KR101286373B1 - Substrate treatment device and treatment method - Google Patents
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Abstract
처리액에 의해 처리되는 기판이 공급되는 처리부(2)와, 처리액이 저장되는 저장 탱크(1)와, 저장 탱크의 처리액을 처리부에 공급하여 기판을 처리하고 나서 저장 탱크로 복귀시키는 급액관(3) 및 회수관(28)과, 급액관에 설치되어 처리액에 포함되는 기체를 제거하는 탈기 장치(12)를 포함한다.A liquid supply pipe for supplying a processing unit 2 to which a substrate to be processed by the processing liquid is supplied, a storage tank 1 in which the processing liquid is stored, and a processing liquid of the storage tank to the processing unit and processing the substrate to return to the storage tank. (3) and recovery pipe | tube 28 and the degassing apparatus 12 provided in the liquid feed pipe and removing gas contained in a process liquid is included.
Description
본 발명은 액정 표시 패널에 이용되는 유리 기판이나 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate such as a glass substrate or a semiconductor wafer used in a liquid crystal display panel with a processing liquid.
예컨대, 액정 표시 장치나 반도체 장치의 제조 공정에서는, 이들의 대상물인 유리 기판이나 반도체 웨이퍼 등의 기판에 레지스트를 도포하고, 현상액에 의해 현상 처리하고 나서 에칭 처리를 함으로써, 기판 표면에 회로 패턴을 정밀하게 형성한다. 기판에 회로 패턴을 형성한 다음에는, 그 기판의 표면에 부착 잔류해 있는 레지스트막이나 레지스트 잔류물 등의 유기물을 박리액에 의해 제거하는 박리 처리가 실시된다.For example, in the manufacturing process of a liquid crystal display device or a semiconductor device, a resist pattern is applied to a substrate such as a glass substrate, a semiconductor wafer, or the like, which is subjected to development treatment with a developer, and then subjected to etching to precisely pattern the circuit pattern on the surface of the substrate. Form. After forming a circuit pattern on a board | substrate, the peeling process which removes organic substance, such as a resist film and a resist residue which remain | survived on the surface of the board | substrate, with a peeling liquid is performed.
이러한 기판 처리에 이용되는 처리액인 상기 현상액이나 박리액은 고가이다. 그 때문에, 상기 기판을 처리한 처리액을 회수하여 반복해서 사용함으로써, 기판 처리 비용의 저감을 도모하는 것이 고려되고 있다.The developing solution and the peeling solution which are the processing liquids used for such substrate processing are expensive. Therefore, it is considered to reduce the substrate processing cost by collecting and repeatedly using the processing liquid which processed the said board | substrate.
특허문헌 1에는 기판 표면에 부착 잔류한 레지스트를 박리액에 의해 제거하는 것이 개시되어 있다. 그러나, 박리액을 순환시켜 반복해서 사용한다는 것은 개시되어 있지 않다.It is disclosed by
그런데, 박리액이나 현상액 등의 처리액을 사용 후에 회수하여 반복해서 사용하는 경우, 처리액은 순환 경로에서 대기에 접촉하는 것을 피할 수 없다. 특히, 처리부에서 처리액을, 예컨대 노즐로부터 기판을 향해 분사 공급하면, 대기와의 접촉 정도가 커지기 때문에, 그 때에 대기 중에 포함되는 기체 원소가 들어가고, 그 기체 원소와 반응하여 조기에 열화되는 경우가 있다.By the way, when the processing liquids, such as a peeling liquid and a developing solution, are collect | recovered after use and repeatedly used, it can not be avoided that the processing liquid contacts the atmosphere in a circulation path. In particular, when the processing unit sprays and supplies the processing liquid, for example, from the nozzle toward the substrate, the degree of contact with the atmosphere increases, so that a gaseous element contained in the atmosphere enters at that time, and reacts with the gaseous element and degrades prematurely. have.
예컨대, 현상액의 경우에는 대기 중의 이산화탄소(CO2)와 중화 반응하여 열화되는 경우가 있고, 박리액의 경우에는 산소(O2)와 산화 반응하여 열화되는 경우가 있다.For example, in the case of the developing solution in the case of the can, when the removing solution by the deterioration and the neutralization reaction of carbon dioxide (CO 2) in the atmosphere has deteriorated when the reacted oxygen (O 2) and oxide.
게다가, 현상액에는 탄산수소칼륨(KHCO3)이나 탄산수소나트륨(NaHCO3)이 포함되어 있다. 그리고, 현상액을 순환 펌프에 의해 가압하여 순환 경로를 순환시키면, 상기 탄산수소칼륨이나 탄산수소나트륨에는 순환 펌프나 순환 경로의 유로 저항 등에 의한 열에너지가 가해지고, 그 열에너지에 의해 분해되어 이산화탄소가 발생하는 경우가 있다. 그 때문에, 그것도 처리액을 조기에 열화시키는 원인이 되는 경우가 있었다.In addition, the developer contains potassium hydrogen carbonate (KHCO 3 ) or sodium hydrogen carbonate (NaHCO 3 ). When the developer is pressurized by a circulation pump to circulate the circulation path, thermal energy is applied to the potassium hydrogen carbonate and sodium hydrogen carbonate by a circulation pump or flow path resistance of the circulation path, and the carbon dioxide is decomposed by the thermal energy to generate carbon dioxide. There is a case. Therefore, it also may cause the processing liquid to deteriorate prematurely.
본 발명은 처리액을 순환시켜 반복 사용할 때, 처리액에 포함되는 기체를 제거함으로써, 처리액이 조기에 열화되는 것을 방지하도록 한 기판 처리 장치 및 처리 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a substrate processing apparatus and a processing method for preventing the processing liquid from deteriorating early by removing the gas contained in the processing liquid when the processing liquid is circulated and repeatedly used.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은, 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치로서,In order to solve the said subject, this invention is a substrate processing apparatus which processes a board | substrate with a process liquid,
상기 처리액에 의해 처리되는 상기 기판이 공급되는 처리부와,A processing unit to which the substrate processed by the processing liquid is supplied;
상기 처리액이 저장되는 저장 탱크와,A storage tank in which the treatment liquid is stored;
이 저장 탱크의 처리액을 상기 처리부에 공급하여 상기 기판을 처리하고 나서 상기 저장 탱크로 복귀시키는 순환 관로와,A circulation conduit for supplying the processing liquid of the storage tank to the processing unit and processing the substrate and then returning to the storage tank;
이 순환 관로에 설치되어 상기 처리액에 포함되는 기체를 제거하는 탈기 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.It is provided to the substrate processing apparatus characterized by including the degassing means installed in this circulation pipe and removing the gas contained in the said process liquid.
