting diode and method of fabricating the same | |
KR101154511B1 (en) | High efficiency light emitting diode and method of fabricating the same | |
KR101669640B1 (en) | High efficiency light emitting diode and method for fabricating the same | |
KR101154510B1 (en) | High efficiency light emitting diode high efficiency light emitting diode | |
KR20130009719A (en) | High efficiency light emitting diode and method of fabricating the same | |
KR101138948B1 (en) | High efficiency light emitting diode | |
KR101156451B1 (en) | High efficiency light emitting diode | |
KR101078063B1 (en) | High efficiency light emitting diode | |
KR101171328B1 (en) | High efficiency light emitting diode | |
KR101791159B1 (en) | High efficiency light emitting diode and method for fabricating the same | |
KR20180004457A (en) | Light emitting diode having contact layers and method of fabricating the same | |
KR101138978B1 (en) | High efficiency light emitting diode and method of fabricating the same | |
KR101744933B1 (en) | High efficiency light emitting diode and method for fabricating the same | |
KR101154509B1 (en) | High efficiency light emitting diode | |
KR20130108122A (en) | Lateral power led | |
KR20120040125A (en) | High efficiency light emitting diode and method of fabricating the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170308 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |