KR20110129594A - Light emitting element package - Google Patents

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오남석
강민수
김태진
윤여찬
김두희
엄동일
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device package is provided to include phosphor particles with an average diameter smaller than the wavelength of light, thereby scattering light without a separate configuration. CONSTITUTION: A first electrode and second electrode are arranged on a substrate and electrically separated from each other. A light emitting diode(130) emits light while being electrically connected to the first electrode and second electrode. A fluorescent part(150) comprises a phosphor particle(151) which is excited by the light emitted from the light emitting diode. The average diameter of the phosphor particle is smaller than the wavelength of the light which is longer than 50 nm. The first electrode and second electrode reflect the light emitted from the light emitting diode.

Description

발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING ELEMENT PACKAGE}Light emitting device package {LIGHT EMITTING ELEMENT PACKAGE}

본 실시예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다. This embodiment relates to a light emitting device package.

발광다이오드는 인가된 전류에 의한 PN 반도체 접합에서 전자와 정공이 서로 결합하는 것에 의해 빛을 방출하는 광원을 의미하며, 통상 패키지 구조로 제작되고 있다. 이러한 발광다이오드는 기존 광원에 비해 저전압, 저전류로 연속 발광이 가능하고 작은 전력으로 큰 효율을 낼 수 있는 이점을 갖는다.The light emitting diode refers to a light source that emits light by combining electrons and holes in a PN semiconductor junction by an applied current, and is generally manufactured in a package structure. Such a light emitting diode has the advantage of being capable of continuous light emission with low voltage and low current and high efficiency with a small power, compared to a conventional light source.

최근, 발광 다이오드의 구조를 개선하는 것을 통해 광 효율을 증가시키고자 하는 노력이 계속되고 있으며, 한편으로 발광 소자 패키지의 구조를 개선하는 것을 통해 광 효율을 증가시키고자 하는 노력도 계속되고 있다.Recently, efforts have been made to increase the light efficiency by improving the structure of light emitting diodes. Meanwhile, efforts have been made to increase the light efficiency by improving the structure of light emitting device packages.

본 실시예는 별도의 구성없이 빛을 산란시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공하기 위한 것이다. This embodiment is to provide a light emitting device package capable of scattering light without a separate configuration.

본 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 실시예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems to be achieved by the present embodiment are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned above will be clearly understood by those skilled in the art from the following description. Could be.

본 실시예는 기판, 상기 기판 상에 형성되고 서로 전기적으로 분리되는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되어 빛을 방출하는 발광 다이오드 및 상기 발광 다이오드에서 방출된 빛에 의하여 여기되며, 50 nm 이상 상기 빛의 파장보다 작은 평균 직경을 지닌 형광 입자를 포함하는 형광부를 포함한다.The present embodiment is a substrate, a first electrode and a second electrode formed on the substrate and electrically separated from each other, the light emitting diode and the light emitting diode which is electrically connected to the first electrode and the second electrode and emits light It includes a fluorescent portion that is excited by the emitted light, including a fluorescent particle having an average diameter of 50 nm or less than the wavelength of the light.

상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 발광 다이오드에서 방출된 빛을 반사할 수 있다.The first electrode and the second electrode may reflect light emitted from the light emitting diode.

상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 구리 재질로 형성되고, 상기 구리 재질 상에 알루미늄 또는 은이 코팅될 수 있다.The first electrode and the second electrode may be formed of a copper material, and aluminum or silver may be coated on the copper material.

상기 발광 다이오드가 청색광을 방출할 경우 상기 형광 입자는 상기 청색광에 의하여 여기되어 황색광을 방출할 수 있다.When the light emitting diode emits blue light, the fluorescent particles may be excited by the blue light to emit yellow light.

상기 형광 입자는 YAG 계 TAG 계, 오소실리케이트계, 실리게이트계, 질화물계, 또는 산화질화물계의 입자상 물질로 이루어질 수 있다.The fluorescent particles may be made of a particulate material of YAG-based TAG, orthosilicate, silicide, nitride, or oxynitride.

상기 발광 다이오드로부터 방출되는 청색광의 파장이 450 nm인 경우 상기 형광 입자의 평균 직경은 50 nm 이상 400 nm 미만일 수 있다.When the wavelength of the blue light emitted from the light emitting diode is 450 nm, the average diameter of the fluorescent particles may be 50 nm or more and less than 400 nm.

상기 발광 다이오드로부터 방출되는 적색광의 파장이 640 nm인 경우 상기 형광 입자의 평균 직경은 50 nm 이상 640 nm 미만일 수 있다.When the wavelength of the red light emitted from the light emitting diode is 640 nm, the average diameter of the fluorescent particles may be 50 nm or more and less than 640 nm.

본 발명의 실시예는 기판, 상기 기판 상에 형성되고 서로 전기적으로 분리되는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되어 빛을 방출하는 발광 다이오드 및 상기 발광 다이오드에서 방출된 빛에 의하여 여기되며 50 nm 이상 상기 빛의 파장보다 작은 평균 직경을 지닌 형광 입자와, 상기 형광 입자를 둘러싸며 상기 발광 다이오드를 덮는 수지를 포함하는 형광부를 포함한다.An embodiment of the present invention is a substrate, a first electrode and a second electrode formed on the substrate and electrically separated from each other, a light emitting diode that is electrically connected to the first electrode and the second electrode and emits light and the light emitting And a fluorescent part including a fluorescent particle excited by the light emitted from the diode and having an average diameter of 50 nm or more and smaller than the wavelength of the light, and a resin surrounding the fluorescent particle and covering the light emitting diode.

상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 발광 다이오드에서 방출된 빛을 반사할 수 있다.The first electrode and the second electrode may reflect light emitted from the light emitting diode.

상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 구리 재질로 형성되고, 상기 구리 재질 상에 알루미늄 또는 은이 코팅될 수 있다.The first electrode and the second electrode may be formed of a copper material, and aluminum or silver may be coated on the copper material.

상기 발광 다이오드가 청색광을 방출할 경우 상기 형광 입자는 상기 청색광에 의하여 여기되어 황색광을 방출할 수 있다.When the light emitting diode emits blue light, the fluorescent particles may be excited by the blue light to emit yellow light.

상기 형광 입자는 YAG 계, TAG 계, 오소실리케이트계, 실리게이트계, 질화물계, 또는 산화질화물계의 입자상 물질로 이루어질 수 있다.The fluorescent particles may be made of particulate material of YAG-based, TAG-based, orthosilicate-based, silicide-based, nitride-based, or oxynitride-based materials.

상기 발광 다이오드로부터 방출되는 청색광의 파장이 450 nm인 경우 상기 형광 입자의 평균 직경은 50 nm 이상 400 nm 미만일 수 있다.When the wavelength of the blue light emitted from the light emitting diode is 450 nm, the average diameter of the fluorescent particles may be 50 nm or more and less than 400 nm.

상기 발광 다이오드로부터 방출되는 적색광의 파장이 640 nm인 경우 상기 형광 입자의 평균 직경은 50 nm 이상 640 nm 미만일 수 있다.When the wavelength of the red light emitted from the light emitting diode is 640 nm, the average diameter of the fluorescent particles may be 50 nm or more and less than 640 nm.

상기 수지는 실리콘 수지일 수 있다.The resin may be a silicone resin.

본 실시예는 기판, 상기 기판 상에 형성되고 서로 전기적으로 분리되는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되어 빛을 방출하는 발광 다이오드 및 서로 마주보는 수지층들과, 상기 수지층들 사이에 위치하며 상기 발광 다이오드에서 방출된 빛에 의하여 여기되며 50 nm 이상 상기 빛의 파장보다 작은 평균 직경을 지닌 형광 입자를 포함하는 형광부를 포함한다.The present embodiment includes a substrate, a first electrode and a second electrode formed on the substrate and electrically separated from each other, a light emitting diode electrically connected to the first electrode and the second electrode to emit light, and a number of facing each other. And a fluorescence portion which is located between the layers and the resin layers and is excited by the light emitted from the light emitting diode and includes fluorescent particles having an average diameter of 50 nm or more smaller than the wavelength of the light.

상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 발광 다이오드에서 방출된 빛을 반사할 수 있다.The first electrode and the second electrode may reflect light emitted from the light emitting diode.

상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 구리 재질로 형성되고, 상기 구리 재질 상에 알루미늄 또는 은이 코팅될 수 있다.The first electrode and the second electrode may be formed of a copper material, and aluminum or silver may be coated on the copper material.

상기 발광 다이오드가 청색광을 방출할 경우 상기 형광 입자는 상기 청색광에 의하여 여기되어 황색광을 방출할 수 있다.When the light emitting diode emits blue light, the fluorescent particles may be excited by the blue light to emit yellow light.

상기 형광 입자는 YAG 계 TAG 계, 오소실리케이트계, 실리게이트계, 질화물계, 또는 산화질화물계의 입자상 물질로 이루어질 수 있다.The fluorescent particles may be made of a particulate material of YAG-based TAG, orthosilicate, silicide, nitride, or oxynitride.

상기 발광 다이오드로부터 방출되는 청색광의 파장이 450 nm인 경우 상기 형광 입자의 평균 직경은 50 nm 이상 400 nm 미만일 수 있다.When the wavelength of the blue light emitted from the light emitting diode is 450 nm, the average diameter of the fluorescent particles may be 50 nm or more and less than 400 nm.

상기 발광 다이오드로부터 방출되는 적색광의 파장이 640 nm인 경우 상기 형광 입자의 평균 직경은 50 nm 이상 640 nm 미만일 수 있다.When the wavelength of the red light emitted from the light emitting diode is 640 nm, the average diameter of the fluorescent particles may be 50 nm or more and less than 640 nm.

본 실시예는 형광 입자의 평균 직경을 빛의 파장보다 작게 함으로써 별도의 구성없이 빛을 산란시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다.The present embodiment can provide a light emitting device package capable of scattering light without a separate configuration by making the average diameter of the fluorescent particles smaller than the wavelength of light.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다. 1 shows a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
2 shows a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

다음으로 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지가 설명된다.Next, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 기판(100), 제1 전극(110), 제2 전극(120), 발광 다이오드(130), 와이어(140), 및 형광부(150)를 포함한다. 1 shows a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a light emitting device package according to an exemplary embodiment of the present invention may include a substrate 100, a first electrode 110, a second electrode 120, a light emitting diode 130, a wire 140, and The fluorescent part 150 is included.

기판(100)은 PCB (Printed Circuit Board), 실리콘 웨이퍼, 수지와 같은 다양한 것이 될 수 있다.The substrate 100 may be various, such as a printed circuit board (PCB), a silicon wafer, and a resin.

제1 전극(110) 및 제2 전극(120)은 기판(10) 상에 형성되고 서로 전기적으로 분리된다. 제1 전극(110) 및 제2 전극(120)은 발광 다이오드(130)에게 전원을 제공하고 발광 다이오드(130)에서 방출된 빛을 반사시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(110) 및 제2 전극(120)은 구리(Cu) 재질로 형성되고 구리 재질 상에 광 반사율이 높은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)이 코팅될 수 있다. 이와 같이 제1 전극(110) 및 제2 전극(120)이 빛을 반사할 경우 발광 소자 패키지에서 외부로 방출하는 광량이 증가할 수 있다. The first electrode 110 and the second electrode 120 are formed on the substrate 10 and electrically separated from each other. The first electrode 110 and the second electrode 120 may provide power to the light emitting diode 130 and reflect light emitted from the light emitting diode 130. For example, the first electrode 110 and the second electrode 120 may be formed of a copper (Cu) material, and may be coated with aluminum (Al) or silver (Ag) having high light reflectivity on the copper material. As such, when the first electrode 110 and the second electrode 120 reflect light, the amount of light emitted from the light emitting device package to the outside may increase.

발광 다이오드(130)는 제1 전극(110) 및 제2 전극(120)과 전기적으로연결되어 파장을 지닌 빛을 방출한다. 발광 다이오드(130)는 지지층(131), 발광층(133), 및 전극층(135)을 포함할 수 있다. The light emitting diode 130 is electrically connected to the first electrode 110 and the second electrode 120 to emit light having a wavelength. The light emitting diode 130 may include a support layer 131, a light emitting layer 133, and an electrode layer 135.

지지층(131)은 도전성 물질로 형성되어, 제1 전극(110)과 발광층(133)을 전기적으로 연결한다. 예를 들어, 지지층(131)은 금속 재질로 형성될 수 있고, 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 또한, 지지층(131)과 발광층(133) 사이에는 광 반사율이 높은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 포함하는 금속으로 형성된 반사층(미도시)이 형성될 수도 있다.The support layer 131 is formed of a conductive material to electrically connect the first electrode 110 and the light emitting layer 133. For example, the support layer 131 may be formed of a metal material, and at least one of copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), aluminum (Al), chromium (Cr), and titanium (Ti). It may be formed of a material containing a. In addition, a reflective layer (not shown) formed of a metal including silver (Ag) or aluminum (Al) having high light reflectance may be formed between the support layer 131 and the light emitting layer 133.

발광층(133)은 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 발광층(133)은 제1 도전형의 반도체층, 활성층, 제2 도전형의 반도체층을 포함할 수 있다. 제1 도전형의 반도체층이 p 타입 반도체층이면 제2 도전형의 반도체층은 n 타입 반도체층일 수 있다. 또한 제1 도전형의 반도체층이 n 타입 반도체층이면 제2 도전형의 반도체층은 p 타입 반도체층일 수 있다.The light emitting layer 133 may be formed of a nitride semiconductor. For example, the emission layer 133 may include a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer. If the first conductive semiconductor layer is a p-type semiconductor layer, the second conductive semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer. If the first conductive semiconductor layer is an n-type semiconductor layer, the second conductive semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer.

전극층(135)은 발광층(133)을 와이어(140)를 통해 제2 전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있도록 한다. 예를 들어, 전극층(140)은 오믹 전극층을 포함할 수 있고, 오믹 전극층은 투명 전극층으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 전극층(140)은 Ni, IZO, ITO, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx 중 적어도 어느 하나로 형성될 수도 있다.The electrode layer 135 allows the light emitting layer 133 to be electrically connected to the second electrode 120 through the wire 140. For example, the electrode layer 140 may include an ohmic electrode layer, and the ohmic electrode layer may be formed of a transparent electrode layer. For example, the electrode layer 140 may be formed of at least one of Ni, IZO, ITO, ZnO, RuOx, TiOx, and IrOx.

와이어(140)는 발광 다이오드(130)의 전극층(135)과 제2 전극(120)을 전기적으로 연결시킨다. 본 발명의 실시예에서는 와이어(140)에 의하여 전극층(135)과 제2 전극(120)이 전기적으로 연결되나 전극층(135)과 제2 전극(120)의 전기적 연결은 와이어(140) 연결 이외에 다양한 방법으로 이루어질 수 있다.The wire 140 electrically connects the electrode layer 135 of the light emitting diode 130 and the second electrode 120. In the embodiment of the present invention, the electrode layer 135 and the second electrode 120 are electrically connected by the wire 140, but the electrical connection between the electrode layer 135 and the second electrode 120 may be performed in addition to the wire 140. It can be done in a way.

형광부(150)는 발광 다이오드(130)에서 방출된 빛에 의하여 여기되는 형광 입자(151)를 포함한다. 이 때 수지(153)는 형광 입자(151)를 둘러쌀 수 있으며, 발광 다이오드(130)를 덮는다. 수지(153)는 다양한 투명 수지가 이용될 수 있으며, 광 굴절률과 열 특성을 고려하여 실리콘 수지가 이용될 수 있다. 실리콘 수지는 열변 현상이 적어 발광 다이오드(130)의 열에 의한 물성 변화가 적다.The fluorescent unit 150 includes fluorescent particles 151 excited by the light emitted from the light emitting diodes 130. In this case, the resin 153 may surround the fluorescent particle 151 and cover the light emitting diode 130. As the resin 153, various transparent resins may be used, and a silicone resin may be used in consideration of optical refractive index and thermal characteristics. Since the silicone resin has little heat change phenomenon, there is little change in physical properties due to heat of the light emitting diode 130.

형광 입자(151)는 발광 다이오드(130)로부터 방출된 빛에 의하여 여기되어 빛을 방출한다. 예를 들어, 발광 다이오드(130)가 청색광을 방출할 경우 형광 입자(151)는 청색광에 의하여 여기되어 황색광을 방출할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 쉽게 백색광을 제공할 수 있다. 형광 입자(151)는 YAG 계 TAG 계, 오소실리케이트계, 실리게이트계, 질화물계, 또는 산화질화물계의 입자상 물질로 이루어질 수 있다. The fluorescent particles 151 are excited by the light emitted from the light emitting diodes 130 to emit light. For example, when the light emitting diode 130 emits blue light, the fluorescent particles 151 may be excited by the blue light to emit yellow light. Accordingly, the light emitting device package according to the embodiment of the present invention can easily provide white light. The fluorescent particle 151 may be made of a particulate material of YAG-based TAG, orthosilicate, silicide-based, nitride-based, or oxynitride-based.

본 발명의 실시예에서 형광 입자(151)의 평균 직경은 50 nm 이상 이고 발광 다이오드(130)로부터 방출된 빛의 파장보다 작다. 예를 들어, 발광 다이오드(130)로부터 방출되는 청색광의 파장이 450 nm인 경우 형광 입자(151)의 평균 직경은 50 nm 이상 400 nm 미만일 수 있다. 또한 발광 다이오드(130)로부터 방출되는 적색광의 파장이 640 nm인 경우 형광 입자(151)의 평균 직경은 50 nm 이상 640 nm 미만일 수 있다. In an embodiment of the present invention, the average diameter of the fluorescent particles 151 is 50 nm or more and smaller than the wavelength of light emitted from the light emitting diode 130. For example, when the wavelength of the blue light emitted from the light emitting diode 130 is 450 nm, the average diameter of the fluorescent particles 151 may be 50 nm or more and less than 400 nm. In addition, when the wavelength of the red light emitted from the light emitting diode 130 is 640 nm, the average diameter of the fluorescent particles 151 may be 50 nm or more and less than 640 nm.

형광 입자(151)의 평균 직경이 50 nm 이상인 경우 발광 다이오드(130)의 빛에 의하여 형광 입자(151)가 여기될 수 있다. 즉, 형광 입자(151)의 평균 직경이 50 nm 보다 작으면 형광 입자(151)의 크기가 과도하게 작아 발광 다이오드(130)의 빛에 의하여 형광 입자(151)가 여기되지 않을 수도 있다. When the average diameter of the fluorescent particles 151 is 50 nm or more, the fluorescent particles 151 may be excited by the light of the light emitting diode 130. That is, when the average diameter of the fluorescent particles 151 is smaller than 50 nm, the size of the fluorescent particles 151 is excessively small and the fluorescent particles 151 may not be excited by the light of the light emitting diode 130.

또한 형광 입자(151)의 평균 직경이 발광 다이오드(130)로부터 방출된 빛의 파장보다 작은 경우 발광 다이오드(130)로부터 방출된 빛은 형광 입자(151)에 의하여 산란된다. 즉, 형광 입자(151)의 평균 직경이 발광 다이오드(130)로부터 방출된 빛의 파장보다 작은 경우 레일라이 산란 (Rayleigh scattering)이 일어난다. 레일라이 산란은 발광 다이오드(130)로부터 방출된 빛의 파장에 비해 형광 입자(151)의 평균 직경이 작을수록 잘 일어난다. In addition, when the average diameter of the fluorescent particles 151 is smaller than the wavelength of the light emitted from the light emitting diodes 130, the light emitted from the light emitting diodes 130 is scattered by the fluorescent particles 151. That is, Rayleigh scattering occurs when the average diameter of the fluorescent particles 151 is smaller than the wavelength of light emitted from the light emitting diodes 130. Rayleigh scattering occurs as the average diameter of the fluorescent particles 151 is smaller than the wavelength of light emitted from the light emitting diode 130.

