KR20110108527A - 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼 - Google Patents
가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110108527A KR20110108527A KR1020100027762A KR20100027762A KR20110108527A KR 20110108527 A KR20110108527 A KR 20110108527A KR 1020100027762 A KR1020100027762 A KR 1020100027762A KR 20100027762 A KR20100027762 A KR 20100027762A KR 20110108527 A KR20110108527 A KR 20110108527A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- array
- micro
- layer
- sensing electrode
- gas sensor
- Prior art date
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 103
- 239000011540 sensing material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 103
- 238000003491 array Methods 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000007084 catalytic combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
- G01N27/127—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer comprising nanoparticles
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/128—Microapparatus
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
- G01N33/0036—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
Abstract
가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼이 개시된다. 일 실시예에 따른 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼은 멤브레인층에 마이크로 히터가 직렬연결된 마이크로 히터 어레이와 복수의 감지전극에 공통으로 연결되는 제1 공통전극을 포함하는 마이크로 히터 어레이층과, 제1 공통전극에 연결되는 제1 감지전극 어레이와 마이크로 히터 어레이층에 형성된 제2 공통전극에 연결되는 제2 감지전극 어레이를 포함하는 감지전극 어레이층 및 감지전극 어레이 영역을 제외한 절연층 상부에 형성된 감지물질 보호층을 포함한다. 이에 따라 가스센서 어레이 패키징 구조를 단순화시키고, 가스센서의 감도, 선택성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 패키징 구조를 단순화시키고, 가스센서의 감도, 선택성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼에 관한 것이다.
가스 센서는 크게 고체 전해질, 접촉 연소식, 전기 화학식, 반도체식으로 분류되나, 이 중에서 최근에 가장 많이 연구되고 있는 것이 반도체식 마이크로 가스센서이다. 이는 반도체식 마이크로 가스센서가 실리콘 칩 상에 제조되거나 집적됨으로써, 일반 IC와의 호환성이 뛰어나고, 저비용으로 제조할 수 있으며, 고효율의 동작 특성을 나타내기 때문이다.
상기 반도체식 마이크로 가스센서는 특정 가스가 가스 센서의 감지 물질에 흡착될 때 그 감지 물질의 전기 전도도가 변화하는데, 상기 전기 전도도의 변화를 측정함으로써, 일정 농도 이상의 가스 유무를 검출하게 된다.
도 1은 종래의 반도체식 마이크로 가스센서의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 마이크로 가스센서는 실리콘 기판(10) 상부에 단열막(20)이 형성되어 있고, 단열막(20) 상부에 가열 전극 패턴(30)이 형성되어 있다. 또한 가열 전극 패턴(30)을 감싸며, 단열막(20) 상부에 절연막(40)이 형성되어 있고, 실리콘 기판의 중앙 영역(11)의 절연막(40) 상부에 감지 전극 패턴(50)이 형성된다. 또한, 감지 전극 패턴(50)을 감싸며, 절연막(40) 상부에 감지막(60)이 형성되어 있다.
반도체식 마이크로 가스센서는 특정 가스가 반도체식 마이크로 가스센서의 감지막(60)에 흡착되어 원활한 동작을 하기 위해서는 특정 온도 이상의 온도를 유지해야하므로, 단열막(20) 상부에 형성된 가열 전극 패턴(30)은 감지막(60)이 최적의 감도를 나타낼 수 있는 온도까지 열을 발생시킨다.
가열 전극 패턴(30)에 의해 일정한 온도로 가열된 감지막(60)이 가스에 노출되면, 가스가 감지막(60)의 금속 산화물에 흡착되어 반응을 일으키게 되며 그로 인해 금속 산화물의 저항이 증가 또는 감소하게 된다. 상기 가스 흡착에 의해 발생하는 금속 산화물의 저항 변화를 감지 전극 패턴(50)이 측정하여 특정 가스를 검출하게 된다.
이와 같이 구성된 종래의 반도체식 마이크로 가스센서는 한 개의 마이크로 가스센서로 한 종류의 가스를 검출하기 때문에 다종의 가스를 검출하기 위해서는 복수 개의 가스 센서 소자들로 구성된 모듈을 사용해야 한다. 이 경우 복수 개의 가스 센서 소자가 사용되기 때문에 복잡한 회로 구성으로 인해 실장 밀도가 저하되며 부피가 증가하는 단점이 있었다.
또한, 복수 개의 가스 센서 소자를 각각 구동해야 하기 때문에 소비 전력이 증가하며, 가스 흐름의 불균일성을 초래하여 정확한 가스 농도의 검출이 어렵다는 단점이 있었다.
