KR20110069487A - Method for fabricating metal electrode of solar cell - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 태양전지의 금속전극 형성방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 도금 공정을 통해 금속전극의 비저항 및 접촉저항을 개선하고 용접성(solderability)을 향상시킬 수 있는 태양전지의 금속전극 형성방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of forming a metal electrode of a solar cell, and more particularly, to a method of forming a metal electrode of a solar cell that can improve the specific resistance and contact resistance of the metal electrode and improve the solderability through the plating process. will be.
태양전지는 태양광을 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심소자로서, 기본적으로 p-n 접합으로 이루어진 다이오드(diode)라 할 수 있다. 태양광이 태양전지에 의해 전기로 변환되는 과정을 살펴보면, 태양전지의 p-n 접합부에 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되고, 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 이동하게 되어 p-n 접합부 사이에 광기전력이 발생되며, 태양전지의 양단에 부하나 시스템을 연결하면 전류가 흐르게 되어 전력을 생산할 수 있게 된다. A solar cell is a key element of photovoltaic power generation that converts sunlight directly into electricity, and is basically a diode composed of a p-n junction. In the process of converting sunlight into electricity by solar cells, when solar light is incident on the pn junction of solar cells, electron-hole pairs are generated, and electrons move to n layers and holes move to p layers by the electric field. Photovoltaic power is generated between the pn junctions, and when a load or a system is connected to both ends of the solar cell, current flows to generate power.
한편, 태양전지의 광전변환효율을 극대화하기 위한 조건 중 하나는 전자, 정공의 재결합률을 최소화하는 것이다. 일반적으로, 태양전지는 p형 실리콘기판 상에 n형 반도체층이 형성된 구조를 이루고, n형 반도체층은 n형 불순물 이온이 기판에 주입되어 형성된 것인데, 전하가 이동 중에 n형 반도체층의 침입형 사이트(interstitial sites) 또는 대체형 사이트(substitutional sites)에 포집되어 재결합되는 경우가 발생하며, 이는 태양전지의 광전변환효율에 악영향을 끼친다. On the other hand, one of the conditions for maximizing the photoelectric conversion efficiency of the solar cell is to minimize the recombination rate of electrons, holes. In general, a solar cell has a structure in which an n-type semiconductor layer is formed on a p-type silicon substrate, and the n-type semiconductor layer is formed by implanting n-type impurity ions into a substrate. It can be captured and recombined at interstitial sites or substitutional sites, which adversely affects photovoltaic conversion efficiency of solar cells.
이와 같은 문제를 해결하기 위해, p형 반도체층과 n형 반도체층 사이에 진성층(intrinsic layer)을 구비시키는 이른바, 이종접합형(hetero-junction) 태양전지가 제시되었으며 이를 통해 캐리어(carrier)의 재결합률을 저하시킬 수 있다. In order to solve this problem, a so-called hetero-junction solar cell having an intrinsic layer between the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer has been proposed. The recombination rate can be lowered.
한편, 이종접합형 태양전지에 있어서 진성층 상에 비정질 반도체층(a-Si:H)이 구비되는데, 비정질 반도체층의 낮은 전기전도도를 보완하기 위해 비정질 반도체층 상에 투명전도산화막(TCO, transparent conductive oxide)이 보조전극으로서 구비된다. 또한, 상기 투명전도산화막 상에 외부회로와 연결되는 금속전극이 구비되며, 상기 금속전극은 통상 금속 페이스트(paste)를 투명전도산화막 상에 스크린 인쇄한 후 소성하여 형성한다. Meanwhile, in the heterojunction solar cell, an amorphous semiconductor layer (a-Si: H) is provided on the intrinsic layer, and a transparent conductive oxide film (TCO, transparent) is formed on the amorphous semiconductor layer to compensate for the low electrical conductivity of the amorphous semiconductor layer. conductive oxide) is provided as an auxiliary electrode. In addition, a metal electrode connected to an external circuit is provided on the transparent conductive oxide film, and the metal electrode is usually formed by screen printing a metal paste on a transparent conductive oxide film and then baking it.
이 때, 상기 금속 페이스트의 점성, 가소성 등을 제어하기 위해 금속 페이스트 내에는 도전성 고분자가 첨가되는데, 상기 도전성 고분자로 인해 금속전극의 비저항이 높아지고 금속전극과 리본 사이의 접착특성이 저하되는 문제점이 있다. At this time, in order to control the viscosity, plasticity, etc. of the metal paste, a conductive polymer is added to the metal paste. However, the conductive polymer has a problem that the specific resistance of the metal electrode is increased and the adhesive property between the metal electrode and the ribbon is reduced. .
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 도금 공정을 통해 금속전극의 비저항 및 접촉저항을 개선하고 용접성(solderability)을 향상시킬 수 있는 태양전지의 금속전극 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above problems, to provide a method for forming a metal electrode of the solar cell that can improve the specific resistance and contact resistance of the metal electrode through the plating process and improve the solderability (object) There is this.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 태양전지의 금속전극 형성방법은 투명전도산화막 상에 도금용 패턴마스크를 형성하는 단계와, 상기 도금용 패턴마스크에 의해 노출된 투명전도산화막 상에 제 1 금속전극을 도금 공정을 통해 형성하는 단계 및 상기 제 1 금속전극의 전면 및 측면 상에 도금 공정을 이용하여 제 2 금속전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. Method of forming a metal electrode of a solar cell according to the present invention for achieving the above object is the step of forming a pattern mask for plating on the transparent conductive oxide film, a first on the transparent conductive oxide film exposed by the pattern mask for plating And forming a metal electrode through a plating process and forming a second metal electrode on the front and side surfaces of the first metal electrode by using a plating process.
본 발명에 따른 태양전지의 금속전극 형성방법은 투명전도산화막 상에 시드층을 형성하는 단계와, 상기 시드층 상에 도금용 패턴마스크를 형성하는 단계와, 상기 도금용 패턴마스크에 의해 노출된 시드층 상에 제 1 금속전극을 도금 공정을 통해 형성하는 단계와, 상기 제 1 금속전극의 전면 및 측면 상에 도금 공정을 이용하여 제 2 금속전극을 형성하는 단계 및 상기 제 2 금속전극 하부의 시드층을 제외한 투명전도산화막 상의 시드층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 다른 특징으로 한다. The method of forming a metal electrode of a solar cell according to the present invention includes the steps of forming a seed layer on the transparent conductive oxide film, forming a pattern mask for plating on the seed layer, and a seed exposed by the pattern mask for plating. Forming a first metal electrode on the layer through a plating process, forming a second metal electrode on the front and side surfaces of the first metal electrode by using a plating process, and seeding the bottom of the second metal electrode. It is another feature that comprises a step of removing the seed layer on the transparent conductive oxide film except the layer.
투명전도산화막 상에 시드층을 형성하는 단계 이전에, 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판 상에 진성층, 제 2 도전형의 비정질 실리콘층 및 투명전도산화막을 순차적으로 적층하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 도금 공정은 무전해 도금방법 또는 전해 도금방법을 이용할 수 있으며, 상기 제 1 금속전극 및 제 2 금속전극의 형성 후 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. Prior to forming the seed layer on the transparent conductive oxide film, the method may further include sequentially depositing an intrinsic layer, a second conductive amorphous silicon layer, and a transparent conductive oxide film on the first conductive crystalline silicon substrate. have. In addition, the plating process may use an electroless plating method or an electrolytic plating method, and may further include heat treatment after formation of the first metal electrode and the second metal electrode.
본 발명에 따른 태양전지의 금속전극 형성방법은 다음과 같은 효과가 있다. The metal electrode forming method of the solar cell according to the present invention has the following effects.
도금 공정을 통해 금속전극이 형성됨에 따라, 금속전극 자체의 비저항을 감소시킬 수 있고 금속전극의 접촉저항을 최소화할 수 있게 된다. 이와 함께 금속전극의 용접성을 향상시켜 리본과의 접착 특성을 향상시킬 수 있게 된다. As the metal electrode is formed through the plating process, the specific resistance of the metal electrode itself can be reduced and the contact resistance of the metal electrode can be minimized. In addition, the weldability of the metal electrode can be improved to improve the adhesiveness with the ribbon.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 금속전극 형성방법을 설명하기로 한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양전지의 금속전극 형성방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양전지의 금속전극 형성방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다. Hereinafter, a method of forming a metal electrode of a solar cell according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a flowchart illustrating a metal electrode forming method of a solar cell according to a first embodiment of the present invention, Figures 2a to 2d is a method of forming a metal electrode of a solar cell according to a first embodiment of the present invention It is process cross section for doing this.
먼저, 도 1 및 도 2a에 도시한 바와 같이 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판(201)을 준비하고(S101), 상기 기판(201) 상에 진성층(intrinsic layer)(202)과 비정질 반도체층(a-Si:H)(203)을 순차적으로 적층한다. 상기 진성층(202)은 상기 비정질 반도체층(203)과 마찬가지로 비정질 실리콘층으로 구성되며, 상기 비정질 반도체층(203)에는 제 2 도전형의 불순물 이온이 도핑되어 있다. 여기서, 상기 제 1 도전형은 p형 또는 n형일 수 있으며, 제 2 도전형은 제 1 도전형의 반대이다. First, as shown in FIGS. 1 and 2A, a
이어, 상기 비정질 반도체층(203) 상에 투명전도산화막(204)(transparent conductive oxide)을 적층한다(S102). 상기 투명전도산화막(204)은 ZnO, ITO(Indium Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGO(Indium Gallium Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), In2O3 중 어느 하나로 구성될 수 있다. Subsequently, a transparent
상기 투명전도산화막(204)이 적층된 상태에서, 상기 투명전도산화막(204) 상에 금속전극을 형성하는 공정을 진행한다. 구체적으로, 금속전극이 형성될 부위에 상응하는 투명전도산화막(204)을 노출시키는 도금용 패턴마스크(205)를 상기 투명전도산화막(204) 상에 형성한다(S103)(도 1a 참조). 상기 도금용 패턴마스크(205)는 도금용 레지스트(plating resist)를 스크린 인쇄 또는 잉크젯 인쇄하여 형성하거나 투명전도산화막(204) 상에 포토레지스트를 도포하고 포토리소그래피 공정을 이용하여 선택적으로 패터닝하여 형성할 수도 있다. In the state where the transparent
상기 도금용 패턴마스크(205)에 의해 금속전극이 형성되는 부위의 투명전도산화막(204)만이 노출된 상태에서, 도 2b에 도시한 바와 같이 도금 공정을 통해 상기 노출된 투명전도산화막(204) 상에 제 1 금속전극(206)을 형성한다(S104). 상기 제 1 금속전극(206)의 도금은 무전해 도금방법(electroless-plating) 또는 전해 도금방법(electro-plating)을 이용할 수 있으며, 상기 제 1 금속전극(206)은 구리(Cu), 니켈(Ni) 등으로 구성될 수 있다. In the state where only the transparent
상기 제 1 금속전극(206)이 형성된 상태에서, 도 2c에 도시한 바와 같이 상기 제 1 금속전극(206)의 전면 및 측면 상에 제 2 금속전극(207)을 형성한다(S105). 상기 제 2 금속전극(207)은 상기 제 1 금속전극(206)과 마찬가지로 무전해 도금방법 또는 전해 도금방법을 이용할 수 있으며, 주석(Sn), 은(Ag) 등으로 이루어질 수 있다. 상기 제 2 금속전극(207)은 상기 제 1 금속전극(206)이 산화되는 것을 방지함과 함께 후속의 리본과의 접합시 용접성(solderability)을 향상시키는 역할을 한다. 또한, 상기 제 2 금속전극(207)은 후속의 상기 패턴마스크의 식각, 제거시 식각마스크의 역할도 수행한다. In the state where the
상기 제 1 금속전극(206) 및 제 2 금속전극(207)이 형성된 상태에서, 도 2d에 도시한 바와 같이 상기 도금용 패턴마스크(205)를 제거한 다음, 열처리 공정을 진행한다(S106). 상기 열처리 공정에 의해 상기 제 1 금속전극(206) 및 제 2 금속전극(207)의 접착성 및 치밀성이 향상된다. In the state where the
다음으로, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양전지의 금속전극 형성방법을 설명하기로 한다. 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양전지의 금속전극 형성방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양전지의 금속전극 형성방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다. Next, a method of forming a metal electrode of a solar cell according to a second embodiment of the present invention will be described. 3 is a flowchart illustrating a metal electrode forming method of the solar cell according to the first embodiment of the present invention, Figures 4a to 4f illustrate a metal electrode forming method of the solar cell according to the first embodiment of the present invention. It is process cross section for doing this.
먼저, 도 3 및 도 4a에 도시한 바와 같이 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판(401) 상에 진성층(402), 제 2 도전형의 비정질 반도체층(403) 및 투명전도산화막(404)을 순차적으로 적층한다(S301)(S302). 그런 다음, 상기 투명전도산화 막(404) 상에 시드층(405)(seed layer)을 적층한다(S303). 상기 시드층(405)은 상기 투명전도산화막(404)과 후술하는 제 1 금속전극(407) 사이의 접촉 저항을 줄임과 함께 제 1 금속전극(407)의 비저항을 감소시키기 위한 것으로서, 물리기상증착법(physical vapor deposition) 예를 들어, 이베이퍼레이션(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 방법을 통해 형성할 수 있다. 또한, 상기 시드층(405)은 제 1 금속전극(407)을 구성하는 물질과 동일한 재료로 구성할 수 있다. First, as shown in FIGS. 3 and 4A, the
이어, 도 4b에 도시한 바와 같이 상기 시드층(405) 상에 도금용 패턴마스크(406)를 형성한다(S304). 상기 도금용 패턴마스크(406)는 제 1 금속전극(407)이 형성되는 부위의 시드층(405)만을 노출시키며, 그 형성방법은 제 1 실시예와 동일하다. 즉, 도금용 레지스트(plating resist)를 스크린 인쇄 또는 잉크젯 인쇄하여 형성하거나 투명전도산화막(404) 상에 포토레지스트를 도포하고 포토리소그래피 공정을 이용하여 선택적으로 패터닝하여 형성할 수도 있다. Subsequently, as shown in FIG. 4B, a
그런 다음, 상기 도금용 패턴마스크(406)에 의해 제 1 금속전극(407)이 형성되는 부위의 시드층(405)만이 노출된 상태에서, 도 4c에 도시한 바와 같이 도금 공정을 통해 상기 노출된 시드층(405) 상에 제 1 금속전극(407)을 형성한다(S305). 상기 제 1 금속전극(407)의 도금은 무전해 도금방법(electroless-plating) 또는 전해 도금방법(electro-plating)을 이용할 수 있으며, 상기 제 1 금속전극(407)은 구리(Cu), 니켈(Ni) 등으로 구성될 수 있다. Then, in the state where only the
상기 제 1 금속전극(407)이 형성된 상태에서, 도 4d에 도시한 바와 같이 상기 제 1 금속전극(407)의 전면 및 측면 상에 제 2 금속전극(408)을 형성한 다(S306). 상기 제 2 금속전극(408)은 상기 제 1 금속전극(407)과 마찬가지로 무전해 도금방법 또는 전해 도금방법을 이용할 수 있으며, 주석(Sn), 은(Ag) 등으로 이루어질 수 있다. 상기 제 2 금속전극(408)은 상기 제 1 금속전극(407)이 산화되는 것을 방지함과 함께 후속의 리본과의 접합시 용접성(solderability)을 향상시키는 역할을 한다. 또한, 상기 제 2 금속전극(408)은 후속의 상기 패턴마스크의 식각, 제거시 식각마스크의 역할도 수행한다. In the state where the
상기 제 1 금속전극(407) 및 제 2 금속전극(408)이 형성된 상태에서, 도 4e 및 도 4f에 도시한 바와 같이 상기 도금용 패턴마스크(406)를 제거하고 이어, 상기 제 2 금속전극(408)을 식각 마스크로 이용하여 상기 제 2 금속전극(408)이 형성된 부위 이외의 시드층(405)을 제거한다(S307). 그런 다음, 상기 열처리 공정을 진행하여(S308) 상기 제 1 금속전극(407) 및 제 2 금속전극(408)의 접착성 및 치밀성을 향상시키면 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양전지의 금속전극 형성방법은 완료된다. In the state where the
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양전지의 금속전극 형성방법을 설명하기 위한 순서도.1 is a flowchart illustrating a metal electrode forming method of a solar cell according to a first embodiment of the present invention.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양전지의 금속전극 형성방법을 설명하기 위한 공정 단면도. 2A to 2D are cross-sectional views illustrating a method of forming a metal electrode of a solar cell according to a first embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양전지의 금속전극 형성방법을 설명하기 위한 순서도.3 is a flowchart illustrating a metal electrode forming method of the solar cell according to the first embodiment of the present invention.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양전지의 금속전극 형성방법을 설명하기 위한 공정 단면도. 4A to 4F are cross-sectional views illustrating a method of forming a metal electrode of a solar cell according to a first embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 설명>Description of the main parts of the drawing
201 : 기판 202 : 진성층201: substrate 202: intrinsic layer
203 : 비정질 반도체층 204 : 투명전도산화막203: amorphous semiconductor layer 204: transparent conductive oxide film
205 : 도금용 패턴마스크 206 : 제 1 금속전극205: pattern mask for plating 206: first metal electrode
207 : 제 2 금속전극207: second metal electrode
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|---|---|---|---|---|
| KR101288189B1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-07-23 | (주)에임스팩 | Method for forming elctrode of hetero-junction with intrinsic thin layer solar cell device |
| KR101371865B1 (en) * | 2012-10-16 | 2014-03-10 | 현대중공업 주식회사 | Front electrode structure of solar cell and fabricating method thereof |
| KR20190062350A (en) * | 2019-05-27 | 2019-06-05 | 주성엔지니어링(주) | Solar cell and method of manufacturing the same |
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|---|---|---|---|---|
| JP3479023B2 (en) * | 1999-05-18 | 2003-12-15 | シャープ株式会社 | Method for manufacturing electric wiring, wiring board, display device, and image detector |
| KR100317642B1 (en) * | 1999-05-27 | 2001-12-22 | 구본준, 론 위라하디락사 | Method for manufacturing a Thin Film Transistor using a metal plating |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101288189B1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-07-23 | (주)에임스팩 | Method for forming elctrode of hetero-junction with intrinsic thin layer solar cell device |
| KR101371865B1 (en) * | 2012-10-16 | 2014-03-10 | 현대중공업 주식회사 | Front electrode structure of solar cell and fabricating method thereof |
| KR20190062350A (en) * | 2019-05-27 | 2019-06-05 | 주성엔지니어링(주) | Solar cell and method of manufacturing the same |
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