KR20110122854A - Substrate treatment device and treatment method - Google Patents

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Abstract

처리액에 의해 처리되는 기판이 공급되는 처리부(2)와, 처리액이 저장되는 저장 탱크(1)와, 저장 탱크의 처리액을 처리부에 공급하여 기판을 처리하고 나서 저장 탱크로 복귀시키는 급액관(3) 및 회수관(28)과, 급액관에 설치되어 처리액에 포함되는 기체를 제거하는 탈기 장치(12)를 포함한다.A liquid supply pipe for supplying a processing unit 2 to which a substrate to be processed by the processing liquid is supplied, a storage tank 1 in which the processing liquid is stored, and a processing liquid of the storage tank to the processing unit and processing the substrate to return to the storage tank. (3) and recovery pipe | tube 28 and the degassing apparatus 12 provided in the liquid feed pipe and removing gas contained in a process liquid is included.

Figure P1020117021962
Figure P1020117021962

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND TREATMENT METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND TREATMENT METHOD}

본 발명은 액정 표시 패널에 이용되는 유리 기판이나 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate such as a glass substrate or a semiconductor wafer used in a liquid crystal display panel with a processing liquid.

예컨대, 액정 표시 장치나 반도체 장치의 제조 공정에서는, 이들의 대상물인 유리 기판이나 반도체 웨이퍼 등의 기판에 레지스트를 도포하고, 현상액에 의해 현상 처리하고 나서 에칭 처리를 함으로써, 기판 표면에 회로 패턴을 정밀하게 형성한다. 기판에 회로 패턴을 형성한 다음에는, 그 기판의 표면에 부착 잔류해 있는 레지스트막이나 레지스트 잔류물 등의 유기물을 박리액에 의해 제거하는 박리 처리가 실시된다.For example, in the manufacturing process of a liquid crystal display device or a semiconductor device, a resist pattern is applied to a substrate such as a glass substrate, a semiconductor wafer, or the like, which is subjected to development treatment with a developer, and then subjected to etching to precisely pattern the circuit pattern on the surface of the substrate. Form. After forming a circuit pattern on a board | substrate, the peeling process which removes organic substance, such as a resist film and a resist residue which remain | survived on the surface of the board | substrate, with a peeling liquid is performed.

이러한 기판 처리에 이용되는 처리액인 상기 현상액이나 박리액은 고가이다. 그 때문에, 상기 기판을 처리한 처리액을 회수하여 반복해서 사용함으로써, 기판 처리 비용의 저감을 도모하는 것이 고려되고 있다.The developing solution and the peeling solution which are the processing liquids used for such substrate processing are expensive. Therefore, it is considered to reduce the substrate processing cost by collecting and repeatedly using the processing liquid which processed the said board | substrate.

특허문헌 1에는 기판 표면에 부착 잔류한 레지스트를 박리액에 의해 제거하는 것이 개시되어 있다. 그러나, 박리액을 순환시켜 반복해서 사용한다는 것은 개시되어 있지 않다.It is disclosed by patent document 1 to remove the resist which remained on the surface of a board | substrate with a peeling liquid. However, it is not disclosed that the peeling solution is circulated and used repeatedly.

그런데, 박리액이나 현상액 등의 처리액을 사용 후에 회수하여 반복해서 사용하는 경우, 처리액은 순환 경로에서 대기에 접촉하는 것을 피할 수 없다. 특히, 처리부에서 처리액을, 예컨대 노즐로부터 기판을 향해 분사 공급하면, 대기와의 접촉 정도가 커지기 때문에, 그 때에 대기 중에 포함되는 기체 원소가 들어가고, 그 기체 원소와 반응하여 조기에 열화되는 경우가 있다.By the way, when the processing liquids, such as a peeling liquid and a developing solution, are collect | recovered after use and repeatedly used, it can not be avoided that the processing liquid contacts the atmosphere in a circulation path. In particular, when the processing unit sprays and supplies the processing liquid, for example, from the nozzle toward the substrate, the degree of contact with the atmosphere increases, so that a gaseous element contained in the atmosphere enters at that time, and reacts with the gaseous element and degrades prematurely. have.

예컨대, 현상액의 경우에는 대기 중의 이산화탄소(CO2)와 중화 반응하여 열화되는 경우가 있고, 박리액의 경우에는 산소(O2)와 산화 반응하여 열화되는 경우가 있다.For example, in the case of the developing solution in the case of the can, when the removing solution by the deterioration and the neutralization reaction of carbon dioxide (CO 2) in the atmosphere has deteriorated when the reacted oxygen (O 2) and oxide.

게다가, 현상액에는 탄산수소칼륨(KHCO3)이나 탄산수소나트륨(NaHCO3)이 포함되어 있다. 그리고, 현상액을 순환 펌프에 의해 가압하여 순환 경로를 순환시키면, 상기 탄산수소칼륨이나 탄산수소나트륨에는 순환 펌프나 순환 경로의 유로 저항 등에 의한 열에너지가 가해지고, 그 열에너지에 의해 분해되어 이산화탄소가 발생하는 경우가 있다. 그 때문에, 그것도 처리액을 조기에 열화시키는 원인이 되는 경우가 있었다.In addition, the developer contains potassium hydrogen carbonate (KHCO 3 ) or sodium hydrogen carbonate (NaHCO 3 ). When the developer is pressurized by a circulation pump to circulate the circulation path, thermal energy is applied to the potassium hydrogen carbonate and sodium hydrogen carbonate by a circulation pump or flow path resistance of the circulation path, and the carbon dioxide is decomposed by the thermal energy to generate carbon dioxide. There is a case. Therefore, it also may cause the processing liquid to deteriorate prematurely.

일본 특허 공개 제2006-278509호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2006-278509

본 발명은 처리액을 순환시켜 반복 사용할 때, 처리액에 포함되는 기체를 제거함으로써, 처리액이 조기에 열화되는 것을 방지하도록 한 기판 처리 장치 및 처리 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a substrate processing apparatus and a processing method for preventing the processing liquid from deteriorating early by removing the gas contained in the processing liquid when the processing liquid is circulated and repeatedly used.

상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은, 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치로서,In order to solve the said subject, this invention is a substrate processing apparatus which processes a board | substrate with a process liquid,

상기 처리액에 의해 처리되는 상기 기판이 공급되는 처리부와,A processing unit to which the substrate processed by the processing liquid is supplied;

상기 처리액이 저장되는 저장 탱크와,A storage tank in which the treatment liquid is stored;

이 저장 탱크의 처리액을 상기 처리부에 공급하여 상기 기판을 처리하고 나서 상기 저장 탱크로 복귀시키는 순환 관로와,A circulation conduit for supplying the processing liquid of the storage tank to the processing unit and processing the substrate and then returning to the storage tank;

이 순환 관로에 설치되어 상기 처리액에 포함되는 기체를 제거하는 탈기 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.It is provided to the substrate processing apparatus characterized by including the degassing means installed in this circulation pipe and removing the gas contained in the said process liquid.

또한, 본 발명은 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 방법으로서,Moreover, this invention is a substrate processing method which processes a board | substrate with a process liquid,

기판을 처리부에 공급하는 공정과,Supplying the substrate to the processing unit;

저장 탱크에 저장된 처리액을 상기 처리부에 공급하고 나서 상기 저장 탱크로 회수하는 공정과,Supplying the processing liquid stored in the storage tank to the processing unit and then recovering it to the storage tank;

상기 저장 탱크로부터 상기 처리부에 공급되는 상기 처리액에 포함된 기체를 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.It provides a substrate processing method comprising the step of removing the gas contained in the processing liquid supplied to the processing unit from the storage tank.

본 발명은 기판을 처리액에 의해 처리하는 처리 장치로서,The present invention is a processing apparatus for processing a substrate with a processing liquid,

상기 처리액에 의해 처리되는 상기 기판이 공급되는 처리부와,A processing unit to which the substrate processed by the processing liquid is supplied;

상기 처리액이 저장되는 저장 탱크와,A storage tank in which the treatment liquid is stored;

이 저장 탱크의 처리액을 상기 처리부에 공급하여 상기 기판을 처리하고 나서 상기 저장 탱크로 복귀시키는 제1 순환 관로와,A first circulation conduit for supplying the processing liquid of the storage tank to the processing unit and processing the substrate and then returning to the storage tank;

처리액에 대하여 반응하지 않는 기체를 미세 버블로 하여 처리액에 혼입시키는 버블 발생 수단을 갖고, 상기 저장 탱크의 처리액을 상기 버블 발생 수단에 공급하고 나서 상기 저장 탱크로 복귀시킴으로써, 그 처리액에 포함된 미세 버블에 의해 상기 처리부로부터 상기 저장 탱크로 복귀된 처리액에 포함되는 기체를 제거시키는 제2 순환 관로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.It has a bubble generating means for mixing the gas that does not react with the processing liquid as a fine bubble into the processing liquid, and by supplying the processing liquid of the storage tank to the bubble generating means and returning to the storage tank, It is to provide a substrate processing apparatus comprising a second circulation passage for removing the gas contained in the processing liquid returned from the processing unit to the storage tank by the included fine bubbles.

본 발명은 기판을 처리액에 의해 처리하는 처리 방법으로서,The present invention is a treatment method for treating a substrate with a treatment liquid,

기판을 처리부에 공급하는 공정과,Supplying the substrate to the processing unit;

저장 탱크에 저장된 처리액을 상기 처리부에 공급하고 나서 상기 저장 탱크로 회수하는 공정과,Supplying the processing liquid stored in the storage tank to the processing unit and then recovering it to the storage tank;

상기 저장 탱크의 처리액에, 이 처리액에 대하여 반응하지 않는 기체를 미세 버블로 하여 혼입시키는 공정과,Mixing a gas not reacting with the processing liquid as a fine bubble in the processing liquid of the storage tank,

미세 버블이 혼입된 처리액을 상기 저장 탱크로 복귀시킴으로써, 이 처리액에 포함된 미세 버블에 의해 상기 처리부로부터 상기 저장 탱크로 회수된 처리액에 포함되는 기체를 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.And returning the treatment liquid mixed with the fine bubbles to the storage tank, thereby removing a gas contained in the treatment liquid recovered from the treatment portion to the storage tank by the fine bubbles contained in the treatment liquid. It is to provide a substrate processing method.

본 발명에 따르면, 저장 탱크의 처리액을 순환시켜 기판 처리에 사용할 때, 처리액에 포함되는 기체를 제거하도록 하였다. 그 때문에, 처리액에 대기 중의 기체 원소가 들어가더라도, 그 기체 원소를 제거하는 것이 가능하기 때문에, 대기 중에 포함되는 기체 원소에 의해 처리액이 조기에 열화되는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, when the processing liquid of the storage tank is circulated to be used for substrate processing, the gas contained in the processing liquid is removed. Therefore, even if a gaseous element in the atmosphere enters the treatment liquid, the gaseous element can be removed. Therefore, it is possible to prevent the treatment liquid from deteriorating prematurely by the gaseous element contained in the atmosphere.

도 1은 본 발명의 일 실시형태의 기판 처리 장치를 나타낸 개략적 구성도이다.
도 2는 상기 처리 장치에 이용되는 탈기 장치의 내부 구조를 나타낸 단면도이다.
도 3은 순수에 상이한 4가지 조건을 부여했을 때의 경과 시간과 용존 산소 농도의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 4는 탈기된 순수를 버블 발생기에 반복하여 순환시켰을 때의 순수의 용존 산소 농도의 변화를 측정한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시형태의 기판 처리 장치를 나타낸 개략적 구성도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시형태의 기판 처리 장치를 나타낸 개략적 구성도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시형태의 기판 처리 장치를 나타낸 개략적 구성도이다.
도 8은 제3 실시형태와 제4 실시형태에 있어서 저장 탱크 내의 처리액에 미세 버블을 공급했을 때의 경과 시간과 용존 산소 농도의 관계를 나타낸 그래프이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic block diagram which shows the substrate processing apparatus of one Embodiment of this invention.
2 is a cross-sectional view showing the internal structure of a degassing apparatus used in the processing apparatus.
3 is a graph showing the relationship between elapsed time and dissolved oxygen concentration when four different conditions are applied to pure water.
4 is a graph measuring the change in the dissolved oxygen concentration of pure water when the deaerated pure water is repeatedly circulated to the bubble generator.
It is a schematic block diagram which shows the substrate processing apparatus of 2nd Embodiment of this invention.
It is a schematic block diagram which shows the substrate processing apparatus of 3rd embodiment of this invention.
It is a schematic block diagram which shows the substrate processing apparatus of 4th embodiment of this invention.
8 is a graph showing the relationship between the elapsed time and the dissolved oxygen concentration when the fine bubbles are supplied to the treatment liquid in the storage tank in the third embodiment and the fourth embodiment.

이하, 본 발명의 일 실시형태를 도 1 내지 도 4를 참조하면서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one Embodiment of this invention is described, referring FIGS.

도 1은 본 발명의 처리 장치의 개략적 구성을 나타내고, 이 처리 장치는 현상액이나 박리액 등의 처리액(L)이 저장된 저장 탱크(1)를 포함한다. 이 저장 탱크(1)의 바닥부에는, 처리액(L)을 유리 기판이나 반도체 웨이퍼 등의 기판(W)을 처리하기 위한 처리부(2)에 공급하는 처리액 공급 관로를 구성하는 급액관(3)의 일단이 접속된다.1 shows a schematic configuration of a treatment apparatus of the present invention, which includes a storage tank 1 in which a treatment liquid L such as a developing solution or a peeling liquid is stored. In the bottom part of this storage tank 1, the liquid supply pipe 3 which comprises the process liquid supply line which supplies process liquid L to the process part 2 for processing the board | substrate W, such as a glass substrate and a semiconductor wafer. Is connected to one end.

상기 급액관(3)의 타단은 상기 처리부(2)에 설치된 샤워 파이프(4)에 접속된다. 샤워 파이프(4)에는 복수의 노즐(5)이 소정 간격, 예컨대 등간격으로 설치되어 있다. 상기 샤워 파이프(4)의 아래쪽에는 상기 기판(W)을 반송하는 반송 수단으로서의 반송 롤러를 포함하는 반송 컨베이어(6)가 상기 처리부(2) 및 이 처리부(2)의 전후 방향에 걸쳐 설치되어 있다. 또한, 반송 수단은 체인 컨베이어 등이어도 된다.The other end of the liquid supply pipe 3 is connected to a shower pipe 4 provided in the processing unit 2. The shower pipe 4 is provided with a plurality of nozzles 5 at predetermined intervals, for example, at equal intervals. A conveying conveyor 6 including a conveying roller as a conveying means for conveying the substrate W is provided below the shower pipe 4 over the front and rear directions of the processing section 2 and the processing section 2. . The conveying means may be a chain conveyor or the like.

상기 기판(W)은 상기 반송 컨베이어(6)에 의해 상기 처리부(2)에 반입된다. 상기 샤워 파이프(4)는 길이 방향이 기판(W)의 반송 방향과 교차되게 배치된다. 그것에 의해, 상기 기판(W)이 반송 컨베이어(6)에 의해 상기 처리부(2) 내에서 반송됨으로써, 상면 전체에 처리액(L)이 공급되어 처리되게 된다.The board | substrate W is carried in to the said process part 2 by the said conveyer 6. The said shower pipe 4 is arrange | positioned so that a longitudinal direction may cross | intersect the conveyance direction of the board | substrate W. As shown in FIG. Thereby, the said board | substrate W is conveyed in the said processing part 2 by the conveyance conveyor 6, The processing liquid L is supplied and processed to the whole upper surface.

상기 저장 탱크(1)에 접속된 상기 급액관(3)의 일단부에는 제1 순환 펌프(11)가 설치되고, 이 제1 순환 펌프(11)와 상기 저장 탱크(1) 사이에는 처리액(L)에 포함된 기체를 제거하는 탈기 수단인 탈기 장치(12)가 설치된다.A first circulation pump 11 is installed at one end of the liquid supply pipe 3 connected to the storage tank 1, and a treatment liquid (B) between the first circulation pump 11 and the storage tank 1 is provided. The degassing apparatus 12 which is a degassing means which removes the gas contained in L) is provided.

상기 탈기 장치(12)는 도 2에 도시하는 바와 같이, 일단에 유입구(13), 타단에 유출구(14)가 형성된 액밀형(液密狀)의 용기(15)를 포함한다. 이 용기(15) 내의 일단부와 타단부에는 각각 칸막이판(16)이 설치된다. 이들 칸막이판(16)은 상기 용기(15) 내부를, 상기 유입구(13)에 연통 위치하는 유입실(17)과, 상기 유출구(14)에 연통 위치하는 유출실(18)과, 한 쌍의 칸막이판(16) 사이에 위치하는 감압실(19)로 격별(隔別)시킨다. 이 감압실(19)에는 내부의 기압을 감압시키는 감압 펌프(21)가 배관 접속된다.As shown in FIG. 2, the degassing apparatus 12 includes a liquid-tight container 15 having an inlet 13 at one end and an outlet 14 at the other end. The partition plate 16 is provided in the one end part and the other end part in this container 15, respectively. These partition plates 16 are provided with a pair of inflow chambers 17 communicating with the inlet 13 and an outlet chamber 18 communicating with the outlet 14. The pressure reduction chamber 19 located between the partition plates 16 separates them. In this pressure reduction chamber 19, a pressure reduction pump 21 for reducing the pressure inside the pipe is connected.

상기 감압실(19)에는, 일단이 한쪽 칸막이판(16)에 액밀하게 유지되고, 타단이 다른 쪽 칸막이판(16)에 액밀하게 유지된 탈기 부재(22)가 설치된다. 이 탈기 부재(22)는 기체는 통과시키지만 액체는 통과시키지 않는 재료로 형성된 미세 직경의 다수의 통 형상의 중공사(22a)를 묶어 구성되어 있고, 그 일단은 상기 유입실(17)에 연통되며, 타단은 상기 유출실(18)에 연통된다.In the decompression chamber 19, a degassing member 22 having one end liquid tightly held on one partition plate 16 and the other end liquid tightly held on the other partition plate 16 is provided. The degassing member 22 is composed of a plurality of tubular hollow fibers 22a having a fine diameter formed of a material which allows gas to pass but liquid does not pass, and one end thereof communicates with the inflow chamber 17. , The other end is in communication with the outlet chamber 18.

그것에 의해, 상기 제1 순환 펌프(11)가 작동하여 상기 저장 탱크(1) 내의 처리액(L)이 도 2에 화살표로 나타낸 바와 같이 상기 용기(15)의 유입구(13)로부터 유입실(17)에 공급되면, 그 처리액(L)은 탈기 부재(22)의 중공사(22a) 내부를 통과하여 유출실(18)로 흘러 유출구(14)로부터 유출되게 된다.Thereby, the first circulation pump 11 is operated so that the processing liquid L in the storage tank 1 is introduced from the inlet chamber 17 of the vessel 15 as indicated by the arrow in FIG. ), The processing liquid L flows through the hollow fiber 22a of the degassing member 22 and flows to the outlet chamber 18 so as to flow out of the outlet 14.

처리액(L)이 상기 탈기 부재(22)의 중공사(22a) 내부에서 흐를 때, 상기 감압실(19)이 감압 펌프(21)에 의해 부압으로 감압되어 있음으로써 상기 처리액(L)에 포함되는 기체만이 중공사(22a)의 주벽막(周壁膜)을 통과하여 감압실(19)에 흡인된다. 즉, 처리액(L)으로부터 기체가 분리된다. 그리고, 분리된 기체는 상기 감압 펌프(21)에 의해 감압실(19)의 외부로 배출되게 된다.When the processing liquid L flows inside the hollow fiber 22a of the degassing member 22, the pressure reducing chamber 19 is depressurized to a negative pressure by the pressure reducing pump 21 to the processing liquid L. Only the gas included passes through the circumferential wall film of the hollow fiber 22a and is sucked into the decompression chamber 19. That is, gas is separated from the processing liquid L. In addition, the separated gas is discharged to the outside of the decompression chamber 19 by the decompression pump 21.

상기 탈기 장치(12)에 의해 기체가 제거된 처리액(L)은 상기 제1 순환 펌프(11)의 압력에 의해 버블 발생기(24)에 공급된다. 이 버블 발생기(24)에는 처리액(L)과 함께, 가스 공급부(25)로부터 처리액(L)과 반응하지 않는 기체, 예컨대 질소나 아르곤 등의 불활성 가스가 가압되어 공급된다.The processing liquid L from which gas is removed by the degassing apparatus 12 is supplied to the bubble generator 24 by the pressure of the first circulation pump 11. The bubble generator 24 is supplied with the processing liquid L from the gas supply unit 25 by pressurizing a gas that does not react with the processing liquid L, for example, an inert gas such as nitrogen or argon.

또한, 처리액(L)이 현상액인 경우, 처리액(L)과 반응하지 않는 기체로서는 불활성 가스가 아니라 산소여도 된다.In addition, when the processing liquid L is a developing solution, the gas that does not react with the processing liquid L may be oxygen instead of an inert gas.

상기 버블 발생기(24)에 공급된 처리액(L)과 불활성 가스는 이 버블 발생기(24)의 내부에서 압력차에 따른 상이한 속도로 선회 운동하면서 흐른다. 그것에 의해, 처리액(L)과 불활성 가스의 선회 속도차로 불활성 가스가 처리액(L)에 의해 전단(剪斷)되기 때문에, 불활성 가스가 나노 버블이나 마이크로 나노 버블 등의 미세 버블이 되어 처리액(L) 속에 포함되게 된다.The processing liquid L and the inert gas supplied to the bubble generator 24 flow while turning in the bubble generator 24 at different speeds according to the pressure difference. As a result, the inert gas is sheared by the processing liquid L due to the difference in the rotational speed between the processing liquid L and the inert gas. Thus, the inert gas becomes fine bubbles such as nano bubbles or micro nano bubbles, thereby processing liquid. It is included in (L).

미세 버블이 포함된 처리액(L)은 상기 급액관(3)을 흘러 상기 샤워 파이프(4)에 공급되고, 그 샤워 파이프(4)로부터 반송 컨베이어(6)에 의해 처리부(2) 내에서 반송되는 기판(W)의 상면을 향해 분사 공급된다.The processing liquid L containing fine bubbles flows through the liquid feed pipe 3 and is supplied to the shower pipe 4, and is conveyed from the shower pipe 4 by the transport conveyor 6 in the processing unit 2. Injection is supplied toward the upper surface of the substrate W.

그것에 의해, 기판(W)의 상면은 처리액(L)에 의해 현상이나 박리 등의 처리가 이루어진다. 그리고, 기판(W)을 처리한 처리액(L)은 처리부(2)에 접속된 상기 급액관(3)과 순환 관로를 형성하는 회수관(28)을 통해 상기 저장 탱크(1)로 회수되게 된다. 즉, 처리액(L)은 급액관(3) 및 회수관(28)을 흘러 순환하고, 반복해서 사용되게 된다.As a result, the upper surface of the substrate W is treated with the processing liquid L such as development, peeling, or the like. In addition, the processing liquid L having processed the substrate W is recovered to the storage tank 1 through a recovery pipe 28 which forms a circulation pipe with the liquid supply pipe 3 connected to the processing unit 2. do. That is, the processing liquid L is circulated through the liquid feed pipe 3 and the recovery pipe 28, and is used repeatedly.

이어서, 상기 구성의 처리 장치에 의해 기판(W)을 처리할 때의 작용에 대해서 설명한다.Next, the operation | movement at the time of processing the board | substrate W by the processing apparatus of the said structure is demonstrated.

기판(W)을 처리하기에 앞서, 제1 순환 펌프(11) 및 감압 펌프(21)를 작동시킨다. 그것에 의해, 저장 탱크(1) 내의 처리액(L)은 탈기 장치(12)에 공급되며, 이 탈기 장치(12)의 용기(15)의 유입구(13)로부터 유입되고, 감압실(19)의 탈기 부재(22)를 구성하는 중공사(22a)의 내부 공간을 통해 유출구(14)로부터 유출되어 버블 발생기(24)로 흐른다.Prior to processing the substrate W, the first circulation pump 11 and the decompression pump 21 are operated. Thereby, the processing liquid L in the storage tank 1 is supplied to the degassing apparatus 12, flows in from the inlet port 13 of the container 15 of this degassing apparatus 12, and It flows out from the outlet port 14 through the internal space of the hollow fiber 22a which comprises the degassing member 22, and flows to the bubble generator 24. As shown in FIG.

처리액(L)이 감압실(19)의 탈기 부재(22)를 통과할 때, 이 감압실(19)이 감압 펌프(21)에 의해 감압되어 있음으로써, 처리액(L)에 포함된 산소나 이산화탄소 등의 기체가 제거된다.When the processing liquid L passes through the degassing member 22 of the decompression chamber 19, the decompression chamber 19 is depressurized by the decompression pump 21, so that the oxygen contained in the processing liquid L is reduced. And gases such as carbon dioxide are removed.

그것에 의해, 탈기 장치(12)로부터 유출되는 처리액(L)에는 기체가 포함되어 있지 않기 때문에, 처리액(L)에 포함되는 기체에 의해 처리액(L)의 열화가 촉진되는 경우가 없다. 예컨대, 처리액(L)이 현상액인 경우에는 이산화탄소가 현상액과 중화 반응하여 현상액의 열화를 촉진시키고, 처리액이 박리액인 경우에는 산소가 박리액과 산화 반응하여 박리액의 열화를 촉진시키게 되지만, 처리액으로부터는 산소나 이산화탄소 등의 기체가 제거되기 때문에, 처리액(L)이 기체에 의해 조기에 열화되는 것이 방지된다.Thereby, since gas is not contained in the processing liquid L which flows out from the degassing apparatus 12, deterioration of the processing liquid L is not accelerated by the gas contained in the processing liquid L. FIG. For example, when the treatment solution L is a developer, carbon dioxide reacts with the developer to neutralize the developer, and when the treatment solution is a stripper, oxygen oxidizes with the stripper to promote degradation of the stripping solution. Since gas such as oxygen or carbon dioxide is removed from the processing liquid, the processing liquid L is prevented from deteriorating early due to the gas.

이와 같이 하여 열화를 촉진하는 기체가 제거된 처리액(L)은 상기 제1 순환 펌프(11)에 의해 가압되어 버블 발생기(24)에 공급된다. 즉, 처리액(L)은 산소나 이산화탄소 등의 기체에 의해 열화되지 않고 버블 발생기(24)에 공급된다. 이 버블 발생기(24)에는, 처리액(L)과 함께 가스 공급부(25)의 불활성 가스가 가압되어 공급된다.In this way, the processing liquid L from which the gas promoting deterioration is removed is pressurized by the first circulation pump 11 and supplied to the bubble generator 24. That is, the processing liquid L is supplied to the bubble generator 24 without being deteriorated by gas such as oxygen or carbon dioxide. The inert gas of the gas supply part 25 is pressurized and supplied to this bubble generator 24 with the process liquid L. FIG.

버블 발생기(24)에 처리액(L)과 불활성 가스가 공급되면, 이들은 선회류가 되어 내부를 상이한 선회 속도로 흐르고, 그 선회 속도의 차에 의해 불활성 가스가 처리액(L)에 의해 전단되어 나노 버블이나 마이크로 나노 버블 등의 미세 버블이 발생하고, 그 미세 버블이 처리액(L)에 혼입된다.When the processing liquid L and the inert gas are supplied to the bubble generator 24, they become swirl flow and flow through the inside at different turning speeds, and the inert gas is sheared by the processing liquid L due to the difference in the turning speeds. Micro bubbles, such as nano bubbles and micro nano bubbles, generate | occur | produce, and the micro bubbles mix in the process liquid L. FIG.

미세 버블이 혼입된 처리액(L)은 제1 순환 펌프(11)의 압력에 의해 급액관(3)을 흘러 샤워 파이프(4)에 도달하고, 이 샤워 파이프(4)에 설치된 복수의 노즐(5)로부터, 반송 컨베이어(6)에 의해 처리부(2) 내에서 반송되는 기판(W)의 상면을 향해 분사된다.The processing liquid L in which the fine bubbles are mixed flows through the liquid supply pipe 3 by the pressure of the first circulation pump 11 to reach the shower pipe 4, and the plurality of nozzles provided in the shower pipe 4 ( From 5), it is sprayed toward the upper surface of the board | substrate W conveyed in the process part 2 by the conveyance conveyor 6.

그것에 의해, 기판(W)은 처리액(L)이 현상액이라면 현상 처리가 이루어지고, 박리액이라면 기판(W)에 부착 잔류해 있는 레지스트가 박리 제거되게 된다.As a result, if the treatment liquid L is a developing solution, the substrate W is developed. If the stripping solution, the resist remaining on the substrate W is peeled off.

처리액(L)이 샤워 파이프(4)의 노즐(5)로부터 기판(W)을 향해 분사될 때, 처리액(L)은 대기에 접촉하기 때문에, 대기 중에 포함되는 이산화탄소나 산소 등의 기체를 용해하여 열화를 초래할 우려가 있다.When the processing liquid L is injected from the nozzle 5 of the shower pipe 4 toward the substrate W, the processing liquid L comes into contact with the atmosphere, so that gas such as carbon dioxide or oxygen contained in the atmosphere is absorbed. It may melt and cause deterioration.

그러나, 샤워 파이프(4)의 노즐(5)로부터 기판(W)을 향해 분사되는 처리액(L)에는 불활성 가스의 미세 버블이 포함되어 있다. 그 때문에, 노즐(5)로부터 기판(W)을 향해 분사되는 처리액(L)은 그 처리액(L)에 미세 버블이 포함되어 있음으로써 대기 중의 이산화탄소나 산소 등의 기체 원소가 쉽게 용해되지 않게 된다.However, the processing liquid L injected from the nozzle 5 of the shower pipe 4 toward the substrate W contains fine bubbles of inert gas. Therefore, the processing liquid L injected from the nozzle 5 toward the substrate W contains micro bubbles in the processing liquid L so that gaseous elements such as carbon dioxide and oxygen in the atmosphere are not easily dissolved. do.

즉, 처리부(2)에서 처리액(L)을 노즐(5)로부터 기판(W)을 향해 분사하면, 처리액(L)과 대기와의 접촉 면적이 증대하여 대기 중의 이산화탄소나 산소 등의 기체 원소를 용해하기 쉬운 상태가 되지만, 처리액(L)에는 미세 버블이 포함되어 있음으로써 대기 중의 이산화탄소나 산소가 쉽게 용해되지 않게 되기 때문에, 처리액(L)을 기판(W)을 향해 분사하여도 열화하기 어렵다.In other words, when the processing liquid L is sprayed from the nozzle 5 toward the substrate W by the processing unit 2, the contact area between the processing liquid L and the atmosphere is increased, and gaseous elements such as carbon dioxide and oxygen in the atmosphere are increased. Is easily dissolved, but since the processing liquid L contains fine bubbles, carbon dioxide and oxygen in the atmosphere are not easily dissolved, so that even if the processing liquid L is sprayed toward the substrate W, it deteriorates. Difficult to do

특히, 처리액(L)에 불활성 가스의 미세 버블을 포화 상태 혹은 포화 상태에 가까운 상태가 될 때까지 포함시켜 두면, 그 처리액(L)에 대기 중의 이산화탄소나 산소가 한층 더 용해되기 어렵게 되기 때문에, 처리액(L)의 열화를 더욱 확실하게 방지할 수 있다.In particular, when the processing liquid L contains fine bubbles of inert gas until it becomes saturated or close to the saturated state, it becomes difficult to further dissolve atmospheric carbon dioxide and oxygen in the processing liquid L. The deterioration of the processing liquid L can be prevented more reliably.

또한, 처리액(L)에 불활성 가스의 미세 버블을 포함시킴으로써 미세 버블을 포함하는 처리액(L)이 저장 탱크(1)로 복귀되면, 이 저장 탱크(1) 내에 저류된 처리액(L)에 대하여 미세 버블의 버블링 작용에 의해 처리액(L)에 포함된 대기 중의 이산화탄소나 산소 등을 제거할 수 있다.In addition, when the processing liquid L containing the fine bubbles is returned to the storage tank 1 by including the fine bubbles of the inert gas in the processing liquid L, the processing liquid L stored in the storage tank 1 is stored. With respect to the bubbling action of the fine bubbles, carbon dioxide and oxygen in the atmosphere contained in the treatment liquid L can be removed.

따라서, 처리부(2)에 공급되는 처리액(L)에 불활성 가스의 미세 버블이 포화 상태 혹은 포화 상태에 가까운 상태로 포함되어 있으므로, 저장 탱크(1)로 복귀되는 처리액(L)에 대기 중의 이산화탄소나 산소 등이 포함되기 어렵게 된다.Therefore, since the fine bubble of inert gas is contained in the processing liquid L supplied to the processing part 2 in the saturated state or the state close to the saturation state, the processing liquid L returned to the storage tank 1 is in the air | atmosphere. Carbon dioxide, oxygen, etc. are difficult to contain.

게다가, 처리부(2)에서 미세 버블을 포함하는 처리액(L)을 기판(W)에 공급함으로써, 예컨대 기판(W)으로부터 제거된 레지스트 등의 플러스 전위의 먼지가 기판(W)과 동일한 전위인 마이너스 전위의 미세 버블에 의해 덮인다. 이에, 기판(W)과 먼지 사이에 반발력이 생겨 먼지가 기판(W)으로부터 제거되기 때문에, 제거된 먼지가 기판(W)에 재부착되는 것을 방지할 수 있다.In addition, by supplying the processing liquid L containing fine bubbles from the processing unit 2 to the substrate W, for example, dust having a positive potential such as a resist removed from the substrate W is at the same potential as the substrate W. Covered by fine bubbles of negative potential. Accordingly, since a repulsive force is generated between the substrate W and the dust, and the dust is removed from the substrate W, the removed dust can be prevented from reattaching to the substrate W. FIG.

처리액(L)이 현상액인 경우, 대기 중에 포함되는 이산화탄소의 접촉에 의해 열화될 뿐 아니라, 급액관(3)을 순환할 때에 제1 순환 펌프(11)로부터 열에너지를 받거나, 급액관(3)을 흐를 때의 유로 저항에 의해 열에너지가 발생하면, 그 열에너지에 의해 현상액에 처음부터 포함되어 있는 탄산수소칼륨이나 탄산수소나트륨이 열분해되어 이산화탄소가 발생하고, 그 이산화탄소에 의해 처리액(L)의 열화를 촉진시키는 경우가 있다.When the processing liquid L is a developing solution, not only is it deteriorated by the contact of carbon dioxide contained in the atmosphere, but also receives heat energy from the first circulation pump 11 when circulating the feed pipe 3, or the feed pipe 3. When heat energy is generated by flow path resistance when flowing, the heat energy decomposes potassium hydrogen carbonate or sodium hydrogen carbonate contained in the developer from the beginning, and carbon dioxide is generated, and the carbon dioxide deteriorates the treatment liquid L. There is a case to promote.

그러나, 현상액에 포함되는 이산화탄소는 탈기 장치(12)에 의해 제거되기 때문에, 현상액에 포함되는 탄산수소칼륨이나 탄산수소나트륨이 열분해되어 이산화탄소가 발생하여도, 현상액이 조기에 열화되는 것을 방지할 수 있다.However, since carbon dioxide contained in the developer is removed by the degassing apparatus 12, even if potassium hydrogen carbonate or sodium hydrogen carbonate contained in the developer is thermally decomposed, carbon dioxide is generated, it is possible to prevent the developer from deteriorating early. .

이와 같이 하여 기판(W)을 처리한 처리액(L)은 회수관(28)을 통해 저장 탱크(1)로 회수된 후, 제1 순환 펌프(11)에 의해 급액관(3)을 흘러 처리부(20)에 공급되는 순환이 반복하여 이루어진다.Thus, the processing liquid L which processed the board | substrate W is collect | recovered to the storage tank 1 through the collection pipe 28, and flows through the feed pipe 3 by the 1st circulation pump 11, and a process part The circulation supplied to 20 is repeated.

즉, 상기 구성의 처리 장치에 따르면, 처리액(L)에 포함되는 기체는 탈기 장치(12)에 의해 제거되기 때문에, 처리액(L)이 이산화탄소나 산소 등의 기체에 의해 조기에 열화되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.That is, according to the processing apparatus of the said structure, since the gas contained in the processing liquid L is removed by the degassing apparatus 12, it turns out that the processing liquid L deteriorates prematurely by gas, such as carbon dioxide or oxygen. It can be reliably prevented.

탈기된 처리액(L)이 샤워 파이프(4)의 노즐(5)로부터 기판(W)에 분사되면, 그 처리액(L)은 대기에 접촉하기 때문에, 대기에 포함되는 기체를 용해시켜 열화될 우려가 있다. 그러나, 노즐(5)로부터 분사되는 처리액(L)에는 버블 발생기(24)에 의해 처리액(L)과 반응하지 않는 불활성 가스 등의 기체에 의해 만들어진 미세 버블이 포함되어 있다.When the degassed processing liquid L is injected from the nozzle 5 of the shower pipe 4 to the substrate W, the processing liquid L contacts the atmosphere, so that the gas contained in the atmosphere is dissolved and deteriorated. There is concern. However, the processing liquid L injected from the nozzle 5 contains fine bubbles made by a gas such as an inert gas that does not react with the processing liquid L by the bubble generator 24.

그 때문에, 처리액(L)이 대기와 접촉하여도, 이미 미세 버블이 포함된 처리액(L)에는 대기 중의 이산화탄소나 산소 등의 기체가 용해되기 어렵기 때문에, 그것에 의해서도 처리액(L)이 조기에 열화되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, even if the processing liquid L comes into contact with the atmosphere, it is difficult to dissolve gases such as carbon dioxide and oxygen in the atmosphere in the processing liquid L already containing fine bubbles. Premature deterioration can be prevented.

도 3의 그래프 A 내지 D는 탈기 후 순수에 포함되는 산소 농도의 변화를 시간의 경과와 함께 측정한 그래프이다. 도 3에 있어서 그래프 A는 순수를 탈기하여, 순환시키지 않고 그 상태로 방치했을 때의 산소 농도의 변화를 측정한 경우이고, 그래프 B는 15분 순환한 후, N2 버블을 혼입하고, 그 후 방치했을 때의 산소 농도의 변화를 측정한 경우이다.Graphs A to D of FIG. 3 are graphs of a change in oxygen concentration included in pure water after degassing as time passes. FIG graph A in the 3 cases of measuring the change in the oxygen concentration when allowed to stand in that state without the deaeration of pure water, not circular, the graph B is then circulated 15 minutes, mixed with N 2 bubble, and thereafter It is a case where the change of oxygen concentration at the time of leaving is measured.

그래프 C는 15분 순환하고, CO2 버블을 혼입하고, 그 후 방치했을 때의 산소 농도의 변화를 측정한 경우이며, 그래프 D는 15분 순환하고, 버블을 혼입하지 않고, 그 후 방치했을 때의 산소 농도의 변화를 측정한 경우이다.The graph C circulates for 15 minutes, and it is a case where the change of oxygen concentration when the CO 2 bubble is mixed and is left to stand after is measured, and the graph D circulates for 15 minutes and is left without mixing the bubble after that. This is the case where the change of oxygen concentration of was measured.

이상의 실험으로부터, 순수에 포함되는 산소를 탈기하여도, 그래프 C, D와 같이 순환시킴으로써 순수 속의 산소 농도가 증가하는 것과, 그래프 B와 같이 순수를 순환시켜도, N2 버블을 혼입함으로써, 산소 농도의 증가가 억제되는 것을 알 수 있다. 또한, 그래프 A와 같이, 탈기한 후, 순환시키지 않으면 산소 농도가 크게 증가하지 않는 것도 알 수 있다.From the above experiment, even if the oxygen contained in the pure water is degassed, the oxygen concentration in the pure water increases by circulating as shown in graphs C and D, and even if the pure water is circulated as shown in the graph B, the N 2 bubble is mixed to increase the oxygen concentration. It can be seen that the increase is suppressed. In addition, as shown in Graph A, it can be seen that the oxygen concentration does not increase significantly unless degassed after the degassing.

도 4는 상기 일 실시형태에 나타낸 처리 장치에 의해 처리액(L)을 순환시켰을 때, 처리액(L)의 산소 농도의 변화를 측정한 그래프이다. 이 그래프에서 횡축의 X1-X2의 범위는 순수에 버블을 혼입시키지 않고 순환시켰을 때의 산소 농도의 변화를 측정한 것이고, X2-X3, X3-X4 및 X4-X5의 범위는 각각 N2 버블을 혼입시켜 순환했을 때의 산소 농도의 변화를 측정한 것이다. 즉, 순환시킬 때마다 순수에 N2 버블을 혼입시키도록 하였다.4 is a graph in which the change in the oxygen concentration of the processing liquid L is measured when the processing liquid L is circulated by the processing apparatus shown in the above embodiment. In this graph, the range of X1-X2 on the horizontal axis is a measure of the change in oxygen concentration when circulating without mixing bubbles in pure water, and the ranges of X2-X3, X3-X4 and X4-X5 each represent N 2 bubbles. It is the change of oxygen concentration when it mixes and circulates. In other words, N 2 bubbles were mixed into the pure water every time it circulated.

이것으로부터, 순수에 N2 버블을 혼입시켜 순환시킴으로써 용존 산소 농도를 감소시킬 수 있는 것을 알 수 있다. 용존 산소 농도가 감소하는 이유로서는, 순수를 반복하여 순환시킴으로써, 순수에 포함되는 N2 버블량이 점차로 증가함에 따른 것으로 생각된다. 즉, 순수에 포함되는 N2 버블량이 증가함으로써, 대기의 산소가 들어가기 어렵게 되기 때문이라고 생각된다.From this, it turns out that dissolved oxygen concentration can be reduced by mixing and circulating N 2 bubble in pure water. The reason why the dissolved oxygen concentration decreases is thought to be that the amount of N 2 bubbles contained in the pure water gradually increases by circulating pure water repeatedly. That is, by increasing the amount of N 2 bubbles contained in the pure water, is considered to be because the oxygen of the air difficult to enter.

도 5는 본 발명의 제2 실시형태를 나타내는 처리 장치의 구성도이다. 또한, 도 1에 도시한 처리 장치와 동일 부분에는 동일 기호를 붙이고 상세한 설명은 생략한다.5 is a configuration diagram of a processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as the processing apparatus shown in FIG. 1, and detailed description is abbreviate | omitted.

이 실시형태에서는, 저장 탱크(1)에 저장된 처리액(L)은 탈기 장치(12)에 의해 기체가 탈기되고 나서 버블 발생기(24)에 공급된다. 이 버블 발생기(24)에 의해 처리액(L)에 미세 버블이 혼입되었다면, 그 처리액(L)은 급액관(3)에 의해 저장 탱크(1)로 복귀되어 저장된다. 저장 탱크(1)에 저장된 처리액(L)은 이 저장 탱크(1)로부터 탈기 장치(12) 및 버블 발생기(24)를 통과하여 저장 탱크(1)로 복귀되는 순환을 반복하게 된다.In this embodiment, the processing liquid L stored in the storage tank 1 is supplied to the bubble generator 24 after the gas is degassed by the degassing apparatus 12. If fine bubbles are mixed into the processing liquid L by the bubble generator 24, the processing liquid L is returned to the storage tank 1 by the liquid supply pipe 3 and stored. The processing liquid L stored in the storage tank 1 is repeated from the storage tank 1 through the degassing apparatus 12 and the bubble generator 24 to return to the storage tank 1.

한편, 저장 탱크(1)와 샤워 파이프(4)는 중간부에 제2 순환 펌프(31)가 설치된 순환 관로를 구성하는 급액관(3a)에 의해 접속된다. 기판(W)을 처리할 때에는 상기 제2 순환 펌프(31)를 작동시킴으로써, 미세 버블을 포함하는 처리액(L)이 저장 탱크(1)로부터 상기 샤워 파이프(4)에 공급되고, 이 샤워 파이프(4)의 노즐(5)로부터 기판(W)에 분사되게 된다.On the other hand, the storage tank 1 and the shower pipe 4 are connected by the liquid supply pipe 3a which comprises the circulation pipe provided with the 2nd circulation pump 31 in the intermediate part. When the substrate W is processed, the second circulation pump 31 is operated so that the processing liquid L containing fine bubbles is supplied from the storage tank 1 to the shower pipe 4, and this shower pipe It is injected to the board | substrate W from the nozzle 5 of (4).

그리고, 기판(W)에 공급된 처리액(L)은 회수관(28)에 의해 저장 탱크(1)로 회수되고, 이 저장 탱크(1)로부터 탈기 장치(12)와 버블 발생기(24)를 통과하여 저장 탱크(1)로 복귀되는 순환을 반복한다.And the processing liquid L supplied to the board | substrate W is collect | recovered to the storage tank 1 by the collection pipe 28, and the degassing apparatus 12 and the bubble generator 24 are removed from this storage tank 1. The circulation that passes and returns to the storage tank 1 is repeated.

이러한 구성에 따르면, 처리부(2)에서 기판(W)을 처리하지 않을 때에도 저장 탱크(1) 내의 처리액(L)을 버블 발생기(24), 저장 탱크(1) 및 탈기 장치(12) 사이에서 순환시키고, 처리 탱크(1) 내에 충분히 탈기된 처리액(L)을 저장시켜 둘 수 있다. 그 때문에, 기판(W)을 처리할 때, 탈기되고 또 미세 버블이 혼입되어 저장 탱크(1)에 저장된 처리액(L)을 기판(W)에 신속하게 공급할 수 있다.According to this configuration, even when the processing unit 2 does not process the substrate W, the processing liquid L in the storage tank 1 is transferred between the bubble generator 24, the storage tank 1, and the degassing apparatus 12. It circulates, and the process liquid L fully degassed in the process tank 1 can be stored. Therefore, when processing the substrate W, degassing and fine bubbles are mixed, and the processing liquid L stored in the storage tank 1 can be supplied to the substrate W quickly.

게다가, 기판(W)에 공급하기 전에, 처리액(L)을 저장 탱크(1)로부터 탈기 장치(12)와 버블 발생기(24)를 통과시켜 저장 탱크(1)로 복귀시키는 순환을 반복함으로써 처리액(L)에 포함되는 용존 산소 농도를 저하시킬 수 있다.In addition, before supplying the substrate W, the processing liquid L is processed by repeating the circulation of returning the processing liquid L from the storage tank 1 to the storage tank 1 through the degassing device 12 and the bubble generator 24. The dissolved oxygen concentration contained in the liquid L can be reduced.

또한, 처리액(L)에 포함되는 용존 산소 농도를 저하시키는 경우에는, 버블 발생기(24)에 의해 처리액(L)에 N2 버블을 혼입시키도록 한다.In the case of lowering the concentration of dissolved oxygen contained in the treatment liquid (L), so as to be mixed with N 2 bubbles in the process liquid (L) by the bubble generator (24).

도 6은 본 발명의 제3 실시형태를 나타낸 처리 장치의 구성도이다. 또한, 도 1에 도시한 처리 장치와 동일 부분에는 동일 기호를 붙이고 상세한 설명은 생략한다.6 is a configuration diagram of a processing apparatus showing a third embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as the processing apparatus shown in FIG. 1, and detailed description is abbreviate | omitted.

이 제3 실시형태는 도 5에 도시한 제2 실시형태의 변형예로서, 저장 탱크(1)에 저장된 처리액(L)은 제1 순환 펌프(11)에 의해 버블 발생기(24)에 직접 공급되게 된다. 즉, 이 제3 실시형태에서는, 상기 제2 실시형태에 대하여 급액관(3)에 설치된 탈기 장치(12)가 제거되어 있다는 점에서 서로 다르다.This third embodiment is a modification of the second embodiment shown in FIG. 5, in which the processing liquid L stored in the storage tank 1 is directly supplied to the bubble generator 24 by the first circulation pump 11. Will be. In other words, the third embodiment differs from the second embodiment in that the degassing device 12 provided in the liquid feed pipe 3 is removed.

또한, 제3 실시형태에 있어서, 저장 탱크(1)의 처리액(L)의 일부를 처리부(2)에 공급하고 나서 저장 탱크(1)로 복귀시키는 경로를 제1 순환 관로로 하고, 저장 탱크(1)의 처리액(L)의 일부를 버블 발생기(24)에 공급하고 나서 저장 탱크(1)로 복귀시키는 경로를 제2 순환 관로로 한다.Moreover, in 3rd Embodiment, the path | route which returns a part of the process liquid L of the storage tank 1 to the process part 2, and returns to the storage tank 1 is set as a 1st circulation pipe, and a storage tank A part of the processing liquid L of (1) is supplied to the bubble generator 24, and the path | route which returns to the storage tank 1 is used as a 2nd circulation conduit.

이러한 구성에 따르면, 처리부(2)에서 샤워 파이프(4)로부터 기판(W)에 공급된 처리액(L)은 제1 순환 관로에 의해 이산화탄소나 산소 등의 기체를 용해하여 회수관(28)을 통해 저장 탱크(1)로 복귀되도록 순환한다.According to this configuration, the processing liquid L supplied from the shower pipe 4 to the substrate W in the processing unit 2 dissolves gas such as carbon dioxide or oxygen by the first circulation pipe to open the recovery pipe 28. To return to the storage tank (1).

한편, 저장 탱크(1)의 처리액(L)은 제2 순환 관로를 통해 가스 공급부(25)로부터의 불활성 가스와 함께 버블 발생기(24)에 공급되며, 나노 버블이나 마이크로 나노 버블 등의 미세 버블이 혼입되어 저장 탱크(1)로 복귀되도록 순환한다.Meanwhile, the processing liquid L of the storage tank 1 is supplied to the bubble generator 24 together with the inert gas from the gas supply unit 25 through the second circulation conduit, and fine bubbles such as nano bubbles or micro nano bubbles. This is mixed and circulated to return to the storage tank (1).

버블 발생기(24)에 의해 미세 버블이 포함된 처리액(L)이 저장 탱크(1)로 복귀되면, 이 저장 탱크(1)에 처리부(2)로부터 복귀된 산소나 이산화탄소 등의 용존 가스가 포함된 처리액(L)과 혼합된다.When the processing liquid L containing fine bubbles is returned to the storage tank 1 by the bubble generator 24, the storage tank 1 contains dissolved gases such as oxygen and carbon dioxide returned from the processing unit 2. It is mixed with the processed liquid L.

그것에 의해, 처리부(2)로부터 복귀되는 이산화탄소나 산소 등의 기체가 용해된 처리액(L)에, 버블 발생기(24)에 의해 미세 버블이 포함된, 제2 순환 관로를 통해 저장 탱크(1)와 버블 발생기(24) 사이를 순환하는 처리액(L)이 혼합되기 때문에, 버블 발생기(24)로부터의 처리액(L)에 포함되는 미세 버블의 버블링 작용에 의해 처리부(2)로부터의 처리액(L)에 용해된 이산화탄소나 산소 등의 기체가 제거되게 된다.Thereby, the storage tank 1 via the 2nd circulation conduit in which the microbubble was contained by the bubble generator 24 in the process liquid L in which gas, such as carbon dioxide and oxygen returned from the process part 2, melt | dissolved. And the processing liquid L circulating between the bubble generator 24 are mixed, so that the processing from the processing unit 2 is caused by the bubbling action of the fine bubbles contained in the processing liquid L from the bubble generator 24. Gases such as carbon dioxide and oxygen dissolved in the liquid L are removed.

즉, 버블 발생기(24)에 의해 미세 버블이 혼입된 처리액(L)을, 제2 순환 관로를 통해 저장 탱크(1)에 순환시킴으로써 제1, 제2 실시형태에 나타낸 탈기 장치(12)를 이용하지 않아도, 제1 순환 관로를 통해 처리부(2)로부터 저장 탱크(1)로 복귀되는 처리액(L)에 원래 포함되거나, 처리액(L)을 기판(W)에 공급함으로써 포함되는 이산화탄소나 산소 등의 기체를 제거할 수 있다.That is, the degassing apparatus 12 shown in 1st, 2nd embodiment is circulated by circulating the process liquid L in which the microbubble was mixed by the bubble generator 24 to the storage tank 1 via a 2nd circulation conduit. Even if not used, carbon dioxide originally contained in the processing liquid L returned from the processing unit 2 to the storage tank 1 through the first circulation conduit, or contained by supplying the processing liquid L to the substrate W, Gas, such as oxygen, can be removed.

또한, 처리부(2)에서 기판(W)을 처리하지 않을 때에도, 저장 탱크(1) 내의 처리액(L)을 버블 발생기(24)와 저장 탱크(1) 사이에서 순환시키고, 처리 탱크(1) 내에 충분히 탈기된 처리액(L)을 저장시켜 둘 수 있다. 그 때문에, 기판(W)을 처리할 때, 탈기되고 또 미세 버블이 혼입되어 저장 탱크(1)에 저장된 처리액(L)을 기판(W)에 신속하게 공급할 수 있다.Further, even when the processing unit 2 does not process the substrate W, the processing liquid L in the storage tank 1 is circulated between the bubble generator 24 and the storage tank 1, and the processing tank 1 The processing liquid L degassed sufficiently can be stored in the inside. Therefore, when processing the substrate W, degassing and fine bubbles are mixed, and the processing liquid L stored in the storage tank 1 can be supplied to the substrate W quickly.

도 7은 도 6에 도시한 제3 실시형태의 변형예를 나타내는 제4 실시형태로서, 이 제4 실시형태에서는 저장 탱크(1)에 저장된 처리액(L)의 급액관(3)과, 가스 공급부(25)로부터의 불활성 가스를 공급하는 급기관(25b)을 제1 순환 펌프(11)의 흡인측에 접속한다. 그리고, 버블 발생기(24)에는 상기 제1 순환 펌프(11)에 의해 처리액(L)과 불활성 가스를 미리 혼합하고 나서 공급한다.FIG. 7: is 4th Embodiment which shows the modification of 3rd Embodiment shown in FIG. 6. In this 4th Embodiment, the liquid supply pipe 3 of the processing liquid L stored in the storage tank 1, and gas. The air supply pipe 25b for supplying the inert gas from the supply portion 25 is connected to the suction side of the first circulation pump 11. And the bubble generator 24 is supplied after mixing process liquid L and an inert gas by the said 1st circulation pump 11 previously.

그것에 의해, 미리 혼합된 처리액(L)과 불활성 가스가 버블 발생기(24)의 내부를 선회하면서 흘러 교반됨으로써, 불활성 가스가 미세 버블이 되기 때문에, 처리액(L)에 미세 버블을 효율적으로 혼합시킬 수 있다.As a result, the inert gas becomes fine bubbles by flowing and stirring the processing liquid L and the inert gas, which are mixed in advance, inside the bubble generator 24, so that the fine bubbles are efficiently mixed with the processing liquid L. You can.

또한, 제4 실시형태에 있어서도, 제3 실시형태와 마찬가지로, 저장 탱크(1)의 처리액(L)의 일부를 처리부(2)에 공급하고 나서 저장 탱크로 복귀시키는 경로를 제1 순환 관로로 하고, 저장 탱크(1)의 처리액(L)의 일부를 버블 발생기(24)에 공급하고 나서 저장 탱크(1)로 복귀시키는 경로를 제2 순환 관로로 한다.In addition, also in 4th embodiment, the path | route which returns a part of the process liquid L of the storage tank 1 to the process part 2, and returns to a storage tank similarly to 3rd embodiment is a 1st circulation pipeline. Then, a part of the processing liquid L of the storage tank 1 is supplied to the bubble generator 24, and then a path for returning to the storage tank 1 is used as the second circulation conduit.

이러한 구성이라도, 도 6에 도시한 제3 실시형태와 마찬가지로, 제1 순환 관로를 통해 처리부(2)로부터 저장 탱크(1)로 복귀된 이산화탄소나 산소 등의 기체가 용해된 처리액(L)에, 제2 순환 관로를 통해 버블 발생기(24)와 저장 탱크(1) 사이를 순환하는 처리액(L)에 포함되는 미세 버블을 혼합시킬 수 있다.Even in such a configuration, similarly to the third embodiment shown in FIG. 6, in the treatment liquid L in which gas such as carbon dioxide or oxygen, which is returned from the processing unit 2 to the storage tank 1 through the first circulation conduit, is dissolved. The fine bubbles included in the processing liquid L circulating between the bubble generator 24 and the storage tank 1 may be mixed through the second circulation conduit.

그것에 의해, 처리부(2)에서 처리액(L)에 이산화탄소나 산소 등의 기체가 용해되더라도, 그 기체는 제2 순환 관로를 순환하여 저장 탱크(1)로 복귀된 처리액에 포함되는 미세 버블의 버블링 작용에 의해 양호하게 제거되게 된다.As a result, even when gas such as carbon dioxide or oxygen is dissolved in the processing liquid L in the processing unit 2, the gas is circulated in the second circulation conduit to return the fine bubbles contained in the processing liquid returned to the storage tank 1. It is well removed by the bubbling action.

도 8은 처리액에 미세 기포를 공급했을 때의 경과 시간과, 처리액에 포함되는 용존 산소량과의 관계를 나타낸 그래프이다. 이 그래프는 제3, 제4 실시형태에 있어서, 처리액에 제1 순환 관로를 통해 산소를 용해시키고, 용해를 시작한 후, 산소량이 약 35 ㎎/ℓ가 된 약 14분 후에, 제2 순환 관로를 통해 순환하는 처리액에 미세 버블의 공급을 시작한 결과, 미세 버블의 공급을 시작하고 나서 약 6분 후인, 경과 시간 약 20분 후에, 저장 탱크(1)의 처리액 속의 용존 산소량이 크게 저하된 것이 확인되었다.8 is a graph showing the relationship between the elapsed time when the microbubbles are supplied to the treatment liquid and the amount of dissolved oxygen contained in the treatment liquid. The graph shows that in the third and fourth embodiments, after dissolving oxygen in the treatment liquid through the first circulation conduit and starting dissolution, about 14 minutes after the amount of oxygen becomes about 35 mg / l, the second circulation conduit As a result of starting supply of the fine bubbles to the processing liquid circulating through the gas, the amount of dissolved oxygen in the processing liquid of the storage tank 1 was greatly reduced after about 20 minutes, which is about 6 minutes after the supply of the fine bubbles. It was confirmed.

또한, 상기 각 실시형태에서는 처리부로서 기판을 반송 컨베이어로 반송하면서 처리하는 예를 들어 설명하였지만, 처리부로서는 기판을 회전시키면서 처리액을 공급하는, 소위 스핀 처리 장치이어도 된다.In addition, in each said embodiment, although the process which carried out the process of conveying a board | substrate to a conveyance conveyor as the process part was demonstrated and demonstrated, what is called a spin process apparatus which supplies a process liquid, rotating a board | substrate as a process part may be sufficient.

또한, 버블 발생기로서는 상기 각 실시형태에 예를 든 구성에 한정되지 않고, 예컨대 필터에 기체를 가압하여 통과시킴으로써 액체 속에 버블을 발생시키는, 소위 가압 방식 등, 다른 구성이어도 된다.The bubble generator is not limited to the configuration exemplified in each of the above embodiments, and may be another configuration such as a so-called pressurization method that generates bubbles in the liquid by pressurizing and passing gas through a filter, for example.

1 : 저장 탱크 2 : 처리부
3 : 급액관(순환 관로) 4 : 샤워 파이프
5 : 노즐 6 : 반송 컨베이어
11 : 순환 펌프 12 : 탈기 장치
19 : 감압실 22 : 탈기 부재
24 : 버블 발생기 28 : 회수관(순환 관로)1: storage tank 2: processing part
3: liquid feed pipe (circulation pipe) 4: shower pipe
5: nozzle 6: conveying conveyor
11: circulation pump 12: degassing apparatus
19: decompression chamber 22: degassing member
24: bubble generator 28: recovery pipe (circulation pipe)

Claims (9)

기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 처리액에 의해 처리되는 상기 기판이 공급되는 처리부와,
상기 처리액이 저장되는 저장 탱크와,
이 저장 탱크의 처리액을 상기 처리부에 공급하여 상기 기판을 처리하고 나서 상기 저장 탱크로 복귀시키는 순환 관로와,
이 순환 관로에 설치되어 상기 처리액에 포함되는 기체를 제거하는 탈기 수단
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus which processes a board | substrate with a process liquid,
A processing unit to which the substrate processed by the processing liquid is supplied;
A storage tank in which the treatment liquid is stored;
A circulation conduit for supplying the processing liquid of the storage tank to the processing unit and processing the substrate and then returning to the storage tank;
Degassing means which is installed in this circulation pipe and removes the gas contained in the said process liquid
Substrate processing apparatus comprising a. 제1항에 있어서, 상기 순환 관로에는, 상기 처리액에 대하여 반응하지 않는 기체를 미세 버블로 하여 상기 탈기 수단에 의해 탈기된 처리액에 혼합시키는 버블 발생 수단이 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the circulation conduit is provided with bubble generating means for mixing a gas which does not react with the processing liquid as a fine bubble to the processing liquid degassed by the degassing means. . 제2항에 있어서, 상기 처리액은 박리액이며, 상기 탈기 수단은 상기 처리액에 포함되는 산소를 제거하고, 상기 버블 발생 수단은 상기 처리액과 반응하지 않는 기체를 미세 버블로 하여 상기 처리액에 혼합시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The treatment liquid according to claim 2, wherein the treatment liquid is a stripping liquid, the degassing means removes oxygen contained in the treatment liquid, and the bubble generating means uses the gas that does not react with the treatment liquid as fine bubbles. The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제2항에 있어서, 상기 처리액은 현상액이며, 상기 탈기 수단은 상기 처리액에 포함되는 이산화탄소를 제거하고, 상기 버블 발생 수단은 상기 처리액과 반응하지 않는 기체를 미세 버블로 하여 상기 처리액에 혼합시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The treatment solution according to claim 2, wherein the treatment liquid is a developer, the degassing means removes carbon dioxide contained in the treatment liquid, and the bubble generating means uses a gas that does not react with the treatment liquid as fine bubbles to the treatment liquid. The substrate processing apparatus characterized by mixing. 제2항에 있어서, 상기 순환 관로는, 상기 저장 탱크, 상기 탈기 수단 및 상기 버블 발생 수단의 사이에서 기체가 제거되어 미세 버블이 혼합된 처리액을 순환시키는 부분과, 상기 저장 탱크에 저장된 처리액을 상기 처리부에 공급하는 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The process according to claim 2, wherein the circulation conduit includes a portion for circulating a processing liquid in which gas is removed between the storage tank, the degassing means, and the bubble generating means, to circulate the processing liquid mixed with fine bubbles, and the processing liquid stored in the storage tank. It has a part which supplies a process part to the said process part, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
기판을 처리부에 공급하는 공정과,
저장 탱크에 저장된 처리액을 상기 처리부에 공급하고 나서 상기 저장 탱크로 회수하는 공정과,
상기 저장 탱크로부터 상기 처리부에 공급되는 상기 처리액에 포함된 기체를 제거하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.In the substrate processing method of processing a substrate with a processing liquid,
Supplying the substrate to the processing unit;
Supplying the processing liquid stored in the storage tank to the processing unit and then recovering it to the storage tank;
Removing gas contained in the treatment liquid supplied to the treatment unit from the storage tank;
Substrate processing method comprising a. 제6항에 있어서, 처리액에 포함된 기체를 제거한 후, 상기 처리액을 상기 처리부에 공급하기 전에, 상기 처리액에 대하여 반응하지 않는 기체를 미세 버블로 하여 상기 처리액에 혼합시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method according to claim 6, further comprising the step of mixing gas into the processing liquid with fine bubbles of gas that does not react with the processing liquid after removing the gas contained in the processing liquid and before supplying the processing liquid to the processing unit. The substrate processing method characterized by the above-mentioned. 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 처리액에 의해 처리되는 상기 기판이 공급되는 처리부와,
상기 처리액이 저장되는 저장 탱크와,
이 저장 탱크의 처리액을 상기 처리부에 공급하여 상기 기판을 처리하고 나서 상기 저장 탱크로 복귀시키는 제1 순환 관로와,
처리액에 대하여 반응하지 않는 기체를 미세 버블로 하여 처리액에 혼입시키는 버블 발생 수단을 갖고, 상기 저장 탱크의 처리액을 상기 버블 발생 수단에 공급하고 나서 상기 저장 탱크로 복귀시킴으로써, 그 처리액에 포함된 미세 버블에 의해 상기 처리부로부터 상기 저장 탱크로 복귀된 처리액에 포함되는 기체를 제거시키는 제2 순환 관로
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus which processes a board | substrate with a process liquid,
A processing unit to which the substrate processed by the processing liquid is supplied;
A storage tank in which the treatment liquid is stored;
A first circulation conduit for supplying the processing liquid of the storage tank to the processing unit and processing the substrate and then returning to the storage tank;
It has a bubble generating means for mixing the gas that does not react with the processing liquid as a fine bubble into the processing liquid, and by supplying the processing liquid of the storage tank to the bubble generating means and returning to the storage tank, A second circulation conduit for removing gas contained in the processing liquid returned from the processing unit to the storage tank by the included fine bubbles;
Substrate processing apparatus comprising a. 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
기판을 처리부에 공급하는 공정과,
저장 탱크에 저장된 처리액을 상기 처리부에 공급하고 나서 상기 저장 탱크로 회수하는 공정과,
상기 저장 탱크의 처리액에, 이 처리액에 대하여 반응하지 않는 기체를 미세 버블로 하여 혼입시키는 공정과,
미세 버블이 혼입된 처리액을 상기 저장 탱크로 복귀시킴으로써, 이 처리액에 포함된 미세 버블에 의해 상기 처리부로부터 상기 저장 탱크로 회수된 처리액에 포함되는 기체를 제거하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.In the substrate processing method of processing a substrate with a processing liquid,
Supplying the substrate to the processing unit;
Supplying the processing liquid stored in the storage tank to the processing unit and then recovering it to the storage tank;
Mixing a gas not reacting with the processing liquid as a fine bubble in the processing liquid of the storage tank,
The process of removing the gas contained in the process liquid collect | recovered from the said process part to the said storage tank by the micro bubble contained in this process liquid by returning the process liquid mixed with the fine bubble to the said storage tank.
Substrate processing method comprising a.
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