또한, 가열 전극 패턴 상부에 존재하는 감지 전극 패턴들이 각각 감지할 수 있는 온도조건들이 달라지는 경우에는 가스센서의 신뢰성을 저하할 수 있는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 가스센서 소자를 소형화시키고, 가스센서의 선택성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면에 따른 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼은 기판; 기판상에 형성되는 멤브레인층; 멤브레인층 상에 마이크로 히터가 서로 직렬연결된 마이크로 히터 어레이와 복수의 감지전극에 공통으로 연결되는 제1 공통전극을 포함하는 마이크로 히터 어레이층; 마이크로 히터 어레이층을 감싸며 멤브레인층 상부에 형성된 절연층; 제1 공통전극에 연결되는 감지전극 어레이와 절연층 상부에 형성되어 있는 제2 공통전극에 연결되는 감지전극 어레이를 포함하는 감지전극 어레이층 및 감지전극 어레이층의 감지전극 어레이 영역을 제외한 절연층 상부에 형성되어 감지전극 라인을 보호하고 가스 감지물질이 감지전극에만 접촉하도록 하는 감지물질 보호층을 포함한다.
마이크로 히터 어레이층은 멤브레인층 상에 복수의 마이크로 히터가 마이크로 히터 라인으로 직렬연결되어 형성되고, 양단이 제1 와이어 본딩 패드에 연결되어 있는 마이크로 히터 어레이; 및 마이크로 히터 어레이와 동일한 평면상에 형성되고 양단이 제1 와이어 본딩 패드에 연결되어 감지전극에 전원을 공급하는 제1 공통전극을 포함할 수 있다.
제1 공통전극은 일정한 간격만큼 상호 이격되어 수평방형으로 배열되어 있는 제1 마이크로 히터 어레이와 제2 마이크로 히터 어레이 사이에 형성되고, 양단이 상기 제1 와이어 본딩 패드에 연결되어 있다.
제1 마이크로 히터 어레이의 양단에 연결되어 있는 제1 와이어 본딩패드와 제2 마이크로 히터 어레이 양단에 연결되어 있는 제1 와이어 본딩 패드는 서로 분리되어 형성될 수 있다.
감지전극 어레이층은 일단이 감지전극 라인을 통해 제2 와이어 본딩 패드에 연결되고 타단이 마이크로 히터 어레이층에 존재하는 제1 공통전극과 연결되어 제1 공통전극으로부터 전원을 공급받는 복수의 제1 감지전극을 포함하는 제1 감지전극 어레이; 및 일단이 감지전극 라인을 통해 제2 와이어 본딩 패드에 연결되고 타단이 감지전극과 동일한 평면상에 형성되는 제2 공통전극과 연결되어 제2 공통전극으로부터 전원을 공급받는 복수의 제2 감지전극을 포함하는 제2 감지전극 어레이를 포함할 수 있다.
제1 감지전극의 라인과 상기 제1 공통전극이 마이크로 히터 어레이층과 감지전극 어레이 층을 관통하는 공통전극 연결부에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
감지전극은 백금(Pt) 또는 금(Au)으로 형성될 수 있다.
감지전극이 백금(Pt) 전극인 경우, 제1 와이어 본딩 패드 및 제2 와이어 본딩 패드에 사용되는 와이어는 알루미늄(Al)일 수 있다.
감지전극이 금(Au) 전극인 경우, 제1 와이어 본딩 패드 및 제2 와이어 본딩 패드에 사용되는 와이어는 알루미늄(Al) 또는 금(Au) 중 어느 하나일 수 있다.
기판은 실리콘 기판〈100〉이 사용될 수 있다.
멤브레인층은 실리콘 질화막(Si3N4) 또는 실리콘 산화질화막(SiON) 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
마이크로 히터의 재료는 백금(Pt)이 사용될 수 있다.
절연층은 실리콘 질화막(Si3N4)층 또는 실리콘 질화막(Si3N4)/실리콘 산화막(SiO2)층 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
감지물질 보호층은 실리콘 산화막(SiO2)층으로 형성될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명에 따르면 복수개의 마이크로 히터를 직렬연결하여 형성되는 마이크로 히터 어레이를 사용함으로써 가스센서가 검출하는 온도의 균일성을 확보할 수 있으며, 마이크로 히터의 전극 라인을 간소화 할 수 있다.
또한, 상기 마이크로 히터 어레이를 수평방향으로 병렬배열하고, 각각 배열된 마이크로 히터 어레이에 인가되는 전압을 달리하여 가스센서의 감도 및 선택성을 향상시킬 수 있다.
또한, 감지전극을 2층의 적층구조에 형성된 공통전극과 연결함으로써, 와이어 본딩의 수를 최적화할 수 있으며, 가스센서 어레이 패키징 구조를 단순화 시킬 수 있다.
도 1은 종래의 마이크로 가스센서의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 단위 가스센서의 확대 평면도이다.
도 4는 도 3에 단위 가스센서의 A-A' 단면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 마이크로 히터 어레이층의 평면도이다.
도 6은 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 절연층의 평면도이다.
도 7은 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 감지전극 어레이층의 평면도이다.
도 8a는 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼에서 감지전극과 제1 공통전극의 연결구조를 나타내는 평면도이다.
도 8b는 도 8a의 B-B' 단면도이다.
도 9는 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 감지물질 보호층의 평면도이다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼을 이용하여 다종의 가스 감지물질을 센싱하기 위하여 다종의 감지물질을 배열한 모습을 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 단위 가스센서의 확대 평면도이다.
도 4는 도 3에 단위 가스센서의 A-A' 단면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 마이크로 히터 어레이층의 평면도이다.
도 6은 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 절연층의 평면도이다.
도 7은 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 감지전극 어레이층의 평면도이다.
도 8a는 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼에서 감지전극과 제1 공통전극의 연결구조를 나타내는 평면도이다.
도 8b는 도 8a의 B-B' 단면도이다.
도 9는 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 감지물질 보호층의 평면도이다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼을 이용하여 다종의 가스 감지물질을 센싱하기 위하여 다종의 감지물질을 배열한 모습을 나타낸 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 평면도이다.
도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼(100)은 마이크로 히터와 상기 마이크로 히터에 대응되는 감지전극으로 구성되는 단위 가스센서(190)가 일정한 간격으로 배치되어 있다. 상기 마이크로 히터는 마이크로 히터 어레이층에 배열되어 있고, 상기 감지전극은 절연층을 사이에 두고 상기 마이크로 히터 어레이층과 수직의 적층구조로 배열되어 있다.
도 2에 도시된 바와 같이 마이크로 히터가 마이크로 히터 전극라인(132)을 통해 서로 직렬로 연결되어 하나의 마이크로 히터 어레이를 형성하며, 상기 마이크로 히터 어레이 각각의 마이크로 히터에 대응되는 감지전극을 포함하여 하나의 가스센서 어레이(193,194,195)를 형성한다.
제1 가스센서 어레이(193)는 제1 마이크로 히터 어레이와 상기 제1 마이크로 히터 어레이에 포함되는 각각의 마이크로 히터에 대응되는 감지전극들을 포함한다. 상기 제1 마이크로 히터 어레이의 양단은 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼(100)의 가장자리에 형성되는 와이어 본딩 패드(170)에 연결되어 있다. 상기 감지전극들의 일단은 제2 공통전극(182)에 연결되고, 타단은 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼(100)의 가장자리에 형성되는 와이어 본딩 패드(170)에 연결되어 있다.
제2 가스센서 어레이(193,194)에 포함되는 제2 마이크로 히터 어레이의 구성은 제1 가스센서 어레이(193)와 동일하지만, 제2 마이크로 히터에 대응되는 감지전극들은 그 연결구조에 있어서 제1 가스센서 어레이(193)와 다르다. 제2 가스센서 어레이(193,194)에 포함된 감지전극들이 연결되는 공통전극은 감지전극 어레이층에 존재하지 않고, 마이크로 히터 어레이층에 존재한다. 마이크로 히터 어레이층과 감지전극 어레이층 사이의 수직 연결구조에 의해 제2 가스센서 어레이(193,194)에 존재하는 감지전극이 마이크로 히터 어레이층에 존재하는 제1 공통전극과 연결되어 있다.
도 2에서의 가스센서 어레이는 가로 6개, 세로 3개가 하나의 가스센서 어레이 그룹을 형성하여, 18개의 단위 가스센서(191)들로 구성될 수 있으나, 상기 가스센서 어레이를 구성하는 단위 가스센서(191)의 수는 이에 한정되지 않고 다양한 목적으로 변형되어 실시될 수 있다. 한편, 하나의 가스센서 어레이 그룹을 상하로 연결하여 하나의 가스센서 어레이용 패키지로 제조될 수도 있다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이 18개의 단위 가스센서(191)로 구성되는 제1 가스센서 어레이 그룹과 18개의 단위 가스센서로 구성되는 제2 가스센서 어레이 그룹이 상하로 연결되어 하나의 가스센서 패키지로 제조되어 사용될 수 있다. 도 2에 도시된 가스센서 어레이 그룹들의 배열구조는 도 2에 도시된 사항에 한정되지 않고 다양하게 변형되어 실시될 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 단위 가스센서의 확대 평면도이다.
도 3을 참조하면, 전술한 바와 같이 단위 가스센서(191)는 하나의 마이크로 히터(131)와 이에 대응되는 하나의 감지전극(151)을 포함할 수 있다. 마이크로 히터(131)는 표면적을 넓혀 감지전극(151)에 열을 효율적으로 전달하기 위하여 일정한 크기의 선폭을 갖는 히터들로 구성될 수 있다. 한편, 상기 마이크로 히터(131)의 선폭은 일정하지 않고 중앙 부분이 가장자리 부분 보다 선폭이 넓게 형성될 수도 있다. 마이크로 히터(131)의 중앙부분의 선폭이 가장자리 부분의 선폭보다 넓게 형성하여 마이크로 히터의 동작 온도 분포를 균일하게 할 수 있다. 마이크로 히터(131)는 마이크로 히터 전극라인(132)과 연결되어 있다.
감지전극(151)은 하부의 마이크로 히터(131)가 차지하는 면적보다 크게 형성되는 것이 일반적이며, 도 3에 도시된 바와 같이 빗살무늬 형태로 형성될 수 있다. 감지전극(151)은 감지전극 라인(152)과 연결되어 있다.
