KR20110080799A - 양성자 전도성 막, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 연료전지 - Google Patents

양성자 전도성 막, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 연료전지 Download PDF

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KR20110080799A
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Abstract

양성자 전도성 막, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 연료전지가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 일 이상의 관통홀을 포함하는 금속 산화막, 및 상기 일 이상의 관통홀에 충진되어 있는 중합체(polymer)를 포함하는 양성자 전도성 막이 제공된다.

Description

양성자 전도성 막, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 연료전지{PROTON CONDUCTING MEMBRANE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND FUEL CELL COMPRISING THE SAME}
본 발명은 양성자 전도성 막, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 연료전지에 관한 것으로, 양극 산화 반응을 통해 간편한 방법으로 제조될 수 있으면서도 양성자 전도율이 뛰어나며, 수분량에 따른 구조적 변성이 적은 양성자 전도성 막, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 연료전지에 관한 것이다.
최근 환경문제, 에너지원 고갈 및 연료전지 자동차의 실용화와 더불어 높은 에너지 효율을 가지며 상온에서 작동이 가능하면서도 신뢰성이 높은 고성능 연료전지에 대한 개발이 요구되고 있다.
이러한 추세와 더불이 연료전지에 통상적으로 포함되는 전도성 막에 대한 개발 또한 요구되고 있는 상황이다.
연료전지는 연료 가스와 산화제 가스를 전기화학적으로 반응시켜 생기는 에너지를 직접 전기에너지로 변환시키는 새로운 전기에너지 발생 시스템이다. 이러한 연료전지의 종류로는 500℃~700℃의 고온에서 작동하는 용융탄산염 전해질형 연료전지, 200℃ 근방에서 작동하는 인산 전해질형 연료전지, 상온 내지 약 100℃이하에서 작동하는 알칼리 전해질형 연료전지 및 고분자 전해질형 연료전지 등을 들 수 있다.
한편, 상기 고분자 전해질형 연료전지로는 수소 가스를 연료로 사용하는 수소 이온 교환막 연료전지(PEMFC; Proton Exchange Membrane Fuel Cell) 및 액상의 메탄올을 직접 연료로 애노드에 공급하여 사용하는 직접 메탄올 연료전지(DMFC; Direct Methanol Fuel Cell) 등이 있다. 이러한 고분자 전해질형 연료전지는 화석 에너지를 대체할 수 있는 미래의 청정에너지원으로서, 출력밀도 및 에너지 전환효율이 높다. 또한, 상온에서 작동가능하고 소형화 및 밀폐화가 가능하므로 무공해 자동차, 가정용 발전시스템, 이동통신장비, 의료기기, 군사용 장비, 우주사업용 장비 등의 분야에 폭넓게 사용가능하다는 장점이 있다.
고분자 전해질형 연료전지의 기본 구조는 애노드와 캐소드 사이에 양성자 전도성 막(즉, 수소이온 교환막)이 개재되어 있는 기본 구조를 갖는다.
양성자 전도성 막은 통상적으로 50㎛ 내지 200㎛의 두께를 갖으며, 고체 고분자 전해질로 이루어져 있을 수 있다. 이러한 고분자 전해질형 연료전지의 동작 원리를 간단히 설명하면 다음과 같다. 반응기체인 수소가 공급되면 애노드에서는 산화반응이 일어나 수소 분자가 수소 이온과 전자로 전환되는데, 이 때 수소 이온은 양성자 전도성 막을 통해 캐소드로 전달되게 된다. 한편, 캐소드에서는 환원 반응이 일어나 산소 분자가 전자를 받아 산소 이온으로 전환되며, 산소 이온은 애노드로부터 전달된 수소 이온과 반응하여 물분자로 전환된다.
여기서, 양성자 전도성 막에는 높은 이온 전도도, 전기 화학적 안전성, 전도막으로서의 기계적 물성, 작동 온도에서의 열적안정성, 얇은 막으로서의 제조 가능성 등이 요구된다. 현재, 통상적으로는, 주사슬에 불소화 알킬렌을 가지고 있고, 불소화비닐 에테르 측쇄사슬의 말단에 술폰산기를 가지는 과풀루오로설폰산 고분자(perfluorosulfonic acid polymer)막이 사용되고 있다. 그러나, 이러한 불소계 막은 불소 치환 공정이 복잡하기 때문에 제조단가가 매우 높아지는 단점이 있고, 수분 함유량에 따라 팽창도의 변화가 커 물리적으로 변성되는 문제와 함께 온도에 따라 이온 전도도 또한 급격히 저하되는 문제점 또한 갖고 있다. 한편, 이와는 다른 양성자 전도성 막으로서 폴리아릴렌이써 계열의 고분자막이 있으나, 기계적 물성이 열악하고, 전지의 수명을 짧게 한다는 문제점을 갖고 있다.
