KR20110103777A - 플렉서블 기판을 포함하는 광기전력 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 광기전력 장치는 플렉서블 기판, 상기 플렉서블 기판 상에 위치하는 제1 전극 및 제2 전극 및 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 위치하는 하나 이상의 단위전지를 포함하며, 상기 제1 전극은 투명 도전성 산화물층을 포함하고, 상기 투명 도전성 산화물층의 표면에는 요철이 형성되고, 상기 요철의 평균 피치에 대한 실효 거칠기의 비는 0.05 이상 0.13 이하이다.

Description

플렉서블 기판을 포함하는 광기전력 장치 및 이의 제조 방법{PHOTOVOLTAIC DEVICE INCLUDING FLEXIBLE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 실시예는 플렉서블 기판을 포함하는 광기전력 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지원에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양광 에너지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목 받고 있다.
태양광 에너지를 전기 에너지로 직접 변환시켜주는 장치가 광기전력 장치, 즉 태양전지이다. 광기전력 장치는 주로 반도체 접합의 광기전력 현상을 이용한다. 즉, p형과 n형 불순물로 각각 도핑된 반도체 pin 접합에 빛이 입사되어 흡수되면 빛의 에너지가 반도체 내부에서 전자와 홀을 발생시키고 내부 전계에 의해 이들이 분리됨으로써 pin 접합 양단에 광기전력이 발생된다. 이 때 접합 양단에 전극을 형성하고 도선을 연결하면 전극 및 도선을 통하여 외부로 전류가 흐르게 된다.
석유와 같은 기존의 에너지원을 태양광 에너지원으로 대체해 가기 위해서는 광기전력 장치가 높은 광전변환효율을 제공해야 한다.
본 발명은 광전변환효율을 높일 수 있는 광기전력 장치 및 광기전력 장치의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 광기전력 장치는 플렉서블 기판, 상기 플렉서블 기판 상에 위치하는 제1 전극 및 제2 전극 및 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 위치하는 하나 이상의 단위전지를 포함하며, 상기 제1 전극은 투명 도전성 산화물층을 포함하고, 상기 투명 도전성 산화물층의 표면에는 요철이 형성되고, 상기 요철의 평균 피치에 대한 실효 거칠기의 비는 0.05 이상 0.13 이하이다.
본 발명의 광기전력 장치의 제조 방법은 플렉서블 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 하나 이상의 단위전지를 형성하는 단계, 상기 하나 이상의 단위전지 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 전극의 형성은 상기 제1 전극의 증착과, 상기 제1 전극에 대한 드라이 에칭이 반복적으로 이루어진다.
본 발명은 제1 전극에 대한 드라이 에칭이 반복적으로 이루어짐으로써 광전변환효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치 및 광기전력 장치의 제조 방법을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치의 제1 전극 및 제2 전극의 형성 과정을 나타낸다.
도 3 및 도 4는 에칭 전후의 투명 도전성 산화물층의 표면에 형성된 요철을 나타낸다.
다음으로 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치 및 광기전력 장치의 제조 방법을 나타낸다. 도 1에 도시된 제조시스템은 플렉서블 기판(100)을 포함하는 광기전력 장치를 제조하기 위한 것이다. 플렉서블 기판(100)은 롤(미도시)에 감겨 있으며, 롤의 회전에 따라 플렉서블 기판(100)이 풀리면서 공정챔버들(L1, I0~I4, L2) 내부로 이동한다. 플렉서블 기판(100)은 금속 포일(foil)이나 폴리머 기판일 수 있으며, 투광성을 지닐 수도 있다.
제1 전극(110)이 플렉서블 기판(100) 상에 형성된다.
제1 전극(110)이 형성된 플렉서블 기판(100)이 공정챔버들(L1, I0~I4, L2)로 이동한다. 공정챔버들(L1, I0~I4, L2)에서 단위전지가 형성된다. 단위전지는 제1 도전성 반도체층(120), 진성 반도체층(130) 및 제2 도전성 반도체층(140)을 포함하며, 제1 도전성 반도체층(120), 진성 반도체층(130) 및 제2 도전성 반도체층(140)은 각각 공정챔버(L1), 공정챔버들(I0~I4) 및 공정챔버(L2)에서 형성된다.
제1 도전성 반도체층(120) 및 제2 도전성 반도체층(140)이 각각 p 타입 반도체층 및 n 타입 반도체층인 경우 공정챔버(L1)에는 수소 가스 및 실란 가스와 더불어 3족 불순물 가스가 유입될 수 있고 공정챔버(L2)에는 수소 가스 및 실란 가스와 더불어 5족 불순물 가스가 유입될 수 있다. 이러한 p-i-n 타입 광기전력 장치는 기판(100)을 통하여 빛이 입사된다.
또한 제1 도전성 반도체층(120) 및 제2 도전성 반도체층(140)이 각각 n 타입 반도체층 및 p 타입 반도체층인 경우 공정챔버(L2)에는 수소 가스 및 실란 가스와 더불어 5족 불순물 가스가 유입될 수 있고 공정챔버(L2)에는 수소 가스 및 실란 가스와 더불어 3족 불순물 가스가 유입될 수 있다. 이러한 n-i-p 타입 광기전력 장치는 기판(100) 맞은 편을 통하여 빛이 입사된다.
본 발명의 실시예에서는 하나의 단위전지를 포함하는 광기전력 장치에 대해서 설명되었으나, 또다른 단위전지를 형성하기 위한 공정챔버 추가시 복수의 단위전지를 포함하는 탄뎀형 광기전력 장치의 제조가 가능하다.
단위전지가 형성된 후 제2 전극(150)이 단위전지 상에 형성된다. 이에 따라 하나 이상의 단위전지가 제1 전극(110) 및 제2 전극(150) 사이에 위치된다.
제1 전극(110)의 형성에 대한 설명은 별도의 도면을 참조하여 이후에 상세하게 설명될 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치의 제1 전극 및 제2 전극의 형성 과정을 나타낸다. 도 2에 도시된 바와같이, 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치의 제1 전극(110)은 다단계로 형성될 수 있다. 즉, 제1 전극(110)의 형성은 제1 전극(110)의 증착과, 증착된 제1 전극(100)의 드라이 에칭 (dry etching)이 반복적으로 이루어진다. 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치는 플렉서블 기판(100)을 포함한다. 폴리머와 같은 플렉서블 기판(100)은 화학적 에칭 (chemical etching)에 의하여 기판 모양이 변형되거나 파손될 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예의 경우 드라이 에칭이 이루어짐으로써 플렉서블 기판(100)을 보호할 수 있다.
예를 들어, 투명 도전성 산화물층을 포함하는 제1 전극(110)이 공정챔버(E11)에서 증착되고, 증착된 제1 전극(110)에 대한 에칭공정이 공정챔버(E12)에서 이루어진다. 이러한 제1 전극(110)의 증착 및 에칭이 공정챔버들(E13, E14)에서 반복적으로 이루어질 수 있다. 이에 따라 공정챔버(E13)에서의 전극의 두께는 공정챔버(E11)에서의 전극 두께보다 크다.
한편, 본 발명의 실시예가 n-i-p 타입 광기전력 장치인 경우, 빛은 기판(100) 맞은 편의 제2 전극(150)을 통하여 입사된다. 따라서 제1 전극(110)은 투광성을 지닐 수도 있으며 투광성을 지니지 않을 수도 있다.
제1 전극(110)이 투광성을 지니지 않을 경우, 제1 전극(110)의 일부는 금속과 같은 불투명 물질층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(110)의 일부가 금속층과 같은 불투명 물질층을 포함할 경우, 불투명 물질층과 플렉서블 기판(100) 사이의 접착력을 증가시키기 위하여 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 전극(110)은 불투명 물질층과 플렉서블 기판(100) 사이에 위치하는 투명 도전성 산화물층을 포함할 수 있다.
만약 제1 전극(110)이 불투명 물질층을 포함하지 않을 경우, 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치는 도 2의 공정챔버(E15) 없이 제조 가능하다.
제1 전극(110)이 ZnO나 ITO와 같은 투명 도전성 산화물층을 포함할 경우, 투명 도전성 산화물층의 표면에는 요철이 형성된다. 즉, 화학기상증착법 (CVD : Chemical Vapor Deposition)으로 투명 도전성 산화물층이 증착될 경우 투명 도전성 산화물층의 표면에는 도 3과 같은 요철이 형성된다.
도 3에 나타난 바와 같이, 화학기상증착법으로 제1 전극(110)이 증착되면, 피라미드 모양의 요철(3)이 제1 전극(110)의 표면에 형성된다. 수소화된 마이크로결정 실리콘(μc-Si:H)으로 이루어진 제1 도전성 반도체층(120)과 진성 반도체층(130)이 이와 같은 제1 전극(110) 상에 형성될 경우, 제1 도전성 반도체층(120)과 진성 반도체층(130) 제1 전극(110)의 요철 표면에 따라 증착된다.
이 때 제1 전극(110)의 요철 중 'V'자형의 계곡 형상을 지닌 부분(112)은 크랙과 같이 작용하여 마이크로 결정의 형성을 방해하고, 비정질의 인큐베이션막(400) 및 큰 체적의 입자경계(500)를 형성한다. 인큐베이션막(400) 및 입자경계(5)는 마이크로결정 실리콘에서 광생성된 전자-정공쌍 재결합의 중심으로 작용하여 광기전력 장치의 전체적인 특성을 저하시킨다.
따라서 본 발명의 실시예에서는 제1 전극(110) 표면에 요철이 형성된 후 에칭 공정이 이루어진다. 전극 표면의 요철에 대한 에칭이 이루어지면 도 4와 같은 광기전력 장치가 형성될 수 있다.
즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 피라미드 모양의 표면 요철이 에칭 공정을 통하여 완만하게 된다. 이에 따라 날카로운 피라미드 모양의 표면요철이 'U'자형의 완만한 표면요철로 변형된다. 이와 같이 완만한 표면요철을 지닌 제1 전극(20) 상에 마이크로결정 실리콘이 증착될 경우 마이크로 결정의 형성이 원활하게 이루어지고 비정질의 인큐베이션막(400) 및 큰 체적의 입자경계(500)가 감소하므로 광기전력 장치의 특성이 향상된다.
따라서 수소 플라즈마 또는 알곤 플라즈마를 이용하여 에칭이 이루어지므로 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치의 진성 반도체층(130)은 수소화된 마이크로 결정 실리콘을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서 수소 플라즈마 에칭이나 알곤(argon) 플라즈마 에칭이 공정챔버(E12, E14)에서 이루어질 수 있다. 수소 플라즈마 에칭의 경우 수소 플라즈마가 에칭 뿐만 아니라 입자경계의 결함을 패시베이션시킬 수 있다. 이에 따라 캐리어의 이동도가 향상되고 대기 중에서 전기 전도도의 안정성이 향상된다. 또한 수소는 ZnO와 같은 투명 도전성 산화물의 얕은 준위 도너 (shallow donor)이므로 제1 전극(110)의 n 타입 캐리어의 전도성을 향상시킬 수 있다.
이와 같이 형성된 제1 전극(110)의 투명 도전성 산화물층 표면에 형성된 요철의 평균 피치(pitch)에 대한 실효 거칠기(Root Mean Square roughness)의 비는 0.05 이상 0.13 이하일 수 있다. 요철의 피치는 도 4에 도시된 바와 같이, 인접한 2개의 돌출부 사이의 거리(L)로서 요철의 평균 피치는 이러한 개별 피치들의 평균값이다. 실효 거칠기는 AFM (Atomic Force Microscope)으로 표면 단차를 일정 면적에서 측정한 후 다음 식을 통하여 구할 수 있다.
실효 거칠기=
Figure pat00001
이 때 Xi는 측정된 단차이고,
Figure pat00002
는 평균 단차이다.
평균 피치(pitch)에 대한 실효 거칠기가 0.05보다 작으면 투명 도전성 산화물층이 과도하게 평탄화되어 제1 전극(110)에 의한 빛 산란 효과나, 기판(100)과 불투명 물질층(111)과의 접착력이 감소할 수 있다. 또한 평균 피치(pitch)에 대한 실효 거칠기가 0.13보다 크면 요철이 지나치게 거칠어져 비정질의 인큐베이션막(400) 및 큰 체적의 입자경계(500)가 형성될 수 있다.
이와 같이 요철의 평균 피치에 대한 실효 거칠기의 비가 0.05 이상 0.13 이하일 경우, 투명산화물층의 두께는 1 ㎛ 이상 4 ㎛일 수 있고, 1회의 증착 및 에칭을 통하여 형성된 투명산화물층의 두께는 250 nm 이상 1000 nm 이하일 수 있다.
수소 플라즈마에 의한 에칭 및 패시베이션에 따라 형성된 제1 전극(110)의 투명산화물층에 대한 XRD (X-Ray Diffraction) θ-2θ geometry 측정시 (11
Figure pat00003
0) 평면에 대한 피크(peak)가 (0002) 평면 및 (10
Figure pat00004
0) 평면의 피크보다 우세할 경우 피라미드 형태의 요철이 형성되므로 에칭에 의하여 요철의 평균 피치(pitch)에 대한 실효 거칠기(Root Mean Square roughness)의 비가 0.05 이상 0.13 이하일 수 있다.
수소 플라즈마에 의한 에칭 및 패시베이션에 따라 형성된 투명산화물층이 ZnO로 이루어진 경우, XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)나 AUGER 전자분광기, SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometer)에 의하여 ZnO의 깊이에 대한 구조 및 조성 분석시 Zn/O의 비율은 1.1 이상 1.3 이하일 수 있다. Zn/O의 비율이 1.3 이하이며 빛의 투과율이 급격히 하락하는 것이 방지되고, Zn/O의 비율이1.1 이상이면 전기 전도도의 급격한 하락이 방지될 수 있다.
수소 플라즈마에 의한 에칭 및 패시베이션에 따라 형성된 투명산화물층이 ZnO로 이루어진 경우, 투명산화물층의 수소함유농도는 1019/cm3 이상 1021/ cm3 이하일 수 있다. 앞서 설명된 바와 같이, 수소는 ZnO의 얕은 준위 도너로서 ZnO의 전도도를 향상시키며 산소 공공(oxygen vacancy)과 같은 결함을 패시베이션시킬 수 있다. 수소함유농도는 1019/cm3 보다 작으면 ZnO의 전도도를 향상 및 패시베이션 작용이 저하될 수 있다. 수소함유농도가 1021/ cm3 보다 크면 불순물산란(impurity scattering)에 의한 이동도가 저하되고 자유 캐리어의 흡수에 의한 1000 nm 이상의 장파장 영역의 빛의 투과율이 감소할 수 있다.
수소 플라즈마에 의한 에칭 및 패시베이션에 따라 형성된 투명산화물층의 비저항은 2ⅹ10-3 Ωcm 이하이고, 이동도는 25 cm2/Vsec 이상일 수 있다. 본 발명의 실시예에서의 투명산화물층은 수소 플라즈마에 의하여 에칭 및 패시베이션이 이루어지므로 비저항이 감소하고 캐리어의 이동도가 향상됨을 알 수 있다.
이와 같이 본 발명의 실시예에서 수소 플라즈마에 의하여 에칭 및 패시베이션이 이루어진 결과 투명산화물층의 헤이즈 비(haze ratio)는 600 nm 의 빛에서 5 % 이상 20 % 이하일 수 있다. 또한 투명산화물층의 투과율은 400 nm 이상 800 nm 이하의 빛에서 80 % 이상일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 광기전력 장치의 경우, 제1 전극(110)의 양측면들 중 빛이 입사되는 측에 가까운 일측면과 접촉하는 ZnMgO 층이 더 포함될 수 있다. 이에 따라 p-i-n 타입 광기전력 장치의 경우 ZnMgO 층은 플렉서블 기판(100)과 제1 전극(110) 사이에 위치하고, n-i-p 타입 광기전력 장치의 경우에도 ZnMgO 층은 플렉서블 기판(100)과 제1 전극(110) 사이에 위치할 수 있다. ZnMgO 층의 굴절률은 투명산화물층의 굴절률보다 작으므로 빛이 입사할 때 ZnMgO 층을 통하여 투명산화물층으로 입사할 때 빛의 반사가 줄어든다. 이 때, Zn 소스(source)는 수소, 산소 및 Zn을 포함하는 금속 유기 용액이 사용될 수 있고, Mg 소스는 Mg 을 포함하는 금속 유기 용액이 일 수 있으며, O 소스는 물이나 알코올 등이 사용될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100 : 플렉서블 기판 110 : 제1 전극
120 : 제1 도전성 반도체층 130 : 진성 반도체층
140 : 제2 도전성 반도체층 150 : 제2 전극
E11~E14, L1, I0~I4, L2 : 공정챔버

Claims (22)

  1. 플렉서블 기판;
    상기 플렉서블 기판 상에 위치하는 제1 전극 및 제2 전극; 및
    상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 위치하는 하나 이상의 단위전지를 포함하며,
    상기 제1 전극은 투명 도전성 산화물층을 포함하고,
    상기 투명 도전성 산화물층의 표면에는 요철이 형성되고,
    상기 요철의 평균 피치에 대한 실효 거칠기의 비는 0.05 이상 0.13 이하인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 불투명 물질층과, 상기 불투명 물질층과 상기 플렉서블 기판 사이에 위치하는 투명 도전성 산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 단위전지의 진성 반도체층은 수소화된 마이크로결정 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 투명산화물층을 포함하고,
    상기 투명산화물층의 두께는 1 ㎛ 이상 4 ㎛인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 투명산화물층을 포함하고,
    상기 투명산화물층에 대한 XRD θ-2θ geometry 측정시 (11
    Figure pat00005
    0) 평면에 대한 피크(peak)가 (0002) 평면 및 (10
    Figure pat00006
    0) 평면의 피크보다 우세한 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 ZnO로 이루어진 투명산화물층을 포함하고, Zn/O의 비율은 1.1 이상 1.3 이하인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 ZnO로 이루어진 투명산화물층을 포함하고,
    상기 투명산화물층의 수소함유농도는 1019/cm3 이상 1021/ cm3 이하인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 투명산화물층을 포함하고,
    상기 투명산화물층의 비저항은 2ⅹ10-3 Ωcm 이하이고, 이동도는 25 cm2/Vsec 이상인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 투명산화물층을 포함하고,
    상기 투명산화물층의 헤이즈 비는 600 nm 의 빛에서 5 % 이상 20 % 이하이고,
    상기 투명산화물층의 투과율은 400 nm 이상 800 nm 이하의 빛에서 80 % 이상인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극의 양측면들 중 빛이 입사되는 측에 가까운 일측면과 접촉하는 ZnMgO 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치.
  11. 플렉서블 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 하나 이상의 단위전지를 형성하는 단계;
    상기 하나 이상의 단위전지 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 전극의 형성은 상기 제1 전극의 증착과, 상기 제1 전극에 대한 드라이 에칭이 반복적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 전극은 불투명 물질층과, 상기 불투명 물질층과 상기 플렉서블 기판 사이에 위치하는 투명 도전성 산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 단위전지의 진성 반도체층은 수소화된 마이크로결정 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 에칭은 수소 플라즈마에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제1 전극의 투명 도전성 산화물층 표면에 형성된 요철의 평균 피치에 대한 실효 거칠기의 비는 0.05 이상 0.13 이하인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 제1 전극은 투명산화물층을 포함하고,
    상기 투명산화물층의 두께는 1 ㎛ 이상 4 ㎛인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 제1 전극은 투명산화물층을 포함하고,
    상기 투명산화물층에 대한 XRD θ-2θ geometry 측정시 (11
    Figure pat00007
    0) 평면에 대한 피크(peak)가 (0002) 평면 및 (10
    Figure pat00008
    0) 평면의 피크보다 우세한 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 제1 전극은 ZnO로 이루어진 투명산화물층을 포함하고, Zn/O의 비율은 1.1 이상 1.3 이하인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 제1 전극은 ZnO로 이루어진 투명산화물층을 포함하고,
    상기 투명산화물층의 수소함유농도는 1019/cm3 이상 1021/ cm3 이하인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 제1 전극은 투명산화물층을 포함하고,
    상기 투명산화물층의 비저항은 2ⅹ10-3 Ωcm 이하이고, 이동도는 25 cm2/Vsec 이상인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  21. 제11항에 있어서,
    상기 제1 전극은 투명산화물층을 포함하고,
    상기 투명산화물층의 헤이즈 비는 600 nm 의 빛에서 5 % 이상 20 % 이하이고,
    상기 투명산화물층의 투과율은 400 nm 이상 800 nm 이하의 빛에서 80 % 이상인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  22. 제11항에 있어서,
    상기 제1 전극의 양측면들 중 빛이 입사되는 측에 가까운 일측면과 접촉하는 ZnMgO 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조방법.
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