도 4는 도 3에 도시된 단위 가스센서의 A-A' 단면도이다.
도 4를 참조하면, 단위 가스센서(191)는 기판(110)상에 마이크로 히터(131)에서 발생하는 열이 외부로 전달되어 손실되는 것을 방지하는 멤브레인층(120)이 형성되어 있다. 따라서 마이크로 히터의 구동에 따른 소비전력을 최소화 시킬 수 있다. 멤브레인층(120)은 LPCVD 또는 PECVD 공정을 이용하여 실리콘 질화막(Si3N4) 또는 실리콘 산화질화막(SiON) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 기판은 실리콘 기판〈100〉이 사용될 수 있다.
멤브레인(121) 상부에는 마이크로 히터 어레이층을 구성하고 있는 마이크로 히터(131)가 형성된다. 멤브레인층(120) 상부에는 마이크로 히터(131)와 감지전극(151)을 전기적으로 절연시키기 위한 절연층(140)이 형성된다. 절연층(140)은 “감지전극 감지전극/절연층(Si3N4)/맴브레인”또는“감지전극/절연층(Si3N4/SiO2)/맴브레인”구조로 형성될 수 있다.
마이크로 히터(131)에 대응되는 위치의 절연층(140) 상부에는 감지전극(151)이 형성되어 있고, 마이크로 히터(131)에 대응되지 않는 위치의 절연층(140) 상부에는 감지물질 보호층(160)이 형성된다. 감지물질 보호층(160)은 습식식각이 용이한 실리콘 산화막(SiO2)이 사용될 수 있다.
감지물질 윈도우(161)는 감지전극 라인을 보호하고, 가스 감지물질(210)이 감지전극(131)에만 접촉될 수 있도록 감지물질 보호층(160)을 식각하여 형성될 수 있다. 감지전극 라인이 외부의 이물질로부터 오염 및 부식을 방지할 수 있고, 외부의 노이즈 신호를 차단하여 가스센서의 감도(sensitivity)를 향상시킬 수 있다.
도 5는 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 마이크로 히터 어레이층의 평면도이다.
도 5를 참조하면, 마이크로 히터 어레이층(130)은 멤브레인 상에 형성되는 마이크로 히터가 서로 직렬연결되어 하나의 마이크로 히터 어레이를 형성하고, 이와같이 형성된 복수의 마이크로 히터 어레이가 수평방향으로 병렬 배열되어 있다.
마이크로 히터(131)가 마이크로 히터 전극라인(132)을 통해 서로 직렬연결되어 하나의 마이크로 히터 어레이를 형성한다. 마이크로 히터 어레이의 양단은 마이크로 히터 전극라인(132)을 통해 제1 와이어 본딩 밴드(171)에 각각 연결되어 있다. 제1 와이어 본딩 밴드(171)로부터 소정의 전압을 인가받으면, 서로 직렬로 연결된(도 5에서는 6개의 마이크로 히터(131_1,131_2,131_3,131_4,131_5,131_6)가 직렬연결되어 있음) 마이크로 히터(131)에 흐르는 전류가 동일하여 하나의 마이크로 히터 어레이에 포함된 마이크로 히터들은 균일한 온도 분포의 특성을 가질 수 있다. 이와 같은 마이크로 히터 어레이를 통한 마이크로 히터의 균일한 온도 분포는 가스센서의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.
또한, 전술한 바와 같이 하나의 마이크로 히터 어레이 양단에 제1 와이어 본딩 패드가 형성되어 있으며, 이들 제1 와이어 본딩 패드는 개별 마이크로 히터 어레이마다 서로 분리되어 있다. 따라서 제1 마이크로 히터 어레이 양단에서 인가하는 전원(전압 또는 전류)과 상기 제1 마이크로 히터 어레이와 병렬로 배열된 제2 마이크로 히터 어레이 양단에서 인가하는 전원의 크기를 달리하여 서로 다른 마이크로 히터 어레이의 온도 분포를 달리 설정할 수 있다.
이와 같이 마이크로 히터를 상호 직렬연결함으로써 마이크로 히터 전극라인의 수를 줄일 수 있으며, 이에 따라 가스센서 소자를 소형화할 수 있다. 또한, 마이크로 히터 어레이 양단에 인가하는 전원을 달리 셋팅하여 다종의 가스를 감지할 수 있다.
한편, 제1 공통전극(181)은 마이크로 히터 어레이층(130)에 형성되어 있고, 제2 공통전극(182, 도 7 참조)은 감지전극 어레이층(150)에 형성되어 2층의 감지전극의 공통전극 구조를 형성한다. 제1 공통전극(181)은 일정한 간격만큼 상호 이격되어 마이크로 히터 어레이(131_a,131_b)와 수평방향으로 배열되어 있다. 또한, 제1 공통전극(181)은 제1 마이크로 히터 어레이(131_a)와 제2 마이크로 히터 어레이(131_b) 사이에 형성될 수 있으며, 양단이 제1 와이어 본딩 패드(171)에 연결되어 있다.