한편, 양성자 전도성 막과 애노드 사이 및 양성자 전도성 막과 캐소드 사이에는 촉매층이 형성될 수 있는데, 통상적으로 이러한 촉매층은 다음과 같은 방식으로 만들어진다. 즉, 탄소 분말에 촉매 모액을 담지하여 형성되는 잉크 상태의 촉매액을 양성자 전도성 막에 바름으로써 촉매층이 형성되는데, 이러한 방식에 따르면 탄소 분말을 통해 형성되는 촉매층 두께 만큼의 저항이 생길 수 밖에 없게 되고, 이에 따라 전체적인 전지의 효율이 낮아지는 문제점이 생길 수 밖에 없었다.
따라서, 제조 단가가 낮으면서도 제조가 쉽고, 높은 이온 전도도, 전기 화학적 안전성을 가지며, 높은 효율을 갖는 연료전지용 양성자 전도성 막에 대한 개발이 시급한 실정이다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 양극 산화 반응, 에칭 공정, 폴리머 충진 공정만으로 이루어지는 간소화된 공정만으로도 제조될 수 있으면서도 높은 이온 전도성을 갖음과 동시에 온도와 습도의 변화에 대해 구조적으로 안정성을 갖는 양성자 전도성 막, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 연료전지를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 연료전지에 있어서 양성자 전도성 막의 표면에 촉매 모액을 바로 담지하여 촉매층을 형성시킴으로써 촉매층 형성을 위한 다른 구성물질에 따른 저항 발생을 제거하여 높은 효율을 가지는 연료전지를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 일 이상의 관통홀을 포함하는 금속 산화막, 및 상기 일 이상의 관통홀에 충진되어 있는 중합체(polymer)를 포함하는 양성자 전도성 막이 제공된다.
한편, 상술한 목적으로 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따르면, (a) 전도성 금속판에 대해 양극 산화 반응을 발생시켜 상기 전도성 금속판의 상부 영역에 다공질 구조를 갖는 산화막층을 형성하는 단계, (b) 상기 산화막층의 하단 영역 이하를 제거하되, 제거된 후에 얻어지는 산화막층의 두께가 상기 다공질 구조를 형성하는 구멍 중 적어도 하나의 깊이보다 얇게 형성되도록 제거하여 적어도 하나의 관통홀을 포함하는 산화막층을 얻는 단계, 및 (c) 상기 적어도 하나의 관통홀에 중합체를 충진시키는 단계를 포함하는 양성자 전도성 막의 제조 방법이 제공된다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 양성자 전도성 막을 포함하여 구성되는 연료전지가 제공될 수 있다.
한편, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 중합체가 충진되어 있는 일 이상의 관통홀을 갖는 양성자 전도성 막을 제조하는 단계, 및 상기 양성자 전도성 막의 표면에 촉매 모액을 담지시켜 촉매층을 형성하는 단계를 포함하는 연료전지의 제조 방법이 제공될 수 있다.
본 발명에 따르면, 간소화된 공정만으로도 높은 이온 전도성을 갖음과 동시에 온도와 습도의 변화에 대해 구조적으로 안정성을 갖는 양성자 전도성 막이 제조될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 양성자 전도성 막의 표면에 촉매 모액을 바로 담지하는 방법을 통해 연료전지의 촉매층이 형성되기 때문에 촉매층 형성을 위한 별도 구성물질 부가에 따른 저항 발생 문제를 해결할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 양성자 전도성 막의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 양성자 전도성 막에 있어서 양성자의 이동 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 양성자 전도성 막의 제조 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 양성자 전도성 막을 포함하는 연료전지의 구성을 나타내는 단면도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
[본 발명의 바람직한 실시예]
양성자 전도성 막의 구조
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 양성자 전도성 막의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 1에 도시되는 바와 같이, 본 발명의 양성자 전도성 막(100)은 일 이상의 관통홀(111)을 포함하는 산화막(110) 및 산화막(110)에 형성되어 있는 일 이상의 관통홀(111)에 충진되어 있는 중합체(polymer; 120)을 포함하여 구성된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 산화막(110)은 소정 금속의 산화물(oxide)로 이루어져 있을 수 있다. 여기서 소정 금속이라 함은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 철(Fe) 또는 금속에 다른 원소가 첨가되어 생성된 합금 등일 수 있으나, 이에 제한되지 않음은 물론이다.