일반적인 형광체의 직경은 수 ㎛ 내지 수십 ㎛인데 비하여 본 발명의 실시예에서의 형광 입자(150)의 평균 직경은 수십 nm 이상 수백 nm 이하이다. 이와 같은 형광 입자(150)의 형성은 수 ㎛ 내지 수십 ㎛의 형광체를 회전하는 드럼에 넣어 쪼갬으로써 이루어질 수 있다. In general, the diameter of the phosphor is several micrometers to several tens of micrometers, while the average diameter of the fluorescent particles 150 in the embodiment of the present invention is several tens of nm or more and several hundreds of nm or less. The formation of the fluorescent particles 150 may be performed by splitting a fluorescent material of several μm to several tens of micrometers into a rotating drum.

이와 같이 본 발명의 실시예의 경우 형광부(150)가 빛에 의하여 여기될 뿐만 아니라 빛을 산란시킨다. 이에 따라 본 발명의 실시예의 경우 빛을 산란시키기 위한 별도의 구성이 필요없다. As described above, in the exemplary embodiment of the present invention, the fluorescent unit 150 is not only excited by the light but also scatters the light. Accordingly, the embodiment of the present invention does not need a separate configuration for scattering light.

발광 다이오드는 점광원이므로 빛을 좁은 영역에 집중시킨다. 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 발광 다이오드에서 방출된 빛을 산란시키므로 조명 장치로 사용될 수 있다. 또한 형광 입자(151)의 종류에 따라 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 불그스름한 백색광 (reddish white light), 푸르스름한 백색광 (bluish white light) 또는 노르스름한 백색광 (yellowish white light) 등을 방출할 수 있다. Since the light emitting diode is a point light source, it concentrates light in a narrow area. The light emitting device package according to the embodiment of the present invention can be used as a lighting device because it scatters the light emitted from the light emitting diode. In addition, according to the type of the fluorescent particles 151, the light emitting device package according to the embodiment of the present invention may emit reddish white light, bluish white light, yellowish white light, or the like. Can be.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다. 도 1의 형광부(150)는 형광 입자(151)가 발광 다이오드(130)를 덮는 수지(153)에 둘러싸여 있다. 이에 비하여 도 2의 발광 소자 패키지의 형광부(150)는 발광 다이오드(130)의 빛이 투과하는 광 여기 필름 (Photo Luminescent Film)을 포함할 수 있다. 광 여기 필름은 서로 마주보는 수지층들(155a, 155b)과, 수지층들(155a, 155b) 사이에 위치하는 형광 입자(151)를 포함할 수 있다. 광 여기 필름의 형광 입자(151)는 열경화성 수지(153)에 의하여 둘러싸일 수 있다. 2 shows a light emitting device package according to another embodiment of the present invention. The fluorescent unit 150 of FIG. 1 is surrounded by a resin 153 in which the fluorescent particles 151 cover the light emitting diode 130. In contrast, the fluorescent unit 150 of the light emitting device package of FIG. 2 may include a photo luminescent film through which light of the light emitting diode 130 is transmitted. The photoexcitation film may include resin layers 155a and 155b facing each other and fluorescent particles 151 positioned between the resin layers 155a and 155b. The fluorescent particles 151 of the photoexcitation film may be surrounded by the thermosetting resin 153.

형광부(150)를 제외한 도 2의 발광 소자 패키지의 특징은 앞서 도 1을 참조하여 설명되었으므로 생략된다.Features of the light emitting device package of FIG. 2 except for the fluorescent part 150 have been described above with reference to FIG. 1 and thus will be omitted.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is evident that many alternatives, modifications and variations will be apparent to those skilled in the art. will be. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive, the scope of the invention being indicated by the appended claims rather than the foregoing description, It is intended that all changes and modifications derived from the equivalent concept be included within the scope of the present invention.

기판(100) 제1 전극(110)
제2 전극(120) 발광 다이오드(130)
지지층(131) 발광층(133)
전극층(135) 와이어(140)
형광부(150) 형광 입자(151)
수지(153) 수지층(155a, 155b)Substrate 100 First electrode 110
Second electrode 120, light emitting diode 130
Support layer 131 Light emitting layer 133
Electrode Layer 135 Wire 140
Fluorescent Part 150 Fluorescent Particles 151
Resin 153 Resin Layer 155a, 155b

Claims (22)

기판;
상기 기판 상에 형성되고 서로 전기적으로 분리되는 제1 전극 및 제2 전극;
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되어 빛을 방출하는 발광 다이오드; 및
상기 발광 다이오드에서 방출된 빛에 의하여 여기되며, 50 nm 이상 상기 빛의 파장보다 작은 평균 직경을 지닌 형광 입자를 포함하는 형광부
를 포함하는 발광 소자 패키지.Board;
First and second electrodes formed on the substrate and electrically separated from each other;
A light emitting diode electrically connected to the first electrode and the second electrode to emit light; And
A fluorescent part that is excited by the light emitted from the light emitting diode, and comprising a fluorescent particle having an average diameter of 50 nm or less than the wavelength of the light
Light emitting device package comprising a. 제1항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 발광 다이오드에서 방출된 빛을 반사하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
The first electrode and the second electrode light emitting device package, characterized in that for reflecting the light emitted from the light emitting diode. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 구리 재질로 형성되고,
상기 구리 재질 상에 알루미늄 또는 은이 코팅되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1 or 2,
The first electrode and the second electrode is formed of a copper material,
The light emitting device package, characterized in that aluminum or silver is coated on the copper material. 제1항에 있어서,
상기 발광 다이오드가 청색광을 방출할 경우 상기 형광 입자는 상기 청색광에 의하여 여기되어 황색광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
And when the light emitting diode emits blue light, the fluorescent particles are excited by the blue light to emit yellow light. 제1항 또는 제4항에 있어서,
상기 형광 입자는 YAG 계 TAG 계, 오소실리케이트계, 실리게이트계, 질화물계, 또는 산화질화물계의 입자상 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1 or 4,
The fluorescent particle is a light emitting device package, characterized in that the particulate material of the YAG-based TAG, orthosilicate, silicide, nitride, or oxynitride. 제1항에 있어서,
상기 발광 다이오드로부터 방출되는 청색광의 파장이 450 nm nm인 경우 상기 형광 입자의 평균 직경은 50 nm 이상 400 nm 미만인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1,
When the wavelength of the blue light emitted from the light emitting diode is 450 nm nm, the average diameter of the fluorescent particles is 50 nm or more and less than 400 nm, characterized in that the light emitting device package. 제1항에 있어서,
상기 발광 다이오드로부터 방출되는 적색광의 파장이 640 nm인 경우 상기 형광 입자의 평균 직경은 50 nm 이상 640 nm 미만인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지. The method of claim 1,
When the wavelength of the red light emitted from the light emitting diode is 640 nm, the average diameter of the fluorescent particles is 50 nm or more and less than 640 nm, the light emitting device package. 기판;
상기 기판 상에 형성되고 서로 전기적으로 분리되는 제1 전극 및 제2 전극;
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되어 빛을 방출하는 발광 다이오드; 및
상기 발광 다이오드에서 방출된 빛에 의하여 여기되며 50 nm 이상 상기 빛의 파장보다 작은 평균 직경을 지닌 형광 입자와, 상기 형광 입자를 둘러싸며 상기 발광 다이오드를 덮는 수지를 포함하는 형광부
를 포함하는 발광 소자 패키지.Board;
First and second electrodes formed on the substrate and electrically separated from each other;
A light emitting diode electrically connected to the first electrode and the second electrode to emit light; And
A fluorescent part excited by the light emitted from the light emitting diode and including a fluorescent particle having an average diameter of 50 nm or more smaller than the wavelength of the light, and a resin surrounding the fluorescent particle and covering the light emitting diode
Light emitting device package comprising a. 제8항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 발광 다이오드에서 방출된 빛을 반사하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The method of claim 8,
The first electrode and the second electrode light emitting device package, characterized in that for reflecting the light emitted from the light emitting diode. 제8항 또는 제9항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 구리 재질로 형성되고,
상기 구리 재질 상에 알루미늄 또는 은이 코팅되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 8 or 9,
The first electrode and the second electrode is formed of a copper material,
The light emitting device package, characterized in that aluminum or silver is coated on the copper material. 제8항에 있어서,
상기 발광 다이오드가 청색광을 방출할 경우 상기 형광 입자는 상기 청색광에 의하여 여기되어 황색광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The method of claim 8,