이에 따라 도 5에 도시된 마이크로 히터의 상부층에 1:1로 대응되도록 감지전극을 배치할 수 있게 된다. 예컨대, 도 7을 참조하여 설명하면, 절연층(140) 상의 감지전극 어레이층(150)에 형성되는 감지전극 어레이 배열이 마이크로 히터 어레이와 적층의 수직구조로 형성되어 있다. 따라서, 도 5에 도시된 바와 같이 마이크로 히터 어레이와 평행하게 배치되어 있는 제1 공통전극(181)을 도 7의 감지전극 어레이층에 동일하게 적용할 수가 없다. 따라서, 마이크로 히터 어레이 배열과 감지전극 어레이 배열을 함께 고려하여 감지전극 어레이층(150)에 배열된 감지전극 어레이 중에서 제1 감지전극 어레이(151_a)는 제2 공통전극(182)과 연결하고, 제1 감지 전극 어레이(151_a)를 제외한 나머지 제2 감지 전극 어레이(151_b)들은 마이크로 히터 어레이층(130)의 제1 공통전극(181)과 연결한다.
제2 감지 전극 어레이(151_b)와 제1 공통전극(181)은 서로 다른 평면상에 존재하기 때문에, 감지전극 어레이층(150)과 마이크로 히터 어레이층(130)을 수직 관통하여 제2 감지 전극 어레이(151_b)와 제1 공통전극(181)를 상호 연결할 수 구조가 필요하다. 이는 도 8a 및 도 8b에서 후술한다.
이와 같이 복수의 가스센서 어레이를 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 구조로 배열하여, 가스센서의 수를 보다 많이 사용하면서도 감지전극을 하나의 공통전극으로 연결함으로써, 가스센서 소자를 소형화할 수 있게된다.
도 6은 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 절연층의 평면도이다.
도 6을 참조하면, 기판상에 마이크로 히터와 감지전극을 전기적으로 절연시키기 위하여 절연막을 형성한 후, 마이크로 히터 와이어 본딩 패드를 오픈하기 위한 와이어 본딩 패드 오픈 윈도우(173)가 형성된다. 와이어 본딩 패드 오픈 윈도우(173)는 제1 와이어 본딩 패드(171)와 제2 와이어 본딩 패드(172, 도 7 참조) 사이에 위치할 수 있다. 또한 절연층(140)의 상부에 형성된 감지전극(151)과 마이크로 히터 어레이층(130)에 존재하는 제1 공통전극(181)을 연결하기 위하여 감지전극의 공통전극 연결 윈도우(141)를 형성할 수 있다.
도 7은 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 감지전극 어레이층의 평면도이다.
도 5 및 도 7을 참조하면, 감지전극 어레이는 복수의 감지전극(151)들로 구성되어 있으며, 감지전극 어레이층(150)의 모든 감지전극(151)들은 일단이 제2 와이어 본딩 패드(172)에 연결되어 있다. 그러나 나머지 타단의 경우, 감지전극 배열구조에 따라 마이크로 히터 어레이층(130)에 존재하는 제1 공통전극(181)에 연결되거나, 감지전극 어레이층(150)과 동일한 평면상에 형성되어 있는 제2 공통전극(182)에 연결될 수 있다.
제2 공통전극(182) 아래에 배열되어 있는 제1 감지전극 어레이(151_a)는 감지전극 라인(152_b)이제2 공통전극(182)과 직접적으로 연결될 수 있는 구조이다. 그러나, 제1 감지전극 어레이(151_a)를 제외한 나머지 제2 감지 전극 어레이(151_b)들은 제2 공통전극(182)과 연결될 수 없고, 제1 공통전극(181)과 연결된다.
도 7에서는 감지전극(151) 배열의 일 실시예를 나타낸 것이며, 본 발명은 감지전극(151)들을 도 7과 달리 배열하는 할 수 있음을 배제하지 않으며, 나아가 감지전극 라인(152) 상에서 감지전극(151)의 상대적인 위치를 변경함으로써 제1 감지전극 어레이(151_a) 및 제2 감지전극 어레이(151_b)에 포함된 모든 감지전극들을 제2 공통전극(182)에 연결할 수도 있을 것이다. 예컨대, 도 7에 도시된 바와 같이 감지전극 라인(152)들 중에서 수직으로 꺽인 부분이 존재하나, 모든 감지전극 라인(152)을 일직선으로 형성하여 배치하고, 감지전극라인(152) 상에 위치하는 감지전극(151)들의 상대적인 위치만을 조절함으로써 모든 감지전극(151)들을 제2 공통전극(182)에 연결할 수도 있을 것이다.
한편, 제2 와이어 본딩 패드(172)는 도 5에 도시된 제1 와이어 본딩 패드(171)의 위치에 대응하도록 연속하여 적층함으로써 와이어 본딩의 두께를 증가시켜 와이어 본딩의 효과를 높일 수 있다.