또한, 본 발명은 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 방법으로서,Moreover, this invention is a substrate processing method which processes a board | substrate with a process liquid,
기판을 처리부에 공급하는 공정과,Supplying the substrate to the processing unit;
저장 탱크에 저장된 처리액을 상기 처리부에 공급하고 나서 상기 저장 탱크로 회수하는 공정과,Supplying the processing liquid stored in the storage tank to the processing unit and then recovering it to the storage tank;
상기 저장 탱크로부터 상기 처리부에 공급되는 상기 처리액에 포함된 기체를 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.It provides a substrate processing method comprising the step of removing the gas contained in the processing liquid supplied to the processing unit from the storage tank.
본 발명은 기판을 처리액에 의해 처리하는 처리 장치로서,The present invention is a processing apparatus for processing a substrate with a processing liquid,
상기 처리액에 의해 처리되는 상기 기판이 공급되는 처리부와,A processing unit to which the substrate processed by the processing liquid is supplied;
상기 처리액이 저장되는 저장 탱크와,A storage tank in which the treatment liquid is stored;
이 저장 탱크의 처리액을 상기 처리부에 공급하여 상기 기판을 처리하고 나서 상기 저장 탱크로 복귀시키는 제1 순환 관로와,A first circulation conduit for supplying the processing liquid of the storage tank to the processing unit and processing the substrate and then returning to the storage tank;
처리액에 대하여 반응하지 않는 기체를 미세 버블로 하여 처리액에 혼입시키는 버블 발생 수단을 갖고, 상기 저장 탱크의 처리액을 상기 버블 발생 수단에 공급하고 나서 상기 저장 탱크로 복귀시킴으로써, 그 처리액에 포함된 미세 버블에 의해 상기 처리부로부터 상기 저장 탱크로 복귀된 처리액에 포함되는 기체를 제거시키는 제2 순환 관로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.It has a bubble generating means for mixing the gas that does not react with the processing liquid as a fine bubble into the processing liquid, and by supplying the processing liquid of the storage tank to the bubble generating means and returning to the storage tank, It is to provide a substrate processing apparatus comprising a second circulation passage for removing the gas contained in the processing liquid returned from the processing unit to the storage tank by the included fine bubbles.
본 발명은 기판을 처리액에 의해 처리하는 처리 방법으로서,The present invention is a treatment method for treating a substrate with a treatment liquid,
기판을 처리부에 공급하는 공정과,Supplying the substrate to the processing unit;
저장 탱크에 저장된 처리액을 상기 처리부에 공급하고 나서 상기 저장 탱크로 회수하는 공정과,Supplying the processing liquid stored in the storage tank to the processing unit and then recovering it to the storage tank;
상기 저장 탱크의 처리액에, 이 처리액에 대하여 반응하지 않는 기체를 미세 버블로 하여 혼입시키는 공정과,Mixing a gas not reacting with the processing liquid as a fine bubble in the processing liquid of the storage tank,
미세 버블이 혼입된 처리액을 상기 저장 탱크로 복귀시킴으로써, 이 처리액에 포함된 미세 버블에 의해 상기 처리부로부터 상기 저장 탱크로 회수된 처리액에 포함되는 기체를 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.And returning the treatment liquid mixed with the fine bubbles to the storage tank, thereby removing a gas contained in the treatment liquid recovered from the treatment portion to the storage tank by the fine bubbles contained in the treatment liquid. It is to provide a substrate processing method.
본 발명에 따르면, 저장 탱크의 처리액을 순환시켜 기판 처리에 사용할 때, 처리액에 포함되는 기체를 제거하도록 하였다. 그 때문에, 처리액에 대기 중의 기체 원소가 들어가더라도, 그 기체 원소를 제거하는 것이 가능하기 때문에, 대기 중에 포함되는 기체 원소에 의해 처리액이 조기에 열화되는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, when the processing liquid of the storage tank is circulated to be used for substrate processing, the gas contained in the processing liquid is removed. Therefore, even if a gaseous element in the atmosphere enters the treatment liquid, the gaseous element can be removed. Therefore, it is possible to prevent the treatment liquid from deteriorating prematurely by the gaseous element contained in the atmosphere.
도 1은 본 발명의 일 실시형태의 기판 처리 장치를 나타낸 개략적 구성도이다.
도 2는 상기 처리 장치에 이용되는 탈기 장치의 내부 구조를 나타낸 단면도이다.
도 3은 순수에 상이한 4가지 조건을 부여했을 때의 경과 시간과 용존 산소 농도의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 4는 탈기된 순수를 버블 발생기에 반복하여 순환시켰을 때의 순수의 용존 산소 농도의 변화를 측정한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시형태의 기판 처리 장치를 나타낸 개략적 구성도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시형태의 기판 처리 장치를 나타낸 개략적 구성도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시형태의 기판 처리 장치를 나타낸 개략적 구성도이다.
도 8은 제3 실시형태와 제4 실시형태에 있어서 저장 탱크 내의 처리액에 미세 버블을 공급했을 때의 경과 시간과 용존 산소 농도의 관계를 나타낸 그래프이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic block diagram which shows the substrate processing apparatus of one Embodiment of this invention.
2 is a cross-sectional view showing the internal structure of a degassing apparatus used in the processing apparatus.
3 is a graph showing the relationship between elapsed time and dissolved oxygen concentration when four different conditions are applied to pure water.
4 is a graph measuring the change in the dissolved oxygen concentration of pure water when the deaerated pure water is repeatedly circulated to the bubble generator.
It is a schematic block diagram which shows the substrate processing apparatus of 2nd Embodiment of this invention.
It is a schematic block diagram which shows the substrate processing apparatus of 3rd embodiment of this invention.
It is a schematic block diagram which shows the substrate processing apparatus of 4th embodiment of this invention.
8 is a graph showing the relationship between the elapsed time and the dissolved oxygen concentration when the fine bubbles are supplied to the treatment liquid in the storage tank in the third embodiment and the fourth embodiment.
이하, 본 발명의 일 실시형태를 도 1 내지 도 4를 참조하면서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one Embodiment of this invention is described, referring FIGS.
