KR20110128951A - Sputter deposition device - Google Patents

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KR20110128951A
KR20110128951A KR1020117025056A KR20117025056A KR20110128951A KR 20110128951 A KR20110128951 A KR 20110128951A KR 1020117025056 A KR1020117025056 A KR 1020117025056A KR 20117025056 A KR20117025056 A KR 20117025056A KR 20110128951 A KR20110128951 A KR 20110128951A
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KR1020117025056A
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요시오 가와마타
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시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
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Abstract

도전성을 갖는 타겟 홀더와, 상기 타겟 홀더에 대향하여 설치되고 도전성을 갖는 기판 홀더를 구비하고, 상기 타겟 홀더에 타겟을 유지하며, 상기 기판 홀더에 기판을 유지하고, 상기 타겟 홀더와 상기 기판 홀더 양쪽 모두에 전압을 인가하여 상기 타겟의 스퍼터를 행하며, 상기 기판에 상기 타겟의 구성 원소를 포함하는 절연막을 형성하는 스퍼터 성막 장치로서, 상기 기판 홀더는, 방전 공간을 향해 개구 형성된 갭을 가지며, 상기 갭은, 상기 기판에 대한 스퍼터 성막 중에, 상기 절연막이 되는 절연물 입자가 도달하지 않고 상기 방전 공간에 대하여 개방된 도전면이 상기 갭의 내벽에 확보되는 갭 사이즈를 갖는다. A target holder having a conductivity and a substrate holder provided opposite to the target holder and having a conductivity, holding a target in the target holder, holding a substrate in the substrate holder, and both the target holder and the substrate holder. A sputter deposition apparatus for sputtering the target by applying a voltage to all of them, and forming an insulating film containing the constituent elements of the target on the substrate, wherein the substrate holder has a gap that is open toward a discharge space, and the gap is formed. Silver has a gap size during which sputter film formation on the substrate does not reach the insulator particles serving as the insulating film and the conductive surface opened to the discharge space is secured on the inner wall of the gap.

Description

스퍼터 성막 장치{SPUTTER DEPOSITION DEVICE}Sputter Deposition Device {SPUTTER DEPOSITION DEVICE}

본 발명은, 스퍼터 성막 장치에 관한 것으로, 특히 기판 홀더측에도 바이어스 전압을 인가한 상태로 기판에 절연막을 형성하는 스퍼터 성막 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputter deposition apparatus, and more particularly, to a sputter deposition apparatus for forming an insulating film on a substrate while a bias voltage is also applied to the substrate holder side.

타겟과 기판을 대향시켜 행하는 스퍼터 성막에서는, 통상 기판측은 접지되고, 타겟측에만 전압을 인가하지만, 경우에 따라서는 기판측에 바이어스 전압을 인가하는 경우도 있다. 예컨대 특허문헌 1에는, 아르곤과 산소의 혼합 가스중에서의 반응성 스퍼터에 의해 산화티탄막을 성막하는 데 있어서, 기판에 양의 바이어스 전압을 인가함으로써 결정 배향성을 바꿀 수 있다는 개시가 있다.In sputter film formation in which a target is opposed to a substrate, the substrate side is usually grounded, and a voltage is applied only to the target side. However, in some cases, a bias voltage is applied to the substrate side. For example, Patent Document 1 discloses that crystal orientation can be changed by applying a positive bias voltage to a substrate in forming a titanium oxide film by a reactive sputter in a mixed gas of argon and oxygen.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2005-87836호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-87836

스퍼터 성막에 있어서, 막은 기판 이외의 부분에도 부착된다. 예컨대 기판 홀더에서는 기판이 배치되어 있는 부분보다 외주측의 표면 위에도 막이 부착된다. 그리고, 형성되는 막이 절연막인 경우에, 기판 홀더에서 방전 공간에 대하여 노출되어 있는 면이, 절연막의 부착에 의해 절연막으로 덮여 버리면, 방전 공간을 향하는 도전면이 절연면이 되어 버려, 기판 홀더에 대한 바이어스 효과가 없어질 가능성이 있다.In sputter film formation, the film is also attached to portions other than the substrate. For example, in the substrate holder, the film is attached to the surface on the outer circumferential side rather than the portion where the substrate is arranged. And when the film formed is an insulating film, when the surface exposed to the discharge space in the board | substrate holder is covered with the insulating film by adhesion of an insulating film, the electrically conductive surface toward a discharge space will become an insulating surface, There is a possibility that the bias effect disappears.

본 발명은 전술한 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 절연막을 형성하는 경우에, 방전 공간과 그 방전 공간에 마주하는 기판 홀더 사이의 도통이 확보되도록 하여, 기판 홀더에 대한 바이어스 효과를 잃지 않도록 하는 스퍼터 성막 장치를 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and in the case of forming an insulating film, a sputter film is formed so that conduction between the discharge space and the substrate holder facing the discharge space is ensured so that the bias effect on the substrate holder is not lost. Provide the device.

본 발명의 일 양태에 의하면, 도전성을 갖는 타겟 홀더와, 상기 타겟 홀더에 대향하여 설치되고 도전성을 갖는 기판 홀더를 구비하고, 상기 타겟 홀더에 타겟을 유지하며, 상기 기판 홀더에 기판을 유지하고, 상기 타겟 홀더와 상기 기판 홀더 양쪽 모두에 전압을 인가하여 상기 타겟의 스퍼터를 행하며, 상기 기판에 상기 타겟의 구성 원소를 포함하는 절연막을 형성하는 스퍼터 성막 장치로서, 상기 기판 홀더는, 방전 공간을 향해 개구 형성된 갭을 가지며, 상기 갭은, 상기 기판에의 스퍼터 성막중에, 상기 절연막이 되는 절연물 입자가 도달하지 않고 상기 방전 공간에 대하여 개방된 도전면이 상기 갭의 내벽에 확보되는 갭 사이즈를 갖는 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막 장치가 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided a target holder having conductivity and a substrate holder having a conductivity opposite to the target holder, holding a target in the target holder, holding a substrate in the substrate holder, A sputter film deposition apparatus for applying a voltage to both the target holder and the substrate holder to perform sputtering of the target, and forming an insulating film containing the constituent elements of the target on the substrate, wherein the substrate holder faces a discharge space. The gap has an opening formed therein, and the gap has a gap size in which an insulator particle serving as the insulating film does not reach, and an electrically conductive surface opened to the discharge space is secured to the inner wall of the gap during sputter deposition to the substrate. A sputter film deposition apparatus characterized by the above is provided.

본 발명에 의하면, 절연막을 스퍼터 성막하는 경우에, 방전 공간과 그 방전 공간에 마주하는 기판 홀더 사이의 도통이 확보되도록 하여, 기판 홀더에 대한 바이어스 효과를 잃지 않도록 할 수 있다.According to the present invention, when sputtering an insulating film, conduction between the discharge space and the substrate holder facing the discharge space can be ensured so that the bias effect on the substrate holder is not lost.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 스퍼터 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 모식도.
도 2는 반응성 스퍼터에 의해 기판에 실리콘 산화막을 형성한 경우의, 기판측에 대한 바이어스 전압과, 성막 레이트와, 형성된 실리콘 산화막의 굴절률의 관계를 도시하는 그래프.
도 3은 방전 공간에 도입하는 가스를 아르곤 가스만으로 하는 조건으로 스퍼터 성막을 행하고, 기판 바이어스의 유무에 의한 막 두께의 차이를 측정한 결과를 도시하는 그래프.
도 4는 실리콘 타겟을 이용하여, 아르곤 가스와 산소 가스의 혼합 가스를 방전 공간에 도입하여 실리콘 산화막의 반응성 스퍼터를 행하고, 기판 바이어스의 유무에 따른, 산소 분압비에 대한 성막 레이트와 굴절률을 측정한 결과를 도시하는 그래프.
도 5는 도 4의 결과에서의 성막 속도와 굴절률을, 산소 분압비마다 도시한 그래프.
도 6은 도 1에 도시하는 기판 홀더의 모식 확대도.
도 7은 본 실시형태에 따른 스퍼터 성막 장치에서의 기판 홀더의 다른 구체예를 도시하는 모식도. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The schematic diagram which shows schematic structure of the sputter film deposition apparatus which concerns on embodiment of this invention.
Fig. 2 is a graph showing the relationship between the bias voltage on the substrate side, the film formation rate, and the refractive index of the formed silicon oxide film when a silicon oxide film is formed on the substrate by reactive sputtering.
Fig. 3 is a graph showing the result of measuring the difference in film thickness with or without substrate bias, by performing sputter film formation under the condition of using only argon gas as the gas introduced into the discharge space.
4 is a reactive target of silicon oxide film by introducing a mixed gas of argon gas and oxygen gas into a discharge space using a silicon target, and measuring the film formation rate and refractive index with respect to the oxygen partial pressure ratio with or without substrate bias. Graph showing the result.
FIG. 5 is a graph showing the film formation rate and the refractive index for each oxygen partial pressure ratio in the result of FIG. 4. FIG.
6 is a schematic enlarged view of the substrate holder shown in FIG. 1.
7 is a schematic diagram showing another specific example of the substrate holder in the sputter film deposition apparatus according to the present embodiment.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to drawings.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 스퍼터 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 모식도이다. 본 실시형태에 따른 스퍼터 성막 장치는, 기밀 용기(11)와, 기판(5)이 유지되는 기판 홀더(14)와, 타겟(13)이 유지되는 타겟 홀더인 백킹 플레이트(12) 등을 구비한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram which shows schematic structure of the sputter film deposition apparatus which concerns on embodiment of this invention. The sputter film-forming apparatus which concerns on this embodiment is equipped with the airtight container 11, the board | substrate holder 14 in which the board | substrate 5 is hold | maintained, the backing plate 12 etc. which are target holders in which the target 13 is hold | maintained. .

기밀 용기(11)의 벽부에는, 가스 도입구(16)와 배기구(17)가 형성되고, 가스 도입구(16)는 가스 공급관, 가스 공급원 등의 가스 공급계에 접속되며, 배기구(17)는 배기관, 진공 펌프 등의 진공 배기계에 접속되어 있다. 가스 도입량과 배기량의 제어에 의해, 기밀 용기(11)의 내부(처리실 내)를 원하는 가스에 의한 원하는 압력상태로 할 수 있다.The gas inlet 16 and the exhaust port 17 are formed in the wall part of the airtight container 11, the gas inlet 16 is connected to gas supply systems, such as a gas supply line and a gas supply source, and the exhaust port 17 is It is connected to vacuum exhaust systems, such as an exhaust pipe and a vacuum pump. By controlling the gas introduction amount and the exhaust amount, the inside (in the processing chamber) of the hermetic container 11 can be brought into a desired pressure state by a desired gas.

기밀 용기(11)의 상부에 백킹 플레이트(12)가 설치되고, 이 백킹 플레이트(12)에 대향하여, 기밀 용기(11)의 바닥부에 기판 홀더(14)가 설치되어 있다. 기밀 용기(11) 내부의 처리실 내에 있어서 백킹 플레이트(12)와 기판 홀더(14) 사이의 공간이 방전 공간(10)으로서 기능한다. The backing plate 12 is provided in the upper part of the airtight container 11, and the board | substrate holder 14 is provided in the bottom part of the airtight container 11 facing the backing plate 12. As shown in FIG. In the processing chamber inside the hermetic container 11, the space between the backing plate 12 and the substrate holder 14 functions as the discharge space 10.

백킹 플레이트(12) 및 기판 홀더(14)는 모두 금속 재료(합금도 포함)로 이루어져, 도전성을 갖는다. 백킹 플레이트(12)는 전원(21)에 접속되고, 기판 홀더(14)는 전원(22)에 접속되어 있다.Both the backing plate 12 and the substrate holder 14 are made of a metal material (also including alloy), and are conductive. The backing plate 12 is connected to the power source 21, and the substrate holder 14 is connected to the power source 22.

본 실시형태에서는, 예컨대 방전 공간(10)에 반응성 가스를 도입하고, 그 반응성 가스와 타겟(13)의 구성 원소의 반응물을 절연막으로서 기판(5)에 형성하는 반응성 스퍼터를 예를 들어 설명한다. 구체적으로는, 타겟(13)은 실리콘(Si)으로 이루어지고, 방전 공간(10)에는 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스의 혼합 가스가 도입되며, 기판(5)에는 실리콘 산화막(SiO2막)이 형성된다.In the present embodiment, for example, a reactive sputter which introduces a reactive gas into the discharge space 10 and forms a reactant of the reactive gas and the constituent elements of the target 13 on the substrate 5 as an insulating film will be described. Specifically, the target 13 is made of silicon (Si), a mixed gas of argon (Ar) gas and oxygen (O 2 ) gas is introduced into the discharge space 10, and the silicon oxide film ( SiO 2 film) is formed.

또한, 본 실시형태에서는, 타겟(13)측에 음의 전압을, 기판(5)측에 양의 전압을 인가하여, 방전 공간(10)에 방전을 일으킨다. 이 방전에 의해, 방전 공간(10)에 도입된 가스는 플라즈마화되고, 이것에 의해 생성된 양이온은 타겟(13)을 향해 가속되어 타겟(13)에 충돌한다. 이것에 의해, 타겟(13)을 구성하는 실리콘의 입자가 타겟(13)으로부터 스퍼터되고(튀겨 나오고), 그 실리콘 입자는 산소와 반응하여, 실리콘 산화막으로서 기판(5) 위에 부착 퇴적한다. In this embodiment, a negative voltage is applied to the target 13 side and a positive voltage is applied to the substrate 5 side to cause discharge in the discharge space 10. By this discharge, the gas introduced into the discharge space 10 is converted into a plasma, and the cations generated thereby are accelerated toward the target 13 and collide with the target 13. As a result, the particles of silicon constituting the target 13 are sputtered (spread out) from the target 13, and the silicon particles react with oxygen to deposit and deposit on the substrate 5 as a silicon oxide film.

여기서, 비교예로서 타겟에만 전압을 인가(기판측은 접지)한 경우에, 타겟에의 인가 전압을 증대시키면 성막 레이트의 향상이 도모된다. 그러나, 타겟에의 인가 전압을 증대시키면, 특히 취성 타겟의 경우에는 균열이 발생한다. 또한, 열전도율이 낮은 타겟의 경우에는, 스퍼터중에서의 타겟의 방열이 불충분해져, 백킹 플레이트와의 사이의 본딩층이 가열되어 박리될 우려가 있다. Here, as a comparative example, when voltage is applied only to the target (the substrate side is grounded), increasing the voltage applied to the target improves the film formation rate. However, when the voltage applied to the target is increased, cracking occurs particularly in the case of a brittle target. Moreover, in the case of the target with low thermal conductivity, heat dissipation of the target in a sputter | spatter becomes inadequate, and there exists a possibility that the bonding layer between a backing plate may heat and peel.

또한, 전술한 바와 같은 실리콘 산화막을 성막하는 반응성 스퍼터의 경우에, 충분한 양의 산소를 도입하면 기판 부근에서의 산화를 촉진하여 확실하게 원하는 조성비의 실리콘 산화막을 형성할 수 있지만, 타겟 표면의 산화도 진행되어, 스퍼터 레이트, 즉 기판 위로의 성막 레이트가 저하되어 버린다. 타겟 표면의 산화를 억제하기 위해 산소 도입량을 감소시키면, 형성되는 실리콘 산화막에서의 산소가 부족하여 원하는 특성의 실리콘 산화막이 얻어지지 않을 가능성이 있다. 즉, 종래, 성막 레이트의 향상과, 산화 촉진을 양립시키기 어려웠다.In addition, in the case of the reactive sputtering film forming the silicon oxide film as described above, the introduction of a sufficient amount of oxygen promotes oxidation in the vicinity of the substrate to form a silicon oxide film having a desired composition ratio with certainty. It progresses and the sputter rate, ie, the film-forming rate on a board | substrate, falls. When the amount of oxygen introduced is reduced to suppress oxidation of the target surface, there is a possibility that oxygen in the formed silicon oxide film is insufficient and a silicon oxide film having desired characteristics cannot be obtained. That is, it has been difficult to attain both the improvement of the film-forming rate and the oxidation promotion conventionally.

이것에 대하여 본 실시형태에서는, 기판(5)측에도 바이어스 전압을 인가함으로써, 이하에 설명하는 바와 같이, 성막 레이트의 향상과, 산화 촉진의 양립을 도모할 수 있다.On the other hand, in this embodiment, by applying a bias voltage to the board | substrate 5 side, as demonstrated below, both the improvement of a film-forming rate and an acceleration of oxidation can be aimed at.

도 2는, 전술한 반응성 스퍼터에 의해 기판에 실리콘 산화막을 형성한 경우 에 있어서, 기판측에 대한 바이어스 전압(횡축)과, 성막 레이트(좌측의 종축)와, 형성된 실리콘 산화막의 굴절률(우측의 종축)의 관계를 도시한다. 방전 공간에는 아르곤 가스와 산소 가스를 도입하고, 산소 가스의 분압비는 8.68%로 하였다. 그래프중, ● 포인트는 성막 레이트를 나타내고, ○ 포인트는 굴절률을 나타낸다.Fig. 2 shows the bias voltage for the substrate side (horizontal axis), the deposition rate (left vertical axis), and the refractive index of the formed silicon oxide film (right vertical axis) when the silicon oxide film is formed on the substrate by the reactive sputter described above. ) Relationship. Argon gas and oxygen gas were introduced into the discharge space, and the partial pressure ratio of the oxygen gas was 8.68%. In the graph, a point represents a film formation rate and a point represents a refractive index.

도 2의 결과로부터, 기판측에 양의 바이어스 전압을 인가한 경우에 성막 레이트가 증가하고 있고, 특히 기판 바이어스 전압이 +50 V 이상일 때에 성막 레이트가 현저히 증대되어 있다. 또한, 성막 레이트의 향상에 따라, 형성된 실리콘 산화막의 굴절률의 증가도 볼 수 있다. 이 굴절률의 증가는, 막중에서의 산소 부족에 기인한다고 생각된다.From the result of FIG. 2, the deposition rate is increased when a positive bias voltage is applied to the substrate side, and the deposition rate is remarkably increased especially when the substrate bias voltage is +50 V or more. In addition, the increase in the refractive index of the formed silicon oxide film can also be seen as the film formation rate is improved. This increase in refractive index is thought to be due to lack of oxygen in the film.

또한, 전술한 반응성 스퍼터에서는 산화의 정도에 따라 성막 레이트가 크게 변화한다. 따라서 산화의 영향을 제외하기 위해, 방전 공간에 도입하는 가스를 아르곤 가스만으로 하는 조건으로 스퍼터 성막을 행하고, 기판 바이어스의 유무에 의한 막 두께의 차이를 측정했다. 타겟은 실리콘을 이용했다. In the reactive sputtering described above, the film formation rate is greatly changed depending on the degree of oxidation. Therefore, in order to remove the influence of oxidation, sputter film-forming was performed on the conditions which only the argon gas introduce | transduces the gas introduce | transduced into a discharge space, and the difference of the film thickness with or without substrate bias was measured. The target used silicon.

그 결과를, 도 3에 도시한다. 도 3에서 횡축은, 기판의 피성막면에서의 면방향의 위치(Position)를 나타내고, 기판의 중심 위치(타겟의 중심 위치와 대략 일치)를 0으로 하여, 그 중심 위치로부터의 거리를 나타낸다. 도 3에서의 종축은, 기판 위에 형성된 막의 막 두께(Thickness)를 나타낸다. 도 3의 그래프에서, ● 포인트는 기판 바이어스를 0 V(접지)로 한 경우의 결과를 나타내고, ■ 포인트는 기판 바이어스를 +50 V로 한 경우의 결과를 나타낸다.The result is shown in FIG. In FIG. 3, the horizontal axis shows the position (Position) of the surface direction in the to-be-film-formed surface of a board | substrate, makes the center position of a board | substrate (approximately correspond with the center position of a target) 0, and shows the distance from the center position. The vertical axis in FIG. 3 indicates the film thickness of the film formed on the substrate. In the graph of Fig. 3, the points represent the results when the substrate bias is set to 0 V (ground), and the points represent the results when the substrate bias is set to + 50V.

도 3의 결과로부터, 기판측에 +50 V의 바이어스 전압을 인가함으로써, 바이어스가 0 V인 경우에 비해, 막 두께, 즉 성막 레이트가 평균 36% 증가하였다. 산소 가스를 이용하지 않은 도 3의 결과로부터, 성막 레이트의 증가는, 산화량의 변화에 의한 것이 아니라, 이하의 현상에 의한 것이라고 생각된다. From the results in FIG. 3, by applying a bias voltage of +50 V to the substrate side, the film thickness, that is, the film formation rate, was increased by 36% on average compared with the case where the bias was 0 V. FIG. From the result of FIG. 3 which did not use oxygen gas, it is thought that the increase of the film-forming rate is not caused by the change of oxidation amount but by the following phenomenon.

즉, 기판측에 양의 바이어스 전압을 인가함으로써, 방전 공간 중의 플라즈마 임피던스가 저하되어 고밀도 플라즈마화되고, 그것에 의한 방전 전압의 저하에 의해 스퍼터 레이트가 향상된 것으로 생각된다. 또한, 타겟측에 음의 전압을, 기판측에 양의 전압을 인가함으로써, 방전 공간 내에서 양이온이 타겟을 향해 가속되는 실효적인 가속 전압이 증가하고, 스퍼터 레이트가 향상된 것으로 생각된다. That is, it is considered that by applying a positive bias voltage to the substrate side, the plasma impedance in the discharge space is lowered to form a high density plasma, whereby the sputter rate is improved by lowering the discharge voltage. In addition, by applying a negative voltage to the target side and a positive voltage to the substrate side, it is considered that the effective acceleration voltage at which cations are accelerated toward the target in the discharge space increases, and the sputter rate is improved.

다음으로, 전술한 실시형태와 마찬가지로, 실리콘 타겟을 이용하여, 아르곤 가스와 산소 가스의 혼합 가스를 방전 공간에 도입하여 실리콘 산화막의 반응성 스퍼터를 행하고, 기판 바이어스의 유무에 의한, 산소 분압비에 대한 성막 레이트와 굴절률을 측정하였다. Next, similarly to the above-described embodiment, a silicon target is used to introduce a mixed gas of argon gas and oxygen gas into the discharge space to perform reactive sputtering of the silicon oxide film, and to determine the oxygen partial pressure ratio with or without the substrate bias. The deposition rate and the refractive index were measured.

그 결과를 도 4에 도시한다. 도 4의 그래프에서, 횡축은 산소 분압비를 나타내고, 좌측의 종축은 성막 레이트를 나타내며, 우측의 종축은 형성된 실리콘 산화막의 굴절률을 나타낸다. ● 포인트로 나타내는 그래프 a는, 기판 바이어스 없음(0 V)의 경우의 성막 레이트이다. ▲ 포인트로 나타내는 그래프 b는, 기판 바이어스를 +50 V로 한 경우의 성막 레이트이다. ○ 포인트로 나타내는 그래프 c는, 기판 바이어스 없음의 경우의 굴절률이다. △ 포인트로 나타내는 그래프 d는, 기판 바이어스를 +50 V로 한 경우의 굴절률이다.The result is shown in FIG. In the graph of FIG. 4, the horizontal axis represents the oxygen partial pressure ratio, the vertical axis on the left represents the film formation rate, and the vertical axis on the right represents the refractive index of the formed silicon oxide film. The graph a shown by a point is a film-forming rate in the case of no substrate bias (0V). The graph b shown by a point is a film-forming rate when the board | substrate bias is set to + 50V. The graph c shown by a point is a refractive index in the case of no substrate bias. The graph d represented by Δ points is a refractive index when the substrate bias is + 50V.

이 도 4의 결과로부터, 비교적 낮은 산소 분압비의 영역에서, 기판에 바이어스 전압을 인가함으로써 성막 레이트를 향상시킬 수 있다. From the result of FIG. 4, the deposition rate can be improved by applying a bias voltage to the substrate in a region of a relatively low oxygen partial pressure ratio.

또한, 산소 분압비가 11%∼12%의 영역에서, 기판에 바이어스 전압 +50 V를 인가한 경우가 기판 바이어스 없음보다 굴절률이 저하되어 있다. 기판 바이어스가 +50 V인 경우가 굴절률이 저하되어 있는 것은, 기판 바이어스 없음보다 실리콘 산화막중 산소 함유량이 많고, 기판 부근에서의 산화가 촉진되어 있다는 것을 나타낸다. 이것은, 기판측에 바이어스 전압을 인가함으로써 플라즈마 임피던스의 저하(플라즈마 고밀도화)에 의한 산소 활성종이 증가하고, 또한 플라즈마화에 의해 생성된 음의 이온(O-)이 양의 바이어스 전압에 끌려, 기판 부근에 모이고 거기에서의 산화가 촉진된 것으로 생각된다. 또한 O-가 기판측으로 끌림으로써, 상대적으로 타겟측의 O-의 양을 적게 할 수 있어 타겟 표면의 산화를 억제할 수 있고, 타겟 표면 산화에 의한 스퍼터 레이트, 즉 성막 레이트의 저하를 억제할 수 있다. In the region where the oxygen partial pressure ratio is 11% to 12%, the refractive index is lower than that of the substrate bias when the bias voltage +50 V is applied to the substrate. When the substrate bias is +50 V, the decrease in the refractive index indicates that the oxygen content in the silicon oxide film is higher than that without the substrate bias, and oxidation in the vicinity of the substrate is promoted. This is because by applying a bias voltage to the substrate side, oxygen active species due to a decrease in plasma impedance (densification of plasma) is increased, and negative ions (O − ) generated by plasma formation are attracted to the positive bias voltage, and the vicinity of the substrate is increased. It is thought to have been accelerated by oxidation. In addition, when O − is attracted to the substrate side, the amount of O − on the target side can be relatively reduced, so that oxidation of the target surface can be suppressed, and a decrease in the sputter rate due to oxidation of the target surface, that is, the deposition rate can be suppressed. have.

또한, 도 5에는, 도 4의 결과에서의 성막 속도와 굴절률을, 산소 분압비별로 나타낸 그래프를 도시한다. 기판 바이어스 없음의 경우를 ● 포인트로 나타내고, 기판 바이어스가 +50 V인 경우를 ■ 포인트로 나타낸다. 그래프중, 각 포인트 옆에 산소 분압비(%)를 기록하고 있다.5, the graph which shows the film-forming speed | rate and refractive index by the oxygen partial pressure ratio in the result of FIG. 4 is shown. The case where no substrate bias is indicated by the point and the case where the substrate bias is +50 V are represented by the point. In the graph, the oxygen partial pressure ratio (%) is recorded beside each point.

도 5의 결과로부터, 점선으로 둘러싸 도시하는 동일 산소량(산소 분압비)으로 비교한 경우, 기판 바이어스 없음보다 기판 바이어스 있음이 저굴절률화되어 있고, 즉 막중 산소 함유량이 많고, 또한 성막 레이트가 약 1.5배로 향상하고 있는 것을 알 수 있다. When compared with the same amount of oxygen (oxygen partial pressure ratio) shown by the dotted line from the result of FIG. 5, the substrate has a lower refractive index than that without the substrate bias, that is, the oxygen content in the film is high and the film formation rate is about 1.5. We can see that we are improving by ship.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 기판측에 양의 바이어스 전압을 인가함으로써, 성막 레이트의 향상과, 산화 촉진의 양립을 도모할 수 있다. As described above, according to the present embodiment, by applying a positive bias voltage to the substrate side, both the improvement of the film formation rate and the acceleration of oxidation can be achieved.

전술한 스퍼터 성막에서, 실리콘 산화막은 기판 이외의 부분에도 부착된다. 예컨대 기판 홀더(14)에서는 기판(5)이 배치되어 있는 부분보다 외주측의 표면 위에도 막이 부착된다. 그리고, 실리콘 산화막은 절연막이기 때문에, 기판 홀더(5)에서 방전 공간(10)에 대하여 노출되어 있는 면이 절연막인 실리콘 산화막으로 덮여 버리면, 방전 공간(10)을 향하는 도전면이 절연면이 되어 버려, 전술한 바와 같은 기판 홀더(14)에 대한 바이어스 효과를 잃을 가능성이 있다. In the above sputter film formation, the silicon oxide film is also adhered to portions other than the substrate. For example, in the substrate holder 14, the film is also attached to the surface on the outer circumferential side than the portion where the substrate 5 is disposed. And since the silicon oxide film is an insulating film, when the surface exposed to the discharge space 10 in the substrate holder 5 is covered with the silicon oxide film which is an insulating film, the conductive surface toward the discharge space 10 becomes the insulating surface. There is a possibility of losing the bias effect on the substrate holder 14 as described above.

그래서, 본 실시형태에서는, 기판 홀더(14)에 막이 부착되기 어려운 부분을 마련하여, 스퍼터 성막 중, 방전 공간(10)에 대하여 개방된 도전면이 확보되도록 하고 있다.Therefore, in this embodiment, the part which is hard to adhere | attach a film | membrane is provided in the board | substrate holder 14, and the conductive surface opened with respect to the discharge space 10 among sputter film deposition is ensured.

도 6에, 그 구조의 일 구체예를 도시한다.6 shows one specific example of the structure.

이 기판 홀더(14)에서, 방전 공간(10)에 면하는 측에는 미소한 갭(15)이 형성되어 있다. 갭(15)은, 방전 공간(10)을 향해 개구하고, 예컨대 홀형, 슬릿형으로 형성되어 있다. 갭(15)은, 기판 홀더(14)에서의 방전 공간(10)에 면하는 면의 전체면에 걸쳐 복수 형성되어 있다.In the substrate holder 14, a minute gap 15 is formed on the side facing the discharge space 10. The gap 15 opens toward the discharge space 10 and is formed in a hole shape or a slit shape, for example. The gap 15 is formed in multiple numbers over the whole surface of the surface which faces the discharge space 10 in the board | substrate holder 14. As shown in FIG.

기판 홀더(14)에서 갭(15)이 형성된 부분의 직경 방향 사이즈는, 기판(5)의 직경 방향 사이즈보다 크고, 기판 홀더(14)에 기판(5)을 배치하여도 모든 갭(15)이 기판(5)으로 막혀 버리지는 않는다. 즉, 어느 하나의 갭(15)[기판(5)보다 외주측에 존재하는 갭(15)]은, 방전 공간(10)에 대하여 내부가 개방된 상태가 된다. The radial size of the portion in which the gap 15 is formed in the substrate holder 14 is larger than the radial size of the substrate 5, and even if the substrate 5 is disposed in the substrate holder 14, all the gaps 15 are formed. It is not blocked by the substrate 5. That is, any one of the gaps 15 (the gaps 15 present on the outer circumferential side of the substrate 5) is in a state in which the inside thereof is opened to the discharge space 10.

이 갭(15)의 개구 직경 또는 폭을 적절히 설정함으로써, 절연막(30)이 되도록 방전 공간(10)을 떠돌고 있는 입자를, 갭(15)의 내부에 진입하기 어렵게 할 수 있고, 스퍼터 성막 중에 갭(15)의 내벽면에 절연막(30)이 부착하지 않도록 할 수 있다.By appropriately setting the opening diameter or width of the gap 15, it is possible to make it difficult for the particles floating in the discharge space 10 to enter the gap 15 so as to form the insulating film 30, and the gap during sputter film formation. It is possible to prevent the insulating film 30 from adhering to the inner wall surface of the 15.

기판 홀더(14)는 예컨대 금속 재료로 이루어져 도전성을 가지며, 갭(15)의 내벽면은 도전면이다. 따라서, 기판 홀더(14)에 바이어스 전압이 인가되면, 갭(15)의 내벽면도 원하는 바이어스 전위가 된다. 그 갭(15)의 내벽면이 절연막(30)으로 덮이지 않는다는 것은, 방전 공간(10)에 대하여 개방된 도전면을 확보할 수 있다는 의미이다. 즉, 기판 홀더(14)에서 방전 공간(10)에 면하는 측에, 방전 공간(10)과의 도통 부분을 확보할 수 있고, 기판 홀더(14)에 대하여 인가되는 바이어스 전압에 의한 전술한 효과를 확실하게 얻을 수 있다.The substrate holder 14 is made of a metal material, for example, to be conductive, and the inner wall surface of the gap 15 is a conductive surface. Therefore, when a bias voltage is applied to the substrate holder 14, the inner wall surface of the gap 15 also becomes a desired bias potential. That the inner wall surface of the gap 15 is not covered with the insulating film 30 means that the conductive surface open to the discharge space 10 can be secured. That is, the conduction part with the discharge space 10 can be secured to the side facing the discharge space 10 in the substrate holder 14, and the above-described effect is caused by the bias voltage applied to the substrate holder 14. Can be surely obtained.

갭(15)의 직경 또는 폭은, 너무 크면 절연물 입자의 진입을 허용하여 갭(15) 내에도 절연막(30)이 부착 퇴적하여 도전면을 확보할 수 없게 되어 버린다. 반대로, 갭(15)의 직경 또는 폭이 너무 작으면, 절연막(30)에 의해 개구가 폐색되어 버려, 갭(15) 내부의 도전면이 방전 공간(10)에 대하여 차단된 상태가 되어 버린다. 본 발명자는, 성막 중에 갭(15) 내부의 도전면을 확보할 수 있는 갭(15)의 적절한 갭 사이즈에 대해서는 이하에 설명하는 바와 같이 검토하였다.If the diameter or width of the gap 15 is too large, the insulator particles will be allowed to enter, and the insulating film 30 will also adhere and deposit in the gap 15, thereby making it impossible to secure the conductive surface. On the contrary, if the diameter or width of the gap 15 is too small, the opening is blocked by the insulating film 30, and the conductive surface inside the gap 15 is blocked from the discharge space 10. This inventor examined as follows below about the suitable gap size of the gap 15 which can ensure the electrically conductive surface inside the gap 15 during film-forming.

예컨대 방전 공간(10) 내의 압력이 5 Pa인 경우, 상기 절연물 입자의 평균 자유 행정은 대략 1 ㎜로 추정된다. 여기서의 평균 자유 행정 1 ㎜는, 상기 절연물 입자가 1 ㎜ 진행하면 70%의 확률로 다른 분자 등에 충돌하는 것을 나타낸다. 갭(15) 내에 진입한 절연물 입자가 분자 등과 충돌하면 모든 방향으로 튀어 비산될 가능성을 생각할 수 있지만, 진행 방향(도 6에서 바로 아래)으로 튀는 경우는 거의 없다고 생각된다. 갭(15) 내에서 바로 아래 이외의 방향으로 튄 입자는, 갭(15)의 직경 또는 폭이 평균 자유 행정(상기 예에서는 1 ㎜) 이하이며, 갭(15)의 깊이 또는 안길이 치수가 평균 자유 행정의 3배 이상(상기 예에서는 3 ㎜ 이상)이면, 갭(15)의 구멍 바닥(15a)에 도달하기 전에 갭(15)의 측벽에 부착되고 구멍 바닥(15a)에는 부착되지 않는다고 생각된다.For example, when the pressure in the discharge space 10 is 5 Pa, the average free path of the insulator particles is estimated to be approximately 1 mm. The average free stroke of 1 mm here indicates that when the insulator particle advances 1 mm, it has a 70% probability of colliding with other molecules or the like. It is conceivable that if the insulator particles entering the gap 15 collide with molecules, they may bounce off and scatter in all directions, but they rarely bounce in the traveling direction (just below in FIG. 6). Particles splashed in a direction other than just below in the gap 15 have a diameter or width of the gap 15 equal to or less than the average free stroke (1 mm in the above example), and the depth or depth dimension of the gap 15 is averaged. If it is three times or more of the free stroke (3 mm or more in the above example), it is considered that it is attached to the side wall of the gap 15 and does not adhere to the hole bottom 15a before reaching the hole bottom 15a of the gap 15. .

또한, 갭(15) 내에 진입한 입자는 30%의 확률로, 1 ㎜ 진행하여도 다른 분자 등과 충돌하지 않는다. 따라서, 갭(15) 내에 바로 진입하여 구멍 바닥(15a)을 향해 진행하는 입자를 생각한 경우, 갭(15)의 깊이를 1 ㎜ 이하로 하면 30%의 확률로 입자는 분자 등과 충돌하지 않고 구멍 바닥(15a)에 도달해 버린다. 따라서 본 발명자가 검토한 바, 갭(15)의 깊이 또는 안길이 치수를 평균 자유 행정의 3배 이상으로 하면, 갭(15) 내에 들어간 입자가 분자 등과 충돌을 일으키지 않고 구멍 바닥(15a)에 도달할 확률이 대략 0.01%가 되어, 거의 구멍 바닥(15a)에는 도달하지 않는다는 결론을 얻었다.In addition, the particles entering the gap 15 have a 30% chance of not colliding with other molecules or the like even if they proceed 1 mm. Therefore, in the case where the particles enter directly into the gap 15 and proceed toward the hole bottom 15a, when the depth of the gap 15 is 1 mm or less, there is a 30% probability that the particles do not collide with molecules or the like and the hole bottom. (15a) is reached. Therefore, as the inventors have studied, if the depth or depth dimension of the gap 15 is three times or more the average free stroke, the particles entering the gap 15 reach the hole bottom 15a without colliding with molecules or the like. The probability of making it becomes about 0.01%, and concluded that hardly reached the hole bottom 15a.

이상 설명한 바와 같이, 갭(15)의 직경 또는 폭이 평균 자유 행정 이하이며, 갭(15)의 깊이 또는 안길이 치수가 평균 자유 행정의 3배 이상이면, 상기 절연물 입자가 갭(15) 내에 들어가도, 대부분이 구멍 바닥(15a)에 도달하기 전에 갭(15)의 측벽에 부착되고, 따라서 구멍 바닥(15a)은 절연물로 덮이지 않아 도전면을 확보할 수 있다고 할 수 있다. As described above, if the diameter or width of the gap 15 is equal to or less than the average free stroke, and the depth or depth dimension of the gap 15 is three times or more the average free stroke, the insulator particles may enter the gap 15. , Most of which is attached to the side wall of the gap 15 before reaching the hole bottom 15a, so that the hole bottom 15a is not covered with an insulator, thereby securing a conductive surface.

전술한 예에서는 방전 공간(10) 내 압력을 5 Pa로 했지만, 일반적으로 평균 자유 행정은 가스 압력에 의존하기 때문에, 예컨대 가스 압력이 1 Pa인 경우에는 5 Pa인 경우에 대하여 단순히 평균 자유 행정이 5배가 되므로, 갭(15)의 직경 또는 폭은 5 ㎜ 이하, 갭(15)의 깊이는 직경 또는 폭의 3배 이상인 15 ㎜ 이상으로 하면, 구멍 바닥(15a)에 절연물이 부착하는 것을 확실하게 막아 도전면을 확보할 수 있다. In the above example, the pressure in the discharge space 10 is set to 5 Pa. However, since the average free stroke generally depends on the gas pressure, for example, when the gas pressure is 1 Pa, the average free stroke is simply 5 Pa. Since the diameter or width of the gap 15 is 5 mm or less, and the depth of the gap 15 is 15 mm or more, which is three times or more of the diameter or width, the insulating material adheres to the hole bottom 15a reliably. It can prevent and secure a conductive surface.

도 6에는 홀형 또는 슬릿형의 갭(15)을 기판 홀더(14)에 형성한 구조를 예시했지만, 스퍼터 성막 중에도 절연막으로 덮이지 않고 방전 공간(10)에 통하는 도전면을 기판 홀더(14)에 확보할 수 있는 구조이면 좋고, 도 6에 도시하는 형태로 한정되지 않는다. 예컨대 갭은 기판 홀더(14)의 두께 방향으로 곧게 연장되는 형상으로 한정되지 않고, 도중에 횡방향으로 구부러지거나, 비스듬히 연장되어 있어도 좋다. Although the structure which formed the hole 15 or the slit-shaped gap 15 in the board | substrate holder 14 was illustrated in FIG. 6, the conductive surface which passes through the discharge space 10 without covering with an insulating film also in the substrate holder 14 is not covered with sputter film deposition. The structure which can be ensured may be sufficient, and it is not limited to the form shown in FIG. For example, the gap is not limited to the shape extending straight in the thickness direction of the substrate holder 14, and may be bent in the transverse direction or extended at an angle.

또한, 도 7에는 기판 홀더의 다른 구체예를 도시한다. 7 shows another embodiment of the substrate holder.

이 기판 홀더(41)에서도, 방전 공간(10)에 면하는 측에, 방전 공간(10)을 향해 개구되어 있는 미소한 갭(42)이 형성되어 있다.Also in this board | substrate holder 41, the minute gap 42 opened toward the discharge space 10 is formed in the side which faces the discharge space 10. As shown in FIG.

또한, 이 기판 홀더(41)의 내부에는, 방전 공간(10)의 반대측에 갭(42)과 통하는 가스 도입실(43)이 형성되어 있다. 가스 도입실(43)은, 기판 홀더(41)에서의 기판 유지면의 반대측에 형성된 가스 도입로(44)를 통해, 처리실 외부의 가스 공급계에 접속되어 있다.Moreover, the gas introduction chamber 43 which communicates with the gap 42 is formed in the board holder 41 in the opposite side to the discharge space 10. The gas introduction chamber 43 is connected to the gas supply system outside the process chamber via the gas introduction path 44 formed in the board | substrate holder 41 on the opposite side to the board | substrate holding surface.

따라서, 가스 도입로(44)를 통해 기판 홀더(41) 내의 가스 도입실(43)에 반응성 가스(전술한 예에서는 산소 가스)를 도입할 수 있고, 그 가스 도입실(43)에 도입된 산소 가스는 갭(42)을 통해 방전 공간(10)에 분출된다.Therefore, the reactive gas (oxygen gas in the above-mentioned example) can be introduced into the gas introduction chamber 43 in the substrate holder 41 through the gas introduction passage 44, and oxygen introduced into the gas introduction chamber 43 is introduced. The gas is blown into the discharge space 10 through the gap 42.

이러한 구성으로 함으로써, 기판(5) 부근에 효율적으로 산소 가스를 공급할 수 있다. 즉, 상대적으로 타겟측의 산소 농도를 저감하여 타겟 표면의 산화를 억제함으로써 스퍼터 레이트의 저하를 억제하면서, 기판(5) 부근에서의 산화를 촉진시켜, 기판(5)에 형성되는 실리콘 산화막이 산소 부족이 되는 것을 막는다.By setting it as such a structure, oxygen gas can be supplied efficiently to the board | substrate 5 vicinity. That is, the silicon oxide film formed on the substrate 5 is accelerated by the oxidation of the substrate 5 while reducing the sputter rate by reducing the oxygen concentration on the target side to suppress the oxidation of the target surface. Prevent shortages.

또한, 산소 가스를 갭(42)을 통하여 분출시킴으로써, 막이 되는 입자의 기판 홀더(41) 표면에 대한 부착 퇴적이나, 갭(42) 내에의 진입을 억제할 수 있고, 방전 공간(10)을 향하는 도전면을 확보하기 쉽게 할 수 있다. 이 결과, 기판측에 대한 바이어스 효과를 손상하지 않는다. In addition, by blowing oxygen gas through the gap 42, adhesion deposition on the surface of the substrate holder 41 and the entry into the gap 42 can be suppressed and the discharge space 10 is directed toward the discharge space 10. The conductive surface can be easily secured. As a result, the bias effect on the substrate side is not impaired.

또한, 기판 홀더(41)는, 기판(5)을 기판 홀더(41) 위에 안정적으로 유지하기 위한 유지 기구(도시 생략)를 구비한다. 유지 기구로서는, 예컨대 기계적으로 기판(5)을 기판 홀더(41)에 대하여 세게 누르는 기구, 또는 정전척 등을 들 수 있다. 이 유지 기구에 의해, 기판(5)이 갭(42)을 통하여 분출되는 가스 압력을 받아도, 기판(5)을 기판 홀더(41)에 대하여 안정적으로 유지시켜 둘 수 있다.In addition, the substrate holder 41 includes a holding mechanism (not shown) for stably holding the substrate 5 on the substrate holder 41. As a holding mechanism, the mechanism which presses the board | substrate 5 firmly with respect to the board | substrate holder 41, an electrostatic chuck, etc. are mentioned, for example. By this holding mechanism, even when the substrate 5 receives the gas pressure ejected through the gap 42, the substrate 5 can be stably held with respect to the substrate holder 41.

이상, 구체예를 참조하면서 본 발명의 실시형태에 대해서 설명하였다. 그러나 본 발명은, 이들에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 기술적 사상에 기초하여 여러 가지의 변형이 가능하다.As mentioned above, embodiment of this invention was described referring a specific example. However, the present invention is not limited to these and various modifications are possible based on the technical idea of the present invention.

성막 대상의 기판으로서는, 반도체 웨이퍼, 디스크형 기록매체, 표시 패널, 태양 전지 패널, 미러 등을 들 수 있다. 또한 기판에 형성하는 절연막으로서는, 산화실리콘에 한하지 않고, 질화실리콘, 산화티탄, 질화티탄, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 산화니오븀 등이어도 좋다. 타겟종이나, 방전 공간에 도입하는 가스종도, 기판에 성막하고자 하는 막종에 따라 적절하게 선택된다.Examples of the substrate to be formed include a semiconductor wafer, a disk-type recording medium, a display panel, a solar cell panel, a mirror, and the like. The insulating film formed on the substrate is not limited to silicon oxide, but may be silicon nitride, titanium oxide, titanium nitride, aluminum oxide, aluminum nitride, niobium oxide, or the like. The target species and the gas species to be introduced into the discharge space are also appropriately selected depending on the film species to be formed on the substrate.

5: 기판, 10: 방전 공간, 12: 백킹 플레이트, 13: 타겟, 14: 기판 홀더, 15: 갭, 21, 22: 전원, 30: 절연막5: substrate, 10: discharge space, 12: backing plate, 13: target, 14: substrate holder, 15: gap, 21, 22: power supply, 30: insulating film

Claims (7)

도전성을 갖는 타겟 홀더와, 상기 타겟 홀더에 대향하여 설치되고 도전성을 갖는 기판 홀더를 구비하고, 상기 타겟 홀더에 타겟을 유지하며, 상기 기판 홀더에 기판을 유지하고, 상기 타겟 홀더와 상기 기판 홀더 양쪽 모두에 전압을 인가하여 상기 타겟의 스퍼터를 행하고, 상기 기판에 상기 타겟의 구성 원소를 포함하는 절연막을 형성하는 스퍼터 성막 장치로서,
상기 기판 홀더는, 방전 공간을 향해 개구 형성된 갭을 가지며,
상기 갭은, 상기 기판에의 스퍼터 성막 중에, 상기 절연막이 되는 절연물 입자가 도달하지 않고 상기 방전 공간에 대하여 개방된 도전면이 상기 갭의 내벽에 확보되는 갭 사이즈를 갖는 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막 장치. A target holder having a conductivity and a substrate holder provided opposite to the target holder and having a conductivity, holding a target in the target holder, holding a substrate in the substrate holder, and both the target holder and the substrate holder. A sputter film-forming apparatus which applies a voltage to all and sputters the said target, and forms the insulating film containing the structural element of the said target on the said board | substrate,
The substrate holder has a gap open toward the discharge space,
The gap has a gap size in which a conductive surface open to the discharge space is secured to the inner wall of the gap without the insulator particles serving as the insulating film reaching the substrate during sputter film formation on the substrate. . 제1항에 있어서, 상기 갭 사이즈는, 상기 갭의 직경 또는 폭과, 깊이를 포함하고,
상기 직경 또는 폭은, 상기 타겟의 구성 원소를 포함하는 입자의 상기 방전 공간 내에서의 평균 자유 행정 이하이며,
상기 깊이는, 상기 평균 자유 행정의 3배 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막 장치.The method of claim 1, wherein the gap size includes a diameter or width of the gap and a depth,
The diameter or width is equal to or less than the average free stroke in the discharge space of the particles containing the constituent elements of the target,
The said depth is three times or more of the said average free stroke, The sputter film deposition apparatus characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, 상기 타겟 홀더에는 음의 전압이 인가되고, 상기 기판 홀더에는 양의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막 장치.The sputter film deposition apparatus according to claim 1, wherein a negative voltage is applied to the target holder, and a positive voltage is applied to the substrate holder. 제1항에 있어서, 상기 방전 공간에 반응성 가스가 도입되고, 상기 기판에, 상기 타겟의 구성 원소와 상기 반응성 가스의 반응물이 상기 절연막으로서 형성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막 장치. The sputter film deposition apparatus according to claim 1, wherein a reactive gas is introduced into the discharge space, and a reactant of a constituent element of the target and the reactive gas is formed as the insulating film on the substrate. 제1항에 있어서, 상기 기판 홀더는,
상기 방전 공간의 반대측에서 상기 갭과 통하는 가스 도입실과,
상기 갭의 반대측에서 상기 가스 도입실과 통하는 가스 도입로
를 더 구비한 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막 장치. The method of claim 1, wherein the substrate holder,
A gas introduction chamber communicating with the gap on the opposite side of the discharge space,
Gas introduction passage communicating with the gas introduction chamber on the opposite side of the gap
The sputter film-forming apparatus further provided. 제5항에 있어서, 상기 타겟의 구성 원소와 반응하여 상기 절연막이 되는 반응성 가스가, 상기 가스 도입로를 통해 상기 가스 도입실에 도입되는 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막 장치. The sputter film deposition apparatus according to claim 5, wherein a reactive gas, which reacts with the constituent elements of the target and becomes the insulating film, is introduced into the gas introduction chamber through the gas introduction passage. 제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 반응성 가스는 산소 가스이며, 상기 절연막은 상기 타겟의 구성 원소의 산화막인 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막 장치. The sputter film deposition apparatus according to claim 4 or 6, wherein the reactive gas is oxygen gas, and the insulating film is an oxide film of constituent elements of the target.
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