한편, 이러한 산화막(110)에는 일 이상의 관통홀(111)이 형성되어 있을 수 있다. 관통홀(111)에는 중합체(120)가 충진되어 있을 수 있는데, 이러한 중합체(120)가 충진되어 있는 관통홀(111)이 양성자의 이동 경로가 된다. 도 2는 이러한 양성자의 이동 과정에 대해 상세히 설명하기 위한 도면이다. 도 2를 참조하면, 중합체(120)는 유황 중합체, 즉, 서퍼(sulfur)기를 종단에 포함하고 있는 중합체일 수 있다. 중합체(120)에 포함되는 서퍼(sulfur)기는 음 이온성을 가지므로, 양성자(H+)를 끌어당기는 힘을 갖게 된다. 도 2에 도시되는 바와 같이, 중합체(120)의 종단에 서퍼기가 차례로 형성되어 있기 때문에, 이를 따라 양성자(H+)가 이동할 수 있게 된다. 즉, 도 2의 상부 방향에서 양성자(H+)가 산화막(110)의 관통홀(111)로 인입된다면, 해당 양성자(H+)는 차례로 형성되어 있는 서퍼기를 따라 도면상 아래 방향으로 점핑(jumping)을 하게 되고, 이에 따라 관통홀(111)의 윗 방향에서 아래 방향으로 이동할 수 있게 되는 것이다.
이하에서는, 이러한 특징을 갖는 양성자 전도성 막의 제조 방법에 대해 설명하기로 한다.
양성자 전도성 막의 제조 방법
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 양성자 전도성 막의 제조 과정을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명에 따른 양성자 전도성 막의 제조를 위해서는 먼저 도 3a에 도시되는 바와 같이, 전도성 금속판(310)과 전도성 금속선(320)을 준비한다. 전도성 금속판(310)과 전도성 금속선(320)는 외부를 탈지하여 준비한다. 탈지법으로서는 산 용액을 이용한 통상의 탈지법 등이 이용될 수 있다. 그 후, 탈지한 금속판(310)과 금속선(320)을 에칭하여 금속 산화물들을 제거한다. 에칭 방법으로는 염기 에칭법 등의 통상의 에칭법이 이용될 수 있다. 여기서 전도성 금속판(310)과 전도성 금속선(320)의 구성 물질인 금속은 위에서 설명한 바와 같은 금속, 즉, 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 철(Fe) 또는 금속에 다른 원소가 첨가되어 생성된 합금 등일 수 있다. 또한, 여기서는 금속판(310)과 금속선(320)인 것으로 설명을 하였으나, 금속판(310)은 후에 양성자 전도성 막(100)의 산화막(110; 도 1 참조)이 될 부분으로서 제조 하고자 하는 막의 형상에 따라 달리 변형될 수 있으며, 금속선(320) 또한 선 형상에 한정되는 것이 아니며, 이와는 다른 판 형상 또는 입체 도형 형상 등일 수 있다. 한편, 전도성 금속판(310) 및 전도성 금속선(320)을 준비하는 것만으로도 본 발명의 양성자 전도성 막을 제조 하기 위한 준비 과정으로서는 충분하며, 상기 설명한 탈지 과정 또는 에칭 과정은 얼마든지 생략될 수 있다.
전도성 금속판(310) 및 전도성 금속선(320)이 준비되면, 도 3b에 도시되는 바와 같이, 전도성 금속판(310)과 전도성 금속선(320)에 전류를 인가하되, 전도성 금속판(310)에는 양극 전류, 전도성 금속선(320)에는 음극 전류를 가한다. 이 때, 양극과 음극 사이, 즉, 전도성 금속판(310)과 전도성 금속선(320) 사이에는 전해액을 흘려주어 양극 산화 반응이 발생할 수 있도록 한다. 전해액으로서는 저온의 황산 용액 또는 염기성 용액이 이용될 수 있다. 양극 산화 반응의 과정 중에는 음극 전류가 인가된 전도성 금속선(320) 주위에서 수소가 발생하고, 양극 전류가 인가된 전도성 금속판(310) 주위에서는 산소가 발생하게 되는데, 이러한 산소가 금속판(310)과 반응함으로써 금속판(310)이 산화되게 된다.
도 3c는 이러한 양극 산화 반응을 거친 금속판(310)의 변형물을 나타내는 단면도이다.
도 3c에 도시되는 바와 같이, 양극 산화 반응의 결과 금속판(310)의 표면, 즉, 산화가 활발히 이루어진 부분에는 다수의 구멍이 형성되어 다공질 구조가 형성되게 된다. 그 결과 금속판(310)은 다공질 구조를 포함하는 산화막층(311)과 산화가 활발히 이루어지지 않은 금속층(312)을 포함하게 된다. 여기서 다공질 구조를 형성하는 구멍의 깊이, 즉, 산화막층(311)의 높이는 양극 산화 반응의 강도 또는 그 시간에 따라 달라질 수 있는데, 제조하고자 하는 산화막(110; 도 1 참조)의 두께에 따라 반응 강도 또는 시간 등을 제어함으로써 구멍의 깊이를 조절할 수 있다. 또한, 부분적으로만 양극 산화 반응을 발생시켜 금속판(310) 중 적어도 일부는 상부 영역에 산화막층(311)이 형성되지 않도록 할 수도 있다. 즉, 산화막층(311)의 높은 취성으로 인해 깨지기 쉬운 특성을 보상하기 위해 일부분의 금속판(310)은 그대로 남겨놓아 구조적 강성을 유지할 수도 있다. 일례로서, 격자 또는 이와 유사한 형태로 산화막층(311)이 형성되는 부분을 선택할 수 있다.
양극 산화 반응의 결과 금속판(310)이 도 3c에 도시되는 바와 같이 변형이 되면, 도 3d에 도시되는 바와 같이 산화막층(311)과 금속층(312)이 맞닿아 있는 부분을 절단하되, 산화막층(311)의 두께가 다공질 구조를 형성하는 구멍의 깊이보다는 얇도록 절단한다. 즉, 도면상 A-A'로 표현되는 절단선을 따라 절단한다. 산화막층(311)의 두께가 다공질 구조를 형성하는 구멍의 깊이보다 얇도록 절단하는 이유는 상기 구멍들의 최하단 부분 이하를 절단함으로써 산화막층(311)에 다수의 관통홀이 형성될 수 있도록 하기 위함이다. 절단의 방법으로는 통상의 에칭법 등이 이용될 수 있다. 즉, 에칭법 등을 이용하여 금속층(312)으로부터 산화막층(311)에 형성되는 다수 구멍의 최하단 부분까지를 제거함으로써 산화막층(311)과 금속층(312)이 인접하는 부분을 절단하는 것과 같은 결과를 낼 수 있다.
이렇게 하여 다수의 관통홀을 포함하는 산화막층(311)이 형성되면, 도 3e에 도시되는 바와 같이 관통홀에 중합체(330)를 충진시킨다. 앞서 설명한 바와 같이 중합체(330)로서는 종단에 서퍼기를 갖는 유황 중합체 등이 이용될 수 있다. 이렇게 함으로써, 본 발명에 따른 양성자 전도성 막이 얻어질 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 양성자 전도성 막을 포함하는 연료전지에 대해 간단히 설명하기로 한다.
연료전지
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 양성자 전도성 막을 포함하는 연료전지의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4에 도시되는 바와 같이, 본 발명의 연료전지(400)는 애노드(410)와 캐소드(420), 그 사이에 개재되는 양성자 전도성 막(430), 및 양성자 전도성 막(430)과 애노드(410) 및 캐소드(420) 사이에 형성되는 촉매층(440)을 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 연료전지는 수소 이온 교환막 연료전지(PEMFC; Proton Exchange Membrane Fuel Cell) 또는 직접 메탄올 연료전지(DMFC; Direct Methanel Fuel Cell)로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 촉매층(440)은 양성자 전도성 막(430)의 표면에 바로 형성시킬 수 있다. 즉, 양성자 전도성 막(430)의 표면에 촉매 모액을 바로 담지함으로써 촉매층(440)을 형성시킬 수 있다. 여기서, 촉매 모액으로서는 귀금속 또는 비귀금속 계열의 촉매 모액이 사용될 수 있다. 일례로서는, 백금, 루테늄, 로듐 중 선택되는 적어도 하나의 귀금속 계열 촉매 모액 또는 그 혼합물이 이용될 수 있다.
이러한 본 발명의 연료전지 제조 방법에 따르면 양성자 전도성 막(430) 상에 촉매 모액을 직접적으로 담지시킴으로써 촉매층(440)을 형성시키기 때문에, 촉매층 형성을 위한 별도의 물질(예를 들면, 탄소 분말 등) 부가에 따른 저항이 없어지게 되며, 이에 따라 자연히 전체적인 전지의 효율이 향상될 수 있게 된다.
한편, 촉매층(440)은 이상에서 설명한 방법으로도 형성될 수 있으나, 종래기술에서와 같이 분말(예를 들면, 탄소 분말)을 이용하여 잉크 상태로 된 촉매 모액을 양성자 전도성 막(430)에 바르는 방법 등에 의해서도 형성될 수 있음은 물론이다.
이상에서 본 발명이 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다.
따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
110: 산화막
111: 관통홍
120: 중합체
310: 전도성 금속판
320: 전도성 금속선
311: 산화막층
312: 금속층

Claims (12)

  1. 일 이상의 관통홀을 포함하는 금속 산화막, 및
    상기 일 이상의 관통홀에 충진되어 있는 중합체(polymer)를 포함하는 양성자 전도성 막.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속 산화막은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 철(Fe) 또는 합금 중 선택되는 적어도 하나에 대한 금속 산화막인 것을 특징으로 하는 양성자 전도성 막.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 중합체는 서퍼(sulfur)기를 종단에 포함하고 있는 중합체인 것을 특징으로 하는 양성자 전도성 막.
  4. (a) 전도성 금속판에 대해 양극 산화 반응을 발생시켜 상기 전도성 금속판의 상부 영역에 다공질 구조를 갖는 산화막층을 형성하는 단계,
    (b) 상기 산화막층의 하단 영역 이하를 제거하되, 제거된 후에 얻어지는 산화막층의 두께가 상기 다공질 구조를 형성하는 구멍 중 적어도 하나의 깊이보다 얇게 형성되도록 제거하여 적어도 하나의 관통홀을 포함하는 산화막층을 얻는 단계, 및
    (c) 상기 적어도 하나의 관통홀에 중합체를 충진시키는 단계를 포함하는 양성자 전도성 막의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 (a) 단계는,
    별도의 전도성 금속을 준비하여 상기 전도성 금속판에는 양극 전류, 상기 전도성 금속에는 음극 전류를 인가하고, 상기 전도성 금속과 상기 전도성 금속판 사이에 전해액을 가하여 양극 산화 반응을 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양성자 전도성 막의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 전도성 금속판은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 철(Fe) 또는 합금 중 선택되는 적어도 하나의 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양성자 전도성 막의 제조 방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 (b) 단계는 에칭법을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 양성자 전도성 막의 제조 방법.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 중합체는 서퍼(sulfur)기를 종단에 포함하고 있는 중합체인 것을 특징으로 하는 양성자 전도성 막의 제조 방법.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 양성자 전도성 막을 포함하는 연료전지.
  10. 중합체가 충진되어 있는 일 이상의 관통홀을 갖는 양성자 전도성 막을 제조하는 단계, 및
    상기 양성자 전도성 막의 표면에 촉매 모액을 담지시켜 촉매층을 형성하는 단계를 포함하는 연료전지의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 양성자 전도성 막을 제조하는 단계는,
    전도성 금속판에 대해 양극 산화 반응을 발생시켜 상기 전도성 금속판의 상부 영역에 다공질 구조를 갖는 산화막층을 형성하는 단계,
    상기 산화막층의 하단 영역 이하를 제거하되, 제거된 후에 얻어지는 산화막층의 두께가 상기 다공질 구조를 형성하는 구멍 중 적어도 하나의 깊이보다 얇게 형성되도록 제거하여 적어도 하나의 관통홀을 포함하는 산화막층을 얻는 단계, 및
    상기 적어도 하나의 관통홀에 중합체를 충진시키는 단계를 포함하는 연료전지의 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 촉매 모액은 귀금속 또는 비귀금속 계열의 촉매 모액인 것을 특징으로 하는 연료전지의 제조 방법.
    제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되는 양성자 전도성 막을 포함하는 연료전지.
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