KR20110114298A - 포토마스크의 이미지 배치 에러 보정 방법 - Google Patents

포토마스크의 이미지 배치 에러 보정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110114298A
KR20110114298A KR1020100033867A KR20100033867A KR20110114298A KR 20110114298 A KR20110114298 A KR 20110114298A KR 1020100033867 A KR1020100033867 A KR 1020100033867A KR 20100033867 A KR20100033867 A KR 20100033867A KR 20110114298 A KR20110114298 A KR 20110114298A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photomask
error
registration
pellicle
pressure
Prior art date
Application number
KR1020100033867A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101195263B1 (ko
Inventor
오성현
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020100033867A priority Critical patent/KR101195263B1/ko
Priority to US13/083,729 priority patent/US20110250528A1/en
Publication of KR20110114298A publication Critical patent/KR20110114298A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101195263B1 publication Critical patent/KR101195263B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

기판의 프레임 영역(frame region) 상에 형성된 광흡수층 및 상기 프레임 영역 내측의 필드 영역(field region) 상에 형성된 마스크 패턴(mask pattern)을 포함하는 포토마스크를 형성하고, 포토마스크의 레지스트레이션(registration) 제1오차를 측정하고, 프레임 영역 상의 광흡수층의 일부 부분을 식각하여 레지스레이션 제1오차를 보상할 레지스트레이션 제2오차를 유발시키거나, 포토마스크 상에 펠리클의 부착할 때, 부착 압력을 국부적으로 변화시켜 펠리클의 국부적 변위에 의한 레지스트레이션 제2오차를 유발하여 보상하는 포토마스크의 이미지 배치 에러 보정 방법을 제시한다.

