KR20110108705A - Light emitting apparatus and display apparatus having the same - Google Patents
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Abstract
실시 예는 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치에 관한 것이다.
실시 예에 따른 발광 장치는, 제1광을 방출하는 반도체 발광소자 및 상기 제1광을 흡수하여 상기 제1광보다 장파장의 제2광을 발광하는 형광체를 갖는 형광체층을 포함하며, 상기 제1광과 제2광의 혼합에 의해 제1컬러의 광을 발광하는 발광 소자의 어레이를 포함하며, 상기 발광 소자의 어레이는 제1광의 제1피크 파장 랭크를 갖는 제1발광 소자와, 제1광의 제2피크 파장 랭크를 갖는 제2발광 소자의 파장이 서로 접근되도록 어레이된다.The embodiment relates to a light emitting device and a display device having the same.
The light emitting device according to the embodiment includes a phosphor layer having a semiconductor light emitting element emitting a first light and a phosphor absorbing the first light and emitting a second light having a longer wavelength than the first light, And an array of light emitting devices that emit light of a first color by mixing light and second light, the array of light emitting devices comprising: a first light emitting device having a first peak wavelength rank of a first light; The wavelengths of the second light emitting devices having the two peak wavelength rank are arranged to approach each other.
Description
실시 예는 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치에 관한 것이다. The embodiment relates to a light emitting device and a display device having the same.
발광다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 빛을 생성하는 광원을 구성할 수 있다. Light emitting diodes (LEDs) may be configured to generate light sources using compound semiconductor materials such as GaAs series, AlGaAs series, GaN series, InGaN series, and InGaAlP series.
이러한 발광다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광 소자로 이용되고 있으며, 상기 발광 소자는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.Such a light emitting diode is packaged and used as a light emitting device that emits various colors, and the light emitting device is used as a light source in various fields such as a lighting indicator for displaying colors, a character display, and an image display.
실시 예는 서로 다른 피크 파장을 갖는 복수의 발광 소자를 혼합하여 균일한 범위의 피크 파장을 갖는 제공할 수 있는 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device capable of providing a peak wavelength in a uniform range by mixing a plurality of light emitting devices having different peak wavelengths, and a display device having the same.
실시 예는 복수의 발광 소자의 피크 파장이 제로 섬(zerosum)되도록 어레이를 갖는 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having an array such that peak wavelengths of a plurality of light emitting devices are zero sum, and a display device having the same.
실시 예에 따른 발광 장치는, 제1광을 방출하는 반도체 발광소자 및 상기 제1광을 흡수하여 상기 제1광보다 장파장의 제2광을 발광하는 형광체를 갖는 형광체층을 포함하며, 상기 제1광과 제2광의 혼합에 의해 제1컬러의 광을 발광하는 발광 소자의 어레이를 포함하며, 상기 발광 소자의 어레이는 제1광의 제1피크 파장 랭크를 갖는 제1발광 소자와, 제1광의 제2피크 파장 랭크를 갖는 제2발광 소자의 파장이 서로 접근되도록 어레이된다. The light emitting device according to the embodiment includes a phosphor layer having a semiconductor light emitting element emitting a first light and a phosphor absorbing the first light and emitting a second light having a longer wavelength than the first light, And an array of light emitting devices that emit light of a first color by mixing light and second light, the array of light emitting devices comprising: a first light emitting device having a first peak wavelength rank of a first light; The wavelengths of the second light emitting devices having the two peak wavelength rank are arranged to approach each other.
실시 예에 따른 표시 장치는, 복수의 발광 소자 어레이를 포함하는 발광 장치; 및 상기 발광 장치의 일측에 배치된 표시 패널을 포함하며, 상기 발광 소자 어레이는 제1광을 방출하는 반도체 발광소자 및 상기 제1광을 흡수하여 상기 제1광보다 장파장의 제2광을 발광하는 형광체를 갖는 형광체층을 포함하며, 상기 제1광과 제2광의 혼합에 의해 제1컬러의 광을 발광하는 발광 소자의 어레이를 포함하며, 상기 발광 소자의 어레이는 제1광의 제1피크 파장 랭크를 갖는 제1발광 소자와, 제1광의 제2피크 파장 랭크를 갖는 제2발광 소자의 파장이 서로 접근되도록 어레이된다.A display device according to an embodiment includes a light emitting device including a plurality of light emitting element arrays; And a display panel disposed on one side of the light emitting device, wherein the light emitting device array emits a second light having a longer wavelength than the first light by absorbing the first light and the semiconductor light emitting device emitting first light. A phosphor layer having a phosphor, the array comprising a light emitting element for emitting a first color light by mixing the first light and the second light, the array of light emitting elements having a first peak wavelength rank of the first light And a wavelength of the first light emitting device having a second wavelength and the second light emitting device having a second peak wavelength rank of the first light are arranged to approach each other.
실시 예는 발광 소자의 사용 수율을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the use yield of the light emitting device.
실시 예는 반도체 발광소자인 LED 칩의 사용 수율을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the yield of the LED chip which is a semiconductor light emitting device.
실시 예는 서로 상이한 피크 파장 랭크를 갖는 발광 소자들의 혼합을 통해 기준 파장 범위에 속하도록 함으로써, 균일한 면 광원을 제공할 수 있다.The embodiment can provide a uniform surface light source by being in the reference wavelength range through mixing of light emitting devices having different peak wavelength ranks from each other.
도 1내지 도 3은 실시 예들에 따른 발광 소자의 예를 나타낸 단면도이다.
도 4는 실시 예에 따른 백색 발광 소자의 CIE 색도도를 나타낸 도면이다.
도 5는 도 4의 색도 랭크의 좌표를 나타낸 표이다.
도 6은 실시 예에 따른 청색 LED 칩의 피크 파장 랭크의 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 실시 예는 발광 장치를 나타낸 도면이다.
도 8은 실시 예에 있어서, 합성 피크 파장 랭크의 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 실시 예에 있어서, 백색 발광 소자의 합성 피크 파장의 스펙트럼을 나타낸 도면이다.
도 10은 실시 예에 따른 탑뷰 방식의 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 11 내지 도 15는 도 10의 발광 소자 어레이를 나타낸 도면이다.
도 16은 실시 예에 따른 사이드 방식의 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 17내지 도 19는 도 16의 발광 소자 어레이를 나타낸 도면이다.1 to 3 are cross-sectional views illustrating examples of light emitting devices according to embodiments.
4 is a CIE chromaticity diagram of a white light emitting device according to an embodiment.
5 is a table showing coordinates of the chromaticity rank of FIG. 4.
6 is a diagram illustrating an example of a peak wavelength rank of a blue LED chip according to an embodiment.
7 is a diagram illustrating a light emitting device according to an embodiment.
8 is a diagram illustrating an example of the synthesized peak wavelength rank in the embodiment.
9 is a diagram illustrating a spectrum of a synthetic peak wavelength of a white light emitting device according to an embodiment.
10 is a cross-sectional view illustrating a top view display device according to an exemplary embodiment.
11 to 15 are diagrams illustrating the light emitting device array of FIG. 10.
16 is a cross-sectional view illustrating a side display device according to an exemplary embodiment.
17 to 19 are diagrams illustrating the light emitting device array of FIG. 16.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 두께는 일 예이며, 각 구성 요소의 위 또는 아래는 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 또한 각 실시 예의 기술적 특징은 각 실시 예로 한정하지 않고 다른 실시 예에 선택적으로 적용될 수 있다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings as follows. In the description of the embodiment, the thickness of each component is an example, and above or below each component will be described with reference to the drawings. In addition, the technical features of each embodiment are not limited to each embodiment and may be selectively applied to other embodiments.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.1 is a side sectional view showing a light emitting device according to the first embodiment.
도 1을 참조하면, 발광 소자(10)는 상부가 개방된 캐비티(14)를 갖는 패키지 몸체(11), 복수의 리드 전극(12,13), 복수의 리드 전극(12,13)에 전기적으로 연결된 발광 다이오드 칩(15), 상기 캐비티에 형성된 수지물(17)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the
상기 패키지 몸체(11)는 실리콘 재료, 세라믹 재료, 수지 재료 중에서 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 예컨대, 실리콘(silicon), 실리콘 카바이드(silicon carbide: SiC), 질화 알루미늄(aluminum nitride; AlN), 폴리프탈아마이드(polyphthalamide : PPA), 고분자액정(Liquid Crystal Polymer : LCP) 중 적어도 한 재질로 이루어질 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다. 또한 상기 패키지 몸체(11)는 단층 또는 다층 기판의 구조물로 형성되거나, 사출 성형될 수 있으며, 이러한 패키지 몸체의 형상이나 구조물에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 패키지 몸체(11)의 상부에는 개구부를 갖는 캐비티(14)가 형성된다. 상기 캐비티(14)의 표면 형상은 오목한 컵 형상 또는 소정 곡률을 갖는 오목 튜브 형상으로 형성될 수 있으며, 그 표면 형상은 원형 또는 다각형 등으로 형성될 수 있으며, 이러한 형상은 변경될 수 있다. A
상기 캐비티(14)의 둘레는 패키지 바닥면에 대해 외측으로 경사지게 형성될 수 있으며, 입사되는 광을 개구 방향으로 반사시켜 준다. The circumference of the
상기 패키지 몸체(11)에는 양측으로 관통하는 복수의 리드 전극(12,13)이 배치되며, 상기 복수의 리드 전극(12,13)은 상기 패키지 몸체(11)의 바닥면에 배치되어 외부 전극으로 이용될 수 있다. 이러한 발광 소자(10)는 탑 뷰 형태로 이용될 수 있다.A plurality of
상기 복수의 리드 전극(12,13)는 리드 프레임 타입, 금속 박막 타입, PCB 의 패턴 타입 등으로 형성될 수 있다. 이하, 설명의 편의를 위해 리드 프레임 타입으로 설명하기로 한다.The plurality of
상기 발광 다이오드 칩(15)은 제1리드 전극(12)에 전도성 접착제로 부착되고, 상기 와이어(16)로 제2리드 전극(13)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광 다이오드 칩(15)은 와이어 본딩, 다이 본딩, 플립 본딩 방식을 선택적으로 이용하여 탑재할 수 있으며, 이러한 본딩 방식은 칩 종류 및 칩의 전극 위치에 따라 변경될 수 있다.The light
상기 발광 다이오드 칩(15)은 3족과 5족 원소의 화합물 반도체 예컨대 AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, InGaAs 등의 계열의 반도체를 이용하여 제조된 반도체 발광소자를 선택적으로 포함할 수 있다. The light
또한 상기 각 발광 다이오드 칩(15)은 청색 LED 칩, 황색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 적색 LED 칩, UV LED 칩, 호박색 LED 칩, 청-녹색 LED 칩 등으로 이루어질 수 있다. 또한 상기 발광 소자(10) 내에 배치된 발광 다이오드 칩(15)의 개수 및 그 종류는 변경될 수 있으며, 또한 복수의 발광 다이오드 칩(10)이 배치된 경우 서로 동일한 컬러의 발광 피크를 가지는 광을 발광할 수 잇다. In addition, each
상기 캐비티(14)에는 수지물(17)이 형성된다. 상기 수지물(17)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 투명한 수지 재료를 이용할 수 있다. 또한 상기 수지물(17)의 표면은 플랫 형태, 오목 형태, 볼록 형태로 형성될 수 있으며, 상기 수지물(17) 위에 렌즈가 부착될 수도 있다. The
상기 수지물(17)에는 적어도 한 종류의 형광체가 첨가될 수도 있다. 상기 형광체는 황색 형광체이거나, 황색형광체와 적색 형광체를 포함할 수 있다. 실시 예의 설명을 위해, 상기 발광 다이오드 칩(15)는 청색 LED 칩이고, 상기 형광체는 황색 형광체이거나, 황색 형광체와 적색 형광체가 혼합된 구조를 일 예로 설명하기로 한다.At least one kind of phosphor may be added to the
상기 발광 소자(10)의 랭크(Rank)는 발광 소자로부터 방출된 광을 측정하고, 측정된 광 특성에 따라 색도 랭크, 광도 랭크, 및 피크 파장 랭크 등으로 세분화하여 분류할 수 있다. The rank of the
도 2는 제2실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일, 유사한 부분은 제1실시 예를 참조하기로 한다.2 is a side sectional view showing a light emitting device according to the second embodiment. In the description of the second embodiment, the same or similar parts as the first embodiment will be referred to the first embodiment.
도 2를 참조하면, 발광 소자(20)는 세라믹 기판(21) 상의 제1 및 제2리드 전극(22,23)에 발광 소자(25)를 탑재하고, 상기 발광 소자(25) 위에 형광체를 갖는 수지물(27)을 형성하게 된다. 상기 수지물(27)에는 황색 형광체 또는 황색 형광체와 적색 형광체가 포함될 수 있다. 상기 발광 소자(25)는 플립 방식으로 탑재될 수 있으며, 이러한 플립 방식은 지향각을 넓게 가져갈 수 있고, 와이어를 제거하여 수지물(27)의 높이를 낮추어줄 수 있다.Referring to FIG. 2, a
상기 세라믹 기판(21)의 하부에는 제3 및 제4리드 전극(24,25)이 배치되며, 상기 제3 및 제4리드 전극(24,25)은 전도성 비아(24)를 통해 서로 연결된다. 상기 제1 내지 제4리드 전극(22,23,24,25)는 세라믹 기판의 상부 동박과 하부 동박을 이용한 회로 패턴으로 구현될 수 있다.Third and
이러한 세라믹 기판(21)은 플래너 타입으로 제공되며, 상기 수지물(27)이 볼록 렌즈 형상으로 형성된다.
The
도 3은 제3실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 제3실시 예를 설명함에 있어서, 제3실시 예와 동일, 유사한 부분은 제1실시 예를 참조하기로 한다.3 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device according to a third embodiment. In describing the third embodiment, the same or similar parts as the third embodiment will be referred to the first embodiment.
도 3을 참조하면, 발광 소자(30)는 패키지 몸체(31)의 캐비티(34)에 수지물(37)을 형성하고, 상기 캐비티(34) 내의 복수의 리드 전극(32,33)을 배치하며, 상기 리드 전극(32,33)에는 발광 소자(35)가 복수의 와이어(36)으로 연결된다.Referring to FIG. 3, the
상기 리드 전극(32,33)은 상기 패키지 몸체(31)의 외측으로 노출된 후 적어도 한 번 절곡 또는/및 벤딩된 후, 사이드 뷰 타입 또는 탑 뷰 타입으로 배치된다.The
상기 수지물(37)은 황색 형광체 또는 황색 형광체와 적색 형광체가 첨가될 수 있다. The
상기에 개시된 제1 내지 제3실시 예의 발광 소자는 백색 발광 소자로서, 이하 실시 예는 백색 발광 소자 및 이의 광 특성을 그 예로 하여 설명하기로 한다. The light emitting device according to the first to third embodiments disclosed above is a white light emitting device, and the following embodiment will be described with reference to the white light emitting device and its optical characteristics as an example.
백색 발광 소자는 기본적으로 순백에 가까운 색도를 가지지만, 제조 공정 상의 불균일이 존재하기 때문에, 실제의 색도는 미리 결정된 색도 범위 내에서 불균일하게 된다. 백색 발광 소자는 청색 LED 칩의 불균일 및 황색 형광체량의 불균일이 존재하며, 이러한 불균일한의 요인은 이상적인 색도 영역의 LED를 대량으로 안정적으로 공급할 수 없게 된다. 그러므로, 백색 발광 소자는 색도 범위가 비교적 크게 되고, LED 메이커는 좁은 기준 색도 범위의 백색 발광 소자를 안정적으로 공급할 수 없으므로, 제조된 제품 중 색도 범위를 구획하게 된다. 백색 발광 소자는 예컨대, 도 4와 같은 미리 결정된 색도 범위에 존재할 수 있다.The white light emitting element basically has a chromaticity close to white, but since there is a nonuniformity in the manufacturing process, the actual chromaticity becomes nonuniform within a predetermined chromaticity range. The white light emitting device has a nonuniformity of a blue LED chip and a nonuniformity of a yellow phosphor amount, and this nonuniformity causes the LED of the ideal chromaticity range to not be stably supplied in large quantities. Therefore, the white light emitting device has a relatively large chromaticity range, and the LED maker cannot stably supply a white light emitting device having a narrow reference chromaticity range, thereby partitioning the chromaticity range among manufactured products. The white light emitting device may exist in a predetermined chromaticity range, for example as shown in FIG. 4.
도 4는 실시 예에 따른 백색 발광 소자의 CIEx, CIEy 색도를 나타낸 도면이며, 도 5는 도 4의 각 색도 랭크의 좌표 예를 나타낸 도면이고, 도 6은 실시 예에 따른 청색 LED 칩의 피크 파장 랭크의 예를 나타낸 도면이다. 4 is a view showing CIEx and CIEy chromaticity of the white light emitting device according to the embodiment, FIG. 5 is a view showing coordinate examples of the chromaticity ranks of FIG. 4, and FIG. 6 is a peak wavelength of the blue LED chip according to the embodiment. It is a figure which shows the example of rank.
도 4 및 도 5를 참조하면, CIE 색도도에서는 미리 결정된 표준 색도 범위(111)를 15개의 색도 랭크(A~0)로 구획할 수 있으며, 상기 랭크 중 중심부의 H 랭크를 기준으로 좁은 영역은 기준 색도 범위(113)가 된다. 상기 기준 색도 범위(113)는 미리 결정된 표준 색도 범위(111) 예컨대, 가용 색도 범위 보다는 좁은 범위를 갖고 있어, LED 칩의 사용 수율은 저하될 수 있다. 4 and 5, in the CIE chromaticity diagram, the predetermined
실시 예는 미리 결정된 표준 색도 범위(111)들에 존재하는 발광 소자들을 혼합하여 그 방출된 광의 혼합 색도가 상기 기준 색도 범위에 속하도록 한 어레이를 제공할 수 있다. The embodiment may provide an array in which light emitting devices present in predetermined standard chromaticity ranges 111 are mixed such that the mixed chromaticity of the emitted light falls within the reference chromaticity range.
여기서, 상기 미리 결정된 표준 색도 범위(111)의 좌표(CIEx, CIEy) 정보를 보면, (0.2648, 0.2285), (0.2468,0.2315), (0.2633, 0.2715), (0.2813, 0.2685)가 된다. 기준 색도 범위(113)는 상기 미리 결정된 표준 색도 범위(111)와 오버랩되는 영역으로서, 그 좌표(CIEx, CIEy) 정보를 보면 (0.2729, 0.2420), (0.2501, 0.2420), (0.2501, 0.2579), (0.2725, 0.2579)로 구해질 수 있으며, 이들 4 좌표를 연결한 범위(113) 중 미리 결정된 표준 색도 범위(111)와 오버랩된 영역을 기준 색도 범위(113)로 사용하게 된다. Here, the coordinates (CIEx, CIEy) information of the predetermined
도 5의 색도 랭크 A의 좌표는 도 4의 Z1-Z2, Z2-Z3, Z3-Z4, Z4-Z1을 연결한 선분 내의 범위이며, 각 좌표는 Z1(0.2528, 0.2305), Z2(0.2468, 0.2315), Z3(0.2501, 0.2395), (0.2561, 0.2385)로 나타낼 수 있으며, 다른 랭크 B~O의 범위도 도시된 표와 같이 나타낼 수 있다. The coordinate of chromaticity rank A of FIG. 5 is a range within a line segment connecting Z1-Z2, Z2-Z3, Z3-Z4, Z4-Z1 of FIG. 4, and each coordinate is Z1 (0.2528, 0.2305) and Z2 (0.2468, 0.2315). ), Z3 (0.2501, 0.2395), (0.2561, 0.2385), and the range of other ranks B to O can also be represented as shown in the table.
여기서, 각 색도 랭크 A~0의 범위를 보면 CIEx 방향으로는 Z1과 Z2 사이는 0.060이고, Z2와 Z3 사이는 0.033이며, Z3와 Z4 사이는 0.060이고, Z4와 Z1 사이는 0.033 정도로 이격된다. 각 색도 랭크 A~0의 범위를 보면, CIEy 방향으로는 Z1과 Z2는 0,010, Z2와 Z3 사이는 0.080, Z3와 Z4 사이는 0.010, Z4와 Z1 사이는 0.080 정도로 이격된다. Here, in the chromaticity ranks A to 0, in the CIEx direction, the distance between Z1 and Z2 is 0.060, the distance between Z2 and Z3 is 0.033, the distance between Z3 and Z4 is 0.060, and the distance between Z4 and Z1 is about 0.033. In the chromaticity ranks A to 0, in the CIEy direction, Z1 and Z2 are 0,010, Z80 between Z2 and Z3, 0.010 between Z3 and Z4, and 0.080 between Z4 and Z1.
상기 기준 색도 범위(111) 내에서 최적의 색도 랭크의 범위는 색도 랭크 H로서, (0.2654, 0.2375), (0.2561, 0.2385), (0.2594, 0.2465), (0.2654, 0.2455)의 좌표(CIEx, CIEy)들을 포함하며, 이들 좌표를 서로 연결한 선분의 내부 영역을 포함한다.
The range of the optimal chromaticity rank within the
도 6은 실시 예에 따른 백색 발광 소자의 청색 LED 칩의 피크 파장을 나타낸 도면이다.6 illustrates peak wavelengths of a blue LED chip of a white light emitting device according to an exemplary embodiment.
도 6을 참조하면, 청색 LED 칩의 피크 파장 랭크는 청색 컬러대의 파장 중 피크 파장에 대해 예컨대, 3개의 랭크로 구분할 수 있으며, 제1피크 파장 랭크(R1)는 434nm~441nm, 제2피크 파장 랭크(R2)는 441nm~445nm, 제3피크 파장 랭크(R3)는 445nm~451nm로 구분할 수 있다. 각 피크 파장 랭크 간의 간격은 0nm ~ 13nm 정도일 수 있다. 실시 예는 청색 LED 칩의 최소 피크 파장(예: 434nm)과 최대 피크 파장(예: 451nm)의 범위를 표준 피크 파장 범위로 설정할 수 있다.Referring to FIG. 6, the peak wavelength rank of the blue LED chip may be divided into, for example, three ranks with respect to the peak wavelength among the wavelengths of the blue color band, and the first peak wavelength rank R1 is 434 nm to 441 nm and the second peak wavelength. The rank R2 may be divided into 441 nm to 445 nm, and the third peak wavelength rank R3 may be divided into 445 nm to 451 nm. An interval between each peak wavelength rank may be about 0 nm to about 13 nm. The embodiment may set the range of the minimum peak wavelength (for example, 434 nm) and the maximum peak wavelength (for example, 451 nm) of the blue LED chip to the standard peak wavelength range.
실시 예에 따른 발광 소자 어레이는 상기 색도 랭크, 및 상기 피크 파장 랭크 중 선택적인 랭크 조합으로 원하는 광 특성을 갖도록 구성할 수 있다.
The light emitting device array according to the embodiment may be configured to have desired optical characteristics by a selective combination of the chromaticity rank and the peak wavelength rank.
도 7은 실시 예에 따른 복수의 발광 소자를 이용한 발광 장치를 나타낸 도면이며, 도 8은 실시 예에 따른 합성 피크파장 랭크의 예를 나타낸 도면이다. 7 is a view showing a light emitting device using a plurality of light emitting elements according to the embodiment, Figure 8 is a view showing an example of the composite peak wavelength rank according to the embodiment.
도 7을 참조하면, 제1 및 제2발광 소자(41,42)는 백색 발광 소자이며, 각 발광 소자(41,42)의 지향각은 100 ~ 180° 정도의 각도 범위이다. 제1발광 소자(41)로부터 방출된 광은 제1랭크(01)로 발광하며, 상기 제2발광 소자(42)로부터 방출된 광은 제2랭크(02)로 발광하게 된다. 상기 제1랭크(01)와 제2랭크(02)는 혼합 영역 상에서 서로 혼합되며, 그 혼합된 광은 혼합 랭크(03)가 될 수 있다. 상기의 혼합 랭크(03)는 색도 랭크 및 피크 파장 랭크 중 적어도 피크 파장 랭크가 서로 다른 랭크를 갖게 된다. Referring to FIG. 7, the first and second
상기 발광 소자(41,42)는 지향각, 광도, 혼합 영역의 위치(즉, 패널과의 간격) 등을 고려하여 최적의 면 광원으로 제공할 수 있는 위치로 선정되며, 이에 따라 인접한 발광 소자(41,42) 간의 간격(D1)은 15mm ~ 100mm 정도까지 이격될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
발광 장치(40)의 혼합 랭크(03)는 서로 다른 피크 파장의 랭크를 갖는 발광 소자(41,42)에 의해 혼합될 수 있으며, 또한 상기 혼합 랭크에는 서로 동일한 색도 랭크 또는 서로 다른 색도 랭크가 혼합될 수 있다. 실시 예의 혼합 랭크는 피크 파장 랭크의 차이를 갖고 동일한 색도 랭크 또는 서로 다른 색도 랭크의 광들이 혼합된다. 상기 혼합된 랭크의 특성은 각 발광 소자가 가지는 랭크 특성을 제로 섬 방식으로 증가 및 감소시켜 주게 된다. 상기 혼합된 랭크의 특성은 제로 섬 형태로 혼합되는 것으로, 상기 혼합 랭크(03)는 상기 제1랭크(01)와 제2랭크(02)를 서로 반대 방향의 범위로 이동시켜 줄 수 있다.The mixing
예컨대, 상기 복수의 발광 소자(41,42)는 피크 파장이 적어도 4nm 정도의 차이를 갖도록 배열할 수 있다. 여기서, 인접한 발광 소자(41,42)의 혼합 피크 파장은 최소치와 최대치 사이의 중간값에 접근하도록 혼합될 수 있다.
For example, the plurality of light emitting
도 8을 참조하면, 도 7에 개시된 복수의 백색 발광 소자(41,42)의 청색 LED 칩의 피크 파장 랭크를 혼합한 예를 나타낸 도면이다. 제1합성 피크 파장 랭크(R1+R2)는 438nm ~ 442nm의 범위로 혼합되며, 제2합성 피크 파장 랭크(R2+R3)는 443nm ~ 448nm의 범위로 혼합되며, 제3합성 피크 파장 랭크(R1+R3)은 441nm ~ 445nm의 범위로 혼합된다.Referring to FIG. 8, an example of mixing peak wavelength ranks of blue LED chips of the plurality of white
여기서, 상기 제1합성 피크 파장 랭크(R1+R2)는 예컨대, 도 5에 도시된 제1랭크(R1)의 434nm ~ 441nm 범위에 속한 청색 LED 칩과 제2랭크(R2)의 441nm ~ 445nm 범위에 속하는 청색 LED 칩의 피크 파장을 혼합하여 438nm ~ 442nm로 구현할 수 있다. 따라서 제1합성 피크 파장 랭크(R1+R2)는 최소치<(R1+R2)<최대치의 범위에 존재할 수 있으며, 이는 합성 피크 파장은 두 피크 파장의 평균치에 접근하도록 혼합될 수 있다.
Here, the first synthesis peak wavelength rank (R1 + R2) is, for example, a blue LED chip in the range of 434nm ~ 441nm of the first rank (R1) shown in Figure 5 and 441nm ~ 445nm range of the second rank (R2) The peak wavelength of the blue LED chip belonging to can be mixed to achieve 438nm to 442nm. Thus, the first synthetic peak wavelength rank (R1 + R2) may be in the range of minimum <(R1 + R2) <maximum, which may be mixed to approximate the average of the two peak wavelengths.
도 9는 실시 예에 따른 제1랭크와 제2랭크의 피크 파장을 혼합한 예를 나타낸 도면으로서, 제1피크 파장 랭크(R1)의 어느 한 파장과 제2피크 파장 랭크(R2)의 어느 한 파장을 혼합한 합성 피크 파장 랭크(R1+R2)는 두 파장의 중간 정도의 파장 스펙트럼을 갖는다.
FIG. 9 is a diagram illustrating an example in which peak wavelengths of a first rank and a second rank are mixed according to an embodiment, and any one of a wavelength of a first peak wavelength rank R1 and a second peak wavelength rank R2 is shown. The combined peak wavelength rank (R1 + R2), which combines the wavelengths, has a wavelength spectrum in the middle of the two wavelengths.
도 10은 실시 예에 따른 탑뷰 방식의 표시 장치를 나타낸 측 단면도이다.10 is a side cross-sectional view illustrating a top view display device according to an exemplary embodiment.
도 10을 참조하면, 표시 장치(50)는 바텀 커버(52), 모듈 기판(63) 및 그 위에 복수의 발광 소자(61,62), 광학 시트(54), 및 표시 패널(55)을 포함한다. 상기 모듈 기판(63), 바텀 커버(52), 광학 시트(54)는 라이트 유닛(51)으로 기능한다. Referring to FIG. 10, the
상기 바텀 커버(52)는 상부가 개방된 홈(53)을 포함하며, 상기 홈(53)의 내 측면은 경사지게 형성된다. 여기서, 상기 바텀 커버(52)와 그 측면은 별도의 구조물로 결합될 수 있다.The
상기 모듈 기판(63)은 상기 바텀 커버(52)의 상측에 적어도 하나가 배치될 수 있다. 상기 모듈 기판(63) 위에는 상기에 개시된 제1피크 파장 랭크의 발광 소자(61)와 제2피크 파장 랭크의 제2발광소자(62)가 교대로 배치될 수 있다. At least one
여기서, 상기 제1 및 제2발광 소자(61,62)는 예컨대, 서로 다른 피크 파장 랭크에 있는 2개 또는 그 이상의 랭크를 교대로 또는 하나의 그룹으로 배치할 수도 있다. 이에 따라 제1 및 제2발광 소자(61,62)를 일정 간격으로 배치함으로써, 원하는 피크 파장으로 혼합시켜 줄 수 있다. 이러한 멀티 피크 파장 랭크의 발광 소자(61,62)들은 추가 또는 변경될 수 있으며, 상기의 발광 소자(61,62)의 개수로 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(61,62)는 복수개가 교대로 배치되거나, 서로 대칭되는 위치에 배치되거나, 인접한 열과 지그재그 형태로 배열될 수 있다. 상기의 발광 소자(61,62)는 서로 다른 피크 파장 랭크를 혼합함으로써, 그 혼합 랭크의 피크 파장은 서로 다른 피크 파장을 제로 섬(zerosum) 형태로 혼합된 값으로 나타나게 된다. Here, the first and second
상기의 발광 소자(61,62)는 표준 색도 범위 또는 표준 색도 범위 내의 기준 색도 범위에 있는 랭크들로 배치하거나, 혼합 색도 범위가 표준 색도 범위로 혼합되도록 배치할 수 있다.The
상기 광학 시트(54)는 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 휘도 강화 필름 등에서 적어도 하나 이상이 배치될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 필름은 버려지는 광을 재 사용하여 광 효율을 개선시켜 준다.At least one
상기 표시 패널(55)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 제 1기판은 예컨대, 컬러필터 어레이 기판으로 구현될 수 있고, 제 2기판은 예컨대, TFT 어레이 기판으로 구현될 수 있으며, 이의 반대의 구조로 구현될 수도 있다. 이러한 표시 패널에 대해서는 변경될 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다.
The
상기의 모듈 기판 상의 발광 소자 어레이는 도 11 내지 도 15를 예로 설명하고 있다.The light emitting device array on the module substrate has been described with reference to FIGS. 11 to 15 as an example.
도 11을 참조하면, 발광 소자 어레이는 도 6과 같이 조합될 수 있는 피크 파장 랭크들 중 제1피크 파장 랭크(R1)를 갖는 제1발광 소자와 제2피크 파장 랭크(R2)를 갖는 제2발광 소자를 교대로 행 방향 및 종 방향으로 어레이된다. 상기 제1피크 파장 랭크(R1)와 제2피크 파장 랭크(R2)는 서로 다른 피크 파장으로서, 이러한 피크 파장을 갖는 발광 소자들을 전 영역에 행 방향 및 종 방향으로 배치될 수 있다. Referring to FIG. 11, the light emitting device array includes a first light emitting device having a first peak wavelength rank R1 and a second having a second peak wavelength rank R2 among the peak wavelength ranks that may be combined as shown in FIG. 6. The light emitting elements are alternately arrayed in the row direction and the longitudinal direction. The first peak wavelength rank R1 and the second peak wavelength rank R2 are different peak wavelengths, and light emitting devices having the peak wavelengths may be disposed in the row direction and the longitudinal direction in all regions.
상기의 발광 소자 어레이는 서로 다른 피크 파장 랭크(R1,R2)를 혼합함으로써, 그 혼합 랭크의 피크 파장은 미리 정해진 최소 파장 값(예: 434nm) 또는 최대 파장 값(예: 451nm)보다는 반대 방향으로 이동하게 된다.
The light emitting device array mixes different peak wavelength ranks R1 and R2 so that the peak wavelength of the mixed rank is in a direction opposite to a predetermined minimum wavelength value (eg 434 nm) or maximum wavelength value (eg 451 nm). Will move.
도 12를 참조하면, 발광 소자 어레이는 도 6에 개시된 제1피크 파장 랭크(R1)를 갖는 발광 소자와 제2피크 파장 랭크(R2)를 갖는 발광 소자를 최 외측인 주변부를 따라 교대로 배치된다. 상기의 발광 소자 어레이의 피크 파장 랭크(R1,R2)는 주변부에서 서로 다른 피크 파장 랭크로 혼합됨으로써, 그 혼합 랭크는 두 피크 파장 랭크의 사이의 피크 파장으로 혼합될 수 있다. 여기서, 1열 및 1행의 발광 소자가 어레이된다. 그리고, 발광 소자 어레이의 내측 영역에는 제2피크 파장 랭크 또는 기준 색도 범위의 랭크(O)를 갖는 발광 소자를 배치할 수 있다.
Referring to FIG. 12, the light emitting device array is alternately disposed along the outermost portion of the light emitting device having the first peak wavelength rank R1 and the light emitting device having the second peak wavelength rank R2 disclosed in FIG. 6. . The peak wavelength ranks R1 and R2 of the light emitting device array are mixed at different peak wavelength ranks at the periphery thereof, so that the mixing ranks may be mixed at peak wavelengths between the two peak wavelength ranks. Here, the light emitting elements of one column and one row are arrayed. In addition, a light emitting device having a second peak wavelength rank or a rank O of a reference chromaticity range may be disposed in an inner region of the light emitting device array.
도 13을 참조하면, 도 6에 개시된 제1피크 파장 랭크(R1)를 갖는 제1발광 소자를 제1행으로 배열하고, 제2피크 파장 랭크(R2)를 갖는 제2발광 소자를 제2행으로 배열하며, 상기 제1 및 제2발광 소자를 지그 재그 형태로 배열한다. 즉, 제1발광 소자와 제2발광 소자는 서로 어긋나게 배치할 수 있다. 상기의 발광 소자 어레이의 피크 파장 랭크(R1,R2)는 두 피크 파장 사이의 피크 파장을 갖게 된다. Referring to FIG. 13, a first light emitting device having the first peak wavelength rank R1 disclosed in FIG. 6 is arranged in a first row, and a second light emitting device having the second peak wavelength rank R2 is arranged in a second row. The first and second light emitting devices are arranged in a zigzag form. That is, the first light emitting element and the second light emitting element may be disposed to be offset from each other. The peak wavelength ranks R1 and R2 of the light emitting device array have a peak wavelength between two peak wavelengths.
도 14를 참조하면, 발광 소자 어레이는 제1행에 제1피크 파장 랭크(R1)와 제2피크 파장 랭크(R2)를 갖는 제1 및 제2발광 소자들을 교대로 배치하고, 제2행에는 제2피크 파장 랭크(R2)와 제3피크 파장 랭크(R3)를 갖는 제2 및 제3발광 소자들을 교대로 배치하게 된다. 이러한 어레이 형태는 전 영역에 배치될 수 있어, 서로 다른 피크 파장을 갖는 발광 소자들을 혼합시켜 배열할 수 있다. Referring to FIG. 14, the light emitting device array alternately arranges the first and second light emitting devices having the first peak wavelength rank R1 and the second peak wavelength rank R2 in the first row, and the second row. The second and third light emitting devices having the second peak wavelength rank R2 and the third peak wavelength rank R3 are alternately arranged. Such an array form may be disposed in an entire region, such that light emitting devices having different peak wavelengths may be mixed and arranged.
도 15를 참조하면, 발광 소자 어레이는 제1행에 제1피크 파장 랭크(R1)를 갖는 제1발광 소자를 배치하고, 제2행에 제2피크 파장 랭크(R2)를 갖는 제2발광 소자를 배치하며, 상기 제1행과 제2행의 중간 행에 제3피크 파장 랭크(R3)를 갖는 제3발광 소자를 배치하게 된다. 상기 제3발광 소자는 상기 제1발광 소자와 제2발광 소자로부터 지그 재그 형태로 배열될 수 있다. 이러한 어레이 형태는 전 영역에 배치될 수 있어, 서로 다른 피크 파장을 갖는 발광 소자들을 혼합시켜 배열할 수 있다. Referring to FIG. 15, the light emitting device array includes a first light emitting device having a first peak wavelength rank R1 in a first row and a second light emitting device having a second peak wavelength rank R2 in a second row. And a third light emitting device having a third peak wavelength rank R3 in the middle row of the first row and the second row. The third light emitting device may be arranged in a zigzag form from the first light emitting device and the second light emitting device. Such an array form may be disposed in an entire region, such that light emitting devices having different peak wavelengths may be mixed and arranged.
도 16은 실시 예에 따른 사이드 뷰 방식의 표시 장치를 나타낸 사시도이다.16 is a perspective view illustrating a side view display device according to an exemplary embodiment.
도 16을 참조하면, 표시 장치(70)는 모듈 기판(83) 및 서로 다른 피크 파장 랭크를 포함하는 발광 소자(81,82)를 포함하는 발광 모듈(80), 반사 플레이트(71), 광 가이드 플레이트(72), 광학 시트(73), 표시 패널(74)을 포함한다. 상기 발광 모듈(80), 반사 플레이트(71), 광 가이드 플레이트(72), 광학 시트(73)는 라이트 유닛으로 기능한다. 상기의 라이트 유닛은 바텀 커버 또는 바텀 샤시 등에 의해 보호될 수 있다. Referring to FIG. 16, the
상기 발광 모듈(80)은 모듈 기판(83) 위에 서로 다른 피크 파장 랭크의 제1 및 제2발광 소자(81,82)가 교대로 배열된다. 상기 모듈 기판(83)은 단단한 재질의 기판이거나 플렉시블 기판일 수 있다.In the
상기 발광 모듈(80)은 예를 들면, 제1발광 소자(81) 및 제2발광 소자(82)는 청색 LED 칩과 황색 형광체이거나, 또는 청색 LED 칩과 황색 형광체 및 적색 형광체를 포함한다. For example, the
상기 발광 모듈(80)은 서로 다른 피크 파장 랭크를 갖는 인접한 2개의 발광 소자(81,82)를 교대로 배열하거나, 2개의 발광 소자(81,82) 사이에 다른 피크 파장 랭크 또는 기준 색도 범위의 소자를 더 배치할 수 있다. 예컨대, 제 1발광 소자(81)와 제 2발광 소자(82)의 순서로 교대로 배열되거나, 1: 2 또는 2: 1씩 배열할 수 있다. 서로 다른 피크 파장 랭크의 제 1 및 제 2발광 소자(81,82)로부터 방출되는 광이 혼합되어 목표로 하는 피크 파장이 될 수 있다. 상기 제1발광 소자(81)와 제2발광소자(82)의 피크 파장은 제로 섬 형태로 혼합되며, 그 혼합 랭크는 기준 색도 범위를 갖게 된다. The
상기 발광 모듈(80)의 일측에는 광 가이드 플레이트(72)가 배치되며, 상기 광 가이드 플레이트(72)의 하부에는 반사 플레이트(71)가 배치되고, 상부에는 광학 시트(73)가 배치된다. 상기 광 가이드 플레이트(72)는 상기 발광 소자(81,82)와 0.5mm 이하로 이격될 수 있으며, 그 재질은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다.The
상기 발광 모듈(80)로부터 방출된 광은 광 가이드 플레이트(72)에 입사되며, 상기 광 가이드 플레이트(72)는 발광 모듈(80)로부터 입사되는 광을 전체 영역으로 가이드하여 면 광원으로 방출하게 된다. 상기 반사 플레이트(71)는 광 가이드 플레이트(72)로부터 누설되는 광을 반사하여 주며, 상기 광학 시트(73)는 상기 광 가이드 플레이트(72)로부터 입사된 광을 확산, 집광하여 표시 패널로 조사하게 된다.The light emitted from the
여기서, 상기 광학 시트(73)는 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 휘도 강화 필름 등에서 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 표시 패널(74)은 예컨대, LCD 패널로 구현될 수 있다.
Here, the
도 17 내지 도 19는 도 16에 개시된 발광 모듈의 발광 소자 어레이를 나타낸 도면들이다.17 to 19 are diagrams illustrating a light emitting device array of the light emitting module disclosed in FIG. 16.
도 17을 참조하면, 제1피크 파장 랭크(R1)를 갖는 제1발광 소자와 제2피크 파장 랭크(R2)를 갖는 제2발광 소자를 교대로 1열로 어레이할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1피크 파장 랭크(R1)와 제2피크 파장 랭크(R2)의 파장은 제로 섬 형태로 혼합되게 된다.
Referring to FIG. 17, the first light emitting device having the first peak wavelength rank R1 and the second light emitting device having the second peak wavelength rank R2 may be alternately arrayed in one column, but the embodiment is not limited thereto. . The wavelengths of the first peak wavelength rank R1 and the second peak wavelength rank R2 are mixed in a zero island form.
도 18을 참조하면, 제1피크 파장 랭크(R1)를 갖는 제1발광 소자, 제2피크 파장 랭크(R2)를 갖는 제2발광 소자, 임의의 피크 파장을 갖고 기준 색도 랭크(0)를 갖는 제3발광 소자를 교대로 1열로 어레이할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1피크 파장 랭크(R1), 제2피크 파장 랭크(R2) 및 임의의 피크 파장은 제로 섬 형태로 혼합되며, 그 혼합 랭크는 기준 피크 파장을 갖게 된다. Referring to FIG. 18, a first light emitting device having a first peak wavelength rank R1, a second light emitting device having a second peak wavelength rank R2, having an arbitrary peak wavelength and having a
도 19를 참조하면, 제1피크 파장 랭크(R1)를 갖는 제1발광 소자와 제2피크 파장 랭크(R2)를 갖는 제2발광 소자를 하나의 그룹으로 배치하고, 다른 그룹과의 이격(D3)과 이격시켜 준다. 여기서, 상기 제1 및 제2발광 소자 사이의 간격(D2)는 15~100mm 이며, 다른 그룹 간의 간격(D3)는 D2보다 넓은 간격으로 배치될 수 있다.Referring to FIG. 19, a first light emitting device having a first peak wavelength rank R1 and a second light emitting device having a second peak wavelength rank R2 are arranged in one group, and spaced apart from another group (D3). ) Here, the distance D2 between the first and second light emitting devices is 15 to 100 mm, and the distance D3 between other groups may be disposed at a wider distance than D2.
실시 예에 따른 발광소자 어레이는 가로등, 전조등, 조명등, 전광판 등에 설치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting device array according to the embodiment may be installed in a street lamp, a headlamp, a lamp, a signboard, and the like, but is not limited thereto.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiment, which is merely an example, and is not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be illustrated as above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.
40: 발광장치, 10,20,41,42,61,62,81,82: 발광소자, 50,70:표시장치, 51;라이트 유닛, 52:바텀 커버, 63,83:모듈 기판, 54,73:광학 시트, 55,74:표시 패널, 71:반사 플레이트, 72:광 가이드 플레이트, 80:발광모듈40: light emitting device, 10, 20, 41, 42, 61, 62, 81, 82: light emitting device, 50, 70: display device, 51; light unit, 52: bottom cover, 63, 83: module substrate, 54, 73: optical sheet, 55, 74: display panel, 71: reflecting plate, 72: light guide plate, 80: light emitting module
Claims (18)
상기 발광 소자의 어레이는 제1광의 제1피크 파장 랭크를 갖는 제1발광 소자와, 제1광의 제2피크 파장 랭크를 갖는 제2발광 소자의 파장이 서로 접근되도록 어레이되는 발광 장치.And a phosphor layer having a semiconductor light emitting element emitting a first light and a phosphor absorbing the first light and emitting a second light having a longer wavelength than the first light, by mixing the first light and the second light. An array of light emitting devices for emitting light of a first color,
And the array of light emitting devices is arranged such that wavelengths of a first light emitting device having a first peak wavelength rank of first light and a wavelength of a second light emitting device having a second peak wavelength rank of first light approach each other.
상기 제2피크 파장 랭크는 445~451nm인 발광 장치.The method of claim 4, wherein the first peak wavelength rank is 434nm ~ 441nm,
The second peak wavelength rank is 445 ~ 451nm light emitting device.
상기 제3피크 파장 랭크는 434nm ~ 451nm 범위에 있는 발광 장치.The light emitting device of claim 4, wherein the light emitting device array includes a third light emitting device having a third peak wavelength rank of the first light,
The third peak wavelength rank is in the range of 434nm to 451nm.
상기 발광 장치의 일측에 배치된 표시 패널을 포함하며,
상기 발광 소자 어레이는 제1광을 방출하는 반도체 발광소자 및 상기 제1광을 흡수하여 상기 제1광보다 장파장의 제2광을 발광하는 형광체를 갖는 형광체층을 포함하며, 상기 제1광과 제2광의 혼합에 의해 제1컬러의 광을 발광하는 발광 소자의 어레이를 포함하며,
상기 발광 소자의 어레이는 제1광의 제1피크 파장 랭크를 갖는 제1발광 소자와, 제1광의 제2피크 파장 랭크를 갖는 제2발광 소자의 파장이 서로 접근되도록 어레이되는 표시 장치.A light emitting device including a plurality of light emitting element arrays; And
A display panel disposed on one side of the light emitting device;
The light emitting device array includes a phosphor layer having a semiconductor light emitting device that emits first light and a phosphor that absorbs the first light and emits a second light having a longer wavelength than the first light, wherein the first light and the An array of light emitting elements for emitting light of a first color by mixing of two lights,
And the array of light emitting devices is arranged such that wavelengths of a first light emitting device having a first peak wavelength rank of first light and a wavelength of a second light emitting device having a second peak wavelength rank of first light approach each other.
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