감지전극(151)의 재료는 감지전극(151)의 산화, 부식을 방지하기 위하여 금(Au) 또는 백금(Pt)이 사용될 수 있으며, 감지전극(151), 감지전극 라인(152), 제2 와이어 본딩 패드(172)는 동일한 재료를 사용할 수 있다. 와이어 본딩 패드의 재료가 금(Au) 인 경우, 와이어 본딩에 사용되는 와이어는 알루미늄(Al) 또는 금(Au) 와이어를 사용하며, 와이어 본딩 패드의 재료가 백금(Pt)인 경우, 와이어 본딩에 사용되는 와이어는 알루미늄(Al) 와이어를 사용하는 것이 바람직하다.
도 8a는 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼에서 감지전극과 제1 공통전극의 연결구조를 나타내는 평면도이고, 도 8b는 도 8a의 B-B' 단면도이다.
도 5, 도 7, 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 감지전극 어레이 중에서 제2 감지전극 어레이(151_b)를 마이크로 히터 어레이층(130)의 제1 공통전극(181)과 연결하기 위해서는 마이크로 히터 어레이층(130)과 감지전극 어레이 층(150)을 수직 관통하는 공통전극 연결부(141)가 필요하다. 제2 감지전극 어레이(151_b)의 감지전극 라인(152_a)과 제1 공통전극(181)을 공통전극 연결부(141)를 통해 전기적으로 연결할 수 있다.
도 9는 도 2에 도시된 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼의 감지물질 보호층의 평면도이다. 도9를 참조하면, 절연층 위에 형성된 감지전극 라인들을 보호하고, 가스 감지물질이 감지전극에만 접촉할 수 있도록 하기 위해 감지물질 보호층 층(160)을 식각하여 감지물질 윈도우(161)를 형성한다. 감지전극 라인(152)의 오염과 부식을 방지하여 외부의 노이즈 신호를 차단하고, 가스센서의 정확한 감지특성을 확보하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 감지물질 보호층(160) 외각을 일부 식각하여 도 5 및 도 7의 제1 와이어 본딩 패드(171)와 제2 와이어 본딩 패드(172)가 외부로 노출될 수 있도록 한다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼을 이용하여 다종의 가스 감지물질을 센싱하기 위하여 다종의 감지물질을 배열한 모습을 나타낸 것이다.
도 10a을 참조하면, 제1 마이크로 히터 어레이(211)에 포함된 모든 감지전극에 제1 감지물질(201)을 배열하고, 제2 마이크로 히터 어레이(212)에 포함된 모든 감지전극에 제2 감지물질(202)을 배열한다. 모든 마이크로 히터 어레이에 이와 같은 방법으로 소정의 감지물질들을 배열한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼에 도 10a와 동일한 방법으로 감지물질을 배열하면, 동일 온도에서 동일 물질로 이루어진 복수 개의 가스센서로부터 동시에 센싱 데이터를 얻을 수 있다. 따라서, 상기 데이터들을 평균값 또는 중앙값 등으로 통계처리하여 측정 데이터의 신뢰성을 높일 수 있다.
도 10b는 제1 마이크로 히터 어레이(211)에 포함된 각각의 감지전극에 서로 다른 종류의 감지물질(201,202,203,204,205,206)을 배열한다. 제2 마이크로 히터 어레이(211) 또한 각각의 감지전극에 서로 다른 종류의 감지물질을 동일한 순서로(201,202,203,204,205,206) 배열한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼에 10b와 같이 동일온도에서 서로 다른 감지물질을 배열하였기 때문에 각각의 감지물질(201,202,203,204,205,206)마다 다른 특성을 갖는 복수의 데이터를 동시에 얻을 수 있다. 따라서, 다종의 가스 측정하기 위한 가스센서의 선택성을 높일 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼 110: 기판
120: 멤브레인층 130: 마이크로 히터 어레이층
131: 마이크로 히터 140: 절연층
141: 공통전극 연결부 150: 감지전극 어레이층
151: 감지전극 160: 감지물질 보호층
161: 감지물질 윈도우 170: 와이어 본딩 패드
171: 제1 와이어 본딩 패드 172: 제2 와이어 본딩 패드
173: 와이어 본딩 패드 오픈윈도우 210: 감지물질
120: 멤브레인층 130: 마이크로 히터 어레이층
131: 마이크로 히터 140: 절연층
141: 공통전극 연결부 150: 감지전극 어레이층
151: 감지전극 160: 감지물질 보호층
161: 감지물질 윈도우 170: 와이어 본딩 패드
171: 제1 와이어 본딩 패드 172: 제2 와이어 본딩 패드
173: 와이어 본딩 패드 오픈윈도우 210: 감지물질
Claims (14)
- 기판;
상기 기판상에 형성되는 멤브레인층;
상기 멤브레인층 상에 마이크로 히터가 서로 직렬연결된 마이크로 히터 어레이와 복수의 하기 감지전극에 공통으로 연결되는 제1 공통전극을 포함하는 마이크로 히터 어레이층;
상기 마이크로 히터 어레이층을 감싸며 상기 멤브레인층 상부에 형성된 절연층;
상기 제1 공통전극에 연결되는 감지전극 어레이와 상기 절연층 상부에 형성되어 있는 제2 공통전극에 연결되는 감지전극 어레이를 포함하는 감지전극 어레이층; 및
상기 감지전극 어레이층의 감지전극 어레이 영역을 제외한 상기 절연층 상부에 형성되어 감지전극 라인을 보호하고, 상기 가스 감지물질이 상기 감지전극에만 접촉하도록 하는 감지물질 보호층
을 포함하는 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼. - 제1항에 있어서, 상기 마이크로 히터 어레이층은
상기 멤브레인층 상에 복수의 마이크로 히터가 마이크로 히터 라인으로 직렬 연결되어 형성되고, 양단이 제1 와이어 본딩 패드에 연결되어 있는 마이크로 히터 어레이; 및
상기 마이크로 히터 어레이와 동일한 평면상에 형성되고 양단이 상기 제1 와이어 본딩 패드에 연결되어 감지전극에 전원을 공급하는 제1 공통전극
