KR20110131958A - 유기전계발광 표시 장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
본 발명은 유기전계발광 표시 장치에 관한 것으로, 기판의 저면부에 도전층을 형성하고, 도전층을 전원 공급을 위한 배선 및 캐패시터의 전극으로 사용한다. 따라서 화소의 개구율 확보가 용이하고, 도전층의 면적이나 두께 조절을 통해 전압강하 문제를 쉽게 해결할 수 있으며, 캐패시터의 정전용량을 용이하게 확보할 수 있다. 특히, 전면 발광 구조의 경우 발광 영역에 MIM(금속/절연층/금속) 구조의 캐패시터를 형성할 수 있기 때문에 개구율과 정전용량을 충분히 확보할 수 있다. 본 발명을 이용하면 고해상도의 유기전계발광 표시 장치를 용이하게 구현할 수 있고, 개구율 및 정전용량을 충분히 확보하여 고화질을 실현할 수 있다.
Description
본 발명은 유기전계발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 능동 매트릭스(active matrix) 방식의 유기전계발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기전계발광 표시 장치는 애노드 전극, 유기 발광층 및 캐소드 전극으로 구성되는 유기전계발광 다이오드(diode)를 포함하며, 주사선(scan line)과 데이터선(data line) 사이에 유기전계발광 다이오드가 매트릭스 방식으로 연결되어 화소를 구성하는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식과, 각 화소의 동작이 스위치 역할을 하는 박막 트랜지스터(thin film transistor)에 의해 제어되는 능동 매트릭스(active matrix) 방식으로 구성될 수 있다. 일반적으로 능동 매트릭스 방식의 유기전계발광 표시 장치는 신호를 전달하기 위한 박막 트랜지스터와 신호를 유지시키기 위한 캐패시터를 포함한다.
유기전계발광 표시 장치는 경량 및 박형으로 제조될 수 있기 때문에 휴대용 표시 장치에 적용이 증가하고 있으며, 최근들어 사용자의 요구에 따라 해상도는 증가하고 표시 장치의 크기는 감소되는 추세이다.
해상도가 증가하면 화소의 크기 감소로 인해 광이 투과되는 발광 영역의 크기 즉, 개구율이 감소될 수밖에 없으며, 개구율 감소로 인한 휘도 감소로 인해 화질이 저하되는 문제점이 발생된다.
더욱이, 제조 원가를 절감을 위한 하나의 방안으로 마스크 수를 감소시키는 연구가 계속되고 있는데, 현재 마스크 수를 최소화하기 위해 박막 트랜지스터와 캐패시터를 중첩되지 않는 구조로 배치하기 때문에 화소의 크기는 더욱 제한될 수밖에 없다. 또한, 화소의 크기 감소에 따른 캐패시터의 크기 감소로 인해 필요한정전용량(capacitance)을 확보하기 어렵다.
본 발명의 목적은 발광 영역의 크기(개구율)를 증가시킬 수 있는 유기전계발광 표시 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 캐패시터의정전용량을 증가시킬 수 있는 유기전계발광 표시 장치를 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 유기전계발광 표시 장치는 기판; 상기 기판 상에 형성된 도전층; 상기 도전층을 포함하는 상기 기판 상에 형성된 제 1 절연층; 상기 제 1 절연층 상에 반도체로 형성된 제 1 전극층 및 활성층; 상기 제 1 전극층 및 활성층을 포함하는 상기 제 1 절연층 상에 형성된 제 2 절연층; 상기 활성층 상부의 상기 제 2 절연층 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 포함하는 상기 제 2 절연층 상에 형성된 제 3 절연층; 상기 제 3 절연층 상에 형성되며, 소스 영역의 상기 활성층 및 상기 도전층에 연결된 제 2 전극층; 및 상기 제 3 절연층 상에 형성되며, 드레인 영역의 상기 활성층에 연결된 제 3 전극층을 포함한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 측면에 따른 유기전계발광 표시 장치는 기판; 상기 기판 상에 형성된 도전층; 상기 도전층을 포함하는 상기 기판 상에 형성된 제 1 절연층; 상기 제 1 절연층 상에 반도체로 형성된 활성층; 상기 활성층을 포함하는 상기 제 1 절연층 상에 형성된 제 2 절연층; 상기 활성층 상부의 상기 제 2 절연층 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극과 이격되도록 상기 제 2 절연층 상에 형성된 제 1 전극층; 상기 게이트 전극 및 상기 제 1 전극층을 포함하는 상기 제 2 절연층 상에 형성된 제 3 절연층; 상기 제 3 절연층 상에 형성되며, 소스 영역의 상기 활성층 및 상기 도전층에 연결된 제 2 전극층; 및 상기 제 3 절연층 상에 형성되며, 드레인 영역의 상기 활성층에 연결된 제 3 전극층을 포함한다.
