KR20110065206A - 프린팅과 기상증착중합법을 이용한 유연성 있는 유기반도체 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 본 발명은 유연성(flexible) 있는 유기 박막 트랜지스터 (Organic Thin Film Transistor; OTFT)의 제조에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 프린팅 방법과 기상증착중합법을 이용하여 전기 전도도가 우수한 전도성 고분자가 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain) 전극으로 구성된 박막트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 전기 전도도가 우수한 전도성 고분자를 유연성이 있는 지지체 위에 프린팅과 기상증착중합법을 이용하여 간단하고 빠르게 유기 박막 트랜지스터의 게이트, 소스 및 드레인 전극을 형성할 수 있어 고가의 금속 전극을 대체 할 수 있는 장점을 가진다. 또한 전극 구성 물질로서 휨성이 우수한 전도성 고분자 물질을 사용함으로써, 차세대 디스플레이 중 하나로 분류되는 플렉스블 디스플레이 혹은 전자 종이를 구성하는 반도체 소자로서 적용이 가능하다는 장점을 지닌다.
전도성 고분자, 프린팅, 기상증착중합, 유기 박막 트랜지스터

Description

프린팅과 기상증착중합법을 이용한 유연성 있는 유기반도체 소자 {A Flexible Organic Thin Film Transistor Prepared by Inkjet Printing and Vapor Deposition Polymerization}
본 발명은 유연성(flexible) 있는 유기 박막 트랜지스터 (Organic Thin Film Transistor; OTFT)의 제조에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 프린팅 방법과 기상증착중합법을 이용하여 전기 전도도가 우수한 전도성 고분자가 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain) 전극으로 구성된 박막트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
유기 박막 트랜지스터는 기존의 무기물을 이용한 반도체보다 저온에서 단일 공정으로 제작이 가능하고, 물질의 고유한 유연성으로 인해, 차세대 디스플레이로 각광받는 플렉스블 디스플레이의 핵심 구동소자로서 적용이 가능하여, 학술적으로나 산업적으로 활발히 연구되고 있다. 유기 박막 트랜지스터의 주요 구성으로는 외부 전압에 의해 전하 혹은 전자 (electron or hole)의 주입 및 배출이 되는 게이트, 소스 및 드레인의 전극부, 전극 간의 직접적인 접촉을 제한하고, 전하 및 전자가 머무르게 되는 유기 절연층과 소자의 활성층이 되는 유기 반도체 활성층으 로 구성되는 것이 일반적이다.
이러한 유기 박막 트랜지스터의 연구에 있어서, 기존의 연구들은 반도체 활성층이 되는 유기 물질로서 전하이동도가 우수하고 컨쥬게이션(conjugation)된 저분자 펜타센(pentacene)이나 고분자 중에서는 폴리싸이오펜 벤젠링의 수소가 6개의 탄소로 구성된 알킬기(hexyl)가 치환되어 입체 규칙성(stero regularity)이 뛰어난 폴리싸이오펜 (poly(3-hexythiophene); P3HT)을 이용하여, 활성층의 형성 온도 및 두께를 변화시키면서 제조된 소자의 특성을 향상시키거나, 용액공정이 가능한 고분자계열의 폴리메타메틸아크렐레이트 (poly(metamethylacrylate); PMMA) 혹은 폴리비닐페놀 (poly(vinylphenol); PVP)을 유기 절연층으로 구성하여 소자의 특성을 향상시키는 연구 등에 집중되어 왔다. 상기 물질들을 이용한 연구들을 통해 고가의 실리콘 기반의 무기물을 대신하여, 저가의 유기물질로서도 박막 트랜지스터를 제조할 수 있게 되었지만, 유연성 있는 유기 박막 트랜지스터의 실제적인 구현에 있어서는 반도체 활성층과 절연층 뿐만 아니라, 외부 전압에 의해 전자 혹은 전하의 이동경로가 되는 전극부의 유연성에 관한 연구 또한, 중요한 주제이다.
지금까지의 유기 박막 트랜지스터 연구에 있어서 전극부로 사용되어 왔던 물질로는 대부분이 금(Au), 백금(Pt) 혹은 인듐틴산화물(Indiumtinoxide; ITO)등과 같은 무기 금속 물질로서 전극을 형성하기 위하여 유리기판과 같은 단단한 지지체 위에 열증착(Thermal evaporation)시켜 원하는 크기의 전극 패턴을 구현하는 것이 일반적이었다. 비록 상기 무기 금속 물질들은 전기 전도도가 우수하여 전하의 이동에 있어서는 탁월하지만, 고가의 귀금속으로서 대량 생산을 통해 상용화 하는데 있 어 경제적으로 단점이 있을 뿐만 아니라, 유기 박막 트랜지스터의 반도체 활성층과 절연층이 스핀코팅이나 프린팅 방법과 같은 상압, 상온에서 이루어 질 수 있는 용액공정인 것에 반해, 상기 무기 금속 물질로 전극을 형성할 때는 증착 챔버 내에서 고온, 진공하에서 이루어져 제조 공정이 용액공정에 비해 상대적으로 다루기 곤란한 단점이 있다. 또한, 무기 금속 물질을 증착법으로 전극을 형성하기 위해서는 형성하고자 하는 모양, 크기 및 위치가 고정된 증착용 마스크를 미리 설계하고, 이를 에칭이 포함된 광리소그래피 공정을 통해 제작하여야 하고, 한번 제작된 마스크로는 배선의 간격을 자유로이 조절할 수 없는 단점이 있다. 이에 더하여, 형성된 금속 전극들은 비록 박막이긴 하나 그 자체로서 유기물과는 달리 유연성이 떨어져, 휘어 졌을 경우, 무기 금속 물질의 결정 방향으로 갈라짐(crack)이 발생할 수 있어 유연성 있는 유기 박막 트랜지스터를 실현하는데 있어서는 한계가 있다고 할 수 있다.
최근에는 제조 공정을 단순히 하고, 제조 시 사용되는 전극 형성용 마스크의 설계 및 제조 과정 없이, CAD와 같은 컴퓨터 소프트웨어를 이용하여 형성하고자 하는 전극 간격을 설계하고 컴퓨터와 연결된 잉크젯 프린터로 은나노입자가 분산된 유기 은잉크 조성물을 직접 기판에 인쇄하는 용액 공정을 이용하여, 유기 박막 트랜지스터의 전극을 형성하고, 유기 반도체 활성층과 절연층을 적층하여, 유기 박막 트랜지스터 소자 제작한 사례가 보고 되고 있으나, 상기 은조성물을 이용하여 전극을 형성하는 방법에 있어서도 사용되는 은조성물 역시, 귀금속에 포함되는 은을 이용하여 가격 경쟁력이 떨어지고 잉크젯 프린팅 후, 전류의 이동이 가능한 도전패턴 을 형성하기 위해 고온(150~250℃)에서 열처리를 해 줘야 하는 단점이 있다. 이러한 열처리 공정은 적층된 유기 반도체 활성층과 절연층의 물성을 변화시켜, 핀 홀(pin hole) 발생이나, 물질 자체의 배향 구조의 변화로 인해 소자 성능이 저하될 수 있어 우수한 소자 성능을 나타내는 유기 박막 트랜지스터를 구현하는데 있어 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 이러한 종래 기술의 문제점들을 일거에 해결하고자, 프린팅 공정과 기상증착중합법을 이용하여, 전기 전도도가 우수하고, 유연성이 우수한 전도성 고분자로 유기 박막 트랜지스터의 게이트, 소스 및 드레인 전극부를 형성하여 유연성 있는 유기 박막 트랜지스터를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명자들은 수많은 실험과 심도있는 연구를 거듭한 끝에, 기존의 박막 트랜지스터의 전극을 형성하는 방법과는 전혀 다른 방법, 즉 광리소그래피, 소프트리소그래피, 금속물질의 열증착, 또는 금속 전도성 잉크의 잉크젯 프린팅법 등으로 전극 패턴을 형성하지 않고, 프린팅이 가능한 전도성 고분자 중합용 중합개시제(Initiator)를 용액 공정이 가능한 잉크로 제조하고, 제조된 중합개시제를 먼저 지지체 위에 프린팅 방법을 이용하여 형성하고, 이를 전도성 고분자의 단량체(Monomer)가 존재하는 기상증착중합반응기 내에서 중합반응(Polymerization)을 시켜 원하는 간격의 전극 패턴을 수십마이크로미터 크기에서 자유로이 형성하고, 이와 함께 유기 반도체 활성층과 절연층을 적층하여, 유연성 있고 소자 성능이 우수한 유기 박막 트랜지스터를 제조 할 수 있음을 확인하고 본 발명에 이르게 되었다.
본 발명에 따른 유연성 있는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법은,
(A) 지지체 위에 형성하고자 하는 전극부위에 프린팅이 가능한 중합개시제용액을 제조하는 제조하는 단계;
(B) 상기 중합개시제용액이 지지체 위에서 정밀한 패턴을 형성할 수 있도록 중합개시제용액의 물리적, 화학적 물성을 개질하는 단계;
(C) 상기 중합개시제용액이 지지체 위에서 정밀한 패턴을 형성할 수 있도록 지지체 표면의 화학적 특성을 개질하는 단계;
(d) 상기 중합개시제 용액을 지지체 상에 외부 전압이 인가되는 게이트 전극부위에 프린팅하고, 이를 기화된 전도성 고분자의 단량체가 존재하는 기상증착중합반응기 내에 위치하여, 중합반응을 진행하여 유기 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 단계;
(e) 형성된 게이트 전극 위에 적층하고자 하는 유기 절연막과 유기 반도체 층을 형성하는 단계;
(f) 형성된 유기 절연막과 유기 반도체 층에 형성하고자 하는 소스와 드레인 전극 부위에 중합개시제용액을 프린팅하기 위하여 표면을 개질하는 단계; 및
(g) 표면이 개질된 유기 절연막과 유기 반도체 층위에 중합개시제용액을 프 린팅하고, 이를 기화된 전도성 고분자의 단량체가 존재하는 기상증착중합반응기 내에 위치하여, 중합반을을 진행하여 유기 박막 트랜지스터의 소스와 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
본 명세서에서 특별히 명시되지 않는 한, 온도, 함량, 크기 등의 수치 범위는 본 발명의 제조 방법을 최적화할 수 있는 범위를 의미한다.
본 발명은 프린팅과 기상증착중합법을 혼용하여 기존의 박막 트랜지스터 제조 공정에서 사용되었던 광리소그래피, 소프트리소그래피, 이를 진행하기 위해 필요한 패터닝된 금속 마스크의 사용, 금속 물질의 열증착 등 존재했던 어려움을 피하고, 여러 단계의 공정을 최소화하였을 뿐만 아니라, 전극 물질로서 금속보다 상대적으로 가격 경쟁력이 우수한 전도성 고분자를 활용함으로써, 저가로 대량 생산하는데 유리하며, 전극을 형성하는 과정에 있어서 상온, 상압하에서도 가능한 방법을 제공하였다. 또한 상기 기술에 있어서 박막 트랜지스터 성능의 주요한 요소인 전극 간격 조절이 컴퓨터와 연결된 프린터로 이루어짐에 따라, 전극의 위치와 배열 모양 및 간격 조절이 기존의 금속 마스크를 이용하던 방법보다 간소화되었다.
단계 (A)에서 사용되는 중합개시제의 경우, 전도성 고분자의 중합에 주로 이용되는 암모니움다이퍼설페이트(ammonium dipersulfate), 페릭클로라이드(ferric chrolide), 세릭 암모니움설페이트 (ceric ammonium sulfate), 포타슘다이클로메이(potassium dichromate), 하이드로젠퍼록사이드(hydrogen peroxide) 등을 이용하는 것이 바람직하다.
단계 (B) 에서 중합개시제용액을 지지체 위에서 정밀한 패턴을 형성하기 위해 화학적 물성을 개질하는 경우, 프린팅 된 중합개시제층의 선형정밀도(line-edge waviness)향상을 위해 중합개시제용액의 점성을 증가시킬 목적으로는 에틸렌클라이콜(ethylene glycol), 다이에틸렌클라이콜(diethylene glycol), 폴리에틸렌글라이콜(polyethyleneglycol) 등과 같은 물에 용해되기 쉽고 끓는점(boiling point)이 높은 알코올계 물질을 이용하는 것이 바람직하다. 또는 점성을 증가시킴과 동시에 기상증착중합으로 인해 중합되어 형성되는 전도성 고분자의 전기 전도성을 향상시킬 목적으로 폴리스타이렌설포네이트(polystyrenesulfonate), 도데실벤젠설포네이트(dodecylbenzenesulfonate) 등의 산을 일정량 첨가하는 것이 바람직하다.
첨가되는 물질들의 양은 용매 100 중량부에 대하여 2 내지 25 중량부인것이 적당하나, 이들 범위에 한정되지 않고, 사용하고자하는 프린팅 장비의 요구 사항에 따라,이들 범위에 한정되지 않고, 상기 범위보다 적거나 많을 수 있다.
단계 (C)에서 사용되는 지지체로는 특별히 한정되는 것은 아니며, 프린팅 장비에 적용가능한 것이면 사용될 수 있다. 그 중에서도 휨성(flexible)이 좋고 프린팅 해상도가 좋은 사진 출력용 포토 용지나 휨성이 좋고 투명도(transparent)가 뛰어난 PET(polyethyleneteleptalate), PC(polycarbonate), PI(polyimide) 필름 등의 고분자 필름 혹은 고분자 복합체필름이 바람직하다. 특히, 프린팅 될 지지체가 고분자필름 혹은 고분자복합체 필름일 경우에는 지지체의 표면의 소수성(hydrophobicity) 중합개시제용액의 친수성(hydrophilacity)의 차이로 생기는 표면에너지(surface energy)가 형성되는 패턴의 선형정밀도를 결정하는 주요한 요인이 된다. 이를 제어할 목적으로 지지체 표면을 개질하게 되는데, 이때 사용되는 방법으로는 산소 플라즈마 혹은 질소 플라즈마 표면처리법이 바람직하다. 처리 시간은 특별히 한정되는 것은 아니며, 중합개시제용액의 물성과 지지체의 물성에 따라 1초 ~ 100초 정도가 바람직하나, 상기 범위보다 길거나 짧을 수 있다.
단계 (d) 에서 사용되어지는 프린팅 방법은 롤투롤(Roll to Roll) 프린팅, 그라이바(gravure) 프린팅, 오프셋(off-set) 프린팅, 플렉소 (Flexo) 프린팅, 스크린 (Screen) 프린팅 및 잉크젯 (inkjet) 프린팅 등의 방법이나 이들이 혼합된 방법이 바람직하나 특별히 한정되는 것이 아니다.
게이트 전극을 형성하기 위해 전도성 고분자 전극을 패터닝 하는 방법은 본 연구팀에서 출원된 대한민국 특허(출원번호; 10-2008-0117133 특허명; 잉크젯 프린팅과 기상증착중합법을 이용한 전도성 고분자 패턴 형성)에 있는 방법이 가장 바람직하다.
단계 (e) 에서 사용되는 유기 절연막 물질로는 유전율(dielectric constant)가 높고, 모노클로로벤젠(monochloroebnzene)과 같은 용매에 녹아 박막을 형성하기 쉬운 폴리메틸메타아크릴레이트나, 암모니움다이클로로메이트(Amoniumdicholoromate)와 같은 용매에 녹아 박막을 형성하기 쉬운 폴리비닐피롤, 폴리비닐알코올 등이 바람직하다.
유기 절연막 층을 형성하는 방법은 용매에 녹아 있는 유기 절연물질을 스핀 코팅, 롤투롤(Roll to Roll) 프린팅, 그라이바(gravure) 프린팅, 오프셋(off-set) 프린팅, 플렉소 (Flexo) 프린팅, 스크린 (Screen) 프린팅 및 잉크젯 (inkjet) 프린팅 등의 방법이나 이들이 혼합된 방법이 바람직하나 특별히 한정되는 것이 아니다.
유기 절연막 층의 두께는 10 nm 에서 1000 nm 사이일때, 제조된 유기 박막 트랜지스터의 성능이 우수하나, 그 범위가 특별히 한정된 것은 아니다.
유기 반도체 층을 형성하는 방법은 펜타센과 같은 저분자 유기 반도체 물질을 열증착하거나, 6, 13 -비스(트리이소프로필실릴에티닐)펜타센 (6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene; tips pentacene)이나, 폴리트라이헥시싸이오펜(poly(3-hexithiophene)과 같은 고분자 물질을 , 1,2,4-트라이클로로벤젠 (1,2,4-trichlorobenzene), 시클로헥사놀 (cyclohexanol) 혹은 dicholrobenzne 과 같은 용매에 녹인 후, 스핀코팅, 잉크젯 프린팅, 그라이바(gravure) 프린팅, 오프셋(off-set) 프린팅, 플렉소 (Flexo) 프린팅, 스크린 (Screen) 프린팅 및 잉크젯 (inkjet) 프린팅 등의 방법을 이용할 수 있으나, 그 범위가 특별히 한정된 것은 아니다.
단계 (f) 에서는 소스와 드레인 전극을 패터닝을 단계 (d)에서와 같은 방법으로 수행하기 위하여, 형성된 반도체층 혹은 유기 절연막 층의 표면에너지를 제어하기 위해서 단계(c)에서 제시된 산소 혹은 질소 플라즈마 방법이 바람직하다.
단계(g) 에서 소스와 드레인 전극을 패터닝하기 위해서 사용되는 방법은 단계(d) 에서 제시된 기상증착중합법을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명은 프린팅과 기상증착중합법을 이용하여 전도성 고분자 패턴을 유연 성이 있는 지지체 위에서 패턴의 선폭이 수십 마이크로미터까지도 정확히 구현할 수 있었고, 원하는 패턴의 모양을 추가적인 장치를 이용한 공정 없이 프린팅과 기상증착중합법만을 이용하여 수초 내에 형성할 수 있었다. 이어서, 형성된 전도성 고분자 패턴 위에 유기 절연막 층과 유기 반도체 층을 형성하고, 그 위에 전도성 고분자로서 소스 및 드레인 전극을 형성하므로서 기존의 유기 박막 트랜지스터의 전극으로 사용되는 고가의 금속 물질을 전도성 고분자로 대체하여 우수한 성능을 보이는 유기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있었다. 또한, 본 발명은 전도성 고분자및 유기 물질로만 구성된 유기 박막 트랜지스터를 제조함으로서 유연성하고 완벽한 유기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있었다.
본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터는 플렉스블 디스플레이를 비롯하여, 모바일 장치 혹은 대형 디스플레이 장치의 스위칭 소자로 적용될 수 있으며, 이들의 용도가 본 발명의 범주를 벗어나는 것은 아니다.
[실시예]
이하 실시예를 참조하여 본 발명의 구체적인 예를 설명하지만, 본 발명의 범주가 그것에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
상온(25 ℃)에서 50 mL 반응 용기에 증류수 20 mL 를 넣은 다음 중합개시제로서 암모니움다이퍼설페이트를 2 g 첨가하여 1시간 이상 교반하였다. 교반 후 얻어진 중합개시제 용액을 점도계(rheometer)로 측정한 결과 점도가 1.4 cP, 표면장력 74.6 dyn/m 로 측정되었다. 상기 중합개시제 용액을 잉크가 들어있지 않은 상용 잉크젯 프린터 카트리지 내에 15 mL 넣고 완전히 밀봉한 후 잉크젯 프린터 내에 설치하여 작동 가능하게 하였다. 이 후 마이크로 소프트사의 파워포인트 프로그램을 이용하여 얻고자 하는 유기 박막 트랜지스터의 게이트 패턴을 디자인하여 PET 지지체 위에 프린팅 하여 중합개시제가 프린팅 된 지지체를 제조하였다.
이렇게 얻어진 중합개시제가 프린팅 된 PET 지지체를 기상증착중합 반응기 내에 위치시키고 완전히 밀폐한 후, 전도성 고분자 단량체 중에 하나인 피롤(pyrrole)을 2 mL 피롤의 기화 반응을 시작하였다.
10초 내에 기화된 피롤 단량체는 중합개시제가 프린팅 된 지지체의 표면에서 산화 화학 중합을 일으키고 얻고자 하는 모양의 폴리피롤(polypyrrole) 패턴으로 변화되었다.
PET 지지체에서 형성된 폴리피롤 게이트 전극 위에 유기 절연막으로 사용될 폴리비닐알코올을 암모니아 다이클로로메이트에 녹여 스핀코팅법을 이용하여 3000 rpm 으로 스핀하여 두께 350 nm 의 유기 절연층을 형성하였다.
형성된 유기 절연층 위에 팁스 펜타센(tips pentacene)을 1,2,4-트리클로로벤젠과 시클로헥사놀의 혼합 비율이 7:2 인 혼합용매에 1.0 % 농도로 용액화하여 잉크젯 코팅 법으로 소스와 드레인 전극이 형성될 채널 부위에 정확히 프린팅 하여 두께 800 nm 의 유기 반도체 층을 형성하였다.
형성된 유기 반도체층 위에 다시 소스와 드레인 전극을 형성하기 위하여, 산소 플라즈마의 출력을 100W 로 하여, 1초간 짧게 친수화 처리를 한 후, 150 마이크로 미터 채널간격, 1000 마이크로미터 채널길이의 소스 및 드레인 전극 패턴을 중 합개시제용액으로 채워진 잉크젯 프린터로 프린팅 한 뒤, 피롤 단량체가 포함된 기상증착중합반응기 내부에서 게이트 전극을 형성할 때와 동일한 방법으로, 폴리피롤 소스 및 드레인 전극을 형성하였다.
도 1은 실시예 1에서 프린팅과 기상증착법을 이용하여 구성하고자 하는 유기 박막 트랜지스터 중 반도체 층이 소스 및 드레인 전극 아래에 형성되는 바텀 컨텍트 (bottom contact) 형식의 유기 박막 트랜지스터의 모식도이며,
도 2는 실시예 1에서 프린팅과 기상증착법을 이용하여 구성하고자 하는 유기 박막 트랜지스터 중 반도체 층이 소스 및 드레인 전극 위에 형성되는 탑 컨텍트 (top contact) 형식의 유기 박막 트랜지스터의 모식도이며,
도 3는 실시예 1에서 제조된 유연성 있는 PET 기판 위에 형성된 유기 박막 트랜지스터이며,
도 4은 실시예 1에서 제조된 유기 박막 트랜지스터 중에서 채널간격이 150 마이크로미터인 소자의 트랜지스터의 외부 전압 인가에 따른 방출 특성(output)이며,
도 5는 실시예 1에서 제조된 유기 박막 트랜지스터 중에서 채널간격이 150마치크로미터인 소자의 세츄레이션 영역(saturation)에서의 스위칭 변화 과정을 보여주는 전이 특성(transfer)이다.

Claims (7)

  1. 유연성 있는 유기 박막 트랜지스터를 제조하는데 있어서, 지지체 위에 형성하고자 하는 전극부 위에 프린팅이 가능한 중합개시제용액을 제조하는 제조하는 단계
    상기 중합개시제용액이 지지체 위에서 정밀한 패턴을 형성할 수 있도록 중합개시제용액의 물리적, 화학적 물성을 개질하는 단계
    상기 중합개시제용액이 지지체 위에서 정밀한 패턴을 형성할 수 있도록 지지체 표면의 화학적 특성을 개질하는 단계
    상기 중합개시제 용액을 지지체 상에 외부 전압이 인가되는 게이트 전극부위에 프린팅하고, 이를 기화된 전도성 고분자의 단량체가 존재하는 기상증착중합반응기 내에 위치하여, 중합반응을 진행하여 유기 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 단계
    상기 형성된 게이트 전극 위에 적층하고자 하는 유기 절연막과 유기 반도체 층을 형성하는 단계
    상기 형성된 유기 절연막과 유기 반도체 층에 형성하고자 하는 소스와 드레 인 전극 부위에 중합개시제용액을 프린팅하기 위하여 표면을 개질하는 단계 및
    상기 표면이 개질된 유기 절연층과 유기 반도체 활성층 위에 중합개시제용액을 프린팅하고, 이를 기화된 전도성 고분자의 단량체가 존재하는 기상증착중합반응기 내에 위치하여, 중합반응을 진행하여 유기 박막 트랜지스터의 소스와 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
  2. 제 1항에 있어서, 유기 박막 트랜지스터의 구조가 소스 및 드레인 전극층이 먼저 형성되고, 그 위에 순서대로 유기 반도체층, 유기 절연막층, 게이트 층이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
  3. 제 1항에 있어서, 유기 박막 트랜지스터의 구조가 게이트 층이 먼저 형성되고, 그 위에 순서대로 유기 절연막층, 소스 및 드레인 전극층, 유기 반도체 층이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판은 프린팅 공정에 적용될 수 있고, 휨성이 우수한 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰 로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propinonate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 플라스틱 필름을 포함하는것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터.
  5. 제 1항에 있어서, 전극부를 형성하는 전도성 고분자 물질에 있어서, 기상증창중합이 용이한 피롤(pyrrole), 아닐린(aniline), 싸이오펜(thiophene) 및 이들 단량체의 일부가 치환된 유도체를 이용하여 중합된 폴리피롤(polypyrrole), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리싸이오펜(polythiophene) 및 이들의 유도체 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
  6. 제 1항에 있어서, 게이트, 소스 및 드레인 전극을 형성하는 방법이 잉크젯 (inkjet) 프린팅, 그라이바(gravure) 프린팅, 오프셋(off-set) 프린팅, 플렉소 (Flexo) 프린팅, 스크린 (Screen) 프린팅 및 이들 프린팅 법을 혼용한 프린팅 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
  7. 제 1항에 있어서, 유기 절연막으로 사용되는 물질이 PMMA(polymethylmethacrylate), PS(polystyrene), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자,폴리이미드(polyimide)와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene)을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 유기절연막을 포함하 는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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