도 1은 본 발명의 처리 장치의 개략적 구성을 나타내고, 이 처리 장치는 현상액이나 박리액 등의 처리액(L)이 저장된 저장 탱크(1)를 포함한다. 이 저장 탱크(1)의 바닥부에는, 처리액(L)을 유리 기판이나 반도체 웨이퍼 등의 기판(W)을 처리하기 위한 처리부(2)에 공급하는 처리액 공급 관로를 구성하는 급액관(3)의 일단이 접속된다.1 shows a schematic configuration of a treatment apparatus of the present invention, which includes a
상기 급액관(3)의 타단은 상기 처리부(2)에 설치된 샤워 파이프(4)에 접속된다. 샤워 파이프(4)에는 복수의 노즐(5)이 소정 간격, 예컨대 등간격으로 설치되어 있다. 상기 샤워 파이프(4)의 아래쪽에는 상기 기판(W)을 반송하는 반송 수단으로서의 반송 롤러를 포함하는 반송 컨베이어(6)가 상기 처리부(2) 및 이 처리부(2)의 전후 방향에 걸쳐 설치되어 있다. 또한, 반송 수단은 체인 컨베이어 등이어도 된다.The other end of the
상기 기판(W)은 상기 반송 컨베이어(6)에 의해 상기 처리부(2)에 반입된다. 상기 샤워 파이프(4)는 길이 방향이 기판(W)의 반송 방향과 교차되게 배치된다. 그것에 의해, 상기 기판(W)이 반송 컨베이어(6)에 의해 상기 처리부(2) 내에서 반송됨으로써, 상면 전체에 처리액(L)이 공급되어 처리되게 된다.The board | substrate W is carried in to the said
상기 저장 탱크(1)에 접속된 상기 급액관(3)의 일단부에는 제1 순환 펌프(11)가 설치되고, 이 제1 순환 펌프(11)와 상기 저장 탱크(1) 사이에는 처리액(L)에 포함된 기체를 제거하는 탈기 수단인 탈기 장치(12)가 설치된다.A
상기 탈기 장치(12)는 도 2에 도시하는 바와 같이, 일단에 유입구(13), 타단에 유출구(14)가 형성된 액밀형(液密狀)의 용기(15)를 포함한다. 이 용기(15) 내의 일단부와 타단부에는 각각 칸막이판(16)이 설치된다. 이들 칸막이판(16)은 상기 용기(15) 내부를, 상기 유입구(13)에 연통 위치하는 유입실(17)과, 상기 유출구(14)에 연통 위치하는 유출실(18)과, 한 쌍의 칸막이판(16) 사이에 위치하는 감압실(19)로 격별(隔別)시킨다. 이 감압실(19)에는 내부의 기압을 감압시키는 감압 펌프(21)가 배관 접속된다.As shown in FIG. 2, the
상기 감압실(19)에는, 일단이 한쪽 칸막이판(16)에 액밀하게 유지되고, 타단이 다른 쪽 칸막이판(16)에 액밀하게 유지된 탈기 부재(22)가 설치된다. 이 탈기 부재(22)는 기체는 통과시키지만 액체는 통과시키지 않는 재료로 형성된 미세 직경의 다수의 통 형상의 중공사(22a)를 묶어 구성되어 있고, 그 일단은 상기 유입실(17)에 연통되며, 타단은 상기 유출실(18)에 연통된다.In the
그것에 의해, 상기 제1 순환 펌프(11)가 작동하여 상기 저장 탱크(1) 내의 처리액(L)이 도 2에 화살표로 나타낸 바와 같이 상기 용기(15)의 유입구(13)로부터 유입실(17)에 공급되면, 그 처리액(L)은 탈기 부재(22)의 중공사(22a) 내부를 통과하여 유출실(18)로 흘러 유출구(14)로부터 유출되게 된다.Thereby, the
처리액(L)이 상기 탈기 부재(22)의 중공사(22a) 내부에서 흐를 때, 상기 감압실(19)이 감압 펌프(21)에 의해 부압으로 감압되어 있음으로써 상기 처리액(L)에 포함되는 기체만이 중공사(22a)의 주벽막(周壁膜)을 통과하여 감압실(19)에 흡인된다. 즉, 처리액(L)으로부터 기체가 분리된다. 그리고, 분리된 기체는 상기 감압 펌프(21)에 의해 감압실(19)의 외부로 배출되게 된다.When the processing liquid L flows inside the
상기 탈기 장치(12)에 의해 기체가 제거된 처리액(L)은 상기 제1 순환 펌프(11)의 압력에 의해 버블 발생기(24)에 공급된다. 이 버블 발생기(24)에는 처리액(L)과 함께, 가스 공급부(25)로부터 처리액(L)과 반응하지 않는 기체, 예컨대 질소나 아르곤 등의 불활성 가스가 가압되어 공급된다.The processing liquid L from which gas is removed by the
또한, 처리액(L)이 현상액인 경우, 처리액(L)과 반응하지 않는 기체로서는 불활성 가스가 아니라 산소여도 된다.In addition, when the processing liquid L is a developing solution, the gas that does not react with the processing liquid L may be oxygen instead of an inert gas.
상기 버블 발생기(24)에 공급된 처리액(L)과 불활성 가스는 이 버블 발생기(24)의 내부에서 압력차에 따른 상이한 속도로 선회 운동하면서 흐른다. 그것에 의해, 처리액(L)과 불활성 가스의 선회 속도차로 불활성 가스가 처리액(L)에 의해 전단(剪斷)되기 때문에, 불활성 가스가 나노 버블이나 마이크로 나노 버블 등의 미세 버블이 되어 처리액(L) 속에 포함되게 된다.The processing liquid L and the inert gas supplied to the
미세 버블이 포함된 처리액(L)은 상기 급액관(3)을 흘러 상기 샤워 파이프(4)에 공급되고, 그 샤워 파이프(4)로부터 반송 컨베이어(6)에 의해 처리부(2) 내에서 반송되는 기판(W)의 상면을 향해 분사 공급된다.The processing liquid L containing fine bubbles flows through the
그것에 의해, 기판(W)의 상면은 처리액(L)에 의해 현상이나 박리 등의 처리가 이루어진다. 그리고, 기판(W)을 처리한 처리액(L)은 처리부(2)에 접속된 상기 급액관(3)과 순환 관로를 형성하는 회수관(28)을 통해 상기 저장 탱크(1)로 회수되게 된다. 즉, 처리액(L)은 급액관(3) 및 회수관(28)을 흘러 순환하고, 반복해서 사용되게 된다.As a result, the upper surface of the substrate W is treated with the processing liquid L such as development, peeling, or the like. In addition, the processing liquid L having processed the substrate W is recovered to the
이어서, 상기 구성의 처리 장치에 의해 기판(W)을 처리할 때의 작용에 대해서 설명한다.Next, the operation | movement at the time of processing the board | substrate W by the processing apparatus of the said structure is demonstrated.