And when the light emitting diode emits blue light, the fluorescent particles are excited by the blue light to emit yellow light. 제8항 또는 제11항에 있어서,
상기 형광 입자는 YAG 계 TAG 계, 오소실리케이트계, 실리게이트계, 질화물계, 또는 산화질화물계의 입자상 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 8 or 11, wherein
The fluorescent particle is a light emitting device package, characterized in that the particulate material of the YAG-based TAG, orthosilicate, silicide, nitride, or oxynitride. 제8항에 있어서,
상기 발광 다이오드로부터 방출되는 청색광의 파장이 450 nm인 경우 상기 형광 입자의 평균 직경은 50 nm 이상 400 nm 미만인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The method of claim 8,
When the wavelength of the blue light emitted from the light emitting diode is 450 nm, the light emitting device package, characterized in that the average diameter of the fluorescent particles is 50 nm or more and less than 400 nm. 제8항에 있어서,
상기 발광 다이오드로부터 방출되는 적색광의 파장이 640 nm인 경우 상기 형광 입자의 평균 직경은 50 nm 이상 640 nm 미만인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지. The method of claim 8,
When the wavelength of the red light emitted from the light emitting diode is 640 nm, the average diameter of the fluorescent particles is 50 nm or more and less than 640 nm, the light emitting device package. 제8항에 있어서,
상기 수지는 실리콘 수지인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The method of claim 8,
The resin is a light emitting device package, characterized in that the silicone resin. 기판;
상기 기판 상에 형성되고 서로 전기적으로 분리되는 제1 전극 및 제2 전극;
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되어 빛을 방출하는 발광 다이오드; 및
서로 마주보는 수지층들과, 상기 수지층들 사이에 위치하며 상기 발광 다이오드에서 방출된 빛에 의하여 여기되며 50 nm 이상 상기 빛의 파장보다 작은 평균 직경을 지닌 형광 입자를 포함하는 형광부
를 포함하는 발광 소자 패키지.Board;
First and second electrodes formed on the substrate and electrically separated from each other;
A light emitting diode electrically connected to the first electrode and the second electrode to emit light; And
Fluorescent parts comprising resin layers facing each other, and fluorescent particles having an average diameter smaller than the wavelength of the light and excited by the light emitted from the light emitting diodes and positioned between the resin layers.
Light emitting device package comprising a. 제16항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 발광 다이오드에서 방출된 빛을 반사하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The method of claim 16,
The first electrode and the second electrode light emitting device package, characterized in that for reflecting the light emitted from the light emitting diode. 제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 구리 재질로 형성되고,
상기 구리 재질 상에 알루미늄 또는 은이 코팅되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 16 or 17,
The first electrode and the second electrode is formed of a copper material,
The light emitting device package, characterized in that aluminum or silver is coated on the copper material. 제16항에 있어서,
상기 발광 다이오드가 청색광을 방출할 경우 상기 형광 입자는 상기 청색광에 의하여 여기되어 황색광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The method of claim 16,
And when the light emitting diode emits blue light, the fluorescent particles are excited by the blue light to emit yellow light. 제16항 또는 제19항에 있어서,
상기 형광 입자는 YAG 계 TAG 계, 오소실리케이트계, 실리게이트계, 질화물계, 또는 산화질화물계의 입자상 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The method of claim 16 or 19,
The fluorescent particle is a light emitting device package, characterized in that the particulate material of the YAG-based TAG, orthosilicate, silicide, nitride, or oxynitride. 제16항에 있어서,
상기 발광 다이오드로부터 방출되는 청색광의 파장이 450 nm 인 경우 상기 형광 입자의 평균 직경은 50 nm 이상 400 nm 미만인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.The method of claim 16,
When the wavelength of the blue light emitted from the light emitting diode is 450 nm, the average diameter of the fluorescent particles is 50 nm or more and less than 400 nm, characterized in that the light emitting device package. 제16항에 있어서,
상기 발광 다이오드로부터 방출되는 적색광의 파장이 640 nm인 경우 상기 형광 입자의 평균 직경은 50 nm 이상 640 nm 미만인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
The method of claim 16,
When the wavelength of the red light emitted from the light emitting diode is 640 nm, the average diameter of the fluorescent particles is 50 nm or more and less than 640 nm, the light emitting device package.
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