Description

포토마스크의 이미지 배치 에러 보정 방법{Method of correcting image placement error in photomask}
본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히, 포토마스크의 이미지(image) 배치 에러를 보정하는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 구성하는 패턴 형상(feature of pattern))의 크기 및 피치(pitch)가 극심하게 작아짐에 따라, 포토마스크(photomask) 상에서 이미지 배치 에러(image placement error)를 감소시키는 것이 보다 중요하게 인식되고 있다. 45㎚ 이하 노드(node)로 반도체 소자가 작아짐에 따라, 패턴 형성을 위해 이중 노광 기술(DET: Double Exposure Technique)이나 또는 이중 패터닝 기술(DPT: Double Patterning Technique)와 같은 미세 패턴 형성 시굴이 요구되고 있으며, 이러한 기기술을 실현하기 위해서 매우 엄격하게 이미지 배치 에러를 억제하고자 노력하고 있다. ITRS 로드맵(road map)에 따르면 45㎚ 이하 노드를 위한 DET 또는 DPT 기술에서, 이미지 배치 에러, 즉, 레지스트레이션(registration)는 4㎚ 이하로 요구되고 있지만, 현재 이러한 수준으로 레지스트레이션 오차를 억제하는 것은 어렵다.
본 발명은 포토마스크의 이미지 배치 에러를 보정하는 방법을 제시하고자 한다.
본 발명의 일 관점은, 기판의 프레임 영역(frame region) 상에 형성된 광흡수층 및 상기 프레임 영역 내측의 필드 영역(field region) 상에 형성된 마스크 패턴(mask pattern)을 포함하는 포토마스크를 형성하는 단계; 상기 포토마스크의 레지스트레이션(registration) 제1오차를 측정하는 단계; 및 상기 프레임 영역 상의 상기 광흡수층의 일부 부분을 식각하여 상기 레지스레이션 제1오차를 보상할 레지스트레이션 제2오차를 유발시키는 단계를 포함하는 포토마스크의 이미지 배치 에러 보정 방법을 제시한다.
상기 레지스트레이션 제2오차를 유발시키는 단계는 상기 광흡수층 부분에 상기 식각할 부분을 세부 단위 부분들로 구분하는 가상의 눈금자를 설정하는 단계; 상기 가상의 눈금자들로 구분된 세부 단위 부분들 중 상기 식각이 수행될 부분을 추출하는 단계; 및 상기 식각이 수행될 부분을 선택적으로 식각 제거하여 상기 식각에 의한 국부적 스트레스(stress)를 유발하는 단계를 포함하여 수행될 수 있다.
본 발명의 다른 일 관점은, 포토마스크를 형성하는 단계; 상기 포토마스크의 레지스트레이션(registration) 제1오차를 측정하는 단계; 및 상기 포토마스크 상에 펠리클(pellicle)을 도입하고 부착 압력을 인가하여 부착하는 단계를 포함하고, 상기 펠리클과 상기 포토마스크의 부착면의 일부 부분에 상기 부착 압력과 다른 국부적 부착 압력이 인가되게 하여, 상기 펠리클의 평탄도(flatness)를 국부적으로 변위하여 상기 레지스레이션 제1오차를 보상할 레지스트레이션 제2오차를 유발시키는 단계를 포함하는 포토마스크의 이미지 배치 에러 보정 방법을 제시한다.
상기 레지스트레이션 제2오차를 유발시키는 단계는 상기 포토마스크의 부착면을 세부 단위 영역들로 구분하는 가상의 눈금자를 설정하는 단계; 상기 가상의 눈금자들로 구분된 세부 단위 영역들 중 상기 국부적 부착 압력이 인가될 압력 조절 영역을 추출하는 단계; 상기 압력 조절 부분에 대응되는 압력 조절용 홈에 압력 조절 블럭(block)이 삽입되거나 삽입하지 않고 비워두어 상기 국부적 압력이 상기 압력 조절 영역에 인가되게 하는 압력 조절판을 상기 포토마스크 후면에 도입하는 단계; 상기 포토마스크 상에 펠리클을 도입하는 단계; 및 상기 펠리클 및 상기 압력 조절판에 상기 부착 압력을 인가하여 상기 펠리클을 부착하는 단계를 포함하여 수행될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 포토마스크의 이미지 배치 에러를 보정하는 방법을 제시할 수 있다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 포토마스크의 이미지 배치 에러를 보정하는 방법을 보여주는 도면들이다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 포토마스크의 이미지 배치 에러를 보정하는 방법을 보여주는 도면들이다.
본 발명의 실시예들에서는 패턴 레지스트레이션 오차와 같은 이미지 배치 에러를 광흡수층(absorber) 또는 차광층의 식각(etching) 시 유발되는 스트레스(stress)에 의해 포토마스크의 레지스트레이션 변화가 유발되는 현상을 이용하여, 발생된 이미지 배치 에러를 보상하게 스트레스를 의도적으로 유발시키는 광흡수층의 식각을 이용하는 보정 방법을 제시한다. 또한, 펠리클(pellicle)을 포토마스크(또는 레티클(reticle)) 상에 부착할 때 유발되는 펠리클 평탄도(flatness) 변화가 레지스트레이션 변화를 유발하는 현상을 이용하여, 발생된 이미지 배치 에러를 보상하게 펠리클 평탄도를 국부적으로 변화시키는 보정 방법을 제시한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 포토마스크의 이미지 배치 에러를 보정하는 방법은, 투명한 기판 상에 마스크 패턴(mask pattern)을 형성한다(101). 도 2 및 도 3에 제시된 바와 같이 포토마스크(200)는 투명한 석영 기판(210) 상에 형성된 마스크 패턴(231)을 포함하여 형성될 수 있다. 이때, 포토마스크(200)의 필드 영역(field region: 201)에 실제 웨이퍼(wafer) 상으로 전사될 마스크 패턴(231)이 형성된다. 감쇄형 위상변이마스크(attenuated PSM)의 경우, 기판(210) 상에 위상변이층(phase shift layer: 220)가 몰리브데늄실리콘(MoSi)층을 포함하여 형성되고, 위상변이층(220) 상에 크롬(Cr)층의 차광층 또는 광흡수층(absorber: 230)가 형성된다. 마스크 패턴(231)들이 형성되는 필드 영역(201) 외측의 프레임(frame region: 203)에는 프레임 패턴(233)의 광흡수층(230)이 덮고 있으며, 노광 과정에서 블레이드(blade) 등에 의해 차광되는 영역이며, 또한, 펠리클(pellicle)이 부착되는 영역이다.
마스크 패턴(231)들의 레지스트레이션을 맵(map) 형태로 측정한다(도 1의 103). 마스크 패턴(231)들의 형성 시 다양한 벡터(vector) 방향으로 레지스트레이션 제1오차(241)가 유발될 수 있으며, 이러한 레지스트레이션 제1오차(241)을, 본 발명의 제1실시예에서는 포토마스크(200)에 스트레스를 국부적으로 유발시켜 보상하고자 한다. 레지스트레이션 제1오차(241)를 보상하기 위해 프레임 영역(203) 상의 프레임 패턴(233)의 광흡수층(230)을 국부적으로 식각함으로써, 이러한 광흡수층(230) 식각에 의해서 국부적으로 유발되는 스트레스가 새로운 레지스트레이션 제2오차(245)를 유발하고, 레지스트레이션 제2오차(245)가 앞서 측정된 레지스트레이션 제1오차(241)를 보상하게 한다.
레지스트레이션 제2오차(245)가 발생된 레지스트레이션 제1오차(241)를 보상하게 하기 위해서, 식각에 의해 스트레스가 유발될 부분, 즉, 광흡수층(230)을 식각할 부분(도 2의 207)을 먼저 추출한다(도 1의 107). 이러한 식각할 부분(207)의 추출은 다향한 부분에서의 국부적 식각에 의해서 유발되는 레지스트레이션 제2오차들의 미리 측정하고, 이러한 측정된 데이터(data)들로부터 레지스트레이션 제1오차(241)을 보상할 정도의 레지스트레이션 제2오차(245)를 유발할 지점을 추출하여 식각할 부분(207)으로 설정한다. 이때, 프레임 영역(203) 상에 가상의 눈금자(205)를 도입하여, 미리 식각될 부분들을 세부 단위 부분들로 분할하여 구분하고, 이러한 영역 구분에 의해 분할된 세부 단위 부분들 중의 하나를 식각할 부분(207)으로 설정한다.
식각할 부분(207)을 추출한 후, 이러한 부분(207)에 해당되는 프레임 영역(203) 상의 광흡수층(230) 부분을 선택적 식각하여 제거한다. 이에 따라, 설정된 식각할 부분(207)에는 홀(hole) 형태가 식각되게 된다. 이러한 광흡수층(233)의 식각은 국부적 스트레스(stress)를 유발하게 되고, 이러한 국부적 스트레스는 포토마스크(200) 전체의 스트레스 분포를 변화시키게 된다. 이러한 스트레스 분포 변화에 의해서 포토마스크(200)에는 새로운 레지스트레이션 제2오차(245)가 유발하며, 레지스트레이션 제2오차(245)가 이미 발생된 레지스트레이션 제1오차(241)을 보상하게 함으로써, 레지스트레이션 오차를 유효하게 제거하게 된다. 이에 따라, 포토마스크(200)는 레지스트레이션 오차가 억제되어 이미지 배치 오차가 보정된 상태가 된다. 이러한 레지스트레이션 보정을 위한 식각 과정을 수행한 후, 포토마스크(200) 상의 레지스트레이션을 다시 측정(209)하고, 정상적이라고 판단될 경우, 포토마스크(200) 상에 펠리클을 부착하여 출하한다(111).
도 5를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 포토마스크의 이미지 배치 에러를 보정하는 방법은, 펠리클의 평탄도에 의존하여 레지스트레이션 오차가 유발되는 점을 이용하여 포토마스크에 유발된 레지스트레이션 오차를 보상하게 한다. 먼저, 투명한 기판 상에 마스크 패턴(mask pattern)을 형성하고(301), 마스크 패턴들의 레지스트레이션을 맵(map) 형태로 1차 측정한다(303).
도 6에 제시된 바와 같이, 포토마스크(400)의 필드 영역(401) 상에 형성된 마스크 패턴들에는 다양한 벡터(vector) 방향으로 레지스트레이션 제1오차(441)가 유발될 수 있으며, 이러한 레지스트레이션 제1오차(441)을, 본 발명의 제2실시예에서는 펠리클의 평탄도(flatness)의 국부적 변화에 의해 야기되는 레지스트레이션 제2오차(445)에 의해 보상한다. 펠리클의 평탄도를 국부적으로 변화시키기 위해서, 펠리클이 부착되는 프레임 영역(403) 상의 부착면 부분(405)를 작은 세부 단위 영역(406, 407, 409)들로 세분화한다.
이러한 단위 영역(406, 407, 409)들에 대해 레지스트레이션 제1오차(441)를 보상하기 위해서 펠리클의 국부적 평탄도를 조절할 부분(407, 409)을 추출한다(도 5의 305). 도 9에 제시된 바와 같이, 포토마스크(400) 상에 펠리클(600)이 부착될 때, 펠리클(600)을 부착한 프레임(frame: 601)을 이용하고 있다. 프레임(601)과 포토마스크(400) 사이에는 접착층((602, 605)가 도입되는 데, 접착층(602, 605)의 국부적인 두께를 달리 유도하면, 부착되는 펠리클(600)의 높이가 정상 높이(603)에서 변위(604)되므로, 이러한 국부적 높이 변위는 펠리클(600)의 평탄도를 국부적으로 변화시킨 것을 의미한다. 펠리클(600)의 평탄도가 국부적으로 변화하면, 평탄도의 변화에 의존하는 레지스트레이션 제2오차(445)가 유발되며, 이러한 레지스트레이션 제2오차(445)가 포토마스크(200) 상에서 발생된 레지스트레이션 제1오차(441)를 상쇄 보상하게 한다.
레지스트레이션 제2오차(도 6 및 도 9의 445)가 발생된 레지스트레이션 제1오차(441)를 보상하게 하기 위해서, 펠리클 평탄도를 조절할 부분(도 6의 407, 409)을 추출한다(도 1의 305). 이러한 평탄도의 국부적 조절은 펠리클(도 9의 600) 부착 시 부착면(도 6의 405)에 인가되는 압력을, 세분화된 단위 영역들(406, 407, 409)들에서 각각 다른 압력들이 인가되도록 함으로써 구현될 수 있다. 예컨대, 제1단위 영역(406)들에 정상적인 부착 압력이 인가되게 하고, 제2단위 영역(407)들에 상대적으로 높은 부착 압력이 인가되게 하고, 제3단위 영역(409)들에 상대적으로 낮은 부착 압력이 인가되게 하면, 펠리클(600)의 부착 시 접착층 제1부분(도 9의 602)과 제2부분(도 9의 605)의 두께는 실질적으로 달라지게 되고, 이에 따라, 펠리클(600)은 국부적으로 휘게 되는 변위(도 9의 604)가 유발된다. 펠리클(600)의 평탄도가 국부적 변위(604) 발생에 의해서 국부적으로 변화되면, 이러한 평탄도 변화에 의해서 레지스트레이션 제2오차(445)가 유발되고, 레지스트레이션 제2오차(445)가 기 발생된 레지스트레이션 제1오차(441)를 상쇄하게 된다.
부착 압력을 국부적으로 조절하는 과정을 보다 상세하게 설명하면, 평탄도를 조절할 부분(407, 409)를 의도적으로 발생시킬 레지스트레이션 제2오차(445)의 벡터 방향을 고려하여 설정 추출한다. 이때, 상대적으로 높은 부착 압력이 요구되는 제1조절 부분(407)과 상대적으로 낮은 부착 압력이 요구될 제2조절 부분(409)을 구분하여 추출하고, 압력 조절판(도 7의 500)의 해당 위치에, 압력 조절 블럭(block for adjusting pressure: 507, 506)들을 배치한다(도 5의 307). 압력 조절판(500)은, 도 8에 제시된 바와 같이 펠리클 부착 장비에서 펠리클(600)이 포토마스크(400)에 부착될 때, 포토마스크(400)의 후면에 배치되어, 마주보게 대향된 하측 가압판(701) 및 상측 가압판(703)에서 인가되는 균일한 부착 압력을 국부적으로 변화시킨다(도 5의 309).
압력 조절판(500)에는 부착면(도 6의 405)의 단위 영역들에 대응되는 위치에 형성된 압력 조절용 홈(501)들이 구비되고, 이러한 압력 조절용 홈(501)에 삽입될 압력 조절 블럭들(507, 506)을 구비한다. 상대적으로 높은 부착 압력이 요구되는 제1조절 부분(도 6의 407)에 대응되는 제1압력 조절용 홈(도 7의 501)에는 증압용 압력 조절 블록(507)이 삽입된다. 증압용 압력 조절 블록(507)은 제1압력 조절용 홈(501)에 돌출되는 높이를 가져, 삽입 후 돌출된 부분이 포토마스크(도 8의 400)의 후면에 맞닿아 보다 높은 압력이 집중되게 유도한다. 상대적으로 낮은 부착 압력이 요구되는 제2조절 부분(도 6의 409)에 대응되는 제2압력 조절용 홈(501)에는 빈 형태(509)로, 압력 조절 블럭을 삽입하지 않는다. 이에 따라, 제2압력 ㅈ조저절용 홈(501)이 포토마스크(400) 후면에 대응되게 되므로, 부착 압력이 상대적으로 낮게 전달되게 된다. 정상적인 압력이 인가되게 유도하는 나머지 조절용 홈(501) 부분에는 정상 압력 조절 블럭(506)이 삽입되며, 정상 압력 조절 블록(506)은 조절판(500)의 표면과 플랫한 표면을 형성하므로, 부착 압력은 정상적으로 전달되게 된다.
이와 같은 조절판(500)을 이용하여, 마스크 홀더(mask holder: 705)에 장착된 포토마스크(400) 상에 펠리클 홀더(707)에 장착된 펠리클(600)을 부착함으로써, 펠리클(600)에 국부적인 평탄도 변화를 의도적으로 유발할 수 있다. 이러한 평탄도 변화에 의해 유발되는 레지스트레이션 제2오차(445)가 포토마스크(441)에 유발된 레지스트레이션 제1오차(441)를 상쇄 보상하게 함으로써, 레지스트레이션 오차를 보정할 수 있다. 이와 같이 펠리클(600)을 부착한 후, 레지스트레이션 2차 측정을 수행하고(도 5의 311), 비정상일 경우 펠리클(600) 부착을 다시 수행하고, 정상일 경우 출하한다(도 5의 313).
본 발명의 실시예들은 광흡수층의 식각과 펠리클 부착 시 압력을 국부적으로 조절함으로써, 포토마스크에 발생된 레지스트레이션 오차를 보상할 수 있다. 이에 따라, 45㎚ 노드 이하의 반도체 소자 제조에 요구되는 엄격한 범위 내로 이미지 배치 에러를 억제할 수 있어, 미세 패턴의 반도체 소자를 안정적으로 양산할 수 있다.
200, 400: 포토마스크, 210: 기판,
233: 광흡수층, 241: 레지스트레이션 제1오차,
245: 레지스트레이션 제2오차, 500: 국부적 부착 압력 조절판,
600: 펠리클.

Claims (4)

  1. 기판의 프레임 영역(frame region) 상에 형성된 광흡수층 및 상기 프레임 영역 내측의 필드 영역(field region) 상에 형성된 마스크 패턴(mask pattern)을 포함하는 포토마스크를 형성하는 단계;
    상기 포토마스크의 레지스트레이션(registration) 제1오차를 측정하는 단계; 및
    상기 프레임 영역 상의 상기 광흡수층의 일부 부분을 식각하여 상기 레지스레이션 제1오차를 보상할 레지스트레이션 제2오차를 유발시키는 단계를 포함하는 포토마스크의 이미지 배치 에러 보정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트레이션 제2오차를 유발시키는 단계는
    상기 광흡수층 부분에 상기 식각할 부분을 세부 단위 부분들로 구분하는 가상의 눈금자를 설정하는 단계;
    상기 가상의 눈금자들로 구분된 세부 단위 부분들 중 상기 식각이 수행될 부분을 추출하는 단계; 및
    상기 식각이 수행될 부분을 선택적으로 식각 제거하여 상기 식각에 의한 국부적 스트레스(stress)를 유발하는 단계를 포함하는 포토마스크 이미지 배치 에러 보정 방법.
  3. 포토마스크를 형성하는 단계;
    상기 포토마스크의 레지스트레이션(registration) 제1오차를 측정하는 단계; 및
    상기 포토마스크 상에 펠리클(pellicle)을 도입하고 부착 압력을 인가하여 부착하는 단계를 포함하고,
    상기 펠리클과 상기 포토마스크의 부착면의 일부 부분에 상기 부착 압력과 다른 국부적 부착 압력이 인가되게 하여, 상기 펠리클의 평탄도(flatness)를 국부적으로 변위하여 상기 레지스레이션 제1오차를 보상할 레지스트레이션 제2오차를 유발시키는 단계를 포함하는 포토마스크의 이미지 배치 에러 보정 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 레지스트레이션 제2오차를 유발시키는 단계는
    상기 포토마스크의 부착면을 세부 단위 영역들로 구분하는 가상의 눈금자를 설정하는 단계;
    상기 가상의 눈금자들로 구분된 세부 단위 영역들 중 상기 국부적 부착 압력이 인가될 압력 조절 영역을 추출하는 단계;
    상기 압력 조절 부분에 대응되는 압력 조절용 홈에 압력 조절 블럭(block)이 삽입되거나 삽입하지 않고 비워두어 상기 국부적 압력이 상기 압력 조절 영역에 인가되게 하는 압력 조절판을 상기 포토마스크 후면에 도입하는 단계;
    상기 포토마스크 상에 펠리클을 도입하는 단계; 및
    상기 펠리클 및 상기 압력 조절판에 상기 부착 압력을 인가하여 상기 펠리클을 부착하는 단계를 포함하는 포토마스크의 이미지 배치 에러 보정 방법.
KR1020100033867A 2010-04-13 2010-04-13 포토마스크의 이미지 배치 에러 보정 방법 KR101195263B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100033867A KR101195263B1 (ko) 2010-04-13 2010-04-13 포토마스크의 이미지 배치 에러 보정 방법
US13/083,729 US20110250528A1 (en) 2010-04-13 2011-04-11 Method for correcting image placement error in photomask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100033867A KR101195263B1 (ko) 2010-04-13 2010-04-13 포토마스크의 이미지 배치 에러 보정 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110114298A true KR20110114298A (ko) 2011-10-19
KR101195263B1 KR101195263B1 (ko) 2012-11-14

Family

ID=44761160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100033867A KR101195263B1 (ko) 2010-04-13 2010-04-13 포토마스크의 이미지 배치 에러 보정 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20110250528A1 (ko)
KR (1) KR101195263B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102170143B1 (ko) 2013-08-19 2020-10-26 삼성전자주식회사 노출 허용도 오차 및 레지스트레이션 오차가 보정된 포토마스크 및 그의 레지스트레이션 보정방법
TWI640843B (zh) * 2014-04-02 2018-11-11 美商克萊譚克公司 用於產生遮罩之高密度對位映圖的方法、系統及電腦程式產品

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6911283B1 (en) * 2001-02-07 2005-06-28 Dupont Photomasks, Inc. Method and apparatus for coupling a pellicle to a photomask using a non-distorting mechanism
US7851109B2 (en) * 2008-03-31 2010-12-14 Intel Corporation Low stress pellicle frames and reticle pellicle assemblies

Also Published As

Publication number Publication date
US20110250528A1 (en) 2011-10-13
KR101195263B1 (ko) 2012-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8133640B2 (en) Apparatus and method for mounting pellicle
CN101398630B (zh) 对准及叠对的标记、及其掩模结构与使用方法
KR101195263B1 (ko) 포토마스크의 이미지 배치 에러 보정 방법
CN110320741B (zh) 用于形成自适应层的装置及其使用方法
KR20200118207A (ko) 임프린트 방법, 임프린트 장치, 몰드의 제조 방법, 및 물품 제조 방법
US20090142675A1 (en) Reticle for optical proximity correction test pattern and method of manufacturing the same
US7914951B2 (en) Method of correcting pattern critical dimension of photomask
JP4029828B2 (ja) 両面マスク用ブランクの製造方法および両面マスクの製造方法
KR100801742B1 (ko) 포토 마스크 형성 방법
TW201327027A (zh) 光罩對位方法、光罩、以及相關之半導體裝置
JP2007189140A (ja) 半導体装置の製造方法、マスクの製造方法、露光方法
KR20240110795A (ko) 스트레서 막을 사용하는 정밀 다축 포토리소그래피 정렬 보정
US9377701B2 (en) Mask overlay control
KR20090108268A (ko) 바이너리 마스크의 패턴 선폭 보정방법
US20170005015A1 (en) Monitor process for lithography and etching processes
JPH09218032A (ja) パタン位置歪の算出方法
CN103631083B (zh) 一种光学邻近修正的焦平面选择方法
CN208674108U (zh) 具有修改图案的半导体装置
CN104460223A (zh) 掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器的方法
JPH0315065A (ja) 露光用マスクの製造方法
KR20100028437A (ko) 위상반전마스크의 제조 방법
US20090269679A1 (en) Phase Shift Mask for Double Patterning and Method for Exposing Wafer Using the Same
KR20100076680A (ko) 위상반전마스크의 제조 방법
KR100880234B1 (ko) Ｏｐｃ 마스크 제조방법
KR100861823B1 (ko) 마스크 패턴 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150921

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160923

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170925

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee