KR20110111940A - 발광 소자 - Google Patents

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KR20110111940A
KR20110111940A KR1020100031271A KR20100031271A KR20110111940A KR 20110111940 A KR20110111940 A KR 20110111940A KR 1020100031271 A KR1020100031271 A KR 1020100031271A KR 20100031271 A KR20100031271 A KR 20100031271A KR 20110111940 A KR20110111940 A KR 20110111940A
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wire
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황정하
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시예에 따른 발광 소자는 몸체; 상기 몸체에 형성된 복수의 전극; 상기 복수의 전극 및 상기 몸체 중 어느 하나 위에 탑재된 발광칩; 상기 발광칩 및 상기 복수의 전극을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 와이어; 상기 발광칩 및 상기 적어도 하나의 와이어를 밀봉하는 몰딩부재; 및 상기 적어도 하나의 와이어가 형성된 영역에 인접하도록 상기 몸체 또는 상기 복수의 전극 상에 형성된 완충부재를 포함한다.

Description

발광 소자{LIGHT EMITTING DEVICE}
실시예는 발광 소자에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자를 제공한다.
실시예는 신뢰성이 향상된 발광 소자를 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자는 몸체; 상기 몸체에 형성된 복수의 전극; 상기 복수의 전극 및 상기 몸체 중 어느 하나 위에 탑재된 발광칩; 상기 발광칩 및 상기 복수의 전극을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 와이어; 상기 발광칩 및 상기 적어도 하나의 와이어를 밀봉하는 몰딩부재; 및 상기 적어도 하나의 와이어가 형성된 영역에 인접하도록 상기 몸체 또는 상기 복수의 전극 상에 형성된 완충부재를 포함한다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자를 제공할 수 있다.
실시예는 신뢰성이 향상된 발광 소자를 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자의 측단면도
도 2는 도 1의 발광 소자의 상면도
도 3은 제2 실시예에 따른 발광 소자의 측단면도
도 4는 도 3의 발광 소자의 상면도
도 5는 제3 실시예에 따른 발광 소자의 측단면도
도 6은 도 5의 발광 소자의 상면도
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자에 대해 설명한다.
<제1 실시예>
도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자(1)의 측단면도이고, 도 2는 도 1의 발광 소자(1)의 상면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광 소자(1)는 몸체(10)와, 상기 몸체(10)에 설치된 복수의 전극(31,32)과, 상기 복수의 전극(31,32) 및 상기 몸체(10) 중 어느 하나 위에 설치되는 발광칩(20)과, 상기 발광칩(20) 및 상기 복수의 전극(31,32)을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 와이어(35,36)와, 상기 발광칩(20) 및 상기 적어도 하나의 와이어(35,36)를 밀봉하는 몰딩부재(40)와, 상기 적어도 하나의 와이어(35,36)가 형성된 영역에 인접하도록 상기 몸체(10) 또는 상기 복수의 전극(31,32) 상에 형성된 완충부재(50)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(10)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 세라믹 재질, 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
상기 몸체(10)가 전기 전도성을 갖는 재질로 형성된 경우, 상기 몸체(10)의 표면에는 절연막(미도시)이 더 형성되어 상기 몸체(10)가 상기 복수의 전극(31,32)과 전기적으로 쇼트(short) 되는 것을 방지할 수 있다.
상기 몸체(10)의 상면의 형상은 상기 발광 소자(1)의 용도 및 설계에 따라 사각형, 다각형, 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
상기 몸체(10)에는 상부가 개방되도록 캐비티(cavity)(15)가 형성될 수 있다. 상기 캐비티(15)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 상기 캐비티(15)의 내측면은 바닥면에 대해 수직한 측면이거나 경사진 측면이 될 수 있다. 또한, 상기 캐비티(15)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있다.
상기 복수의 전극(31,32)은 서로 전기적으로 분리되도록 이격되어 상기 몸체(10)에 설치된다. 상기 복수의 전극(31,32)은 상기 발광칩(20)에 전기적으로 연결되어, 상기 발광칩(20)에 전원을 공급할 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 것에 따르면, 상기 복수의 전극(31,32)이 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)을 포함하고, 상기 제1,2 전극(31,32)의 일단은 상기 몸체(10)의 캐비티(15) 내에 배치되며, 타단은 상기 몸체(10)를 관통하여 상기 몸체(10)의 외측 및 배면에 배치되지만, 상기 복수의 전극(31,32)의 구조에 대해 한정하지는 않는다.
상기 복수의 전극(31,32)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 복수의 전극(31,32)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광칩(20)은 상기 복수의 전극(31,32) 및 상기 몸체(10) 중 어느 하나 위에 설치될 수 있으며, 상기 복수의 전극(31,32)에 상기 적어도 하나의 와이어(35,36)에 의해 전기적으로 연결되어 전원을 공급받음으로써 빛을 생성할 수 있다.
상기 발광칩(20)은 예를 들어, 적어도 하나의 발광 다이오드(LED : Light Emitting Diode)를 포함할 수 있으며, 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 몸체(10)의 캐비티(15) 내에는 상기 발광칩(20)을 밀봉하여 보호하도록 상기 몰딩부재(40)가 형성될 수 있으며, 상기 몰딩부재(40)는 형광체를 포함할 수 있다.
상기 몰딩부재(40)는 실리콘(Si) 또는 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 몰딩부재(40)는 상기 캐비티(15) 내에 상기 실리콘 또는 수지 재질을 충진한 후, 이를 경화하는 방식으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 형광체는 상기 몰딩부재(40) 내에 첨가될 수 있으며, 상기 발광칩(20)에서 방출되는 제1빛에 의해 여기되어 제2빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광칩(20)이 청색 발광 다이오드이고 상기 형광체가 황색 형광체인 경우, 상기 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 상기 청색 빛 및 황색 빛이 혼색됨에 따라 상기 발광 소자(1)는 백색 빛을 제공할 수 있다.
상기 완충부재(50)는 상기 발광 소자(1)를 구성하는 상이한 재질들 사이의 열 팽창 계수(Coefficiency of Thermal Expansion, CTE) 차이에 따라, 실시예에 따른 발광 소자(1)에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
구체적으로 설명하면, 상기 몰딩부재(40)를 구성하는 실리콘 재질의 열 팽창 계수(CTE : 100~400ppm/℃)가 비교적 높은 반면, 상기 적어도 하나의 와이어(35,36)의 열 팽창 계수(CTE : 14ppm/℃)는 비교적 낮으므로, 둘 사이의 열 팽창 계수 차이에 따라 발생하는 스트레스에 의해 상기 적어도 하나의 와이어(35,36)가 끊어지는(open) 등의 손상이 빈번히 발생할 수 있다.
따라서, 실시예에서는 상기 적어도 하나의 와이어(35,36)가 형성된 영역에 인접하도록 상기 몸체(10) 또는 상기 복수의 전극(31,32) 상에 상기 완충부재(50)를 형성함으로써, 상기 적어도 하나의 와이어(35,36)에 가해지는 스트레스를 상기 완충부재(50)가 대신 흡수하게 하여 실시예에 따른 발광 소자(1)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 도 1 및 도 2에 도시된 것처럼, 상기 완충부재(50)는 상기 발광칩(20)의 탑재 위치 및 상기 적어도 하나의 와이어(35,36)가 상기 복수의 전극(31,32)과 본딩된 위치 사이에 상기 적어도 하나의 와이어(35,36) 아래로 형성될 수 있다. 다만, 도시된 상기 완충부재(50)의 위치는 하나의 예일 뿐이며, 상기 완충부재(50)는 빛의 배광과, 상기 적어도 하나의 와이어(35,36)의 위치 등을 고려하여 다양하게 설계되어 형성될 수 있다.
상기 완충부재(50)의 높이(h)는 상기 발광칩(20)의 높이와 상기 적어도 하나의 와이어(35,36)의 형성 위치 등을 고려하여 50μm 내지 500μm로 형성될 수 있다.
상기 완충부재(50)의 높이(h)가 높아지는 경우, 상기 발광칩(20)에서 방출되는 빛의 효과적인 배광을 위해, 상기 완충부재(50)의 측면은 경사지게 형성될 수 있다. 또한, 상기 완충부재(50)의 측면에 반사층(52)을 더 형성하여, 상기 완충부재(50)로 입사되는 빛을 반사시킴으로써 빛의 손실을 줄일 수도 있다. 상기 반사층(52)은 예를 들어, 백색 PSR(Photo Solder Resist), 은(Ag), 알루미늄(Al)과 같이 고 반사율을 갖는 재질을 코팅하여 형성할 수 있다.
상기 완충부재(50)는 상기 몸체(10)와 동일한 재질로 형성될 수 있는데, 이 경우, 상기 완충부재(50)는 상기 몸체(10)를 사출 공정 등에 의해 형성할 때 상기 몸체(10)와 동시에 형성될 수 있으므로 별도의 제조 공정이 필요하지 않은 장점이 있다.
또는, 상기 완충부재(50)는 상기 몸체(10)와 상이한 금속, 세라믹, 수지 재질 중 어느 하나로 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 몸체(10)를 형성한 후, 상기 적어도 하나의 와이어(35,36)를 본딩하기 전에 상기 완충부재(50)를 상기 몸체(10)와 별도로 형성할 수 있다.
한편, 상기 완충부재(50)의 재질에 대해 한정하지는 않지만, 상기 완충부재(50)는 상기 몰딩부재(40)의 비교적 높은 열 팽창 계수(CTE)에 의한 스트레스를 완화해주는 역할을 효율적으로 수행하기 위해, 상기 몰딩부재(40)보다 낮은 열 팽창 계수(CTE)를 갖는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 몰딩부재(40) 상에는 렌즈(미도시)가 더 형성되어, 상기 발광 소자(1)가 방출하는 빛의 배광을 조절할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(1)의 상기 몸체(10)에는 내전압 향상을 위해 제너 다이오드(zener diode) 등이 더 설치될 수도 있다.
<제2 실시예>
이하, 제2 실시예에 따른 발광 소자(2)에 대해 상세히 설명한다. 다만, 제2 실시예에 대한 설명에 있어서 제1 실시예와 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 3은 제2 실시예에 따른 발광 소자(2)의 측단면도이고, 도 4는 도 3의 발광 소자(2)의 상면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광 소자(2)는 몸체(10)와, 상기 몸체(10)에 형성된 복수의 전극(31,32)과, 상기 복수의 전극(31,32) 중 어느 하나 위에 설치되는 발광칩(20)과, 상기 발광칩(20) 및 상기 복수의 전극(31,32)을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 와이어(35)와, 상기 발광칩(20) 및 상기 적어도 하나의 와이어(35)를 밀봉하는 몰딩부재(40)와, 상기 적어도 하나의 와이어(35)가 형성된 영역에 인접하도록 상기 몸체(10) 또는 상기 복수의 전극(31,32) 상에 형성된 완충부재(50)를 포함할 수 있다.
제2 실시예에 따른 발광 소자(2)는 상기 몸체(10)에 캐비티가 형성되지 않은 점과, 상기 복수의 전극(31,32)의 형상과, 상기 몰딩부재(40)의 형상을 제외하고는 제1 실시예에 따른 발광 소자(1)와 유사하다.
상기 몸체(10)의 상면은 평면을 가질 수 있으며, 상기 복수의 전극(31,32)은 상기 몸체(10)에 인쇄 방식 또는 도금 방식 등으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 몸체(10) 및 상기 복수의 전극(31,32)은 절연층에 회로 패턴이 인쇄된 인쇄회로기판(Printed Circuit Board)으로 준비될 수 있는데, 상기 인쇄회로기판은 FR-4와 같은 일반 인쇄회로기판 뿐 아니라, 연성 인쇄회로기판(FPCB), 메탈 코어 인쇄회로기판(MCPCB) 등을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 몰딩부재(40)는 상기 발광칩(20) 및 상기 적어도 하나의 와이어(35)를 밀봉하여 보호하도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 몰딩부재(40)는 반구 형상, 돔 형상 등의 다양한 형상을 가지도록 형성되어 상기 발광 소자(2)의 배광을 조절할 수 있다.
또한, 상기 몰딩부재(40) 내에는 형광체가 포함될 수 있는데, 상기 형광체는 상기 몰딩부재(40) 내에 고르게 분포되거나, 상기 발광칩(20) 주위에만 분포되도록 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 완충부재(50)는 상기 몰딩부재(40)와 상기 적어도 하나의 와이어(35)의 열 팽창 계수(CTE) 차이에 따른 스트레스를 흡수하는 역할을 한다. 상기 완충부재(50)는 예를 들어, 상기 발광칩(20)의 탑재 위치와 상기 적어도 하나의 와이어(35)가 상기 복수의 전극(31,32)에 본딩되는 위치 사이에 상기 적어도 하나의 와이어(35) 아래로 형성될 수 있다.
상기 완충부재(50)는 상기 몸체(10) 또는 상기 복수의 전극(31,32) 상에 형성될 수 있으며, 상기 몰딩부재(40)보다 열 팽창 계수(CTE)가 작은 금속, 세라믹 또는 수지 재질 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
<제3 실시예>
이하, 제3 실시예에 따른 발광 소자(3)에 대해 상세히 설명한다. 다만, 제3 실시예에 대한 설명에 있어서 제1 실시예와 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 5는 제3 실시예에 따른 발광 소자(3)의 측단면도이고, 도 6은 도 5의 발광 소자(3)의 상면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제3 실시예에 따른 발광 소자(3)는 몸체(10)와, 상기 몸체(10)의 표면에 형성된 절연막(12)과, 상기 몸체(10)에 형성된 복수의 전극(31,32)과, 상기 복수의 전극(31,32) 중 어느 하나 위에 설치되는 발광칩(20)과, 상기 발광칩(20) 및 상기 복수의 전극(31,32)을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 와이어(35)와, 상기 발광칩(20) 및 상기 적어도 하나의 와이어(35)를 밀봉하는 몰딩부재(40)와, 상기 적어도 하나의 와이어(35)가 형성된 영역에 인접하도록 상기 몸체(10) 또는 상기 복수의 전극(31,32) 상에 형성된 완충부재(50)를 포함할 수 있다.
제3 실시예에 따른 발광 소자(3)는 상기 몸체(10) 및 상기 완충부재(50)의 형상을 제외하고는 제1 실시예에 따른 발광 소자(1)와 유사하다.
상기 몸체(10)는 실리콘 웨이퍼(silicone wafer)를 기반으로 한 웨이퍼 레벨 패키지(Wafer Level Package, WLP)를 형성하는 경우에 도 5 및 도 6에 도시된 것과 같이 외측면에 경사면(11)을 갖는 형상을 갖게 된다.
상세히 설명하면, 상기 몸체(10)의 외측면에 형성된 상기 경사면(11)들은 복수개의 몸체들을 웨트 에칭(Wet Etching)에 의해 분리하는 과정에서 형성될 수 있다. 다시 말해, 상기 복수개의 몸체들을 개별 몸체 단위로 분리하는 경우 등방성 식각면을 발생시키는 상기 웨트 에칭을 상기 몸체(10)의 상면과 하면에 실시하게 되는데, 이에 따라 상기 경사면(11)들이 형성되는 것이다.
또한, 상기 몸체(10)의 표면에는 상기 절연막(12)이 형성될 수 있는데, 이는 상기 몸체(10)를 형성하는 실리콘 재질이 전기 전도성을 가지므로 상기 몸체(10)와 상기 복수의 전극(31,32)이 전기적 쇼트를 일으키는 것을 방지하기 위해서이다.
또한, 도 6에 도시된 것처럼, 상기 완충부재(50)는 상기 적어도 하나의 와이어(35)에 일 대 일로 대응하도록 여러 개가 형성되지 않고, 하나의 완충부재(50)가 길게 연장된 형상을 가져 복수의 와이어에 대응하도록 형성되더라도 동일한 효과를 가질 수 있다.
또한, 상기 완충부재(50)는 상기 몸체(10)에 에칭 공정 등에 의해 상기 캐비티(15)를 형성하는 경우에 마스킹 공정 등을 통해 형성될 수 있는데, 이때, 상기 완충부재(50)의 외측면에는 에칭 공정에 의해 자연스럽게 경사면이 형성될 수 있다.
상기 실시 예(들)에 따른 발광소자의 상면에 직접 접촉되거나 이격되도록 배치된 렌즈를 포함할 수 있으며, 상기 렌즈는 볼록 렌즈 구조를 포함할 수 있으며, 이러한 렌즈 형상에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자는 기판 상에 하나 또는 복수개의 단위로 어레이되어 발광 모듈로 구성될 수 있으며, 상기 발광 모듈은 지시 장치(예: 신호등), 조명 장치(예: 전조등, 가로등, 형광등), 표시 장치(예: LCD 패널) 등의 광원이나 유닛으로 사용될 수 있다. 상기 발광 모듈의 광 출사 경로에는 면광원화하는 도광판, 반사하는 반사판, 광의 확산이나 편광을 조절하는 확산 시트 또는 프리즘 시트 등의 광학 시트 등을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 각 실시 예는 각 실시 예로 한정되지 않고, 상기에 개시된 다른 실시 예에 선택적으로 적용될 수 있으며, 각 실시 예로 한정하지는 않는다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1:발광소자, 10:몸체, 31,32: 전극, 20:발광 칩, 35,36:와이어, 40:몰딩부재, 50:완충부재

Claims (14)

  1. 몸체;
    상기 몸체에 형성된 복수의 전극;
    상기 복수의 전극 및 상기 몸체 중 어느 하나 위에 탑재된 발광칩;
    상기 발광칩 및 상기 복수의 전극을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 와이어;
    상기 발광칩 및 상기 적어도 하나의 와이어를 밀봉하는 몰딩부재; 및
    상기 적어도 하나의 와이어가 형성된 영역에 인접하도록 상기 몸체 또는 상기 복수의 전극 상에 형성된 완충부재를 포함하며, 상기 완충부재는 상기 몰딩부재의 열 팽창 계수보다 낮은 열 팽창 계수를 갖는 재질을 포함하는 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 완충부재는 상기 발광칩의 탑재 위치 및 상기 적어도 하나의 와이어가 상기 복수의 전극과 본딩된 위치 사이에, 상기 적어도 하나의 와이어 아래로 형성된 발광 소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 완충부재는 금속, 수지 또는 세라믹 재질 중 어느 하나로 형성된 발광 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 완충부재는 상기 몸체와 동일한 재질로 형성된 발광 소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 완충부재는 상기 몸체와 상이한 재질로 형성된 발광 소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 완충부재의 측면은 경사지게 형성된 발광 소자.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 완충부재의 측면에 반사층을 포함하는 발광 소자.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 완충부재의 높이는 50μm 내지 500μm인 발광 소자.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 몰딩부재는 실리콘 또는 수지 재질로 형성된 발광 소자.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 몸체는 수지, 실리콘, 세라믹, 금속, 사파이어 또는 인쇄회로기판 중 어느 하나로 형성된 발광 소자.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 몸체가 전기 전도성을 갖는 재질로 형성된 경우, 상기 몸체의 표면에 절연막이 더 형성된 발광 소자.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 몸체에는 상부가 개방되도록 캐비티가 형성된 발광 소자.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 몸체의 상면은 평면인 발광 소자.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 발광칩은 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하는 발광 소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160046198A (ko) * 2014-10-20 2016-04-28 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지

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