본 발명의 유기전계발광 표시 장치는 전원 공급을 위한 배선으로서, 도전층이 기판의 저면부에 형성된다. 따라서 화소의 개구율 확보가 용이하고, 도전층의 면적이나 두께 조절을 통해 전압강하(IR drop) 문제를 용이하게 해결할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 상에 독립적으로 형성된 도전층을 캐패시터의 전극으로 이용한다. 따라서 원하는 정전용량을 용이하게 확보할 수 있으며, 특히, 전면 발광 구조의 경우 발광 영역에 MIM(금속/절연층/금속) 구조의 캐패시터를 형성할 수 있기 때문에 개구율과 정전용량을 충분히 확보할 수 있다.
본 발명을 이용하면 고해상도의 유기전계발광 표시 장치를 용이하게 구현할 수 있고, 개구율 및 정전용량을 충분히 확보하여 고화질을 실현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 이 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서, 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예로서, 배면 발광 구조의 유기전계발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(10) 상에 도전층(12)이 형성된다. 기판(10)은 투명한 유리나 플라스틱 등의 절연물로 이루어지고, 도전층(12)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 등과 같이 내열성이 강하고 투과도가 높은 도전물로 형성된다. 도전층(12)은 전원 공급을 위한 배선 및 캐패시터의 전극으로 사용되며, 기판(10) 상에 배선 형태로 패터닝되거나, 화소 영역과 같이 일정 영역에 판 형태로 형성될 수 있다.
도전층(12)을 포함하는 기판(10) 상에 제 1 절연층(14)이 형성되고, 제 1 절연층(14) 상에 제 1 전극층(16a) 및 활성층(16b)이 형성된다. 제 1 절연층(14)은 실리콘 산화막(SiO2)이나 실리콘 질화막(SiN)과 같은 무기물로 형성되며, 1000Å 내지 5000Å의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 제 1 전극층(16a) 및 활성층(16b)은 반도체로서, 비정질 실리콘이나 폴리실리콘으로 형성된다. 비정질 실리콘은 증착한 후 레이저 등으로 결정화된다. 제 1 전극층(16a)은 캐패시터의 전극으로 사용될 수 있도록 이온이 도핑되며, 활성층(16b)은 박막 트랜지스터의 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공할 수 있도록 이온이 도핑된다.
제 1 전극층(16a)은 캐패시터의 하나의 전극으로서, 제 1 전극층(16a)과 대향하는 도전층(12)이 캐패시터의 다른 전극으로 사용된다. 즉, 도전층(12), 제 1 절연층(14) 및 제 1 전극층(16a)으로 이루어지는 캐패시터가 형성된다.
제 1 전극층(16a) 및 활성층(16b)을 포함하는 제 1 절연층(14) 상에 제 2 절연층(18)이 형성되고, 활성층(16b) 상부의 제 2 절연층(18) 상에 게이트 전극(20)이 형성된다. 게이트 절연층으로 사용되는 제 2 절연층(18)은 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiN) 또는 이들의 적층 구조로 형성될 수 있다. 게이트 전극(20)은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag) 등의 금속이나, 도핑된 폴리실리콘 등으로 형성된다.
게이트 전극(20)을 포함하는 제 2 절연층(18) 상에 제 3 절연층(22)이 형성되고, 제 3 절연층(22) 상에 제 2 전극층(24a) 및 제 3 전극층(24b)이 형성된다. 소스 전극으로 사용되는 제 2 전극층(24a)은 소스 영역의 활성층(16b) 및 도전층(12)에 연결되고, 드레인 전극 및 애노드 전극으로 사용되는 제 3 전극층(24b)은 드레인 영역의 활성층(16b)에 연결되며, 발광 영역까지 연장되도록 형성된다. 예를 들어, 제 2 전극층(24a)은 제 2 및 제 3 절연층(18 및 22)에 형성된 비아홀을 통해 활성층(16b)에 연결되고, 제 1, 제 2 및 제 3 절연층(14, 18 및 22)에 형성된 비아홀을 통해 도전층(12)에 연결된다. 그리고 제 3 전극층(24b)은 제 2 및 제 3 절연층(18 및 22)에 형성된 비아홀을 통해 활성층(16b)에 연결된다. 제 2 전극층(24a) 및 제 3 전극층(24b)은 ITO, IZO 등과 같이 투과도가 높은 도전물로 형성된다.
제 2 전극층(24a) 및 제 3 전극층(24b)을 포함하는 제 3 절연층(22) 상에 화소 정의막(26)이 형성되고, 화소 정의막(26)에는 애노드 전극으로 사용되는 제 3 전극층(24b)의 일 부분(발광 영역)이 노출되도록 개구부(A1)가 형성된다. 화소 정의막(26)은 유기계로서, 아크릴(acryl resin), 폴리이미드(polyimid), 폴리아마이드(polyamide), 벤조사이클로부텐(benzo cyclo butene), 페놀 수지 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
개구부(A1)를 통해 노출되는 제 3 전극층(24b) 상에 유기 발광층(28)이 형성되고, 유기 발광층(28) 상에 제 4 전극층(30)이 형성된다. 유기 발광층(28)은 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함할 수 있다. 캐소드 전극으로 사용되는 제 4 전극층(30)은 금속으로 형성된다.
상기와 같이 구성된 유기전계발광 표시 장치는 도전층(12)으로 전원전압(VDD)이 공급되고, 박막 트랜지스터의 게이트 전극(20)으로 신호가 입력되면 애노드 전극으로 사용되는 제 3 전극층(24b)과 캐소드 전극으로 사용되는 제 4 전극층(30) 사이에 소정의 전압 차이가 발생된다. 이 때 애노드 전극을 통해 주입되는 정공과 캐소드 전극을 통해 주입되는 전자가 유기 발광층(28)에서 재결합하게 되고, 이 과정에서 발생되는 에너지 차이에 의해 빛을 방출한다. 방출된 빛은 기판(10)을 통해 외부로 진행한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예로서, 전면 발광 구조의 유기전계발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판(50) 상에 도전층(52)이 형성된다. 기판(50)은 투명한 유리나 플라스틱 등의 절연물로 이루어지고, 도전층(52)은 ITO, IZO 등과 같이 내열성이 강하고 투과도가 높은 도전물로 형성된다. 도전층(52)은 전원 공급을 위한 배선 및 캐패시터의 전극층으로 사용되며, 기판(50) 상에 배선 형태로 패터닝되거나, 화소 영역과 같이 일정 영역에 판 형태로 형성될 수 있다.
도전층(52)을 포함하는 기판(50) 상에 제 1 절연층(54)이 형성되고, 제 1 절연(54)층 상에 활성층(56)이 형성된다. 제 1 절연층(54)은 실리콘 산화막(SiO2)이나 실리콘 질화막(SiN)과 같은 무기물로 형성되며, 1000Å 내지 5000Å의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 활성층(56)은 반도체로서, 비정질 실리콘이나 폴리실리콘으로 형성된다. 비정질 실리콘은 증착한 후 레이저 등으로 결정화된다. 활성층(56)은 박막 트랜지스터의 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공할 수 있도록 이온이 도핑된다.
활성층(56)을 포함하는 제 1 절연층(54) 상에 제 2 절연층(58)이 형성된다. 게이트 절연층으로 사용되는 제 2 절연층(18)은 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiN) 또는 이들의 적층 구조로 형성될 수 있다.
활성층(56) 상부의 제 2 절연층(58) 상에 게이트 전극(60a)이 형성되고, 게이트 전극(60a)과 소정 거리 이격된 제 2 절연층(58) 상에 제 1 전극층(60b)이 형성된다. 게이트 전극(60a) 및 제 1 전극층(60b)은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag) 등의 금속이나, 도핑된 폴리실리콘 등으로 형성된다.
제 1 전극층(60a)은 캐패시터의 전극으로서, 제 1 전극층(60a)과 대향하는 도전층(52)이 캐패시터의 다른 전극으로 사용된다. 즉, 도전층(52), 제 1 및 제 2 절연층(54 및 58) 그리고 제 1 전극층(60b)으로 이루어지는 캐패시터가 형성된다.
게이트 전극(60a) 및 제 1 전극층(60b)을 포함하는 제 2 절연층(58) 상에 제 3 절연층(62)이 형성되고, 제 3 절연층(62) 상에 제 2 전극층(64a) 및 제 3 전극층(64b)이 형성된다. 소스 전극으로 사용되는 제 2 전극층(64a)은 소스 영역의 활성층(56) 및 도전층(52)에 연결되고, 드레인 전극 및 애노드 전극으로 사용되는 제 3 전극층(64b)은 드레인 영역의 활성층(56)에 연결되며, 발광 영역까지 연장되도록 형성된다. 예를 들어, 제 2 전극층(64a)은 제 2 및 제 3 절연층(58 및 62)에 형성된 비아홀을 통해 활성층(56)에 연결되고, 제 1, 제 2 및 제 3 절연층(54, 58 및 62)에 형성된 비아홀을 통해 도전층(52)에 연결된다. 그리고 제 3 전극층(64b)은 제 2 및 제 3 절연층(58 및 62)에 형성된 비아홀을 통해 활성층(56)에 연결된다. 제 2 전극층(64a) 및 제 3 전극층(64b)은 금속이나, ITO, IZO 등과 같이 투과도가 높은 도전물로 형성된다.
제 2 전극층(64a) 및 제 3 전극층(64b)을 포함하는 제 3 절연층(62) 상에 화소 정의막(66)이 형성되고, 화소 정의막(66)에는 애노드 전극으로 사용되는 제 3 전극층(64b)의 일 부분(발광 영역)이 노출되도록 개구부(A2)가 형성된다. 화소 정의막(66)은 유기계로서, 아크릴, 폴리이미드, 폴리아마이드, 벤조사이클로부텐, 페놀 수지 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
개구부(A2)를 통해 노출되는 제 3 전극층(64b) 상에 유기 발광층(68)이 형성되고, 유기 발광층(68) 상에 제 4 전극층(70)이 형성된다. 유기 발광층(68)은 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함할 수 있다. 캐소드 전극으로 사용되는 제 4 전극층(70)은 ITO, IZO 등과 같이 투과도가 높은 도전물로 형성된다.
상기와 같이 구성된 유기전계발광 표시 장치는 도전층(52)으로 전원전압(VDD)이 공급되고, 박막 트랜지스터의 게이트 전극(60a)으로 신호가 입력되면 애노드 전극으로 사용되는 제 3 전극층(64b)과 캐소드 전극으로 사용되는 제 4 전극층(70) 사이에 소정의 전압 차이가 발생된다. 이 때 애노드 전극을 통해 주입되는 정공과 캐소드 전극을 통해 주입되는 전자가 유기 발광층(68)에서 재결합하게 되고, 이 과정에서 발생되는 에너지 차이에 의해 빛을 방출한다. 방출된 빛은 제 4 전극층(70)을 통해 외부로 진행한다.
본 발명의 유기전계발광 표시 장치는 기판(10 및 50) 상에 독립적으로 형성된 도전층(12 및 52)을 통해 전원전압(VDD)을 공급받는다. 박막 트랜지스터의 게이트 전극이나 소스 및 드레인 전극을 형성하는 과정에서 전원 공급을 위한 배선을 형성할 경우 배선이 차지하는 면적에 의해 발광 영역의 크기 즉, 개구율이 감소된다. 또한, 배선이 차지하는 면적이 제한되기 때문에 전압강하(IR drop) 문제를 해결하기 쉽지 않다. 그러나 본 발명은 전원 공급을 위한 배선으로서, 도전층(12 및 52)을 기판(10 및 50)의 저면부 즉, 기판(10 및 50)의 표면과 인접한 부분에 형성함으로써 개구율 확보가 용이하고, 도전층(12 및 52)의 면적이나 두께 조절을 통해 전압강하 문제를 쉽게 해결할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판(10 및 50) 상에 독립적으로 형성된 도전층(12 및 52)을 캐패시터의 전극으로 이용한다. 박막 트랜지스터의 활성층, 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극을 형성하는 과정에서 캐패시터의 두 전극을 형성할 경우 제한된 면적에서 원하는 정전용량을 충분히 확보하기 어렵다. 그러나 본 발명은 기판(10 및 50)의 저면부에 형성된 도전층(12 및 52)을 캐패시터의 전극으로 사용하기 때문에 원하는 정전용량을 용이하게 확보할 수 있다. 특히, 전면 발광 구조(도 2 참조)의 경우 발광 영역에 MIM(금속/절연층/금속) 구조의 캐패시터를 형성할 수 있기 때문에 개구율과 정전용량을 충분히 확보할 수 있다.
이상에서와 같이 상세한 설명과 도면을 통해 본 발명의 최적 실시예를 개시하였다. 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
10, 50: 기판 12, 52: 도전층
14, 54: 제 1 절연층 16a, 60b: 제 1 전극층
16b, 56: 활성층 18, 58: 제 2 절연층
20, 60a: 게이트 전극 22, 62: 제 3 절연층
24a, 64a: 제 2 전극층 24b, 64b: 제 3 전극층
26, 66: 화소 정의막 28, 68: 유기 발광층
30, 70: 제 4 전극층
14, 54: 제 1 절연층 16a, 60b: 제 1 전극층
16b, 56: 활성층 18, 58: 제 2 절연층
20, 60a: 게이트 전극 22, 62: 제 3 절연층
24a, 64a: 제 2 전극층 24b, 64b: 제 3 전극층
26, 66: 화소 정의막 28, 68: 유기 발광층
30, 70: 제 4 전극층
Claims (19)
- 기판;
상기 기판 상에 형성된 도전층;
상기 도전층을 포함하는 상기 기판 상에 형성된 제 1 절연층;
상기 제 1 절연층 상에 반도체로 형성된 제 1 전극층 및 활성층;
상기 제 1 전극층 및 활성층을 포함하는 상기 제 1 절연층 상에 형성된 제 2 절연층;
상기 활성층 상부의 상기 제 2 절연층 상에 형성된 게이트 전극;
상기 게이트 전극을 포함하는 상기 제 2 절연층 상에 형성된 제 3 절연층;
상기 제 3 절연층 상에 형성되며, 소스 영역의 상기 활성층 및 상기 도전층에 연결된 제 2 전극층; 및
상기 제 3 절연층 상에 형성되며, 드레인 영역의 상기 활성층에 연결된 제 3 전극층을 포함하는 유기전계발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 도전층이 투명한 물질로 형성된 유기전계발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극층이 캐패시터의 하나의 전극으로 사용되고, 상기 제 1 전극층과 대향하는 상기 도전층이 캐패시터의 다른 전극으로 사용되는 유기전계발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 도전층이 전원 공급을 위한 배선으로 사용되는 유기전계발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연층이 무기물로 형성된 유기전계발광 표시 장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 절연층이 1000Å 내지 5000Å의 두께로 형성된 유기전계발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 상기 제 2 및 제 3 절연층에 형성된 비아홀을 통해 상기 활성층에 연결되고, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 절연층에 형성된 비아홀을 통해 상기 도전층에 연결된 유기전계발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 전극층은 상기 제 2 및 제 3 절연층에 형성된 비아홀을 통해 상기 활성층에 연결된 유기전계발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극층 및 제 3 전극층을 포함하는 상기 제 3 절연층 상에 형성되며, 상기 제 3 전극층의 일 부분이 노출되도록 개구부가 형성된 화소 정의막;
상기 개구부를 통해 노출되는 상기 제 3 전극층 상에 형성된 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 상에 형성된 제 4 전극층을 더 포함하는 유기전계발광 표시 장치. - 기판;
상기 기판 상에 형성된 도전층;
상기 도전층을 포함하는 상기 기판 상에 형성된 제 1 절연층;
상기 제 1 절연층 상에 반도체로 형성된 활성층;
상기 활성층을 포함하는 상기 제 1 절연층 상에 형성된 제 2 절연층;
상기 활성층 상부의 상기 제 2 절연층 상에 형성된 게이트 전극;
상기 게이트 전극과 이격되도록 상기 제 2 절연층 상에 형성된 제 1 전극층;
상기 게이트 전극 및 상기 제 1 전극층을 포함하는 상기 제 2 절연층 상에 형성된 제 3 절연층;
상기 제 3 절연층 상에 형성되며, 소스 영역의 상기 활성층 및 상기 도전층에 연결된 제 2 전극층; 및
상기 제 3 절연층 상에 형성되며, 드레인 영역의 상기 활성층에 연결된 제 3 전극층을 포함하는 유기전계발광 표시 장치. - 제 10 항에 있어서, 상기 도전층이 투명한 물질로 형성된 유기전계발광 표시 장치.
- 제 10 항에 있어서, 상기 도전층이 전원 공급을 위한 배선으로 사용되는 유기전계발광 표시 장치.
- 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 절연층이 무기물로 형성된 유기전계발광 표시 장치.
- 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 절연층이 1000Å 내지 5000Å의 두께로 형성된 유기전계발광 표시 장치.
- 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 전극층이 캐패시터의 하나의 전극으로 사용되고, 상기 제 1 전극층과 대향하는 상기 도전층이 캐패시터의 다른 전극으로 사용되는 유기전계발광 표시 장치.
- 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 전극층이 상기 제 3 전극층과 중첩되도록 형성된 유기전계발광 표시 장치.
- 제 10 항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 상기 제 2 및 제 3 절연층에 형성된 비아홀을 통해 상기 활성층에 연결되고, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 절연층에 형성된 비아홀을 통해 상기 도전층에 연결된 유기전계발광 표시 장치.
- 제 10 항에 있어서, 상기 제 3 전극층은 상기 제 2 및 제 3 절연층에 형성된 비아홀을 통해 상기 활성층에 연결된 유기전계발광 표시 장치.
- 제 10 항에 있어서, 상기 제 2 전극층 및 제 3 전극층을 포함하는 상기 제 3 절연층 상에 형성되며, 상기 제 3 전극층의 일 부분이 노출되도록 개구부가 형성된 화소 정의막;
상기 개구부를 통해 노출되는 상기 제 3 전극층 상에 형성된 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 상에 형성된 제 4 전극층을 더 포함하는 유기전계발광 표시 장치.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100051678A KR101101109B1 (ko) | 2010-06-01 | 2010-06-01 | 유기전계발광 표시 장치 |
| US13/074,142 US8445910B2 (en) | 2010-06-01 | 2011-03-29 | High resolution organic light emitting display with increased aperture ratio |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100051678A KR101101109B1 (ko) | 2010-06-01 | 2010-06-01 | 유기전계발광 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110131958A true KR20110131958A (ko) | 2011-12-07 |
| KR101101109B1 KR101101109B1 (ko) | 2012-01-03 |
Family
ID=45021330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100051678A KR101101109B1 (ko) | 2010-06-01 | 2010-06-01 | 유기전계발광 표시 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8445910B2 (ko) |
| KR (1) | KR101101109B1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9041278B2 (en) | 2012-10-05 | 2015-05-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel, organic light emitting display device having the same, and method of manufacturing a display panel |
| KR20160140542A (ko) * | 2014-01-17 | 2016-12-07 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 발광 소자 표시 장치 |
| KR20190085480A (ko) * | 2018-01-10 | 2019-07-18 | 캐논 가부시끼가이샤 | 표시장치 및 촬상장치 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102631445B1 (ko) | 2015-10-27 | 2024-01-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102716398B1 (ko) * | 2016-06-17 | 2024-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100683679B1 (ko) | 2004-07-07 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR100624126B1 (ko) | 2005-04-27 | 2006-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP2006318910A (ja) | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Lg Electronics Inc | 電界発光素子及びその製造方法、電界発光表示装置及びその製造方法 |
| KR100658755B1 (ko) | 2005-11-23 | 2006-12-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US20070176538A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-02 | Eastman Kodak Company | Continuous conductor for OLED electrical drive circuitry |
| KR100864886B1 (ko) * | 2007-03-28 | 2008-10-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100913794B1 (ko) * | 2007-12-07 | 2009-08-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR100975204B1 (ko) | 2008-08-04 | 2010-08-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
| KR101002662B1 (ko) | 2008-12-10 | 2010-12-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101048996B1 (ko) | 2009-01-12 | 2011-07-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치 |
| KR101064402B1 (ko) | 2009-01-12 | 2011-09-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치 |
| KR101034686B1 (ko) | 2009-01-12 | 2011-05-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
-
2010
- 2010-06-01 KR KR1020100051678A patent/KR101101109B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-03-29 US US13/074,142 patent/US8445910B2/en active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9041278B2 (en) | 2012-10-05 | 2015-05-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel, organic light emitting display device having the same, and method of manufacturing a display panel |
| KR20160140542A (ko) * | 2014-01-17 | 2016-12-07 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 발광 소자 표시 장치 |
| KR20190085480A (ko) * | 2018-01-10 | 2019-07-18 | 캐논 가부시끼가이샤 | 표시장치 및 촬상장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8445910B2 (en) | 2013-05-21 |
| KR101101109B1 (ko) | 2012-01-03 |
| US20110291091A1 (en) | 2011-12-01 |
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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|
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Payment date: 20191202 Year of fee payment: 9 |