KR20110075177A - Apparatus for metal organic chemical vapor deposition - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A metal organic chemical vapor deposition device is provided to perform different processing steps on one substrate by spraying different process gases to a plurality of substrates. CONSTITUTION: A susceptor(110) supports a plurality of substrates. A shower head(120) faces to the susceptor. The shower head sprays different process gases to a plurality of domain frames corresponding to a plurality of substrates. The shower head performs the different process steps in a plurality of substrates. A partition wall(113) is arranged between the shower head and the susceptor. The partition wall forms plural treatment chambers in order to individually separate a plurality of substrates.

Description

금속 유기물 화학기상 증착장치{APPARATUS FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION}Metal organic chemical vapor deposition apparatus {APPARATUS FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION}

본 발명은 금속 유기물 화학기상 증착장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 더욱 상세하게는 III-V족 재료를 이용하여 질화물 층을 기판 상에 형성하는 금속 유기물 금속 유기물 화학기상 증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a metal organic chemical vapor deposition apparatus, and more particularly to a metal organic metal organic chemical vapor deposition apparatus for forming a nitride layer on a substrate using a group III-V material.

질화물 재료는 발광소자를 제조하기 위한 재료로 가장 잘 알려진 것이다. 질화물 재료를 이용한 발광소자의 적층 구조는 일반적으로 사파이어와 같은 기판 상에 GaN 결정으로 이루어지는 버퍼층과, n형 GaN 결정으로 이루어지는 n형 도핑층과, InGaN 으로 이루어지는 활성층과, p형 GaN으로 형성되는 p형 도핑층이 순차적으로 적층된 구조로 되어 있다. Nitride materials are best known as materials for manufacturing light emitting devices. The stacked structure of a light emitting device using a nitride material generally has a buffer layer made of GaN crystals, an n-type doped layer made of n-type GaN crystals, an active layer made of InGaN, and p-type GaN formed on a substrate such as sapphire. It has a structure in which type doping layers are sequentially stacked.

이러한 질화물 재료를 이용한 발광소자의 적층 구조는 금속 유기물 금속 유기물 화학기상 증착장치에 포함되는 하나의 챔버에서 연속적으로 이루어지는 것이 일반적이다. 하지만 각 층의 형성공정은 각 층의 성질에 따라 서로 다른 가스분위 기를 연출하고, 서로 다른 공정가스를 공급해야만 한다. The stacked structure of the light emitting device using the nitride material is generally formed continuously in one chamber included in the metal organic material metal organic chemical vapor deposition apparatus. However, the formation process of each layer must produce different gas atmospheres according to the properties of each layer, and supply different process gases.

따라서 하나의 챔버를 사용하는 경우, 기판 위에 어느 하나의 층을 형성하고 이 층 위에 다른 층을 형성하기 전, 챔버 내부를 세정하는 세정공정이 추가로 선행되어야 하므로 전체 공정 시간이 지연되어 생산효율이 저하되는 문제점이 있다.Therefore, in the case of using one chamber, before forming any one layer on the substrate and forming another layer on this layer, the cleaning process for cleaning the inside of the chamber must be additionally performed. There is a problem of deterioration.

또한, 세정공정이 제대로 이루어지지 않게 되면, 챔버 내에 여러 가스가 혼합되어 각 층의 품질에 대한 신뢰도가 저하되는 문제점이 있다.In addition, if the cleaning process is not made properly, there is a problem in that several gases are mixed in the chamber to lower the reliability of the quality of each layer.

본 발명의 목적은 복수의 기판에 각각 서로 다른 공정가스를 함께 분사하며, 하나의 기판에 대해 서로 다른 처리가 가능하도록 한 금속 유기물 화학기상 증착장치를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a metal organic chemical vapor deposition apparatus which injects different process gases onto a plurality of substrates together and enables different treatments on one substrate.

금속 유기물 화학기상 증착장치는 복수의 기판을 지지하는 서셉터;상기 서셉터에 대향되며, 복수의 상기 기판에 대응되는 복수의 영역에서 서로 다른 공정가스를 함께 분사하여 복수의 상기 기판에 각각 다른 처리가 가능하도록 하는 샤워헤드;상기 서셉터와 상기 샤워헤드의 사이에 배치되며, 복수의 상기 기판이 서로 격리되도록 복수의 처리실을 형성하는 격벽;및 복수의 상기 기판 중 어느 하나의 기판에 대해 서로 다른 상기 공정가스가 분사되어 상기 기판에 서로 다른 처리를 할 수 있도록 상기 샤워헤드를 회전시키는 샤워헤드회전부;를 포함한다. A metal organic chemical vapor deposition apparatus includes: a susceptor for supporting a plurality of substrates; different processes are applied to the plurality of substrates by injecting different process gases together in a plurality of regions facing the susceptors and corresponding to the plurality of substrates. A showerhead configured to be provided; a partition wall disposed between the susceptor and the showerhead and configured to form a plurality of processing chambers so that the plurality of substrates are separated from each other; and different from each other for any one of the plurality of substrates. And a shower head rotating unit configured to rotate the shower head so that the process gas is sprayed to perform different processing on the substrate.

상기 금속 유기물 화학기상 증착장치는 복수의 상기 처리실 내부에 각각 배치되며, 적어도 하나 이상의 상기 기판을 지지하는 복수의 위성서셉터를 더 포함할 수 있다.The metal organic chemical vapor deposition apparatus may further include a plurality of satellite susceptors disposed in the plurality of processing chambers and supporting at least one or more substrates.

상기 금속 유기물 화학기상 증착장치는 복수의 상기 위성서셉터를 각각 회전시켜 복수의 상기 위성서셉터에 지지되는 상기 기판이 회전되도록 하는 복수의 기판회전부를 더 포함할 수 있다.The metal organic chemical vapor deposition apparatus may further include a plurality of substrate rotating units configured to rotate the plurality of satellite susceptors, respectively, so that the substrates supported by the plurality of satellite susceptors are rotated.

상기 금속 유기물 화학기상 증착장치는 복수의 상기 위성서셉터를 각각 관통하여 복수의 상기 처리실로 분사되는 서로 다른 상기 공정가스의 배출경로를 각각 형성하는 복수의 배출관을 더 포함할 수 있다.The metal organic chemical vapor deposition apparatus may further include a plurality of discharge pipes respectively passing through the plurality of satellite susceptors to form discharge paths of the different process gases injected into the plurality of processing chambers.

상기 금속 유기물 화학기상 증착장치는 복수의 상기 위성서셉터의 내부에 각각 배치되며, 복수의 상기 위성서셉터에 각각 지지되는 상기 기판을 각각 가열하는 복수의 히팅코일을 더 포함할 수 있다.The metal organic chemical vapor deposition apparatus may further include a plurality of heating coils respectively disposed in the plurality of satellite susceptors and heating the substrates respectively supported by the plurality of satellite susceptors.

상기 금속 유기물 화학기상 증착장치는 상기 샤워헤드를 관통하여 복수의 상기 처리실에 각각 연통되며, 서로 다른 상기 공정가스의 공급경로를 형성하는 복수의 공급관;및 복수의 상기 공급관의 유량을 각각 조절하는 복수의 공급밸브;를 더 포함할 수 있다.The metal organic chemical vapor deposition apparatus may include a plurality of supply pipes passing through the shower head and communicating with a plurality of the processing chambers, respectively, and forming supply paths of different process gases; The supply valve may further include.

상기 금속 유기물 화학기상 증착장치는 상기 샤워헤드의 외경부에 배치되어 상기 샤워헤드가 회전가능하게 상기 샤워헤드를 지지하는 샤워헤드지지대;를 더 포함할 수 있다.The metal organic chemical vapor deposition apparatus may further include a shower head support disposed on an outer diameter portion of the shower head to support the shower head rotatably.

상기 서셉터의 외경부에는 가이드돌기가 형성되며, 상기 샤워헤드 지지대는 상기 가이드돌기가 삽입되는 홈이 형성되는 가이드프레임;및 상기 가이드프레임을 지지하는 지지프레임;을 포함할 수 있다.A guide protrusion may be formed at an outer diameter portion of the susceptor, and the shower head support may include a guide frame having a groove into which the guide protrusion is inserted, and a support frame supporting the guide frame.

상기 금속 유기물 화학기상 증착장치는 상기 서셉터를 승강시키며 복수의 상기 처리실을 개폐시키는 서셉터승강부;를 더 포함할 수 있다. The metal organic chemical vapor deposition apparatus may further include a susceptor lifter that lifts the susceptor and opens and closes the plurality of process chambers.

상기 금속 유기물 화학기상 증착장치는 상기 샤워헤드를 승강시키며 복수의 상기 처리실을 개폐시키는 샤워헤드승강부를 더 포함할 수 있다.The metal organic chemical vapor deposition apparatus may further include a shower head lift unit that lifts the shower head and opens and closes the plurality of process chambers.

본 발명에 따른 금속 유기물 화학기상 증착장치는 간편한 구성으로 복수의 기판에 각각 서로 다른 공정가스를 함께 분사하며, 하나의 기판에 대해 서로 다른 처리가 가능하여 생산효율을 높일 수 있는 효과가 있다. The metal organic chemical vapor deposition apparatus according to the present invention sprays different process gases onto a plurality of substrates with a simple configuration, and has different effects on one substrate, thereby increasing production efficiency.

이하, 본 실시예에 따른 금속 유기물 화학기상 증착장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, the metal organic chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 실시예에 따른 금속 유기물 화학기상 증착장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 실시예에 따른 금속 유기물 화학기상 증착장치를 나타낸 사시도이다.1 is a cross-sectional view showing a metal organic chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment, Figure 2 is a perspective view showing a metal organic chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment.

도 1 및 도 2를 참조하면, 금속 유기물 화학기상 증착장치(100)는 기판(10) 을 지지하는 서셉터(110) 및 서셉터(110)를 향해 공정가스를 분사하는 샤워헤드(120)를 포함한다. 서셉터(110) 및 샤워헤드(120)는 각각 원판형으로 마련된다. 1 and 2, the metal organic chemical vapor deposition apparatus 100 includes a susceptor 110 supporting the substrate 10 and a shower head 120 spraying a process gas toward the susceptor 110. Include. The susceptor 110 and the shower head 120 are each provided in a disc shape.

서셉터(110)의 상부면에는 외경을 따라 돌출되는 외벽(111)이 형성되며, 중앙부로부터 테두리부로 뻗어나가는 격벽(113)이 방사형으로 형성된다. 외벽(111) 및 격벽(113)은 서셉터(110)와 샤워헤드(120)의 사이에 독립적인 복수의 처리실(130)을 형성하기 위한 것으로, 다른 실시예로 샤워헤드(120)의 하부면에 형성된다 하더라도 그 구성 및 작용은 유사하다고 볼 수 있다. An outer wall 111 protruding along the outer diameter is formed on the upper surface of the susceptor 110, and the partition wall 113 extending from the center portion to the edge portion is formed radially. The outer wall 111 and the partition wall 113 form a plurality of independent process chambers 130 between the susceptor 110 and the shower head 120. In another embodiment, the lower surface of the shower head 120 is provided. Even if formed in the configuration and operation can be seen to be similar.

이와 같이 금속 유기물 화학기상 증착장치(100)는 서셉터(110)와 샤워헤드(120)의 사이에 복수의 처리실(130)이 형성되며, 복수의 처리실(130)로 서로 다른 공정가스를 분사하여 각 처리실(130)에 지지되는 각 기판(10)에 서로 다른 처리를 할 수 있다.As described above, in the metal organic chemical vapor deposition apparatus 100, a plurality of process chambers 130 are formed between the susceptor 110 and the shower head 120, and different process gases are sprayed into the plurality of process chambers 130. Different processing may be performed on each substrate 10 supported by each processing chamber 130.

복수의 처리실(130)에는 각 처리실(130)에 기판(10)을 각각 지지하는 위성서셉터(satellite susceptor;140)가 각각 배치된다. 위성서셉터(140)는 각 처리실(130) 내에서 적어도 하나 이상의 기판(10)을 함께 지지하여, 한번의 공정가스 분사로 적어도 하나 이상의 기판(10)을 함께 처리하여 공정의 효율성을 높일 수 있도록 한다. 이러한 위성서셉터(140)의 내부에는 기판(10)을 가열하기 위한 수단으로 히팅코일(141)이 설치되는 것이 바람직하다. Satellite susceptors 140 respectively supporting the substrates 10 are disposed in the processing chambers 130, respectively. The satellite susceptor 140 supports the at least one or more substrates 10 together in each processing chamber 130 to process the at least one or more substrates 10 together in one process gas injection to increase the efficiency of the process. do. Inside the satellite susceptor 140, it is preferable that a heating coil 141 is installed as a means for heating the substrate 10.

위성서셉터(140)의 하부에는 위성서셉터(140)를 회전시켜 기판(10)이 회전되도록 하는 기판회전부(150)가 배치된다. 기판회전부(150)는 각 처리실(130)에서 기판(10)을 회전시켜 기판(10)에 균일한 두께로 증착막을 형성, 또는 식각할 수 있도 록 한다. A substrate rotating part 150 is disposed below the satellite susceptor 140 to rotate the satellite susceptor 140 to rotate the substrate 10. The substrate rotating unit 150 rotates the substrate 10 in each processing chamber 130 so as to form or etch a deposition film with a uniform thickness on the substrate 10.

기판회전부(150)는 서셉터(110)의 하부에 지지되는 제1 회전모터(151), 제1 회전모터(151)의 출력단에 결합되는 제1 주동풀리(153), 제1 회전모터(151)의 회전력을 전달하는 제1 벨트(155) 및 위성서셉터(140)의 중심부로부터 돌출되는 입력단에 결합되어 제1 벨트(155)에 의해 회전되는 제1 종동풀리(157)를 포함한다. The substrate rotating part 150 includes a first rotating motor 151 supported on the lower part of the susceptor 110, a first main pulley 153 and a first rotating motor 151 coupled to an output end of the first rotating motor 151. And a first driven pulley 157 coupled to an input end projecting from the center of the satellite susceptor 140 and rotating by the first belt 155 to transmit the rotational force of the second belt 155.

서셉터(110)의 하부에는 서셉터승강부(160)가 배치된다. 서셉터승강부(160)는 서셉터(110)를 지지하며 서셉터(110)를 승강시켜 복수의 처리실(130)을 개폐시킨다. 서셉터승강부(160)는 유압실린더, 공압실린더 중 어느 하나를 사용한다. The susceptor lifting unit 160 is disposed below the susceptor 110. The susceptor lifting unit 160 supports the susceptor 110 and lifts the susceptor 110 to open and close the plurality of processing chambers 130. The susceptor elevating unit 160 uses any one of a hydraulic cylinder and a pneumatic cylinder.

샤워헤드(120)는 샤워헤드(120)의 외경부에 배치되는 샤워헤드지지대(170)에 의해 지지된다. 샤워헤드지지대(170)는 샤워헤드(120)를 회전가능게 지지한다. 즉, 샤워헤드(120)는 외주면으로부터 가이드돌기(121)가 돌출되며, 샤워헤드지지대(170)는 가이드돌기(121)가 삽입되는 홈이 형성되는 가이드프레임(171) 및 가이드프레임(171)을 지지하는 지지프레임(173)을 포함한다. 도시되지 않았지만, 가이드돌기(121)와 가이드프레임(171)의 사이에는 샤워헤드(120)의 회전을 원활하게 하는 베어링이 설치되는 것이 바람직하다.The shower head 120 is supported by the shower head support 170 disposed in the outer diameter portion of the shower head 120. The showerhead support 170 rotatably supports the showerhead 120. That is, the shower head 120 has a guide protrusion 121 protrudes from the outer circumferential surface, the shower head support 170 is a guide frame 171 and the guide frame 171 is formed a groove into which the guide protrusion 121 is inserted. Supporting support frame 173 is included. Although not shown, a bearing for smoothly rotating the shower head 120 may be installed between the guide protrusion 121 and the guide frame 171.

샤워헤드(120)의 상부에는 샤워헤드(120)를 회전시키는 샤워헤드회전부(180)가 배치된다. 샤워헤드회전부(180)는 어느 하나의 기판(10)에 대해 서로 다른 공정가스를 분사할 수 있도록 샤워헤드(120)를 회전시킨다. 샤워헤드회전부(180)는 가이드프레임(171)에 지지되어 회전력을 제공하는 제2 회전모터(181), 제2 회전모터(181)의 출력단에 결합되는 제2 주동풀리(183), 제2 주동풀리(183)에 연결되어 제2 회전모터(181)의 회전력을 전달하는 제2 벨트(185), 샤워헤드(120)의 중심에서 돌출되는 입력단에 결합되고 제2 벨트(185)에 의해 회전되는 제2 종동풀리(187)를 포함한다. The shower head rotating unit 180 for rotating the shower head 120 is disposed above the shower head 120. The shower head rotating unit 180 rotates the shower head 120 to spray different process gases on any one substrate 10. The shower head rotating unit 180 is supported by the guide frame 171, the second rotation motor 181 to provide a rotational force, the second main pulley 183, the second main shaft coupled to the output end of the second rotation motor 181 The second belt 185 is connected to the pulley 183 and is coupled to an input end projecting from the center of the shower head 120 to transmit the rotational force of the second rotary motor 181 and is rotated by the second belt 185. A second driven pulley 187 is included.

한편, 샤워헤드(120)에는 샤워헤드(120)를 관통하여 복수의 처리실(130)에 각각 연통되는 복수의 공급관(191)이 배치된다. 복수의 공급관(191)은 복수의 처리실(130)로 공급되는 복수의 공정가스의 공급경로를 각각 형성한다. 도시되지 않았지만 복수의 공급관(191)의 관로에는 복수의 공급관(191)을 통해 공급되는 복수의 공정가스의 유량을 각각 조절할 수 있는 복수의 밸브가 설치되는 것이 바람직하다.Meanwhile, a plurality of supply pipes 191 penetrating the shower head 120 and communicating with the plurality of processing chambers 130 are disposed in the shower head 120. The plurality of supply pipes 191 respectively form a supply path of the plurality of process gases supplied to the plurality of processing chambers 130. Although not shown, a plurality of valves may be installed in the pipe lines of the plurality of supply pipes 191 to adjust the flow rates of the plurality of process gases supplied through the plurality of supply pipes 191, respectively.

샤워헤드(120)의 내부에는 각 공급관(191)을 따라 공급되는 각 공정가스가 확산되는 복수의 확산실(193)이 형성되며, 샤워헤드(120)의 하부면에는 각 확산실(193)에서 확산된 각 공정가스가 각 처리실로 균일하게 분사되도록 균일한 이격거리로 형성되는 복수의 분사구(195)가 형성된다.In the shower head 120, a plurality of diffusion chambers 193 are formed to diffuse each process gas supplied along each supply pipe 191, and each diffusion chamber 193 is formed at a lower surface of the shower head 120. A plurality of injection holes 195 are formed to have a uniform separation distance so that each diffused process gas is uniformly injected into each processing chamber.

그리고 위성서셉터(140)에는 위성서셉터(140)를 관통하여 복수의 처리실(130)에 각각 연통되는 복수의 배출관(143)을 포함한다. 복수의 배출관(143)은 복수의 처리실(130)로 분사된 복수의 공정가스가 각각 배출되는 복수의 배출경로를 형성한다. 도시된 바와 같이 복수의 배출관(143)은 위성서셉터(140)의 중심부를 관통하여 서셉터의 외부로 연장될 수 있으나, 다른 실시예로 위성서셉터(140)의 가장자리를 관통하여 위성서셉터(140)의 외부로 연장될 수 있다. The satellite susceptor 140 includes a plurality of discharge pipes 143 that pass through the satellite susceptor 140 and communicate with the plurality of processing chambers 130, respectively. The plurality of discharge pipes 143 form a plurality of discharge paths through which the plurality of process gases injected into the plurality of processing chambers 130 are discharged, respectively. As shown, the plurality of discharge pipes 143 may extend through the center of the satellite susceptor 140 to the outside of the susceptor, but in another embodiment, the satellite susceptors may penetrate the edge of the satellite susceptor 140. It may extend out of 140.

한편, 상술된 설명에서 복수의 처리실(130)을 개폐시키는 수단으로, 서셉터 승강부(160)를 일실시예로 설명하고 있으나, 다른 실시예로 복수의 처리실(130)을 개폐시키는 수단으로는 도 6에 도시된 바와 같이 지지프레임(173)을 지지하여 지지프레임(173)을 승강시킴으로써, 샤워헤드(120)를 승강시키는 유, 공압실린더로 이루어지는 샤워헤드승강부(260)를 채택하여 실현할 수 있을 것이다.Meanwhile, although the susceptor elevating unit 160 is described as one embodiment as a means for opening and closing the plurality of processing chambers 130 in the above description, as another means for opening and closing the plurality of processing chambers 130 as another embodiment. As shown in FIG. 6, by supporting the support frame 173 and elevating the support frame 173, the shower head elevating unit 260 made of oil and pneumatic cylinders for elevating the shower head 120 can be realized. There will be.

이하, 본 실시예에 따른 금속 유기물 화학기상 증착장치의 작동에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, the operation of the metal organic chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3 내지 도 5는 본 실시예에 따른 금속 유기물 화학기상 증착장치의 동작을 나타낸 작동도이다. 3 to 5 are operation diagrams showing the operation of the metal organic chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment.

도 3을 참조하면, 서셉터(110)는 서셉터승강부(160)에 의해 하강되고, 복수의 처리실(130)은 개방된다. 복수의 기판(10)은 개방된 복수의 처리실(130)로 이송된다. 이때, 복수의 기판(10)은 각 기판(10)의 처리에 따라 해당되는 공정가스가 분사되는 해당 처리실(130)로 각각 이송되어 해당 위성서셉터(140)에 지지된다.Referring to FIG. 3, the susceptor 110 is lowered by the susceptor elevating unit 160, and the plurality of processing chambers 130 are opened. The plurality of substrates 10 are transferred to the plurality of open processing chambers 130. In this case, the plurality of substrates 10 are transferred to the processing chamber 130 in which the corresponding process gas is injected according to the processing of each substrate 10 and supported by the satellite susceptor 140.

여기서, 각 처리실(130) 내부에는 이미 위성서셉터(140)가 안착되어 있고 복수의 기판(10)은 각 위성서셉터(140)로 이송되어 각 위성서셉터(140)에 안착될 수 있으며, 다른 실시예로 복수의 기판(10)은 복수의 위성서셉터(140)에 이미 안착된 상태로 복수의 처리실(130)로 각각 이송될 수 있다. Here, the satellite susceptor 140 is already seated in each processing chamber 130, and the plurality of substrates 10 may be transferred to each satellite susceptor 140 to be seated on each satellite susceptor 140. In another embodiment, the plurality of substrates 10 may be transferred to the plurality of processing chambers 130 in a state in which the plurality of substrates 10 are already seated on the plurality of satellite susceptors 140.

도 4를 참조하면, 서셉터(110)는 서셉터승강부(160)에 의해 상승된다. 서셉터(110)가 상승됨에 따라 외벽(111) 및 격벽(113)은 샤워헤드(120)의 하부면에 밀착되며, 복수의 처리실(130)은 밀폐된다. 복수의 처리실(130)이 밀폐되면 기판회전 부(150)는 각 처리실(130)에서 각 위성서셉터(140)를 회전시킨다. Referring to FIG. 4, the susceptor 110 is lifted by the susceptor lift 160. As the susceptor 110 is raised, the outer wall 111 and the partition wall 113 are in close contact with the lower surface of the shower head 120, and the plurality of processing chambers 130 are sealed. When the plurality of processing chambers 130 are sealed, the substrate rotating unit 150 rotates each satellite susceptor 140 in each processing chamber 130.

이때, 복수의 밸브(미도시)는 복수의 공급관(191)을 개방하며, 복수의 공급관(191)을 따라 서로 다른 공정가스가 공급된다. 각 공정가스는 각 확산실(193)에서 확산되며 분사구(195)를 통해 각 처리실(130)로 분사된다. 그리고 처리실(130)로 분사되는 공정가스는 각 기판(10)을 식각, 또는 증착시키며, 각 배출관(143)을 통해 각 처리실(130)의 외부로 배출된다.In this case, the plurality of valves (not shown) open the plurality of supply pipes 191, and different process gases are supplied along the plurality of supply pipes 191. Each process gas is diffused in each diffusion chamber 193 and injected into each processing chamber 130 through the injection hole 195. The process gas injected into the processing chamber 130 etches or deposits each substrate 10, and is discharged to the outside of each processing chamber 130 through each discharge pipe 143.

이와 같이 금속 유기물 화학기상 증착장치(100)는 복수의 처리실(130)로 서로 다른 공정가스가 분사됨에 따라 서셉터(110)에 지지되는 복수의 기판(10)에 서로 다른 처리를 함께 가할 수 있다.As such, the metal organic chemical vapor deposition apparatus 100 may apply different processes to the plurality of substrates 10 supported by the susceptor 110 as different process gases are injected into the plurality of process chambers 130. .

도 5를 참조하면, 각 기판(10)에 대해 다른 처리를 가하기 위해, 서셉터승강부(160)는 서셉터(110)를 하강시킨다. 서셉터(110)가 하강됨에 따라 복수의 처리실(130)이 개방되며, 샤워헤드회전부(180)는 샤워헤드(120)를 회전시킨다. 즉, 샤워헤드(120)는 이전의 공정에서 기판(10)에 분사된 공정가스와는 다른 공정가스가 분사될 수 있는 위치로 회전된다.Referring to FIG. 5, the susceptor elevating unit 160 lowers the susceptor 110 in order to apply different processing to each substrate 10. As the susceptor 110 is lowered, the plurality of processing chambers 130 are opened, and the shower head rotating unit 180 rotates the shower head 120. That is, the shower head 120 is rotated to a position where a process gas different from the process gas injected to the substrate 10 in the previous process can be injected.

이후, 도 4에 도시된 바와 같이 서셉터승강부(160)는 서셉터(110)를 하강시켜 복수의 처리실(130)을 밀폐시키며, 기판회전부(150)는 위성서셉터(140)를 회전시킨다. 그리고 복수의 공정가스는 복수의 처리실(130)로 각각 분사되며, 각 기판(10)에는 다른 처리가 가해진다.Subsequently, as shown in FIG. 4, the susceptor lifting unit 160 lowers the susceptor 110 to seal the plurality of processing chambers 130, and the substrate rotating unit 150 rotates the satellite susceptor 140. . The plurality of process gases are respectively injected into the plurality of processing chambers 130, and different processing is applied to each substrate 10.

이와 같이 금속 유기물 화학기상 증착장치(100)는 샤워헤드(120)를 회전시켜 복수의 처리실(130)로 서로 다른 공정가스를 분사함에 따라 하나의 기판(10)에 대 해 서로 다른 처리를 가할 수 있다.As such, the metal organic chemical vapor deposition apparatus 100 may apply different processing to one substrate 10 as the shower head 120 is rotated to inject different process gases into the plurality of processing chambers 130. have.

상술 한 바와 같이 금속 유기물 화학기상 증착장치(100)는 복수의 기판(10)을 함께 지지하여 복수의 기판(10)에 서로 다른 처리가 가능하며, 하나의 기판(10)에 대해 서로 다른 처리가 가능하다. As described above, the metal organic chemical vapor deposition apparatus 100 may support a plurality of substrates 10 together to perform different processes on the plurality of substrates 10, and different processes may be performed on one substrate 10. It is possible.

도 1은 본 실시예에 따른 금속 유기물 화학기상 증착장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a metal organic chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment.

도 2는 본 실시예에 따른 금속 유기물 화학기상 증착장치를 나타낸 사시도이다.2 is a perspective view showing a metal organic chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment.

도 3 내지 도 5는 본 실시예에 따른 금속 유기물 화학기상 증착장치의 동작을 나타낸 작동도이다. 3 to 5 are operation diagrams showing the operation of the metal organic chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment.

도 6은 다른 실시예에 따른 금속 유기물 화학기상 증착장치를 나타낸 단면도이다. 6 is a cross-sectional view showing a metal organic chemical vapor deposition apparatus according to another embodiment.

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>Description of the Related Art [0002]

110 : 서셉터 120 : 샤워헤드110: susceptor 120: shower head

140 : 위성서셉터 150 : 기판회전부140: satellite susceptor 150: substrate rotation part

160 : 서셉터승강부 180 : 샤워헤드회전부160: susceptor lifting portion 180: shower head rotating portion

Claims (10)

복수의 기판을 지지하는 서셉터;A susceptor for supporting a plurality of substrates; 상기 서셉터에 대향되며, 복수의 상기 기판에 대응되는 복수의 영역에서 서로 다른 공정가스를 함께 분사하여 복수의 상기 기판에 각각 다른 처리가 가능하도록 하는 샤워헤드;A shower head opposed to the susceptor and spraying different process gases together in a plurality of regions corresponding to the plurality of substrates to enable different processing on the plurality of substrates; 상기 서셉터와 상기 샤워헤드의 사이에 배치되며, 복수의 상기 기판이 서로 격리되도록 복수의 처리실을 형성하는 격벽;및A partition wall disposed between the susceptor and the shower head and forming a plurality of processing chambers so that the plurality of substrates are isolated from each other; and 복수의 상기 기판 중 어느 하나의 기판에 대해 서로 다른 상기 공정가스가 분사되어 상기 기판에 서로 다른 처리를 할 수 있도록 상기 샤워헤드를 회전시키는 샤워헤드회전부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 유기물 화학기상 증착장치.And a shower head rotating unit configured to rotate the shower head so that different process gases are injected to any one of the plurality of substrates to perform different treatments on the substrate. Vapor deposition apparatus. 제1 항에 있어서, 복수의 상기 처리실 내부에 각각 배치되며, 적어도 하나 이상의 상기 기판을 지지하는 복수의 위성서셉터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 유기물 화학기상 증착장치.The metal organic chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, further comprising a plurality of satellite susceptors respectively disposed in the plurality of processing chambers and supporting at least one or more of the substrates. 제2 항에 있어서, 복수의 상기 위성서셉터를 각각 회전시켜 복수의 상기 위성서셉터에 지지되는 상기 기판이 회전되도록 하는 복수의 기판회전부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 유기물 화학기상 증착장치.The metal organic chemical vapor deposition apparatus according to claim 2, further comprising a plurality of substrate rotating units configured to rotate the plurality of satellite susceptors, respectively, to rotate the substrates supported by the plurality of satellite susceptors. 제2 항에 있어서, 복수의 상기 위성서셉터를 각각 관통하여 복수의 상기 처리실로 분사되는 서로 다른 상기 공정가스의 배출경로를 각각 형성하는 복수의 배출관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 유기물 화학기상 증착장치.The metal organic chemical vapor phase of claim 2, further comprising a plurality of discharge pipes respectively penetrating through the plurality of satellite susceptors to form discharge paths of the different process gases respectively injected into the plurality of processing chambers. Vapor deposition apparatus. 제2 항에 있어서, 복수의 상기 위성서셉터의 내부에 각각 배치되며, 복수의 상기 위성서셉터에 각각 지지되는 상기 기판을 각각 가열하는 복수의 히팅코일을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 유기물 화학기상 증착장치. The metal organic chemistry of claim 2, further comprising a plurality of heating coils respectively disposed in the plurality of satellite susceptors and respectively heating the substrates respectively supported by the plurality of satellite susceptors. Vapor deposition apparatus. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 샤워헤드를 관통하여 복수의 상기 처리실에 각각 연통되며, 서로 다른 상기 공정가스의 공급경로를 형성하는 복수의 공급관;및A plurality of supply pipes passing through the shower head and communicating with the plurality of processing chambers, respectively, and supply paths for the different process gases; and 복수의 상기 공급관의 유량을 각각 조절하는 복수의 공급밸브;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 유기물 화학기상 증착장치. And a plurality of supply valves respectively adjusting flow rates of the plurality of supply pipes. 제1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 샤워헤드의 외경부에 배치되어 상기 샤워헤드가 회전가능하게 상기 샤워헤드를 지지하는 샤워헤드지지대;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 유기물 화학기상 증착장치.And a shower head support disposed in an outer diameter of the shower head to support the shower head in a rotatable manner. 제7 항에 있어서, 8. The method of claim 7, 상기 서셉터의 외경부에는 가이드돌기가 형성되며,Guide protrusions are formed on the outer diameter portion of the susceptor, 상기 샤워헤드 지지대는The showerhead support 상기 가이드돌기가 삽입되는 홈이 형성되는 가이드프레임;및A guide frame in which a groove into which the guide protrusion is inserted is formed; and 상기 가이드프레임을 지지하는 지지프레임;을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 유기물 화학기상 증착장치.Metal organic chemical vapor deposition apparatus comprising a; support frame for supporting the guide frame. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 서셉터를 승강시키며 복수의 상기 처리실을 개폐시키는 서셉터승강부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 유기물 화학기상 증착장치.And a susceptor elevating unit for elevating the susceptor and opening and closing the plurality of process chambers. 제1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 샤워헤드를 승강시키며 복수의 상기 처리실을 개폐시키는 샤워헤드승강부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 유기물 화학기상 증착장치.And a shower head lift unit configured to lift and lower the shower head to open and close the plurality of processing chambers.
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