기판(W)을 처리하기에 앞서, 제1 순환 펌프(11) 및 감압 펌프(21)를 작동시킨다. 그것에 의해, 저장 탱크(1) 내의 처리액(L)은 탈기 장치(12)에 공급되며, 이 탈기 장치(12)의 용기(15)의 유입구(13)로부터 유입되고, 감압실(19)의 탈기 부재(22)를 구성하는 중공사(22a)의 내부 공간을 통해 유출구(14)로부터 유출되어 버블 발생기(24)로 흐른다.Prior to processing the substrate W, the
처리액(L)이 감압실(19)의 탈기 부재(22)를 통과할 때, 이 감압실(19)이 감압 펌프(21)에 의해 감압되어 있음으로써, 처리액(L)에 포함된 산소나 이산화탄소 등의 기체가 제거된다.When the processing liquid L passes through the degassing
그것에 의해, 탈기 장치(12)로부터 유출되는 처리액(L)에는 기체가 포함되어 있지 않기 때문에, 처리액(L)에 포함되는 기체에 의해 처리액(L)의 열화가 촉진되는 경우가 없다. 예컨대, 처리액(L)이 현상액인 경우에는 이산화탄소가 현상액과 중화 반응하여 현상액의 열화를 촉진시키고, 처리액이 박리액인 경우에는 산소가 박리액과 산화 반응하여 박리액의 열화를 촉진시키게 되지만, 처리액으로부터는 산소나 이산화탄소 등의 기체가 제거되기 때문에, 처리액(L)이 기체에 의해 조기에 열화되는 것이 방지된다.Thereby, since gas is not contained in the processing liquid L which flows out from the
이와 같이 하여 열화를 촉진하는 기체가 제거된 처리액(L)은 상기 제1 순환 펌프(11)에 의해 가압되어 버블 발생기(24)에 공급된다. 즉, 처리액(L)은 산소나 이산화탄소 등의 기체에 의해 열화되지 않고 버블 발생기(24)에 공급된다. 이 버블 발생기(24)에는, 처리액(L)과 함께 가스 공급부(25)의 불활성 가스가 가압되어 공급된다.In this way, the processing liquid L from which the gas promoting deterioration is removed is pressurized by the
버블 발생기(24)에 처리액(L)과 불활성 가스가 공급되면, 이들은 선회류가 되어 내부를 상이한 선회 속도로 흐르고, 그 선회 속도의 차에 의해 불활성 가스가 처리액(L)에 의해 전단되어 나노 버블이나 마이크로 나노 버블 등의 미세 버블이 발생하고, 그 미세 버블이 처리액(L)에 혼입된다.When the processing liquid L and the inert gas are supplied to the
미세 버블이 혼입된 처리액(L)은 제1 순환 펌프(11)의 압력에 의해 급액관(3)을 흘러 샤워 파이프(4)에 도달하고, 이 샤워 파이프(4)에 설치된 복수의 노즐(5)로부터, 반송 컨베이어(6)에 의해 처리부(2) 내에서 반송되는 기판(W)의 상면을 향해 분사된다.The processing liquid L in which the fine bubbles are mixed flows through the
그것에 의해, 기판(W)은 처리액(L)이 현상액이라면 현상 처리가 이루어지고, 박리액이라면 기판(W)에 부착 잔류해 있는 레지스트가 박리 제거되게 된다.As a result, if the treatment liquid L is a developing solution, the substrate W is developed. If the stripping solution, the resist remaining on the substrate W is peeled off.
처리액(L)이 샤워 파이프(4)의 노즐(5)로부터 기판(W)을 향해 분사될 때, 처리액(L)은 대기에 접촉하기 때문에, 대기 중에 포함되는 이산화탄소나 산소 등의 기체를 용해하여 열화를 초래할 우려가 있다.When the processing liquid L is injected from the
그러나, 샤워 파이프(4)의 노즐(5)로부터 기판(W)을 향해 분사되는 처리액(L)에는 불활성 가스의 미세 버블이 포함되어 있다. 그 때문에, 노즐(5)로부터 기판(W)을 향해 분사되는 처리액(L)은 그 처리액(L)에 미세 버블이 포함되어 있음으로써 대기 중의 이산화탄소나 산소 등의 기체 원소가 쉽게 용해되지 않게 된다.However, the processing liquid L injected from the
즉, 처리부(2)에서 처리액(L)을 노즐(5)로부터 기판(W)을 향해 분사하면, 처리액(L)과 대기와의 접촉 면적이 증대하여 대기 중의 이산화탄소나 산소 등의 기체 원소를 용해하기 쉬운 상태가 되지만, 처리액(L)에는 미세 버블이 포함되어 있음으로써 대기 중의 이산화탄소나 산소가 쉽게 용해되지 않게 되기 때문에, 처리액(L)을 기판(W)을 향해 분사하여도 열화하기 어렵다.In other words, when the processing liquid L is sprayed from the
특히, 처리액(L)에 불활성 가스의 미세 버블을 포화 상태 혹은 포화 상태에 가까운 상태가 될 때까지 포함시켜 두면, 그 처리액(L)에 대기 중의 이산화탄소나 산소가 한층 더 용해되기 어렵게 되기 때문에, 처리액(L)의 열화를 더욱 확실하게 방지할 수 있다.In particular, when the processing liquid L contains fine bubbles of inert gas until it becomes saturated or close to the saturated state, it becomes difficult to further dissolve atmospheric carbon dioxide and oxygen in the processing liquid L. The deterioration of the processing liquid L can be prevented more reliably.
또한, 처리액(L)에 불활성 가스의 미세 버블을 포함시킴으로써 미세 버블을 포함하는 처리액(L)이 저장 탱크(1)로 복귀되면, 이 저장 탱크(1) 내에 저류된 처리액(L)에 대하여 미세 버블의 버블링 작용에 의해 처리액(L)에 포함된 대기 중의 이산화탄소나 산소 등을 제거할 수 있다.In addition, when the processing liquid L containing the fine bubbles is returned to the
따라서, 처리부(2)에 공급되는 처리액(L)에 불활성 가스의 미세 버블이 포화 상태 혹은 포화 상태에 가까운 상태로 포함되어 있으므로, 저장 탱크(1)로 복귀되는 처리액(L)에 대기 중의 이산화탄소나 산소 등이 포함되기 어렵게 된다.Therefore, since the fine bubble of inert gas is contained in the processing liquid L supplied to the
게다가, 처리부(2)에서 미세 버블을 포함하는 처리액(L)을 기판(W)에 공급함으로써, 예컨대 기판(W)으로부터 제거된 레지스트 등의 플러스 전위의 먼지가 기판(W)과 동일한 전위인 마이너스 전위의 미세 버블에 의해 덮인다. 이에, 기판(W)과 먼지 사이에 반발력이 생겨 먼지가 기판(W)으로부터 제거되기 때문에, 제거된 먼지가 기판(W)에 재부착되는 것을 방지할 수 있다.In addition, by supplying the processing liquid L containing fine bubbles from the
처리액(L)이 현상액인 경우, 대기 중에 포함되는 이산화탄소의 접촉에 의해 열화될 뿐 아니라, 급액관(3)을 순환할 때에 제1 순환 펌프(11)로부터 열에너지를 받거나, 급액관(3)을 흐를 때의 유로 저항에 의해 열에너지가 발생하면, 그 열에너지에 의해 현상액에 처음부터 포함되어 있는 탄산수소칼륨이나 탄산수소나트륨이 열분해되어 이산화탄소가 발생하고, 그 이산화탄소에 의해 처리액(L)의 열화를 촉진시키는 경우가 있다.When the processing liquid L is a developing solution, not only is it deteriorated by the contact of carbon dioxide contained in the atmosphere, but also receives heat energy from the
그러나, 현상액에 포함되는 이산화탄소는 탈기 장치(12)에 의해 제거되기 때문에, 현상액에 포함되는 탄산수소칼륨이나 탄산수소나트륨이 열분해되어 이산화탄소가 발생하여도, 현상액이 조기에 열화되는 것을 방지할 수 있다.However, since carbon dioxide contained in the developer is removed by the
이와 같이 하여 기판(W)을 처리한 처리액(L)은 회수관(28)을 통해 저장 탱크(1)로 회수된 후, 제1 순환 펌프(11)에 의해 급액관(3)을 흘러 처리부(20)에 공급되는 순환이 반복하여 이루어진다.Thus, the processing liquid L which processed the board | substrate W is collect | recovered to the
즉, 상기 구성의 처리 장치에 따르면, 처리액(L)에 포함되는 기체는 탈기 장치(12)에 의해 제거되기 때문에, 처리액(L)이 이산화탄소나 산소 등의 기체에 의해 조기에 열화되는 것을 확실하게 방지할 수 있다.That is, according to the processing apparatus of the said structure, since the gas contained in the processing liquid L is removed by the
탈기된 처리액(L)이 샤워 파이프(4)의 노즐(5)로부터 기판(W)에 분사되면, 그 처리액(L)은 대기에 접촉하기 때문에, 대기에 포함되는 기체를 용해시켜 열화될 우려가 있다. 그러나, 노즐(5)로부터 분사되는 처리액(L)에는 버블 발생기(24)에 의해 처리액(L)과 반응하지 않는 불활성 가스 등의 기체에 의해 만들어진 미세 버블이 포함되어 있다.When the degassed processing liquid L is injected from the
그 때문에, 처리액(L)이 대기와 접촉하여도, 이미 미세 버블이 포함된 처리액(L)에는 대기 중의 이산화탄소나 산소 등의 기체가 용해되기 어렵기 때문에, 그것에 의해서도 처리액(L)이 조기에 열화되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, even if the processing liquid L comes into contact with the atmosphere, it is difficult to dissolve gases such as carbon dioxide and oxygen in the atmosphere in the processing liquid L already containing fine bubbles. Premature deterioration can be prevented.
도 3의 그래프 A 내지 D는 탈기 후 순수에 포함되는 산소 농도의 변화를 시간의 경과와 함께 측정한 그래프이다. 도 3에 있어서 그래프 A는 순수를 탈기하여, 순환시키지 않고 그 상태로 방치했을 때의 산소 농도의 변화를 측정한 경우이고, 그래프 B는 15분 순환한 후, N2 버블을 혼입하고, 그 후 방치했을 때의 산소 농도의 변화를 측정한 경우이다.Graphs A to D of FIG. 3 are graphs of a change in oxygen concentration included in pure water after degassing as time passes. FIG graph A in the 3 cases of measuring the change in the oxygen concentration when allowed to stand in that state without the deaeration of pure water, not circular, the graph B is then circulated 15 minutes, mixed with N 2 bubble, and thereafter It is a case where the change of oxygen concentration at the time of leaving is measured.
그래프 C는 15분 순환하고, CO2 버블을 혼입하고, 그 후 방치했을 때의 산소 농도의 변화를 측정한 경우이며, 그래프 D는 15분 순환하고, 버블을 혼입하지 않고, 그 후 방치했을 때의 산소 농도의 변화를 측정한 경우이다.The graph C circulates for 15 minutes, and it is a case where the change of oxygen concentration when the CO 2 bubble is mixed and is left to stand after is measured, and the graph D circulates for 15 minutes and is left without mixing the bubble after that. This is the case where the change of oxygen concentration of was measured.
이상의 실험으로부터, 순수에 포함되는 산소를 탈기하여도, 그래프 C, D와 같이 순환시킴으로써 순수 속의 산소 농도가 증가하는 것과, 그래프 B와 같이 순수를 순환시켜도, N2 버블을 혼입함으로써, 산소 농도의 증가가 억제되는 것을 알 수 있다. 또한, 그래프 A와 같이, 탈기한 후, 순환시키지 않으면 산소 농도가 크게 증가하지 않는 것도 알 수 있다.From the above experiment, even if the oxygen contained in the pure water is degassed, the oxygen concentration in the pure water increases by circulating as shown in graphs C and D, and even if the pure water is circulated as shown in the graph B, the N 2 bubble is mixed to increase the oxygen concentration. It can be seen that the increase is suppressed. In addition, as shown in Graph A, it can be seen that the oxygen concentration does not increase significantly unless degassed after the degassing.
도 4는 상기 일 실시형태에 나타낸 처리 장치에 의해 처리액(L)을 순환시켰을 때, 처리액(L)의 산소 농도의 변화를 측정한 그래프이다. 이 그래프에서 횡축의 X1-X2의 범위는 순수에 버블을 혼입시키지 않고 순환시켰을 때의 산소 농도의 변화를 측정한 것이고, X2-X3, X3-X4 및 X4-X5의 범위는 각각 N2 버블을 혼입시켜 순환했을 때의 산소 농도의 변화를 측정한 것이다. 즉, 순환시킬 때마다 순수에 N2 버블을 혼입시키도록 하였다.4 is a graph in which the change in the oxygen concentration of the processing liquid L is measured when the processing liquid L is circulated by the processing apparatus shown in the above embodiment. In this graph, the range of X1-X2 on the horizontal axis is a measure of the change in oxygen concentration when circulating without mixing bubbles in pure water, and the ranges of X2-X3, X3-X4 and X4-X5 each represent N 2 bubbles. It is the change of oxygen concentration when it mixes and circulates. In other words, N 2 bubbles were mixed into the pure water every time it circulated.
이것으로부터, 순수에 N2 버블을 혼입시켜 순환시킴으로써 용존 산소 농도를 감소시킬 수 있는 것을 알 수 있다. 용존 산소 농도가 감소하는 이유로서는, 순수를 반복하여 순환시킴으로써, 순수에 포함되는 N2 버블량이 점차로 증가함에 따른 것으로 생각된다. 즉, 순수에 포함되는 N2 버블량이 증가함으로써, 대기의 산소가 들어가기 어렵게 되기 때문이라고 생각된다.From this, it turns out that dissolved oxygen concentration can be reduced by mixing and circulating N 2 bubble in pure water. The reason why the dissolved oxygen concentration decreases is thought to be that the amount of N 2 bubbles contained in the pure water gradually increases by circulating pure water repeatedly. That is, by increasing the amount of N 2 bubbles contained in the pure water, is considered to be because the oxygen of the air difficult to enter.
도 5는 본 발명의 제2 실시형태를 나타내는 처리 장치의 구성도이다. 또한, 도 1에 도시한 처리 장치와 동일 부분에는 동일 기호를 붙이고 상세한 설명은 생략한다.5 is a configuration diagram of a processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as the processing apparatus shown in FIG. 1, and detailed description is abbreviate | omitted.
이 실시형태에서는, 저장 탱크(1)에 저장된 처리액(L)은 탈기 장치(12)에 의해 기체가 탈기되고 나서 버블 발생기(24)에 공급된다. 이 버블 발생기(24)에 의해 처리액(L)에 미세 버블이 혼입되었다면, 그 처리액(L)은 급액관(3)에 의해 저장 탱크(1)로 복귀되어 저장된다. 저장 탱크(1)에 저장된 처리액(L)은 이 저장 탱크(1)로부터 탈기 장치(12) 및 버블 발생기(24)를 통과하여 저장 탱크(1)로 복귀되는 순환을 반복하게 된다.In this embodiment, the processing liquid L stored in the
한편, 저장 탱크(1)와 샤워 파이프(4)는 중간부에 제2 순환 펌프(31)가 설치된 순환 관로를 구성하는 급액관(3a)에 의해 접속된다. 기판(W)을 처리할 때에는 상기 제2 순환 펌프(31)를 작동시킴으로써, 미세 버블을 포함하는 처리액(L)이 저장 탱크(1)로부터 상기 샤워 파이프(4)에 공급되고, 이 샤워 파이프(4)의 노즐(5)로부터 기판(W)에 분사되게 된다.On the other hand, the
그리고, 기판(W)에 공급된 처리액(L)은 회수관(28)에 의해 저장 탱크(1)로 회수되고, 이 저장 탱크(1)로부터 탈기 장치(12)와 버블 발생기(24)를 통과하여 저장 탱크(1)로 복귀되는 순환을 반복한다.And the processing liquid L supplied to the board | substrate W is collect | recovered to the
이러한 구성에 따르면, 처리부(2)에서 기판(W)을 처리하지 않을 때에도 저장 탱크(1) 내의 처리액(L)을 버블 발생기(24), 저장 탱크(1) 및 탈기 장치(12) 사이에서 순환시키고, 처리 탱크(1) 내에 충분히 탈기된 처리액(L)을 저장시켜 둘 수 있다. 그 때문에, 기판(W)을 처리할 때, 탈기되고 또 미세 버블이 혼입되어 저장 탱크(1)에 저장된 처리액(L)을 기판(W)에 신속하게 공급할 수 있다.According to this configuration, even when the
게다가, 기판(W)에 공급하기 전에, 처리액(L)을 저장 탱크(1)로부터 탈기 장치(12)와 버블 발생기(24)를 통과시켜 저장 탱크(1)로 복귀시키는 순환을 반복함으로써 처리액(L)에 포함되는 용존 산소 농도를 저하시킬 수 있다.In addition, before supplying the substrate W, the processing liquid L is processed by repeating the circulation of returning the processing liquid L from the
또한, 처리액(L)에 포함되는 용존 산소 농도를 저하시키는 경우에는, 버블 발생기(24)에 의해 처리액(L)에 N2 버블을 혼입시키도록 한다.In the case of lowering the concentration of dissolved oxygen contained in the treatment liquid (L), so as to be mixed with N 2 bubbles in the process liquid (L) by the bubble generator (24).
도 6은 본 발명의 제3 실시형태를 나타낸 처리 장치의 구성도이다. 또한, 도 1에 도시한 처리 장치와 동일 부분에는 동일 기호를 붙이고 상세한 설명은 생략한다.6 is a configuration diagram of a processing apparatus showing a third embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as the processing apparatus shown in FIG. 1, and detailed description is abbreviate | omitted.
이 제3 실시형태는 도 5에 도시한 제2 실시형태의 변형예로서, 저장 탱크(1)에 저장된 처리액(L)은 제1 순환 펌프(11)에 의해 버블 발생기(24)에 직접 공급되게 된다. 즉, 이 제3 실시형태에서는, 상기 제2 실시형태에 대하여 급액관(3)에 설치된 탈기 장치(12)가 제거되어 있다는 점에서 서로 다르다.This third embodiment is a modification of the second embodiment shown in FIG. 5, in which the processing liquid L stored in the
또한, 제3 실시형태에 있어서, 저장 탱크(1)의 처리액(L)의 일부를 처리부(2)에 공급하고 나서 저장 탱크(1)로 복귀시키는 경로를 제1 순환 관로로 하고, 저장 탱크(1)의 처리액(L)의 일부를 버블 발생기(24)에 공급하고 나서 저장 탱크(1)로 복귀시키는 경로를 제2 순환 관로로 한다.Moreover, in 3rd Embodiment, the path | route which returns a part of the process liquid L of the
이러한 구성에 따르면, 처리부(2)에서 샤워 파이프(4)로부터 기판(W)에 공급된 처리액(L)은 제1 순환 관로에 의해 이산화탄소나 산소 등의 기체를 용해하여 회수관(28)을 통해 저장 탱크(1)로 복귀되도록 순환한다.According to this configuration, the processing liquid L supplied from the
한편, 저장 탱크(1)의 처리액(L)은 제2 순환 관로를 통해 가스 공급부(25)로부터의 불활성 가스와 함께 버블 발생기(24)에 공급되며, 나노 버블이나 마이크로 나노 버블 등의 미세 버블이 혼입되어 저장 탱크(1)로 복귀되도록 순환한다.Meanwhile, the processing liquid L of the
버블 발생기(24)에 의해 미세 버블이 포함된 처리액(L)이 저장 탱크(1)로 복귀되면, 이 저장 탱크(1)에 처리부(2)로부터 복귀된 산소나 이산화탄소 등의 용존 가스가 포함된 처리액(L)과 혼합된다.When the processing liquid L containing fine bubbles is returned to the
그것에 의해, 처리부(2)로부터 복귀되는 이산화탄소나 산소 등의 기체가 용해된 처리액(L)에, 버블 발생기(24)에 의해 미세 버블이 포함된, 제2 순환 관로를 통해 저장 탱크(1)와 버블 발생기(24) 사이를 순환하는 처리액(L)이 혼합되기 때문에, 버블 발생기(24)로부터의 처리액(L)에 포함되는 미세 버블의 버블링 작용에 의해 처리부(2)로부터의 처리액(L)에 용해된 이산화탄소나 산소 등의 기체가 제거되게 된다.Thereby, the
즉, 버블 발생기(24)에 의해 미세 버블이 혼입된 처리액(L)을, 제2 순환 관로를 통해 저장 탱크(1)에 순환시킴으로써 제1, 제2 실시형태에 나타낸 탈기 장치(12)를 이용하지 않아도, 제1 순환 관로를 통해 처리부(2)로부터 저장 탱크(1)로 복귀되는 처리액(L)에 원래 포함되거나, 처리액(L)을 기판(W)에 공급함으로써 포함되는 이산화탄소나 산소 등의 기체를 제거할 수 있다.That is, the
또한, 처리부(2)에서 기판(W)을 처리하지 않을 때에도, 저장 탱크(1) 내의 처리액(L)을 버블 발생기(24)와 저장 탱크(1) 사이에서 순환시키고, 처리 탱크(1) 내에 충분히 탈기된 처리액(L)을 저장시켜 둘 수 있다. 그 때문에, 기판(W)을 처리할 때, 탈기되고 또 미세 버블이 혼입되어 저장 탱크(1)에 저장된 처리액(L)을 기판(W)에 신속하게 공급할 수 있다.Further, even when the
도 7은 도 6에 도시한 제3 실시형태의 변형예를 나타내는 제4 실시형태로서, 이 제4 실시형태에서는 저장 탱크(1)에 저장된 처리액(L)의 급액관(3)과, 가스 공급부(25)로부터의 불활성 가스를 공급하는 급기관(25b)을 제1 순환 펌프(11)의 흡인측에 접속한다. 그리고, 버블 발생기(24)에는 상기 제1 순환 펌프(11)에 의해 처리액(L)과 불활성 가스를 미리 혼합하고 나서 공급한다.FIG. 7: is 4th Embodiment which shows the modification of 3rd Embodiment shown in FIG. 6. In this 4th Embodiment, the
그것에 의해, 미리 혼합된 처리액(L)과 불활성 가스가 버블 발생기(24)의 내부를 선회하면서 흘러 교반됨으로써, 불활성 가스가 미세 버블이 되기 때문에, 처리액(L)에 미세 버블을 효율적으로 혼합시킬 수 있다.As a result, the inert gas becomes fine bubbles by flowing and stirring the processing liquid L and the inert gas, which are mixed in advance, inside the
또한, 제4 실시형태에 있어서도, 제3 실시형태와 마찬가지로, 저장 탱크(1)의 처리액(L)의 일부를 처리부(2)에 공급하고 나서 저장 탱크로 복귀시키는 경로를 제1 순환 관로로 하고, 저장 탱크(1)의 처리액(L)의 일부를 버블 발생기(24)에 공급하고 나서 저장 탱크(1)로 복귀시키는 경로를 제2 순환 관로로 한다.In addition, also in 4th embodiment, the path | route which returns a part of the process liquid L of the
이러한 구성이라도, 도 6에 도시한 제3 실시형태와 마찬가지로, 제1 순환 관로를 통해 처리부(2)로부터 저장 탱크(1)로 복귀된 이산화탄소나 산소 등의 기체가 용해된 처리액(L)에, 제2 순환 관로를 통해 버블 발생기(24)와 저장 탱크(1) 사이를 순환하는 처리액(L)에 포함되는 미세 버블을 혼합시킬 수 있다.Even in such a configuration, similarly to the third embodiment shown in FIG. 6, in the treatment liquid L in which gas such as carbon dioxide or oxygen, which is returned from the
그것에 의해, 처리부(2)에서 처리액(L)에 이산화탄소나 산소 등의 기체가 용해되더라도, 그 기체는 제2 순환 관로를 순환하여 저장 탱크(1)로 복귀된 처리액에 포함되는 미세 버블의 버블링 작용에 의해 양호하게 제거되게 된다.As a result, even when gas such as carbon dioxide or oxygen is dissolved in the processing liquid L in the
도 8은 처리액에 미세 기포를 공급했을 때의 경과 시간과, 처리액에 포함되는 용존 산소량과의 관계를 나타낸 그래프이다. 이 그래프는 제3, 제4 실시형태에 있어서, 처리액에 제1 순환 관로를 통해 산소를 용해시키고, 용해를 시작한 후, 산소량이 약 35 ㎎/ℓ가 된 약 14분 후에, 제2 순환 관로를 통해 순환하는 처리액에 미세 버블의 공급을 시작한 결과, 미세 버블의 공급을 시작하고 나서 약 6분 후인, 경과 시간 약 20분 후에, 저장 탱크(1)의 처리액 속의 용존 산소량이 크게 저하된 것이 확인되었다.8 is a graph showing the relationship between the elapsed time when the microbubbles are supplied to the treatment liquid and the amount of dissolved oxygen contained in the treatment liquid. The graph shows that in the third and fourth embodiments, after dissolving oxygen in the treatment liquid through the first circulation conduit and starting dissolution, about 14 minutes after the amount of oxygen becomes about 35 mg / l, the second circulation conduit As a result of starting supply of the fine bubbles to the processing liquid circulating through the gas, the amount of dissolved oxygen in the processing liquid of the
또한, 상기 각 실시형태에서는 처리부로서 기판을 반송 컨베이어로 반송하면서 처리하는 예를 들어 설명하였지만, 처리부로서는 기판을 회전시키면서 처리액을 공급하는, 소위 스핀 처리 장치이어도 된다.In addition, in each said embodiment, although the process which carried out the process of conveying a board | substrate to a conveyance conveyor as the process part was demonstrated and demonstrated, what is called a spin process apparatus which supplies a process liquid, rotating a board | substrate as a process part may be sufficient.
또한, 버블 발생기로서는 상기 각 실시형태에 예를 든 구성에 한정되지 않고, 예컨대 필터에 기체를 가압하여 통과시킴으로써 액체 속에 버블을 발생시키는, 소위 가압 방식 등, 다른 구성이어도 된다.The bubble generator is not limited to the configuration exemplified in each of the above embodiments, and may be another configuration such as a so-called pressurization method that generates bubbles in the liquid by pressurizing and passing gas through a filter, for example.
1 : 저장 탱크 2 : 처리부
3 : 급액관(순환 관로) 4 : 샤워 파이프
5 : 노즐 6 : 반송 컨베이어
11 : 순환 펌프 12 : 탈기 장치
19 : 감압실 22 : 탈기 부재
24 : 버블 발생기 28 : 회수관(순환 관로)1: storage tank 2: processing part
3: liquid feed pipe (circulation pipe) 4: shower pipe
5: nozzle 6: conveying conveyor
11: circulation pump 12: degassing apparatus
19: decompression chamber 22: degassing member
24: bubble generator 28: recovery pipe (circulation pipe)
Claims (9)
상기 처리액에 의해 처리되는 상기 기판이 공급되는 처리부와,
상기 처리액이 저장되는 저장 탱크와,
이 저장 탱크의 처리액을 상기 처리부에 공급하여 상기 기판을 처리하고 나서 상기 저장 탱크로 복귀시키는 제1 순환 관로와,
상기 처리액에 포함되는 기체를 제거하는 탈기 수단과, 이 탈기 수단에 의해 탈기된 상기 처리액에 대해 반응하지 않는 기체를 미세 버블로 하여 상기 처리액에 혼입시키는 버블 발생 수단이 설치되며, 상기 저장 탱크와 상기 미세 버블 발생 수단 간에 처리액을 순환시키는, 상기 제1 순환 관로와는 별도의 제2 순환 관로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus which processes a board | substrate with a process liquid,
A processing unit to which the substrate processed by the processing liquid is supplied;
A storage tank in which the treatment liquid is stored;
A first circulation conduit for supplying the processing liquid of the storage tank to the processing unit and processing the substrate and then returning to the storage tank;
Degassing means for removing the gas contained in the processing liquid and bubble generating means for mixing the gas that does not react with the processing liquid degassed by the degassing means into the processing liquid as fine bubbles, the storage And a second circulation conduit separate from said first circulation conduit for circulating a processing liquid between a tank and said fine bubble generating means.
기판을 처리부에 공급하는 공정과,
저장 탱크에 저장된 처리액을 제1 순환 경로를 경유하여 상기 처리부에 공급하고 나서 상기 저장 탱크로 회수하는 공정과,
상기 제1 순환 경로와는 별도의 제2 순환 경로를 경유하여, 상기 저장 탱크에 저장된 상기 처리액에 포함된 기체를 제거한 후, 상기 처리액에 대해 반응하지 않는 기체를 미세 버블로하여 상기 처리액에 혼입시켜 상기 저장 탱크에 복귀시키는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.In the substrate processing method of processing a substrate with a processing liquid,
Supplying the substrate to the processing unit;
Supplying the processing liquid stored in the storage tank to the processing unit via a first circulation path and then recovering the processing liquid to the storage tank;
After the gas contained in the treatment liquid stored in the storage tank is removed via a second circulation path separate from the first circulation path, the treatment liquid is a fine bubble of gas that does not react with the treatment liquid. Returning to the storage tank by mixing
Substrate processing method comprising a.
상기 처리액에 의해 처리되는 상기 기판이 공급되는 처리부와,
상기 처리액이 저장되는 저장 탱크와,
이 저장 탱크의 처리액을 상기 처리부에 공급하여 상기 기판을 처리하고 나서 상기 저장 탱크로 복귀시키는 제1 순환 관로와,
상기 처리액에 대하여 반응하지 않는 기체를 미세 버블로 하여 처리액에 혼입시키는 버블 발생 수단을 갖고, 상기 저장 탱크의 처리액을 상기 버블 발생 수단에 공급하고 나서 상기 저장 탱크로 복귀시킴으로써, 이 처리액에 포함된 미세 버블에 의해 상기 처리부로부터 상기 저장 탱크로 복귀된 처리액에 포함되는 기체를 제거시키는, 상기 제1 순환 관로와는 별도의 제2 순환 관로
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.In the substrate processing apparatus which processes a board | substrate with a process liquid,
A processing unit to which the substrate processed by the processing liquid is supplied;
A storage tank in which the treatment liquid is stored;
A first circulation conduit for supplying the processing liquid of the storage tank to the processing unit and processing the substrate and then returning to the storage tank;
This processing liquid by having bubble generation means which mixes gas which does not react with the said processing liquid as a fine bubble in a processing liquid, and supplies the processing liquid of the said storage tank to the said bubble generating means, and returns to the said storage tank. A second circulation conduit separate from the first circulation conduit, which removes gas contained in the treatment liquid returned from the treatment unit to the storage tank by the fine bubbles included in the liquid crystal.
Substrate processing apparatus comprising a.
기판을 처리부에 공급하는 공정과,
저장 탱크에 저장된 처리액을 제1 순환 관로를 경유하여 상기 처리부에 공급하고 나서 상기 저장 탱크로 회수하는 공정과,
상기 제1 순환 관로와는 별도의 제2 순환 관로를 경유하여, 상기 저장 탱크에 저장된 상기 처리액에, 이 처리액에 대하여 반응하지 않는 기체를 미세 버블로 하여 혼입시키고 나서 상기 저장 탱크로 복귀시킴으로써, 이 처리액에 포함된 미세 버블에 의해 상기 처리부로부터 상기 저장 탱크로 회수된 처리액에 포함되는 기체를 제거하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.In the substrate processing method of processing a substrate with a processing liquid,
Supplying the substrate to the processing unit;
Supplying the processing liquid stored in the storage tank to the processing unit via a first circulation conduit and then recovering it to the storage tank;
Via a second circulation conduit separate from the first circulation conduit, gas not reacting with the treatment liquid is mixed in the processing liquid stored in the storage tank with fine bubbles, and then returned to the storage tank. Removing gas contained in the treatment liquid recovered from the treatment part to the storage tank by the fine bubbles contained in the treatment liquid.
Substrate processing method comprising a.
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