KR20110124556A - 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치 및 이의 온도 제어방법 - Google Patents

반도체 공정용 열교환식 칠러 장치 및 이의 온도 제어방법 Download PDF

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Abstract

열교환기를 경유하는 냉매 경로와 상기 열교환기와 공정 설비를 순환하는 냉각유체 경로가 상기 열교환기를 개재하여 열 교환이 이루어지며, 상기 냉각유체 경로의 배관은 냉각유체 탱크에 연결되고, 상기 냉각유체 경로 중 한 위치에서 분기한 분기관은 상기 열교환기를 거쳐 상기 냉각유체 경로의 다른 위치에 연결되는 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치가 개시된다.

Description

반도체 공정용 열교환식 칠러 장치 및 이의 온도 제어방법{Heat exchange typed chiller apparatus for semiconductor process and Method for controlling temperature in the same}
본 발명은 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치에 관한 것으로, 특히 열교환기의 성능 열화 또는 손상을 방지할 수 있는 기술에 관련한다.
더욱이, 본 발명은 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치의 온도를 제어하는 방법에 관련한다.
반도체를 제조하는 과정에서 반도체 공정용 설비는 항상 그 챔버 내부의 온도를 일정하게 유지시켜야 하며, 이러한 온도 유지의 역할을 하는 장비가 반도체용 칠러(chiller)이다.
반도체 공정용 설비는 반도체의 제조과정에서 열적 부하를 받아 온도가 상승하게 되는데 반도체용 칠러는 펌프를 사용하여 챔버 내부에 냉각 유체를 순환시키는 방법으로 상기의 열적 부하를 반도체용 칠러로 회수하여 열을 제거한다.
반도체용 칠러는 본체로 회수된 냉각유체의 냉각 목표 온도에 따라 저온용 칠러와 고온용 칠러로 구분할 수 있으며, 저온용 칠러는 통상적으로 프레온가스를 이용한 냉각사이클을 이용하여 냉각유체를 냉각하는 방식이며, 고온용 칠러(또는, 열교환기식 칠러)는 냉매를 이용하여 냉각유체를 냉각하는 방식이다.
도 1은 종래의 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치의 사이클을 나타낸다.
도시된 바와 같이, 칠러 본체(10) 내부에는 열교환기(13), 냉각유체 탱크(15), 냉각유체 펌프(16), 유량제어밸브(12), 냉매 배관(11), 및 냉각유체 배관(14)이 설치된다.
냉매 배관(11)은 냉매 경로를 이루고 공정 설비(20)를 순환하는 냉각유체 배관(14)은 냉각유체 경로를 이루어 이들이 열교환기(13)에서 중첩됨으로써 열교환이 이루어진다.
이와 같은 종래의 열교환기식 칠러는 공정용 챔버(20)에서 회수되는 열적 부하의 크기에 따라 유량제어밸브(12)를 개폐하여 냉매 배관(11)을 흐르는 냉매의 양을 조절하여 냉각유체의 온도를 제어하게 된다.
그러나, 이러한 종래의 온도제어 시스템에 의하면 다음과 같은 문제점이 있다.
먼저, 냉각유체의 온도가 100℃ 이상이고 냉매가 흐르는 양이 적을 경우 열교환기(13) 내부에서 냉매가 끓게 되고, 이에 따라 열교환기(13)에 충격을 주어 열교환기의 수명이 저하되거나 냉매에 포함된 이물질이 열교환기(13) 내부에 부착되어 열교환기의 성능을 떨어뜨리는 원인이 된다.
둘째, 열교환기(13) 전체의 온도가 상승과 하강을 반복하기 때문에 열 피로에 의해 열교환기가 손상하거나 크랙이 발생한다.
셋째, 냉각이 필요 없는 시점에서 유량제어밸브(12)를 닫아 냉매가 흐르지 않더라도 열교환기(13) 내부에 잔류하고 있던 냉매가 증발하면서 열교환기(13)를 경유하는 냉각유체로부터 열을 지속적으로 빼앗아오기 때문에 냉각유체의 온도가 원하는 온도 이하로 떨어지는 현상이 발생한다.
넷째, 칠러(10)로부터 나오는 냉매 배관(11)의 온도가 높아 안전을 위한 부가 장치들이 필요하다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 열교환기의 성능 열화 또는 손상을 방지할 수 있는 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 냉각이 필요 없는 시점에서 냉각유체의 온도를 일정하게 유지할 수 있는 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기의 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치의 온도 제어방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적은, 열교환기를 경유하는 냉매 경로와 상기 열교환기와 공정 설비를 순환하는 냉각유체 경로가 상기 열교환기를 개재하여 열 교환이 이루어지며, 상기 냉각유체 경로의 배관은 냉각유체 탱크에 연결되고, 상기 냉각유체 경로 중 한 위치에서 분기한 분기관은 상기 열교환기를 거쳐 상기 냉각유체 경로의 다른 위치에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치에 의해 달성된다.
바람직하게, 상기 하나의 배관에는 상기 열교환기로 유입되는 냉각유체의 유량을 제어하는 유량제어밸브가 설치될 수 있다.
상기의 목적은, 열교환기를 경유하는 냉매 경로와 상기 열교환기와 공정 설비를 순환하는 냉각유체 경로가 상기 열교환기를 개재하여 열 교환이 이루어지는 반도체 공정용 칠러 장치에 적용되며, 상기 냉각유체 경로는 냉각유체 탱크로 유입되는 주 경로와, 상기 냉각유체 경로 중 한 위치에서 분기하여 상기 열교환기를 거쳐 상기 냉각유체 경로의 다른 위치로 복귀하는 보조 경로로 이루어지며, 상기 보조 경로를 흐르는 냉각유체의 유량을 제어하여 상기 공정 설비로 유입되는 냉각유체의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치의 온도 제어방법에 의해 달성된다.
바람직하게, 상기 열교환기로 유입되는 냉각유체의 유량 제어는 상기 보조 경로에 설치된 유량제어밸브에 의해 이루어질 수 있다.
상기의 구성에 의하면, 냉각유체의 온도가 고온이더라도 열교환기에는 적은 양의 냉각유체가 유입되기 때문에 냉매가 끓지 않아 열교환기의 수명이 증가하고 성능이 유지된다는 이점이 있다.
또한, 열교환기 자체의 온도가 일정하게 유지되므로 열교환기 수명이 증가한다는 이점이 있다.
또한, 냉각이 필요 없는 시점에서 유량제어밸브를 닫으면, 열교환기로 냉각유체가 유입되지 않기 때문에 바로 냉각이 중지되며, 이에 따라 냉각유체의 온도 제어가 신뢰성 있게 이루어진다는 이점이 있다.
더욱이, 칠러 본체로부터 나오는 냉매 배관의 온도가 높지 않아 안전을 위한 부가 장치들이 필요하지 않다는 이점이 있다.
도 1은 종래의 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치의 사이클을 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치의 사이클을 나타낸다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치의 사이클을 나타낸다.
도시된 바와 같이, 칠러 본체(100) 내부에는 열교환기(130), 냉각유체 탱크(150), 냉각유체 펌프(160), 유량제어밸브(144), 냉매 배관(110), 및 냉각유체 배관(140, 142)이 설치된다.
냉매 배관(110)은 열교환기(130)를 경유하여 냉매 경로를 이루고, 공정 설비(200)와 열교환기(130)를 순환하는 냉각유체 배관은 냉각유체 경로를 이루어 이들이 열교환기(130)에서 중첩됨으로써 열 교환이 이루어진다.
본 발명에 따르면, 공정 설비(200)로부터 나오는 냉각유체 배관(140)은 냉각유체 탱크(150)에 연결되고 냉각유체 배관(140)으로부터 분기된 분기관(142)은 열교환기(130)를 거쳐 냉각유체 배관(140)으로 복귀하며, 분기관(142)에 냉각유체의 유량을 제어하는 유량제어밸브(144)가 설치된다. 다시 말해, 냉각유체 경로는 냉각유체 탱크(150)로 유입되어 공정 설비(200)로 복귀하는 주 경로와, 주 경로 중 한 위치에서 분기하여 열교환기(130)를 거쳐 주 경로의 다른 위치로 복귀하는 보조 경로로 이루어진다.
이에 따라, 도 1을 참조하면, 종래에는 유량제어밸브를 냉매 배관에 설치하여 냉매의 유량을 제어하였지만, 본 발명에서는 냉각유체 배관(140)으로부터 분기한 분기관(142)에 유량제어밸브(144)를 설치하여 열교환기(130)로 유입되는 냉각유체의 유량을 제어한다.
상기의 구조를 갖는 반도체용 칠러의 동작에 대해 이하 설명한다.
냉각유체 탱크(150)에 저장되어있던 냉각유체는 펌프(160)에 의해 냉각유체 배관(140)을 통하여 챔버(200)로 이송된다.
냉각유체는 챔버(200)로부터 열적 부하를 받아 온도가 상승한 상태로 냉각유체 배관(140)을 통하여 회수되어 열교환기(130)와 냉각유체 탱크(150)로 유입된다.
가령 80%의 냉각유체는 냉각유체 탱크(150)로 회수되고, 나머지 20%의 냉각유체는 열교환기(130)로 보내져 냉각된다. 이러한 냉각유체의 유량제어는 분기관(142)에 설치된 유량제어밸브(144)를 조절하여 이루어진다. 여기서, 분기되는 냉각유체의 비율은 일 예를 든 것에 지나지 않으며 다양한 비율로 분기될 수 있음은 물론이다.
구체적으로, 유량제어밸브(144)의 개도를 크게 하면 열교환기(130)로 유입되어 냉각되는 고온의 냉각유체의 유량이 증가하여 공정 설비(200)로 유입되는 냉각유체의 온도는 하강한다. 반면, 유량제어밸브(144)의 개도를 작게 하면 열교환기(130)로 유입되어 냉각되는 고온의 냉각유체의 유량이 감소하여 공정 설비(200)로 유입되는 냉각유체의 온도는 상승한다. 즉, 열교환기(130)로 유입되는 냉각유체의 유량을 유량제어밸브(144)를 통하여 조절함으로써 결과적으로 냉각유체의 온도를 제어할 수 있게 된다.
이러한 구성에 의하면, 냉각유체의 온도가 100℃ 이상이더라도 열교환기에는 적은 양의 냉각유체가 유입되기 때문에 냉매가 끓지 않아 열교환기의 수명이 증가하고 성능이 유지될 수 있다.
또한, 열교환기 자체의 온도가 일정하게 유지되므로 열교환기 수명이 증가할 수 있다.
또한, 냉각이 필요 없는 시점에서 유량제어밸브를 닫으면, 열교환기로 냉각유체가 유입되지 않기 때문에 바로 냉각이 중지되며, 이에 따라 냉각유체의 온도 제어가 신뢰성 있게 이루어질 수 있다.
더욱이, 칠러 본체로부터 나오는 냉매 배관의 온도가 높지 않아 안전을 위한 부가 장치들이 필요하지 않다는 이점이 있다.
이상에서는 본 발명의 실시 예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있음은 물론이다.
예를 들어, 유량제어밸브(144)를 생략하고, 분기관(142)의 사이즈를 조절하여 원하는 목적의 일부를 이룰 수도 있다. 이 경우에 있어서는, 열교환기에 충격을 주어 열교환기의 수명이 저하되거나 냉매에 포함된 이물질이 열교환기 내부에 부착되어 열교환기의 성능을 떨어뜨리는 문제점은 해결할 수 있다.
또한, 상기의 실시 예에서는 분기관(142)이 공정 설비(200)로부터 나오는 위치에 설치되었지만, 이에 한정하지 않고 분기관(142)은 주 경로 중 어느 곳에서든 분기하거나 합류하여도 발명의 효과를 달성할 수 있다.
또한, 상기의 실시 예에서는 유량제어밸브(144)를 열교환기의 전단에 설치하였으나, 열교환기의 후단에 설치하여도 같은 효과를 얻을 수 있다.
따라서, 본 발명의 권리범위는 상기의 실시 예에 한정되어 해석되어서는 안 되며 이하에 기재된 특허청구범위에 의해 해석되어야 한다.
100: 칠러 본체
110: 냉매 배관
130: 열교환기
140: 냉각유체 배관
142: 분기관
144: 유량제어밸브
150: 냉각유체 탱크
160: 냉각유체 펌프
200: 공정 설비

Claims (4)

  1. 열교환기를 경유하는 냉매 경로와 상기 열교환기와 공정 설비를 순환하는 냉각유체 경로가 상기 열교환기를 개재하여 열 교환이 이루어지는 반도체 공정용 칠러로서,
    상기 냉각유체 경로의 배관은 냉각유체 탱크에 연결되고, 상기 냉각유체 경로 중 한 위치에서 분기한 분기관은 상기 열교환기를 거쳐 상기 냉각유체 경로의 다른 위치에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 하나의 배관에는 상기 열교환기로 유입되는 냉각유체의 유량을 제어하는 유량제어밸브가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치.
  3. 열교환기를 경유하는 냉매 경로와 상기 열교환기와 공정 설비를 순환하는 냉각유체 경로가 상기 열교환기를 개재하여 열 교환이 이루어지는 반도체 공정용 칠러 장치에 적용되며,
    상기 냉각유체 경로는 냉각유체 탱크로 유입되는 주 경로와, 상기 냉각유체 경로 중 한 위치에서 분기하여 상기 열교환기를 거쳐 상기 냉각유체 경로의 다른 위치로 복귀하는 보조 경로로 이루어지며,
    상기 보조 경로를 흐르는 냉각유체의 유량을 제어하여 상기 공정 설비로 유입되는 냉각유체의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치의 온도 제어방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 열교환기로 유입되는 냉각유체의 유량 제어는 상기 보조 경로에 설치된 유량제어밸브에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 열교환식 칠러 장치의 온도 제어방법.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101401350B1 (ko) * 2012-08-24 2014-05-30 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 반도체 제조설비의 온도제어 장치 및 그 제어방법
KR101401349B1 (ko) * 2012-07-06 2014-05-30 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 반도체 제조설비의 칠러장치 및 그 제어방법
KR101705667B1 (ko) 2016-01-20 2017-02-10 주식회사 에프에스티 반도체 공정용 칠러 장치
KR20210020523A (ko) * 2019-08-16 2021-02-24 주식회사 에프에스티 개도조절밸브 시스템을 구비하는 고온용 온도조절장치
KR20220057606A (ko) * 2019-09-18 2022-05-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 검사 시스템 및 검사 방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101456875B1 (ko) * 2012-12-14 2014-10-31 정성헌 반도체 제조 공정용 열 교환 장치
KR101523228B1 (ko) * 2013-09-26 2015-05-29 우범제 가스를 매개체로 하는 반도체 제조공정설비용 온도 제어시스템의 냉매 충전시스템 및 이를 이용한 냉매 충전방법
KR101568804B1 (ko) 2014-09-01 2015-11-12 유니셈(주) 폐가스 처리용 스크러버

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100754842B1 (ko) * 2006-11-01 2007-09-04 (주)피티씨 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치 및 그것의 제어방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101401349B1 (ko) * 2012-07-06 2014-05-30 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 반도체 제조설비의 칠러장치 및 그 제어방법
KR101401350B1 (ko) * 2012-08-24 2014-05-30 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 반도체 제조설비의 온도제어 장치 및 그 제어방법
KR101705667B1 (ko) 2016-01-20 2017-02-10 주식회사 에프에스티 반도체 공정용 칠러 장치
KR20210020523A (ko) * 2019-08-16 2021-02-24 주식회사 에프에스티 개도조절밸브 시스템을 구비하는 고온용 온도조절장치
KR20220057606A (ko) * 2019-09-18 2022-05-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 검사 시스템 및 검사 방법

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