KR20110130877A - 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치 - Google Patents
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 52
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 72
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 15
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 6
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims description 3
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 34
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Nozzles (AREA)
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Abstract
Description
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ에 대한 단면도이다.
도 3a는 도 2의 A 부분에 대한 확대도이다.
도 3b는 도 2의 B 부분에 대한 확대도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치의 가스공급라인의 사시도이다.
도 5는 도 4의 하나의 공급라인과 분사노즐에 대한 사시도이다.
도 6은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 부분에 대한 단면도이다.
도 7은 도 5의 분사노즐에 대한 단면도이다.
도 8은 도 7의 커넥터에 대한 단면도이다.
도 9는 도 4의 평면도이다.
S: 서셉터 G: 게이트 밸브
P: 핀 100: 공급포트
110: 공급라인 120: 분사노즐
130: 에어 실린더 131: 실린더 로드
135: 샤프트 로드 136: 이동대
137: 슬라이드 관 138: 가이드 바
139: 고정대 140: 노즐 브라켓
141: 플로팅 조인트 145: 샤프트 하우징
146: 밀폐 가이드 147: 벨로우즈
148: 볼 부싱 150: 지지체
151: 고정블록 152: 반원 홈
161: 제1 연결관 162: 제2 연결관
163: 커넥터 164: 벨로우즈 관
171: 제1 튜브 171a: 제1 홀
172: 제2 튜브 172a: 제2 홀
Claims (20)
- 기판 상에 소정의 물질의 증착공간을 제공하는 챔버(C);
상기 챔버(C)의 내부로 가스를 공급하는 복수의 공급포트(100);
상기 챔버(C)의 내부에 배치되고, 상기 각 공급포트(100)에 연결된 복수의 공급라인(110); 및
상기 챔버(C)의 내부에서 기판의 상방에 배치되고, 상기 각 공급라인(110)을 따라 연결되며, 상기 챔버(C)의 내부공간을 따라 교번하게 배치되어 각기 다른 가스를 교번한 위치에서 기판의 상면에 공급하는 복수의 분사노즐(120)을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제1항에 있어서,
상기 챔버(C)의 외부에는 상기 분사노즐(120)을 진동시키는 에어 실린더(130)가 구비되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제2항에 있어서,
상기 챔버(C)의 외부에는 상기 챔버(C)에 이동가능하게 설치되고, 상기 에어 실린더(130)의 실린더 로드(131)와 연동되는 복수의 샤프트 로드(135)가 구비되고,
상기 챔버(C)의 내부에는 상기 샤프트 로드(135)에 일단부가 결합되고 상기 분사노즐(120)에 타단부가 연결된 복수의 노즐 브라켓(140)이 구비되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제3항에 있어서,
상기 샤프트 로드(135)는 상기 챔버(C)의 상면에 세 개가 설치되며, 상기 세 개의 샤프트 로드(135) 중 두 개는 상기 에어 실린더(130)에 연결되며,
다른 하나는 반대 측에서 상기 노즐 브라켓(140) 중 어느 하나에 연결되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제4항에 있어서,
상기 에어 실린더(130)의 상기 실린더 로드(131)에는 슬라이드 이동되는 이동대(136)가 연결되고, 상기 이동대(136)의 양측에 상기 두 개의 샤프트 로드(135)가 결합되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제5항에 있어서,
상기 이동대(136)의 양측에는 슬라이드 관(137)이 설치되고, 상기 슬라이드 관(137)은 상기 슬라이드 관(137)의 이동을 안내하는 가이드 바(138)에 끼워지는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제6항에 있어서,
상기 가이드 바(138)의 양측 단부는 고정대(139)에 결합되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제3항에 있어서,
상기 챔버(C)의 외부에는 상기 샤프트 로드(135)가 통과하는 밀폐된 공간을 제공하고, 상기 샤프트 로드(135)의 양측 단부가 이동가능하게 설치되는 복수의 샤프트 하우징(145)이 설치되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제3항에 있어서,
상기 에어 실린더(130)의 상기 실린더 로드(131)와 상기 샤프트 로드(135) 사이에는 축선 오차에 따른 진동을 줄이는 플로팅 조인트(141)가 구비되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제3항에 있어서,
상기 샤프트 로드(135)에는 상기 에어 실린더(130)의 상기 실린더 로드(131)로부터 전달되는 충격을 완충시키는 벨로우즈(147)가 설치되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제10항에 있어서,
상기 샤프트 로드(135)에는 상기 벨로우즈(147)에 접촉되는 볼 부싱(148)이 설치되는 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제2항에 있어서,
상기 에어 실린더(130)는 임의의 분사노즐(120)이 분사노즐(120)간의 간격 내에서 진동가능하게 하는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제1항에 있어서,
상기 공급라인(110)은 기판 상에서 상기 챔버(C)의 내부에 설치되는 지지체(150)의 둘레에 고정되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제13항에 있어서,
상기 지지체(150)는 내측이 관통되어 외측에 테두리가 남은 사각형상이고, 상기 분사노즐(120)은 상기 지지체(150)의 하방에 일렬로 설치되어 상기 지지체(150)의 테두리 내측공간을 폐쇄하는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제13항에 있어서,
상기 지지체(150)에는 상기 공급라인(110)을 고정시키는 고정블록(151)이 구비되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제1항에 있어서,
상기 공급라인(110)의 저면에는 제1 연결관(161)이 결합되며, 상기 분사노즐(120)의 상면에는 상기 제1 연결관(161)에 대응하여 제2 연결관(162)이 결합되며, 상기 제1 연결관(161)과 상기 제2 연결관(162) 사이에는 연결을 위한 커넥터(163)가 설치되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 공급포트(100)와 상기 공급라인(110) 사이에는 벨로우즈 관(164)이 구비되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제1항에 있어서,
상기 분사노즐(120)은 복수의 튜브로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제18항에 있어서,
상기 분사노즐(120)은 상기 공급라인(110)에 연결되어 상기 공급라인(110)으로부터 가스를 공급받고 상방으로 가스를 유출하는 제1 홀(171a)이 형성된 제1 튜브(171); 및
상기 제1 튜브(171)를 감싸고 있고, 하방으로 가스를 유출하는 제2 홀(172a)이 형성된 제2 튜브(172)로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치. - 제1항에 있어서,
상기 분사노즐(120)은 기판의 길이 방향으로 일렬로 배치되어 사각형을 이루는 것을 특징으로 하는 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100050421A KR101120039B1 (ko) | 2010-05-28 | 2010-05-28 | 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치 |
PCT/KR2011/003855 WO2011149278A2 (ko) | 2010-05-28 | 2011-05-26 | 가스혼합 방지용 대면적 증착장치 |
CN201180025477.XA CN102906861A (zh) | 2010-05-28 | 2011-05-26 | 用于防止气体混合的大面积沉积装置 |
JP2013512541A JP2013528251A (ja) | 2010-05-28 | 2011-05-26 | ガス混合防止用大面積蒸着装置 |
TW100118643A TW201213598A (en) | 2010-05-28 | 2011-05-27 | Large area deposition apparatus for preventing gas mixing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100050421A KR101120039B1 (ko) | 2010-05-28 | 2010-05-28 | 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110130877A true KR20110130877A (ko) | 2011-12-06 |
KR101120039B1 KR101120039B1 (ko) | 2012-03-22 |
Family
ID=45004573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100050421A KR101120039B1 (ko) | 2010-05-28 | 2010-05-28 | 가스 혼합 방지용 대면적 증착장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013528251A (ko) |
KR (1) | KR101120039B1 (ko) |
CN (1) | CN102906861A (ko) |
TW (1) | TW201213598A (ko) |
WO (1) | WO2011149278A2 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104195528A (zh) * | 2014-09-05 | 2014-12-10 | 厦门大学 | 一种耦合高频振动的微型等离子增强化学气相沉积装置 |
CN106048561B (zh) * | 2016-08-17 | 2019-02-12 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种原子层沉积装置及方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR910006164B1 (ko) * | 1987-03-18 | 1991-08-16 | 가부시키가이샤 도시바 | 박막형성방법과 그 장치 |
FI972874A0 (fi) * | 1997-07-04 | 1997-07-04 | Mikrokemia Oy | Foerfarande och anordning foer framstaellning av tunnfilmer |
KR20060075564A (ko) * | 2004-12-28 | 2006-07-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 가스 분사 인젝터 |
KR100919661B1 (ko) * | 2007-08-24 | 2009-09-30 | 주식회사 테라세미콘 | 반도체 제조 장치 |
-
2010
- 2010-05-28 KR KR1020100050421A patent/KR101120039B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-05-26 WO PCT/KR2011/003855 patent/WO2011149278A2/ko active Application Filing
- 2011-05-26 CN CN201180025477.XA patent/CN102906861A/zh active Pending
- 2011-05-26 JP JP2013512541A patent/JP2013528251A/ja not_active Withdrawn
- 2011-05-27 TW TW100118643A patent/TW201213598A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201213598A (en) | 2012-04-01 |
WO2011149278A2 (ko) | 2011-12-01 |
WO2011149278A3 (ko) | 2012-03-01 |
CN102906861A (zh) | 2013-01-30 |
JP2013528251A (ja) | 2013-07-08 |
KR101120039B1 (ko) | 2012-03-22 |
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