을 포함하는 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼. - 제2항에 있어서, 상기 제1 공통전극은
일정한 간격만큼 상호 이격되어 수평방향으로 배열되어 있는 제1 마이크로 히터 어레이와 제2 마이크로 히터 어레이 사이에 형성되고, 양단이 상기 제1 와이어 본딩 패드에 연결되어 있는 것인 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼. - 제3항에 있어서,
상기 제1 마이크로 히터 어레이의 양단에 연결되어 있는 상기 제1 와이어 본딩패드와 상기 제2 마이크로 히터 어레이 양단에 연결되어 있는 상기 제1 와이어 본딩 패드는 서로 분리되어 있는 것인 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼. - 제1항에 있어서, 상기 감지전극 어레이층은
일단이 감지전극 라인을 통해 제2 와이어 본딩 패드에 연결되고 타단이 상기 마이크로 히터 어레이층에 존재하는 제1 공통전극과 연결되어 상기 제1 공통전극으로부터 전원을 공급받는 복수의 제1 감지전극을 포함하는 제1 감지전극 어레이; 및
일단이 감지전극 라인을 통해 제2 와이어 본딩 패드에 연결되고 타단이 상기 감지전극과 동일한 평면상에 형성되는 제2 공통전극과 연결되어 상기 제2 공통전극으로부터 전원을 공급받는 복수의 제2 감지전극을 포함하는 제2 감지전극 어레이
를 포함하는 것인 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼. - 제5항에 있어서, 상기 제1 감지전극은
상기 제1 감지전극의 라인과 상기 제1 공통전극이 상기 마이크로 히터 어레이층과 상기 감지전극 어레이 층을 관통하는 공통전극 연결부에 의해 전기적으로 연결되어 있는 것인 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼. - 제1항에 있어서, 상기 감지전극은
백금(Pt) 또는 금(Au)으로 형성되는 것인 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼. - 제2항 또는 제5항에 있어서,
상기 감지전극이 백금(Pt) 전극인 경우, 상기 제1 와이어 본딩 패드 및 상기 제2 와이어 본딩 패드에 사용되는 와이어는 알루미늄(Al)인 것인 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼. - 제2항 또는 제5항에 있어서,
상기 감지전극이 금(Au) 전극인 경우, 상기 제1 와이어 본딩 패드 및 상기 제2 와이어 본딩 패드에 사용되는 와이어는 알루미늄(Al) 또는 금(Au)인 것인 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼. - 제1항에 있어서, 상기 기판은
실리콘 기판〈100〉인 것인 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼. - 제1항에 있어서, 상기 멤브레인층은
실리콘 질화막(Si3N4) 또는 실리콘 산화질화막(SiON) 중 어느 하나를 포함하여 형성되는 것인 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼. - 제1항에 있어서,
상기 마이크로 히터의 재료는 백금(Pt)인 것인 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼. - 제1항에 있어서, 상기 절연층은
실리콘 질화막(Si3N4)층 또는 실리콘 질화막(Si3N4)/실리콘 산화막(SiO2)층 중 어느 하나로 형성되는 것인 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼. - 제1항에 있어서, 상기 감지물질 보호층은
실리콘 산화막(SiO2)층으로 형성되는 것인 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100027762A KR101135404B1 (ko) | 2010-03-29 | 2010-03-29 | 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100027762A KR101135404B1 (ko) | 2010-03-29 | 2010-03-29 | 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110108527A true KR20110108527A (ko) | 2011-10-06 |
| KR101135404B1 KR101135404B1 (ko) | 2012-04-17 |
Family
ID=45026089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100027762A KR101135404B1 (ko) | 2010-03-29 | 2010-03-29 | 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101135404B1 (ko) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101447234B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2014-10-07 | 전자부품연구원 | 가스 센서 및 그 제조 방법 |
| KR101498594B1 (ko) * | 2013-06-14 | 2015-03-05 | 전자부품연구원 | 접촉 연소식 가스센서 및 가스센서 제조 방법 |
| KR101720570B1 (ko) * | 2016-03-25 | 2017-03-29 | 연세대학교 산학협력단 | 가스센서 어레이 및 그 제조방법 |
| KR20190012373A (ko) * | 2017-07-27 | 2019-02-11 | 전자부품연구원 | 단열구조를 갖는 가스센서와 가스센서 어레이 및 그 제조방법 |
| KR20190014981A (ko) * | 2017-08-04 | 2019-02-13 | 전자부품연구원 | 마이크로 가스센서 어레이 및 그 제조방법 |
| CN111272828A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-06-12 | 合肥微纳传感技术有限公司 | 一种mems气体传感器及其阵列和制备方法 |
| CN111289582A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-06-16 | 合肥微纳传感技术有限公司 | 一种mems气体传感器及其阵列、气体检测和制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970002501B1 (ko) * | 1993-11-11 | 1997-03-05 | 엘지전자 주식회사 | 가스센서 및 그 제조방법 |
| JP4590764B2 (ja) | 2001-03-28 | 2010-12-01 | 株式会社デンソー | ガスセンサ及びその製造方法 |
| KR100609764B1 (ko) * | 2004-04-03 | 2006-08-08 | 동서대학교산학협력단 | 가스 감지 디바이스 어레이 및 그 제조방법 |
| KR100843169B1 (ko) | 2006-12-26 | 2008-07-02 | 전자부품연구원 | 마이크로 가스센서 어레이 및 그 제조방법 |
-
2010
- 2010-03-29 KR KR1020100027762A patent/KR101135404B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101447234B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2014-10-07 | 전자부품연구원 | 가스 센서 및 그 제조 방법 |
| KR101498594B1 (ko) * | 2013-06-14 | 2015-03-05 | 전자부품연구원 | 접촉 연소식 가스센서 및 가스센서 제조 방법 |
| KR101720570B1 (ko) * | 2016-03-25 | 2017-03-29 | 연세대학교 산학협력단 | 가스센서 어레이 및 그 제조방법 |
| KR20190012373A (ko) * | 2017-07-27 | 2019-02-11 | 전자부품연구원 | 단열구조를 갖는 가스센서와 가스센서 어레이 및 그 제조방법 |
| KR20190014981A (ko) * | 2017-08-04 | 2019-02-13 | 전자부품연구원 | 마이크로 가스센서 어레이 및 그 제조방법 |
| CN111272828A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-06-12 | 合肥微纳传感技术有限公司 | 一种mems气体传感器及其阵列和制备方法 |
| CN111289582A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-06-16 | 合肥微纳传感技术有限公司 | 一种mems气体传感器及其阵列、气体检测和制备方法 |
| CN111289582B (zh) * | 2020-03-26 | 2022-03-11 | 微纳感知(合肥)技术有限公司 | 一种mems气体传感器及其阵列、气体检测和制备方法 |
| CN111272828B (zh) * | 2020-03-26 | 2022-04-12 | 微纳感知(合肥)技术有限公司 | 一种mems气体传感器及其阵列、制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101135404B1 (ko) | 2012-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101135404B1 (ko) | 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼 | |
| KR100843169B1 (ko) | 마이크로 가스센서 어레이 및 그 제조방법 | |
| KR101805784B1 (ko) | 마이크로 히터 및 마이크로 센서 및 마이크로 센서 제조방법 | |
| US9625407B2 (en) | Catalysis combustion type gas sensor | |
| JP2009529695A (ja) | 熱式気体質量流量センサおよびそれを形成する方法 | |
| JP5490208B2 (ja) | 半導体ガスセンサ | |
| KR101135400B1 (ko) | 마이크로 가스센서 어레이 | |
| JP4458135B2 (ja) | 液体性状センサ | |
| KR20160035781A (ko) | 가스센서 어레이 | |
| US7721599B2 (en) | Reduced resistance thermal flow measurement device | |
| KR102609714B1 (ko) | 센서 | |
| US10705064B2 (en) | Micro sensor package | |
| EP3584569B1 (en) | Gas sensor with bridge structure | |
| JP5009867B2 (ja) | ガスセンサ | |
| US20200284633A1 (en) | Fluid sensor | |
| US20190064094A1 (en) | Gas sensor and gas sensor package having the same | |
| KR101939914B1 (ko) | 가스센서 패키지 및 그의 조립방법 | |
| CN214041233U (zh) | 一种低功耗mems氢气传感器 | |
| WO2021176793A1 (ja) | サーモパイル型センサ | |
| US11215647B2 (en) | SiC semiconductor device with current sensing capability | |
| JP2006084231A (ja) | 容量式湿度センサ及びその製造方法 | |
| KR20190012373A (ko) | 단열구조를 갖는 가스센서와 가스센서 어레이 및 그 제조방법 | |
| KR102631601B1 (ko) | 접촉 연소식 가스 센서용 감지 소자 및 이를 포함하는 접촉 연소식 가스 센서 | |
| KR102625936B1 (ko) | 가스 센싱 소자 | |
| JP2000230845A (ja) | マイクロヒータ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150109 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151224 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |