KR20110078193A - 듀얼 필터를 이용한 클리닝 방법 - Google Patents
듀얼 필터를 이용한 클리닝 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110078193A KR20110078193A KR1020090134936A KR20090134936A KR20110078193A KR 20110078193 A KR20110078193 A KR 20110078193A KR 1020090134936 A KR1020090134936 A KR 1020090134936A KR 20090134936 A KR20090134936 A KR 20090134936A KR 20110078193 A KR20110078193 A KR 20110078193A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- filter
- pressure
- cleaning
- line
- dual
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 7
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 claims description 6
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 11
- 238000001914 filtration Methods 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
- B01D46/90—Devices for taking out of action one or more units of multi-unit filters, e.g. for regeneration or maintenance
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
- B01D46/42—Auxiliary equipment or operation thereof
- B01D46/4272—Special valve constructions adapted to filters or filter elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
- B01D46/42—Auxiliary equipment or operation thereof
- B01D46/44—Auxiliary equipment or operation thereof controlling filtration
- B01D46/446—Auxiliary equipment or operation thereof controlling filtration by pressure measuring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
본 발명은 듀얼 필터를 이용한 클리닝 기술에 관한 것으로, 필터의 막힘 현상으로 인해 필터 클리닝에 소요되는 시간을 듀렁 필터 방식의 적용으로 필터 클리닝을 실시하여 장비의 다운을 방지하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 듀얼 필터를 통한 장비의 라이프 타임을 증대 시킬 수 있으며, 일정 차압을 압력 센서가 순환 라인의 루프 모니터링을 수행함으로써, 사전에 실리카 파티클로 인한 웨이퍼 잔여물발생을 HF 클리닝을 통해서 사전에 예방할 수 있다.
나이트라이드 스트립 공정, 듀얼 필터, 클리닝
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조 기술에 관한 것으로서, 특히 나이트라이드 스트립(Nitride strip) 공정에서 필터링 수행 시 듀얼 필터를 통해 장비의 다운 없이 클리닝을 수행하는데 적합한 듀얼 필터를 이용한 클리닝 방법에 관한 것이다.
일반적으로 나이트라이드 스트립 공정에서는 하나의 필터를 사용함으로써 나이트라이드에 의해 필터 막힘 현상이 발생하는 경우, 필터 HF 클리닝을 실시하여 장비가 클리닝을 완료하기 전까지는 다운 되므로 가동율에 영향을 미치게 되고, 이로 인한 생산량 저하를 유발하고 있다.
도 1은 종래기술에 따른 나이트라이드 식각용 H3PO4 케미칼에서 사용 전후의 필터를 도시한 도면이다.
도 1에서 (a)는 나이트라이드 식각용 H3PO4 케미칼에서 사용된 필터(멤브레인(Membrane))이며, (b)는 사용되지 않은 필터로서, (a)와 같은 필터의 경우 나이트라이드에 의한 필터 막힘이 발생하여 클리닝을 수행하게 된다.
도 2는 종래기술에 따른 나이트라이드 스트립 공정장비의 구조를 간략히 도 시한 도면이다.
도 2를 참조하면, H3PO4 용기(bath)에 저장된 H3PO4 용액은 펌프(102)를 통해 히터(heater)(104)를 통과하며, 이때 필요에 따라 혹 기설정된 온도로 열처리가 수행될 수 있다. 이후, 히터(104)로부터 열처리된 H3PO4 용액은 H3PO4 필터(106)를 통해 필터링되어 H3PO4 용기로 전달된다.
상기한 바와 같이 동작하는 종래 기술에 의한 나이트라이드 스트립 공정에 있어서는, 필터 막힘 현상 발생시 클리닝을 수행하여 장비가 다운될 수 있으며, 필터 막힘이 발생하는 경우 품질 불량까지 동시에 발생될 수 있다는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은, 나이트라이드 스트립 공정에서 필터링 수행 시 듀얼 필터를 통해 장비의 다운 없이 클리닝을 수행할 수 있는 듀얼 필터를 이용한 클리닝 방법을 제공한다.
또한 본 발명은, 실리카 계열의 파티클을 필터의 멤브레인에 포집하게 되면서 웨이퍼에 발생되는 잔여물을 제거할 수 있는 듀얼 필터를 이용한 클리닝 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예 방법은, 두 개의 필터와 각 필터 전단에 압력 센서가 장착되어 있으며, HF공급 라인, H3PO4순환 라인, 드레인 라인의 각 밸브를 제어하는 공기압 밸브가 장착된 나이트라이드 스트립 공정 장비의 순환 라인 구조에 있어서, 상기 압력 센서에서 각 필터에 대한 실시간 모니터링으로 압력을 측정하는 단계와, 상기 압력을 측정하여 제1필터에서 기 설정한 압력보다 측정압력이 높은 필터가 존재하는 경우에는 압력이 증가한 상기 제1필터에 대한 필터 클리닝을 수행하는 단계를 포함한다.
본 발명에 있어서, 개시되는 발명 중 대표적인 것에 의하여 얻어지는 효과를 간단히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은, 월 2~4회 발생하는 필터의 막힘 현상으로 인해 필터 클리닝에 6~8시간 소요되는 것을 필터 듀얼 시스템의 적용으로 필터 클리닝을 실시하여 장비의 다운 시간(down Time)이 발생하지 않는다. 그리고 듀얼 필터의 장착으로 기존 대비 1.7배 ~ 2배 이상의 라이프 타임(Life Time)이 증대할 수 있다.
또한, 일정 차압을 압력 센서가 순환 라인의 루프 모니터링(Loop Monitoring)을 수행함으로써, 사전에 실리카 파티클(Silica Particle)로 인한 웨이퍼 잔여물(Wafer Residue)발생을 HF 클리닝을 통해서 사전에 예방할 수 있는 효과가 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 동작 원리를 상세히 설명한다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
본 발명은 나이트라이드 스트립 공정에서 필터링 수행 시 듀얼 필터를 통해 장비의 다운 없이 클리닝을 수행하고, 실리카 계열의 파티클을 필터의 멤브레인에 포집하게 되면서 웨이퍼에 발생되는 잔여물을 제거하는 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 나이트라이드 스트립 공정장비의 구조를 간략히 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 나이트라이드 스트립 공정장비는 종래와 같이 필터의 클리닝 공정으로 인한 장비의 다운을 방지하기 위해 필터를 2개(필터A(306), 필터B(308)) 장착하였으며, 각 필터의 차압을 실시간으로 모니터링 하기 위해 압력 센서A(310) B(312)를 각각의 필터(필터A(306), 필터B(308)) 전단에 1개씩 장착하였다.
그리고 HF공급 라인, H3PO4순환 라인, 드레인 라인(Drain Line)과의 분리 동 작을 위해 3방향의 밸브를 각각 조절할 수 있는 3웨이 밸브(3 Way Valve)로서, 공기압 밸브(Pneumatic Valve) 4개(PV1(314), PV2(316), PV1-1(318), PV2-2(320))를 각 압력 센서 전단에 1개씩 배치하고, 각 필터의 하단에 1개씩 장착하였고, HF 클리닝으로 인한 폐수 라인의 별도 유틸리티 연결 라인을 추가하였다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 나이트라이드 스트립 공정장비의 순환 라인 구조를 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 순환라인에 연결된 압력센서 A, B(310, 312)가 순환라인의 압력 증가 시, 실리카 파티클로 인한 필터 멤브레인에 포집으로 발생한 압력을 압력센서 A, B(310, 312) 모두에서 기 설정된 압력 이상을 감지하거나, 압력센서 A,B(310, 312) 중 어느 한 압력 센서가 기 설정된 압력 이상을 감지한 경우에는, 공기압 밸브 PV1(314), PV1-1(318) 또는 PV2(316), PV2-2(320)가 동시에 오픈(close → open)되면서, HF 케미컬 공급라인(322)으로부터 공급되는 HF(HF:DIW=1:100)를 통해 차압이 증가한 해당 필터만 필터 클리닝을 실시하고, 필터를 통과한 HF 케미컬은 PV1-1(318) 혹은 PV2-2(320)의 밸브를 통해 불산 폐수라인으로 드레인 된다.
한편, 압력센서 A(310) 또는 B(312)의 압력이 감소하는 경우에는, 공기압 밸브 PV1(314), PV1-1(318) 또는 PV2(316), PV2-2(320)가 클로즈(open → close)로 바뀌면서 HF공급 라인(322)과 불산 폐수 라인의 밸브를 닫아주게 된다.
다만, 두 개의 필터A(306), 필터B(308)가 모두 클리닝 시에는 압력센서 A, B(310, 312)가 필터 크리닝을 통한 압력 감소 시까지 로트(Lot)투입을 중지한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 나이트라이드 스트립 공정장비의 순환 라인 동작절차를 도시한 흐름도이다.
도 5를 참조하면, 500단계에서 듀얼 필터(필터A(306), 필터B(308))가 장착된 클리닝 장치로서, 나이트라이드 스트립 공정장비가 구동된 상태에서 502단계에서 실리카 파티클로 인한 필터A(306) 멤브레인에 포집으로 발생한 압력을 압력센서 A(3102)에서 기 설정된 압력 이상을 감지한 경우에는, 504단계에서 공기압 밸브 PV1(314), PV1-1(318)가 동시에 오픈 되면서, HF 케미컬 공급라인(322)으로부터 공급되는 100:1 HF를 통해 차압이 증가한 필터A(306)만 필터 클리닝을 실시하고, 필터A(306)를 통과한 HF 케미컬은 PV1-1(318)의 밸브를 통해 불산 폐수라인으로 드레인 된다.
이후, 506단계에서 압력센서 A(310)의 압력이 감소하는 경우에는, 클리닝이 완료된 상태이므로, 508단계로 진행하여 공기압 밸브 PV1(314), PV1-1(318)에서 HF공급 라인(322)과 불산 폐수 라인의 밸브를 닫아주게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 나이트라이드 스트립 공정에서 필터링 수행 시 듀얼 필터를 통해 장비의 다운 없이 클리닝을 수행하고, 실리카 계열의 파티클을 필터의 멤브레인에 포집하게 되면서 웨이퍼에 발생되는 잔여물을 제거한다.
한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되지 않으며, 후술되는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도 1은 종래기술에 따른 나이트라이드 식각용 H3PO4 케미칼에서 사용 전후의 필터를 도시한 도면,
도 2는 종래기술에 따른 나이트라이드 스트립 공정장비의 구조를 간략히 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 나이트라이드 스트립 공정장비의 구조를 간략히 도시한 도면,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 나이트라이드 스트립 공정장비의 순환 라인 구조를 도시한 도면,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 나이트라이드 스트립 공정장비의 순환 라인 동작절차를 도시한 흐름도.
Claims (3)
- 두 개의 필터와 각 필터 전단에 압력 센서가 장착되어 있으며, HF공급 라인, H3PO4순환 라인, 드레인 라인의 각 밸브를 제어하는 공기압 밸브가 장착된 나이트라이드 스트립 공정 장비의 순환 라인 구조에 있어서,상기 압력 센서에서 각 필터에 대한 실시간 모니터링으로 압력을 측정하는 단계와,상기 압력을 측정하여 제1필터에서 기 설정한 압력보다 측정압력이 높은 필터가 존재하는 경우에는 압력이 증가한 상기 제1필터에 대한 필터 클리닝을 수행하는 단계를 포함하는 듀얼 필터를 이용한 클리닝 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 필터 클리닝을 수행하는 단계 이후, 상기 제1필터의 측정 압력이 기 설정된 압력 보다 낮은 경우에는 상기 제1 필터와 연결된 공기압 밸브의 HF 공급 라인과, 불산 폐수라인을 잠그는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 듀얼 필터를 이용한 클리닝 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 각 필터의 압력은,실리카 파티클로 인한 멤브레인에 포집으로 발생한 압력인 것을 특징으로 하는 듀얼 필터를 이용한 클리닝 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090134936A KR20110078193A (ko) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | 듀얼 필터를 이용한 클리닝 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090134936A KR20110078193A (ko) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | 듀얼 필터를 이용한 클리닝 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110078193A true KR20110078193A (ko) | 2011-07-07 |
Family
ID=44917682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090134936A KR20110078193A (ko) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | 듀얼 필터를 이용한 클리닝 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20110078193A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114832503A (zh) * | 2022-05-11 | 2022-08-02 | 上汽通用五菱汽车股份有限公司 | 一种清洗机过滤系统 |
-
2009
- 2009-12-30 KR KR1020090134936A patent/KR20110078193A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114832503A (zh) * | 2022-05-11 | 2022-08-02 | 上汽通用五菱汽车股份有限公司 | 一种清洗机过滤系统 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20150131968A (ko) | 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 장치의 세정 방법 및 기억 매체 | |
TWI559426B (zh) | 即時液體粒子計數器之終點偵測系統 | |
TW201620606A (zh) | 排氣處理裝置、基板處理系統、及處理排氣之方法 | |
US7311847B2 (en) | System and method for point-of-use filtration and purification of fluids used in substrate processing | |
CN106310755B (zh) | 酸再生系统、清洗系统及其酸再生方法和清洗方法 | |
KR20200056222A (ko) | 가스 측정 장치 및 그의 세척 방법 | |
KR20110078193A (ko) | 듀얼 필터를 이용한 클리닝 방법 | |
US11839839B2 (en) | Apparatus and system for filtrating liquid | |
JP2000286224A (ja) | 基板処理装置 | |
US20210200250A1 (en) | Systems and methods for automatic concentration control | |
JP6203489B2 (ja) | 基板処理装置及びその洗浄方法 | |
JP2007266211A (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
KR100441249B1 (ko) | 반도체 제조 공정에서의 티오씨 측정 장치 및 그 측정 방법 | |
CN103264023B (zh) | 胶塞或铝盖清洗机箱体排水控制装置及方法 | |
KR100598914B1 (ko) | 약액 재생 시스템 및 약액 재생 방법, 그리고 상기시스템을 가지는 기판 처리 설비 | |
CN212216488U (zh) | 一种半导体制程管路清洗装置 | |
JP2541443B2 (ja) | ウェットエッチング装置及びフィルタ再生方法 | |
US11229856B2 (en) | Etching solution recycling system and method for wafer etching apparatus | |
JP2010267856A (ja) | 洗浄処理装置および洗浄処理方法 | |
WO2023019783A1 (zh) | 光阻过滤器使用周期的监控方法、系统及光阻供给系统 | |
CN207752978U (zh) | 晶圆清洗装置 | |
KR20070039308A (ko) | 반도체 세정 장치의 드레인 라인 모니터링 시스템 및 그의인터락 제어 방법 | |
KR101851059B1 (ko) | 여과수 입자 감시시스템 | |
US11687102B2 (en) | Systems and methods for automatic concentration control | |
CN209123475U (zh) | 过滤装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |